TWI682432B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI682432B
TWI682432B TW106124499A TW106124499A TWI682432B TW I682432 B TWI682432 B TW I682432B TW 106124499 A TW106124499 A TW 106124499A TW 106124499 A TW106124499 A TW 106124499A TW I682432 B TWI682432 B TW I682432B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
section
cooling
placement
conveying device
Prior art date
Application number
TW106124499A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201824343A (zh
Inventor
西山耕二
井上和宏
Original Assignee
斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW201824343A publication Critical patent/TW201824343A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI682432B publication Critical patent/TWI682432B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B05C13/02—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
    • B05C9/08—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation
    • B05C9/14—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material and performing an auxiliary operation the auxiliary operation involving heating or cooling
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明係將曝光處理前之基板搬入至載置兼冷卻部，並冷卻。將冷卻後之基板自載置兼冷卻部藉由搬運裝置予以保持，並搬出。於曝光裝置可接收基板之情形時，將自載置兼冷卻部搬出之基板藉由搬運裝置搬運至曝光裝置。於曝光裝置不可接收基板之情形時，將自載置兼冷卻部搬出之基板藉由搬運裝置搬入至冷卻兼緩衝部。於冷卻兼緩衝部中，維持基板之溫度。於曝光裝置可接收基板後，藉由搬運裝置自冷卻兼緩衝部搬出基板，並搬入至曝光裝置。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於對基板進行處理之基板處理裝置及基板處理方法。
於製造半導體裝置等之微影步驟中，藉由對基板上供給抗蝕劑液等塗佈液而形成塗佈膜。藉由使塗佈膜曝光後進行顯影，而於塗佈膜形成特定之圖案。於日本專利特開2010-219434號公報中，記載有以鄰接於曝光裝置之方式配置之基板處理裝置。 記載於日本專利特開2010-219434號公報之基板處理裝置包含：處理區塊，其對基板進行塗佈膜之形成及顯影；及界面區塊，其將基板冷卻至適合曝光之溫度。又，於界面區塊設置搬運裝置，其為了曝光而將形成有塗佈膜之基板自處理區塊搬運至曝光裝置，且為了顯影而將經曝光之基板自曝光裝置搬運至處理區塊。
為提高基板之處理效率，預測利用曝光裝置之處理所需要之時間，基於預測之時間以基板處理裝置之搬運裝置進行先行動作之方式進行控制。於此種先行動作中，若搬運裝置開始搬入至曝光裝置之基板之處理，則立即將下一基板搬入至曝光裝置。 然而，曝光裝置之運轉有暫時停止之情況。又，基板亦有停滯於曝光裝置之情況。該情形時，需要等待基板自基板處理裝置向曝光裝置之搬入。藉此，基板處理裝置之基板處理效率降低。又，儘管使基板之溫度最佳化為供曝光處理，但搬入至曝光裝置之前基板之溫度仍有變化，將無法適當地處理基板。 本發明之目的在於提供一種基板處理裝置及基板處理方法，其可根據曝光裝置之狀態抑制基板之處理效率之降低，且將適當狀態之基板搬入至曝光裝置。 (1)按照本發明之一態樣之基板處理裝置係以鄰接於曝光裝置之方式配置者，其具備：處理部，其包含於基板上塗佈感光性材料而形成感光性膜之塗佈裝置；交接部，其用以於處理部與曝光裝置之間進行基板之交接；及基板搬運控制部，其控制基板之搬運，交接部包含：第1及第2搬運裝置，其保持基板而進行搬運；載置冷卻部，其構成為可載置基板，用以冷卻載置之基板；及溫度維持部，其構成為可載置基板，用以維持所載置之基板之溫度，基板搬運控制部以將來自處理部之基板搬入至載置冷卻部之方式控制第1搬運裝置，以搬出載置於載置冷卻部之基板之方式控制第2搬運裝置，曝光裝置可接收基板之情形時，以將自載置冷卻部搬出之基板搬運至曝光裝置之方式控制第2搬運裝置，曝光裝置不可接收基板之情形時，以將自載置冷卻部搬出之基板搬入至溫度維持部之方式控制第2搬運裝置，判斷為曝光裝置可接收基板後，以自溫度維持部搬出基板並搬運至曝光裝置之方式控制第2搬運裝置。 於該基板處理裝置中，藉由處理部之塗佈裝置於基板上塗佈感光性材料，形成感光性膜。交接部中將來自處理部之基板藉由第1搬運裝置予以保持，並搬入至載置冷卻部。將藉由第1搬運裝置搬入之基板藉由載置冷卻部進行冷卻。將經冷卻之基板自載置冷卻部藉由第2搬運裝置予以保持，並搬出。曝光裝置可接收基板之情形時，將自載置冷卻部搬出之基板藉由第2搬運裝置搬運至曝光裝置。曝光裝置不可接收基板之情形時，將自載置冷卻部搬出之基板藉由第2搬運裝置搬入至溫度維持部。藉由溫度維持部維持藉由第2搬運裝置搬入之基板之溫度。曝光裝置可接收基板後，藉由第2搬運裝置自溫度維持部搬出基板，並搬入至曝光裝置。 根據該構成，曝光裝置之運轉暫時停止之情形或基板停滯於曝光裝置之情形時，亦可於曝光裝置可接收基板前將基板載置於溫度維持部。因此，第2搬運裝置無需持續保持應搬運至曝光裝置之基板。藉此，第2搬運裝置可繼續搬運交接部中其他基板。又，由於維持了載置於溫度維持部之基板之溫度，故曝光裝置可接收基板後，可將特定溫度之基板立即搬運至曝光裝置。該等結果，可對應於曝光裝置之狀態抑制基板之處理效率之降低，且將適當狀態之基板搬入至曝光裝置。 (2)基板搬運控制部亦可包含：第1搬運控制部，其以將來自處理部之基板搬運至載置冷卻部之方式控制第1搬運裝置；第2搬運控制部，其以搬出載置於載置冷卻部之基板之方式控制第2搬運裝置；判斷部，其判斷曝光裝置是否可接收基板；第3搬運控制部，其於判斷為曝光裝置可接收基板之情形時，以將自載置冷卻部搬出之基板搬運至曝光裝置之方式控制第2搬運裝置；及第4搬運控制部，其於判斷為曝光裝置不可接收基板之情形時，將自載置冷卻部搬出之基板搬入至溫度維持部，判斷為曝光裝置可接收基板後，以自溫度維持部搬出基板並搬運至曝光裝置之方式控制第2搬運裝置。該情形時，可容易地進行第2搬運控制部之控制。 (3)交接部包含複數個載置冷卻部，基板搬運控制部亦可以複數個載置冷卻部中一部分載置冷卻部作為溫度維持部發揮功能之方式控制第1及第2搬運裝置。該情形時，可藉由與載置冷卻部相同之構成實現溫度維持部。藉此，可減低溫度維持部之製造成本。 (4)基板搬運控制部亦可以將複數個載置冷卻部中作為溫度維持部發揮功能之一部分載置冷卻部依序變更之方式，控制第1及第2搬運裝置。該情形時，可防止僅一部分載置冷卻部明顯經年劣化。 (5)交接部進而包含緩衝部，其用於暫時蓄積基板，基板搬運控制部於載置冷卻部不可接收基板之情形時，將利用處理部處理完之基板搬運至緩衝部，於載置冷卻部可接收基板後，亦可以將蓄積於緩衝部之基板搬運至載置冷卻部之方式進一步控制第1搬運裝置。 於該情形時，第1搬運裝置無需持續保持應搬運至載置冷卻部之基板。藉此，第1搬運裝置可繼續搬運交接部中其他基板。又，載置冷卻部可接收基板後，可將載置於緩衝部之基板立即搬運至載置冷卻部。其結果，可更加抑制處理效率之降低。 (6)交接部進而包含可載置基板之返回載置部，基板搬運控制部以將載置於返回載置部之曝光後之基板搬出並搬運之方式進一步控制第1搬運裝置，亦可以將曝光後之基板自曝光裝置搬出並搬運至返回載置部之方式進一步控制第2搬運裝置。該情形時，可將曝光後之基板自返回載置部搬出並容易取出。 (7)第1搬運裝置具有保持基板之第1及第2保持部，基板搬運控制部亦可以連續或並列地進行基板自返回載置部搬出與基板向載置冷卻部搬入之方式，控制第1搬運裝置之第1及第2保持部。 該情形時，由於連續或並列地進行基板自返回載置部之搬出與基板向載置冷卻部之搬入，故第1搬運裝置之搬運效率提高。藉此，可提高基板之處理效率。 (8)第2搬運裝置具有保持基板之第3及第4保持部，基板搬運控制部亦可以連續或並列地進行基板自曝光裝置搬出與基板向曝光裝置搬入之方式，控制第2搬運裝置之第3及第4保持部。 該情形時，由於連續或並列地進行基板自曝光裝置之搬出與基板向曝光裝置之搬入，故第2搬運裝置之搬運效率提高。藉此，可提高基板之處理效率。 (9)第2搬運裝置具有保持基板之第5及第6保持部，基板搬運控制部亦可以連續或並列地進行基板自載置冷卻部搬出與基板向返回載置部搬入之方式，進而控制第2搬運裝置之第5及第6保持部。 該情形時，由於連續或並列地進行基板自載置冷卻部之搬出與基板向返回載置部之搬入，故第2搬運裝置之搬運效率提高。藉此，可提高基板之處理效率。 (10)按照本發明之其他態樣之基板處理方法係使用以鄰接於曝光裝置之方式配置之基板處理裝置對基板進行處理者，其包含如下步驟：藉由處理部之塗佈裝置於基板上塗佈感光性材料而形成感光性膜；將交接部中來自處理部之基板藉由第1搬運裝置予以保持，並搬入至載置冷卻部；將藉由第1搬運裝置搬入之基板藉由載置冷卻裝置進行冷卻；藉由第2搬運裝置自載置冷卻部保持經冷卻之基板並搬出；曝光裝置可接收基板之情形時，將自載置冷卻部搬出之基板藉由第2搬運裝置搬運至曝光裝置；曝光裝置不可接收基板之情形時，將自載置冷卻部搬出之基板藉由第2搬運裝置搬入至溫度維持部；藉由溫度維持部維持藉由第2搬運裝置搬入之基板之溫度；及曝光裝置可接收基板後，藉由第2搬運裝置自溫度維持部搬出基板並搬入至曝光裝置。 根據該基板處理方法，藉由處理部之塗佈裝置於基板上塗佈感光性材料，形成感光性膜。將交接部中來自處理部之基板藉由第1搬運裝置予以保持，並搬入至載置冷卻部。將藉由第1搬運裝置搬入之基板藉由載置冷卻部進行冷卻。將經冷卻之基板自載置冷卻部藉由第2搬運裝置予以保持，並搬出。曝光裝置可接收基板之情形時，將自載置冷卻部搬出之基板藉由第2搬運裝置搬運至曝光裝置。曝光裝置不可接收基板之情形時，將自載置冷卻部搬出之基板藉由第2搬運裝置搬運至溫度維持部。藉由溫度維持部維持藉由第2搬運裝置搬入之基板之溫度。曝光裝置可接收基板後，藉由第2搬運裝置自溫度維持部搬出基板，並搬入至曝光裝置。 根據該方法，曝光裝置之運轉暫時停止之情形或基板停滯於曝光裝置之情形時，亦可於曝光裝置可接收基板前將基板載置於溫度維持部。因此，第2搬運裝置無需持續保持應保運至曝光裝置之基板。藉此，第2搬運裝置可繼續搬運交接部中其他基板。又，由於維持了載置於溫度維持部之基板之溫度，故曝光裝置可接收基板後，可將特定溫度之基板立即搬運至曝光裝置。該等結果，可對應於曝光裝置之狀態抑制基板之處理效率之降低，且將適當狀態之基板搬入至曝光裝置。
以下，就本發明之一實施形態之基板處理裝置及基板處理方法使用圖式進行說明。另，於以下之說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等。 (1)基板處理裝置之構成 圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。於圖1及之後之特定圖中，為明確位置關係而附加表示相互正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭符號。X方向及Y方向係於水平面內互相正交，Z方向相當於垂直方向。 如圖1所示，基板處理裝置100包含分度區塊11、塗佈區塊12、顯影區塊13、清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。藉由清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B，構成界面區塊14。以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式配置曝光裝置15。 分度區塊11包含複數個載具載置部111及搬運部112。於各載具載置部111，載置多段收容複數片基板W之載具113。於搬運部112，設置主控制器114及搬運裝置115。主控制器114控制基板處理裝置100之各種構成要素。搬運裝置115一面保持基板W一面搬運該基板W。 塗佈區塊12包含塗佈處理部121、搬運部122及熱處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123係以隔著搬運部122對向之方式設置。於搬運部122與分度器區塊11之間，設置載置基板W之基板載置部PASS1~PASS4(圖4)。於搬運部122，設置搬運基板W之搬運裝置127、128(圖4)。 顯影區塊13包含顯影處理部131、搬運部132及熱處理部133。顯影處理部131及熱處理部133以隔著搬運部132而對向之方式設置。於搬運部132與搬運部122之間，設置載置基板W之基板載置部PASS5～PASS8(圖4)。於搬運部132，設置搬運基板W之搬運裝置137、138(圖4)。 清洗乾燥處理區塊14A包含清洗乾燥處理部161、162及搬運部163。清洗乾燥處理部161、162係以隔著搬運部163對向之方式設置。於搬運部163，設置搬運裝置141、142。 於搬運部163與搬運部132之間，設置載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖4)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2構成為可收納複數片基板W。又，於搬運部163與搬運部132之間，設置載置基板W之基板載置部PASS9、PASS10(圖4)。 於搬運裝置141、142之間，以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式，設置冷卻兼緩衝部C-BF。又，以與冷卻兼緩衝部C-BF積層之方式，設置後述之基板載置部PASS11及複數個載置兼冷卻部P-CP(圖4)。再者，於冷卻兼緩衝部C-BF之上方，設置返回緩衝部RBF1及送出緩衝部SBF1(圖4)，於冷卻兼緩衝部C-BF之下方，設置返回緩衝部RBF2及送出緩衝部SBF2(圖4)。 冷卻兼緩衝部C-BF具備冷卻基板W之功能，構成為可暫時收納基板W。基板載置部PASS11構成為可載置基板W。載置兼冷卻部P-CP具備冷卻基板W之功能(例如冷卻板)。於載置兼冷卻部P-CP中，將基板W冷卻至適合曝光處理之溫度。返回緩衝部RBF1、RBF2及送出緩衝部SBF1、SBF2構成為可暫時收納基板W。 於搬入搬出區塊14B，設置搬運裝置143。搬運裝置143進行基板W向曝光裝置15之搬入及搬出。於曝光裝置15，設置用於搬入基板W之基板搬入部15a及用於搬出基板W之基板搬出部15b。 (2)塗佈處理部及顯影處理部 圖2係顯示圖1之塗佈處理部121、顯影處理部131及清洗乾燥處理部161之內部構成之模式性側視圖。如圖2所示，於塗佈處理部121，分層地設置塗佈處理室21、22、23、24。於塗佈處理室21~24各者，設置塗佈處理單元(旋轉塗佈機)129。於顯影處理部131，分層地設置顯影處理室31、32、33、34。於顯影處理室31~34各者，設置顯影處理單元(旋轉顯影機)139。 各塗佈處理單元129包含：旋轉卡盤25，其保持基板W；及杯體27，其係以覆蓋旋轉卡盤25周圍之方式設置。於本實施形態中，於各塗佈處理單元129設置2組旋轉卡盤25及杯體27。旋轉卡盤25係藉由未圖示之驅動裝置(例如，電動馬達)旋轉驅動。又，如圖1所示，各塗佈處理單元129包含噴出處理液之複數個處理液噴嘴28及搬運該處理液噴嘴28之噴嘴搬運機構29。 於塗佈處理單元129中，旋轉卡盤25藉由未圖示之驅動裝置旋轉，且藉由噴嘴搬運機構29將複數個處理液噴嘴28中任一個之處理液噴嘴28移動至基板W之上方，自該處理液噴嘴28噴出處理液。藉此，於基板W上塗佈處理液。又，自未圖示之邊緣清洗噴嘴，對基板W之周緣部噴出清洗液。藉此，去除附著於基板W周緣部之處理液。 於塗佈處理室22、24之塗佈處理單元129中，自處理液噴嘴28對基板W供給抗反射膜用之處理液。於塗佈處理室21、23之塗佈處理單元129中，自處理液噴嘴28對基板W供給光阻膜用之處理液。 顯影處理單元139與塗佈處理單元129同樣，包含旋轉卡盤35及杯體37。又，如圖1所示，顯影處理單元139包含噴出顯影液之2個顯影噴嘴38及使該顯影噴嘴38於X方向移動之移動機構39。 於顯影處理單元139中，旋轉卡盤35藉由未圖示之驅動裝置旋轉，且使一顯影噴嘴38於X方向移動並將顯影液供給至各基板W，其後，使另一顯影噴嘴38移動並將顯影液供給至各基板W。於該情形時，藉由對基板W供給顯影液，而進行基板W之顯影處理。又，於本實施形態中，自2個顯影噴嘴38噴出互不相同之顯影液。藉此，可對各基板W供給2種顯影液。 清洗乾燥處理部161與圖1之搬運裝置141對應設置。於清洗乾燥處理部161，以與顯影區塊13鄰接且積層之方式，設置複數個(本例中係3個)清洗乾燥處理單元SD1，及複數個(本例中係2個)清洗乾燥處理單元SD2。複數個清洗乾燥處理單元SD2配置於複數個清洗乾燥處理單元SD1之上方。 又，於清洗乾燥處理部161，以與搬入搬出區塊14B鄰接且積層之方式，設置複數個(本例中係6個)曝光後加熱處理單元PEB。複數個曝光後加熱處理單元PEB配置於清洗乾燥處理部161之上部。 於清洗乾燥處理單元SD1中，進行曝光處理前之基板W之清洗及乾燥處理。於清洗乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後之基板W之清洗及乾燥處理。於曝光後加熱處理單元PEB中，進行曝光後烘烤處理。 (3)熱處理部 圖3係顯示圖1之熱處理部123、133及清洗乾燥處理部162之內部構成之模式性側視圖。如圖3所示，熱處理部123具有設置於上方之上段熱處理部101及設置於下方之下段熱處理部102。於上段熱處理部101及下段熱處理部102中，設置複數個熱處理單元PHP、複數個密著強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。 於熱處理部123之最上部，設置局部控制器200。局部控制器200基於來自圖1之主控制器114之指令，控制塗佈處理部121、搬運部122及熱處理部123之動作。 於熱處理單元PHP中，進行基板W之加熱處理及冷卻處理。於密著強化處理單元PAHP中，進行用以提高基板W與抗反射膜之密著性之密著強化處理。具體而言，於密著強化處理單元PAHP中，對基板W塗佈HMDS(六甲基二矽氮烷)等密著強化劑，並進行基板W之加熱處理。於冷卻單元CP中，進行基板W之冷卻處理。 熱處理部133具有設置於上方之上段熱處理部103及設置於下方之下段熱處理部104。於上段熱處理部103及下段熱處理部104中，設置冷卻單元CP、複數個熱處理單元PHP及邊緣曝光部EEW。 於熱處理部133之最上部，設置局部控制器300。局部控制器300基於來自圖1之主控制器114之指令，控制顯影處理部131、搬運部132及熱處理部133之動作。 於邊緣曝光部EEW中，進行基板W周緣部之曝光處理(邊緣曝光處理)。藉由對基板W進行邊緣曝光處理，於隨後之顯影處理時，去除基板W之周緣部上之光阻膜。藉此，於顯影處理後，於基板W之周緣部與其他部分接觸之情形時，可防止基板W之周緣部上之光阻膜剝離而成為顆粒。 清洗乾燥處理部162與圖1之搬運裝置142對應設置。於清洗乾燥處理部162，以與顯影區塊13鄰接且積層之方式，設置複數個(本例中係3個)清洗乾燥處理單元SD1，及複數個(本例中係2個)清洗乾燥處理單元SD2。複數個清洗乾燥處理單元SD2配置於複數個清洗乾燥處理單元SD1之上方。 又，於清洗乾燥處理部162，以與搬入搬出區塊14B鄰接且積層之方式，設置複數個(本例中係6個)曝光後加熱處理單元PEB。複數個曝光後加熱處理單元PEB配置於清洗乾燥處理部162之上部。 於清洗乾燥處理單元SD1中，進行曝光處理前之基板W之清洗及乾燥處理。於清洗乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後之基板W之清洗及乾燥處理。於曝光後加熱處理處理單元PEB中，進行曝光後烘烤處理。 (4)搬運部 圖4係顯示搬運部122、132、163之內部構成之模式性側視圖。如圖4所示，搬運部122具有上段搬運室125及下段搬運室126。搬運部132具有上段搬運室135及下段搬運室136。於上段搬運室125，設置搬運裝置127(搬運機器人)。於下段搬運室126，設置搬運裝置128。於上段搬運室135，設置搬運裝置137。於下段搬運室136，設置搬運裝置138。 搬運裝置127、128、137、138分別具有用以保持基板W並搬運之複數個機械手H1、H2。又，搬運裝置141～143(圖1)亦具有與搬運裝置127、128、137、138之機械手H1、H2相同之複數個機械手H1、H2。 於搬運部112與上段搬運室125之間，設置基板載置部PASS1、PASS2。於搬運部112與下段搬運室126之間，設置基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬運室125與上段搬運室135之間，設置基板載置部PASS5、PASS6。於下段搬運室126與下段搬運室136之間，設置基板載置部PASS7、PASS8。 於上段搬運室135與搬運部163之間，設置載置兼緩衝部P-BF1及基板載置部PASS9。於下段搬運室136與搬運部163之間，設置載置兼緩衝部P-BF2及基板載置部PASS10。 於搬運部163中以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式，自上方起依序積層設置基板載置部PASS11、複數個(本例中係4個)載置兼冷卻部P-CP及冷卻兼緩衝部C-BF。於基板載置部PASS11之上方，積層設置返回緩衝部RBF1及送出緩衝部SBF1。於冷卻兼緩衝部C-BF之下方，積層設置返回緩衝部RBF2及送出緩衝部SBF2。 搬運裝置127對塗佈處理室21、22(圖2)、基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6及上段熱處理部101(圖3)進行基板W之交接。搬運裝置128對塗佈處理室23、24(圖2)、基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8及下段熱處理部102(圖3)進行基板W之交接。 搬運裝置137對顯影處理室31、32(圖2)、基板載置部PASS5、PASS6、PASS9、載置兼緩衝部P-BF1及上段熱處理部103(圖3)進行基板W之交接。搬運裝置138對顯影處理室33、34(圖2)、基板載置部PASS7、PASS8、PASS10、載置兼緩衝部P-BF2及下段熱處理部104(圖3)進行基板W之交接。 搬運裝置141(圖1)對清洗乾燥處理部161(圖2)、載置兼緩衝部P-BF1、基板載置部PASS9、PASS11及載置兼冷卻部P-CP進行基板W之交接。又，搬運裝置141根據先行之基板W之處理之進行狀態，對返回緩衝部RBF1及送出緩衝部SBF1進行基板W之交接。 搬運裝置142(圖1)對清洗乾燥處理部162(圖2)、載置兼緩衝部P-BF2、基板載置部PASS10、PASS11及載置兼冷卻部P-CP進行基板W之交接。又，搬運裝置142根據先行之基板W之處理之進行狀態，對返回緩衝部RBF2及送出緩衝部SBF2進行基板W之交接。 搬運裝置143對曝光裝置15(圖1)、基板載置部PASA11及載置兼冷卻部P-CP進行基板W之交接。又，搬運裝置143根據先行之基板W之處理之進行狀態，對冷卻兼緩衝部C-BF進行基板W之交接。 又，於搬運部163之最上部，設置局部控制器400。局部控制器400基於來自圖1之主控制器114之指令，控制清洗乾燥處理部161、162及搬運部163之動作，且控制搬入搬出區塊14B之動作。 (5)基板處理之步驟 使用圖1～圖4，針對基板處理時之分度區塊11、塗佈區塊12、顯影區塊13、清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B之動作進行說明。於以下之基板處理中，預測利用基板處理裝置100及曝光裝置15之處理所需要之時間，基於預測之時間控制搬運裝置115、127、128、137、138、141～143之動作。 於分度區塊11之載具載置部111(圖1)，載置收納有未處理之基板W之載具113。搬運裝置115將未處理之基板W自載具113搬運至基板載置部PASS1、PASS3(圖4)。又，搬運裝置115將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖4)之已處理之基板W搬運至載具113。 於塗佈區塊12中，搬運裝置127(圖4)將載置於基板載置部PASS1之基板W依序搬運至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及塗佈處理室22(圖2)。接著，搬運裝置127將利用塗佈處理室22形成有抗反射膜之基板W依序搬運至熱處理單元PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及塗佈處理室21(圖2)。接著，搬運裝置127將利用塗佈處理室21形成有光阻膜之基板W依序搬運至熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS5(圖4)。 該情形時，於密著強化處理單元PAHP中，對基板W進行密著強化處理後，於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適合形成抗反射膜之溫度。接著，於塗佈處理室22中，藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成抗反射膜。接著，於熱處理單元PHP中，進行基板W之熱處理後，於冷卻單元CP，將基板W冷卻至適合形成光阻膜之溫度。接著，於塗佈處理室21中，藉由塗佈處理單元129(圖2)於基板W上形成光阻膜。其後，於熱處理單元PHP中，進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS5。 又，搬運裝置127將載置於基板載置部PASS6(圖4)之顯影處理後之基板W搬運至基板載置部PASS2(圖4)。 搬運裝置128(圖4)將載置於基板載置部PASS3之基板W依序搬運至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及塗佈處理室24(圖2)。接著，搬運裝置128將利用塗佈處理室24形成有抗反射膜之基板W依序搬運至熱處理單元PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及塗佈處理室23(圖2)。接著，搬運裝置128將利用塗佈處理室23形成有光阻膜之基板W依序搬運至熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS7(圖4)。 又，搬運裝置128(圖4)將載置於基板載置部PASS8(圖4)之顯影處理後之基板W搬運至基板載置部PASS4(圖4)。塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部102(圖3)中基板W之處理內容與上述之塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部101(圖3)中基板W之處理內容相同。 於顯影區塊13中，搬運裝置137(圖4)將載置於基板載置部PASS5之光阻膜形成後之基板W依序搬運至邊緣曝光部EEW(圖3)及載置兼緩衝部P-BF1(圖4)。該情形時，於邊緣曝光部EEW中，對基板W進行邊緣曝光處理。將邊緣曝光處理後之基板W載置於載置兼緩衝部P-BF1。 又，搬運裝置137(圖4)自基板載置部PASS9(圖4)取出曝光後烘烤處理後之基板W。搬運裝置137將該基板W依序搬運至冷卻單元CP(圖3)、顯影處理室31、32之一者(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS6(圖4)。 該情形時，於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適合顯影處理之溫度後，於顯影處理室31、32一者中，進行基板W之顯影處理。其後，於熱處理單元PHP中，進行基板W之熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS6。 搬運裝置138(圖4)將載置於基板載置部PASS7之光阻膜形成後之基板W依序搬運至邊緣曝光部EEW(圖3)及載置兼緩衝部P-BF2(圖4)。 又，搬運裝置138(圖4)自基板載置部PASS10(圖4)取出曝光後烘烤處理後之基板W。搬運裝置138將該基板W依序搬運至冷卻單元CP(圖3)、顯影處理室33、34之一者(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS8(圖4)。顯影處理室33、34及下段熱處理部104中基板W之處理內容與上述之顯影處理室31、32(圖2)及上段熱處理部103(圖3)中基板W之處理內容相同。 於清洗乾燥處理區塊14A中，搬運裝置141(圖1)將載置於載置兼緩衝部P-BF1之基板W依序搬運至清洗乾燥處理單元SD1(圖2)及載置兼冷卻部P-CP(圖4)。該情形時，於清洗乾燥處理單元SD1中，進行基板W之清洗及乾燥處理後，於載置兼冷卻部P-CP中，將基板W冷卻至適合曝光裝置15(圖1)之曝光處理之溫度。 又，搬運裝置141將載置於基板載置部PASS11(圖4)之基板W依序搬運至清洗乾燥處理單元SD2(圖2)、曝光後加熱處理單元PEB(圖2)及基板載置部PASS9。該情形時，於清洗乾燥處理單元SD2中，進行基板W之清洗及乾燥處理。其後，於曝光後加熱處理單元PEB中，進行曝光後烘烤處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS9。 搬運裝置142(圖1)將載置於載置兼緩衝部P-BF2之基板W搬運至清洗乾燥處理單元SD1(圖3)及載置兼冷卻部P-CP(圖4)。又，搬運裝置142將載置於基板載置部PASS11(圖4)之基板W搬運至清洗乾燥處理單元SD2(圖3)、曝光後加熱處理單元PEB(圖3)及基板載置部PASS10。 於搬入搬出區塊14B中，搬運裝置143(圖4)將載置於載置兼冷卻部P-CP之冷卻後之基板W搬入至曝光裝置15之基板搬入部15a(圖1)。又，搬運裝置143自曝光裝置15之基板搬出部15b(圖1)取出曝光處理後之基板W，並將該基板W搬運至基板載置部PASS11(圖4)。 (6)冷卻兼緩衝部 如上述，基於利用基板處理裝置100及曝光裝置15之處理所需要之時間，控制搬運裝置115、127、128、137、138、141～143(以下簡稱為搬運裝置)。藉此，各搬運裝置可連續或並列地進行自特定之載置位置取出處理後之基板W之動作，與將處理前之基板W載置於該載置位置或其他載置位置之動作。此處，所謂「並列地進行」2個動作，意指進行該2個動作之期間之至少一部分重複。 然而，曝光裝置15之運轉暫時停止之情形時，搬運裝置將無法進行上述動作。基板W停滯於曝光裝置15之情形亦相同。因此，曝光裝置15停止之情形或基板W停滯於曝光裝置15之情形時，使用冷卻兼緩衝部C-BF。圖5及圖6係用以說明冷卻兼緩衝部C-BF之使用例之圖。於圖5及圖6中，省略圖4之返回緩衝部RBF1、RBF2及送出緩衝部SBF1、SBF2之圖示。 於圖5(a)中，搬運裝置141將曝光處理後之基板W自基板載置部PASS11搬出，且將清洗及乾燥處理後之基板W搬入至載置兼冷卻部P-CP。又，搬運裝置143將曝光處理後之基板W自基板搬出部15b搬出，且將經冷卻之基板W搬入至基板搬入部15a。接著，於圖5(b)中，搬運裝置143將經冷卻之基板W自載置兼冷卻部P-CP搬出，且將曝光處理後之基板W搬入至基板載置部PASS11。 其後，於圖5(c)中，基於預測之處理時間進行處理之情形時，將曝光處理後之基板W自基板搬出部15b搬出，且將經冷卻之基板W搬入至基板搬入部15a。此處，考慮曝光裝置15之運轉暫時停止，或基板W停滯於基板搬入部15a之情形。該情形時，由於基板搬入部15a不可接收基板W，故搬運裝置143雖可將曝光處理後之基板W自基板搬出部15b搬出，但如圖5(c)「×」所示，無法將經冷卻之基板W搬入至基板搬入部15a。因此，清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B之基板W之處理效率降低。 因此，於圖6(a)中，搬運裝置143將經冷卻之基板W搬入至冷卻兼緩衝部C-BF，且將曝光處理後之基板W搬入至基板載置部PASS11。於冷卻兼緩衝部C-BF中，與載置兼冷卻部P-CP同樣，將基板W冷卻至適於曝光裝置15之曝光處理之溫度。 其後，於圖6(b)中，曝光裝置15之運轉再開始，或消除曝光裝置15內之基板W之停滯，藉此而將基板搬入部15a之基板W收入至曝光裝置15內。藉此，基板搬入部15a將可接收基板W。此時，搬運裝置143將經冷卻之基板W自冷卻兼緩衝部C-BF搬出。接著，於圖6(c)中，搬運裝置143將經冷卻之基板W搬入至基板搬入部15a。又，曝光處理後之基板W載置於基板搬出部15b之情形時，搬運裝置143自基板搬出部15b搬出基板W。 於上述構成中，基板搬入部15a不可接收基板W之情形時，於基板搬入部15a可接收基板W之前，搬運裝置143亦無需保持經冷卻至適合曝光處理之溫度之基板W並待機。又，若基板搬入部15a可接收基板W，則搬運裝置143可將利用冷卻兼緩衝部C-BF冷卻至適合曝光處理之溫度之基板立即搬入至基板搬入部15a。藉此，可使清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B之基板W之處理效率之降低最小。 基板W停滯於基板處理裝置100之情形時，使用載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2、返回緩衝部RBF1、RBF2或送出緩衝部SBF1、SBF2。具體而言，圖2之清洗乾燥處理單元SD1不可接收基板W之情形時，將基板W藉由搬運裝置141暫時收納於載置兼緩衝部P-BF1(圖4)。該情形時，圖2之清洗乾燥處理單元SD1可接收基板W後，將基板W藉由搬運裝置141自載置兼緩衝部P-BF1搬運至清洗乾燥處理單元SD1。 圖3之清洗乾燥處理單元SD1不可接收基板W之情形時，將基板W藉由搬運裝置142暫時收納於載置兼緩衝部P-BF2(圖4)。該情形時，圖3之清洗乾燥處理單元SD1可接收基板W後，將基板W藉由搬運裝置142自載置兼緩衝部P-BF2搬運至清洗乾燥處理單元SD1。 基板載置部PASS9不可接收基板W之情形時，將基板W藉由搬運裝置141搬運至返回緩衝部RBF1(圖4)，並暫時載置。該情形時，基板載置部PASS9可接收基板W後，將基板W藉由搬運裝置141自曝光後加熱處理單元PEB搬運至基板載置部PASS9。 基板載置部PASS10不可接收基板W之情形時，將基板W藉由搬運裝置142搬運至返回緩衝部RBF2(圖4)，並暫時載置。該情形時，基板載置部PASS10可接收基板W後，將基板W藉由搬運裝置142自曝光後加熱處理單元PEB搬運至基板載置部PASS10。 再者，全部載置兼冷卻部P-CP不可接收來自圖2之清洗乾燥處理單元SD1之基板W之情形時，藉由搬運裝置141將基板W搬運至送出緩衝部SBF1(圖4)，並暫時載置。該情形時，任一載置兼冷卻部P-CP可接收基板W後，將基板W藉由搬運裝置141自送出緩衝部SBF1搬運至該載置兼冷卻部P-CP。 全部載置兼冷卻部P-CP不可接收來自圖3之清洗乾燥處理單元SD1之基板W之情形時，藉由搬運裝置142將基板W搬運至送出緩衝部SBF2(圖4)，並暫時載置。該情形時，任一載置兼冷卻部P-CP可接收基板W後，將基板W藉由搬運裝置142自送出緩衝部SBF2搬運至該載置兼冷卻部P-CP。 於圖6(c)之例中，於全部載置兼冷卻部P-CP載置基板W，載置兼冷卻部P-CP不可接收基板W。此種情形時，搬運裝置141保持清洗及乾燥處理後之基板W時，搬運裝置141將該基板W搬運至圖4之送出緩衝部SBF1。同樣地，圖1之搬運裝置142保持清洗及乾燥處理後之基板W時，搬運裝置142將該基板W搬運至圖4之送出緩衝部SBF2。 (7)搬運裝置之控制系統 圖7係顯示用以控制搬運裝置141～143之局部控制器400之構成之方塊圖。如圖7所示，局部控制器400包含主控制部401、記憶部402、搬運控制部410、420、430、440及判斷部450。 主控制部401包含例如CPU(中央運算處理裝置)。記憶部402包含例如非揮發性記憶體或硬碟，記憶用以控制搬運裝置141～143之搬運控制程式。主控制部401藉由執行記憶於記憶部402之搬運控制程式，而實現搬運控制部410、420、430、440及判斷部450之功能。 判斷部450包含送出判斷部451、返回判斷部452及曝光判斷部453。送出判斷部451判斷圖4之各載置兼冷卻部P-CP是否可接收基板W，將判斷結果賦予搬運控制部410。返回判斷部452判斷圖4之基板載置部PASS9、PASS10是否可接收基板W，將判斷結果賦予搬運控制部410。曝光判斷部453判斷圖1之曝光裝置15是否可接收基板W，將判斷結果賦予搬運控制部430、440。 例如，於各載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、PASS10及基板搬入部15a，設置檢測基板W有無之光電感測器。送出判斷部451、返回判斷部452及曝光判斷部453基於各載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、PASS10及基板搬入部15a之光電感測器之輸出信號，判斷是否可接收基板W。 搬運控制部410構成為控制搬運裝置141、142之動作。搬運控制部410包含送出控制部411及返回控制部412。以下，說明關於搬運裝置141之控制，但關於搬運裝置142之控制與關於搬運裝置141之控制相同。 送出控制部411以將載置於圖4之載置兼緩衝部P-BF1之基板W搬運至圖2之清洗乾燥處理單元SD1之方式，控制搬運裝置141。又，送出控制部411藉由送出判斷部451判斷為任一載置兼冷卻部P-CP可接收基板W之情形時，以將來自清洗乾燥處理單元SD1之基板W搬運至該載置兼冷卻部P-CP之方式控制搬運裝置141。 另一方面，送出控制部411藉由送出判斷部451判斷為全部載置兼冷卻部P-CP皆不可接收基板W之情形時，以將來自清洗乾燥處理單元SD1之基板W搬運至圖4之送出緩衝部SBF1之方式控制搬運裝置141。送出控制部411於任一載置兼冷卻部P-CP可接收基板W後，以將來自送出緩衝部SBF1之基板W搬運至該載置兼冷卻部P-CP之方式控制搬運裝置141。 返回控制部412將載置於圖4之基板載置部PASS11之基板W搬運至圖2之清洗乾燥處理單元SD2後，以搬運至圖2之曝光後加熱處理單元PEB之方式控制搬運裝置141。返回控制部412藉由返回判斷部452判斷為圖4之基板載置部PASS9可接收基板W之情形時，以將來自曝光後加熱處理單元PEB之基板W搬運至基板載置部PASS9之方式控制搬運裝置141。 另一方面，返回控制部412藉由返回判斷部452判斷為基板載置部PASS9不可接收基板W之情形時，以將來自清洗乾燥處理單元SD2之基板W搬運至圖4之返回緩衝部RBF1之方式控制搬運裝置141。返回控制部412於基板載置部PASS9可接收基板W後，以將來自返回緩衝部RBF1之基板W搬運至基板載置部PASS9之方式控制搬運裝置141。 搬運控制部420、430、440係以控制搬運裝置143之動作之方式構成。搬運控制部420包含搬出控制部421及返回控制部422。搬運控制部440包含待機控制部441及送出控制部442。搬出控制部421以搬出載置於載置兼冷卻部P-CP之基板W之方式控制搬運裝置143。返回控制部422於以將來自曝光裝置15之基板W搬運至基板載置部PASS11之方式控制搬運裝置143。 搬運控制部430藉由曝光判斷部453判斷為曝光裝置15可接收基板W之情形時，以將搬出之基板W搬運至曝光裝置15之方式控制搬運裝置143。待機控制部441藉由曝光判斷部453判斷為曝光裝置15不可接收基板W之情形時，以將搬出之基板W搬運至圖4之冷卻兼緩衝部C-BF之方式控制搬運裝置143。送出控制部442藉由曝光判斷部453判斷為曝光裝置15可接收基板W之情形時，以將來自冷卻兼緩衝部C-BF之基板W搬運至曝光裝置15之方式控制搬運裝置143。 (8)搬運控制處理 圖8係顯示搬運控制處理中圖7之局部控制器400之主控制部401之動作之一部分之流程圖。於圖8之搬運控制處理中，控制用以將基板W自載置兼冷卻部P-CP搬運至曝光裝置15之搬運裝置143之動作。圖8之搬運控制處理係與藉由搬運裝置143用以將基板W自曝光裝置15搬運至圖4之基板載置部PASS11之搬運控制處理並列地執行。一面參照圖4之基板處理裝置100、圖7之局部控制器400及圖8之流程圖，一面說明利用主控制部401之搬運控制處理。 首先，主控制部401藉由搬運裝置143自任一載置兼冷卻部P-CP搬出基板W(步驟S1)。另，搬運裝置143保持應搬入至基板載置部PASS11之基板W之情形時，主控制部401執行步驟S1之處理，且將該基板W搬入至基板載置部PASS11。 接著，主控制部401判斷曝光裝置15是否可接收基板W(步驟S2)。曝光裝置15不可接收基板W之情形時，主控制部401將搬出之基板W藉由搬運裝置143搬入至冷卻兼緩衝部C-BF(步驟S3)。其後，主控制部401判斷曝光裝置15是否可接收基板W(步驟S4)。曝光裝置15不可接收基板W之情形時，主控制部401待機直至曝光裝置15可接收基板W為止。 步驟S4中曝光裝置15可接收基板W之情形時，主控制部401藉由搬運裝置143自冷卻兼緩衝部C-BF搬出基板W(步驟S5)，並進行至步驟S6之處理。步驟S2中曝光裝置15可接收基板W之情形時，主控制部401進行至步驟S6。 步驟S6中，主控制部401將搬出之基板W藉由搬運裝置143搬入至曝光裝置15(步驟S6)。另，於曝光裝置15存在曝光處理後之基板W之情形時，主控制部401執行步驟S6之處理，且將該基板W自曝光裝置15搬出。其後，主控制部401返回至步驟S1。 (9)效果 本實施形態之基板處理裝置100中，曝光裝置15之運轉暫時停止之情形或基板W停滯於曝光裝置15之情形時，於曝光裝置15可接收基板W前，將基板W載置於冷卻兼緩衝部C-BF。因此，搬運裝置143無需持續保持應搬運至曝光裝置15之基板W。藉此，搬運裝置143可繼續搬入搬出區塊14B中之其他基板W之搬運。 又，由於維持了載置於冷卻兼緩衝部C-BF之基板W之溫度，故曝光裝置15可接收基板W後，可將特定溫度之基板立即搬運至曝光裝置15。該等結果，可對應於曝光裝置15之狀態抑制基板W之處理效率之降低，且將適當狀態之基板W搬入至曝光裝置15。 再者，全部載置兼冷卻部P-CP皆不可接收基板W之情形時，將利用清洗乾燥處理單元SD1之清洗後之基板W搬運至送出緩衝部SBF1、SBF2。任一載置兼冷卻部P-CP可接收基板W後，將蓄積於送出緩衝部SBF1、SBF2之基板W搬運至該載置兼冷卻部P-CP。 該情形時，搬運裝置141、142無需持續保持應搬運至載置兼冷卻部P-CP之基板W。藉此，搬運裝置141、142可繼續搬運清洗乾燥處理區塊14A中之其他基板W。又，載置兼冷卻部P-CP可接收基板W後，可將載置於送出緩衝部SBF1、SBF2之基板W立即搬運至載置兼冷卻部P-CP。因此，可進而抑制基板W之處理效率之降低。 (10)其他實施形態 上述實施形態中，冷卻兼緩衝部C-BF係與載置兼冷卻部P-CP分開設置，但本發明不限於此。圖9及圖10係顯示其他實施形態之冷卻兼緩衝部之構成之圖。如圖9及圖10所示，於本實施形態中，不設置冷卻兼緩衝部C-BF，而設置複數個(本例中係5個)載置兼冷卻部P-CP。將5個載置兼冷卻部P-CP分別稱為載置兼冷卻部P-CP1～P-CP5。 如圖9(a)所示，自清洗乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B第1次搬運基板W時，以使用載置兼冷卻部P-CP1～P-CP4之任一者，不使用載置兼冷卻部P-CP5之方式控制搬運裝置141～143。此時，以載置兼冷卻部P-CP5作為冷卻兼緩衝部使用之方式控制搬運裝置141～143。因此，基板搬入部15a不可接收基板W時，搬運裝置143將經保持之基板W搬入至載置兼冷卻部P-CP5。 同樣地，如圖9(b)所示，自清洗乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B第2次搬運基板W時，使用載置兼冷卻部P-CP1～P-CP3、P-CP5之任一者，不使用載置兼冷卻部P-CP4。此時，載置兼冷卻部P-CP4係作為冷卻兼緩衝部使用。 如圖9(c)所示，自清洗乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B第3次搬運基板W時，使用載置兼冷卻部P-CP1、P-CP2、P-CP4、P-CP5之任一者，不使用載置兼冷卻部P-CP3。此時，載置兼冷卻部P-CP3係作為冷卻兼緩衝部使用。 如圖10(a)所示，自清洗乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B第4次搬運基板W時，使用載置兼冷卻部P-CP1、P-CP3～P-CP5之任一者，不使用載置兼冷卻部P-CP2。此時，載置兼冷卻部P-CP2係作為冷卻兼緩衝部使用。 如圖10(b)所示，自清洗乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B第5次搬運基板W時，使用載置兼冷卻部P-CP2～P-CP5之任一者，不使用載置兼冷卻部P-CP1。此時，載置兼冷卻部P-CP1係作為冷卻兼緩衝部使用。 藉由重複上述動作，將載置兼冷卻部P-CP1～P-CP5之任一者依序作為冷卻兼緩衝部使用。根據該構成，無需與載置兼冷卻部P-CP另外設置冷卻兼緩衝部，可藉由與載置兼冷卻部P-CP相同之構成實現冷卻兼緩衝部。藉此，可減低冷卻兼緩衝部之製造成本。又，由於將全部載置兼冷卻部P-CP依序作為冷卻兼緩衝部使用，故防止僅一部分載置兼冷卻部P-CP顯著經年劣化。 又，於圖9及圖10之例中，1片基板W每次自清洗乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B搬運，即變更作為冷卻兼緩衝部使用之載置兼冷卻部P-CP，但本發明不限於此。例如，亦可特定片數之基板W每次自清洗乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B搬運，即變更作為冷卻兼緩衝部使用之載置兼冷卻部P-CP。或者，亦可每經過特定時間，即變更作為冷卻兼緩衝部使用之載置兼冷卻部P-CP。 (11)申請專利範圍之各構成要素與實施形態之各構成要素之對應關係 以下，對申請專利範圍之各構成要素與實施形態之各構成要素之對應例進行說明，但本發明不限定於下述之例。 於上述實施形態中，曝光裝置15為曝光裝置之例，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，塗佈處理單元129為塗佈裝置之例。塗佈區塊12及顯影區塊13為處理部之例，基板W為基板之例，界面區塊14為交接部之例，局部控制器400為基板搬運控制部之例。搬運裝置141、142為第1搬運裝置之例，搬運裝置143為第2搬運裝置之例，載置兼冷卻部P-CP為載置冷卻部之例，冷卻兼緩衝部C-BF為溫度維持部之例。 搬運控制部410、420、430、440分別為第1～第4搬運控制部之例，判斷部450為判斷部之例，送出緩衝部SBF1、SBF2為緩衝部之例，基板載置部PASS11為返回載置部之例。搬運裝置141、142之機械手H1、H2分別為第1及第2保持部之例，搬運裝置143之機械手H1、H2分別為第3及第4保持部之例，搬運裝置143之機械手H1、H2分別為第5及第6保持部之例。 作為申請專利範圍之各構成要素，亦可使用具有記載於申請專利範圍之構成或功能之其他各種要素。 [產業上之可利用性] 本發明可有效地利用於使用曝光裝置之各種基板之處理。
11‧‧‧分度區塊 12‧‧‧塗佈區塊 13‧‧‧顯影區塊 14‧‧‧界面區塊 14A‧‧‧清洗乾燥處理區塊 14B‧‧‧搬入搬出區塊 15‧‧‧曝光裝置 15a‧‧‧基板搬入部 15b‧‧‧基板搬出部 21、22‧‧‧塗佈處理室 25‧‧‧旋轉卡盤 27‧‧‧杯體 28‧‧‧處理液噴嘴 29‧‧‧噴嘴搬運機構 31‧‧‧顯影處理室 35‧‧‧旋轉卡盤 37‧‧‧杯體 39‧‧‧移動機構 100‧‧‧基板處理裝置 101‧‧‧上段熱處理部 102‧‧‧下段熱處理部 103‧‧‧上段熱處理部 104‧‧‧下段熱處理部 111‧‧‧載具載置部 112‧‧‧搬運部 113‧‧‧載具 114‧‧‧主控制器 115‧‧‧搬運裝置 121‧‧‧塗佈處理部 122‧‧‧搬運部 123‧‧‧熱處理部 125‧‧‧上段搬運室 126‧‧‧下段搬運室 127、128‧‧‧搬運裝置 129‧‧‧塗佈處理單元 132‧‧‧搬運部 136‧‧‧下段搬運室 137、138‧‧‧搬運裝置 139‧‧‧顯影處理單元 141、142‧‧‧搬運裝置 143‧‧‧搬運裝置 161、162‧‧‧清洗乾燥處理部 163‧‧‧搬運部 200‧‧‧局部控制器 300‧‧‧局部控制器 400‧‧‧局部控制器 401‧‧‧主控制部 402‧‧‧記憶部 410‧‧‧搬運控制部 411‧‧‧送出控制部 412‧‧‧返回控制部 420‧‧‧搬運控制部 421‧‧‧搬出控制部 422‧‧‧返回控制部 430‧‧‧搬運控制部 440‧‧‧搬運控制部 441‧‧‧待機控制部 442‧‧‧送出控制部 450‧‧‧搬運控制部 451‧‧‧送出判斷部 452‧‧‧返回判斷部 453‧‧‧曝光判斷部 C-BF‧‧‧冷卻兼緩衝部 H1、H2‧‧‧機械手 PASS1～PASS11‧‧‧基板載置部 P-CP‧‧‧載置兼冷卻部 PEB‧‧‧曝光後加熱處理單元 PHP‧‧‧熱處理單元 RBF1、RBF2‧‧‧返回緩衝部 SBF1、SBF2‧‧‧送出緩衝部 SD1、SD2‧‧‧清洗乾燥處理單元 S1～S6‧‧‧步驟 W‧‧‧基板 X‧‧‧方向 Y‧‧‧方向 Z‧‧‧方向
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之模式性俯視圖。 圖2係顯示圖1之塗佈處理部、顯影處理部及清洗乾燥處理部之內部構成之模式性側視圖。 圖3係顯示圖1之熱處理部及清洗乾燥處理部之內部構成之模式性側視圖。 圖4係顯示搬運部之內部構成之模式性側視圖。 圖5(a)～(c)係用以說明冷卻兼緩衝部之使用例之圖。 圖6(a)～(c)係用以說明冷卻兼緩衝部之使用例之圖。 圖7係顯示用以控制搬運裝置之局部控制器之構成之方塊圖。 圖8係顯示搬運控制處理中圖7之局部控制器之主控制部之動作之一部分之流程圖。 圖9(a)～(c)係顯示其他實施形態之冷卻兼緩衝部之構成之圖。 圖10(a)及(b)係顯示其他實施形態之冷卻兼緩衝部之構成之圖。
14A‧‧‧清洗乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
141‧‧‧搬運裝置
143‧‧‧搬運裝置
C-BF‧‧‧冷卻兼緩衝部
H1、H2‧‧‧機械手
PASS11‧‧‧基板載置部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
W‧‧‧基板

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，其係以鄰接於曝光裝置之方式配置者；且其包含：處理部，其包含於基板上塗佈感光性材料而形成感光性膜之塗佈裝置；交接部，其用於在上述處理部與上述曝光裝置之間進行基板之交接；及基板搬運控制部，其控制基板之搬運，上述交接部包含：第1及第2搬運裝置，其保持基板而進行搬運；載置冷卻部，其構成為可載置基板，用於冷卻所載置之基板；及溫度維持部，其構成為可載置基板，用於維持所載置之基板之溫度；上述基板搬運控制部係以將來自上述處理部之基板搬入至上述載置冷卻部之方式控制上述第1搬運裝置，以搬出載置於上述載置冷卻部之基板之方式控制上述第2搬運裝置，在上述曝光裝置可接收基板之情形時，以將自上述載置冷卻部搬出之基板搬運至上述曝光裝置之方式控制上述第2搬運裝置，在上述曝光裝置不可接收基板之情形時，以將自上述載置冷卻部搬出之基板搬入至上述溫度維持部之方式控制上述第2搬運裝置，在判斷為上述曝光裝置可接收基板後，以自上述溫度維持部搬出基板並搬運至上述曝光裝置之方式控制上述第2搬運裝置。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述基板搬運控制部包含： 第1搬運控制部，其以將來自上述處理部之基板搬運至上述載置冷卻部之方式控制上述第1搬運裝置；第2搬運控制部，其以搬出載置於上述載置冷卻部之基板之方式控制上述第2搬運裝置；判斷部，其判斷上述曝光裝置是否可接收基板；第3搬運控制部，其於判斷為上述曝光裝置可接收基板之情形時，以將自上述載置冷卻部搬出之基板搬運至上述曝光裝置之方式控制上述第2搬運裝置；及第4搬運控制部，其於判斷為上述曝光裝置不可接收基板之情形時，將自上述載置冷卻部搬出之基板搬入至上述溫度維持部，判斷為上述曝光裝置可接收基板後，以自上述溫度維持部搬出基板並搬運至上述曝光裝置之方式控制上述第2搬運裝置。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述交接部包含複數個上述載置冷卻部，上述基板搬運控制部以上述複數個載置冷卻部中一部分載置冷卻部作為上述溫度維持部發揮功能之方式，控制上述第1及第2搬運裝置。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述基板搬運控制部以將上述複數個載置冷卻部中作為上述溫度維持部發揮功能之一部分載置冷卻部依序變更之方式，控制上述第1及第2搬運裝置。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述交接部進而包含緩衝部， 其用於暫時蓄積基板，上述基板搬運控制部於上述載置冷卻部不可接收基板之情形時，將利用上述處理部處理完之基板搬運至上述緩衝部，於上述載置冷卻部可接收基板後，以將蓄積於上述緩衝部之基板搬運至上述載置冷卻部之方式進一步控制上述第1搬運裝置。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述交接部進而包含可載置基板之返回載置部，上述基板搬運控制部以將載置於上述返回載置部之曝光後之基板搬出並搬運之方式進一步控制上述第1搬運裝置，以將曝光後之基板自上述曝光裝置搬出並搬運至上述返回載置部之方式進一步控制上述第2搬運裝置。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中上述第1搬運裝置包含保持基板之第1及第2保持部，上述基板搬運控制部以連續或並列地進行基板自上述返回載置部搬出與基板向上述載置冷卻部搬入之方式，控制上述第1搬運裝置之上述第1及第2保持部。
  8. 如請求項6之基板處理裝置，其中上述第2搬運裝置包含保持基板之第3及第4保持部，上述基板搬運控制部以連續或並列地進行基板自上述曝光裝置搬出與基板向上述曝光裝置搬入之方式，控制上述第2搬運裝置之上述第3及第4保持部。
  9. 如請求項6之基板處理裝置，其中上述第2搬運裝置包含保持基板之第5及第6保持部，上述基板搬運控制部以連續或並列地進行基板自上述載置冷卻部搬出與基板向上述返回載置部搬入之方式，進而控制上述第2搬運裝置之上述第5及第6保持部。
  10. 一種基板處理方法，其係使用以鄰接於曝光裝置之方式配置之基板處理裝置對基板進行處理者，其包含如下步驟：藉由處理部之塗佈裝置於基板上塗佈感光性材料而形成感光性膜；將交接部中來自上述處理部之基板藉由第1搬運裝置保持，並搬入至載置冷卻部；將藉由上述第1搬運裝置搬入之基板藉由載置冷卻裝置進行冷卻；將經冷卻之基板藉由上述第2搬運裝置自上述載置冷卻部進行保持並搬出；在上述曝光裝置可接收基板之情形時，將自上述載置冷卻部搬出之基板藉由上述第2搬運裝置搬運至上述曝光裝置；在上述曝光裝置不可接收基板之情形時，將自上述載置冷卻部搬出之基板藉由上述第2搬運裝置搬入至溫度維持部；利用上述溫度維持部維持藉由上述第2搬運裝置搬入之基板之溫度；及在上述曝光裝置可接收基板後，藉由上述第2搬運裝置自上述溫度維持部搬出基板並搬入至上述曝光裝置。
TW106124499A 2016-08-18 2017-07-21 基板處理裝置及基板處理方法 TWI682432B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP??2016-160307 2016-08-18
JP2016160307A JP6723110B2 (ja) 2016-08-18 2016-08-18 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201824343A TW201824343A (zh) 2018-07-01
TWI682432B true TWI682432B (zh) 2020-01-11

Family

ID=61190759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106124499A TWI682432B (zh) 2016-08-18 2017-07-21 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10656524B2 (zh)
JP (1) JP6723110B2 (zh)
KR (1) KR102030896B1 (zh)
CN (1) CN107785288B (zh)
TW (1) TWI682432B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7181068B2 (ja) * 2018-11-30 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7387316B2 (ja) * 2019-07-19 2023-11-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび基板搬送方法
JP7461725B2 (ja) * 2019-09-12 2024-04-04 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置
JP7363591B2 (ja) * 2020-03-05 2023-10-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7405889B2 (ja) * 2022-03-23 2023-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008135517A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
KR100919084B1 (ko) * 2002-01-31 2009-09-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판반송방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0940721A3 (en) * 1998-03-04 2003-03-12 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Reticle library apparatus and method
JP3542919B2 (ja) * 1999-03-18 2004-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4080405B2 (ja) * 2003-09-22 2008-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7738987B2 (en) 2006-11-28 2010-06-15 Tokyo Electron Limited Device and method for controlling substrate processing apparatus
JP5006122B2 (ja) * 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5102717B2 (ja) * 2008-08-13 2012-12-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬送装置およびこれを備えた基板処理装置
JP5462506B2 (ja) 2009-03-18 2014-04-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP6099449B2 (ja) * 2013-03-25 2017-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100919084B1 (ko) * 2002-01-31 2009-09-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판반송방법
JP2008135517A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR102030896B1 (ko) 2019-10-10
KR20180020902A (ko) 2018-02-28
CN107785288A (zh) 2018-03-09
JP2018029125A (ja) 2018-02-22
JP6723110B2 (ja) 2020-07-15
TW201824343A (zh) 2018-07-01
CN107785288B (zh) 2021-07-20
US20180052393A1 (en) 2018-02-22
US10656524B2 (en) 2020-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI682432B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP5841389B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5462506B2 (ja) 基板処理装置
US7726891B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4716362B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
US20100326353A1 (en) Coating and developing apparatus
WO2006006364A1 (ja) 基板の回収方法及び基板処理装置
JP2017041513A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5025231B2 (ja) 基板搬送処理装置
US10201824B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2008300431A (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体
JP2003224175A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4463081B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6208804B2 (ja) 基板処理装置
JP5378686B2 (ja) 基板処理装置
JP5758509B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5925869B2 (ja) 基板処理装置
JP5852219B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6195601B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6404303B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN109923643B (zh) 显影装置、衬底处理装置、显影方法及衬底处理方法
JP2009032887A (ja) 基板処理装置
JP2003243281A (ja) 処理装置
JP2005332846A (ja) 基板搬送装置