TWI703407B - 微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜及其製造方法、以及阻劑圖型形成方法 - Google Patents

微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜及其製造方法、以及阻劑圖型形成方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI703407B
TWI703407B TW105127905A TW105127905A TWI703407B TW I703407 B TWI703407 B TW I703407B TW 105127905 A TW105127905 A TW 105127905A TW 105127905 A TW105127905 A TW 105127905A TW I703407 B TWI703407 B TW I703407B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
underlayer film
formula
forming
carbons
Prior art date
Application number
TW105127905A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201723663A (zh
Inventor
樋田匠
牧野嶋高史
佐藤�
越後雅敏
Original Assignee
日商三菱瓦斯化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 filed Critical 日商三菱瓦斯化學股份有限公司
Publication of TW201723663A publication Critical patent/TW201723663A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI703407B publication Critical patent/TWI703407B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/02—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings
    • C07D405/04—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C39/00—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C39/12—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C39/00—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C39/12—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings
    • C07C39/14—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings with at least one hydroxy group on a condensed ring system containing two rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D165/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2037—Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/11—Homopolymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/14—Side-groups
    • C08G2261/142—Side-chains containing oxygen
    • C08G2261/1424—Side-chains containing oxygen containing ether groups, including alkoxy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/14—Side-groups
    • C08G2261/146—Side-chains containing halogens
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/14—Side-groups
    • C08G2261/148—Side-chains having aromatic units
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/14—Side-groups
    • C08G2261/149—Side-chains having heteroaromatic units
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/32—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/324—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain condensed
    • C08G2261/3242—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating heteroaromatic structural elements in the main chain condensed containing one or more oxygen atoms as the only heteroatom, e.g. benzofuran
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/50—Physical properties
    • C08G2261/59—Stability
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/70—Post-treatment
    • C08G2261/76—Post-treatment crosslinking
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/90—Applications

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本發明提供一種微影用下層膜形成材料，其含有下述成分之至少任一者：下述式(1)所示之化合物，或包含來自下述式(1)所示之化合物之結構單元的樹脂。
Figure 105127905-A0202-11-0001-142
(式(1)中，R1為碳數1~60之2n價的基或單鍵，R2各自獨立為鹵素原子、碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、硫醇基或羥基，且在同一個萘環或苯環中可相同或相異，n為1~4之整數，於n為2以上之整數 時，n個〔 〕內之結構單元之結構式可相同或相異，X表示氧原子、硫原子或無交聯，m2各自獨立為0~7之整數，此處，至少1個m2為1~7之整數，q各自獨立為0或1，惟，選自R1及R2所成群組中的至少1個為包含碘原子之基)。

Description

微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜及其製造方法、以及阻劑圖型形成方法
本發明係關於微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜及其製造方法，以及阻劑圖型形成方法。
在半導體裝置的製造中，雖進行了透過使用光阻材料之微影工程的微細加工，但近年，伴隨著LSI的高積體化及高速度化，追求著透過圖型規則使其更加細微化。然後，作為現今泛用技術的使用光曝光的微影工程，正逐漸地逼近來自光源波長的本質性解像度極限。
阻劑圖型形成之際所使用的微影用光源，已從KrF準分子雷射(248nm)往ArF準分子雷射(193nm)短波長化。然而，在阻劑圖型的微細化演進時，由於產生了解像度的問題或是在顯影後阻劑圖型塌陷的問題，故期望著阻劑的薄膜化。然而，若單純進行阻劑的薄膜化，則對於 基板加工難以得到充分的阻劑圖型膜厚。因此不僅是阻劑圖型，在阻劑與加工的半導體基板之間製作阻劑下層膜，並使得該阻劑下層膜亦具有作為基板加工時的掩膜之機能的流程變得必要。
當前，作為此種流程用的阻劑下層膜，各種物品是已知的。例如，不同於以往蝕刻速度較快的阻劑下層膜，作為實現具有接近阻劑之乾蝕刻速度的選擇比的微影用阻劑下層膜者，提案有含有至少具有藉由施加特定之能量讓末端基脫離並生成磺酸殘基的取代基的樹脂成分與溶劑的多層阻劑流程用下層膜形成材料(例如，參照專利文獻1)。又，作為實現具有比阻劑較小之乾蝕刻速度的選擇比的微影用阻劑下層膜者，提案有含有具有特定重複單位之聚合物的阻劑下層膜材料(例如，參照專利文獻2)。再者，作為實現具有比半導體基板較小之乾蝕刻速度的選擇比的微影用阻劑下層膜者，提案有含有苊類之重複單位與具有取代或非取代羥基之重複單位共聚而成的聚合物的阻劑下層膜材料(例如，參照專利文獻3)。
另一方面，作為此種阻劑下層膜中具有高蝕刻耐性的材料，藉由使用了甲烷氣體、乙烷氣體、乙炔氣體等作為原料的CVD而形成之非晶質碳下層膜已廣為人知。然而，從流程上的觀點來看，可用旋轉塗佈法及網板印刷等濕式流程來形成阻劑下層膜的阻劑下層膜材料正被尋求著。
又，作為光學特性及蝕刻耐性良好，同時可溶於溶劑並能適用於濕式流程的材料，已提案有含有包含 特定構成單位之萘甲醛聚合物及有機溶劑的微影用下層膜形成組成物(例如，參照專利文獻4及5)。
此外，關於在三層流程中之阻劑下層膜的形成中所使用之中間層的形成方法，例如已知矽氮化膜的形成方法(例如，參照專利文獻6)及矽氮化膜的CVD形成方法(例如，參照專利文獻7)。又，作為三層流程用的中間層材料，已知包含矽倍半氧烷基礎之矽化合物的材料(例如，參照專利文獻8及9)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2004-177668號公報
專利文獻2：日本特開2004-271838號公報
專利文獻3：日本特開2005-250434號公報
專利文獻4：國際公開第2009/072465
專利文獻5：國際公開第2011/034062
專利文獻6：日本特開2002-334869號公報
專利文獻7：國際公開第2004/066377
專利文獻8：日本特開2007-226170號公報
專利文獻9：日本特開2007-226204號公報
如同上述，雖然以往已有大量的微影用下層 膜形成材料被提案，但未有不僅具有可適用於旋轉塗佈法或網板印刷等濕式流程的高溶劑溶解性，且高度兼具耐熱性及蝕刻耐性者，故新材料的開發正被尋求著。
因此，本發明係鑑於上述以往技術之課題而成者，目的在於提供一種可適用於濕式流程，用以形成耐熱性及蝕刻耐性優異之光阻下層膜為有用之微影用下層膜形成材料。
本發明者們，為了解決上述以往技術之課題而重複深入研究的結果，發現藉由使用含有具有特定構造之化合物或樹脂的下層膜形成材料，可得到耐熱性及蝕刻耐性優異之光阻下層膜，終至完成本發明。即，本發明如下。
〔1〕一種微影用下層膜形成材料，其特徵為含有下述成分之至少任一者：下述式(1)所示之化合物或包含來自下述式(1)所示之化合物之結構單元的樹脂，
Figure 105127905-A0202-12-0004-3
(式(1)中，R1為碳數1~60之2n價的基或單鍵，R2各自獨立為鹵素原子、碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、硫醇基或羥基，同一個萘環或苯環中可相同或相異，n為1~4之整數，於n為2以上之整數時，n個〔 〕內之結構單元之結構式可相同或相異，X表示氧原子、硫原子或無交聯，m2各自獨立為0~7之整數，此處，至少1個m2為1~7之整數，q各自獨立為0或1，惟，選自R1及R2所成群組中的至少1個為包含碘原子之基)。
〔2〕如〔1〕之微影用下層膜形成材料，其中前述式(1)所示之化合物為下述式(1-1)所示之化合物，
Figure 105127905-A0202-12-0005-4
(式(1-1)中，R1、n及q與前述同義，R3各自獨立為鹵素原子、碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、或碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、硫醇基，同一個萘環或苯環中可相同或相異，m5 各自獨立為1~6之整數，m6各自獨立為0~5之整數，m5+m6為1~6之整數，惟，選自R1及R3所成群組中的至少1個為包含碘原子之基)。
〔3〕如〔2〕之微影用下層膜形成材料，其中前述式(1-1)所示之化合物為下述式(1-2)所示之化合物，
Figure 105127905-A0202-12-0006-5
(式(1-2)中，R1、R3、m、n及q與前述同義。選自R1及R3所成群組中的至少1個為包含碘原子之基)。
〔4〕如〔3〕之微影用下層膜形成材料，其中前述式(1-2)所示之化合物為下述式(1-3)所示之化合物，
Figure 105127905-A0202-12-0006-6
(式(1-3)中，q與前述同義，X'為氫原子、鹵素原子 或碳數1~59之1價的基，R0各自獨立為碳數1~4之烷基或鹵素原子，且在同一個萘環或苯環中可相同或相異，p2各自獨立為0~5之整數，惟，選自X'及R0所成群組中的至少1個為包含碘原子之基)。
〔5〕如〔4〕之微影用下層膜形成材料，其中前述式(1-3)所示之化合物為下述式(1-4)所示之化合物，
Figure 105127905-A0202-12-0007-7
(式(1-4)中，R5為碘原子或選自包含碘原子之碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、包含碘原子之碳數6~10之芳基、包含碘原子之碳數6~10之雜環基、包含碘原子之碳數2~10之烯基及包含碘原子之碳數1~30之烷氧基中之1價的基)。
〔6〕如〔5〕之微影用下層膜形成材料，其中前述式(1-4)所示之化合物為下述式(1-5)或下述式(1-6)所示之化合物，
Figure 105127905-A0202-12-0008-8
Figure 105127905-A0202-12-0008-9
(式(1-5)及式(1-6)中，R6係選自由鹵素原子、碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、硫醇基及羥基所成群組中之1種以上。k為1~5之整數，k’為1~3之整數。惟，R6之至少1個為包含碘原子之1價的基)。
〔7〕如〔6〕之微影用下層膜形成材料，其中前述式(1-5)或前述式(1-6)所示之化合物為選自由下述化合物所成群組中之1種以上，
Figure 105127905-A0202-12-0008-10
Figure 105127905-A0202-12-0009-11
Figure 105127905-A0202-12-0009-12
Figure 105127905-A0202-12-0009-13
Figure 105127905-A0202-12-0009-14
Figure 105127905-A0202-12-0009-15
〔8〕一種微影用下層膜形成用組成物，其特徵為含有如〔1〕~〔7〕中任一項之微影用下層膜形成材料與溶劑。
〔9〕如〔8〕之微影用下層膜形成用組成物，其中進一步含有酸產生劑。
〔10〕如〔8〕或〔9〕之微影用下層膜形成用組成物，其中進一步含有交聯劑。
〔11〕一種微影用下層膜，其係由如〔8〕~〔10〕中任一項之微影用下層膜形成用組成物而形成。
〔12〕一種微影用下層膜之製造方法，其特徵為具有使用如〔8〕~〔10〕中任一項之微影用下層膜形成用組成物在基板上形成下層膜的步驟。
〔13〕一種阻劑圖型形成方法，其特徵為具有下述步驟： 在基板上使用如〔8〕~〔10〕中任一項之下層膜形成用組成物形成下層膜的步驟、 在前述下層膜上形成至少1層之光阻層的步驟、 對前述光阻層之特定區域照射放射線而進行顯影的步驟。
依據本發明之微影用下層膜形成材料，可形成可適用於濕式流程、耐熱性及蝕刻耐性優異之光阻下層膜。
以下就用以實施本發明之形態(以下，僅稱為 「本實施形態」)進行說明。此外，以下之本實施形態為用以說明本發明之例示，本發明不僅限定於該實施之形態。
〔微影用下層膜形成材料〕
本實施形態之微影用下層膜形成材料含有下述式(1)所示之化合物或包含來自下述式(1)所示之化合物之結構單元的樹脂之至少任一者。
Figure 105127905-A0202-12-0011-16
(式(1)中，R1為碳數1~60之2n價的基或單鍵，R2各自獨立為鹵素原子、碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、硫醇基或羥基，同一個萘環或苯環中可相同或相異，n為1~4之整數，於n為2以上之整數時，n個〔 〕內之結構單元之結構式可相同或相異，X表示氧原子、硫原子或無交聯，m2各自獨立為0~7之整數，此處，至少1個m2為1~7之整數，q各自獨立為0或1，惟，選自R1及R2所成群組中的至少1個為包含碘原子之 基)。
上述式(1)中，X表示氧原子、硫原子或無交聯。透過此X各芳香環鍵結於任意之位置。
R1為碳數1~60之2n價的基或單鍵，透過此R1各芳香環鍵結於任意之位置。所謂該2n價之基，例如n=1時，表示碳數1~60之伸烷基，n=2時，表示碳數1~60之烷烴四基，n=3時，表示碳數2~60之烷烴六基，n=4時，表示碳數3~60之烷烴八基。又，作為該2n價之基，雖無特別限定，但可舉例例如具有直鏈狀烴基、分支狀烴基或脂環式烴基者。此處，關於脂環式烴基亦包含橋脂環式烴基。
又，該2n價之基亦可具有雙鍵、雜原子或碳數6~30之芳香族基。進而，該芳香族基亦可具有氰基、硝基、雜環基、鹵素原子、碳數1~20之直鏈狀脂肪族烴基、碳數3~20之分支狀脂肪族烴基、碳數3~20之環狀脂肪族烴基、碳數6~20之芳基、碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、硫醇基或羥基。
R2各自獨立為鹵素原子、碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、硫醇基或羥基，在相同的萘環或苯環中可相同或相異。
n為1~4之整數，於n為2以上之整數時，n個〔 〕內之結構單元的結構式可相同或相異。m2各自獨立為0~7之整數。惟，至少1個m2為1~7之整數。q各 自獨立為0或1。
又，上述式(1)中，選自R1及R2所成群組中的至少1個為包含碘原子之基。此外，所謂「選自R1及R2所成群組中之至少1個」，係指「選自R1及R2所成群組中之至少1個的基」的意思，非指「選自R1及R2所成群組中之至少1種的基」的意思。
所謂包含碘原子之基，關於R1雖無特別限定，但可舉例例如具有經碘原子取代之碳數1~60之直鏈狀烴基、經碘原子取代之碳數3~60之分支狀烴基、經碘原子取代之碳數3~60之脂環式烴基、經碘原子取代之碳數6~60之芳香族基或經碘原子取代之碳數6~60之芳香族基的基等。由耐熱性之點來看，以具有經碘原子取代之碳數3~60之分支狀烴基、經碘原子取代之碳數3~60之脂環式烴基、經碘原子取代之碳數6~60之芳香族基或經碘原子取代之碳數6~60之芳香族基的基較佳，以具有經碘原子取代之碳數3~60之脂環式烴基、經碘原子取代之碳數6~60之芳香族基或經碘原子取代之碳數6~60之芳香族基的基更佳，以具有經碘原子取代之碳數6~60之芳香族基的基再更佳。
所謂包含碘原子之基，關於R2雖無特別限定，但可舉例例如碘原子、經碘原子取代之碳數1~6之直鏈狀脂肪族烴基、經碘原子取代之碳數3~6之分支狀脂肪族烴基、經碘原子取代之碳數3~6之環狀脂肪族烴基、或經碘原子取代之碳數6之芳基等。由對安全溶劑之溶解性 等之點來看，上述包含碘原子之基以碘原子、經碘原子取代之碳數1~6之直鏈狀脂肪族烴基或經碘原子取代之碳數3~6之分支狀脂肪族烴基較佳，以碘原子或經碘原子取代之碳數1~6之直鏈狀脂肪族烴基更佳，碘原子再更佳。
上述式(1)所示之化合物，儘管分子量相對較低，但因為其構造的剛度而具有較高耐熱性，故在高溫烘烤條件下亦可使用。又，由於分子量相對較低且低黏度，即使在具有高低差的基板(特別是微細的空間或孔圖型等)，亦可容易地均勻填充至其高低差的每個角落，其結果讓使用此之微影用下層膜形成材料可相對有效地提高嵌埋特性。又，由於為具有相對高之碳濃度的化合物，亦賦予了高蝕刻耐性。
此處，上述式(1)所示之化合物，由原料之供給性的觀點來看，X為氧原子之化合物較佳，由對有機溶劑之溶解性的觀點來看，下述式(1-1)所示之化合物更佳。
Figure 105127905-A0202-12-0014-17
上述式(1-1)中，R1、n及q與上述式(1)之情 形同義。R3各自獨立為鹵素原子、碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、或碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、硫醇基，在相同的萘環或苯環中可相同或相異。m5各自獨立為1~6之整數，m6各自獨立為0~5之整數，m5+m6為1~6之整數。惟，選自R1及R3所成群組中的至少1個為包含碘原子之基。
又，上述式(1-1)所示之化合物為下述式(1-2)所示之化合物由溶解性之觀點來看再更佳。
Figure 105127905-A0202-12-0015-18
上述式(1-2)中，R1、R3、m6、n及q與上述式(1-1)之情形同義。惟，選自R1及R3所成群組中的至少1個為包含碘原子之基。
又，由低分子量之觀點來看，式(1-2)所示之化合物為n=1較佳，具體而言，例如為下述式(1-3)所示之化合物較佳。
Figure 105127905-A0202-12-0016-19
上述式(1-3)中，q與上述同義。X'為氫原子、鹵素原子或碳數1~59之1價的基。R0各自獨立為碳數1~4之烷基或鹵素原子，在相同的萘環或苯環中可相同或相異。p2各自獨立為0~5之整數。惟，選自X'及R0所成群組中的至少1個為包含碘原子之基。
又，上述式(1-3)所示之化合物，由耐熱性之觀點來看，為下述式(1-4)所示之化合物更進而佳。
Figure 105127905-A0202-12-0016-20
上述式(1-4)中，R5為選自碘原子或包含碘原子之碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、包含碘原子之碳數6~10之芳基、包含碘原子之碳數6~10之雜環基、包含碘原子之碳數2~10之烯基及包含碘原子之碳數1~30之烷氧基中之1價的基。
進而，上述式(1-4)所示之化合物，為下述式(1-5)或下述式(1-6)所示之化合物更進而佳。如此之二苯并哌喃化合物，對於高安全溶劑之溶解性更高，保存安定性及薄膜形成更良好，且，可得到賦予良好圖型形狀之微影用下層膜形成材料。
Figure 105127905-A0202-12-0017-21
Figure 105127905-A0202-12-0017-22
上述式(1-5)及上述式(1-6)中，R6為選自鹵素原子、碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、硫醇基及羥基所成群組中之1種以上。k為1~5之整數，k’為1~3之整數。惟，R6之至少1個為包含碘原子之1價的基。
上述式(1)所示之化合物之具體例雖例示於下，但式(1)所示之化合物不限定於此處所列舉之具體例。
Figure 105127905-A0202-12-0018-23
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m各自獨立為1~6之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0018-24
Figure 105127905-A0202-12-0018-25
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m各自獨立為1~6之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0019-26
Figure 105127905-A0202-12-0019-27
Figure 105127905-A0202-12-0019-28
Figure 105127905-A0202-12-0020-29
Figure 105127905-A0202-12-0020-30
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m各自獨立為1~4之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0020-31
Figure 105127905-A0202-12-0021-32
Figure 105127905-A0202-12-0021-33
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m各自獨立為1~6之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0022-34
Figure 105127905-A0202-12-0022-35
Figure 105127905-A0202-12-0023-36
Figure 105127905-A0202-12-0023-37
Figure 105127905-A0202-12-0023-38
Figure 105127905-A0202-12-0024-39
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m各自獨立為1~4之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0024-40
Figure 105127905-A0202-12-0024-41
Figure 105127905-A0202-12-0025-42
Figure 105127905-A0202-12-0025-43
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m各自獨立為1~6之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0025-44
Figure 105127905-A0202-12-0026-45
Figure 105127905-A0202-12-0026-46
Figure 105127905-A0202-12-0026-47
Figure 105127905-A0202-12-0027-48
Figure 105127905-A0202-12-0027-49
Figure 105127905-A0202-12-0028-50
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m各自獨立為1~4之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0028-51
Figure 105127905-A0202-12-0029-52
Figure 105127905-A0202-12-0029-53
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m各自獨立為1~6之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0030-54
Figure 105127905-A0202-12-0030-55
Figure 105127905-A0202-12-0030-56
Figure 105127905-A0202-12-0031-57
Figure 105127905-A0202-12-0031-58
Figure 105127905-A0202-12-0031-59
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m各自獨立為1~4之整 數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
雖將上述式(1)所示之化合物之具體例進一步例示於下，但不限於此處所列舉者。
Figure 105127905-A0202-12-0032-60
Figure 105127905-A0202-12-0032-61
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R1’與上述式(1)所說明之R1同義，惟，R1’包含碘原子之2價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0033-62
Figure 105127905-A0202-12-0033-63
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0033-64
Figure 105127905-A0202-12-0034-65
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~5之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0034-66
Figure 105127905-A0202-12-0034-67
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~9之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0035-68
Figure 105127905-A0202-12-0035-69
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~7之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0036-70
Figure 105127905-A0202-12-0036-71
Figure 105127905-A0202-12-0036-72
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~9之整數。惟，R2’ 之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0037-73
Figure 105127905-A0202-12-0037-74
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~9之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0038-75
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~6之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0038-76
Figure 105127905-A0202-12-0039-77
Figure 105127905-A0202-12-0039-78
Figure 105127905-A0202-12-0039-79
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~10之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0040-80
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~14之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0040-81
Figure 105127905-A0202-12-0041-82
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~8之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0041-83
Figure 105127905-A0202-12-0041-84
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~12之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0042-85
Figure 105127905-A0202-12-0042-86
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~6之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0042-87
Figure 105127905-A0202-12-0043-88
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~8之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0043-89
Figure 105127905-A0202-12-0043-90
Figure 105127905-A0202-12-0044-91
Figure 105127905-A0202-12-0044-92
Figure 105127905-A0202-12-0044-93
Figure 105127905-A0202-12-0044-94
Figure 105127905-A0202-12-0045-95
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~4之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0045-96
Figure 105127905-A0202-12-0046-97
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~4之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0046-98
Figure 105127905-A0202-12-0047-99
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~6之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0047-100
Figure 105127905-A0202-12-0048-101
Figure 105127905-A0202-12-0048-102
Figure 105127905-A0202-12-0048-103
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~8之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0049-104
Figure 105127905-A0202-12-0049-105
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~10之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
Figure 105127905-A0202-12-0050-106
Figure 105127905-A0202-12-0050-107
上述式中，X與上述式(1)所說明者同義，R2’與上述式(1)所說明之R2同義，m為1~3之整數。惟，R2’之至少1個為包含碘原子之1價的基。
上述式(1-5)或式(1-6)所示之化合物，在上述之中，為選自下述化合物所成群組中之1種以上由更確實地發揮本發明之作用效果的觀點來看極佳。
Figure 105127905-A0202-12-0051-108
Figure 105127905-A0202-12-0051-109
Figure 105127905-A0202-12-0051-110
Figure 105127905-A0202-12-0051-111
Figure 105127905-A0202-12-0051-112
Figure 105127905-A0202-12-0052-113
〔樹脂〕
本實施形態所使用之樹脂，係將上述式(1)所示之化合物作為單體而得之樹脂，包含來自上述式(1)所示之化合物的結構單元。本實施形態之樹脂，例如藉由使上述式(1)所示之化合物與有交聯反應性之化合物反應而得。
作為有交聯反應性之化合物，只要是將上述式(1)所示之化合物進行寡聚物化或聚合物化而得者，可無特別限制地使用周知之物。作為其具體例，雖可舉例例如醛、酮、羧酸、羧酸鹵化物、含鹵素之化合物、胺基化合物、亞胺基化合物、異氰酸酯、含不飽和烴基之化合物等，但特別限定於此等。
本實施形態之微影用下層膜形成材料，含有選自上述式(1)所示之化合物及包含來自該化合物之結構單元的樹脂所成群組中之至少1種的物質。本實施形態中，上述物質由塗佈性及品質安定性之點來看，在微影用下層膜形成材料中為1~100質量%較佳，10~100質量%更佳，50~100質量%再更佳，100質量%更進而佳。
本實施形態之微影用下層膜形成材料，可適用於濕式流程，耐熱性及蝕刻耐性優異。進而，由於本實 施形態之微影用下層膜形成材料使用上述物質，故可形成高溫烘烤時膜的劣化被抑制，且對氧電漿蝕刻等之蝕刻耐性亦優異之下層膜。進而，由於本實施形態之微影用下層膜形成材料與阻劑層之密著性亦優異，故可得到優異之阻劑圖型。此外，本實施形態之微影用下層膜形成材料，在不損及本實施形態之效果的範圍內，亦可包含既知的微影用下層膜形成材料等。
〔微影用下層膜形成用組成物〕
本實施形態中之微影用下層膜形成用組成物，含有上述微影用下層膜形成材料與溶劑。
〔溶劑〕
作為本實施形態中使用之溶劑，若為至少溶解包含上述式(1)所示之化合物及/或該化合物作為構成成分的樹脂者，可適宜地使用周知之物。
作為溶劑之具體例，雖可舉例丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等之酮系溶劑；丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯等之溶纖劑系溶劑；乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、乳酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、羥基異丁酸甲酯等之酯系溶劑；甲醇、乙醇、異丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等之醇系溶劑；甲苯、二甲苯、苯甲醚等之芳香族系烴，但不特別限定於此等。此等之有機溶劑可1種單獨，或組合2種以上來使 用。
上述溶劑之中，由安全性之點來看，環己酮、丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯、乳酸乙酯、羥基異丁酸甲酯、苯甲醚較佳。
溶劑之含量，雖無特別限定，但由溶解性及製膜上的觀點來看，相對於上述下層膜形成材料100質量份，為100~10000質量份較佳，200~5000質量份更佳，200~1000質量份再更佳。
〔交聯劑〕
本實施形態之微影用下層膜形成用組成物，由抑制互混等的觀點來看，應需要亦可進一步含有交聯劑。作為可在本實施形態中使用之交聯劑的具體例，可舉例例如三聚氰胺化合物、胍胺化合物、甘脲化合物、脲化合物、環氧化合物、硫代環氧化合物、異氰酸酯化合物、疊氮化合物、包含烯基醚基等之雙鍵的化合物，具有選自羥甲基、烷氧基甲基、醯氧基甲基中至少一種的基作為取代基(交聯性基)者等，但不特別限定於此等。此外，此等交聯劑可1種單獨，或組合2種以上來使用。又，此等亦可使用作為添加劑。此外，亦可將上述交聯性基導入至式(1)所示之化合物及/或該化合物作為單體所得之樹脂中之聚合物側鏈作為側基。又，包含羥基之化合物亦可使用作為交聯劑。
作為三聚氰胺化合物之具體例，可舉例例如 六羥甲基三聚氰胺、六甲氧基甲基三聚氰胺、六羥甲基三聚氰胺之1~6個羥甲基經甲氧基甲基化之化合物或其混合物，六甲氧基乙基三聚氰胺、六醯氧基甲基三聚氰胺、六羥甲基三聚氰胺之羥甲基之1~6個經醯氧基甲基化之化合物或其混合物等。作為環氧化合物之具體例，可舉例例如參(2,3-環氧丙基)異三聚氰酸酯、三羥甲基甲烷三環氧丙基醚、三羥甲基丙烷三環氧丙基醚、三羥乙基乙烷三環氧丙基醚等。
作為胍胺化合物之具體例，可舉例例如四羥甲基胍胺、四甲氧基甲基胍胺、四羥甲基胍胺之1~4個羥甲基經甲氧基甲基化之化合物或其混合物，四甲氧基乙基胍胺、四醯氧基胍胺、四羥甲基胍胺之1~4個羥甲基經醯氧基甲基化之化合物或其混合物等。作為甘脲化合物之具體例，可舉例例如四羥甲基甘脲、四甲氧基甘脲、四甲氧基甲基甘脲、四羥甲基甘脲之羥甲基之1~4個經甲氧基甲基化之化合物或其混合物，四羥甲基甘脲之羥甲基之1~4個經醯氧基甲基化之化合物或其混合物等。作為脲化合物之具體例，可舉例例如四羥甲基脲、四甲氧基甲脲、四羥甲基脲之1~4個羥甲基經甲氧基甲基化之化合物或其混合物，四甲氧基乙基脲。
作為包含烯基醚基之化合物的具體例，可舉例例如乙二醇二乙烯基醚、三乙二醇二乙烯基醚、1,2-丙二醇二乙烯基醚、1,4-丁二醇二乙烯基醚、四亞甲基甘醇二乙烯基醚、新戊二醇二乙烯基醚、三羥甲基丙烷三乙烯 基醚、己二醇二乙烯基醚、1,4-環己二醇二乙烯基醚、季戊四醇三乙烯基醚、季戊四醇四乙烯基醚、山梨糖醇四乙烯基醚、山梨糖醇五乙烯基醚、三羥甲基丙烷三乙烯基醚等。
本實施形態之微影用下層膜形成材料中，交聯劑之含量雖無特別限定，但相對於下層膜形成材料100質量份為5~50質量份較佳，更佳為10~40質量份。藉由成為上述較佳範圍，傾向與阻劑層之混合現象的產生被抑制，又，傾向反射防止效果提高，交聯後之膜形成性提高。
〔酸產生劑〕
本實施形態之微影用下層膜形成用組成物，由因熱進一步使交聯反應促進等的觀點來看，應需要亦可進一步含有酸產生劑。作為酸產生劑，雖已知藉由熱分解而產生酸者，藉由光照射而產生酸者等，但任一者皆可使用。
作為酸產生劑，雖可舉例例如1)下述一般式(P1a-1)、(P1a-2)、(P1a-3)或(P1b)之鎓鹽、2)下述一般式(P2)之重氮甲烷衍生物、3)下述一般式(P3)之乙二肟衍生物、4)下述一般式(P4)之雙碸衍生物、5)下述一般式(P5)之N-羥基醯亞胺化合物之磺酸酯、6)β-酮磺酸衍生物、 7)二碸衍生物、 8)硝基苄基磺酸酯衍生物、9)磺酸酯衍生物，但不特別限定於此等。此外，此等之酸產生劑可1種單獨，或組合2種以上來使用。
Figure 105127905-A0202-12-0057-114
上述式中，R101a、R101b、R101c各自獨立表示碳數1~12之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、烯基、側氧烷基或側氧烯基；碳數6~20之芳基；或碳數7~12之芳烷基或芳基側氧烷基，此等基之氫原子的一部分或全部亦可經烷氧基等取代。又，R101b與R101c亦可形成環，形成環時，R101b、R101c各自獨立表示碳數1~6之伸烷基。K-表示非親核性對向離子。R101d、R101e、R101f、R101g各自獨立表示在R101a、R101b、R101c加入氫原子。R101d與R101e、R101d與R101e與R101f亦可形成環，形成環時，R101d與R101e及R101d與R101e與R101f表示碳數3~10之伸烷基，或表示環中具有式中之氮原子的雜芳香族環。
上述R101a、R101b、R101c、R101d、R101e、R101f、 R101g彼此可相同或相異。具體而言，作為烷基，雖不限定為下，但可舉例例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、sec-丁基、tert-丁基、戊基、己基、庚基、辛基、環戊基、環己基、環庚基、環丙基甲基、4-甲基環己基、環己基甲基、降莰基、金剛烷基等。作為烯基，雖不限定為下，但可舉例例如乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、己烯基、環己烯基等。作為側氧烷基，雖不限定為下，但可舉例例如2-側氧環戊基、2-側氧環己基等、或2-側氧丙基、2-環戊基-2-側氧乙基、2-環己基-2-側氧乙基、2-(4-甲基環己基)-2-側氧乙基等。作為側氧烯基，雖不限定為下，但可舉例例如2-側氧-4-環己烯基、2-側氧-4-丙烯基等。作為芳基，雖不限定為下，但可舉例例如，苯基、萘基等、或p-甲氧基苯基、m-甲氧基苯基、o-甲氧基苯基、乙氧基苯基、p-tert-丁氧基苯基、m-tert-丁氧基苯基等之烷氧基苯基；2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、乙基苯基、4-tert-丁基苯基、4-丁基苯基、二甲基苯基等之烷基苯基；甲基萘基、乙基萘基等之烷基萘基；甲氧基萘基、乙氧基萘基等之烷氧基萘基；二甲基萘基、二乙基萘基等之二烷基萘基；二甲氧基萘基、二乙氧基萘基等之二烷氧基萘基等。作為芳烷基，雖不限定為下，但可舉例例如苄基、苯基乙基、苯乙基等。作為芳基側氧烷基，雖不限定為下，但可舉例例如2-苯基-2-側氧乙基、2-(1-萘基)-2-側氧乙基、2-(2-萘基)-2-側氧乙基等之2-芳基-2-側氧乙基等。作為K-之非親核性對向離子，雖不限定為 下，但可舉例例如氯化物離子、溴化物離子等之鹵化物離子；三氟甲磺酸酯、1,1,1-三氟乙烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯等之氟烷基磺酸酯；甲苯磺酸酯、苯磺酸酯、4-氟苯磺酸酯、1,2,3,4,5-五氟苯磺酸酯等之芳基磺酸酯；甲磺酸酯、丁烷磺酸酯等之烷基磺酸酯等。
又，R101d、R101e、R101f、R101g為環中具有式中之氮原子的雜芳香族環時，作為該雜芳香族環，例示有咪唑衍生物(例如咪唑、4-甲基咪唑、4-甲基-2-苯基咪唑等)、吡唑衍生物、呋咱衍生物、二氫吡咯衍生物(例如二氫吡咯、2-甲基-1-二氫吡咯等)、吡咯啶衍生物(例如吡咯啶、N-甲基吡咯啶、吡咯啶酮、N-甲基吡咯啶酮等)、咪唑啉衍生物、咪唑啶衍生物、吡啶衍生物(例如吡啶、甲基吡啶、乙基吡啶、丙基吡啶、丁基吡啶、4-(1-丁基戊基)吡啶、二甲基吡啶、三甲基吡啶、三乙基吡啶、苯基吡啶、3-甲基-2-苯基吡啶、4-tert-丁基吡啶、二苯基吡啶、苄基吡啶、甲氧基吡啶、丁氧基吡啶、二甲氧基吡啶、1-甲基-2-吡啶酮、4-吡咯烷子基吡啶、1-甲基-4-苯基吡啶、2-(1-乙基丙基)吡啶、胺基吡啶、二甲胺基吡啶等)、嗒嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啶衍生物、哌啶衍生物、哌嗪衍生物、嗎啉衍生物、吲哚衍生物、異吲哚衍生物、1H-吲唑衍生物、吲哚啉衍生物、喹啉衍生物(例如喹啉、3-喹啉甲腈等)、異喹啉衍生物、噌啉衍生物、喹唑啉衍生物、喹喔啉衍生物、呔嗪衍生物、嘌呤衍生物、喋啶衍生物、咔唑衍生物、啡啶衍 生物、吖啶衍生物、啡嗪衍生物、1,10-啡啉衍生物、腺嘌呤衍生物、腺苷衍生物、鳥嘌呤衍生物、鳥苷衍生物、尿嘧啶衍生物、尿苷衍生物等。
上述式(P1a-1)與式(P1a-2)之鎓鹽，具有作為光酸產生劑及熱酸產生劑之機能。上述式(P1a-3)之鎓鹽，具有作為熱酸產生劑之機能。
Figure 105127905-A0202-12-0060-115
式(P1b)中，R102a、R102b各自獨立表示碳數1~8之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基。R103表示碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之伸烷基。R104a、R104b各自獨立且表示碳數3~7之2-側氧烷基。K-表示非親核性對向離子。
作為上述R102a、R102b之具體例，雖不限定為下，但可舉例甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、sec-丁基、tert-丁基、戊基、己基、庚基、辛基、環戊基、環己基、環丙基甲基、4-甲基環己基、環己基甲基等。作為R103之具體例，雖不限定為下，但可舉例亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、1,4-環伸己基、1,2-環伸己基、1,3-環伸戊 基、1,4-環伸辛基、1,4-環己烷二亞甲基等。作為R104a、R104b之具體例，雖不限定為下，但可舉例2-側氧丙基、2-側氧環戊基、2-側氧環己基、2-側氧環庚基等。K-可舉例與式(P1a-1)、(P1a-2)及(P1a-3)所說明者相同者。
Figure 105127905-A0202-12-0061-116
上述式(P2)中，R105、R106各自獨立表示碳數1~12之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基或鹵素化烷基、碳數6~20之芳基或鹵素化芳基、或碳數7~12之芳烷基。
作為R105、R106之烷基，雖不限定為下，但可舉例例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、sec-丁基、tert-丁基、戊基、己基、庚基、辛基、戊基、環戊基、環己基、環庚基、降莰基、金剛烷基等。作為鹵素化烷基，雖不限定為下，但可舉例例如三氟甲基、1,1,1-三氟乙基、1,1,1-三氯乙基、九氟丁基等。作為芳基，雖不限定為下，但可舉例例如苯基、p-甲氧基苯基、m-甲氧基苯基、o-甲氧基苯基、乙氧基苯基、p-tert-丁氧基苯基、m-tert-丁氧基苯基等之烷氧基苯基；2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、乙基苯基、4-tert-丁基苯基、4-丁基苯基、二甲基苯基等之烷基苯基等。作為鹵素化芳基，雖 不限定為下，但可舉例例如氟苯基、氯苯基、1,2,3,4,5-五氟苯基等。作為芳烷基，雖不限定為下，但可舉例例如苄基、苯乙基等。
Figure 105127905-A0202-12-0062-117
式(P3)中，R107、R108、R109各自獨立表示碳數1~12之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基或鹵素化烷基；碳數6~20之芳基或鹵素化芳基；或碳數7~12之芳烷基。R108、R109亦可相互結合並形成環狀構造，形成環狀構造時，R108、R109各自表示碳數1~6之直鏈狀或分支狀之伸烷基。
作為R107、R108、R109之烷基、鹵素化烷基、芳基、鹵素化芳基、芳烷基，可舉例與R105、R106所說明者相同的基。此外，作為R108、R109之伸烷基，雖不限定為下，但可舉例例如亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基等。
Figure 105127905-A0202-12-0062-118
上述式(P4)中，R101a、R101b與上述式(P3)中之R107相同。
Figure 105127905-A0202-12-0063-119
上述式(P5)中，R110表示碳數6~10之伸芳基、碳數1~6之伸烷基或碳數2~6之伸烯基。此等基之氫原子的一部分或全部，亦可進一步經碳數1~4之直鏈狀或分支狀之烷基或烷氧基、硝基、乙醯基、或苯基所取代。R111表示碳數1~8之直鏈狀、分支狀或取代之烷基、烯基或烷氧基烷基、苯基、或萘基。此等之氫原子的一部分或全部，亦可進一步經碳數1~4之烷基或烷氧基；可被碳數1~4之烷基、烷氧基、硝基或乙醯基取代之苯基；碳數3~5之雜芳香族基；或氯原子、氟原子所取代。
此處，作為R110之伸芳基，雖不限定為下，但可舉例例如1,2-伸苯基、1,8-伸萘基等。作為伸烷基，雖不限定為下，但可舉例例如亞甲基、伸乙基、三亞甲基、四亞甲基、苯基伸乙基、降莰烯-2,3-二基等。作為伸烯基，雖不限定為下，但可舉例例如1,2-伸乙烯基、1-苯基-1,2-伸乙烯基、5-降莰烯-2,3-二基等。作為R111之烷基，可舉例與R101a~R101c相同者。作為烯基，雖不限定為 下，但可舉例例如乙烯基、1-丙烯基、烯丙基、1-丁烯基、3-丁烯基、異平基、1-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、二甲基烯丙基、1-己烯基、3-己烯基、5-己烯基、1-庚烯基、3-庚烯基、6-庚烯基、7-辛烯基等。作為烷氧基烷基，雖不限定為下，但可舉例例如甲氧基甲基、乙氧基甲基、丙氧基甲基、丁氧基甲基、戊氧基甲基、己氧基甲基、庚氧基甲基、甲氧基乙基、乙氧基乙基、丙氧基乙基、丁氧基乙基、戊氧基乙基、己氧基乙基、甲氧基丙基、乙氧基丙基、丙氧基丙基、丁氧基丙基、甲氧基丁基、乙氧基丁基、丙氧基丁基、甲氧基戊基、乙氧基戊基、甲氧基己基、甲氧基庚基等。
此外，作為亦可進一步被取代之碳數1~4之烷基，雖不限定為下，但可舉例例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基等。作為碳數1~4之烷氧基，雖不限定為下，但可舉例例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、tert-丁氧基等。作為亦可被碳數1~4之烷基、烷氧基、硝基或乙醯基所取代之苯基，雖不限定為下，但可舉例例如苯基、甲苯基、p-tert-丁氧基苯基、p-乙醯基苯基、p-硝基苯基等。作為碳數3~5之雜芳香族基，雖不限定為下，但可舉例例如吡啶基、呋喃基等。
作為酸產生劑之具體例，雖不限定為下，但可舉例三氟甲磺酸四甲基銨、九氟丁烷磺酸四甲基銨、九氟丁烷磺酸三乙基銨、九氟丁烷磺酸吡啶鎓、樟腦磺酸三 乙基銨、樟腦磺酸吡啶鎓、九氟丁烷磺酸四n-丁基銨、九氟丁烷磺酸四苯基銨、p-甲苯磺酸四甲基銨、三氟甲磺酸二苯基碘鎓、三氟甲磺酸(p-tert-丁氧基苯基)苯基碘鎓、p-甲苯磺酸二苯基碘鎓、p-甲苯磺酸(p-tert-丁氧基苯基)苯基碘鎓、三氟甲磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸(p-tert-丁氧基苯基)二苯基鋶、三氟甲磺酸雙(p-tert-丁氧基苯基)苯基鋶、三氟甲磺酸參(p-tert-丁氧基苯基)鋶、p-甲苯磺酸三苯基鋶、p-甲苯磺酸(p-tert-丁氧基苯基)二苯基鋶、p-甲苯磺酸雙(p-tert-丁氧基苯基)苯基鋶、p-甲苯磺酸參(p-tert-丁氧基苯基)鋶、九氟丁烷磺酸三苯基鋶、丁烷磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸三甲基鋶、p-甲苯磺酸三甲基鋶、三氟甲磺酸環己基甲基(2-側氧環己基)鋶、p-甲苯磺酸環己基甲基(2-側氧環己基)鋶、三氟甲磺酸二甲基苯基鋶、p-甲苯磺酸二甲基苯基鋶、三氟甲磺酸二環己基苯基鋶、p-甲苯磺酸二環己基苯基鋶、三氟甲磺酸三萘基鋶、三氟甲磺酸環己基甲基(2-側氧環己基)鋶、三氟甲磺酸(2-降莰基)甲基(2-側氧環己基)鋶、伸乙基雙〔甲基(2-側氧環戊基)鋶三氟甲磺酸鹽〕、1,2’-萘基羰基甲基四氫噻吩鎓三氟甲磺酸酯等之鎓鹽；雙(苯磺醯基)重氮甲烷、雙(p-甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(二甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(環戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(n-丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(異丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(sec-丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(n-丙基磺醯基)重氮甲烷、雙(異丙基磺醯基)重氮甲烷、雙(tert-丁基磺醯基)重氮甲 烷、雙(n-戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(異戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(sec-戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(tert-戊基磺醯基)重氮甲烷、1-環己基磺醯基-1-(tert-丁基磺醯基)重氮甲烷、1-環己基磺醯基-1-(tert-戊基磺醯基)重氮甲烷、1-tert-戊基磺醯基-1-(tert-丁基磺醯基)重氮甲烷等之重氮甲烷衍生物；雙-(p-甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(p-甲苯磺醯)-α-二苯基乙二肟、雙-(p-甲苯磺醯基)-α-二環己基乙二肟、雙-(p-甲苯磺醯基)-2,3-戊二酮乙二肟、雙-(p-甲苯磺醯基)-2-甲基-3,4-戊二酮乙二肟、雙-(n-丁烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(n-丁烷磺醯基)-α-二苯基乙二肟、雙-(n-丁烷磺醯基)-α-二環己基乙二肟、雙-(n-丁烷磺醯基)-2,3-戊二酮乙二肟、雙-(n-丁烷磺醯基)-2-甲基-3,4-戊二酮乙二肟、雙-(甲烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(三氟甲烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(1,1,1-三氟乙烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(tert-丁烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(全氟辛烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(環己烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(p-氟苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(p-tert-丁基苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(二甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(樟腦磺醯基)-α-二甲基乙二肟等之乙二肟衍生物；雙萘基磺醯基甲烷、雙三氟甲基磺醯基甲烷、雙甲基磺醯基甲烷、雙乙基磺醯基甲烷、雙丙基磺醯基甲烷、雙異丙基磺醯基甲烷、雙-p-甲苯磺醯基甲烷、雙苯磺醯基甲烷等之雙碸衍生物；2-環己基羰基-2-(p-甲苯磺醯基)丙 烷、2-異丙基羰基-2-(p-甲苯磺醯基)丙烷等之β-酮碸衍生物；二苯基二碸衍生物、二環己基二碸衍生物等之二碸衍生物、p-甲苯磺酸2,6-二硝基苄基、p-甲苯磺酸2,4-二硝基苄基等之硝基苄基磺酸酯衍生物；1,2,3-參(甲烷磺醯氧基)苯、1,2,3-參(三氟甲烷磺醯氧基)苯、1,2,3-參(p-甲苯磺醯氧基)苯等之磺酸酯衍生物；N-羥基琥珀醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺三氟甲磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺乙烷磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺1-丙烷磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺2-丙烷磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺1-戊烷磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺1-辛烷磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺p-甲苯磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺p-甲氧基苯磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺2-氯乙烷磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺苯磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺-2,4,6-三甲基苯磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺1-萘磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺2-萘磺酸酯、N-羥基-2-苯基琥珀醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基馬來醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基馬來醯亞胺乙烷磺酸酯、N-羥基-2-苯基馬來醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基戊二醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基戊二醯亞胺苯磺酸酯、N-羥基酞醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基酞醯亞胺苯磺酸酯、N-羥基酞醯亞胺三氟甲磺酸酯、N-羥基酞醯亞胺p-甲苯磺酸酯、N-羥基萘二甲醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基萘二甲醯亞胺苯磺酸酯、N-羥基-5-降莰烯-2,3-二羧基醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基-5-降莰烯-2,3-二羧基醯亞胺三氟甲磺酸酯、N-羥基-5-降莰烯-2,3-二羧基醯亞胺p-甲苯磺酸酯等之N-羥基醯亞胺化合物 之磺酸酯衍生物等。
在上述之中，較佳使用三氟甲磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸(p-tert-丁氧基苯基)二苯基鋶、三氟甲磺酸參(p-tert-丁氧基苯基)鋶、p-甲苯磺酸三苯基鋶、p-甲苯磺酸(p-tert-丁氧基苯基)二苯基鋶、p-甲苯磺酸參(p-tert-丁氧基苯基)鋶、三氟甲磺酸三萘基鋶、三氟甲磺酸環己基甲基(2-側氧環己基)鋶、三氟甲磺酸(2-降莰基)甲基(2-側氧環己基)鋶、1,2’-萘基羰基甲基四氫噻吩鎓三氟甲磺酸酯等之鎓鹽；雙(苯磺醯基)重氮甲烷、雙(p-甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(n-丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(異丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(sec-丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(n-丙基磺醯基)重氮甲烷、雙(異丙基磺醯基)重氮甲烷、雙(tert-丁基磺醯基)重氮甲烷等之重氮甲烷衍生物；雙-(p-甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-(n-丁烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟等之乙二肟衍生物、雙萘基磺醯基甲烷等之雙碸衍生物；N-羥基琥珀醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺三氟甲磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺1-丙烷磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺2-丙烷磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺1-戊烷磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺p-甲苯磺酸酯、N-羥基萘二甲醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基萘二甲醯亞胺苯磺酸酯等之N-羥基醯亞胺化合物之磺酸酯衍生物等。
本實施形態之微影用下層膜形成材料中，酸產生劑之含量雖無特限定，但相對於下層膜形成材料100 質量份為0.1~50質量份較佳，更佳為0.5~40質量份。藉由成為上述之較佳範圍，傾向酸產生量變多而交聯反應提高，又，與阻劑層之混合現象的發生傾向抑制。
〔鹼性化合物〕
本實施形態之微影用下層膜形成用組成物，由使保存安定性提升等的觀點來看，亦可進一步含有鹼性化合物。
鹼性化合物係發揮了用於抑制從酸產生劑中微量產生的酸進行交聯反應的，對酸之淬滅劑的作用。作為如此之鹼性化合物，雖可舉例例如第一級、第二級或第三級的脂肪族胺類、混合胺類、芳香族胺類、雜環胺類、具有羧基的含氮化合物、具有磺醯基的含氮化合物、具有羥基的含氮化合物、具有羥基苯基的含氮化合物、醇性含氮化合物、醯胺衍生物、醯亞胺衍生物等，但不特別限定於此等。
作為第一級之脂肪族胺類的具體例，雖不限定於下，但可舉例氨、甲胺、乙胺、n-丙胺、異丙胺、n-丁胺、異丁胺、sec-丁胺、tert-丁胺、戊胺、tert-戊胺、環戊胺、己胺、環己胺、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、十二胺、十六胺、亞甲基二胺、乙二胺、四伸乙基五胺等。第二級之脂肪族胺類的具體例，雖不限定於下，但可舉例二甲胺、二乙胺、二-n-丙胺、二異丙胺、二-n-丁胺、二異丁胺、二-sec-丁胺、二戊胺、二環戊胺、二己胺、二環己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、二-十二胺、二- 十六胺、N,N-二甲基亞甲基二胺、N,N-二甲基乙二胺、N,N-二甲基四伸乙基五胺等。第三級之脂肪族胺類的具體例，雖不限定於下，但可舉例三甲胺、三乙胺、三-n-丙胺、三異丙胺、三-n-丁胺、三異丁胺、三-sec-丁胺、三戊胺、三環戊胺、三己胺、三環己胺、三庚胺、三辛胺、三壬胺、三癸胺、三-十二胺、三-十六胺、N,N,N’,N’-四甲基亞甲基二胺、N,N,N’,N’-四甲基乙二胺、N,N,N’,N’-四甲基四伸乙基五胺等。
又，作為混合胺類之具體例，雖不限定於下，但可舉例二甲基乙胺、甲基乙基丙胺、苄基胺、苯乙胺、苄基二甲胺等。作為芳香族胺類及雜環胺類之具體例，雖不限定於下，但可舉例苯胺衍生物(例如苯胺、N-甲基苯胺、N-乙基苯胺、N-丙基苯胺、N,N-二甲基苯胺、2-甲基苯胺、3-甲基苯胺、4-甲基苯胺、乙基苯胺、丙基苯胺、三甲基苯胺、2-硝基苯胺、3-硝基苯胺、4-硝基苯胺、2,4-二硝基苯胺、2,6-二硝基苯胺、3,5-二硝基苯胺、N,N-二甲基甲苯胺等)、二苯基(p-甲苯基)胺、甲基二苯基胺、三苯基胺、苯二胺、萘基胺、二胺基萘、吡咯衍生物(例如吡咯、2H-吡咯、1-甲基吡咯、2,4-二甲基吡咯、2,5-二甲基吡咯、N-甲基吡咯等)、噁唑衍生物(例如噁唑、異噁唑等)、噻唑衍生物(例如噻唑、異噻唑等)、咪唑衍生物(例如咪唑、4-甲基咪唑、4-甲基-2-苯基咪唑等)、吡唑衍生物、呋咱衍生物、二氫吡咯衍生物(例如二氫吡咯、2-甲基-1-二氫吡咯等)、吡咯啶衍生物(例如吡咯啶、N-甲基 吡咯啶、吡咯啶酮、N-甲基吡咯啶酮等)、咪唑啉衍生物、咪唑啶衍生物、吡啶衍生物(例如吡啶、甲基吡啶、乙基吡啶、丙基吡啶、丁基吡啶、4-(1-丁基戊基)吡啶、二甲基吡啶、三甲基吡啶、三乙基吡啶、苯基吡啶、3-甲基-2-苯基吡啶、4-tert-丁基吡啶、二苯基吡啶、苄基吡啶、甲氧基吡啶、丁氧基吡啶、二甲氧基吡啶、1-甲基-2-吡啶酮、4-吡咯烷子基吡啶、1-甲基-4-苯基吡啶、2-(1-乙基丙基)吡啶、胺基吡啶、二甲胺基吡啶等)、嗒嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啶衍生物、哌啶衍生物、哌嗪衍生物、嗎啉衍生物、吲哚衍生物、異吲哚衍生物、1H-吲唑衍生物、吲哚啉衍生物、喹啉衍生物(例如喹啉、3-喹啉甲腈等)、異喹啉衍生物、噌啉衍生物、喹唑啉衍生物、喹喔啉衍生物、呔嗪衍生物、嘌呤衍生物、喋啶衍生物、咔唑衍生物、啡啶衍生物、吖啶衍生物、啡嗪衍生物、1,10-啡啉衍生物、腺嘌呤衍生物、腺苷衍生物、鳥嘌呤衍生物、鳥苷衍生物、尿嘧啶衍生物、尿苷衍生物等。
進而，作為具有羧基之含氮化合物的具體例，雖不限定於下，但可舉例胺基苯甲酸、吲哚羧酸、胺基酸衍生物(例如菸鹼酸、丙胺酸、精胺酸、天冬胺酸、麩胺酸、甘胺酸、組胺酸、異白胺酸、甘胺醯基白胺酸、白胺酸、甲硫胺酸、苯基丙胺酸、蘇胺酸、離胺酸、3-胺基吡嗪-2-羧酸、甲氧基丙胺酸)等。作為具有磺醯基之含氮化合物的具體例，雖不限定於下，但可舉例3-吡啶磺 酸、p-甲苯磺酸吡啶鎓等。作為具有羥基之含氮化合物、具有羥基苯基之含氮化合物、醇性含氮化合物的具體例，雖不限定於下，但可舉例2-羥基吡啶、胺基甲酚、2,4-喹啉二醇、3-吲哚甲醇水合物、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、三異丙醇胺、2,2’-亞胺基二乙醇、2-胺基乙醇、3-胺基-1-丙醇、4-胺基-1-丁醇、4-(2-羥基乙基)嗎啉、2-(2-羥基乙基)吡啶、1-(2-羥基乙基)哌嗪、1-〔2-(2-羥基乙氧基)乙基〕哌嗪、哌啶乙醇、1-(2-羥基乙基)吡咯啶、1-(2-羥基乙基)-2-吡咯啶酮、3-哌啶子基-1,2-丙二醇、3-吡咯烷子基-1,2-丙二醇、8-羥基久洛尼定、3-奎寧醇、3-托品醇、1-甲基-2-吡咯啶乙醇、1-氮丙啶乙醇、N-(2-羥基乙基)酞醯亞胺、N-(2-羥基乙基)異煙醯胺等。作為醯胺衍生物的具體例，雖不限定於下，但可舉例甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、丙醯胺、苯甲醯胺等。作為醯亞胺衍生物的具體例，雖不限定於下，但可舉例酞醯亞胺、琥珀醯亞胺、馬來醯亞胺等。
本實施形態之微影用下層膜形成用組成物中，鹼性化合物之含量雖無特別限定，但相對於下層膜形成材料100質量份為0.001~2質量份較佳，更佳為0.01~1質量份。藉由成為上述之較佳範圍，傾向不過度損及交聯反應而保存安定性提高。
〔其他之添加劑〕
又，本實施形態之微影用下層膜形成用組成物，在賦予熱硬化性或控制吸光度的目的下，亦可進一步含有其他樹脂及/或化合物。作為如此之其他樹脂及/或化合物，雖可舉例萘酚樹脂、二甲苯樹脂萘酚變性樹脂、萘樹脂之酚變性樹脂、聚羥基苯乙烯、二環戊二烯樹脂、(甲基)丙烯酸酯、二甲基丙烯酸酯、三甲基丙烯酸酯、四甲基丙烯酸酯、乙烯基萘、聚苊等之萘環、菲醌、茀等之聯苯環、噻吩、茚等之包含具有雜原子之雜環的樹脂或不含芳香族環的樹脂；松香系樹脂、環糊精、金剛烷(多元)醇、三環癸烷(多元)醇及該等之衍生物等之包含脂環構造的樹脂或化合物等，但不特別限定於此等。進而，本實施形態之微影用下層膜形成材料亦可含有周知之添加劑。作為上述周知之添加劑，雖不限定於下，但可舉例例如紫外線吸收劑、界面活性劑、著色劑、非離子系界面活性劑。
〔微影用下層膜及其製造方法〕
本實施形態之微影用下層膜，由本實施形態之微影用下層膜形成用組成物所形成。又，本實施形態之微影用下層膜之製造方法，具有使用本實施形態之微影用下層膜形成用組成物於基板上形成下層膜的步驟。
〔多層阻劑圖型之形成方法〕
又，本實施形態之阻劑圖型形成方法具有：於基板上 使用本實施形態之微影用下層膜形成用組成物形成下層膜的步驟(A-1)、於該下層膜上形成至少1層之光阻層的步驟(A-2)、及對該光阻層之特定區域照射放射線而進行顯影的步驟(A-3)。
進而，本實施形態之其他圖型形成方法(電路圖型形成方法)具有：於基板上使用本實施形態之微影用下層膜形成用組成物形成下層膜的步驟(B-1)、於該下層膜上使用含有矽原子之阻劑中間層膜材料形成中間層膜的步驟(B-2)、於該中間層膜上形成至少1層之光阻層的步驟(B-3)、對該光阻層之特定區域照射放射線進行顯影而形成阻劑圖型的步驟(B-4)、將該阻劑圖型作為遮罩蝕刻上述中間層膜而形成中間層膜圖型的步驟(B-5)、將該中間層膜圖型作為蝕刻遮罩蝕刻上述下層膜而形成下層膜圖型的步驟(B-6)、及藉由將該下層膜圖型作為蝕刻遮罩蝕刻基板而於基板形成圖型的步驟(B-7)。
本實施形態之微影用下層膜，只要是由本實施形態之微影用下層膜形成用組成物所形成者，其形成方法並無特別限定，可適用周知的手法。例如，可將本實施形態之微影用下層膜形成用組成物以旋塗或網板印刷等周知的塗佈法或印刷法等賦予在基板上後，藉由使其揮發等去除有機溶劑，形成下層膜。
在下層膜的形成時，為了在抑制與上層阻劑發生混合現象的同時促進交聯反應，以進行烘烤為佳。在此情況下，烘烤溫度雖無特別限定，但為80~450℃之範 圍內較佳，更佳為200~400℃。又，烘烤時間雖亦無特別限定，但10~300秒之範圍內較佳。此外，下層膜之厚度，可應其要求性能可適宜選定，雖無特別限定，但為30~20000nm左右較佳，50~15000nm更佳。
於製作下層膜後，較佳為：在2層流程的情況，在其上製作含矽阻劑層或由一般的烴而成之單層阻劑；在3層流程的情況，在其上製作含矽中間層，接著在其上方製作不含矽的單層阻劑層。此時，作為用以形成此阻劑層的光阻材料可使用周知之物。
於基板上製作下層膜後，在2層流程的情況，可在該下層膜上製作含矽阻劑層或由一般的烴而成之單層阻劑。在3層流程的情況，可在該下層膜上製作含矽中間層，接著在該含矽中間層上製作不含矽的單層阻劑層。在此等情況下，用以形成阻劑層的光阻材料，可由從周知之物中適當地選擇使用，並無特別限定。
作為2層流程用之含矽阻劑材料，由氧氣蝕刻耐性的觀點來看，使用聚矽倍半氧烷衍生物或乙烯基矽烷衍生物等之含矽原子之聚合物作為基底聚合物，使用進一步包含有機溶劑、酸產生劑、應需要之鹼性化合物等的正型光阻材料較佳。此處作為含矽原子之聚合物，可使用用於此種阻劑材料中之周知聚合物。
作為3層流程用之含矽中間層較佳使用聚矽倍半氧烷基材之中間層。藉由使中間層具有作為防反射膜之效果，傾向可有效地抑制反射。例如，在193nm曝光 用流程中，若使用大量含有芳香族基且基板蝕刻耐性高之材料作為下層膜，雖有k值變高、且基板反射變高之傾向，但藉由以中間層抑制反射，可使基板反射成為0.5%以下。作為有如此之反射防止效果的中間層，雖不限定於下，但作為193nm曝光用較佳使用導入有具有苯基或矽-矽鍵結之吸光基的，以酸或熱進行交聯之聚矽倍半氧烷。
又，亦可使用以Chemical Vapour Deposition(CVD)法形成之中間層。作為當作以CVD法製作之防反射膜的高功效中間層，雖不限定於下，但例如已知有SiON膜。一般而言，藉由以CVD法之旋轉塗佈法或網板印刷等之濕式流程形成中間層者，具有簡便及成本上的優點。此外，3層流程中的上層阻劑，不論是正型或負型皆可，又，可使用與一般單層阻劑相同之物。
進而，本實施形態之下層膜，可作為一般單層阻劑用之防反射膜或用以抑制圖型塌陷的基底材料使用。本實施形態之下層膜，由於對用於基底加工之蝕刻耐性優異，故亦可期望作為用於基底加工之硬遮罩的功能。
在以上述光阻材料形成阻劑層時，與形成上述下層膜時相同，較佳使用旋轉塗佈法或網板印刷等之濕式流程。又，將阻劑材料以旋轉塗佈法等進行塗佈後，通常進行預烘烤，但該預烘烤以80~180℃ 10~300秒的範圍來進行較佳。其後，依循常法進行曝光，並藉由進行曝光後烘烤(PEB)、顯影，可得到阻劑圖型。此外，阻劑膜之厚度雖無特別限制，但一般而言，為30~500nm較佳，更 佳為50~400nm。
又，曝光光只要是對應使用之光阻材料適當地選擇使用即可。曝光光，例如波長300nm以下之高能量線，具體而言可舉例248nm、193nm、157nm之準分子雷射、3~20nm之軟X射線、電子束、X射線等。
以上述方法形成的阻劑圖型，藉由本實施形態之下層膜成為圖型塌陷被抑制者。因此，藉由使用本實施形態之下層膜，可得到更加細微的圖型，又，可降低為了得到該阻劑圖型所需之曝光量。
然後，將所得之阻劑圖型作為遮罩以進行蝕刻。作為2層流程中的下層膜之蝕刻，可較佳使用氣體蝕刻。作為氣體蝕刻，以使用氧氣的蝕刻為適宜。除了氧氣，亦可加入He、Ar等之惰性氣體、或CO、CO2、NH3、SO2、N2、NO2、H2氣體。又，亦可不使用氧氣，僅用CO、CO2、NH3、N2、NO2、H2氣體進行氣體蝕刻。特別是後者之氣體，因為用於圖型側壁之底切防止的側壁保護而較佳使用。
另一方面，在3層流程中之中間層的蝕刻亦可較佳使用氣體蝕刻。作為氣體蝕刻，可適用相同於上述之2層流程中所說明者。特別是3層流程中之中間層的加工，使用氟氯烷系氣體並將阻劑圖型當作遮罩來進行較佳。其後，如同上述將中間層圖型當作遮罩，例如可藉由進行氧氣蝕刻來進行下層膜的加工。
此處，在形成作為中間層之無機硬遮罩中間 層膜時，係以CVD法及ALD法等形成矽氧化膜、矽氮化膜、矽氧化氮化膜(SiON膜)。作為氮化膜的形成方法，雖不限定於下，但可使用例如日本特開2002-334869號公報(專利文獻6)、WO2004/066377(專利文獻7)中記載的方法。雖然在如此之中間層膜上可形成直接光阻膜，但亦可在中間層膜上以旋塗形成有機防反射膜(BARC)，並在其上方形成光阻膜。
作為中間層，亦可較佳使用聚矽倍半氧烷基材的中間層。藉由使阻劑中間層膜具有作為防止反射膜的效果，傾向可有效地抑制反射。關於聚矽倍半氧烷基材之中間層的具體材料，雖不限定於下，但可使用例如日本特開2007-226170號(專利文獻8)、日本特開2007-226204號(專利文獻9)所記載者。
又，接下來之基板的蝕刻亦可藉由常法進行，例如，基板若為SiO2、SiN則可進行以氟氯烷系氣體作為主體的蝕刻，p-Si或Al、W則可進行以氯系、溴系氣體作為主體的蝕刻。在以氟氯烷系氣體蝕刻基板時，2層阻劑流程之含矽阻劑及3層流程之含矽中間層係與基板加工同時被剝離。另一方面，在以氯系或溴系氣體蝕刻基板時，含矽阻劑層或含矽中間層的剝離係另外進行，一般而言，係在基板加工後進行以氟氯烷系氣體之乾蝕刻剝離。
本實施形態之下層膜，具有對此等基板的蝕刻耐性優異的特徵。此外，基板可適當地選擇使用周知之 物，雖無特別限定，但可舉例Si、α-Si、p-Si、SiO2、SiN、SiON、W、TiN、Al等。又，基板亦可為在基材(支撐體)上具有被加工膜(被加工基板)的積層體。作為如此之被加工膜，可舉例Si、SiO2、SiON、SiN、p-Si、α-Si、W、W-Si、Al、Cu、Al-Si等種種的Low-k膜及其停止膜等，較佳為使用與基材(支撐體)相異材質者。此外，成為加工對象之基板或被加工膜的厚度，雖無特別限定，但一般為50~10000nm左右較佳，更佳為75~5000nm。
實施例
以下藉由合成實施例、合成比較例、實施例及比較例進一步詳細說明本實施形態，但本實施形態並不因此等實例而有任何限定。
(化合物之構造)
化合物之構造，使用Bruker公司製「Advance600II spectrometer」，以下述條件進行1H-NMR測定來確認。
頻率：400MHz
溶劑：d6-DMSO
內部標準：TMS
測定溫度：23℃
(碳濃度及氧濃度)
使用下述裝置藉由有機元素分析來測定碳濃度及氧濃 度(質量%)。
裝置：CHNCorder MT-6(Yanaco分析工業(股)製)
(分子量)
化合物之分子量，係藉由FD-MS分析，使用JEOL公司製「JMS-T100GCV」進行測定。
(聚苯乙烯換算分子量)
樹脂之分子量，係藉由凝膠浸透色層分析法(GPC)分析，求出聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)、數平均分子量(Mn)，求出分散度(Mw/Mn)。
裝置：Shodcx GPC-101型(昭和電工(股)製)
管柱：KF-80M×3
溶離液：THF 1mL/min
溫度：40℃
(熱損失溫度)
使用SII Nanotechnology公司製「EXSTAR6000DSC裝置」，將試料約5mg放入鋁製非密封容器，氮氣體(30mL/min)氣流中以升溫速度10℃/min升溫至500℃。此時，測定10%熱損失溫度。
(溶解性)
於23℃，測定化合物之對1-甲氧基-2-丙醇(PGME)及 丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)的溶解量，其結果以下述基準評估溶解性。
評價A：20質量%以上
評價B：10質量%以上未達20質量%
評價C：未達10質量%
(合成實施例1)A-2(二苯并哌喃化合物)之合成
於具備攪拌機、冷卻管及滴定管之內容積100mL的容器中，將2,6-萘二醇(Sigma-Aldrich公司製試藥)3.5g(20mmol)與4-碘苯甲醛(東京化成工業公司製試藥)2.3g(20mmol)加至50mL之γ-丁內酯中，加入p-甲苯磺酸0.3g，以90℃攪拌28小時進行反應得到反應液。接著將反應液加至純水500g中後，藉由乙酸乙酯萃取，進行濃縮得到溶液。
將所得溶液以管柱色層分析分離後，進行氯仿洗淨，得到下述式(A-2)所示之目標化合物(A-2)1.2g。
關於所得之化合物(A-2)，藉由上述方法測定分子量之結果，為516。
關於所得之化合物(A-2)，以上述測定條件，進行NMR測定時，見到以下波峰，確認了具有下述式(A-2)之化學構造。
δ(ppm)9.7(2H,O-H)、7.2~8.5(14H,Ph-H)、6.5(1H,C-H)
此外，所得之化合物(A-2)中，2,6-萘二醇之取代位置 為1位之事，由3位及4位之質子的信號為雙線來確認。
Figure 105127905-A0202-12-0082-120
有機元素分析之結果，所得之化合物(A-2)的碳濃度為82.9%，氧濃度為11.8%。
熱重量測定(TG)之結果，所得之化合物(A-2)的10%熱損失溫度為400℃以上。因此，評估為具有高耐熱性，可適用於高溫烘烤者。
評估對PGME之溶解性的結果為20質量%以上(評價A)，又，評估對PGMEA之溶解性的結果為10質量%以上未達20質量%(評價B)，評估化合物(A-2)為具有優異溶解性者。因此，評估化合物(A-2)為以溶液狀態具有高保存安定性，亦可充分適用於半導體微細加工流程中廣為使用之邊珠清洗液(PGME/PGMEA混合液)者。
(合成實施例2)A-3(二苯并哌喃化合物)之合成
於具備攪拌機、冷卻管及滴定管之內容積300mL的容器中，將2,6-萘二醇(Sigma-Aldrich公司製試藥)7.0g(40mmol)與5-碘香蘭素(東京化成工業公司製試藥)5.6g (20mmol)加至100mL之γ-丁內酯中，加入p-甲苯磺酸0.5g，以90℃攪拌87小時進行反應得到反應液。接著將反應液加至純水1000g中後，藉由乙酸乙酯萃取，進行濃縮得到溶液。
將所得溶液以管柱色層分析分離後，進行氯仿洗淨，得到下述式(A-3)所示之目標化合物(A-3)2.0g。
關於所得之化合物(A-3)，藉由上述方法測定分子量之結果，為562。
關於所得之化合物(A-3)，以上述測定條件，進行NMR測定時，見到以下波峰，確認了具有下述式(A-3)之化學構造。
δ(ppm)9.7,9.3(3H,O-H)、7.2~8.5(12H,Ph-H)、6.4(1H,C-H)、3.7(3H,O-C-H)
此外，所得之化合物(A-3)中，2,6-萘二醇之取代位置為1位之事，由3位及4位之質子的信號為雙線來確認。
Figure 105127905-A0202-12-0083-121
有機元素分析之結果，所得之化合物(A-3)的碳濃度為82.9%，氧濃度為11.8%。
熱重量測定(TG)之結果，所得之化合物(A-3)之10%熱損失溫度為400℃以上。因此，評估為具有高耐熱性，可適用於高溫烘烤者。
評估對PGME及PGMEA之溶解性的結果，皆為20質量%以上(評價A)，評估化合物(A-3)為具有優異溶解性者。因此，評估化合物(A-3)為以溶液狀態具有高保存安定性，亦可充分適用於半導體微細加工流程中廣為使用之邊珠清洗液(PGME/PGMEA混合液)者。
(合成實施例3)A-4(二苯并哌喃化合物)之合成
於具備攪拌機、冷卻管及滴定管之內容積300mL的容器中，將2,6-萘二醇(Sigma-Aldrich公司製試藥)7.0g(40mmol)與5-碘-2-呋喃甲醛(東京化成工業公司製試藥)4.5g(20mmol)加至100mL之γ-丁內酯中，加入p-甲苯磺酸0.5g，以90℃攪拌24小時進行反應得到反應液。接著將反應液加至純水300g中後，藉由乙酸乙酯萃取，進行濃縮得到溶液。
將所得溶液以管柱色層分析分離後，進行氯仿洗淨，得到下述式(A-4)所示之目標化合物2.5g。
關於所得之化合物(A-4)，藉由上述方法測定分子量之結果，為506。
關於所得之化合物(A-4)，以上述測定條件，進行NMR測定時，見到以下波峰，確認了具有下述式(A-4)之化學構造。
δ(ppm)9.5(2H,O-H)、7.1~8.3(12H,Ph-H)、6.2(1H,C-H)
此外，所得之化合物(A-4)中，2,6-萘二醇之取代位置為1位之事，由3位及4位之質子的信號為雙線來確認。
Figure 105127905-A0202-12-0085-122
有機元素分析之結果，所得之化合物(A-4)的碳濃度為78.9%，氧濃度為16.8%。
熱重量測定(TG)之結果，所得之化合物(A-4)之10%熱損失溫度為400℃以上。因此，評估為具有高耐熱性，可適用於高溫烘烤者。
評估對PGME及PGMEA之溶解性的結果，皆為20質量%以上(評價A)，評估化合物(A-4)為具有優異溶解性者。因此，評估化合物(A-4)為以溶液狀態具有高保存安定性，亦可充分適用於半導體微細加工流程中廣為使用之邊珠清洗液(PGME/PGMEA混合液)者。
(合成實施例4)B-2(二苯并哌喃化合物)之合成
將2,6-萘二醇3.5g(20mmol)變更成2,7-萘二醇(Sigma -Aldrich公司製試藥)3.5g(20mmol)，將反應時間28小時變更成8小時，其他與合成實施例1相同，得到下述式(B-2)所示之目標化合物(B-2)1.8g。
關於所得之化合物(B-2)，藉由上述方法測定分子量之結果，為516。
關於所得之化合物(B-2)，以上述測定條件，進行NMR測定時，見到以下波峰，確認具有下述式(B-2)之化學構造。
δ(ppm)9.9(2H,O-H)、7.0~8.3(14H,Ph-H)、6.1(1H,C-H)
Figure 105127905-A0202-12-0086-123
有機元素分析之結果，所得之化合物(B-2)的碳濃度為82.9%，氧濃度為11.8%。
熱重量測定(TG)之結果，所得之化合物(B-2)之10%熱損失溫度為400℃以上。因此，評估為具有高耐熱性，可適用於高溫烘烤者。
評估對PGME及PGMEA之溶解性的結果，皆為20質量%以上(評價A)，評估化合物(B-2)為具有優異溶解性 者。因此，評估化合物(B-2)為以溶液狀態具有高保存安定性，亦可充分適用於半導體微細加工流程中廣為使用之邊珠清洗液(PGME/PGMEA混合液)者。
(合成實施例5)B-3(二苯并哌喃化合物)之合成
將2,6-萘二醇7.0g(40mmol)變更成2,7-萘二醇(Sigma-Aldrich公司製試藥)7.0g(40mmol)，將反應時間87小時變更成10小時，其他與合成實施例2相同，得到下述式(B-3)所示之目標化合物(B-3)2.0g。關於所得之化合物(B-3)，藉由上述方法測定分子量之結果，為562。
關於所得之化合物(B-3)，以上述測定條件，進行NMR測定時，見到以下波峰，確認具有下述式(B-3)之化學構造。
δ(ppm)9.9,9.4(3H,O-H)、7.0~8.3(12H,Ph-H)、6.0(1H,C-H)、3.8(3H,O-C-H)
Figure 105127905-A0202-12-0087-124
有機元素分析之結果，所得之化合物(B-3)的碳濃度為82.9%，氧濃度為11.8%。
熱重量測定(TG)之結果，所得之化合物(B-3)之10%熱損失溫度為400℃以上。因此，評估為具有高耐熱性，可適用於高溫烘烤者。
評估對PGME及PGMEA之溶解性的結果，皆為20質量%以上(評價A)，評估化合物(B-3)為具有優異溶解性者。因此，評估化合物(B-3)為以溶液狀態具有高保存安定性，亦可充分適用於半導體微細加工流程中廣為使用之邊珠清洗液(PGME/PGMEA混合液)者。
(合成實施例6)B-4(二苯并哌喃化合物)之合成
於具備攪拌機、冷卻管及滴定管之內容積300mL的容器中，將2,7-萘二醇(Sigma-Aldrich公司製試藥)7.0g(40mmol)與5-碘-2-呋喃甲醛(東京化成工業公司製試藥)4.5g(20mmol)加至100mL之γ-丁內酯中，加入p-甲苯磺酸0.5g，以90℃攪拌12小時進行反應得到反應液。接著將反應液加至純水300g中後，藉由乙酸乙酯萃取，進行濃縮得到溶液。
將所得溶液以管柱色層分析分離後，進行氯仿洗淨，得到下述式(A-4)所示之目標化合物3.7g。
關於所得之化合物(B-4)，藉由上述方法測定分子量之結果，為506。
關於所得之化合物(B-4)，以上述測定條件，進行NMR測定時，見到以下波峰，確認具有下述式(B-4)之化學構造。
δ(ppm)9.4(2H,O-H)、7.1~8.2(12H,Ph-H)、6.2(1H,C-H)
Figure 105127905-A0202-12-0089-125
有機元素分析之結果，所得之化合物(B-4)的碳濃度為78.9%，氧濃度為16.8%。
熱重量測定(TG)之結果，所得之化合物(B-4)之10%熱損失溫度為400℃以上。因此，評估為具有高耐熱性，可適用於高溫烘烤者。
評估對PGME及PGMEA之溶解性的結果，皆為20質量%以上(評價A)，評估化合物(B-4)為具有優異溶解性者。因此，評估化合物(B-4)為以溶液狀態具有高保存安定性，亦可充分適用於半導體微細加工流程中廣為使用之邊珠清洗液(PGME/PGMEA混合液)者。
(合成實施例7)樹脂(IR-1)之合成
準備具備戴氏冷卻管、溫度計及攪拌翼之可移除底部的內容積1L的四口燒瓶。在氮氣流中，將合成實施例1所得之化合物(A-2)36.6g(70mmol，三菱氣體化學(股) 製)、40質量%甲醛水溶液21.0g(甲醛為280mmol，三菱氣體化學(股)製)及98質量%硫酸(關東化學(股)製)0.97mL加至此四口燒瓶中，常壓下，一邊以100℃使其回流，一邊使其反應7小時。其後，將鄰二甲苯(和光純藥工業(股)製試藥特級)180.0g加至反應液中作為稀釋溶劑，靜置後，去除下相之水相。進而，進行中和及水洗，藉由在減壓下餾去鄰二甲苯，得到褐色固體之樹脂(IR-1)34.1g。
所得之樹脂(IR-1)為Mn：1875、Mw：3550、Mw/Mn：1.89。又，碳濃度為77.6質量%，氧濃度為9.5質量%。
熱重量測定(TG)之結果，所得之樹脂(IR-1)之10%熱損失溫度為350℃以上未達400℃。因此，評估為可適用於高溫烘烤者。
評估對PGME及PGMEA之溶解性的結果為20質量%以上(評價A)，評估樹脂(IR-1)為具有優異溶解性者。
(合成實施例8)樹脂(IR-2)之合成
準備具備戴氏冷卻管、溫度計及攪拌翼之可移除底部的內容積1L的四口燒瓶。在氮氣流中，將合成例1所得之化合物(A-2)36.6g(70mmol，三菱氣體化學(股)製)、4-聯苯醛50.9g(280mmol，三菱氣體化學(股)製)、苯甲醚(關東化學(股)製)100mL及草酸二水合物(關東化學(股)製)10mL加至此四口燒瓶中，常壓下，一邊以100℃使其回流，一邊使其反應7小時。其後，將鄰二甲苯(和光純藥 工業(股)製試藥特級)180.0g加至反應液中作為稀釋溶劑，靜置後，去除下相之水相。進而，進行中和及水洗，藉由在減壓下餾去有機相之溶劑及未反應之4-聯苯醛，得到褐色固體之樹脂(IR-2)34.7g。
所得之樹脂(IR-2)為Mn：1682、Mw：2910、Mw/Mn：1.73。又，碳濃度為81.2質量%，氧濃度為8.5質量%。
熱重量測定(TG)之結果，所得之樹脂(IR-2)之10%熱損失溫度為350℃以上未達400℃。因此，評估為可適用於高溫烘烤者。
評估對PGME及PGMEA之溶解性的結果為20質量%以上(評價A)，評估樹脂(IR-2)為具有優異溶解性者。
(合成比較例1)比較例用樹脂(CR-1)之合成
準備具備戴氏冷卻管、溫度計及攪拌翼之可移除底部的內容積10L的四口燒瓶。在氮氣流中，將1,5-二甲基萘1.09kg(7mol、三菱氣體化學(股)製)、40質量%甲醛水溶液2.1kg(甲醛為28mol，三菱氣體化學(股)製)及98質量%硫酸(關東化學(股)製)0.97mL加至此四口燒瓶中，常壓下，一邊以100℃使其回流，一邊使其反應7小時。其後，將乙基苯(和光純藥工業(股)製試藥特級)1.8kg加至反應液中作為稀釋溶劑，靜置後，去除下相之水相。進而，進行中和及水洗，藉由在減壓下餾去乙基苯及未反應之1,5-二甲基萘，得到淡褐色固體之二甲基萘甲醛樹脂1.25kg。
所得之二甲基萘甲醛的分子量為Mn：562、Mw：1168、Mw/Mn：2.08。又，碳濃度為84.2質量%，氧濃度為8.3質量%。
接下來，準備具備戴氏冷卻管、溫度計及攪拌翼之內容積0.5L的四口燒瓶。在氮氣流下，將如上述所得之二甲基萘甲醛樹脂100g(0.51mol)與對甲苯磺酸0.05g加至此四口燒瓶中，使其升溫至190℃並加熱2小時後，進行攪拌。其後進一步加入1-萘酚52.0g(0.36mol)，進而使其升溫至220℃使其反應2小時。溶劑稀釋後，進行中和及水洗，藉由在減壓下去除溶劑，得到黑褐色固體之變性樹脂(CR-1)126.1g。
所得之樹脂(CR-1)為Mn：885、Mw：2220、Mw/Mn：4.17。又，碳濃度為89.1質量%，氧濃度為4.5質量%。
(實施例1~8、比較例1)
如表所示之組成，調製各個微影用下層膜形成用組成物。關於表1所示之材料，使用下述者。
‧酸產生劑：綠化學公司製二第三丁基二苯基碘鎓九氟甲磺酸鹽(DTDPI)
‧交聯劑：三和化學公司製NIKALAC MX270(NIKALAC)
‧有機溶劑：丙二醇單甲基醚乙酸酯乙酸酯(PGMEA)
‧酚醛清漆：群榮化學公司製PSM4357
關於實施例1~8、比較例1之下層膜形成用組成物，藉由下述方法評估保存安定性及薄膜形成。結果表示於表1。
〔保存安定性〕
包含化合物之下層膜形成用組成物的保存安定性，以表1之調配比例調製下層膜形成用組成物後，於23℃靜置3日，藉由目視觀察析出的有無，無析出時評估為○，見到析出時評估為×。
〔薄膜形成〕
將下層膜形成用組成物旋轉塗佈在清淨之矽基板上後，以240℃烘烤60秒，分別製作膜厚200nm之下層膜。關於製作之下層膜，均勻溶液且薄膜形成良好時評估為○，薄膜形成有缺陷時評估為×。
〔蝕刻耐性〕
接著，以下述所示條件進行蝕刻試驗，評估蝕刻耐性。評估結果表示於表1。
〔蝕刻試驗〕
蝕刻裝置：Samco International公司製RIE-10NR
輸出：50W
壓力：20Pa
時間：2min
蝕刻氣體
Ar氣體流量：CF4氣體流量：O2氣體流量=50：5：5(sccm)
蝕刻耐性之評估以下述順序進行。
首先，使用酚醛清漆(群榮化學公司製PSM4357)代替實施例1所使用之化合物(A-2)以外，以與實施例1相同的條件，製作酚醛清漆之下層膜。然後，以此酚醛清漆之下層膜作為對象，進行上述蝕刻試驗，測定該時之蝕刻速率。
接著，以實施例1~8及比較例1之下層膜作為對象，同樣地進行上述蝕刻試驗，測定該時之蝕刻速率。
然後，以使用酚醛清漆之下層膜的蝕刻速率作為基準，以下述評估基準評估蝕刻耐性。
〔評估基準〕
A：與酚醛清漆之下層膜的蝕刻速率相比蝕刻速率未達-10%
B：與酚醛清漆之下層膜的蝕刻速率相比蝕刻速率為-10%~+5%
C：與酚醛清漆之下層膜的蝕刻速率相比蝕刻速率超過+5%
Figure 105127905-A0202-12-0095-126
(實施例9)
接著，藉由將實施例1之微影用下層膜形成用組成物塗佈在膜厚300nm之SiO2基板上，以240℃ 60秒，進一步以400℃ 120秒進行烘烤，形成膜厚85nm之下層膜。藉由在此下層膜上，塗佈ArF用阻劑溶液，以130℃烘烤60秒，形成膜厚140nm之光阻層。此外，作為ArF阻劑溶液，使用調配下述式(5)所示之化合物：5質量份、三苯基鋶九氟甲磺酸鹽：1質量份、三丁胺：2質量份、及PGMEA：92質量份調製而成者。
調製式(5)所示之化合物如下述。即，使2-甲基-2-甲基丙烯醯氧基金剛烷4.15g、甲基丙烯醯氧基-γ-丁內酯3.00g、3-羥基-1-金剛烷基甲基丙烯酸酯2.08g、偶 氮雙異丁腈0.38g溶解於四氫呋喃80mL中成為反應溶液。在氮氛圍下，反應溫度保持在63℃，使此反應溶液聚合22小時後，將反應溶液滴下至400mL之n-己烷中。使如此所得之生成樹脂凝固純化，過濾生成之白色粉末，減壓下以40℃使其乾燥一晚得到下述式所示之化合物。
Figure 105127905-A0202-12-0096-127
上述式(5)中，「40」、「40」、「20」所標記者，表示各構成單位之比率，並非表示嵌段共聚物。
接著，藉由使用電子束描繪裝置(Elionix公司製；ELS-7500,50keV)，將光阻層進行曝光，以115℃烘烤(PEB)90秒，以2.38質量%四甲基銨氫氧化物(TMAH)水溶液顯影60秒，得到正型之阻劑圖型。
(比較例2)
不進行下層膜之形成以外，與實施例9相同，將光阻層直接形成在SiO2基板上，得到正型之阻劑圖型。
〔評估〕
關於實施例9及比較例2，分別使用(股)日立製作所製電子顯微鏡(S-4800)觀察所得之40nmL/S(1：1)及80nmL/S(1：1)之阻劑圖型的形狀。關於顯影後之阻劑圖型的形狀，無圖型塌陷，且矩形性良好者評估為良好，非如前述者評估為不良。又，該觀察之結果，無圖型塌陷，且矩形性良好之最小線幅作為解像性之評估的指標。進而，可描繪良好之圖型形狀之最小電子束能量的量作為感度之評估的指標。其結果表示於表2。
Figure 105127905-A0202-12-0097-128
由表2可明白，至少確認了實施例9中，與比較例2相比，其解像性及感度皆顯著地較優異。又，亦確認了顯影後之阻劑圖型形狀亦無圖型塌陷，且矩形性良好。進而，由顯影後之阻劑圖型形狀的差異，亦確認了實施例1中之微影用下層膜形成材料與阻劑材料之密著性良好。
(實施例10)
藉由將實施例1所用之微影用下層膜形成用組成物塗 佈在膜厚300nm之SiO2基板上，以240℃ 60秒，進而以400℃ 120秒進行烘烤，形成膜厚90nm之下層膜。藉由在此下層膜上，塗佈含矽中間層材料，以200℃烘烤60秒，形成膜厚35nm之中間層膜。進而，藉由在此中間層膜上，塗佈上述ArF用阻劑溶液，以130℃烘烤60秒，形成膜厚150nm之光阻層。此外，作為含矽中間層材料，使用下述所得之含矽原子之聚合物。
使3-羧基丙基三甲氧基矽烷16.6g與苯基三甲氧基矽烷7.9g與3-羥基丙基三甲氧基矽烷14.4g溶解於四氫呋喃(THF)200g、純水100g中，液溫成為35℃，滴下草酸5g，其後升溫至80℃，進行矽烷醇的縮合反應。接著，加入二乙基醚200g與水層區分，有機液層以超純水洗淨2次，加入丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)200g，一邊將液溫加熱至60℃的減壓下一邊去除THF、二乙基醚水，得到含矽原子之聚合物。
接著，藉由使用電子束描繪裝置(Elionix公司製；ELS-7500,50keV)，光阻層進行遮罩曝光，以115℃烘烤(PEB)90秒，以2.38質量%四甲基銨氫氧化物(TMAH)水溶液顯影60秒，得到45nmL/S(1：1)之正型的阻劑圖型。其後，使用Samco International公司製RIE-10NR，將所得之阻劑圖型作為遮罩進行含矽中間層膜(SOG)的乾蝕刻加工，接著，依序進行將所得之含矽中間層膜圖型作為遮罩下層膜的乾蝕刻加工，與所得之下層膜圖型作為遮罩的SiO2膜之乾蝕刻加工。
各個蝕刻條件如下述所示。
對阻劑圖型之阻劑中間層膜的蝕刻條件
輸出：50W
壓力：20Pa
時間：1min
蝕刻氣體
Ar氣體流量：CF4氣體流量：O2氣體流量=50：8：2(sccm)
對阻劑中間膜圖型之阻劑下層膜的蝕刻條件
輸出：50W
壓力：20Pa
時間：2min
蝕刻氣體
Ar氣體流量：CF4氣體流量：O2氣體流量=50：5：5(sccm)
對阻劑下層膜圖型之SiO2膜的蝕刻條件
輸出：50W
壓力：20Pa
時間：2min
蝕刻氣體
Ar氣體流量：C5F12氣體流量：C2F6氣體流量：O2氣體流量=50：4：3：1(sccm)
〔評估〕
使用(股)日立製作所製電子顯微鏡(S-4800)觀察如上述所得之實施例10的圖型剖面(蝕刻後之SiO2膜的形狀)時，至少確認了實施例之下層膜，多層阻劑加工中之蝕刻後之SiO2膜的形狀為矩形，亦未發現到缺陷為良好。
如上述，本實施形態並非限定於上述實施例，在未脫離其要旨的範圍內可加上適當的變更。
本申請案係基於2015年8月31日日本國特許聽申請之日本專利申請案(日本特願2015-170190號)，該等之內容參照於併入此處作為參考。
本發明之化合物及樹脂，耐熱性相對較高，溶劑溶解性亦相對較高，可適用於濕式流程。因此，含有本發明之化合物或樹脂的微影用下層膜形成材料及包含該材料的組成物，在要求此等性能之各種用途中，可廣泛且有效地利用。因此，本發明在例如電氣用絕緣材料、阻劑用樹脂、半導體用密封樹脂、印刷配線板用接著劑、電氣機器‧電子機器‧產業機器等中搭載的電氣用積層板、電氣機器‧電子機器‧產業機器等中搭載的預浸體之基質樹脂、增層積層板材料、纖維強化塑膠用樹脂、液晶顯示面板之密封用樹脂、塗料、各種塗佈劑、接著劑、半導體用之塗佈劑、半導體用之阻劑用樹脂、下層膜形成用樹脂等中，能夠廣泛且有效地利用。特別是，本發明在微影用下層膜及多層阻劑用下層膜的領域中，可特別有效地利用。

Claims (13)

  1. 一種下述式(1)所示之化合物或包含來自下述式(1)所示之化合物之結構單元的樹脂之用以形成微影用下層膜的用途，
    Figure 105127905-A0305-02-0104-1
     式(1)中，R1為碳數1~60之2n價的基或單鍵，R2各自獨立為鹵素原子、碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、硫醇基或羥基，且在同一個萘環或苯環中可相同或相異，n為1~4之整數，於n為2以上之整數時，n個〔 〕內之結構單元之結構式可相同或相異，X表示氧原子、硫原子或無交聯，m2各自獨立為0~7之整數，此處，至少1個m2為1~7之整數，q各自獨立為0或1，惟，選自R1及R2所成群組中的至少1個為包含碘原子之基。
  2. 如請求項1之用途，其中前述式(1)所示之化合物為下述式(1-1)所示之化合物，
    Figure 105127905-A0305-02-0105-2
     式(1-1)中，R1、n及q與前述同義，R3各自獨立為鹵素原子、碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、或碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、硫醇基，且在同一個萘環或苯環中可相同或相異，m5各自獨立為1~6之整數，m6各自獨立為0~5之整數，m5+m6為1~6之整數，惟，選自R1及R3所成群組中的至少1個為包含碘原子之基。
  3. 如請求項2之用途，其中前述式(1-1)所示之化合物為下述式(1-2)所示之化合物，
    Figure 105127905-A0305-02-0105-3
     式(1-2)中，R1、R3、m、n及q與前述同義，選自R1及R3所成群組中的至少1個為包含碘原子之基。
  4. 如請求項3之用途，其中前述式(1-2)所示之化合物為下述式(1-3)所示之化合物，
    Figure 105127905-A0305-02-0106-4
     式(1-3)中，q與前述同義，X'為氫原子、鹵素原子或碳數1~59之1價的基，R0各自獨立為碳數1~4之烷基或鹵素原子，且在同一個萘環或苯環中可相同或相異，p2各自獨立為0~5之整數，惟，選自X'及R0所成群組中的至少1個為包含碘原子之基。
  5. 一種微影用下層膜形成材料，其特徵為含有下述成分之至少任一者：下述式(1-4)所示之化合物或包含來自下述式(1-4)所示之化合物之結構單元的樹脂，
    Figure 105127905-A0305-02-0106-5
     式(1-4)中，R5為碘原子或選自包含碘原子之碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、包含碘原子之碳數6~10之芳基、包含碘原子之碳數6~10之雜環基、包含碘原子之碳數2~10之烯基及包含碘原子之碳數1~30之烷氧基中之1價的基。
  6. 如請求項5之微影用下層膜形成材料，其中前述式(1-4)所示之化合物為下述式(1-5)或下述式(1-6)所示之化合物，
    Figure 105127905-A0305-02-0107-6
    Figure 105127905-A0305-02-0107-7
     式(1-5)及式(1-6)中，R6係選自鹵素原子、碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、硫醇基及羥基所成 群組中之1種以上，k為1~5之整數，k’為1~3之整數，惟，R6之至少1個為包含碘原子之1價的基。
  7. 如請求項6之微影用下層膜形成材料，其中前述式(1-5)或前述式(1-6)所示之化合物為選自下述化合物所成群組中之1種以上，
    Figure 105127905-A0305-02-0108-8
    Figure 105127905-A0305-02-0108-9
    Figure 105127905-A0305-02-0108-10
    Figure 105127905-A0305-02-0109-11
    Figure 105127905-A0305-02-0109-12
    Figure 105127905-A0305-02-0109-13
  8. 一種微影用下層膜形成用組成物，其特徵為含有如請求項5之微影用下層膜形成材料與溶劑。
  9. 如請求項8之微影用下層膜形成用組成物，其中進一步含有酸產生劑。
  10. 如請求項8或9之微影用下層膜形成用組成物，其中進一步含有交聯劑。
  11. 一種微影用下層膜，其係由如請求項8或9之微影用下層膜形成用組成物而形成。
  12. 一種微影用下層膜之製造方法，其特徵為具有使用如請求項8或9之微影用下層膜形成用組成物在基板上 形成下層膜的步驟。
  13. 一種阻劑圖型形成方法，其特徵為具有下述步驟：在基板上使用如請求項8或9之下層膜形成用組成物形成下層膜的步驟、在前述下層膜上形成至少1層之光阻層的步驟、對前述光阻層之特定區域照射放射線而進行顯影的步驟。
TW105127905A 2015-08-31 2016-08-30 微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜及其製造方法、以及阻劑圖型形成方法 TWI703407B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015170190 2015-08-31
JP2015-170190 2015-08-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201723663A TW201723663A (zh) 2017-07-01
TWI703407B true TWI703407B (zh) 2020-09-01

Family

ID=58187318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105127905A TWI703407B (zh) 2015-08-31 2016-08-30 微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜及其製造方法、以及阻劑圖型形成方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11137686B2 (zh)
EP (1) EP3346334B1 (zh)
JP (1) JP7020912B2 (zh)
KR (1) KR20180048799A (zh)
CN (1) CN107924131B (zh)
TW (1) TWI703407B (zh)
WO (1) WO2017038643A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7026439B2 (ja) * 2014-12-25 2022-02-28 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法及び精製方法
WO2016147989A1 (ja) * 2015-03-13 2016-09-22 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法、及び、化合物又は樹脂の精製方法
JP6848869B2 (ja) 2015-09-10 2021-03-24 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物又は感放射線性組成物、レジストパターン形成方法、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、回路パターンの形成方法、及び、精製方法
KR20190034149A (ko) * 2016-07-21 2019-04-01 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물, 수지 및 조성물, 그리고 레지스트패턴 형성방법 및 회로패턴 형성방법
JP7194355B2 (ja) * 2016-07-21 2022-12-22 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法
JP7248956B2 (ja) 2018-01-31 2023-03-30 三菱瓦斯化学株式会社 組成物、並びに、レジストパターンの形成方法及び絶縁膜の形成方法
US10886119B2 (en) * 2018-08-17 2021-01-05 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Aromatic underlayer
US20210206901A1 (en) * 2018-08-24 2021-07-08 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, composition containing the same, method for forming resist pattern and method for forming insulating film
KR20210049094A (ko) * 2018-08-24 2021-05-04 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물, 및 그것을 포함하는 조성물, 그리고, 레지스트패턴의 형성방법 및 절연막의 형성방법
KR102303554B1 (ko) 2018-12-26 2021-09-16 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 하드마스크 조성물 및 패턴 형성 방법
TW202039619A (zh) * 2019-01-11 2020-11-01 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 膜形成用組成物、阻劑組成物、感放射線性組成物、非晶膜之製造方法、阻劑圖型形成方法、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜之製造方法及電路圖型形成方法
KR20230035520A (ko) * 2020-07-08 2023-03-14 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 막형성용 조성물, 레지스트 조성물, 감방사선성 조성물, 아몰퍼스막의 제조방법, 레지스트패턴 형성방법, 리소그래피용 하층막형성용 조성물, 리소그래피용 하층막의 제조방법 및 회로패턴 형성방법, 광학부재형성용 조성물, 막형성용 수지, 레지스트 수지, 감방사선성 수지, 리소그래피용 하층막형성용 수지
WO2024070786A1 (ja) * 2022-09-30 2024-04-04 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及び半導体基板の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1830228A1 (en) * 2004-12-24 2007-09-05 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound for resist and radiation-sensitive composition
TW201321891A (zh) * 2011-08-12 2013-06-01 Mitsubishi Gas Chemical Co 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，其所用之多酚化合物及可由其衍生之醇化合物
TW201441765A (zh) * 2006-11-02 2014-11-01 Mitsubishi Gas Chemical Co 感放射線性組成物、下層膜、及光阻圖案形成方法
WO2014208542A1 (ja) * 2013-06-26 2014-12-31 日産化学工業株式会社 置換された架橋性化合物を含むレジスト下層膜形成組成物
TW201514239A (zh) * 2013-08-27 2015-04-16 Zeon Corp 樹脂組合物、樹脂膜以及電子元件

Family Cites Families (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2100798A (en) 1933-05-02 1937-11-30 Ig Farbenindustrie Ag Condensation products of carbenium compounds and process of preparing the same
US2587437A (en) 1947-03-19 1952-02-26 Goodrich Co B F Di (alkenyl carbonate) esters of alkylidene bis-phenols
US2546872A (en) 1947-10-10 1951-03-27 Ciba Ltd Hydroxy-compounds of the benzoxanthene series and process of making same
JPS5017887B2 (zh) 1971-10-20 1975-06-25
US3947468A (en) 1971-05-26 1976-03-30 General Electric Company Production of dibenzopyrans, their isomeric fluorenols and dibenzothiopyrans
CA1119873A (en) 1976-10-22 1982-03-16 Scott Paper Company Diazo composition containing an azo coupling component precursor, a light sensitive acid progenitor and a carboxylic anhydride
US4252884A (en) 1979-08-14 1981-02-24 James River Graphics, Inc. Negative-working diazotype photoreproduction
US4482489A (en) 1980-11-18 1984-11-13 James River Graphics, Inc. Light-sensitive diazonium trifluoromethane sulfonates
US4579758A (en) 1981-01-16 1986-04-01 The B. F. Goodrich Company Internally coated reaction vessel for use in olefinic polymerization
JPS6294841A (ja) 1985-10-21 1987-05-01 Hodogaya Chem Co Ltd 画像形成組成物
JPS62191850A (ja) 1986-02-17 1987-08-22 Nec Corp ポジレジスト材料
JPH01283280A (ja) 1988-05-06 1989-11-14 Asahi Denka Kogyo Kk 新規エポキシ化合物及びその製造方法
JP3137202B2 (ja) 1990-10-30 2001-02-19 大日本インキ化学工業株式会社 エポキシ樹脂、その製造方法及びエポキシ樹脂組成物
JP2919142B2 (ja) 1990-12-27 1999-07-12 株式会社東芝 感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP3052449B2 (ja) 1991-07-17 2000-06-12 住友化学工業株式会社 レジストの金属低減化方法
JPH0534913A (ja) 1991-08-01 1993-02-12 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05163290A (ja) 1991-12-17 1993-06-29 Kikkoman Corp Ｎ−アセチル−β−Ｄ−グルコサミン誘導体、これを有効成分とするＮ−アセチル−β−Ｄ−グルコサミニダーゼ活性測定用試薬及びこれを用いたＮ−アセチル−β−Ｄ−グルコサミニダーゼ活性の測定方法
JP2838335B2 (ja) 1992-02-03 1998-12-16 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
JPH0649402A (ja) 1992-08-04 1994-02-22 Nippon Kayaku Co Ltd ソルダーレジストインキ組成物及びその硬化物
JPH06242607A (ja) 1993-02-18 1994-09-02 Mitsubishi Electric Corp ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成法
JP3498857B2 (ja) 1994-01-28 2004-02-23 株式会社ノエビア 皮膚外用剤
US6020481A (en) 1996-04-01 2000-02-01 The Perkin-Elmer Corporation Asymmetric benzoxanthene dyes
IT1298693B1 (it) 1996-04-24 2000-01-12 Hoffmann La Roche Derivati della fluoresceina 4'-metil sostituiti
JP3582936B2 (ja) 1996-07-10 2004-10-27 株式会社ノエビア 皮膚外用剤
JPH1172925A (ja) 1997-07-03 1999-03-16 Toshiba Corp 下層膜用組成物およびこれを用いたパターン形成方法
JP3746067B2 (ja) 1997-12-24 2006-02-15 三菱電機株式会社 音声復号化方法及び音声復号化装置
JP2001042525A (ja) 1999-07-30 2001-02-16 Dainippon Ink & Chem Inc アルカリ現像型感光性樹脂組成物
WO2002014075A1 (en) 2000-08-14 2002-02-21 Silverbrook Research Pty Ltd Interface surface printer using invisible ink
JP2002214769A (ja) 2001-01-18 2002-07-31 Fuji Photo Film Co Ltd 感放射線性ポジ型レジスト組成物
JP3774668B2 (ja) 2001-02-07 2006-05-17 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜形成装置の洗浄前処理方法
US6844273B2 (en) 2001-02-07 2005-01-18 Tokyo Electron Limited Precleaning method of precleaning a silicon nitride film forming system
JP2002334896A (ja) 2001-05-07 2002-11-22 Nagase & Co Ltd 突起電極の製造方法
JP2002341542A (ja) 2001-05-18 2002-11-27 Hitachi Chem Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品
US6784228B2 (en) 2001-07-12 2004-08-31 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Epoxy resin composition, cured article thereof, novel epoxy resin, novel phenol compound, and process for preparing the same
JP4247658B2 (ja) 2001-07-12 2009-04-02 Ｄｉｃ株式会社 新規エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
EP1426822B1 (en) 2001-08-20 2009-04-08 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming antireflective film for use in lithography
EP1300403A1 (en) 2001-10-02 2003-04-09 Aventis Pharma S.A. Process for the manufacture of hypoxyxylerone derivatives
CN1309783C (zh) 2001-10-24 2007-04-11 大日本油墨化学工业株式会社 环氧树脂组合物，其固化制品，新型环氧树脂，新型酚化合物，及其制备方法
US6794408B2 (en) 2002-01-29 2004-09-21 Aventis Pharma Deutschland Gmbh Drechsleranol derivatives, processes for their preparation and their use
US7238462B2 (en) 2002-11-27 2007-07-03 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Undercoating material for wiring, embedded material, and wiring formation method
JP3914493B2 (ja) 2002-11-27 2007-05-16 東京応化工業株式会社 多層レジストプロセス用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法
EP1592051A4 (en) 2003-01-24 2012-02-22 Tokyo Electron Ltd CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD FOR FORMING SILICON NITRIDE FILM ON A SUBSTRATE
JP3981030B2 (ja) 2003-03-07 2007-09-26 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
JP4614056B2 (ja) 2003-09-18 2011-01-19 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト用化合物および感放射線性組成物
WO2005029189A1 (ja) 2003-09-18 2005-03-31 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. レジスト用化合物および感放射線性組成物
CN1853141A (zh) 2003-09-18 2006-10-25 三菱瓦斯化学株式会社 抗蚀化合物和辐射敏感组合物
JP4388429B2 (ja) 2004-02-04 2009-12-24 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
JP4249096B2 (ja) 2004-02-20 2009-04-02 東京応化工業株式会社 パターン形成材料用基材、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
CN1942825B (zh) 2004-04-15 2010-05-12 三菱瓦斯化学株式会社 抗蚀剂组合物
CN102981368B (zh) 2004-05-14 2015-03-04 日产化学工业株式会社 含有乙烯基醚化合物的形成防反射膜的组合物
JP4966484B2 (ja) 2004-07-22 2012-07-04 大阪瓦斯株式会社 フルオレン化合物およびその製造方法
JP2006098869A (ja) 2004-09-30 2006-04-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd フォトレジスト組成物
JP2006113136A (ja) 2004-10-12 2006-04-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd フォトレジスト用ノボラック型フェノール樹脂組成物
JP2006160663A (ja) 2004-12-07 2006-06-22 Honshu Chem Ind Co Ltd １，１’−ビス（２−ヒドロキシナフチル）類の製造方法
JP4678195B2 (ja) 2005-02-03 2011-04-27 三菱瓦斯化学株式会社 フェナントレンキノン誘導体及びその製造方法
JP4466854B2 (ja) 2005-03-18 2010-05-26 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP4998261B2 (ja) 2005-06-06 2012-08-15 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト用化合物およびレジスト組成物
JP2007019294A (ja) 2005-07-08 2007-01-25 Konica Minolta Holdings Inc 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体素子及び有機薄膜トランジスタ
JP4659678B2 (ja) 2005-12-27 2011-03-30 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
US7585613B2 (en) 2006-01-25 2009-09-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Antireflection film composition, substrate, and patterning process
JP4781280B2 (ja) 2006-01-25 2011-09-28 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料、基板、及びパターン形成方法
US8642714B2 (en) 2006-01-25 2014-02-04 Hitachi Chemical Company, Ltd. Phenol resin and resin composition
JP4638380B2 (ja) 2006-01-27 2011-02-23 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法
JP2009098155A (ja) 2006-02-08 2009-05-07 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 感放射線性組成物
JP5141549B2 (ja) 2006-02-27 2013-02-13 三菱瓦斯化学株式会社 反射防止膜形成用組成物および反射防止膜
JP2007262398A (ja) 2006-03-01 2007-10-11 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2007326847A (ja) 2006-03-31 2007-12-20 Honshu Chem Ind Co Ltd 新規な多核体ポリフェノール化合物
JP4662063B2 (ja) 2006-05-25 2011-03-30 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
KR101430529B1 (ko) 2006-08-28 2014-08-18 도소 가부시키가이샤 헤테로아센 유도체, 테트라할로터페닐 유도체, 및 그것들의제조방법
JP4910168B2 (ja) 2006-09-07 2012-04-04 Ｊｓｒ株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
JP4858136B2 (ja) 2006-12-06 2012-01-18 三菱瓦斯化学株式会社 感放射線性レジスト組成物
JP5092445B2 (ja) 2007-02-21 2012-12-05 Ｊｓｒ株式会社 ナフトールノボラックおよびその誘導体の製造方法
JP5092492B2 (ja) 2007-03-28 2012-12-05 Ｄｉｃ株式会社 熱硬化性ポリイミド樹脂組成物
JP5446118B2 (ja) 2007-04-23 2014-03-19 三菱瓦斯化学株式会社 感放射線性組成物
CL2008001257A1 (es) 2007-05-04 2008-07-04 Wyeth Corp Compuestos triciclicos, inhibidores de metaloproteinasas matriciales; composicion farmaceutica; y uso en el tratamiento de enfermedades tales como artritis reumatoide, osteoartritis, aterosclerosis, cancer de pulmon, entre otras.
JPWO2008153154A1 (ja) 2007-06-15 2010-08-26 出光興産株式会社 環状化合物、フォトレジスト基材及びフォトレジスト組成物
JP2009073738A (ja) 2007-09-18 2009-04-09 Idemitsu Kosan Co Ltd ポリカルボン酸エステル化合物、フォトレジスト基材及びフォトレジスト組成物
EP2202257A4 (en) 2007-10-10 2011-11-02 Sumitomo Chemical Co POLYMER CONNECTION AND LIGHT-EMITTING POLYMER DEVICE THEREWITH
KR20090049862A (ko) 2007-11-14 2009-05-19 주식회사 동진쎄미켐 감광성 화합물 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
EP2219076B1 (en) 2007-12-07 2013-11-20 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Composition for forming base film for lithography and method for forming multilayer resist pattern
JP5249578B2 (ja) 2007-12-26 2013-07-31 大阪瓦斯株式会社 フルオレン骨格を有するエポキシ化合物
WO2009119201A1 (ja) 2008-03-28 2009-10-01 Jsr株式会社 レジスト下層膜及びレジスト下層膜形成用組成物並びにレジスト下層膜形成方法
CN102046726B (zh) 2008-05-27 2013-12-25 松下电器产业株式会社 印刷布线板用环氧树脂组合物、阻焊剂组合物、树脂膜、树脂片、预浸料坯、带树脂的金属箔、覆盖层、柔性印刷布线板
JP4990844B2 (ja) 2008-06-17 2012-08-01 信越化学工業株式会社 パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
EP2367567A4 (en) 2008-08-05 2014-12-03 Univ Queensland SKELETONS HAVING ANTIGEN
JP5336306B2 (ja) 2008-10-20 2013-11-06 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成方法、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜材料
TWI400575B (zh) 2008-10-28 2013-07-01 Shinetsu Chemical Co 光阻劑下層膜形成材料及圖案形成方法
JPWO2010061774A1 (ja) 2008-11-27 2012-04-26 日産化学工業株式会社 アウトガス発生が低減されたレジスト下層膜形成組成物
US20100136477A1 (en) 2008-12-01 2010-06-03 Ng Edward W Photosensitive Composition
JP5085569B2 (ja) 2009-01-06 2012-11-28 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成方法およびこれを用いたパターン形成方法
JP5118073B2 (ja) 2009-01-26 2013-01-16 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法
JP2010219295A (ja) 2009-03-17 2010-09-30 Mitsui Chemicals Inc 有機トランジスタ
JP5262915B2 (ja) 2009-03-30 2013-08-14 Ｄｉｃ株式会社 硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板、エステル化合物、エステル系樹脂、及びその製造方法
JP5038354B2 (ja) 2009-05-11 2012-10-03 信越化学工業株式会社 ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜形成基板及びパターン形成方法
WO2011034062A1 (ja) 2009-09-15 2011-03-24 三菱瓦斯化学株式会社 芳香族炭化水素樹脂及びリソグラフィー用下層膜形成組成物
JP5513825B2 (ja) 2009-09-28 2014-06-04 大阪ガスケミカル株式会社 フルオレン骨格を有するアルコールの製造方法
JP5466927B2 (ja) 2009-11-19 2014-04-09 大阪瓦斯株式会社 フルオレンポリエステルオリゴマー及びその製造方法
JP5068828B2 (ja) 2010-01-19 2012-11-07 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法
JP5757742B2 (ja) * 2010-03-25 2015-07-29 セイコーインスツル株式会社 電子機器、歩数計、およびプログラム
JP5725021B2 (ja) 2010-05-26 2015-05-27 三菱瓦斯化学株式会社 環状化合物の精製方法
JP5229278B2 (ja) 2010-06-21 2013-07-03 信越化学工業株式会社 ナフタレン誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法
JP5556773B2 (ja) * 2010-09-10 2014-07-23 信越化学工業株式会社 ナフタレン誘導体及びその製造方法、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法
JP2012083731A (ja) 2010-09-13 2012-04-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 感放射線性組成物、及びフォトレジスト組成物
JP5485188B2 (ja) 2011-01-14 2014-05-07 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法
CN102070595A (zh) 2011-01-20 2011-05-25 中国人民解放军第二军医大学 取代苯并呫吨酮类化合物及其应用
JP5776580B2 (ja) 2011-02-25 2015-09-09 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
US8742403B2 (en) 2011-03-08 2014-06-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Xanthene based semiconductor compositions
US9110373B2 (en) 2011-06-03 2015-08-18 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Phenolic resin and material for forming underlayer film for lithography
US20130018026A1 (en) 2011-07-14 2013-01-17 Latham Keith R Halogenated phenols for diagnostics, antioxidant protection and drug delivery
EP2743249B1 (en) 2011-08-12 2019-07-24 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Cyclic compound, method for producing same, composition, and method for forming resist pattern
KR101907481B1 (ko) 2011-08-12 2018-10-12 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 및 패턴형성방법
JP5698184B2 (ja) 2011-09-02 2015-04-08 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP5915452B2 (ja) 2011-09-30 2016-05-11 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法
JP5653880B2 (ja) 2011-10-11 2015-01-14 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP5958734B2 (ja) 2011-10-17 2016-08-02 三菱瓦斯化学株式会社 新規エポキシ化合物及びその製造方法
KR101873018B1 (ko) 2011-11-02 2018-07-03 주식회사 동진쎄미켐 페놀계 단량체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물
JP5836256B2 (ja) 2011-11-30 2015-12-24 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及び電子デバイスの製造方法
US9454076B2 (en) 2012-03-16 2016-09-27 Institute Of Chemistry, Chinese Academy Of Sciences Molecular glass photoresists containing bisphenol a framework and method for preparing the same and use thereof
JP5878830B2 (ja) 2012-06-06 2016-03-08 デンカ株式会社 光学部品用接着剤組成物
EP2861580B1 (en) 2012-06-07 2018-04-25 Georgia State University Research Foundation, Inc. Seca inhibitors and methods of making and using thereof
JP5940496B2 (ja) 2012-09-26 2016-06-29 富士フイルム株式会社 半硬化物、硬化物およびそれらの製造方法、光学部品、硬化樹脂組成物ならびに化合物
CN103804196B (zh) 2012-11-06 2016-08-31 中国科学院理化技术研究所 星形金刚烷衍生物分子玻璃及其制备方法、应用
EP2955169B1 (en) 2013-02-08 2017-03-15 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Novel allyl compound and method for producing the same
CN104981463B (zh) 2013-02-08 2018-04-13 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法
KR102159234B1 (ko) * 2013-02-08 2020-09-23 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성방법 및 이것에 이용하는 폴리페놀 유도체
CN104969127B (zh) 2013-02-08 2019-11-26 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法
JP6258078B2 (ja) 2013-03-04 2018-01-10 国立大学法人東京工業大学 ジナフトチオフェン化合物並びにジナフトチオフェン骨格を含む重合体及びその製造方法
JP2014205746A (ja) 2013-04-11 2014-10-30 Jsr株式会社 着色組成物、着色硬化膜及び表示素子
JP6135600B2 (ja) 2013-06-11 2017-05-31 信越化学工業株式会社 下層膜材料及びパターン形成方法
JP6119668B2 (ja) 2013-06-11 2017-04-26 信越化学工業株式会社 下層膜材料及びパターン形成方法
JP6119667B2 (ja) 2013-06-11 2017-04-26 信越化学工業株式会社 下層膜材料及びパターン形成方法
KR102163493B1 (ko) 2013-06-14 2020-10-08 디아이씨 가부시끼가이샤 에폭시 화합물, 에폭시 수지, 경화성 조성물, 그 경화물, 반도체 봉지 재료, 및 프린트 배선 기판
CN104557552B (zh) 2013-10-22 2016-08-31 中国科学院理化技术研究所 一种星形四苯基乙烯衍生物分子玻璃、正性光刻胶、正性光刻胶涂层及其应用
JP2015087115A (ja) 2013-10-28 2015-05-07 日立Ｇｅニュークリア・エナジー株式会社 中性子数分析装置および放射線計測装置
JP6515919B2 (ja) 2014-03-13 2019-05-22 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US9274426B2 (en) 2014-04-29 2016-03-01 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective coating compositions and processes thereof
US20150309403A1 (en) 2014-04-29 2015-10-29 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Antireflective coating compositions and processes thereof
JP7026439B2 (ja) * 2014-12-25 2022-02-28 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法及び精製方法
WO2016158168A1 (ja) 2015-03-31 2016-10-06 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、レジスト組成物及びそれを用いるレジストパターン形成方法
KR102562846B1 (ko) * 2015-03-31 2023-08-02 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 레지스트 조성물, 레지스트패턴 형성방법, 및 이것에 이용하는 폴리페놀 화합물
EP3327005A4 (en) 2015-07-22 2019-09-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. COMPOUND, RESIN, LITHOGRAPHY-BASED UNDERLAYER FILM FORMING MATERIAL, COMPOSITION FOR FORMING LITHOGRAPHY-BASED UNDERLAYER FILM, LITHOGRAPHY-BASED FILM FORMING, PHOTOSENSITIVE RESIN PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FORMING METHOD CIRCUIT, AND PURIFICATION METHOD
JP2020121687A (ja) 2019-01-31 2020-08-13 横浜ゴム株式会社 空気入りタイヤ

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1830228A1 (en) * 2004-12-24 2007-09-05 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound for resist and radiation-sensitive composition
TW201441765A (zh) * 2006-11-02 2014-11-01 Mitsubishi Gas Chemical Co 感放射線性組成物、下層膜、及光阻圖案形成方法
TW201321891A (zh) * 2011-08-12 2013-06-01 Mitsubishi Gas Chemical Co 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，其所用之多酚化合物及可由其衍生之醇化合物
WO2014208542A1 (ja) * 2013-06-26 2014-12-31 日産化学工業株式会社 置換された架橋性化合物を含むレジスト下層膜形成組成物
TW201514239A (zh) * 2013-08-27 2015-04-16 Zeon Corp 樹脂組合物、樹脂膜以及電子元件

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2017038643A1 (ja) 2018-06-14
WO2017038643A1 (ja) 2017-03-09
CN107924131A (zh) 2018-04-17
TW201723663A (zh) 2017-07-01
EP3346334A4 (en) 2019-05-01
EP3346334B1 (en) 2020-08-12
JP7020912B2 (ja) 2022-02-16
US20180246409A1 (en) 2018-08-30
KR20180048799A (ko) 2018-05-10
EP3346334A1 (en) 2018-07-11
US11137686B2 (en) 2021-10-05
CN107924131B (zh) 2020-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI703407B (zh) 微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜及其製造方法、以及阻劑圖型形成方法
TWI719999B (zh) 化合物、樹脂、微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜及阻劑圖型形成方法、電路圖型形成方法、以及純化方法
JP6939544B2 (ja) 化合物、樹脂、及びそれらの精製方法、リソグラフィー用の下層膜形成材料、下層膜形成用組成物、及び下層膜、並びに、レジストパターン形成方法、及び回路パターン形成方法
KR102154109B1 (ko) 화합물, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법
JP6919838B2 (ja) リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びその製造方法、パターン形成方法、樹脂、並びに精製方法
JP6781959B2 (ja) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法及び化合物又は樹脂の精製方法
WO2015137486A1 (ja) 化合物、樹脂、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜、パターン形成方法、及び化合物又は樹脂の精製方法
KR102178662B1 (ko) 화합물, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 및 패턴 형성방법
JP6673343B2 (ja) リソグラフィー用下層膜形成用材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法
JP6879201B2 (ja) リソグラフィー用下層膜形成用材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜、レジストパターン形成方法、及び回路パターン形成方法
JP6646895B2 (ja) リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees