JPS62143054A - マスク - Google Patents
マスクInfo
- Publication number
- JPS62143054A JPS62143054A JP60282893A JP28289385A JPS62143054A JP S62143054 A JPS62143054 A JP S62143054A JP 60282893 A JP60282893 A JP 60282893A JP 28289385 A JP28289385 A JP 28289385A JP S62143054 A JPS62143054 A JP S62143054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- exposure
- gas
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はコンタクト露光用マスクに関する。
大規模集積回路（ＬＳＩ）を始めとする各種半導体装置
の製造にあって、ウェハ表面にマスクパターンを高精度
に焼き付ける（露光）ことができるか否かは製品の信頼
度９歩留りの向上に大きく影響する。また、近年配線パ
ターンは数μｍあるいはサブミクロンと微細化の傾向に
あり、解像度向上技術は重要な技術である。
の製造にあって、ウェハ表面にマスクパターンを高精度
に焼き付ける（露光）ことができるか否かは製品の信頼
度９歩留りの向上に大きく影響する。また、近年配線パ
ターンは数μｍあるいはサブミクロンと微細化の傾向に
あり、解像度向上技術は重要な技術である。
パターン露光技術としては、たとえば、工業調査会発行
［電子材料４１９７８年１１月号、昭和５３年１１月１
日発行、Ｐ１２２〜Ｐ１２７に記載されているように、
ウェハをマスクに密着させて露光を行うコンタクト露光
法あるいはウェハをマスクに密着させないで露光を行う
ノンコンタクト露光法が知られている。
［電子材料４１９７８年１１月号、昭和５３年１１月１
日発行、Ｐ１２２〜Ｐ１２７に記載されているように、
ウェハをマスクに密着させて露光を行うコンタクト露光
法あるいはウェハをマスクに密着させないで露光を行う
ノンコンタクト露光法が知られている。
前記コンタクト露光法は、真空圧着、窒素ガス吹き付は
圧着によってウェハとマスクとの密着を図っているが、
この方法は、前記文献にも記載されているように、密着
不良が起き易く、パターン不良、解像度低下、パターン
寸法制御困難性等から微細パターン形成においては問題
が多いと考えられている。このような問題、すなわち１
１￥像度不良発生等は、（１）ウェハあるいはマスクの
反り、（２）密着力による変形、（３）吹き付は窒素ガ
スや露光時に発生する反応性ガスのウェハとマスク間で
のトランプによって生じるものとされている。
圧着によってウェハとマスクとの密着を図っているが、
この方法は、前記文献にも記載されているように、密着
不良が起き易く、パターン不良、解像度低下、パターン
寸法制御困難性等から微細パターン形成においては問題
が多いと考えられている。このような問題、すなわち１
１￥像度不良発生等は、（１）ウェハあるいはマスクの
反り、（２）密着力による変形、（３）吹き付は窒素ガ
スや露光時に発生する反応性ガスのウェハとマスク間で
のトランプによって生じるものとされている。
ところで、局所的解像度不良、すなわち焦点ボケは前記
（１）〜（３）に示される原因以外にもあり、マスクと
ウェハ間に空気が残留することによっても生じることが
本発明者によってあきらかとされた。
（１）〜（３）に示される原因以外にもあり、マスクと
ウェハ間に空気が残留することによっても生じることが
本発明者によってあきらかとされた。
本発明の目的は解像度不良が起き難いコンタクト露光用
マスクを提供することにある。
マスクを提供することにある。
本発明の他の目的は微細配線パターン露光が行えるコン
タクト露光用マスクを提供することにある。
タクト露光用マスクを提供することにある。
本発明の他の目的は生産性向上が達成できるコンタクト
露光用マスクを提供することにある。
露光用マスクを提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細」、の記述および添付図面からあきらかになるで
あろう。
本明細」、の記述および添付図面からあきらかになるで
あろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を而単に説明すれば、下記のとおりである。
を而単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明のコンタクト露光用マスクは、マスク
パターンにおけるスクライブグリッドのスクライブエリ
アの中央に沿ってマスク端に端が達する溝が設けられて
いることから、露光のためにマスクとウェハの密着化を
図った際、マスクとウェハとの間に存在する空気等の気
体は、気体抜き通路となる前記溝を通って外に抜けるた
め、マスクとウェハとの密着度は高くなり、解像度の高
いコンタクト露光が達成できる。また、この露光時、ウ
ェハの密着面側に塗布されたホトレジストから反応性ガ
スが発生しても、この反応性ガスも前記溝から外部に抜
けるため、解像度の高いコンタクト露光が達成できる。
パターンにおけるスクライブグリッドのスクライブエリ
アの中央に沿ってマスク端に端が達する溝が設けられて
いることから、露光のためにマスクとウェハの密着化を
図った際、マスクとウェハとの間に存在する空気等の気
体は、気体抜き通路となる前記溝を通って外に抜けるた
め、マスクとウェハとの密着度は高くなり、解像度の高
いコンタクト露光が達成できる。また、この露光時、ウ
ェハの密着面側に塗布されたホトレジストから反応性ガ
スが発生しても、この反応性ガスも前記溝から外部に抜
けるため、解像度の高いコンタクト露光が達成できる。
第１図は本発明の一実施例によるコンタクト露光用マス
クの要部を示す平面図、第２図は同じくウェハとマスク
を示す模式的断面図、第３図は同じく８着露光状態のウ
ェハとマスクを示す模式的断面図である。
クの要部を示す平面図、第２図は同じくウェハとマスク
を示す模式的断面図、第３図は同じく８着露光状態のウ
ェハとマスクを示す模式的断面図である。
この実施例のコンタクト露光用マスク（以下、単にマス
クとも称する。）は、第１図に示されるように、マスク
１に縦横に格子状に延在する溝２が設けられている。こ
の溝２は、同図に示されるように、マスク１０単位パタ
ーン領域３から外れた位置、すなわち、各単位パターン
領域３を区分ける格子状に延在するスクライブグリッド
４に設けられている。前記単位パターン領域３は、この
マスク１を用いて製造する半導体素子によってその大き
さは変わるが、前記スクライブグリッド４は前記単位パ
ターン領域３を区分けるだめの分断領域であることから
、分断精度をも考慮しかつ分断によって単位パターン領
域３が機械的歪等の影ピを受けない最小の幅となってい
て、たとえば、１００μｍと一定している。そして、こ
の実施例では、前記溝２はスクライブグリッド４を構成
する縦あるいは横方向に沿って延在する１００μｍ幅の
スクライブエリア５の中心に沿って、それぞれ設けられ
ている。このン溝２は、たとえば、レーザ光照射加工あ
るいは化学エツチング等によって形成され、前記スクラ
イブエリ”？５の幅よりも小さく形成されている。また
、前記溝２の幅および深さは、溝２の存在によってマス
ク１が破損等したりしないように、前記マスク１の機械
的強度および密着作業の条件等によって決定されている
。
クとも称する。）は、第１図に示されるように、マスク
１に縦横に格子状に延在する溝２が設けられている。こ
の溝２は、同図に示されるように、マスク１０単位パタ
ーン領域３から外れた位置、すなわち、各単位パターン
領域３を区分ける格子状に延在するスクライブグリッド
４に設けられている。前記単位パターン領域３は、この
マスク１を用いて製造する半導体素子によってその大き
さは変わるが、前記スクライブグリッド４は前記単位パ
ターン領域３を区分けるだめの分断領域であることから
、分断精度をも考慮しかつ分断によって単位パターン領
域３が機械的歪等の影ピを受けない最小の幅となってい
て、たとえば、１００μｍと一定している。そして、こ
の実施例では、前記溝２はスクライブグリッド４を構成
する縦あるいは横方向に沿って延在する１００μｍ幅の
スクライブエリア５の中心に沿って、それぞれ設けられ
ている。このン溝２は、たとえば、レーザ光照射加工あ
るいは化学エツチング等によって形成され、前記スクラ
イブエリ”？５の幅よりも小さく形成されている。また
、前記溝２の幅および深さは、溝２の存在によってマス
ク１が破損等したりしないように、前記マスク１の機械
的強度および密着作業の条件等によって決定されている
。
このようなマスク１を用いてウェハ６の主面の図示しな
いホトレジスト膜の露光（怒光）を行う場合、最初に、
第２図に示されるように、マスク１に対して相対的にウ
ェハ６を位置決めし、その後、第３図に示されるように
、マスク１にウェハ６を密着させる。このマスク１に対
する相対的なウェハ６の密着動作時、マスクｌとこのマ
スク１に対面するウェハ６の主面との間に介在する空気
等の気体は、前記溝２の両端がマスク１の端にまで延在
していることもあって気体抜き通路を形成することから
、この溝２から矢印で示されるように抜は出るため、マ
スク１とウェハ６との密着度は高くなり、露光した場合
、マスク１のパターンは高精度にウェハ６に焼き付けら
れ、いわゆる焦点ボケ等の解像度の悪い現象は生じ難く
なる。また、この露光時、ウェハの密着面側に塗布され
たホトレジストから反応性ガスが発生しても、この反応
性ガスも前記孔から外部に抜けろため、解像度の高いコ
ンタクト露光が行える。
いホトレジスト膜の露光（怒光）を行う場合、最初に、
第２図に示されるように、マスク１に対して相対的にウ
ェハ６を位置決めし、その後、第３図に示されるように
、マスク１にウェハ６を密着させる。このマスク１に対
する相対的なウェハ６の密着動作時、マスクｌとこのマ
スク１に対面するウェハ６の主面との間に介在する空気
等の気体は、前記溝２の両端がマスク１の端にまで延在
していることもあって気体抜き通路を形成することから
、この溝２から矢印で示されるように抜は出るため、マ
スク１とウェハ６との密着度は高くなり、露光した場合
、マスク１のパターンは高精度にウェハ６に焼き付けら
れ、いわゆる焦点ボケ等の解像度の悪い現象は生じ難く
なる。また、この露光時、ウェハの密着面側に塗布され
たホトレジストから反応性ガスが発生しても、この反応
性ガスも前記孔から外部に抜けろため、解像度の高いコ
ンタクト露光が行える。
また、このマスク１は随所に溝２が設けられていること
から、マスク１からウェハ１ｊを引き離す際、前記溝２
は逆にマスク１とウェハ６との間に空気等の気体が流入
する通路として作用することから、マスクｌとウェハ６
の引っ付き現象（スティッキング）が起き難くなる。こ
れは、最初に露光処理されるウェハ６の場合特に有効で
ある。すなわら、初めて露光処理されるウェハ６の主面
は、パターンが設けられていないことか、ｂ平坦となっ
ているため、マスク１とウェハ６との接触面積が広く、
このスティッキングが起き易いが、本発明のマスク１で
は、前述のように、ａ２を通して気体がマスク１とウェ
ハ６間に流入するため、このスティッキングは起き難く
なり、作業性が高（なる。
から、マスク１からウェハ１ｊを引き離す際、前記溝２
は逆にマスク１とウェハ６との間に空気等の気体が流入
する通路として作用することから、マスクｌとウェハ６
の引っ付き現象（スティッキング）が起き難くなる。こ
れは、最初に露光処理されるウェハ６の場合特に有効で
ある。すなわら、初めて露光処理されるウェハ６の主面
は、パターンが設けられていないことか、ｂ平坦となっ
ているため、マスク１とウェハ６との接触面積が広く、
このスティッキングが起き易いが、本発明のマスク１で
は、前述のように、ａ２を通して気体がマスク１とウェ
ハ６間に流入するため、このスティッキングは起き難く
なり、作業性が高（なる。
（１）本発明のコンタクト露光用マスクは、マスク１の
パターン転写に影響のないスクライブグリッド４に溝２
が設けられている、二とから、マスク１とウェハ６との
密着を行った際、マスク１とウェハ６との間に介在する
空気等の気体は、前記溝２から外部に抜けるため、ウェ
ハ６はマスク１と全域で密着し、解像度の高い露光が行
えるという効果が得られる。
パターン転写に影響のないスクライブグリッド４に溝２
が設けられている、二とから、マスク１とウェハ６との
密着を行った際、マスク１とウェハ６との間に介在する
空気等の気体は、前記溝２から外部に抜けるため、ウェ
ハ６はマスク１と全域で密着し、解像度の高い露光が行
えるという効果が得られる。
（２）上記（１１により、本発明によれば、解像度向上
によってより微細なパターンの高精度の露光が可能とな
るという効果が得られる。
によってより微細なパターンの高精度の露光が可能とな
るという効果が得られる。
（３）上記（１）により、本発明のマスクｌを使用する
ことによって、解像度不良に基づくホトレジスト工程の
再生作業が不要となり、工程歩留りが向上するという効
果が得られる。
ことによって、解像度不良に基づくホトレジスト工程の
再生作業が不要となり、工程歩留りが向上するという効
果が得られる。
（４）上記（１）により、本発明のマスク１を使用する
ことによって、マスク１とウェハ６間の気体は溝２を通
って速やかに抜けるため、密着作業時間が短縮され、作
業性の向上が達成できるという効果が得られる。
ことによって、マスク１とウェハ６間の気体は溝２を通
って速やかに抜けるため、密着作業時間が短縮され、作
業性の向上が達成できるという効果が得られる。
（５）本発明のマスクｌは溝２を有しているが、この溝
２は、マスクｌとウェハ６を引き離す際、マスク１とウ
ェハ６との界面に気体を案内する通路として作用するた
め、マスクｌとウェハ６とが相互に引っ付いて剥がれ難
いスティッキングを起こし難くなり、作業性が向上する
という効果が得られる。
２は、マスクｌとウェハ６を引き離す際、マスク１とウ
ェハ６との界面に気体を案内する通路として作用するた
め、マスクｌとウェハ６とが相互に引っ付いて剥がれ難
いスティッキングを起こし難くなり、作業性が向上する
という効果が得られる。
（６）上記（１）〜（５）により、本発明によれば、高
精度の露光処理が作業性良くかつ高歩留りで行えるため
、スループットの大幅な向上が達成できるという相乗効
果が得られる。
精度の露光処理が作業性良くかつ高歩留りで行えるため
、スループットの大幅な向上が達成できるという相乗効
果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではない。
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではない。
本発明は少なくともパターン転写技術には適用できる。
第１図は本発明の一実施例によるコンタクト露光用マス
クの要部を示す平面図、 第２図は同じ（ウェハとマスクを示す模式的断面図、 第３図は同じく密着露光状態のウェハとマスクを示す模
式的断面図である。 １・・・マスク、２・・・溝、３・・・単位パターン領
域、４・・・スクライブグリ、ド、５・・・スクライブ
エリア、６・・・ウェハ。
クの要部を示す平面図、 第２図は同じ（ウェハとマスクを示す模式的断面図、 第３図は同じく密着露光状態のウェハとマスクを示す模
式的断面図である。 １・・・マスク、２・・・溝、３・・・単位パターン領
域、４・・・スクライブグリ、ド、５・・・スクライブ
エリア、６・・・ウェハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハと密着して露光が行われるコンタクト露光用
マスクであって、前記マスクにはウェハとマスクの界面
に存在する気体を抜くための気体抜き通路が設けられて
いることを特徴とするマスク。 ２、前記気体抜き通路はマスク主面のマスクパターンに
おけるスクライブグリッドに設けられていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60282893A JPS62143054A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60282893A JPS62143054A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62143054A true JPS62143054A (ja) | 1987-06-26 |
Family
ID=17658463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60282893A Pending JPS62143054A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62143054A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05142760A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Sharp Corp | フオトマスク |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP60282893A patent/JPS62143054A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05142760A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Sharp Corp | フオトマスク |
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