KR102359530B1 - 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판을 액 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 기판 처리 방법은 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 처리액을 공급하는 기판 처리 단계 및 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상기 처리액이 회수되는 회수 공간이 형성되는 회수 컵을 세정 처리하는 용기 세정 단계를 포함하되, 상기 용기 세정 단계에는 세정 노즐이 상기 기판에 세정액을 공급하고, 상기 기판으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 세정 처리한다. 이에 따라 처리 용기의 교체 및 탈착없이 세정 처리 공정을 수행할 수 있다.

Description

기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법 {Method and Apparatus for treating substrate, and Method for cleaning cup}

본 발명은 기판을 액 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조 공정은 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정들은 기판 상에 처리액을 공급하여 기판을 액 처리하는 공정을 수행한다.

이 중 사진 공정는 도포 단계, 노광 단계, 그리고 현상 단계를 포함한다. 도포 단계는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포 공정으로, 사용된 감광액의 일부는 처리 용기를 통해 회수된다. 도 1은 일반적인 기판 도포 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 일반적으로 기판 도포 장치는 기판 지지 유닛(2), 처리 용기(4), 그리고 노즐(6)을 포함한다. 기판 지지 유닛(2)은 기판을 지지 및 회전시키고, 처리 용기(4)는 기판 지지 유닛(6)을 감싸도록 제공된다. 기판 상에는 감광액이 공급되고, 사용된 처리액은 처리 용기(4)의 회수 공간을 통해 회수된다. 감광액은 점성을 가지는 케미칼로서, 회수되는 과정에서 처리 용기에 부착된다. 이로 인해 기판의 도포 공정이 수행된 후에는 처리 용기(4)를 세정 처리하기 위한 세정 공정이 수행되어야 한다.

이러한 세정 공정은 기판 도포 장치로부터 처리 용기를 탈착하여 작업자가 물리적으로 세정 처리해야 하며, 많은 시간이 소모된다. 또한 다량의 감광액에 의해 처리 용기가 오염되는 경우에는 그 처리 용기(4)를 교체해야 한다.

한국 공개 특허 공보 제2012-0004921호

본 발명은 기판 도포 공정을 신속하게 수행할 수 있는 방법 및 장치를 제공하고자 한다.

또한 본 발명은 처리 용기를 용이하게 세정 처리할 수 있는 방법 및 장치를 제공하고자 한다.

또한 본 발명은 처리 용기의 수명을 연장시킬 수 있는 방법 및 장치를 제공하고자 한다.

본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 기판 처리 방법은 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 처리액을 공급하는 기판 처리 단계 및 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상기 처리액이 회수되는 회수 공간이 형성되는 회수 컵을 세정 처리하는 용기 세정 단계를 포함하되, 상기 용기 세정 단계에는 세정 노즐이 상기 기판에 세정액을 공급하고, 상기 기판으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 세정 처리한다.

상기 용기 세정 단계는 상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 기판을 제1속도로 회전시키는 상부면 세정 단계 및 상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 기판을 상기 제1속도와 상이한 제2속도로 회전시키는 하부면 세정 단계를 포함하되, 상기 제2속도는 상기 제1속도에 비해 저속으로 제공될 수 있다.

이와 달리, 상기 용기 세정 단계는 상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 세정액을 제1유량으로 공급하는 상부면 세정 단계 및 상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 세정액을 상기 제1유량과 상이한 제2유량으로 공급하는 하부면 세정 단계를 포함하되, 상기 제2유량은 상기 제1유량에 비해 적게 제공될 수 있다.

또한 상기 용기 세정 단계는 상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 세정액을 제1유량으로 공급하는 상부면 세정 단계 및 상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 세정액을 상기 제1유량과 상이한 제2유량으로 공급하는 하부면 세정 단계를 포함하되, 상기 상부면 및 상기 하부면 각각은 상부면 세정 단계 및 상기 하부면 세정 단계 각각에서 그 높이가 상이하게 위치될 수 있다.

상기 처리액은 감광액을 포함하고, 상기 세정액은 상기 감광액을 희석시키는 솔벤트를 포함할 수 있다. 상기 세정 노즐은 상기 기판의 저면으로 상기 세정액을 공급할 수 있다.

기판 처리 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 처리액이 회수되는 회수 공간이 형성되는 회수컵을 가지는 처리 용기, 세정액을 공급하여 상기 회수 공간에 잔류된 처리액을 세정 처리하는 세정 노즐을 가지는 용기 세정 유닛, 그리고 상기 기판 지지 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 회수컵을 세정 처리 시 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 세정 처리한다.

상기 회수컵은 상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상단이 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 높게 위치되는 중간링 및 상기 중간 링의 아래에 위치되는 내측링을 포함할 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은 상기 기판이 놓이는 지지 플레이트, 상기 지지 플레이트를 지지하는 회전축, 그리고 상기 회전축을 회전시키는 구동기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 구동기를 제어하여 상기 지지 플레이트의 회전 속도를 조절할 수 있다.

기판에 공급된 처리액을 회수하는 처리 용기를 세정 처리하는 방법은 세정 노즐이 상기 기판에 세정액을 공급하고, 상기 기판으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 처리액이 회수되는 회수 공간을 세정 처리하되, 상기 세정액은 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 순차적으로 세정 처리한다.

상기 상부면을 세정 처리 시에는 상기 기판을 제1속도로 회전시키고, 상기 하부면을 세정 처리 시에는 상기 기판을 제2속도로 회전시키되, 상기 제2속도는 상기 제1속도에 비해 저속으로 제공될 수 있다. 상기 세정 노즐은 상기 기판의 저면으로 상기 세정액을 공급할 수 있다.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판의 저면으로 세정액을 공급하고, 이로부터 비산된 세정액을 통해 처리 용기를 세정 처리한다. 이에 따라 처리 용기의 교체 및 탈착없이 세정 처리 공정을 수행할 수 있다.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판 처리 공정 직후에 처리 용기의 세정 공정이 진행된다. 이로 인해 처리 용기에 감광액이 고착되기 전에 세정 처리하여 그 감광액을 보다 용이하게 세정 처리할 수 있다.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 주기적인 처리 용기의 세정 공정을 통해 처리 용기의 수명을 연장시킬 수 있다.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 기판 처리 설비를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 단면도이다.
도 6은 도 2의 도포 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 도 6의 용기 세정 유닛을 이용하여 처리 용기를 세정 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.

이하 도 2 내지 도 9를 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.

도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다. 기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정이 수행된다. 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 액 공급 유닛(840), 처리 용기(850), 승강 유닛(870), 용기 세정 유닛(880), 그리고 제어기(890)을 포함한다.

하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.

기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.

기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 지지 플레이트(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 지지 플레이트(832)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 지지 플레이트(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 지지 플레이트(832)는 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 지지 플레이트(832)는 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판(W)은 그 중심축이 지지 플레이트(832)의 중심축과 일치되도록 위치될 수 있다. 선택적으로, 지지 플레이트(832)는 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 지지 플레이트(832)는 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. 회전축(834)은 지지 플레이트(832)의 아래에서 지지 플레이트(832)를 지지한다. 회전축(834)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 모터일 수 있다.

액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 린스액 및 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 린스 노즐(842) 및 처리 노즐(844)을 포함한다. 린스 노즐(842)은 린스액 공급 라인(843)으로부터 린스액을 공급받고, 처리 노즐(844)은 처리액 공급 라인(845)으로부터 처리액을 공급받는다. 린스 노즐(842)은 기판(W) 상에 린스액을 공급하고, 처리 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 린스액은 처리액을 희석시키는 액일 수 있다. 린스액은 솔벤트와 같은 용제이고, 처리액은 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 린스 노즐(842)은 중앙 위치 및 가장자리 위치에서 린스액을 공급하고, 처리 노즐(844)은 중앙 위치에서 처리액을 공급한다. 여기서 중앙 위치는 각 노즐(842,844)이 기판(W)의 중앙 영역에 대향되는 위치이고, 가장자리 위치는 린스 노즐(842)이 기판(W)의 가장자리 영역에 대향되는 위치이다.

처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 회수 컵(860) 및 외측 컵(852)을 포함한다. 회수 컵(860)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸도록 제공되며, 회수 공간(868)을 형성한다. 회수 공간(868)은 액 도포 공정에 사용된 처리액이 회수되는 공간으로 제공된다. 공간으로 제공된다. 외측 컵(852)은 회수 컵(860)을 감싸도록 제공된다. 회수 컵(860)과 외측 컵(852) 간에 사이 공간(859)은 하강 기류가 유입되는 공간으로 제공된다.

회수 컵(860)은 내측 링(862) 및 중간 링(864)을 포함한다. 내측 링(862)은 처리액이 외측 컵(852)에 형성된 회수 라인(855)으로 회수되도록 처리액의 회수 방향을 안내한다. 내측 링(862)은 회수되는 처리액이 내측 배기구에 유입되는 것을 방지한다. 내측 링(862)은 회전축을 감싸는 중공의 원판 형상으로 제공된다. 내측 링(862)의 상면은 라운드지게 제공된다. 내측 링(862)의 상면은 내측 영역과 외측 영역 각각이 서로 상이한 경사각을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 링(862)의 상면 외측 영역은 회전축으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공되고, 상면 내측 영역은 회전축으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 내측 링(862)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판의 측단부와 상하로 대응될 수 있다. 따라서 내측 링(862)의 외측 영역은 액 도포 공정에 사용된 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다.

중간 링(864)은 외측 컵(852)의 내측면으로부터 상향 경사진 방향을 향하도록 연장된다. 중간 링(864)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛에 가까워진다. 중간 링(864)의 상단은 기판 지지 유닛에 놓인 기판보다 높게 위치된다. 중간 링(864)은 내측 링(862)의 위에 위치된다. 중간 링(864)은 내측 링(862)의 외측 영역과 대향되게 위치된다. 상술한 회수 공간(868)은 중간 링(864)의 저면과 내측 링(862)의 상면 외측 영역에 의해 형성된다. 중간 링(864)에는 복수의 유입홀들(866)이 형성된다. 유입홀들(866)은 중간 링(864)의 원주 방향을 따라 배열된다. 유입홀들(866)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 형성된다. 따라서 외측 컵(852)과 중간 링(864) 간에 사이 공간(859)으로 유입된 기류는 유입홀(866)을 통해 내측 배기구로 배기된다.

외측 컵(852)은 기판 지지 유닛(830) 및 회수 컵(860)을 감싸는 컵 형상으로 제공된다. 외측 컵(852)은 바닥부(854), 측면부(856), 그리고 상면부(858)를 포함한다. 바닥부(854)는 중공을 가지는 원판 형상으로 제공된다. 바닥부(854)에는 회수 라인(855)이 형성된다. 회수 라인(855)은 회수 공간(868)을 통해 회수된 처리액 및 린스액을 외부의 액 재생 시스템(미도시)으로 제공한다. 측면부(856)는 중공을 가지는 원통 형상으로 제공된다. 측면부(856)는 바닥부(854)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측면부(856)는 바닥부(854)로부터 위로 연장된다. 상면부(858)는 측면부(856)의 상단으로부터 연장된다. 상면부(858)는 기판 지지 유닛(830)에 가까워질수록 상향 경사진 방향을 향한다.

승강 유닛(890)은 기판 지지 유닛(830)과 처리 용기(850) 간에 상대 높이를 조절한다. 승강 유닛(890)은 처리 용기(850)를 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 브라켓(872), 이동축(874), 그리고 구동 부재(876)를 포함한다. 브라켓(872)은 외측 컵(852)의 측면부(856)에 고정 결합된다. 이동축(874)은 브라켓(872)을 지지한다. 이동축(874)은 그 길이 방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 구동 부재(876)는 이동축(874)을 상하 방향으로 이동시킨다. 이에 따라 브라켓(872)과 처리 용기(850)는 상하 방향으로 이동 가능하다.

용기 세정 유닛(880)은 처리 용기(850)를 세정 처리한다. 용기 세정 유닛(880)은 기판으로 세정액을 공급하고, 기판(W)으로부터 비산되는 세정액을 이용하여 회수 공간(868)을 세정 처리 한다. 용기 세정 유닛(880)은 세정 노즐(882) 및 세정액 공급 라인(884)을 포함한다. 세정 노즐(882)은 복수 개로 제공된다. 세정 노즐(882)들은 기판 지지 유닛(830)을 감싸도록 위치된다. 각각의 세정 노즐(882)은 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 세정 노즐(882)은 기판 지지 유닛(830)에 놓인 기판(W)보다 아래에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 세정 노즐(882)은 기판(W)과 대향되게 위치된다. 세정 노즐(882)의 토출구는 위를 향하도록 제공된다. 세정 노즐(882)의 토출구는 수직 방향에 대해 평행한 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 세정 노즐(882)은 기판(W)의 가장자리 영역에 대향되게 위치될 수 있다. 세정 노즐(882)은 내측 배기구(814)의 상단에 고정 결합될 수 있다. 선택적으로 세정 노즐(882)의 토출구는 상향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 세정 노즐(882)의 토출구는 기판 지지 유닛(830)의 회전축(834)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하게 제공될 수 있다.

세정액 공급 라인(884)은 린스액 공급 라인(843)으로부터 분기되는 분기 라인으로 제공된다. 따라서 세정액은 린스액으로 제공된다. 세정액은 솔벤트와 같이 감광액을 희석시키는 용제로 제공될 수 있다. 선택적으로 세정액 공급 라인(884)은 린스액 공급 라인과 독립된 별도의 라인으로 제공될 수 있다.

제어기(890)는 세정액이 회수 공간(868)의 상부면 및 하부면 각각에 공급되도록 기판 지지 유닛(830)의 구동기(36)를 제어한다. 즉 세정액은 회수 공간(868)의 상부면에 해당되는 중간 링(864)의 저면과 회수 공간(868)의 하부면에 해당되는 내측 링(862)의 상면에 각각 공급된다. 제어기(890)는 기판의 회전 속도를 조절하여 비산되는 세정액의 탄착점을 제어한다. 제어기(890)는 세정액이 중간 링(864)의 저면에 공급되도록 기판(W)의 회전속도를 제1속도로 조절한다. 또한 제어기(890)는 세정액이 내측 링(862)의 상면에 공급되도록 기판(W)의 회전속도를 제2속도로 조절한다. 일 예에 의하면, 제2속도는 제1속도에 비해 저속으로 제공될 수 있다. 제1속도는 260 알피엠(RPM)이고, 제2속도는 65 알피엠(RPM)일 수 있다.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다. 기판 처리 과정은 크게 기판 처리 단계 및 용기 세정 단계를 구분된다. 기판 처리 단계는 기판(W) 상에 처리액을 도포하는 단계이고, 용기 세정 단계는 처리 용기에 잔류된 처리액을 세정 처리하는 단계이다.

기판 처리 단계가 진행되면, 기판(W)은 기판 지지 유닛(830)에 의해 회전된다. 린스 노즐(842)은 중앙 위치에서 기판(W) 상에 린스액을 공급한다. 기판(W)의 상면이 린스액이 의해 젖힘 상태가 되면, 린스 노즐(842)은 대기 위치로 이동된다. 처리 노즐(844)은 중앙 위치로 이동되어 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 기판(W)의 처리액 도포 공정이 완료되면, 처리 용기(850)의 세정 공정이 수행된다.

용기 세정 단계는 상부면 세정 단계 및 하부면 세정 단계를 포함한다. 상부면 세정 단계 및 하부면 세정 단계는 순차적으로 진행된다. 상부면 세정 단계가 진행되면, 린스 노즐(842) 및 처리 노즐(844)로부터 공급되는 린스액 및 처리액이 중단된다. 기판(W)은 제1속도로 회전되고, 세정 노즐(882)은 기판(W)의 저면 가장자리 영역으로 세정액을 공급한다. 기판(W)으로부터 비산된 세정액은 회수 공간(868)의 상부면인 중간 링(864)의 저면으로 공급되고, 세정액은 중간 링(864)에 잔류된 처리액을 제거한다. 이후 하부면 세정 단계가 진행되면, 기판(W)은 제2속도로 회전된다. 세정 노즐(882)은 기판(W)의 저면 가장자리 영역으로 세정액을 공급한다. 기판으로부터 비산된 세정액은 회수 공간(868)의 하부면인 내측 링(862)의 상면으로 공급되고, 세정액은 내측 링(862)에 잔류된 처리액을 제거한다.

본 실시예에는 기판(W)의 회전 속도를 조절하여 기판(W)으로부터 비산되는 세정액의 탄착점을 제어한다. 이에 따라 처리 용기의 탈착없이 처리 용기(850)를 세정 처리할 수 있다.

상술한 실시예에서 용기 세정 단계는 상부면 세정 단계 및 하부면 세정 단계가 순차적으로 진행되는 것으로 설명하였다. 그러나 용기 세정 단계는 하부면 세정 단계 및 상부면 세정 단계가 순차적으로 진행될 수 있다.

다음은 세정액의 탄착점을 조절하는 다른 실시예를 설명한다. 용기 세정 유닛(880)은 유량 조절 밸브(886)를 더 포함할 수 있다. 유량 조절 밸브(886)는 세정액 공급 라인(884)에 설치될 수 있다. 유량 조절 밸브(886)는 세정액의 토출 유량을 조절할 수 있다. 제어기(890)는 유량 조절 밸브(886)를 제어하여 세정액의 탄착점을 조절할 수 있다. 제어기(890)는 세정액이 중간 링(864)에 공급되도록 세정액의 토출 유량을 제1유량으로 조절할 수 있다. 제어기(890)는 세정액이 내측 링(862)에 공급되도록 세정액의 토출 유량을 제2유량으로 조절할 수 있다. 제2유량은 제1유량에 비해 적은 유량으로 제공될 수 있다.

세정액의 탄착점을 조절하는 또 다른 실시예에 의하면, 제어기(890)는 승강 유닛을 제어하여 비산되는 세정액의 탄착점을 조절할 수 있다. 제어기(890)는 세정액이 중간 링(864)에 공급되도록 처리 용기(850)를 제1높이로 조절할 수 있다. 이와 달리, 제어기(890)는 세정액이 내측 링(862)에 공급되도록 처리 용기(850)를 제2높이로 조절할 수 있다. 제2높이에 위치된 처리 용기(850)는 제1높이에 위치된 처리 용기(850)에 비해 높게 위치될 수 있다.

또한 상술한 본 실시예에는 세정 노즐(882)이 복수 개로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 세정 노즐(882)은 1 개로 제공될 수 있다. 세정 노즐(882)은 환형의 링 형상으로 제공되며, 상면에 복수의 토출구들이 형성될 수 있다. 각각의 토출구는 세정 노즐(882)의 원주 방향을 따라 형성될 수 있다.

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하여 웨이퍼(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 웨이퍼(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.

현상 모듈(402)은 웨이퍼(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 웨이퍼(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.

현상 챔버(460)는 용기(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 용기(461)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 용기(461) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 웨이퍼(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.

베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)를 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.

제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 웨이퍼(W)가 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.

제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 웨이퍼들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 웨이퍼들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 웨이퍼들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.

노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 웨이퍼(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 웨이퍼(W)를 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.

노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.

반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.

보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 웨이퍼(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 웨이퍼(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 웨이퍼(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.

베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 웨이퍼(W)를 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.

후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.

반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.

세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 웨이퍼(W)가 회전되는 동안 노즐(663)은 웨이퍼(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.

노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 웨이퍼(W)를 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 웨이퍼(W)를 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.

상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.

인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 웨이퍼(W)를 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.

제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 웨이퍼(W)가 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 웨이퍼(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.

다음에는 상술한 기판 처리 설비(1)를 이용하여 공정을 수행하는 일 예를 설명한다.

웨이퍼들(W)이 수납된 카세트(20)는 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인다. 도어 오프너에 의해 카세트(20)의 도어가 개방된다. 인덱스 로봇(220)은 카세트(20)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼(330)로 운반한다.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330)에 보관된 웨이퍼(W)를 제 1 버퍼(320)로 운반한다. 도포부 로봇(432)은 제 1 버퍼(320)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 도포 모듈(401)의 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 프리 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 레지스트 도포 챔버(410)로 운반한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 이후 웨이퍼(W) 상에 포토 레지스트가 도포되면, 도포부 로봇(432)은 웨이퍼(W)를 레지스트 도포 챔버(410)로부터 베이크 챔버(420)로 운반한다. 베이크 챔버(420)는 웨이퍼(W)에 대해 소프트 베이크 공정을 수행한다.

도포부 로봇(432)은 베이크 챔버(420)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)로 운반한다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 웨이퍼(W)에 대해 냉각 공정이 수행된다. 제 1 냉각 챔버(530)에서 공정이 수행된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 에지 노광 챔버(550)로 운반된다. 에지 노광 챔버(550)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역을 노광하는 공정을 수행한다. 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 제 2 버퍼 로봇(560)에 의해 버퍼(520)로 운반된다.

전처리 로봇(632)은 버퍼(520)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 전처리 모듈(601)의 보호막 도포 챔버(610)로 운반한다. 보호막 도포 챔버(610)는 웨이퍼(W) 상에 보호막을 도포한다. 이후 전처리 로봇(632)은 웨이퍼(W)를 보호막 도포 챔버(610)로부터 베이크 챔버(620)로 운반한다. 베이크 챔버(620)는 웨이퍼(W)에 대해 가열 및 냉각 등과 같은 열처리를 수행한다.

전처리 로봇(632)은 베이크 챔버(620)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720)로 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720)로부터 처리 모듈(800)의 반전 유닛(840)으로 웨이퍼를 운반한다. 반전 유닛(840)은 웨이퍼의 제 1 면(패턴 면)이 아래 방향을 향하도록 웨이퍼를 반전시킨다. 반전된 웨이퍼는 스핀 척(810) 상에 로딩되고, 로딩된 웨이퍼는 핀 부재들(811a, 811b)에 의해 척킹된다.

스핀 척(810)의 지지판(812) 형성된 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 질소 가스와 같은 불활성 가스가 분사되고, 이후 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면으로 탈이온수와 같은 린스액이 분사된다. 린스액은 가스와 함께 분사 홀들(852)을 통해 웨이퍼의 제 1 면에 분사될 수도 있다. 웨이퍼의 제 1 면으로의 가스 및/또는 린스액의 분사시, 스핀 척(810)은 회전될 수 있으며, 이와 달리 회전되지 않을 수도 있다. 그리고, 린스액 분사 유닛(860)은 웨이퍼의 제 2 면에 린스액을 분사한다.

이후 웨이퍼는 인터페이스 로봇(740)에 의해 처리 모듈(800)로부터 제 1 버퍼(720)로 운반된 후, 제 1 버퍼(720)로부터 노광 장치(900)로 운반된다. 노광 장치(900)는 웨이퍼의 제 1 면에 대해 노광 공정, 예를 들어 액침 노광 공정을 수행한다. 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)에 대해 노광 공정이 완료되면, 인터페이스 로봇(740)은 노광 장치(900)에서 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼(730)로 운반한다.

후처리 로봇(682)은 제 2 버퍼(730)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 후처리 모듈(602)의 세정 챔버(660)로 운반한다. 세정 챔버(660)는 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급하여 세정 공정을 수행한다. 세정액을 이용한 웨이퍼(W)의 세정이 완료되면 후처리 로봇(682)은 곧바로 세정 챔버(660)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 노광 후 베이크 챔버(670)로 웨이퍼(W)를 운반한다. 노광 후 베이크 챔버(670)의 가열 플레이트(672)에서 웨이퍼(W)의 가열에 의해 웨이퍼(W) 상에 부착된 세정액이 제거되고, 이와 동시에 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화가 완성된다. 후처리 로봇(682)은 노광 후 베이크 챔버(670)로부터 웨이퍼(W)를 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)로 운반한다. 제 2 냉각 챔버(540)에서 웨이퍼(W)의 냉각이 수행된다.

현상부 로봇(482)은 제 2 냉각 챔버(540)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 모듈(402)의 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 포스트 베이크 및 냉각 공정을 순차적으로 수행한다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어 현상 챔버(460)로 운반한다. 현상 챔버(460)는 웨이퍼(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. 이후 현상부 로봇(482)은 웨이퍼(W)를 현상 챔버(460)로부터 베이크 챔버(470)로 운반한다. 베이크 챔버(470)는 웨이퍼(W)에 대해 하드 베이크 공정을 수행한다.

현상부 로봇(482)은 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내어 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)로 운반한다. 냉각 챔버(350)는 웨이퍼(W)를 냉각하는 공정을 수행한다. 인덱스 로봇(360)은 냉각 챔버(350)부터 웨이퍼(W)를 카세트(20)로 운반한다. 이와 달리, 현상부 로봇(482)는 베이크 챔버(470)에서 웨이퍼(W)를 꺼내 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)으로 운반하고, 이후 인덱스 로봇(360)에 의 카세트(20)로 운반될 수 있다.

본 실시예의 용기 세정 방법은 감광액과 같은 처리액을 세정 처리하는 방법으로 설명하였다. 그러나 본 실시예의 용기 세정 방법은 이에 한정되지 않으며, 액을 사용하고, 사용된 액을 회수하는 처리 용기(850)라면 다양하게 적용 가능하다.

830: 기판 지지 유닛 840: 액 공급 유닛
850: 처리 용기 860: 회수컵
868: 회수 공간 870: 승강 유닛
880: 용기 세정 유닛 882: 세정 노즐
890: 제어기

Claims (12)

1. 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 처리액을 공급하는 기판 처리 단계와;
   상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상기 처리액이 회수되는 회수 공간이 형성되는 회수 컵을 세정 처리하는 용기 세정 단계를 포함하되,
   상기 용기 세정 단계에는 세정 노즐이 상기 기판의 저면에 세정액을 공급하고, 상기 기판으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 세정 처리하고,
   상기 비산된 세정액의 탄착 위치는 상기 기판의 회전 속도의 조절을 통해 이루어지는 기판 처리 방법.
2. 제1항에 있어서,
   상기 용기 세정 단계는,
   상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 기판을 제1속도로 회전시키는 상부면 세정 단계와;
   상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 기판을 상기 제1속도와 상이한 제2속도로 회전시키는 하부면 세정 단계를 포함하되,
   상기 제2속도는 상기 제1속도에 비해 저속으로 제공되는 기판 처리 방법.
3. 제1항에 있어서,
   상기 용기 세정 단계는,
   상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 세정액을 제1유량으로 공급하는 상부면 세정 단계와;
   상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 세정액을 상기 제1유량과 상이한 제2유량으로 공급하는 하부면 세정 단계를 포함하되,
   상기 제2유량은 상기 제1유량에 비해 적게 제공되는 기판 처리 방법.
4. 제1항에 있어서,
   상기 용기 세정 단계는,
   상기 세정액이 상기 상부면에 공급되도록 상기 세정액을 제1유량으로 공급하는 상부면 세정 단계와;
   상기 세정액이 상기 하부면에 공급되도록 상기 세정액을 상기 제1유량과 상이한 제2유량으로 공급하는 하부면 세정 단계를 포함하되,
   상기 상부면 및 상기 하부면 각각은 상부면 세정 단계 및 상기 하부면 세정 단계 각각에서 그 높이가 상이하게 위치되는 기판 처리 방법.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 처리액은 감광액을 포함하고,
   상기 세정액은 상기 감광액을 희석시키는 솔벤트를 포함하는 기판 처리 방법.
6. 삭제
7. 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛과;
   상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과;
   상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 처리액이 회수되는 회수 공간이 형성되는 회수컵을 가지는 처리 용기와;
   세정액을 공급하여 상기 회수 공간에 잔류된 처리액을 세정 처리하는 세정 노즐을 가지는 용기 세정 유닛과;
   상기 기판 지지 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
   상기 세정 노즐의 토출구는 상기 기판의 저면을 향하고,
   상기 제어기는 상기 회수컵을 세정 처리 시 상기 기판 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 저면으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 세정 처리하고,
   상기 제어기는 상기 기판의 회전 속도를 조절하여 상기 비산된 세정액의 탄착 위치를 조절하는 기판 처리 장치.
8. 제7항에 있어서,
   상기 회수컵은,
   상기 기판 지지 유닛을 감싸며, 상단이 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판보다 높게 위치되는 중간링과;
   상기 중간 링의 아래에 위치되는 내측링을 포함하는 기판 처리 장치.
9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
   상기 기판 지지 유닛은,
   상기 기판이 놓이는 지지 플레이트와;
   상기 지지 플레이트를 지지하는 회전축과;
   상기 회전축을 회전시키는 구동기를 포함하되,
   상기 제어기는 상기 구동기를 제어하여 상기 지지 플레이트의 회전 속도를 조절하는 기판 처리 장치.
10. 기판에 공급된 처리액을 회수하는 처리 용기를 세정 처리하는 방법에 있어서,
    세정 노즐이 상기 기판의 저면으로 세정액을 공급하고, 상기 기판의 저면으로부터 비산된 세정액을 이용하여 상기 처리액이 회수되는 회수 공간을 세정 처리하되,
    상기 세정액은 상기 회수 공간의 상부면 및 하부면 각각을 순차적으로 세정 처리하고,
    상기 비산된 세정액의 탄착 위치는 상기 기판의 회전 속도의 조절을 통해 이루어지는 용기 세정 방법.
11. 제10항에 있어서,
    상기 상부면을 세정 처리 시에는 상기 기판을 제1속도로 회전시키고,
    상기 하부면을 세정 처리 시에는 상기 기판을 제2속도로 회전시키되,
    상기 제2속도는 상기 제1속도에 비해 저속으로 제공되는 용기 세정 방법.
12. 삭제

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