JP2008135517A - 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】ロット毎に要求される微細加工の程度に応じてウエハの搬送を制御する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷに所定の処理を施す複数のＰＭ４００とウエハＷを搬送する搬送機構を内蔵するＬＬＭ５００とを備える。ＥＣ２００は、基板処理装置を制御する。ＥＣ２００の選択部２５５は、次にウエハＷを搬送すべきＰＭ４００を選択するとともに、ロット毎に要求される微細加工の程度に応じて、同一ＰＭに搬送するウエハＷの単位を１ロット単位または１ウエハ単位のいずれにするかをロット毎に選択する。ＥＷＣ２００の搬送制御部２６０は、ロット単位の搬送が選択された場合、該当ロットに含まれるウエハＷを選択された同一ＰＭ４００に順に搬送し、ウエハ単位の搬送が選択された場合、該当ロットに含まれる各ウエハＷを選択されたＰＭ４００から他のＰＭ４００に一枚ずつ順にＯＲ搬送する。
【選択図】図７

Description

本発明は、基板に所定の処理を施す基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体に関し、より詳細には基板の搬送を制御する方法に関する。

近年、半導体工場内に配置された基板処理装置のほとんどは、基板を搬送する搬送機構とともに、基板に所定の処理を施す処理室を２つ以上有している。このように、複数の処理室が基板処理装置に設けられている場合、多数の基板を複数の処理室にいかに搬送するかは、基板処理のスループットを上げ、製品の生産性を向上させるために重要である。

そこで、従来の基板処理装置では、別々の基板を別々の処理室にて同時に処理するために、基板毎に搬送経路を変えて異なる基板を異なる処理室に順に搬送したり（以下、ＯＲ搬送とも称呼する。）、各基板が順次２以上の処理室を経由して処理されるように各基板の搬送経路を制御する（たとえば、特許文献１を参照。）。これにより、効率よく基板を処理することができる。

さらに、従来の他の基板処理装置では、各処理室の運転が可能か否かを示す信号に基づいて、運転が有効とされている処理室群のみに基板を搬送する（たとえば、特許文献２を参照。）。これにより、いずれかの処理室が故障などによって使用できなくなった場合でも、その他の処理室を使用して効率よく基板を処理することができる。

特開昭６３−１３３５３２号公報 特開平１１−６７８６９号公報

しかし、異なる基板を正常稼働中の異なる処理室に順に搬送することにより各処理室にて各基板に同時に同一の処理を施すと、基板処理のスループットは向上するものの、各処理室にそもそも存在する個体差や、使用頻度の違いによる各処理室内の雰囲気のバラツキから、各基板の処理（加工）状態にはバラツキが生じてしまう。

一方、同一ロットは、同一製品を製造する一単位であるから、同一ロットに含まれる基板の加工状態は、均一でバラツキがないほうがよい。特に、近年、非常に微細な加工が要求される製品が増えている。このような微細加工の要求に対しては、同一ロット内の基板を精度良く処理して、基板毎のバラツキがなく、均一で品質の高い製品を作る必要がある。このため、今まで許容されていた処理状態のバラツキが、製品の特性上許されない場合が生じていた。

このような場合、微細加工が要求されるロットに対しては、基板の搬送方法をシステムレシピに指定された方法から加工状態にバラツキが生じない他の方法に変更することをホストコンピュータに要求することにより、ホストコンピュータがこの要求に応じて他の適切な搬送方法に変更することも考えられる。しかし、半導体工場を統括してシステム全体を管理しているホストコンピュータに対してこのような作業を要求するのは、大変煩雑であり非現実的であるとともに、ホストコンピュータ側のシステムの機能を大幅に換える必要がある。この結果、システムが安定稼働するまでは、一時的であっても基板処理システム全体が不安定な状態となり好ましくない。

そこで、本発明は、ロット毎に要求される微細加工の程度に応じて、搬送方法の変更を制御する基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体を提供する。

すなわち、上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板に所定の処理を施す複数の処理室と上記基板を搬送する搬送機構とを備えた基板処理装置を制御する制御装置であって、次に搬送すべき処理室を選択するとともに、ロット毎に要求される微細加工の程度に応じて、同一処理室に搬送する基板の単位を１ロット単位または１基板単位のいずれにするかをロット毎に選択する選択部と、上記選択部により選択された単位に含まれる基板を上記選択部により選択された処理室に順に搬送する搬送制御部とを備える制御装置が提供される。

これによれば、ロット毎に要求される微細加工の程度に応じて、同一処理室に搬送する基板の単位を１ロット単位または１基板単位のいずれにするかがロット毎に選択される。１ロット単位が選択された場合、該当ロットに含まれる基板は、すべて同一処理室に搬送される。これにより、異なる基板を異なる処理室に搬送することによって、各処理室の個体差や各処理室の雰囲気の差により、各基板の加工状態にバラツキが生じてしまうことを回避することができる。すなわち、ロット内の基板をすべて同一処理内にて処理することによって１ロット内のすべての基板を同一の環境内で処理することにより、１ロット単位で特性にバラツキのないほぼ同一の製品を製造することができる。

特に、近年、非常に微細な加工が要求される製品が増えている。このような微細加工の要求に対しては、同一ロットに含まれる複数の基板に対して均一かつ品質の高い処理を施す必要があり、今まで許容されていた加工状態のバラツキが許されない場合が生じる。

しかし、このような場合であっても、かかる構成によれば、微細加工が要求されているロットに含まれる基板の搬送方法は、制御装置の指示により加工状態にバラツキが生じない上記搬送手順に変更される。このようにして、搬送単位の変更をホストコンピュータに要求することなく、制御装置が自ら搬送単位を変更することにより、現時点にて稼働しているホストコンピュータ側のシステムの機能を大幅に換えることなく、ユーザの要求に迅速に対応することができる。

なお、微細加工処理か否かは、たとえば、オペレータにより指定されたレシピの種類やレシピの内容から判定してもよいし、オペレータが、予め単位パラメータに有効または無効を指定し、単位パラメータが有効であれば微細加工処理と判定し、単位パラメータが無効であれば微細加工処理でないと判定してもよい。

上記選択部により１基板単位が選択された場合、上記搬送制御部は、製品用基板を搬送する前に、試用基板をレシピにより指定された処理室群の各処理室にのみ搬送するようにしてもよい。各処理室に搬送する試用基板の枚数は、たとえば、１枚であってもよく、２枚以上であってもよい。

すなわち、１基板単位のＯＲ搬送では、製品基板を処理できる状態にあるかを確認する目的で、製品基板を搬送する前に、ＯＲ搬送されるすべての処理室に試用基板を搬送する必要がある。よって、ＯＲ搬送では、ＯＲ搬送される全処理室分の試用基板が最低限必要となる。

しかし、上記選択部により１ロット単位が選択された場合、上記搬送制御部は、製品用基板を搬送する前に、試用基板を上記選択された処理室にのみ搬送するようにしてもよい。選択された処理室に搬送する試用基板の枚数は、たとえば、１枚であってもよく、２枚以上であってもよい。

すなわち、ロット単位の搬送では、ロット内のすべての基板は、選択された１つの処理室に搬送されるため、試用基板も最低限１つで済み、これにより、コストを減らすことができる。

上記記憶部は、上記複数の処理室のうち、基板の処理に使用された処理室の順番を記憶し、上記選択部は、上記記憶部に記憶された処理室の順番に基づいて、レシピにより指定された処理室群のうち最も以前に処理が施された処理室を選択し、上記搬送部は、上記選択された処理室に上記選択された単位に含まれる基板を順に搬送してもよい。

これによれば、選択された単位に含まれる基板は、レシピにより指定された処理室群のうち最も昔に処理が実行された処理室に搬送される。これにより、処理室の使用頻度の偏りを是正して、できるだけ平均的に複数の処理室を使用することができる。この結果、各処理室の雰囲気のバラツキを抑えることができる。これにより、各処理室にて施される基板処理のバラツキを極力抑えることができる。

上記記憶部は、各処理室をクリーニングするまでに各処理室にて処理された基板の総処理枚数を処理室毎に記憶し、上記選択部は、上記記憶部に記憶された基板の総処理枚数に基づいて、レシピにより指定された処理室群のうち最も処理枚数の少ない処理室を選択し、上記搬送部は、上記選択された処理室に上記選択された単位に含まれる基板を順に搬送してもよい。

これによれば、選択された単位に含まれる基板は、システムレシピにより指定された処理室群のうち処理枚数が最も少ない処理室に搬送される。これによっても、処理室の使用頻度の偏りを是正して、できるだけ平均的に複数の処理室を使用することができる。この結果、各処理室の雰囲気のバラツキを抑え、各処理室にて施される基板処理のバラツキを極力抑えることができる。

上記記憶部は、各処理室をクリーニングするまでに各処理室にて処理された基板の総処理時間を処理室毎に記憶し、上記選択部は、上記記憶部に記憶された基板の総処理時間に基づいて、レシピにより指定された処理室群のうち最も処理時間の少ない処理室を選択し、上記搬送部は、上記選択された単位に含まれる基板を上記選択された処理室に順に搬送してもよい。

これによれば、選択された単位に含まれる基板は、レシピにより指定された処理室群のうち処理時間が最も短い処理室に搬送される。これによっても、処理室の使用頻度の偏りを是正して、できるだけ平均的に複数の処理室を使用することができる。この結果、各処理室の雰囲気のバラツキを抑え、各処理室にて施される基板処理のバラツキを極力抑えることができる。

上記搬送制御部は、上記選択部により１ロット単位が選択された場合、上記ロットに含まれるすべての基板を上記選択された処理室に順に搬送し、上記選択部により１基板単位が選択された場合、上記ロットに含まれる最初の基板を、レシピにより指定された処理室群のうち、最も以前に処理が施された処理室、最も処理枚数の少ない処理室または最も処理時間の短い処理室のいずれかから選択された処理室に搬送し、同ロットに含まれる次の基板を次の処理室に搬送することを同ロットに含まれる最後の基板まで繰り返してもよい。

これによれば、搬送手順として１ロット単位が選択された場合、ロットに含まれるすべての基板を同一処理室に順に搬送することにより、処理室が異なることによって生じる基板処理のバラツキを抑え、該当ロットに含まれる基板に均一かつ品質の高い処理を施すことができる。

一方、搬送手順として１基板単位が選択された場合、１ロットに含まれる基板は、一枚づつ異なる処理室に順に搬送される。具体的には、基板は、各基板をその時点で最も昔に処理が施された処理室、最も処理枚数の少ない処理室または最も処理時間の短い処理室のいずれかから選択された処理室に搬送され、同ロットに含まれる次の基板は、次の処理室に搬送される。これを同ロットに含まれる最後の基板まで繰り返す。これにより、複数の基板を複数の処理室にて同時に処理することにより、基板処理のスループットを上げ、製品の生産性を高めることができる。

上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板に所定の処理を施す複数の処理室と上記基板を搬送する搬送機構とを備えた基板処理装置を制御する方法であって、次に搬送すべき処理室を選択するとともに、ロット毎に要求される微細加工の程度に応じて、同一処理室に搬送する基板の単位を１ロット単位または１基板単位のいずれかから選択し、上記選択された単位に含まれる基板を上記選択された処理室に順に搬送する基板処理装置の制御方法が提供される。

基板に所定の処理を施す複数の処理室と上記基板を搬送する搬送機構とを備えた基板処理装置の制御をコンピュータに実行させる制御プログラムを記憶した記憶媒体であって、
次に搬送すべき処理室を選択するとともに、ロット毎に要求される微細加工の程度に応じて、同一処理室に搬送する基板の単位を１ロット単位または１基板単位のいずれかから選択する処理と、上記選択された単位に含まれる基板を上記選択された処理室に順に搬送する処理とをコンピュータに実行させる基板処理装置の制御プログラムを記憶した記憶媒体が提供される。

これらによれば、ロット内の基板をすべて同一処理室内にて処理することによって１ロット内のすべての基板を同一雰囲気内にて均一に処理し、これにより、１ロットに含まれるすべての基板について特性にバラツキのない同一製品を製造することができる。

以上説明したように、本発明によれば、ロット毎に要求される微細加工の程度に応じて、搬送方法の変更を制御することができる。

以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付図面において、同一の構成及び機能を有する構成要素については、同一符号を付することにより、重複説明を省略する。

（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態にかかる基板処理システムについて、図１を参照しながらその概要を説明する。なお、本実施形態では、基板処理システムを用いてシリコンウエハ（以下、ウエハＷと称呼する。）をエッチング処理する例を挙げて説明する。

（基板処理システム）
基板処理システム１０は、ホストコンピュータ１００、ＥＣ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ：装置コントローラ）２００、４つのＭＣ（Ｍａｃｈｉｎｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ：マシーンコントローラ）３００ａ〜３００ｄ、２つのＰＭ（Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｍｏｄｕｌｅ：プロセスモジュール）４００ａ、４００ｂ、２つのＬＬＭ（Ｌｏａｄ Ｌｏｃｋ Ｍｏｄｕｌｅ：ロードロックモジュール）５００ａ、５００ｂおよび管理サーバ６００を有している。

ＥＣ２００とホストコンピュータ１００との間、およびＥＣ２００と管理サーバ６００との間は、顧客側ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）７００ａ、７００ｂによりそれぞれ接続されている。さらに、管理サーバ６００は、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）８００などの情報処理機器と接続されている。オペレータは、ＰＣ８００を操作することにより基板システム１０に指令を送るようになっている。

ＥＣ２００、ＭＣ３００ａ〜３００ｄ、ＰＭ４００ａ、４００ｂ、ＬＬＭ５００ａ、５００ｂは、工場内のエリアＱに設けられていて、工場内ＬＡＮによりそれぞれ接続されている。

ホストコンピュータ１００は、データ管理など基板処理システム１０全体を管理する。ＥＣ２００は、基板をエッチング処理するために使用するシステムレシピを保持し、システムレシピにしたがってＰＭ４００ａ、４００ｂ、ＬＬＭ５００ａ、５００ｂを動作させるように各ＭＣ３００に制御信号を送信するとともに動作後のデータの履歴管理などを行う。

ＭＣ３００ａ〜３００ｄは、プロセスレシピを保持していて、ＥＣ２００から送信された制御信号に基づいて、プロセスレシピの手順にしがたいＰＭ４００ａ、４００ｂに設けられた各機器をそれぞれ駆動することにより、ウエハＷの処理を制御するとともに、ＬＬＭ５００ａ、５００ｂに設けられた各機器をそれぞれ駆動することにより、ウエハＷの搬送を制御する。

ＰＭ４００ａ、４００ｂは、ウエハＷに、たとえばエッチング処理などの所定の処理を施す真空処理室である。ＬＬＭ５００ａ、５００ｂは、ウエハＷを搬送する搬送機構を有する搬送室である。なお、ＰＭ４００ａ、４００ｂおよびＬＬＭ５００ａ、５００ｂを含み、これらを稼働させることにより基板を処理する基板処理装置については、後述する。管理サーバ６００は、オペレータの操作によりＰＣ８００から送信されたデータに基づいて、各装置の動作条件などを設定する。

（ＥＣ、ＭＣのハードウエア構成）
つぎに、ＥＣ２００のハードウエア構成について、図２を参照しながら説明する。なお、ＭＣ３００のハードウエア構成はＥＣ２００と同様であるためここでは説明を省略する。

図２に示したように、ＥＣ２００は、ＲＯＭ２０５、ＲＡＭ２１０、ＣＰＵ２１５、バス２２０、内部インタフェース（内部Ｉ／Ｆ）２２５および外部インタフェース（外部Ｉ／Ｆ）２３０を有している。

ＲＯＭ２０５には、ＥＣ２００にて実行される基本的なプログラムや、異常時に起動するプログラム、各種レシピ等が記録されている。ＲＡＭ２１０には、各種プログラムやデータが蓄積されている。なお、ＲＯＭ２０５およびＲＡＭ２１０は、記憶装置の一例であり、ＥＥＰＲＯＭ、光ディスク、光磁気ディスクなどの記憶装置であってもよい。

ＣＰＵ２１５は、各種レシピにしたがって基板の処理を制御する。バス２２０は、ＲＯＭ２０５、ＲＡＭ２１０、ＣＰＵ２１５、内部インタフェース２２５および外部インタフェース２３０の各デバイス間でデータをやりとりする経路である。

内部インタフェース２２５は、データを入力し、必要なデータを図示しないモニタやスピーカ等に出力するようになっている。外部インタフェース２３０は、ＬＡＮ等のネットワークにより接続されている機器との間でデータを送受信するようになっている。

（基板処理装置のハードウエア構成）
つぎに、ＰＭ４００、ＬＬＭ５００を含む基板処理装置のハードウエア構成について、図３を参照しながら説明する。基板処理装置は、第１のプロセスシップＱ１、第２のプロセスシップＱ２、搬送ユニットＱ３、位置合わせ機構Ｑ４およびカセットステージＱ５を有している。

第１のプロセスシップＱ１は、ＰＭ４００ａおよびＬＬＭ５００ａを有している。第２のプロセスシップＱ２は、第１のプロセスシップＱ１と平行に配設されていて、ＰＭ４００ｂ、ＬＬＭ５００ｂを有している。

ＬＬＭ５００ａ、５００ｂは、その両端に設けられた気密に開閉可能なゲートバルブＶを開閉することにより内部圧力を調整しながら、それぞれに内蔵された搬送アームＡｒｍａ、Ａｒｍｂを用いてウエハＷを真空状態にあるＰＭ４００ａ、４００ｂおよび大気状態にある搬送ユニットＱ３に搬送する。なお、ＰＭ４００の内部構成の詳細については後述する。

搬送ユニットＱ３は、矩形の搬送室であり、第１のプロセスシップＱ１および第２のプロセスシップＱ２と接続されている。搬送ユニットＱ３には搬送アームＡｒｍｃが設けられていて、搬送アームＡｒｍｃを用いて搬送アームＡｒｍａ，Ａｒｍｂと連動しながらウエハＷを第１のプロセスシップＱ１または第２のプロセスシップＱ２に搬送する。

搬送ユニットＱ３の一端には、ウエハＷの位置決めを行う位置合わせ機構Ｑ４が設けられていて、ウエハＷを載置した状態で回転台Ｑ４ａを回転させながら、光学センサＱ４ｂによりウエハ周縁部の状態を検出することにより、ウエハＷの位置を合わせるようになっている。

搬送ユニットＱ３の長手方向の側面には、カセットステージＱ５が設けられている。カセットステージＱ５には、３つのカセット容器ＬＰ１〜ＬＰ３が載置されている。各カセット容器ＬＰには、たとえば、最大で２５枚のウエハＷが多段に収容される。

かかる構成により、たとえばカセット容器ＬＰ１内の２５枚のウエハＷは、搬送アームＡｒｍｃにより、カセット容器ＬＰ１→位置合わせ機構Ｑ４→プロセスシップＱ１またはプロセスシップＱ２に交互に一枚ずつ搬送され、さらに、搬送アームＡｒｍａまたは搬送アームＡｒｍｂによりＰＭ４００ａまたはＰＭ４００ｂに搬送され、エッチング処理後、再びカセット容器ＬＰ１に収容される。このようにウエハＷをＰＭ４００ａおよびＰＭ４００ｂに交互に一枚ずつ搬送する方法をＯＲ搬送という。

（ＰＭの内部構成）
つぎに、図４に模式的に示したＰＭ４００の縦断面図を参照しながら、ＰＭ４００の内部構成について説明する。ＰＭ４００は、天井部および底部の略中央部が開口された角筒形状の処理容器Ｃを有している。処理容器Ｃの天井部には、天井部の略中央部にて開口された蓋体４０５が取り付けられている。処理容器Ｃの側壁上部および蓋体４０５の側壁下部の接面にはＯリング４１０が設けられ、これにより、処理室内の気密が保持されている。

処理容器Ｃの内部には、その上方にて上部電極４１５が設けられている。上部電極４１５は、処理容器Ｃの上部の開口周縁に設けられた絶縁材４２０により処理容器Ｃに対して電気的に分離されている。

上部電極４１５には、整合回路４２５を介して高周波電源４３０が接続されている。整合回路４２５には、その周囲であって天井部の略中央部にマッチングボックス４３５が設けられていて、整合回路４２５の接地筐体となるとともに天井部を密閉している。

上部電極４１５には、また、ガスライン４４０を介して処理ガス供給部４４５が接続されていて、処理ガス供給部４４５から供給される所望のガスを複数のガス噴射孔Ａから処理容器Ｃ内に噴射する。このようにして、上部電極４１５は、ガスシャワーヘッドとしても機能するようになっている。

処理容器Ｃの内部には、その下方にて下部電極４５５が設けられている。下部電極４５５は、ウエハＷを載置するサセプタとしても機能する。下部電極４５５は、絶縁材４６０を介して設けられた支持体４６５により支持されている。これにより、下部電極４５５は、処理容器Ｃに対して電気的に分離されている。

処理容器Ｃの底面に設けられた開口の外周近傍には、ベローズ４７０の一端が装着されている。ベローズ４７０の他端には、昇降プレート４７５が固着されている。かかる構成により、処理容器Ｃの底面の開口部は、ベローズ４７０および昇降プレート４７５によって密閉されている。また、下部電極４５５は、ウエハＷを載置する位置を処理プロセスに応じた高さに調整するために、ベローズ４７０および昇降プレート４７５と一体となって昇降する。

下部電極４５５は、導電路４８０、インピーダンス調整部４８５を介して昇降プレート４６５に接続されている。上部電極４１５および下部電極４５５は、カソード電極およびアノード電極に相当する。処理容器内部は、排気機構４９０によって所望の真空度まで減圧される。かかる構成により、ゲートバルブ４９５の開閉によって処理容器Ｃの気密を保ちながらウエハＷが処理容器Ｃの内部に搬送された状態にて、処理容器内部に供給されたガスが印加された高周波電力によりプラズマ化され、生成されたプラズマの作用によりウエハＷに所望のエッチングが施される。

（ＥＣの機能構成）
つぎに、ＥＣの機能構成について、ＥＣ２００の各機能をブロックにて示した図５を参照しながら説明する。ＥＣ２００は、記憶部２５０、選択部２５５、搬送制御部２６０、処理実行制御部２６５および通信部２７０の各ブロックにより示される機能を有している。

記憶部２５０は、各ＰＭ４００にてウエハＷに所望の処理を施すための処理手順が示された各種レシピ（レシピａ〜レシピｎ）をレシピ群２５０ａとして記憶している。また、記憶部２５０は、微細加工処理を要求しているか否かを示した単位パラメータ２５０ｂを記憶する。さらに、記憶部２５０は、ウエハＷの搬送経路を選択するときに必要な情報として経路選択情報２５０ｃを記憶する。経路選択情報２５０ｃとしては、たとえば、ウエハＷにエッチング処理を施したＰＭの順番を記憶してもよい。また、各ＰＭをクリーニングするまでに各ＰＭにて処理されたウエハＷの総処理枚数をＰＭ毎に記憶してもよい。さらに、各ＰＭをクリーニングするまでに各ＰＭにて処理されたウエハＷの総処理時間をＰＭ毎に記憶してもよい。

選択部２５５は、次のウエハＷを搬送すべきＰＭを選択するとともに、ロット毎に要求される微細加工の程度に応じて、同一処理室に搬送する基板の単位を１ロット単位または１基板単位のいずれにするかをロット毎に選択する。

選択部２５５は、次のウエハＷを搬送すべきＰＭとして、たとえば、記憶部２５０に記憶されたＰＭの順番に基づいて、レシピにより指定されたＰＭ群（たとえば、ＰＭ４００ａおよびＰＭ４００ｂが指定）のうち最も以前に処理が施されたＰＭ４００を選択する。

選択部２５５は、次のウエハＷを搬送すべきＰＭとして、記憶部２５０に記憶されたウエハＷの総処理枚数に基づいて、レシピにより指定されたＰＭ群のうち最も処理枚数の少ないＰＭ４００を選択するようにしてもよい。また、選択部２５５は、記憶部２５０に記憶されたウエハＷの総処理時間に基づいて、レシピにより指定されたＰＭ群のうち最も処理時間の短いＰＭ４００を選択するようにしてもよい。

搬送制御部２６０は、選択部２５５により選択された単位に含まれるウエハＷを選択部２５５により選択されたＰＭ４００に順に搬送する。具体的には、選択部２５５により１ロット単位が選択された場合、搬送制御部２６０は、該当ロットに含まれるすべてのウエハＷを、たとえば次に選択すべき処理室として特定されたＰＭ４００ａのみに順に搬送する（ＰＭ４００ｂには搬送しない）。

一方、選択部２５５により１ウエハ単位が選択された場合、搬送制御部２６０は、該当ロットに含まれる最初のウエハを、最も以前に処理が施されたＰＭ４００（または、最も処理枚数の少ないＰＭ４００または最も処理時間の短いＰＭ４００）に搬送し、同ロットに含まれる次のウエハを次のＰＭに搬送する搬送方法を同ロットに含まれる最後のウエハまで繰り返す。

処理実行制御部２６５は、オペレータから指定されたレシピを記憶部２５０から選択し、搬送制御部２６０によりＰＭ４００内に搬送されたウエハＷに対して、選択されたレシピに示された手順に基づきエッチング処理を実行するための制御信号を生成する。

通信部２７０は、主にＭＣ３００と情報を送受信する。たとえば、通信部２７０は、処理実行制御部２６５により生成された制御信号をＭＣ３００に送出し、これにより、ＰＭ４００にて所望のエッチング処理を実行するようＭＣ３００に指示する。

なお、以上に説明したＥＣ２００の各部の機能は、実際には、図２のＣＰＵ２１５がこれらの機能を実現する処理手順を記述したプログラム（レシピを含む）を記憶したＲＯＭ２０５やＲＡＭ２１０などの記憶媒体からプログラムを読み出し、そのプログラムを解釈して実行することにより達成される。たとえば、本実施形態では、選択部２５５、搬送制御部２６０、処理実行制御部２６５の各機能は、実際には、ＣＰＵ２１５がこれらの機能を実現する処理手順を記述したプログラムを実行することにより達成される。

（ＥＣの動作）
つぎに、ＥＣ２００により実行されるプロセス実行処理について、本実施形態の特徴である搬送手順選択処理を中心に図６〜図８に示したフローチャートを参照しながら説明する。図６は、プロセス実行処理を示したメインルーチンであり、図７は、プロセス実行処理中に呼び出される搬送手順選択処理を示したサブルーチンであり、図８は、搬送手順選択処理終了後、プロセス実行処理中に呼び出されるプロセス実行制御処理を示したサブルーチンである。

オペレータが、レシピａおよびロット番号を指定してロットスタートボタンを「オン」すると、該当ロットが投入され、そのロットに含まれる２５枚のウエハを順に搬送する準備が整う。このタイミングにあわせて、図６のステップ６００からプロセス実行処理が開始され、ステップ６０５にて搬送手順選択処理が呼び出され、搬送手順選択処理終了後、ステップ６１０に進んでプロセス実行制御処理が呼び出され、プロセス実行制御処理終了後、ステップ６９５にて本処理が終了する。

（搬送手順選択処理）
図６のステップ６０５にて呼び出された搬送手順選択処理は、図７のステップ７００から開始され、ステップ７０５に進んで、選択部２５５は、システム起動後初めての処理であるか否かを判定する。基板処理装置がアイドル状態であるとき、選択部２５５は、起動後初めての処理であると判定し、ステップ７１０に進んで、レシピにより指定されたＰＭ群のうち、最も番号の小さいＰＭ４００を選択する。ここでは、レシピによりＰＭ４００ａおよびＰＭ４００ｂが指定されているものとする。そこで、選択部２５５は、最も番号の小さいＰＭ４００ａを選択する。

一方、初めての処理でない場合、ステップ７１５に進んで、選択部２５５は、レシピにより指定されたＰＭ群のうち、最終処理が実行されたＰＭ４００の次のＰＭ４００を選択する。たとえば、最後にウエハＷを処理したＰＭがＰＭ４００ｂであった場合、選択部２５５は、ステップ７１５にてＰＭ４００ａを選択する。

このようにして、ステップ７１０又はステップ７１５にて次にウエハＷを搬送すべきＰＭ４００が選択された後、ステップ７２０に進み、選択部２５５は、微細加工であるか否かを判定する。すなわち、選択部２５５は、記憶部２５０に記憶されている単位パラメータが有効であるか否かを判定する。

微細加工処理が要求されていない場合（すなわち、単位パラメータが無効を示している場合）、ステップ７２５に進み、選択部２５５は、搬送単位としてウエハ単位を選択してステップ７９５に進み本処理を終了する。一方、ステップ７２０にて微細加工処理が要求されている場合（すなわち、単位パラメータが有効を示している場合）、選択部２５５は、ステップ７３０に進んで、搬送単位としてロット単位を選択してステップ７９５に進み本処理を終了する。

なお、微細加工処理か否かは、上述したように、オペレータが、予め単位パラメータに有効または無効を指定し、単位パラメータが有効であれば微細加工処理と判定し、単位パラメータが無効であれば微細加工処理でないと判定してもよいし、あるいは、オペレータにより指定されたレシピの種類やレシピの内容から判定してもよい。

（プロセス実行制御処理）
図７の搬送手順選択処理が終了すると、図６のステップ６１０にて図８のプロセス実行制御処理が呼び出され、これに応じて、図８のステップ８００からプロセス実行制御処理が開始され、ステップ８０５に進んで、処理実行制御部２６５は、記憶部２５０に記憶されたレシピ群から、オペレータにより指定されたレシピａを選択する。

つぎに、ステップ８１０に進んで、搬送制御部２６０は、選択部２５５により選択された搬送単位にしたがい、搬送経路を示した制御信号を生成する。たとえば、オペレータが、図９（ａ）に示したシステムレシピ編集画面にてＯＲ搬送経路（すなわち、ＰＭ１ｏｒＰＭ２）のシステムレシピを作成し、図９（ｂ）に示したスタート画面にて、先程作成したＯＲ搬送経路のシステムレシピを指定して、スタートをオンした場合であっても、選択部２５５によりロット単位が選択されているときには、基板処理装置の状態を表示した図９（ｃ）に示したように、搬送制御部２６０は、ＯＲ指定ＰＭ群（ＰＭ１ｏｒＰＭ２）の中から前述した方法により１つのＰＭ（ここでは、ＰＭ１）を選択し、該当ロットのすべてのウエハＷをＰＭ１（ＰＭ４００ａ）にてエッチング処理するように、該当ロットの最初のウエハＷから最後のウエハＷまで順にＰＭ１に搬送する制御信号を生成する。よって、該当ロットのすべてのウエハＷはＰＭ２（ＰＭ４００ｂ）には搬送されないこととなる。

ついで、ステップ８１５に進んで、処理実行制御部２６５は、レシピａに示された処理手順にしたがったエッチング処理を示した制御信号を生成し、ステップ８２０に進み、通信部２７０は、生成された制御信号をＭＣ３００に送信する。

つぎに、ステップ８２５に進み、処理実行制御部２６５は、該当ロットの最後のウエハＷであると判定されるまで、ステップ８１０〜８２５の処理を繰り返す。これにより、該当ロットのすべてのウエハＷは、ＰＭ４００ａにてエッチング処理され、最後のウエハＷを処理後、ステップ８３０に進んで最終処理ＰＭ番号「ＰＭ４００ａ」を経路選択情報の１つとして保存し、ステップ８９５に進み本処理を終了する。

たとえば、ＬＰ１、ＬＰ２、ＬＰ３に収容されたロット１、ロット２、ロット３がすべて微細加工の対象である場合、図１０に示したように、ロット１のすべてのウエハはＰＭ１（ＰＭ４００ａ）にて処理され、ロット２のすべてのウエハは、その時点で最も前に処理が施された処理室であるＰＭ２（ＰＭ４００ｂ）にて処理され、ロット３のすべてのウエハは、その時点で最も前に処理が施された処理室であるＰＭ１（ＰＭ４００ａ）にて処理される。

一方、選択部２５５によりウエハ単位が選択されているとき、ステップ８１０にて、処理実行制御部２６５は、システムレシピにより指定されたＰＭ群にＯＲ搬送を行うように指定した制御信号を生成する。このようにして生成された搬送用の制御信号とともにステップ８１５にて生成されたプロセス実行用の制御信号をＭＣ３００に送信することを最終ロットまで繰り返す。これにより、ロットの最初のウエハＷは、先程選択されたＰＭ４００ａに搬送され、同ロットのつぎのウエハＷは、つぎの処理室であるＰＭ４００ｂに搬送され、同ロットのその次のウエハＷは、その次の処理室であるＰＭ４００ａに搬送される。このようにして、該当ロットの最終ウエハＷまで、ウエハＷは、ＰＭ４００ａおよびＰＭ４００ｂに交互に一枚ずつＯＲ搬送され、各ＰＭ４００により並行してエッチング処理される。

以上に説明したように、ロット単位の搬送によれば、ロット内のすべてのウエハＷを同一ＰＭ内に搬送して処理することによって、同一環境の下で１ロットに含まれるすべてのウエハＷに均一に処理を施すことができ、これにより、１ロット単位で特性にバラツキのない同一製品を製造することができる。一方、ウエハＷ単位のＯＲ搬送によれば、並行してウエハＷが処理されるため、ロット単位に搬送する場合に比べスループットを向上させることができる。

ウエハ単位の搬送では、製品用ウエハを搬送する前に、試用ウエハが、レシピにより指定されたＰＭ群の各処理室に、たとえば、一枚ずつ搬送される。すなわち、ウエハ単位のＯＲ搬送では、製品ウエハを処理できる状態にあるかを確認する目的で、製品ウエハを搬送する前に、ＯＲ搬送されるすべての処理室に試用ウエハを搬送する必要がある。よって、ＯＲ搬送では、ＯＲ搬送される全処理室分の試用ウエハが最低限必要となる。

しかし、ロット単位の搬送では、製品用基板を搬送する前に、試用ウエハは、選択部２５５により選択されたＰＭに、たとえば、一枚のみ搬送される。すなわち、ロット単位の搬送では、ロット内のすべてのウエハＷは、選択された１つの処理室に搬送されるため、試用ウエハＷも最低限１つで済み、これにより、コストを減らすことができる。

（第２実施形態）
つぎに、第２実施形態にかかる基板処理システム１０について説明する。第２実施形態では、次に搬送すべきＰＭ４００を選択する際に、より使用頻度の低いＰＭ４００を選択する方法として各ＰＭ４００にて処理されたウエハＷの枚数に着目している点で、最も前に使用したＰＭ４００に着目している第１実施形態と相違する。よって、この相違点を中心に本実施形態にかかる基板処理システム１０について、図１１および図１２を参照しながら説明する。

第２実施形態では、ＥＣ２００の機能構成（図５参照）は同じであり、図１１の搬送手順選択処理および図１２のプロセス実行制御処理の一部が異なる。具体的には、図６のプロセス実行処理中に呼び出される図１１の搬送手順選択処理では、ステップ１１００に続くステップ７０５にて初めての処理である場合、第１実施形態と同様に、ステップ７１０を実行するが、ステップ７０５にて初めての処理でない場合、ステップ１１０５に進んで、選択部２５５は、システムレシピにより指定されたＰＭ群のうち、ウエハの総処理枚数の一番少ないＰＭ４００を選択する。なお、ウエハの総処理枚数は記憶部２５０の経路選択情報２５０ｃの１つとしてＰＭ毎に累積されている。

このようにして、次に搬送すべきＰＭを選択した後、選択部２５５は、第１実施形態の場合と同様にステップ７２０〜ステップ７３０を処理し、ステップ１１９５に進んで本処理を終了する。

図１１の搬送手順選択処理の終了後、図６のプロセス実行処理中に呼び出される図１２のプロセス実行制御処理では、ステップ１２００に続くステップ８０５〜ステップ８１５にて、処理実行制御部２６５は、第１実施形態と同様にウエハＷの搬送およびウエハＷのエッチング処理を制御するための制御信号を生成し、ステップ８２０にて、通信部２７０は、生成された制御信号をＭＣ３００に送信する。その後、ステップ１２０５に進んで、処理実行制御部２６５は、該当ＰＭにて処理されたウエハの枚数をカウントし、ステップ８２５に進む。

ステップ８２５にて、処理されたウエハＷがロットの最終ウエハと判定するまで、処理実行制御部２６５は、ステップ８１０〜ステップ８２０およびステップ１２０５の処理を繰り返し、ステップ８２５にて最終ウエハと判定した場合、ステップ１２１０に進み、記憶部２５０は、クリーニングするまでに各ＰＭ４００にて処理したウエハの総処理枚数をＰＭ毎に保存する。

これによれば、基板は、システムレシピにより指定されたＰＭ群のうち処理枚数が最も少ないＰＭ４００に搬送される。これにより、使用頻度の低いと予測されるＰＭ４００にてウエハＷを処理することができる。この結果、複数のＰＭ４００の使用頻度が偏ることなく、できるだけ平均的にすべてのＰＭ４００にて所望の処理を実行することができる。これにより、各ＰＭ４００の雰囲気のバラツキを抑え、これにり、各ＰＭ４００にて施される処理のバラツキを極力抑えることができる。

（第３実施形態）
つぎに、第３実施形態にかかる基板処理システム１０について説明する。第３実施形態では、次に搬送すべきＰＭ４００を選択する際に、より使用頻度の低いＰＭ４００を選択する方法として各ＰＭ４００を用いたウエハＷの処理時間に着目している点で、各ＰＭ４００にて処理されたウエハＷの枚数に着目している第２実施形態と相違する。よって、この相違点を中心に本実施形態にかかる基板処理システム１０について、図１３および図１４を参照しながら説明する。

第３実施形態では、ＥＣ２００の機能構成（図５参照）は同じであり、図１３の搬送手順選択処理および図１４のプロセス実行制御処理の一部が異なる。具体的には、図６のプロセス実行処理中に呼び出される図１３の搬送手順選択処理では、ステップ１３００に続くステップ７０５にて初めての処理である場合、第２実施形態と同様に、ステップ７１０を実行するが、ステップ７０５にて初めての処理でない場合、ステップ１３０５に進んで、選択部２５５は、システムレシピにより指定されたＰＭ群のうち、ウエハの総処理時間が一番短いＰＭ４００を選択する。なお、ウエハの総処理時間は記憶部２５０の経路選択情報２５０ｃの１つとしてＰＭ毎に累積されている。

このようにして、次に搬送すべきＰＭを選択した後、選択部２５５は、第２実施形態の場合と同様にステップ７２０〜ステップ７３０を処理し、ステップ１３９５に進んで本処理を終了する。

搬送手順選択処理終了後、図６のプロセス実行処理中に呼び出される図１４のプロセス実行制御処理では、ステップ１４００に続くステップ８０５〜ステップ８２０にて、処理実行制御部２６５は、第２実施形態と同様にウエハＷの搬送およびウエハＷの処理を制御するための制御信号を生成し、通信部２７０は、生成された制御信号をＭＣ３００に送信する。その後、ステップ１４０５に進んで、処理実行制御部２６５は、該当ＰＭにてウエハが処理された時間をカウントし、ステップ８２５に進む。

ステップ８２５にて処理されたウエハＷがロットの最終ウエハと判定するまで、処理実行制御部２６５は、ステップ８１０〜ステップ８２０およびステップ１４０５の処理を繰り返し、ステップ８２５にて最終ウエハと判定した場合、ステップ１４１０に進み、記憶部２５０は、クリーニングするまでに各ＰＭ４００にて処理したウエハの総処理時間をＰＭ毎に保存する。

これによれば、選択された単位に含まれる基板は、システムレシピにより指定されたＰＭ群のうち処理時間が最も短いＰＭ４００に搬送される。これにより、使用頻度が低いと予測されるＰＭ４００にてウエハＷを処理することができる。この結果、複数のＰＭ４００の使用頻度が偏ることなく、できるだけ平均的にすべてのＰＭ４００にて所望の処理を実行することができる。これにより、各ＰＭ４００の雰囲気のバラツキを抑え、これにり、各ＰＭ４００にて施される処理のバラツキを極力抑えることができる。

以上に説明した各実施形態において、各部の動作はお互いに関連しており、互いの関連を考慮しながら、一連の動作として置き換えることができ、これにより、基板処理装置の制御装置の実施形態を、基板処理装置の制御方法の実施形態とすることができる。また、上記各部の動作を、各部の処理と置き換えることにより、基板処理装置の制御方法の実施形態を、基板処理装置の制御プログラムの実施形態とすることができる。また、基板処理装置の制御プログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶させることにより、基板処理装置の制御プログラムの実施形態を制御プログラムに記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体の実施形態とすることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

（基板処理装置の変形例）
たとえば、基板処理装置としては、図３に示した構造に限られず、図１５に示した構造を有していてもよい。図１５の基板処理装置には、ウエハＷを搬送する搬送システムＨとウエハＷに対して成膜処理またはエッチング処理等の基板処理を行う処理システムＳとが設けられている。搬送システムＨと処理システムＳとは、ロードロック室（ＬＬＭ）４００ｔ１、４００ｔ２を介して連結されている。

搬送システムＨは、カセットステージ４００Ｈ１と搬送ステージ４００Ｈ２とを有している。カセットステージ４００Ｈ１には、容器載置台Ｈ１ａが設けられていて、容器載置台Ｈ１ａには、４つのカセット容器Ｈ１ｂ１〜Ｈ１ｂ４が載置されている。各カセット容器Ｈ１ｂは、処理前の製品基板（ウエハＷ）、処理済の製品基板およびダミー処理用の非製品基板を多段に収容することができる。

搬送ステージ４２０には、屈伸および旋回可能な２本の搬送アームＨ２ａ１、Ｈ２ａ２が、磁気駆動によりスライド移動するように支持されている。搬送アームＨ２ａ１、Ｈ２ａ２は、先端に取り付けられたフォーク上にウエハＷを保持するようになっている。

搬送ステージ４００Ｈ２の一端には、ウエハＷの位置決めを行う位置合わせ機構Ｈ２ｂが設けられている。位置合わせ機構Ｈ２ｂは、ウエハＷを載置した状態で回転台Ｈ２ｂ１を回転させながら、光学センサＨ２ｂ２によりウエハＷの周縁部の状態を検出することにより、ウエハＷの位置を合わせるようになっている。

ロードロック室４００ｔ１、４００ｔ２には、その内部にてウエハＷを載置する載置台がそれぞれ設けられているとともに、その両端にて気密に開閉可能なゲートバルブＶがそれぞれ設けられている。かかる構成により、搬送システムＨは、カセット容器Ｈ１ｂ１〜Ｈ１ｂ３とロードロック室４００ｔ１、４００ｔ２と位置合わせ機構Ｈ２ｂとの間でウエハＷを搬送するようになっている。

処理システムＳには、トランスファチャンバ（Ｔ／Ｃ）４００ｔ３および６つのプロセスチャンバ（Ｐ／Ｃ）４００ｓ１〜４００ｓ６（＝ＰＭ１〜ＰＭ６）が設けられている。トランスファチャンバ４００ｔ３は、気密に開閉可能なゲートバルブｓ１ａ〜ｓ１ｆを介してプロセスチャンバ４００ｓ１〜４００ｓ６とそれぞれ接合されている。トランスファチャンバ４００ｔ３には、屈伸および旋回可能な搬送アームＳａが設けられている。

かかる構成により、ウエハＷは、搬送アームＳａを用いてロードロック室４００ｔ１、４００ｔ２からトランスファチャンバ４００ｔ３を経由してプロセスチャンバ４００ｓ１〜４００ｓ６に搬入され、エッチング処理などのプロセスが施された後、再び、トランスファチャンバ４００ｔ３を経由してロードロック室４００ｔ１、４００ｔ２へ搬出される。

図１５に示した基板処理装置の場合においても、６つのトランスファチャンバＰ／Ｃ（ＰＭ４００に相当）のうち、その時点で最も使用頻度が低いＰ／Ｃが選択され、ロットの微細加工の程度によって選択されたロット単位またはウエハ単位に応じて、ロット内のウエハＷは、すべて選択されたＰ／Ｃに順に搬送されるか（ロット単位の場合）、選択されたＰ／Ｃから順に別々のＰ／Ｃへ一枚ずつＯＲ搬送される（ウエハ単位の場合）。

この結果、微細加工が要求されるロットのウエハＷは、すべて同一処理室にて処理されることにより、処理のバラツキを抑えてほぼ同一な製品を形成することができる。一方、微細加工が要求されないロットのウエハＷは、別々の処理室に搬送され、並行して処理されることにより、処理のスループットを向上させることができる。

なお、本発明にかかる基板処理装置の処理室の数は、図４に示した２つや図１５に示した６つに限られずいくつであってもよい。また、本発明にかかる処理室は、成膜処理に限られず、熱拡散処理、エッチング処理、等のあらゆる基板処理を実行可能である。

また、これらの処理を実行する装置の一例としては、エッチング装置、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長法）装置、アッシング装置、スパッタリング装置、コータデベロッパ、洗浄装置、ＣＭＰ（Chemical
Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）装置、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition：物理気相成長法）装置、露光装置、イオンインプランタなどが挙げられる。これらの装置は、マイクロ波プラズマ基板処理装置、誘導結合型プラズマ基板処理装置および容量結合型プラズマ基板処理装置などによって具現化されてもよい。

また、本発明に用いられる基板は、ガラス基板に限られず、たとえばシリコンウエハであってもよい。すなわち、本発明に用いられる基板は、たとえば、有機ＥＬディスプレイやプラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）などに用いられる基板であればよい。

さらに、本発明にかかる制御装置は、ＥＣ２００のみで具現化されてもよいし、ＥＣ２００とＭＣ３００とから具現化されていてもよい。

本発明の第１〜第３実施形態にかかる基板処理システムの概念図である。 第１〜第３実施形態にかかるＥＣのハードウエア構成図である。 第１〜第３実施形態にかかる基板処理装置の構成図である。 第１〜第３実施形態にかかるＰＭの縦断面の模式図である。 第１〜第３実施形態にかかるＥＣの機能構成図である。 第１〜第３実施形態にて実行されるプロセス実行処理ルーチン（メインルーチン）を示したフローチャートである。 第１実施形態にて実行される搬送手順選択処理ルーチン（サブルーチン）を示したフローチャートである。 第１実施形態にて実行されるプロセス実行制御処理ルーチン（サブルーチン）を示したフローチャートである。 図９（ａ）は、レシピを編集するための画面であり、図９（ｂ）は、カセットＬＰ１のロットをスタートさせるための画面であり、図９（ｃ）は、基板処理装置の状態を表示した画面である。 ロット単位にて搬送された場合の搬送状態を説明するための図である。 第２実施形態にて実行される搬送手順選択処理ルーチンを示したフローチャートである。 第２実施形態にて実行されるプロセス実行制御処理ルーチンを示したフローチャートである。 第３実施形態にて実行される搬送手順選択処理ルーチンを示したフローチャートである。 第３実施形態にて実行されるプロセス実行制御処理ルーチンを示したフローチャートである。 ＰＭの他の内部構成の縦断面を模式的に示した図である。

符号の説明

１００ ホストコンピュータ
２００ ＥＣ
２５０ 記憶部
２５５ 選択部
２６０ 搬送制御部
２６５ 処理実行制御部
２７０ 通信部
３００、３００ａ〜３００ｄ ＭＣ
４００、４００ａ、４００ｂ ＰＭ
５００、５００ａ、５００ｂ ＬＬＭ
６００ 管理サーバ
７００、７００ａ、７００ｂ 顧客側ＬＡＮ
８００ ＰＣ
ＬＰ、ＬＰ１、ＬＰ２、ＬＰ３ カセット容器

Claims (9)

1. 基板に所定の処理を施す複数の処理室と前記基板を搬送する搬送機構とを備えた基板処理装置を制御する制御装置であって、
   次に搬送すべき処理室を選択するとともに、ロット毎に要求される微細加工の程度に応じて、同一処理室に搬送する基板の単位を１ロット単位または１基板単位のいずれにするかをロット毎に選択する選択部と、
   前記選択部により選択された単位に含まれる基板を前記選択部により選択された処理室に順に搬送する搬送制御部とを備える制御装置。
2. 前記記憶部は、
   前記複数の処理室のうち、基板の処理に使用された処理室の順番を記憶し、
   前記選択部は、
   前記記憶部に記憶された処理室の順番に基づいて、レシピにより指定された処理室群のうち最も以前に処理が施された処理室を選択し、
   前記搬送部は、
   前記選択された処理室に前記選択された単位に含まれる基板を順に搬送する請求項１に記載された制御装置。
3. 前記記憶部は、
   各処理室をクリーニングするまでに各処理室にて処理された基板の総処理枚数を処理室毎に記憶し、
   前記選択部は、
   前記記憶部に記憶された基板の総処理枚数に基づいて、レシピにより指定された処理室群のうち最も処理枚数の少ない処理室を選択し、
   前記搬送部は、
   前記選択された処理室に前記選択された単位に含まれる基板を順に搬送する請求項１に記載された制御装置。
4. 前記記憶部は、
   各処理室をクリーニングするまでに各処理室にて処理された基板の総処理時間を処理室毎に記憶し、
   前記選択部は、
   前記記憶部に記憶された基板の総処理時間に基づいて、レシピにより指定された処理室群のうち最も処理時間の短い処理室を選択し、
   前記搬送部は、
   前記選択された単位に含まれる基板を前記選択された処理室に順に搬送する請求項１に記載された制御装置。
5. 前記搬送制御部は、
   前記選択部により１ロット単位が選択された場合、前記ロットに含まれるすべての基板を前記選択された処理室に順に搬送し、前記選択部により１基板単位が選択された場合、前記ロットに含まれる最初の基板を、レシピにより指定された処理室群のうち、最も以前に処理が施された処理室、最も処理枚数の少ない処理室または最も処理時間の短い処理室のいずれかから選択された処理室に搬送し、同ロットに含まれる次の基板を次の処理室に搬送することを同ロットに含まれる最後の基板まで繰り返す請求項２〜４のいずれかに記載された制御装置。
6. 前記搬送制御部は、
   前記選択部により１ロット単位が選択された場合、製品用基板を搬送する前に、試用基板を前記選択された処理室にのみ搬送する請求項１〜５のいずれかに記載された制御装置。
7. 前記搬送制御部は、
   前記選択部により１基板単位が選択された場合、製品用基板を搬送する前に、試用基板をレシピにより指定された処理室群の各処理室にのみ搬送する請求項１〜５のいずれかに記載された制御装置。
8. 基板に所定の処理を施す複数の処理室と前記基板を搬送する搬送機構とを備えた基板処理装置を制御する方法であって、
   次に搬送すべき処理室を選択するとともに、ロット毎に要求される微細加工の程度に応じて、同一処理室に搬送する基板の単位を１ロット単位または１基板単位のいずれかから選択し、
   前記選択された単位に含まれる基板を前記選択された処理室に順に搬送する基板処理装置の制御方法。
9. 基板に所定の処理を施す複数の処理室と前記基板を搬送する搬送機構とを備えた基板処理装置の制御をコンピュータに実行させる制御プログラムを記憶した記憶媒体であって、
   次に搬送すべき処理室を選択するとともに、ロット毎に要求される微細加工の程度に応じて、同一処理室に搬送する基板の単位を１ロット単位または１基板単位のいずれかから選択する処理と、
   前記選択された単位に含まれる基板を前記選択された処理室に順に搬送する処理とをコンピュータに実行させる基板処理装置の制御プログラムを記憶した記憶媒体。

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