JP2008300431A - 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液浸露光に対する保護膜の塗布が適正に行われない異常基板については、露光部に搬入させずに待機モジュールにて待機させ、一つ順番が前の基板が露光部から搬出され、指定モジュール例えば現像前の加熱モジュールに搬入された後、前記異常基板を前記指定モジュールに搬入するようにして、いわゆるスケジュール搬送には影響を及ぼさないようにすると共に、異常基板についても保護膜除去ユニットにおける処理を実行するように制御する。
【選択図】図7
Description
前記基板搬送手段により、前記モジュール群の各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移す動作を行うことにより一の搬送サイクルを実行し、その後、以降の搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに順次基板を搬送する塗布、現像装置において、
レジスト膜の上に、液浸露光時に基板の表面を保護するための保護膜用の薬液を塗布し、前記モジュール群のうちの一のモジュールである保護膜塗布モジュールと、
この保護膜塗布モジュールにおける塗布の状態を検査する検査モジュールと、
露光後かつ現像前の基板に対して前記保護膜を除去するための保護膜除去モジュールと、
前記検査モジュールよりも順番の大きい、基板を待機させるための待機モジュールと、
前記検査モジュールにて異常と判断された異常基板が前記待機モジュールまで搬送された後にこの異常基板を待機モジュールに待機させ、当該異常基板よりも順番の一つ前の基板が露光部から搬出されて、保護膜除去モジュールから上流側の予め指定された指定モジュールに搬入された後に、当該異常基板を前記待機モジュールから前記指定モジュールに搬送し、以降は前記一つ前の基板と前記異常基板の搬送の順番を維持すると共に前記異常基板についても前記保護膜除去モジュールにて保護膜の除去処理を行うように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
前記基板搬送手段により、前記モジュール群の各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移す動作を行うことにより一の搬送サイクルを実行し、その後、以降の搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに順次基板を搬送する塗布、現像装置を運転する方法において、
保護膜塗布モジュールにて、レジスト膜の上に、液浸露光時に基板の表面を保護するための保護膜用の薬液を塗布する工程と、
この保護膜塗布モジュールにおける塗布の状態を検査モジュールにて検査する工程と、
露光後かつ現像前の基板に対して加熱モジュールにて加熱処理を行う工程と、この工程の後、保護膜除去モジュールにて基板上の前記保護膜を除去する工程と、
前記検査モジュールにて異常と判断された異常基板が待機モジュールまで搬送された後にこの異常基板を待機モジュールに待機させる工程と、
当該異常基板よりも順番の一つ前の基板が露光部から搬出されて、保護膜除去モジュールから上流側の予め指定された指定モジュールに搬入された後に、当該異常基板を前記待機モジュールから前記指定モジュールに搬送し、以降は前記一つ前の基板と前記異常基板の搬送の順番を維持すると共に前記異常基板についても前記保護膜除去モジュールにて保護膜の除去処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
(イ)保護膜塗布モジュール(ITC)から異常信号が出力された際に、当該保護膜塗布モジュール(ITC)にあるウエハWを次の加熱モジュール(BAKE)に搬送した時に加熱処理を行うか否かを設定する機能
(ロ)検査モジュール(WIS)で異常と判断されたウエハWについて保護膜除去モジュール(ITR)においてウエハWの不良状態に関係なく異常と判断されたウエハWについては全て保護膜の除去処理を行うモードと、異常と判断されたものの中でウエハW表面に保護膜が全く塗布されていないものについては保護膜の除去処理を行わないというモードとの一方を選択設定する機能、を有する。
またウエハの表面に保護膜が塗布されていない場合には、保護膜の除去処理を行わないようにすることで、高価な剥離液(保護膜の除去液)を節約することができる。
C キャリア
B1 キャリア載置部
B2 処理ブロック
B3 インターフェイス部
B4 露光装置
25A,25B メイン搬送機構
31A 主搬送部
31B 補助搬送部
4 制御部
41 搬送レシピ設定部
42 スケジュール搬送プログラム
43 トラブルウエハの処理モード設定部
44 トラブルウエハ処理プログラム
45 表示部
46 警報部
6 保護膜除去モジュール
Claims (13)
- 基板の表面にレジストを塗布する塗布モジュールと、露光部にてその表面に液層を形成して液浸露光された後の基板を現像液を供給して現像する現像モジュールと、基板を加熱処理するための加熱モジュールと、基板を冷却するための冷却モジュールと、を含むと共に基板の搬送の順番が決められているモジュール群と、前記モジュール群のモジュール間における基板の搬送を行う基板搬送手段と、を備え、
前記基板搬送手段により、前記モジュール群の各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移す動作を行うことにより一の搬送サイクルを実行し、その後、以降の搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに順次基板を搬送する塗布、現像装置において、
レジスト膜の上に、液浸露光時に基板の表面を保護するための保護膜用の薬液を塗布し、前記モジュール群のうちの一のモジュールである保護膜塗布モジュールと、
この保護膜塗布モジュールにおける塗布の状態を検査する検査モジュールと、
露光後かつ現像前の基板に対して前記保護膜を除去するための保護膜除去モジュールと、
前記検査モジュールよりも順番の大きい、基板を待機させるための待機モジュールと、
前記検査モジュールにて異常と判断された異常基板が前記待機モジュールまで搬送された後にこの異常基板を待機モジュールに待機させ、当該異常基板よりも順番の一つ前の基板が露光部から搬出されて、保護膜除去モジュールから上流側の予め指定された指定モジュールに搬入された後に、当該異常基板を前記待機モジュールから前記指定モジュールに搬送し、以降は前記一つ前の基板と前記異常基板の搬送の順番を維持すると共に前記異常基板についても前記保護膜除去モジュールにて保護膜の除去処理を行うように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記制御部は、前記異常基板については、前記検査モジュールよりも下流側のモジュールにおいては、前記保護膜除去モジュールを除いて処理を行わないように制御することを特徴とする請求項1に記載の塗布、現像装置。
- 塗布、現像装置を露光部に接続するためのインターフェイス部を備え、
前記待機モジュールは、処理部の基板処理速度と露光部の基板処理速度との差を吸収するために前記インターフェイス部に設けられたバッファ部であることを特徴とする請求項1または2に記載の塗布、現像装置。 - 前記指定モジュールは、現像前の加熱処理を行うための加熱モジュールであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
- 前記制御部は、前記保護膜塗布モジュールにおける処理が異常であることを示す警報が出力された異常基板については、保護膜を加熱処理するための加熱モジュールにて加熱処理を行わないように制御することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
- 前記制御部は、前記検査部にて保護膜が全く塗布されていないと判断された異常基板については前記保護膜除去モジュールにて保護膜の除去処理を行わないように制御することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
- 基板の表面にレジストを塗布する塗布モジュールと、露光部にてその表面に液層を形成して液浸露光された後の基板を現像液を供給して現像する現像モジュールと、基板を加熱処理するための加熱モジュールと、基板を冷却するための冷却モジュールと、を含むと共に基板の搬送の順番が決められているモジュール群と、前記モジュール群のモジュール間における基板の搬送を行う基板搬送手段と、を備え、
前記基板搬送手段により、前記モジュール群の各モジュールに置かれた基板を一つ順番が後のモジュールに移す動作を行うことにより一の搬送サイクルを実行し、その後、以降の搬送サイクルを順次実行することにより前記モジュール群のうち順番の小さいモジュールから順番の大きいモジュールに順次基板を搬送する塗布、現像装置を運転する方法において、
保護膜塗布モジュールにて、レジスト膜の上に、液浸露光時に基板の表面を保護するための保護膜用の薬液を塗布する工程と、
この保護膜塗布モジュールにおける塗布の状態を検査モジュールにて検査する工程と、
露光後かつ現像前の基板に対して加熱モジュールにて加熱処理を行う工程と、この工程の後、保護膜除去モジュールにて基板上の前記保護膜を除去する工程と、
前記検査モジュールにて異常と判断された異常基板が待機モジュールまで搬送された後にこの異常基板を待機モジュールに待機させる工程と、
当該異常基板よりも順番の一つ前の基板が露光部から搬出されて、保護膜除去モジュールから上流側の予め指定された指定モジュールに搬入された後に、当該異常基板を前記待機モジュールから前記指定モジュールに搬送し、以降は前記一つ前の基板と前記異常基板の搬送の順番を維持すると共に前記異常基板についても前記保護膜除去モジュールにて保護膜の除去処理を行う工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像装置の運転方法。 - 前記異常基板については、前記検査モジュールよりも下流側のモジュールにおいては、前記保護膜除去モジュールを除いて処理を行わないことを特徴とする請求項7に記載の塗布、現像装置の運転方法。
- 塗布、現像装置を露光部に接続するためのインターフェイス部を備え、
前記待機モジュールは、処理部の基板処理速度と露光部の基板処理速度との差を吸収するために前記インターフェイス部に設けられたバッファ部であることを特徴とする請求項7または8に記載の塗布、現像装置の運転方法。 - 前記指定モジュールは、現像前の加熱処理を行うための加熱モジュールであることを特徴とする請求項7ないし9のいずれか一つに記載の塗布、現像装置の運転方法。
- 前記保護膜塗布モジュールにおける処理が異常であることを示す警報が出力された異常基板については、保護膜を加熱処理するための加熱モジュールにて加熱処理を行わないことを特徴とする請求項7ないし10のいずれか一つに記載の塗布、現像装置の運転方法。
- 前記検査部にて保護膜が全く塗布されていないと判断された異常基板については前記保護膜除去モジュールにて保護膜の除去処理を行わないことを特徴とする請求項7ないし11のいずれか一つに記載の塗布、現像装置の運転方法。
- 基板の表面にレジストを塗布し、露光部にてその表面に液層を形成して液浸露光された後の基板を現像液を供給して現像する塗布、現像装置に用いられるプログラムを格納する記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項7ないし12のいずれか一つの塗布、現像装置の運転方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007142244A JP4877075B2 (ja) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007142244A JP4877075B2 (ja) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008300431A true JP2008300431A (ja) | 2008-12-11 |
JP4877075B2 JP4877075B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=40088667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007142244A Active JP4877075B2 (ja) | 2007-05-29 | 2007-05-29 | 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7844359B2 (ja) |
JP (1) | JP4877075B2 (ja) |
KR (1) | KR101223843B1 (ja) |
TW (1) | TWI386976B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009032886A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
JP2009032887A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US7844359B2 (en) | 2010-11-30 |
JP4877075B2 (ja) | 2012-02-15 |
KR101223843B1 (ko) | 2013-01-17 |
KR20080104986A (ko) | 2008-12-03 |
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TW200912549A (en) | 2009-03-16 |
US20080299502A1 (en) | 2008-12-04 |
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