TWI623032B - 基板處理裝置 - Google Patents
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Abstract
上部自轉夾具及下部自轉夾具係以上下排列之方式設置。在下部自轉夾具中，吸附保持部係吸附基板的下表面中央部，藉此保持基板。在此狀態下，藉由自轉馬達而旋轉的基板的下表面周緣部係被第一背面洗淨機構的刷子洗淨。在上部自轉夾具中，複數個夾具銷係抵接至基板的外周端部，藉此保持基板。在此狀態下，藉由自轉馬達而旋轉的基板中之比下表面周緣部還內側的區域係被第二背面洗淨機構的刷子洗淨。在上部自轉夾具與下部自轉夾具之間，藉由授受機構進行基板的授受。
Description
本發明係有關於一種基板處理裝置。
為了進行半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板或者光罩(photomask)用基板等各種基板的各種處理，係使用基板處理裝置。在此種基板處理裝置中，在例如藉由自轉夾具(spin chuck)保持基板的狀態下，進行基板的洗淨處理。以自轉夾具而言，有用以保持基板的外周端部之端面保持式的自轉夾具。
日本特開2009-123800號公報所記載的自轉夾具係主要由自轉馬達(spin motor)、自轉板(spin plate)以及複數個夾具銷(chuck pin)所構成。以從自轉馬達的內部朝下方延伸之方式設置有旋轉軸，並於旋轉軸的下端部安裝有自轉板。以相對於旋轉軸等間隔且朝自轉板的下方延伸之方式於自轉板的周緣部配置有具有略圓柱形狀的複數個夾具銷。
複數個夾具銷的各者係構成為可切換成抵接至基板的外周端部之閉狀態以及從基板的外周端部離開之開狀態。當複數個夾具銷成為閉狀態時，基板係被自轉板的下方保持。自轉板係於鉛直軸的周圍旋轉，藉此基板係以水平姿勢旋轉。在此狀態下，基板的下表面係被刷子(brush)洗淨。
再者，在上述自轉夾具中，在基板以水平姿勢旋轉的狀態下，在重疊至基板的外周端部之局部區域中，夾具銷係從閉狀態切換至開狀態。藉此，在局部區域中，夾具銷係從基板的外周端部離開。因此，通過局部區域的基板的外周端部係被刷子洗淨。
如上所述，依據日本特開2009-123800號公報的自轉夾具，在局部區域中切換夾具銷的狀態，藉此能防止夾具銷與刷子之間的干擾，並能洗淨基板的下表面周緣部及基板的外周端部。
然而，在使用刷子洗淨基板的下表面周緣部之情形中，根據洗淨條件，會有在局部區域中從刷子對基板施予高壓力之可能性。在此情形中，當局部的夾具銷為開狀態時，會發生基板的位置偏移。如此，難以均勻地洗淨基板的下表面整體。
本發明的目的在於提供一種可均勻地洗淨基板的下表面整體之基板處理裝置。
(1)本發明實施形態之一的基板處理裝置係具備有：第一基板保持裝置；第二基板保持裝置，係設置於第一基板保持裝置的上方；授受機構，係在第一基板保持裝置與第二基板保持裝置之間進行基板的授受；以及第一洗淨機構與第二洗淨機構，係洗淨基板的下表面；第一基板保持裝置係包含有：吸附保持部，係以可在鉛直軸的周圍旋轉之方式構成，並吸附基板的下表面中央部；以及第一旋轉驅
動部，係使吸附保持部旋轉；第一洗淨機構係包含有：第一刷子，係洗淨在被吸附保持部保持的狀態下旋轉之基板的下表面周緣部；第二基板保持裝置係包含有：旋轉構件，係以可在鉛直軸的周圍旋轉之方式構成；第二旋轉驅動部，係使旋轉構件旋轉；以及抵接保持部，係抵接至配置於旋轉構件的下方之基板的外周端部，藉此保持基板；第二洗淨機構係包含有：第二刷子，係洗淨在被抵接保持部保持的狀態下旋轉之基板的下表面中之比下表面周緣部還內側的區域。
在該基板處理裝置中，第一基板保持裝置的吸附保持部係吸附基板的下表面中央部，藉此保持基板。在此狀態下，藉由第一旋轉驅動部而旋轉之基板的下表面周緣部係被第一刷子洗淨。在此情形中，由於吸附保持部所為之基板的保持位置與第一刷子所為之基板的洗淨位置係離開，因此吸附保持部與第一刷子不會干擾。藉此，由於防止吸附保持部與第一刷子之間的干擾，因此無須變更基板的保持位置。此外，亦不會產生保持位置的變更所造成之基板的位置偏移。因此，能藉由第一刷子均勻地洗淨基板的下表面周緣部。
此外，第二基板保持裝置的抵接保持部係抵接至基板的外周端部，藉此保持基板。在此狀態下，藉由第二旋轉驅動部而旋轉之基板中之比下表面周緣部還內側的區域係被第二刷子洗淨。在此情形中，由於抵接保持部所為之基板的保持位置與第二刷子所為之基板的洗淨位置係離開，
因此抵接保持部與第二刷子不會干擾。藉此，由於防止抵接保持部與第二刷子之間的干擾，因此無須變更基板的保持位置。此外，亦不會產生保持位置的變更所造成之基板的位置偏移。因此，能藉由第二刷子均勻地洗淨基板中之比下表面周緣部還內側的區域。
在第一基板保持裝置與第二基板保持裝置之間，藉由授受機構進行基板的授受。藉此，能藉由第一刷子及第二刷子均勻地洗淨基板的下表面整體。
(2)亦可為，第一洗淨機構係進一步包含有：第一洗淨液供給部，係在使用第一刷子洗淨下表面周緣部時，將洗淨液供給至第一刷子；第二洗淨機構係進一步包含有：第二洗淨液供給部，係在使用第二刷子洗淨比下表面周緣部還內側的區域時，將洗淨液供給至第二刷子。
在此情形中，藉由洗淨液沖洗被第一刷子從基板的下表面周緣部去除的污染物質。此外，藉由洗淨液沖洗被第二刷子從比下表面周緣部還內側的區域去除的污染物質。因此，防止被第一刷子及第二刷子去除的污染物質再次附著至基板。藉此，提升洗淨後的基板的清淨度。此外，抑制第一刷子及第二刷子的清淨度的降低。
(3)亦可為，基板處理裝置係進一步具備有：控制部，係控制第一基板保持裝置、第二基板保持裝置、第一洗淨機構、第二洗淨機構以及授受機構；控制部係以在基板的下表面被第二洗淨機構洗淨的期間旋轉吸附保持部之方式控制第一旋轉驅動部。
在上述構成中，在基板被第二基板保持裝置保持的狀態下藉由第二洗淨機構洗淨基板的下表面之情形中，被第二刷子去除的污染物質係落下至第一基板保持裝置的吸附保持部上。此時，由於吸附保持部旋轉，因此落下至吸附保持部上的污染物質係藉由離心力而從吸附保持部甩離。結果，抑制污染物質附著至吸附保持部。
(4)亦可為，第一旋轉驅動部係包含有：中空的旋轉軸，係以朝上方延伸之方式設置；吸附保持部係具有吸引路徑，並安裝至旋轉軸的上端部；吸引路徑係從旋轉軸的內部空間朝斜上方傾斜並延伸，且於吸附保持部的上表面呈開口。
依據此種構成，即使在第二洗淨機構洗淨基板時水分或污染物質等異物從吸附保持部的上表面上的開口進入至吸引路徑時，藉由吸附保持部旋轉，該異物亦會藉由離心力從吸引路徑排出。因此，能防止異物進入至第一旋轉驅動部的內部。
(5)基板處理裝置亦可進一步具備有：第三洗淨機構，係具有第三刷子，並藉由第三刷子洗淨吸附保持部的上表面。
在此情形中，藉由第三刷子去除附著於吸附保持部的上表面之污染物質。因此，防止污染物質從吸附保持部轉移至下表面中央部。
(6)基板處理裝置亦可進一步具備有：第四洗淨機構，係具有第三洗淨液供給部，並將洗淨液從第三洗淨液供給
部供給至吸附保持部的上表面。
在此情形中，藉由從第三洗淨液供給部所供給的洗淨液沖洗附著於吸附保持部的上表面的污染物質。因此，防止污染物質從吸附保持部轉移至基板的下表面中央部。
(7)授受機構係包含有：授受支撐部，係構成為在支撐基板的狀態下可在第一基板保持裝置與第二基板保持裝置之間於鉛直方向移動；授受支撐部係具有：上端部，係抵接至基板的下表面中央部與下表面周緣部之間的區域，藉此支撐基板；基板處理裝置亦可進一步具備有氣體噴射裝置，係在藉由第二洗淨機構洗淨基板的下表面的期間，在第二基板保持裝置的下方的位置將氣體噴射至授受支撐部的上端部。
在上述構成中，在基板被第二基板保持裝置保持的狀態下藉由第二洗淨機構洗淨基板的下表面之情形中，被第二刷子去除的污染物質係落下至授受支撐部的上端部上。此時，由於對授受支撐部的上端部噴射氣體，因此落下至授受支撐部的上端部上的污染物質被氣體吹走。結果，防止污染物質從授受支撐部的上端部轉移至基板的下表面。
(8)第一刷子亦可構成為可接觸至在被第一基板保持裝置保持的狀態下旋轉之基板的外周端部，藉此洗淨外周端部。
在此情形中，在基板被第一基板保持裝置保持的狀態下，藉由第一刷子洗淨基板的下表面周緣部以及外周端部。藉此，無需另外設置刷子，能同時洗淨基板的下表面
周緣部與外周端部。
11‧‧‧索引區
12‧‧‧第一處理區
13‧‧‧第二處理區
14‧‧‧界面區
14A‧‧‧洗淨乾燥處理區
14B‧‧‧搬入搬出區
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
21、22、23、24、32、34‧‧‧塗布處理室
25、35‧‧‧自轉夾具
27、37‧‧‧罩
28‧‧‧處理液噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬運機構
31、33‧‧‧顯像處理室
38‧‧‧顯像噴嘴
39‧‧‧移動機構
50、60‧‧‧流體箱部
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧承載器載置部
112‧‧‧搬運部
113‧‧‧承載器
114‧‧‧控制部
115、127、128、137、138、141、142、146‧‧‧搬運機構
116‧‧‧手部
121‧‧‧塗布處理部
122、132、163‧‧‧搬運部
123、133‧‧‧熱處理部
125、135‧‧‧上段搬運室
126、136‧‧‧下段搬運室
129‧‧‧塗布處理單元
131‧‧‧塗布顯像處理部
139‧‧‧顯像處理單元
161、162‧‧‧洗淨乾燥處理部
301、303‧‧‧上段熱處理部
302、304‧‧‧下段熱處理部
400‧‧‧下部自轉夾具
410、611‧‧‧自轉馬達
420、611a‧‧‧旋轉軸
421、436‧‧‧吸引路徑
430‧‧‧吸附保持部
431‧‧‧圓板部
432‧‧‧軸部
433‧‧‧環狀壁部
434‧‧‧突起部
437‧‧‧開口
490‧‧‧馬達蓋
510‧‧‧第一背面洗淨機構
511、721‧‧‧升降驅動部
512‧‧‧升降軸
513‧‧‧電刷馬達
514、524、534‧‧‧刷子
514S、524S、534S‧‧‧洗淨面
515、525、544、545‧‧‧噴嘴
520‧‧‧第二背面洗淨機構
521、531、541‧‧‧升降旋轉驅動部
522、532、542‧‧‧升降旋轉軸
523、533、543‧‧‧手臂
530‧‧‧自轉夾具洗淨機構
540‧‧‧表面洗淨機構
600‧‧‧上部自轉夾具
610a‧‧‧液體供給管
612‧‧‧自轉板
613‧‧‧板支撐構件
614‧‧‧磁鐵板
615‧‧‧夾具銷
615a‧‧‧軸部
615b‧‧‧銷支撐部
615c‧‧‧保持部
616‧‧‧磁鐵
617‧‧‧磁鐵升降裝置
710‧‧‧防護罩
711‧‧‧防護罩升降裝置
720‧‧‧授受機構
722‧‧‧銷支撐構件
723‧‧‧升降銷
730‧‧‧氣體噴射機構
731‧‧‧第一環狀構件
731H‧‧‧噴射孔
731G‧‧‧槽
732‧‧‧第二環狀構件
732H‧‧‧貫通孔
733‧‧‧氣體導入管
B‧‧‧磁力線
CP‧‧‧冷卻單元
D1‧‧‧寬度
EEW‧‧‧邊緣曝光部
L1、L2、L3‧‧‧高度
N‧‧‧N極
PAHP‧‧‧密著強化處理單元
PASS1至PASS9‧‧‧基板載置部
P-BF1、P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
PHP‧‧‧熱處理單元
R1、R2‧‧‧區域
S‧‧‧S極
SD1、SD2‧‧‧洗淨乾燥處理單元
W‧‧‧基板
WC‧‧‧旋轉中心
圖1係本發明實施形態之一的基板處理裝置的示意性俯視圖。
圖2係主要顯示圖1的塗布處理部、塗布顯像處理部以及洗淨乾燥處理部之基板處理裝置的示意性側視圖。
圖3係主要顯示圖1的熱處理部及洗淨乾燥處理部之基板處理裝置的示意性側視圖。
圖4係主要顯示圖1的搬運部之側視圖。
圖5係顯示洗淨乾燥處理單元的構成之側視圖。
圖6係用以說明使用於圖5的洗淨乾燥處理單元之下部自轉夾具及其周邊構件的構成之概略俯視圖。
圖7係用以說明使用於圖5的洗淨乾燥處理單元之上部自轉夾具的構成之概略俯視圖。
圖8係下部自轉夾具的局部放大側視圖。
圖9係圖8的下部自轉夾具的縱剖視圖。
圖10係圖8的下部自轉夾具的俯視圖。
圖11係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖12係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖13係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖14係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗
淨處理之側視圖。
圖15係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖16係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖17係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖18係用以說明洗淨乾燥處理單元所為之基板的洗淨處理之側視圖。
圖19係用以說明洗淨乾燥處理單元中的吸附保持部的洗淨處理之側視圖。
圖20係顯示洗淨乾燥處理單元中基板的保持位置與洗淨位置之間的關係之俯視圖。
以下，使用圖式說明本發明實施形態之一的基板處理裝置。此外，在以下的說明中，所謂基板是指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板等。
圖1係本發明實施形態之一的基板處理裝置的示意性俯視圖。
為了明確位置關係，於圖1與圖2以及後續特定的圖式中附上用以顯示彼此正交之X方向、Y方向以及Z方向的箭頭。X方向及Y方向係在水平面內彼此正交，Z方向
係相當於鉛直方向。
如圖1所示，基板處理裝置100係具備有索引區(indexer block)11、第一處理區12、第二處理區13、洗淨乾燥處理區14A及搬入搬出區14B。藉由洗淨乾燥處理區14A及搬入搬出區14B構成界面區14。以與搬入搬出區14B鄰接之方式配置有曝光裝置15。在曝光裝置15中，藉由浸液法對基板W進行曝光處理。
如圖1所示，索引區11係包含有複數個承載器(carrier)載置部111以及搬運部112。於各個承載器載置部111載置有用以多段地收容複數個基板W之承載器113。
於搬運部112設置有控制部114及搬運機構115。控制部114係控制基板處理裝置100的各種構成要素。搬運機構115係具有用以保持基板W之手部(hand)116。搬運機構115係藉由手部116一邊保持基板W一般搬運該基板W。
第一處理區12係包含有塗布處理部121、搬運部122以及熱處理部123。塗布處理部121及熱處理部123係以夾著搬運部122並相對向之方式設置。於搬運部122與索引區11之間設置有用以載置基板W之基板載置部PASS1以及後述之基板載置部PASS2至PASS4(參照圖4)。於搬運部122設置有用以搬運基板W之搬運機構127以及後述之搬運機構128(參照圖4)。
第二處理區13係包含有塗布顯像處理部131、搬運部132以及熱處理部133。塗布顯像處理部131及熱處理部133係以夾著搬運部132並相對向之方式設置。於搬運部132
與搬運部122之間設置有用以載置基板W之基板載置部PASS5以及後述之基板載置部PASS6至PASS8(參照圖4)。於搬運部132設置有用以搬運基板W之搬運機構137以及後述之搬運機構138(參照圖4)。
洗淨乾燥處理區14A係包含有洗淨乾燥處理部161、162以及搬運部163。洗淨乾燥處理部161、162係以夾著搬運部163並相對向之方式設置。於搬運部163設置有搬運機構141、142。
於搬運部163與搬運部132之間設置有載置兼緩衝部P-BF1以及後述之載置兼緩衝部P-BF2(參照圖4)。
此外，以鄰接至搬入搬出區14B之方式，在搬運機構141、142之間設置有基板載置部PASS9以及後述之載置兼冷卻部P-CP(參照圖4)。在載置兼冷卻部P-CP中，基板W被冷卻至適合曝光處理的溫度。
於搬入搬出區14B設置有搬運機構146。搬運機構146係進行基板W相對於曝光裝置15之搬入及搬出。於曝光裝置15設置有用以搬入基板W之基板搬入部15a以及用以搬出基板W之基板搬出部15b。
圖2主要係顯示圖1的塗布處理部121、塗布顯像處理部131以及洗淨乾燥處理部161之基板處理裝置100的示意性側視圖。
如圖2所示，於塗布處理部121階層式地設置有塗布處理室21、22、23、24。於塗布處理室21至24各者設置
有塗布處理單元129。於塗布顯像處理部131階層式地設置有顯像處理室31、33以及塗布處理室32、34。於顯像處理室31、33各者設置有顯像處理單元139，並於塗布處理室32、34的各者設置有塗布處理單元129。
各個塗布處理單元129係具備有：自轉夾具25，用以保持基板W；以及罩(cup)27，係以覆蓋自轉夾具25的周圍之方式設置。在本實施形態中，於各個塗布處理單元129設置有兩組自轉夾具25以及罩27。自轉夾具25係被未圖示的驅動裝置(例如電動馬達)旋轉驅動。此外，如圖1所示，各個塗布處理單元129係具備有：複數個處理液噴嘴28，係噴出處理液；以及噴嘴搬運機構29，係搬運該處理液噴嘴28。
在塗布處理單元129中，藉由未圖示的驅動裝置，自轉夾具25係旋轉，複數個處理液噴嘴28中的任一個處理液噴嘴28係被噴嘴搬運機構29移動至基板W的上方，並從該處理液噴嘴28噴出處理液。藉此，對基板W上塗布處理液。此外，從未圖示的邊緣清洗(edge rinse)噴嘴將清洗(rinse)液噴出至基板W的周緣部。藉此，去除附著於基板W的周緣部的處理液。
在塗布處理室22、24的塗布處理單元129中，從處理液噴嘴28將反射防止膜用的處理液供給至基板W。在塗布處理室21、23的塗布處理單元129中，從處理液噴嘴28將阻劑膜用的處理液供給至基板W。在塗布處理室32、34的塗布處理單元129中，從處理液噴嘴28將阻劑披膜(resist
cover film)用的處理液供給至基板W。
與塗布處理單元129同樣地，顯像處理單元139係具備有自轉夾具35以及罩37。此外，如圖1所示，顯像處理單元139係具備有：兩個顯像噴嘴38，係噴出顯像液；以及移動機構39，係使該顯像噴嘴38朝X方向移動。
在顯像處理單元139中，藉由未圖示的驅動裝置，自轉夾具35係旋轉，一方的顯像噴嘴38係一邊於X方向移動一邊將顯像液供給至各個基板W後，另一方的顯像噴嘴38係一邊移動一邊將顯像液供給至各個基板W。在此情形中，對基板W供給顯像液，藉此進行基板W的顯像處理。此外，在本實施形態中，從兩個顯像噴嘴38噴出彼此不同的顯像液。藉此，能對各個基板W供給兩種類的顯像液。
於洗淨乾燥處理部161設置有複數個(在本例子中為四個)洗淨乾燥處理單元SD1。在洗淨乾燥處理單元SD1中，進行曝光處理前的基板W的洗淨及乾燥處理。洗淨乾燥處理單元SD1的詳細說明係容後述。
如圖1及圖2所示，在塗布處理部121中，以與塗布顯像處理部131鄰接之方式設置有流體箱部50。同樣地，於塗布顯像處理部131中，以鄰接至洗淨乾燥處理區14A之方式設置有流體箱部60。於流體箱部50及流體箱部60內收容有流體關連機器，該流體關連機器係用以對塗布處理單元129與顯像處理單元139供給藥液以及從塗布處理單元129與顯像處理單元139排液及排氣等。流體關連機器係包含有導管、接頭、閥、流量計、調節器(regulator)、
泵(pump)以及溫度調節器等。
圖3係主要顯示圖1的熱處理部123、133以及洗淨乾燥處理部162之基板處理裝置100的示意性側視圖。如圖3所示，熱處理部123係具備有設置於上方的上段熱處理部301以及設置於下方的下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302設置有複數個熱處理單元PHP、複數個密著強化處理單元PAHP以及複數個冷卻單元CP。
在熱處理單元PHP中，進行基板W的加熱處理。在密著強化處理單元PAHP中，進行用以提升基板W與反射防止膜之間的密著性之密著強化處理。具體而言，在密著強化處理單元PAHP中，對基板W塗布HMDS(hexamethyldisilazane；六甲基二矽氮烷)等密著強化劑，並對基板W進行加熱處理。在冷卻單元CP中，進行基板W的冷卻處理。
熱處理部133係具備有設置於上方的上段熱處理部303以及設置於下方的下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304設置有冷卻單元CP、複數個熱處理單元PHP以及邊緣曝光部EEW。
在邊緣曝光部EEW中，對形成於基板W上的阻劑膜的周緣部的固定寬度的區域進行曝光處理(邊緣曝光處理)。在上段熱處理部303及下段熱處理部304中，以與洗淨乾燥處理區14A彼此鄰接的方式設置的熱處理單元PHP
係構成為可從洗淨乾燥處理區14A搬入基板W。
於洗淨乾燥處理部162設置有複數個(在本例子中為五個)洗淨乾燥處理單元SD2。洗淨乾燥處理單元SD2係具有與洗淨乾燥處理單元SD1相同的構成。在洗淨乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後的基板W的洗淨及乾燥處理。
圖4係主要顯示圖1的搬運部122、132、163之側視圖。如圖4所示，搬運部122係具備有上段搬運室125及下段搬運室126。搬運部132係具備有上段搬運室135及下段搬運室136。於上段搬運室125設置有搬運機構127，於下段搬運室126設置有搬運機構128。此外，於上段搬運室135設置有搬運機構137，於下段搬運室136設置有搬運機構138。
於搬運部112與上段搬運室125之間設置有基板載置部PASS1、PSAA2，於搬運部112與下段搬運室126之間設置有基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬運室125與上段搬運室135之間設置有基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬運室126與下段搬運室136之間設置有基板載置部PASS7、PASS8。
於上段搬運室135與搬運部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬運室136與搬運部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF2。於搬運部163中，以與搬入搬出區14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS9以及複數個載置兼冷卻部P-CP。
搬運機構127係構成為可在基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6、塗布處理室21、22(圖2)以及上段熱處理部301(圖3)之間搬運基板W。搬運機構128係構成為可於基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8、塗布處理室23、24(圖2)以及下段熱處理部302(圖3)之間搬運基板W。
搬運機構137係構成為可在基板載置部PASS5、PASS6、載置兼緩衝部P-BF1、顯像處理室31(圖2)、塗布處理室32(圖2)以及上段熱處理部303(圖3)之間搬運基板W。搬運機構138係構成為可在基板載置部PASS7、PASS8、載置兼緩衝部P-BF2、顯像處理室33(圖3)、塗布處理室34(圖2)以及下段熱處理部304(圖3)之間搬運基板W。
搬運部163的搬運機構141(圖1)係構成為可在載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2以及洗淨乾燥處理部161(圖2)之間搬運基板W。
搬運部163的搬運機構142(圖1)係構成為可在載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2、洗淨乾燥處理部162(圖3)、上段熱處理部303(圖3)以及下段熱處理部304(圖3)之間搬運基板W。
一邊參照圖1至圖4一邊說明基板處理裝置100的動作。於索引區11的承載器載置部111(圖1)載置有已收容有未處理的基板W之承載器113。搬運機構115係從承載器113將未處理的基板W搬運至基板載置部PASS1、PASS3(圖
4)。此外，搬運機構115係將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖4)之處理完畢的基板W搬運至承載器113。
在第一處理區12中，搬運機構127(圖4)係將載置於基板載置部PASS1的基板W依序搬運至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)以及塗布處理室22(圖2)。接著，搬運機構127係將藉由塗布處理室22而形成有反射防止膜的基板W依序搬運至熱處理單元PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)、以及塗布處理室21(圖2)。接著，搬運機構127係將藉由塗布處理室21而形成有阻劑膜的基板W依序搬運至熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS5(圖4)。
在此情形中，在密著強化處理單元PAHP中對基板W進行密著強化處理後，在冷卻單元CP中將基板W冷卻至適合形成反射防止膜的溫度。接著，在塗布處理室22中，藉由塗布處理單元129(圖2)於基板W上形成反射防止膜。接著，在熱處理單元PHP中進行基板W的熱處理後，在冷卻單元CP中將基板W冷卻至適合形成阻劑膜的溫度。接著，在塗布處理室21中，藉由塗布處理單元129(圖2)於基板W上形成阻劑膜。之後，在熱處理單元PHP中進行基板W的熱處理，並該將基板W載置於基板載置部PASS5。
此外，搬運機構127係將載置於基板載置部PASS6(圖4)的顯像處理後的基板W搬運至基板載置部PASS2(圖4)。
搬運機構128(圖4)係將載置於基板載置部PASS3的基板W依序搬運至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)以及塗布處理室24(圖2)。接著，搬運機構128係
將藉由塗布處理室24而形成有反射防止膜的基板W依序搬運至熱處理單元PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)以及塗布處理室23(圖2)。接著，搬運機構128係將藉由塗布處理室23而形成有阻劑膜的基板W依序搬運至熱處理單元PHP(圖3)以及基板載置部PASS7(圖4)。
此外，搬運機構128(圖4)係將載置於基板載置部PASS8(圖4)的顯像處理後的基板W搬運至基板載置部PASS4(圖4)。塗布處理室23、24(圖2)以及下段熱處理部302(圖3)中的基板W的處理內容係與上述塗布處理室21、22(圖2)以及上段熱處理部301(圖3)中的基板W的處理內容相同。
在第二處理區13中，搬運機構137(圖4)係將載置於基板載置部PASS5之形成阻劑膜後的基板W依序搬運至塗布處理室32(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)、邊緣曝光部EEW(圖3)以及載置兼緩衝部P-BF1(圖4)。在此情形中，在塗布處理室32中，藉由塗布處理單元129(圖2)於基板W上形成阻劑披膜。之後，在熱處理單元PHP中進行基板W的熱處理，該將該基板W搬入至邊緣曝光部EEW。接著，在邊緣曝光部EEW中對基板W進行邊緣曝光處理。將邊緣曝光處理後的基板W載置至載置兼緩衝部P-BF1。
此外，搬運機構137(圖4)係從與洗淨乾燥處理區14A鄰接的熱處理單元PHP(圖3)取出曝光處理後且熱處理後的基板W。搬運機構137係將該基板W依序搬運至冷卻單元CP(圖3)、顯像處理室31(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)
以及基板載置部PASS6(圖4)。
在此情形中，在冷卻單元CP中將基板W冷卻至適合顯像處理的溫度後，在顯像處理室31中藉由顯像處理單元139去除阻劑披膜並進行基板W的顯像處理。之後，在熱處理單元PHP中進行基板W的熱處理，並將該基板W載置於基板載置部PASS6。
搬運機構138(圖4)係將載置於基板載置部PASS7之形成阻劑膜後的基板W依序搬運至塗布處理室34(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)、邊緣曝光部EEW(圖3)以及載置兼緩衝部P-BF2(圖4)。
此外，搬運機構138(圖4)係從與洗淨乾燥處理區14A鄰接的熱處理單元PHP(圖3)取出曝光處理後且熱處理後的基板W。搬運機構138係將該基板W依序搬運至冷卻單元CP(圖3)、顯像處理室33(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)以及基板載置部PASS8(圖4)。顯像處理室33、塗布處理室34以及下段熱處理部304中的基板W的處理內容係與上述顯像處理室31、塗布處理室32(圖2)以及上段熱處理部303(圖3)中的基板W的處理內容相同。
在洗淨乾燥處理區14A中，搬運機構141(圖1)係將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖2)的基板W搬運至洗淨乾燥處理部161的洗淨乾燥處理單元SD1(圖2)。接著，搬運機構141係將基板W從洗淨乾燥處理單元SD1搬運至載置兼冷卻部P-CP(圖4)。在此情形中，在洗淨乾燥處理單元SD1中進行基板W的洗淨及乾燥處理後，在載置兼冷
卻部P-CP中將基板W冷卻至適合曝光裝置15(圖1)中的曝光處理的溫度。
搬運機構142(圖1)係將載置於基板載置部PASS9(圖4)之曝光處理後的基板W搬運至洗淨乾燥處理部162的洗淨乾燥處理單元SD2(圖3)。此外，搬運機構142係將洗淨及乾燥處理後的基板W從洗淨乾燥處理單元SD2搬運至上段熱處理部303的熱處理單元PHP(圖3)或下段熱處理部304的熱處理單元PHP(圖3)。在該熱處理單元PHP中進行曝光後烘烤(PEB；Post Exposure Bake)處理。
在搬入搬出區14B中，搬運機構146(圖1)係將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖4)之曝光處理前的基板W搬運至曝光裝置15的基板搬入部15a(圖1)。此外，搬運機構146(圖1)係從曝光裝置15的基板搬出部15b(圖1)取出曝光處理後的基板W，並將該基板W搬運至基板載置部PASS9(圖4)。
此外，在曝光裝置15無法接受基板W的情形中，曝光處理前的基板W係暫時收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。此外，在第二處理區13的顯像處理單元139(圖2)無法接受曝光處理後的基板W的情形中，曝光處理後的基板W係暫時收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
在本實施形態中，能並行進行設置於上段的塗布處理室21、22、32、顯像處理室31以及上段熱處理部301、303中的基板W的處理以及設置於下段的塗布處理室23、24、34、顯像處理室33以及下段熱處理部302、304中的基板W的處理。藉此，無需增加底面積(footprint)，並能提升產
量。
在以下的說明中，所謂基板W的上表面係指朝向上方之基板W的面；所謂基板W的下表面係指朝向下方之基板W的面。此外，所謂基板W的表面係指形成有反射防止膜、阻劑膜以及阻劑披膜之面(主面)；所謂基板W的背面係指與基板W的表面相對側之面。在本實施形態的基板處理裝置100的內部中，在基板W的表面朝向上方的狀態下，對基板W進行上述各種處理。因此，在本實施形態中，基板W的背面相當於本發明的下表面。
圖5係顯示洗淨乾燥處理單元SD1的構成之側視圖，圖6係用以說明使用於圖5的洗淨乾燥處理單元SD1之下部自轉夾具400及其周邊構件的構成之概略俯視圖。在圖5及圖6中，以二點鍊線顯示被下部自轉夾具400保持的基板W。圖7係用以說明使用於圖5的洗淨乾燥處理單元SD1之上部自轉夾具600的構成之概略俯視圖。在圖7中，示意性地顯示上部自轉夾具600的局部的構成要素，並以二點鍊線顯示被上部自轉夾具600保持的基板W。
如圖5所示，洗淨乾燥處理單元SD1係包含有下部自轉夾具400以及上部自轉夾具600。上部自轉夾具600係設置於下部自轉夾具400的上方。
下部自轉夾具400係包含有自轉馬達410以及吸附保持部430。自轉馬達410係例如設置於洗淨乾燥處理單元SD1的底部。在自轉馬達410中，以朝上方延伸之方式設
置有旋轉軸420。於旋轉軸420的上端部設置有吸附保持部430。吸附保持部430係構成為可吸附基板W的背面中央部。吸附保持部430係吸附基板W的背面中央部，藉此保持基板W。在下部自轉夾具400中，於自轉馬達410與吸附保持部430之間設置有氣體噴射機構730。下部自轉夾具400以及氣體噴射機構730的詳細說明係容後述。
如圖5及圖6所示，於下部自轉夾具400的外部設置有第一背面洗淨機構510、第二背面洗淨機構520、自轉夾具洗淨機構530、表面洗淨機構540以及授受機構720。
以接近下部自轉夾具400之方式配置有授受機構720。授受機構720係包含有升降驅動部721、銷支撐構件722以及複數個(在本例子中為三個)升降銷723。於升降驅動部721安裝有銷支撐構件722。升降驅動部721係以可於鉛直方向移動之方式支撐銷支撐構件722。於銷支撐構件722以各自朝鉛直方向延伸之方式安裝有複數個升降銷723。複數個升降銷723係以等間隔地圍繞下部自轉夾具400之方式配置。複數個升降銷723的上端部係抵接至基板W的背面中央部與背面周緣部之間的區域，藉此以水平姿勢支撐基板W。
授受機構720係被圖1的控制部114控制。藉由授受機構720之動作，銷支撐構件722係於鉛直方向移動。藉此，複數個升降銷723的上端部係在後述三個高度L1、L2、L3(參照圖11)之間移動。
如圖5及圖6所示，第一背面洗淨機構510係包含有
升降驅動部511、升降軸512、電刷馬達(brush motor)513、刷子514以及噴嘴515。於升降驅動部511以朝鉛直方向延伸之方式安裝有升降軸512。升降驅動部511係以可朝鉛直方向移動之方式支撐升降軸512。於升降軸512的上端部設置有電刷馬達513。於電刷馬達513設置有刷子514。電刷馬達513係以可在鉛直軸的周圍旋轉之方式支撐刷子514。刷子514係具有朝向上方之洗淨面514S。
升降驅動部511係使升降軸512朝鉛直方向移動。藉此，刷子514的高度係變化。此外，電刷馬達513係驅動刷子514。藉此，刷子514係在鉛直軸的周圍旋轉。於噴嘴515連接有未圖示的洗淨液供給系統。噴嘴515係構成為可將從洗淨液供給系統所供給的洗淨液朝刷子514噴出。
如圖6所示，在從上方觀看下部自轉夾具400之情形中，第一背面洗淨機構510係以刷子514的洗淨面514S重疊至被下部自轉夾具400保持之基板W的外周緣部及外周端部之方式配置。第一背面洗淨機構510係被圖1的控制部114控制。
如圖5及圖6所示，第二背面洗淨機構520係包含有升降旋轉驅動部521、升降旋轉軸522、手臂(arm)523、刷子524以及噴嘴525。於升降旋轉驅動部521以朝著鉛直方向延伸之方式安裝有升降旋轉軸522。升降旋轉驅動部521係以可朝鉛直方向移動且可在鉛直軸的周圍旋轉之方式支撐升降旋轉軸522。於升降旋轉軸522的上端部以朝水平
方向延伸之方式連結有手臂523。於手臂523的前端部安裝有刷子524。刷子524係具有朝向上方的洗淨面524S。
升降旋轉驅動部521係使升降旋轉軸522朝鉛直方向移動。藉此，刷子524的高度係變化。此外，升降旋轉驅動部521係使升降旋轉軸522旋轉。藉此，刷子524係在例如吸附保持部430的旋轉中心WC的上方位置與下部自轉夾具400的外部位置之間移動。
於手臂523的前端部附近安裝有噴嘴525。於噴嘴525連接有未圖示的洗淨液供給系統。噴嘴525係構成為可將從洗淨液供給系統所供給的洗淨液朝刷子524噴出。第二背面洗淨機構520係被圖1的控制部114控制。
如圖5及圖6所示，自轉夾具洗淨機構530係包含有升降旋轉驅動部531、升降旋轉軸532、手臂533以及刷子534。於升降旋轉驅動部531以朝鉛直方向延伸之方式安裝有升降旋轉軸532。升降旋轉驅動部531係以可朝鉛直方向移動且可在鉛直軸的周圍旋轉之方式支撐升降旋轉軸532。於升降旋轉軸532的上端部以朝水平方向延伸之方式連結有手臂533。於手臂533的前端部安裝有刷子534。刷子534係具有朝向下方的洗淨面534S。
升降旋轉驅動部531係使升降旋轉軸532朝鉛直方向移動。藉此，刷子534的高度係變化。此外，升降旋轉驅動部531係使升降旋轉軸532旋轉。藉此，刷子534係於例如吸附保持部430的旋轉中心WC與下部自轉夾具400的外部位置之間移動。自轉夾具洗淨機構530係被圖1的
控制部114控制。
以上述刷子514、524、534而言，使用例如由聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)所構成的海綿刷子。
如圖5及圖6所示，表面洗淨機構540係包含有升降旋轉驅動部541、升降旋轉軸542、手臂543以及噴嘴544、545。於升降旋轉驅動部541以朝鉛直方向延伸之方式安裝有升降旋轉軸542。升降旋轉驅動部541係以可朝鉛直方向移動且可在鉛直軸的周圍旋轉之方式支撐升降旋轉軸542。於升降旋轉軸542的上端部以朝水平方向延伸之方式連結有手臂543。於手臂543的前端部安裝有噴嘴544、545。
升降旋轉驅動部541係使升降旋轉軸542朝鉛直方向移動。藉此，噴嘴544、545的高度係變化。此外，升降旋轉驅動部541係使升降旋轉軸542旋轉。藉此，噴嘴544、545係在水平面內中於吸附保持部430的旋轉中心WC的上方位置與下部自轉夾具400的外部位置之間移動。
於噴嘴544連接有未圖示的洗淨液供給系統。噴嘴544係構成為可將從洗淨液供給系統所供給的洗淨液朝下方噴出。於噴嘴545連接有未圖示的氣體供給系統。噴嘴545係構成為可將從氣體供給系統所供給的氣體朝下方噴出。在此，以供給至噴嘴545之氣體而言，能使用氮氣氣體等惰性氣體。表面洗淨機構540係被圖1的控制部114控制。
如圖5及圖7所示，上部自轉夾具600係包含有自轉馬達611、圓板狀的自轉板612、板支撐構件613、磁鐵板614以及複數個夾具銷615。
自轉馬達611係在下部自轉夾具400的上方的位置中被未圖示的支撐構件支撐。在自轉馬達611中，以朝下方延伸之方式設置有旋轉軸611a。於旋轉軸611a的下端部安裝有板支撐構件613。藉由板支撐構件613，自轉板612係被水平地支撐。自轉馬達611係使旋轉軸611a旋轉。藉此，自轉板612係在鉛直軸的周圍旋轉。在此，上部自轉夾具600的旋轉軸611a係配置於下部自轉夾具400的旋轉軸420的延長線上。
於自轉馬達611、旋轉軸611a以及板支撐構件613插通有液體供給管610a。能通過液體供給管610a將洗淨液噴出至被上部自轉夾具600所保持的基板W的表面上。
於自轉板612的周緣部以相對於旋轉軸611a等角度間隔之方式設置有複數個(在本例子中為五個)夾具銷615。夾具銷615的個數較佳為五個以上。
各個夾具銷615係包含有軸部615a、銷支撐部615b、保持部615c以及磁鐵616。以貫通自轉板612之方式設置有軸部615a，於軸部615a的下端部連接有朝水平方向延伸之銷支撐部615b。以從銷支撐部615b的前端部朝下方突出之方式設置有保持部615c。此外，在自轉板612的上表面側中，於軸部615a的上端部安裝有磁鐵616。
各個夾具銷615係可以軸部615a為中心在鉛直軸的周為旋轉，並可切換成保持部615c抵接至基板W的外周端部之閉狀態以及保持部615c從基板W的外周端部離開之開狀態。此外，在本例子中，在磁鐵616的N極(N)位於內
側之情形中，各個夾具銷615成為閉狀態；在磁鐵616的S極(S)位於內側之情形中，各個夾具銷615成為開狀態。
於自轉板612的上方沿著將旋轉軸611a作為中心之周方向配置有圓環狀的磁鐵板614。磁鐵板614的外側具有S極，內側具有N極。磁鐵板614係藉由磁鐵升降裝置617而升降，並在比夾具銷615的磁鐵616還高的上方位置以及與夾具銷615的磁鐵616大致相等的高度的下方位置之間移動。
藉由磁鐵板614的升降，各個夾具銷615被切換成開狀態與閉狀態。具體而言，在磁鐵板614位於上方位置的情形中，各個夾具銷615成為開狀態。另一方面，在磁鐵板614位於下方位置的情形中，各個夾具銷615成為閉狀態。
於上部自轉夾具600、下部自轉夾具400、第一背面洗淨機構510、第二背面洗淨機構520以及授受機構720的外部設置有用以接住從基板W飛散的洗淨液之防護罩(guard)710。防護罩710係具有相對於上部自轉夾具600的旋轉軸611a及下部自轉夾具400的旋轉軸420為旋轉對稱的形狀。此外，防護罩710係藉由防護罩升降裝置711而升降。被防護罩710接住的洗淨液係被未圖示的排液裝置或回收裝置予以排液或回收。
在上述洗淨乾燥處理單元SD1中，以從各個噴嘴515、525、524以及液體供給管610a所噴出的洗淨液而言，能使用例如純水、於純水中溶解有錯合物(已離子化)之液體或
氟系藥液等。此外，以洗淨液而言，亦可使用在曝光裝置15中進行曝光處理時所使用的液浸液。
詳細說明下部自轉夾具400以及氣體噴射機構730。圖8為下部自轉夾具400的局部放大側視圖，圖9為圖8的下部自轉夾具400的縱剖視圖，圖10為圖8的下部自轉夾具400的俯視圖。在圖8及圖9中，顯示下部自轉夾具400以及圖5的氣體噴射機構730。此外，在圖8至圖10中，顯示圖5的複數個升降銷723。
如圖8所示，吸附保持部430係具有圓板部431及軸部432。如圖10所示，於圓板部431的上表面的外周端部形成有環狀壁部433。於圓板部431的上表面中之比環狀壁部433還內側的區域設置有複數個(在本例子中為12個)突起部434。環狀壁部433及複數個突起部434係支撐基板W的背面。
如圖9所示，以從圓板部431的下表面中央部朝下方延伸之方式形成有軸部432。於軸部432形成有連接孔435。於連接孔435嵌入有從自轉馬達410延伸之旋轉軸420的上端部。
以旋轉軸420而言係使用中空軸。旋轉軸420的內部空間係作為吸引路徑421而發揮作用。於軸部432內形成有複數個(在本例子中為四個)吸引路徑436，該複數個吸引路徑436係連通至旋轉軸420的吸引路徑421。各個吸引路徑436係從吸引路徑421的上端部朝斜上方傾斜延伸，並於圓板部431的上表面開口。如圖10所示，各個吸引路徑
436的開口437係形成於從圓板部431的中心離開之位置。
例如，以基板W的中心位於旋轉軸420的中心軸上之方式將基板W載置於圓板部431上。在此狀態下，基板W的背面中之位於環狀壁部433的內側之中央部位係藉由未圖示的吸引裝置經由吸引路徑421及複數個吸引路徑436被吸引。藉此，基板W被保持於吸附保持部430上。
如圖9所示，下部自轉夾具400係進一步包含有以圍繞自轉馬達410的外周部之方式設置的馬達蓋(motor cover)490。馬達蓋490的上端部係位於吸附保持部430的下端部附近。於馬達蓋490的上端部設置有氣體噴射機構730。
氣體噴射機構730係包含有第一環狀構件731、第二環狀構件732以及氣體導入管733。第一環狀構件731的外徑與第二環狀構件732的外徑彼此相等。
於第一環狀構件731的下端面以沿著周方向之方式形成有槽731G。第一環狀構件731的下端面與第二環狀構件732的上端面係以從下方塞住第一環狀構件731的槽731G之方式接合。在第一環狀構件731與第二環狀構件732接合的狀態下，使用螺絲將第二環狀構件732安裝至馬達蓋490的上端部。
於第二環狀構件732形成有從下端面朝上端面延伸之貫通孔732H。貫通孔732H係形成為可***氣體導入管733的一端部。於貫通孔732H***氣體導入管733的一端部，藉此第一環狀構件731的槽731G的內部空間與氣體導入管
733的內部空間係連通。
在此，假想複數個升降銷723的上端部位於比下部自轉夾具400的上端部還位於一定距離下方的高度之情形。該高度係相當於後述的高度L1(圖11)。在此狀態下，於第一環狀構件731的外周面形成有與複數個升降銷723的上端部分別對應之複數個噴射孔731H。各個噴射孔731H係形成為與對應的升降銷723的上端部相對向，並連通槽731G的內部空間與第一環狀構件731的外部空間。
於氣體導入管733的另一端部連接有未圖示的氣體供給系統。從氣體供給系統供給至氣體導入管733的氣體係通過第二環狀構件732的貫通孔732H以及第一環狀構件731的槽731G，從複數個噴射孔731H分別噴射至複數個升降銷723的上端部。以供給至氣體導入管733的氣體而言，能使用氮氣氣體等惰性氣體。
說明進行基板W的洗淨處理時的洗淨乾燥處理單元SD1的一連串的動作。圖11至圖18係用以說明洗淨乾燥處理單元SD1所為之基板W的洗淨處理之側視圖。在以下的說明中，將比下部自轉夾具400的上端部還位於一定距離下方的高度稱為高度L1。此外，將下部自轉夾具400與上部自轉夾具600之間的預定高度稱為高度L2。再者，將可藉由上部自轉夾具600保持基板W之高度稱為高度L3。
如圖11所示，在初始狀態中，防護罩710的上端部係位於比上部自轉夾具600還低且比下部自轉夾具400還高
的位置。此外，上部自轉夾具600的磁鐵板614係位於上方位置。在此情形中，磁鐵板614的磁力線B係在夾具銷615的磁鐵616的高度中從內側朝向外側。藉此，各個夾具銷615的磁鐵616的S極係被吸引至內側。因此，各個夾具銷615成為開狀態。再者，授受機構720的複數個升降銷723的上端部係保持於高度L1。
在基板W被搬入至洗淨乾燥處理單元SD1時，如圖11中的粗的一點鍊線的箭頭所示，複數個升降銷723係朝上方移動。如圖12所示，複數個升降銷723的上端部保持於高度L2。在此狀態下，藉由圖1的搬運機構141將基板W載置於複數個升降銷723上。
接著，如圖12中的粗的一點鍊線的箭頭所示，複數個升降銷723係朝下方移動。藉此，如圖13所示，基板W係從複數個升降銷723授予至吸附保持部430上。此時，基板W的中心係以在水平面內中與吸附保持部430的旋轉中心WC(圖6)一致之方式被定位。之後，基板W的背面中央部係被下部自轉夾具400保持，且基板W旋轉。授受機構720的複數個升降銷723的上端部係保持於高度L1。
接著，如圖13中的粗的一點鍊線的箭頭所示，第一背面洗淨機構510的刷子514係朝上方移動。此外，如圖13中的粗的虛線的箭頭所示，表面洗淨機構540的噴嘴544、545係從下部自轉夾具400的外部位置移動至基板W的上方的位置。
如圖14所示，刷子514的洗淨面514S係接觸至基板
W的背面周緣部。此時，以基於預定的洗淨條件之壓力將刷子514按壓至基板W的背面。此外，藉由電刷馬達513使刷子514旋轉。再者，從噴嘴515朝刷子514噴出洗淨液。藉此，基板W的背面周緣部的污染物質係被刷子514去除。此外，藉由洗淨液沖洗被刷子514去除的污染物質。因此，防止污染物質再次附著至基板W，並抑制刷子514的清淨度降低。
此時，刷子514的洗淨面514S的一部分係接觸至基板W的外周端部。藉此，無需另外設置刷子，能同時洗淨基板W的背面周緣部與外周端部。
此外，表面洗淨機構540的噴嘴544係被保持於基板W的中心的上方位置。在此狀態下，從噴嘴544對旋轉中的基板W的表面噴出洗淨液。藉此，洗淨基板W的表面。
當結束基板W的背面周緣部、基板W的外周端部以及基板W的表面之洗淨時，第一背面洗淨機構510係返回初始狀態。具體而言，在第一背面洗淨機構510中，停止電刷馬達513的旋轉，並停止從噴嘴515朝刷子514噴出洗淨液，刷子514係朝下方移動。
另一方面，在表面洗淨機構540中，停止從噴嘴544朝基板W噴出洗淨液，噴嘴545係被保持於基板W的中心的上方位置。在此狀態下，從噴嘴545將氣體噴出至基板W的表面。藉此，乾燥基板W的表面。
當基板W的背面及表面乾燥時，如圖14中的粗的虛線的箭頭所示，表面洗淨機構540的噴嘴544、545係從基
板W的上方位置移動至下部自轉夾具400的外部位置。此外，基板W停止旋轉。再者，在下部自轉夾具400中停止吸附基板W。
接著，如圖14中的粗的一點鍊線的箭頭所示，複數個升降銷723係朝上方移動。藉此，如圖15所示，基板W係從下部自轉夾具400的吸附保持部430被授予至複數個升降銷723上。之後，複數個升降銷723的上端部係被保持於高度L3。此時，基板W係位於上部自轉夾具600的複數個夾具銷615的保持部615c之間。
接著，如圖15中的粗的一點鍊線的箭頭所示，上部自轉夾具600的磁鐵板614係移動至下方位置。在此情形中，複數個夾具銷615的磁鐵616的N極係被吸引至內側。藉此，各個夾具銷615成為閉狀態，各個保持部615c係抵接至基板W的外周端部。藉此，如圖16所示，藉由複數個夾具銷615的保持部615c保持基板W的外周端部。
之後，如圖16中的粗的一點鍊線的箭頭所示，複數個升降銷723係朝下方移動。此外，如圖16中的粗的虛線的箭頭所需，防護罩710係朝上方移動。如圖17所示，複數個升降銷723的上端部係保持於高度L1。此外，防護罩710係移動至用以圍繞被上部自轉夾具600所保持的基板W之高度。在此狀態下，基板W係旋轉。
接著，如圖17中的粗的一點鍊線的箭頭所示，第二背面洗淨機構520的刷子524係移動至上方。如圖18所示，刷子524的洗淨面524S係接觸至基板W中之比背面周緣
部還內側的區域。此時，以基於預定洗淨條件的壓力將刷子524按壓至基板W的背面。此外，從噴嘴525將洗淨液噴出至刷子524。再者，如圖18中的粗的一點鍊線的箭頭所示，刷子524係在基板W的中心以及從基板W的外周端部相距一定距離內側的部分之間移動。藉此，藉由刷子524去除基板W中之比背面周緣部還內側的區域的污染物質。此外，藉由洗淨液沖洗被刷子524去除的污染物質。因此，防止污染物質再次附著至基板W，而抑制刷子524的清淨度的降低。
此時，被刷子524去除的污染物質以及供給至刷子524的洗淨液係落下至下部自轉夾具400的吸附保持部430上。因此，在本實施形態中，在藉由第二背面洗淨機構520洗淨基板W的背面之期間，吸附保持部430係旋轉。藉此，落下至吸附保持部430上的污染物質及洗淨液係藉由離心力而從吸附保持部430甩離。因此，抑制污染物質附著至吸附保持部430。
此外，如上所述，形成於吸附保持部430之複數個吸引路徑436(圖9)的各者係以從旋轉軸420的上端部朝斜上方傾斜並延伸之方式形成。藉此，即使落下至吸附保持部430上的污染物質及洗淨液作為異物進入至複數個吸引路徑436的開口437(圖10)，藉由吸附保持部430旋轉，該等異物亦會藉由離心力從複數個吸引路徑436排出。因此，防止異物進入至自轉馬達410的內部。
此外，在本實施形態中，在藉由第二背面洗淨機構520
洗淨基板W的背面之期間，從氣體噴射機構730的複數個噴射孔731H朝複數個升降銷723的上端部噴射氣體。藉此，落下至複數個升降銷723的上端部上的污染物質及洗淨液係被氣體吹走。因此，污染物質及洗淨液不會附著至複數個升降銷723的上端部。結果，在基板W被授受機構720支撐時，防止污染物質從複數個升降銷723的上端部轉移至基板W的背面。
此外，亦可在藉由第二背面洗淨機構520洗淨基板W的背面時，通過上部自轉夾具600的液體供給管610a將洗淨液供給至基板W上。在此情形中，洗淨基板W中之比背面周緣部還內側的區域以及基板W的表面。
當結束第二背面洗淨機構520對於基板W的背面洗淨時，第二背面洗淨機構520係返回初始狀態。此外，當基板W的背面乾燥時，停止上部自轉夾具600所為之基板W的旋轉。再者，停止吸附保持部430旋轉，且亦停止氣體噴射機構730所為之氣體的噴射動作。此外，以與上述相反的順序，被上部自轉夾具600所保持的基板W係被授予至授受機構720的複數個升降銷723上。最後，洗淨後的基板W係被圖1的搬運機構141承接，並從洗淨乾燥處理單元SD1搬出。
在洗淨乾燥處理單元SD1的下部自轉夾具400中，當污染物質附著至吸附保持部430的上表面時，在藉由下部自轉夾具400保持基板W時，污染物質係轉移至基板W
的背面中央部。因此，在本實施形態的基板處理裝置100中，例如每次在處理預定數量的基板W時或者在每個批量(lot)中洗淨吸附保持部430的上表面。
圖19係用以說明洗淨乾燥處理單元SD1中的吸附保持部430的洗淨處理之側視面。如圖19所示，於吸附保持部430的洗淨處理時，複數個升降銷723的上端部係保持於高度L1。此外，從氣體噴射機構730對複數個升降銷723的上端部噴射氣體。
再者，下部旋轉夾具400的吸附保持部430係旋轉。在此狀態下，自轉夾具洗淨機構530的刷子534的洗淨面534S係接觸至吸附保持部430的上表面。此時，以基於預定洗淨條件的壓力將刷子534按壓至吸附保持部430的上表面。此外，表面洗淨機構540的噴嘴544係以位於吸附保持部430的上方之方式移動。再者，以對吸附保持部430上的刷子534供給洗淨液之方式從噴嘴544噴出洗淨液。
在此狀態下，自轉夾具洗淨機構530的刷子534係在吸附保持部430的旋轉中心WC(圖6)與外周端部之間移動。藉此，附著至吸附保持部430的上表面之污染物質係被刷子534去除。因此，防止污染物質從吸附保持部430轉移至基板W的背面中央部。
此外，由於被去除的污染物質係被洗淨液沖洗，因此防止被去除的污染物質再次附著至吸附保持部430。藉此，提升洗淨後的吸附保持部430的清淨度。此外，抑制刷子534的清淨度降低。
此外，於吸附保持部430的洗淨時，亦可不使用刷子534。例如，亦可從表面洗淨機構540的噴嘴544對旋轉中的吸附保持部430的上表面噴出洗淨液，藉此洗淨吸附保持部430。在此情形中，亦藉由從噴嘴544所供給的洗淨液沖洗附著於吸附保持部430的上表面的污染物質。因此，抑制污染物質從吸附保持部430轉移至基板W的背面中央部。在此情形中，無需設置自轉夾具洗淨機構530。
圖20係顯示洗淨乾燥處理單元SD1中的基板W的保持位置與洗淨位置之間的關係之俯視圖。在圖20中，以粗的一點鍊線顯示被下部自轉夾具400的吸附保持部430吸附的基板W的表面中央部。此外，以內部為白色的箭頭顯示基板W的外周端部中被上部自轉夾具600的複數個夾具銷615抵接之部分。再者，以點圖案顯示被第一背面洗淨機構510的刷子514洗淨的背面周緣部的區域R1，並以陰影線顯示被第二背面洗淨機構520的刷子524洗淨之比背面周緣部還內側的區域R2。此外，在本實施形態中，區域R1的寬度D1係設定成例如10mm以上25mm以下。
此外，在圖20中，為了容易理解水平面內的各種構成要素的位置關係，係以虛線顯示第一背面洗淨機構510、第二背面洗淨機構520以及上部自轉夾具600的複數個夾具銷615。
如上所述，下部自轉夾具400的吸附保持部430係吸附基板W的背面中央部，藉此保持基板W。在此狀態下，
藉由第一背面洗淨機構510的刷子514洗淨藉由圖5的自轉馬達410而旋轉之基板W的背面周緣部的區域R1。在此情形中，如圖20所示，由於吸附保持部430所為之基板W的保持位置與刷子514所為之基板W的洗淨位置係離開，因此吸附保持部430與刷子514不會干擾。藉此，由於防止吸附保持部430與刷子514之間的干擾，因此無須變更基板W的保持位置。此外，亦不會產生保持位置的變更所造成的基板W的位置偏移。因此，能藉由刷子514均勻地洗淨基板W的背面周緣部的區域R1。
此外，上部自轉夾具600的複數個夾具銷615係抵接至基板W的外周端部，藉此保持基板W。在此狀態下，藉由第二背面洗淨機構520的刷子524洗淨藉由圖5的自轉馬達611而旋轉之基板W中之比背面周緣部還內側的區域R2。在此情形中，如圖20所示，由於複數個夾具銷615所為之基板W的保持位置與刷子524所為之基板W的洗淨位置係離開，因此複數個夾具銷615與刷子524不會干擾。藉此，由於防止複數個夾具銷615與刷子524之間的干擾，因此無須變更基板W的保持位置。此外，亦不會產生保持位置的變更所造成之基板W的位置偏移。因此，能藉由刷子524均勻地洗淨基板W中之比背面周緣部還內側的區域R2。
在下部自轉夾具400與上部自轉夾具600之間，藉由圖5的授受機構720進行基板W的授受。藉此，能藉由第一背面洗淨機構510的刷子514以及第二背面洗淨機構520
的刷子524均勻地洗淨基板W的背面整體。
(10-1)在上述實施形態中，雖然被第二背面洗淨機構520的刷子524洗淨的區域係設定成被第一背面洗淨機構510的刷子514洗淨之基板W的背面周緣部的內側，但本發明並未限定於此。被第二背面洗淨機構520的刷子524洗淨的區域只要包含有基板W中之比背面周緣部還內側的區域即可。因此，亦可設定成被第一背面洗淨機構510的刷子514洗淨之區域的一部分與被第二背面洗淨機構520的刷子524洗淨之區域的一部分係重疊。
(10-2)在上述實施形態所記載的基板的洗淨處理中，雖然在洗淨基板W的背面周緣部及外周端部後，再洗淨基板W的背面周緣部的內側的區域，但本發明並未限定於此。亦可因應基板W的洗淨條件，在洗淨基板W的背面周緣部的內側的區域後，再洗淨基板W的背面周緣部及外周端部。
(10-3)在上述實施形態中，雖然在基板W的背面周緣部的洗淨時對刷子514供給洗淨液，但本發明並未限定於此。亦可因應基板W的洗淨條件，在刷子514洗淨基板W時不對刷子514供給洗淨液。在此情形中，無需設置噴嘴515。
(10-4)在上述實施形態中，雖然在基板W中之比背面周緣部還內側的區域的洗淨時對刷子524供給洗淨液，但本發明並未限定於此。亦可因應基板W的洗淨條件，在刷
子524洗淨基板W時不對刷子524供給清洗液。在此情形中，無需設置噴嘴525。
(10-5)在上述實施形態中，雖然於基板W的背面周緣部的洗淨時刷子514藉由電刷馬達513而旋轉，但本發明並未限定於此。亦可因應基板W的洗淨條件，在基板W的背面周緣部的洗淨時不使刷子514旋轉。在此情形中，無需於第一背面洗淨機構510設置電刷馬達513。
(10-6)在上述實施形態中，雖然設定成在基板W的背面周緣部的洗淨時刷子514的一部分接觸至基板W的外周端部，藉此同時洗淨基板W的背面周緣部與外周端部，但本發明並未限定於此。除了刷子514之外，亦可設置用以僅洗淨基板W的外周端部之其他的刷子。
(10-7)在上述實施形態中，雖然個別地設置有用以洗淨基板W的背面周緣部及外周端部之刷子514以及用以洗淨基板W中之比背面周緣部還內側的區域之刷子524，但本發明並未限定於此。例如，亦可將第二背面洗淨機構520的刷子524兼用於基板W的背面周緣部與外周端部的洗淨以及基板W中之比背面周緣部還內側的區域的洗淨。在此情形中，能降低使用於基板W的洗淨之刷子的數量。
(10-8)在上述實施形態中，雖然為了將氣體噴射至複數個升降銷723的上端部而使用圓環狀的氣體噴射機構730，但本發明並未限定於上述例子。以用以將氣體噴射至複數個升降銷723的上端部之構成而言，例如亦可設置可分別將氣體噴射至複數個升降銷723的上端部之複數個氣
體噴射噴嘴。
(10-9)在上述實施形態中，雖然於自轉夾具洗淨機構530設置有用以將供給液供給至刷子534之噴嘴，但本發明並未限定於此。例如亦可於自轉夾具洗淨機構530的手臂533設置有可朝刷子534噴出洗淨液之噴嘴。
(10-10)在上述實施形態中，雖然在塗布處理室32、34中藉由塗布處理單元129於基板W上形成阻劑披膜，但本發明並未限定於上述例子。在塗布處理室21、23中形成具有耐水性的阻劑膜之情形中，亦可不在塗布處理室32、34中於基板W上形成阻劑披膜。此外，在未於基板W上形成有阻劑披膜之情形中，亦可在塗布處理室32、34中進行阻劑膜的形成處理或顯像處理等其他的處理。
以下，說明請求項的各個構成要素與實施形態的各個構成要素之間的對應的例子，但本發明並未限定於下述例子。
在上述實施形態中，下部自轉夾具400為第一基板保持裝置的例子，上部自轉夾具600為第二基板保持裝置的例子，授受機構720為授受機構的例子，第一背面洗淨機構510為第一洗淨機構的例子，第二背面洗淨機構520為第二洗淨機構的例子，吸附保持部430為吸附保持部的例子，自轉馬達410為第一旋轉驅動部的例子，第一背面洗淨機構510的刷子514為第一刷子的例子。
此外，自轉板612為旋轉構件的例子，自轉馬達611為第二旋轉驅動部的例子，複數個夾具銷615為抵接保持部的例子，第二背面洗淨機構520的刷子524為第二刷子的例子，基板處理裝置100為基板處理裝置的例子。
此外，第一背面洗淨機構510的噴嘴515為第一洗淨液供給部的例子，第二背面洗淨機構520的噴嘴525為第二洗淨液供給部的例子，控制部114為控制部的例子，旋轉軸420為旋轉軸的例子，複數個吸引路徑436為吸引路徑的例子。
此外，自轉夾具洗淨機構530為第三洗淨機構的例子，自轉夾具洗淨機構530的刷子534為第三刷子的例子，表面洗淨機構540為第四洗淨機構的例子，表面洗淨機構540的噴嘴544為第三洗淨液供給部的例子，複數個升降銷723為授受支撐部的例子，氣體噴射機構730為氣體噴射裝置的例子。
以請求項的各種構成要素而言，亦能使用具有請求項所記載的構成或功能之其他各種的構成要素。
本發明係能有效地利用於各種基板的處理。
Claims (8)
- 一種基板處理裝置，係具備有：第一基板保持裝置，係以第一高度保持基板；第二基板保持裝置，係設置於前述第一基板保持裝置的上方，並以比前述第一高度還高的第二高度保持基板；授受機構，係在前述第一基板保持裝置與前述第二基板保持裝置之間進行基板的授受；以及第一洗淨機構與第二洗淨機構，係洗淨基板的下表面；前述第一基板保持裝置係包含有：吸附保持部，係以可在鉛直軸的周圍旋轉之方式構成，並吸附基板的下表面中央部；以及第一旋轉驅動部，係使前述吸附保持部旋轉；前述第一洗淨機構係包含有：第一刷子，係洗淨在被前述吸附保持部保持的狀態下旋轉之基板的下表面周緣部；前述第二基板保持裝置係包含有：旋轉構件，係以可在前述鉛直軸的周圍旋轉之方式構成；第二旋轉驅動部，係使前述旋轉構件旋轉；以及複數個抵接保持部，係抵接至配置於前述旋轉構件的下方之基板的外周端部，藉此保持基板； 前述第二洗淨機構係包含有：第二刷子，係洗淨在被前述抵接保持部保持的狀態下旋轉之基板的下表面中之比前述下表面周緣部還內側的區域。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述第一洗淨機構係進一步包含有：第一洗淨液供給部，係在使用前述第一刷子洗淨前述下表面周緣部時，將洗淨液供給至前述第一刷子；前述第二洗淨機構係進一步包含有：第二洗淨液供給部，係在使用前述第二刷子洗淨比前述下表面周緣部還內側的區域時，將洗淨液供給至前述第二刷子。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：控制部，係控制前述第一基板保持裝置、前述第二基板保持裝置、前述第一洗淨機構、前述第二洗淨機構以及前述授受機構；前述控制部係以在基板的下表面被前述第二洗淨機構洗淨的期間旋轉前述吸附保持部之方式控制前述第一旋轉驅動部。
- 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述第一旋轉驅動部係包含有：中空的旋轉軸，係以朝上方延伸之方式設置；前述吸附保持部係具有吸引路徑，並安裝至前述旋轉軸的上端部； 前述吸引路徑係從前述旋轉軸的內部空間朝斜上方傾斜並延伸，且於前述吸附保持部的上表面呈開口。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：第三洗淨機構，係具有第三刷子，並藉由前述第三刷子洗淨前述吸附保持部的上表面。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：第四洗淨機構，係具有第三洗淨液供給部，並將洗淨液從前述第三洗淨液供給部供給至前述吸附保持部的上表面。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述授受機構係包含有：授受支撐部，係構成為在支撐基板的狀態下可在前述第一基板保持裝置與前述第二基板保持裝置之間於鉛直方向移動；前述授受支撐部係具有：上端部，係抵接至基板的前述下表面中央部與前述下表面周緣部之間的區域，藉此支撐基板；前述基板處理裝置係進一步具備有氣體噴射裝置，係在藉由前述第二洗淨機構洗淨基板的下表面的期間，在前述第二基板保持裝置的下方的位置將氣體噴射至前述授受支撐部的上端部。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述第一刷子係構成為可接觸至在被前述第一基板保持裝置 保持的狀態下旋轉之基板的外周端部，藉此洗淨前述外周端部。
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| EP3460578B1 (en) * | 2017-09-25 | 2022-10-26 | Glunz & Jensen A/S | System for processing flexographic printing plates |
| JP7055720B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2022-04-18 | 株式会社荏原製作所 | 基板回転装置、基板洗浄装置および基板処理装置ならびに基板回転装置の制御方法 |
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| JP7280787B2 (ja) * | 2019-09-20 | 2023-05-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP7291068B2 (ja) * | 2019-12-09 | 2023-06-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| JP7461842B2 (ja) | 2020-09-18 | 2024-04-04 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置 |
| TWI819992B (zh) * | 2020-09-18 | 2023-10-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板洗淨裝置及基板處理裝置 |
| TWI781763B (zh) * | 2020-09-18 | 2022-10-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 |
| JP2022051028A (ja) * | 2020-09-18 | 2022-03-31 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6257966B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-07-10 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer surface machining apparatus |
| JP2002001254A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-08 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 処理物回転処理装置 |
| US20090120472A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate cleaning and processing apparatus with magnetically controlled spin chuck holding pins |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4141180A (en) * | 1977-09-21 | 1979-02-27 | Kayex Corporation | Polishing apparatus |
| JPS63155622A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-28 | Nec Corp | 半導体基板洗浄装置 |
| JP3388628B2 (ja) | 1994-03-24 | 2003-03-24 | 東京応化工業株式会社 | 回転式薬液処理装置 |
| JPH07297159A (ja) | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
| JP2003282515A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2006269974A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8578953B2 (en) * | 2006-12-20 | 2013-11-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium |
| JP2010287686A (ja) | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及び基板の裏面洗浄方法。 |
| JP5583503B2 (ja) * | 2010-07-14 | 2014-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、およびこれを備える塗布現像装置 |
| JP5904169B2 (ja) * | 2013-07-23 | 2016-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び記憶媒体 |
-
2015
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6257966B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-07-10 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Wafer surface machining apparatus |
| JP2002001254A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-08 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 処理物回転処理装置 |
| US20090120472A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate cleaning and processing apparatus with magnetically controlled spin chuck holding pins |
Also Published As
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