JP7280787B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
スピンチャック(21)は、基板(W)の裏面中央部を吸着保持する。
基板を処理する処理ユニットと、
前記処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構を制御する制御部と、
を備え、
前記処理ユニットは、
第1処理ユニットと、
第2処理ユニットと、
を備え、
前記第1処理ユニットは、
基板を保持する第1基板保持部と、
前記第1基板保持部を回転する第1回転駆動部と、
を備え、
前記第1基板保持部は、
第1プレートと、
前記第1プレートの上面から上方に突出し、基板の下面および基板の端縁の少なくともいずれかと接触し、前記第1プレートの上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
前記第1プレートの上面に形成され、前記第1プレートの上面と、前記支持部に支持される基板の下面との間に気体を吹き出し、基板を下方に吸引する気体吹出口と、
を備え、
前記第2処理ユニットは、
基板を保持する第2基板保持部と、
前記第2基板保持部を回転する第2回転駆動部と、
を備え、
前記第2基板保持部は、
第2プレートと、
前記第2プレートに取り付けられ、前記第2回転駆動部が前記第2基板保持部を回転するときに基板の端縁と接触する端縁接触部と、
を備え、
前記制御部は、基板の形状に応じて、基板を処理する前記処理ユニットを、前記第1処理ユニットおよび前記第2処理ユニットのいずれか1つに決定し、決定された前記処理ユニットに、前記搬送機構によって基板を搬送させる
基板処理装置である。
前記第2回転駆動部が前記第2基板保持部を回転するとき、前記端縁接触部は、前記端縁接触部に対して基板が滑らないように、基板を保持することが好ましい。
第2基板保持部が回転するときであっても、第2基板保持部は基板を好適に保持できる。よって、第2処理ユニットは、基板を適切に処理できる。
前記制御部は、基板の周縁部の内側に位置する基板の主部の厚みに応じて、基板を処理する前記処理ユニットを、前記第1処理ユニットおよび前記第2処理ユニットのいずれか1つに決定することが好ましい。
基板処理装置は、基板の主部の厚みに関わらず、基板を適切に処理できる。
前記制御部は、基板の前記主部が第1厚みを有する基板を前記第1処理ユニットに搬送させ、基板の前記主部が前記第1厚みよりも大きな第2厚みを有する基板を前記第2処理ユニットに搬送させることが好ましい。
基板処理装置は、基板の主部の厚みに関わらず、基板を適切に処理できる。
基板は、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部を有し、かつ、ガラス製の保護プレートを有しない第1基板と、
前記凹部を有しない第2基板と、
を含み、
前記制御部は、前記第1基板を処理する前記処理ユニットを前記第1処理ユニットに決定し、前記第1基板を前記第1処理ユニットに搬送させ、前記第2基板を処理する前記処理ユニットを前記第2処理ユニットに決定し、前記第2基板を前記第2処理ユニットに搬送させることが好ましい。
基板処理装置は、第1基板および第2基板の両方を適切に処理できる。
基板は、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部を有し、かつ、ガラス製の保護プレートを有しない第1基板と、
前記凹部を有し、かつ、ガラス製の保護プレートを有しない第3基板と、
を含み、
前記制御部は、前記第1基板を処理する前記処理ユニットを前記第1処理ユニットに決定し、前記第1基板を前記第1処理ユニットに搬送させ、前記第3基板を処理する前記処理ユニットを前記第2処理ユニットに決定し、前記第3基板を前記第2処理ユニットに搬送させることが好ましい。
基板処理装置は、第1基板および第3基板の両方を適切に処理できる。
図1は、実施形態の基板処理装置の平面図である。基板処理装置1は、基板(例えば、半導体ウエハ)Wに処理を行う。
図3は、基板Wの平面図である。基板Wの基本的な形状を説明する。基板Wは、薄い平板形状を有する。基板Wは、平面視で略円形状を有する。基板Wは、周縁部12と主部13を有する。主部13は、周縁部12の内側に位置する基板Wの部分である。半導体デバイスは、主部13に形成される。図3は、便宜上、周縁部12と主部13の境界を破線で示す。
図6は、キャリアCの正面図である。キャリアCは、容器21と複数の棚22を備える。棚22は、容器21の内部に設置される。棚22は、上下方向Zに並ぶように配置される。上下方向Zに隣り合う2つの棚22は、互いに近接している。上下方向Zに隣り合う2つの棚22の間隔は、例えば、10[mm]である。
図1を参照する。キャリア載置部3は、幅方向Yに一列に並ぶ。インデクサ部2は、バーコードリーダ31を備える。バーコードリーダ31は、キャリア載置部3に載置されたキャリアCに付されるバーコードを読み取る。バーコードリーダ31は、例えば、キャリア載置部3に取り付けられる。
図1を参照する。処理ブロック5の各要素の配置を説明する。処理ブロック5は、搬送スペース41を備える。搬送スペース41は、幅方向Yにおける処理ブロック5の中央に配置される。搬送スペース41は、前後方向Xに延びる。搬送スペース41は、インデクサ部2の搬送スペース32と接している。
回転軸線A3は、第1プレート101の中心を通る。
小片部134は、水平方向に延びる。
軸部136が第2プレート131に対して回転することにより、端縁接触ピン133は第2プレート131に対して水平方向に移動する。具体的には、端縁接触ピン133は、第2プレート131の回転軸線A5に近づき、かつ、第2プレート131の回転軸線A5から遠ざかる。
以下の動作例を順に説明する。
・制御部9が基板Wの形状を取得する動作例
・搬送機構4の動作例
・搬送機構8の動作例
・第1処理ユニット7Aの動作例
・第2処理ユニット7Bの動作例
図28は、制御部9が基板Wの形状を取得する動作例の手順を示すフローチャートである。
バーコードリーダ31がキャリアCに付されるバーコードを読み取る。バーコードリーダ31は、バーコードリーダ31の検出結果を制御部9に出力する。
制御部9は、バーコードリーダ31の検出結果に基づいて、基板Wの形状を判定する。具体的には、制御部9は、キャリアC内の基板Wが、第1基板W1、第2基板W2および第3基板W3のいずれに属するかを特定する。制御部9は、キャリアC内の基板Wが、通常径基板WNおよび大径基板WLのいずれに属するかを特定する。
図29は、制御部9の制御および搬送機構4の動作の手順を示すフローチャートである。
制御部9は、搬送機構4のハンド33をキャリアCに挿入するときのハンド33の高さ位置を決定する。具体的には、制御部9は、上下方向Zに隣り合う2つの棚22の間に搬送機構4のハンド33を挿入するときのハンド33の高さ位置を決定する。以下では、上下方向Zに隣り合う2つの棚22の間に搬送機構4のハンド33を挿入するときのハンド33の高さ位置を、「高さ位置HA」と略記する。制御部9は、搬送機構4が棚22から取る基板Wまたは搬送機構4が棚22に置く基板Wの形状に応じて、高さ位置HAを変える。
制御部9は、搬送機構4のハンド33を上下方向Zに隣り合う2つの棚22の間に挿入するときのハンド33の挿入量を決定する。上下方向Zに隣り合う2つの棚22の間に挿入されるハンド33の挿入量は、搬送機構4のハンド33を上下方向Zに隣り合う2つの棚22の間に挿入するときの前後方向Xにおけるハンド33の移動量に相当する。以下では、上下方向Zに隣り合う2つの棚22の間に挿入されるハンド33の挿入量を、「挿入量KA」と略記する。制御部9は、搬送機構4が棚22から取る基板Wまたは搬送機構4が棚22に置く基板Wの形状に応じて、挿入量KAを変える。
制御部9は、搬送機構4のハンド33の移動速度と加速度を決定する。以下では、搬送機構4のハンド33の移動速度を、「移動速度VA」と略記する。以下では、搬送機構4のハンド33の加速度を、「加速度AA」と略記する。制御部9は、搬送機構4が基板Wを支持しているか否かによって、移動速度VAを変える。制御部9は、搬送機構4が基板Wを支持しているか否かによって、加速度AAを変える。
制御部9は、決定された高さ位置HA、HB、挿入量KA、KB、移動速度VA、および、加速度AAによって、搬送機構4(具体的にはハンド駆動部34)を制御する。
制御部9による制御にしたがって、搬送機構4のハンド駆動部34は、ハンド33を移動させる。これにより、搬送機構4は基板Wを搬送する。
・搬送機構4がキャリアCの棚22から基板Wを取る動作例
・搬送機構4がキャリアCから載置部6に基板Wを搬送する動作例
・搬送機構4が載置部6の棚45に基板Wを置く動作例
図30(a)-30(d)は、搬送機構4がキャリアCの棚22から基板Wを取る動作例を模式的に示す図である。
ハンド33が基板Wを支持した状態で、ハンド33はキャリアCから載置部6に移動する。これにより、搬送機構4は、キャリアCから載置部6に基板Wを搬送する。搬送機構4がキャリアCから載置部6に基板Wを搬送するとき、ハンド33は、第1速度VA1および第1加速度AA1で、移動する。
図32(a)-32(d)は、搬送機構4が載置部6の棚45から基板Wを取る動作例を模式的に示す図である。
図33は、制御部9の制御および搬送機構8の動作の手順を示すフローチャートである。
制御部9は、搬送機構8のハンド61を載置部6に挿入するときのハンド33の高さ位置を決定する。具体的には、制御部9は、上下方向Zに隣り合う2つの棚45の間に搬送機構8のハンド61を挿入するときのハンド61の高さ位置を決定する。以下では、上下方向Zに隣り合う2つの棚45の間に搬送機構8のハンド61を挿入するときのハンド61の高さ位置を、「高さ位置HC」と略記する。制御部9は、搬送機構8が棚45から取る基板Wまたは搬送機構8が棚45に置く基板Wの形状に応じて、高さ位置HCを変える。
制御部9は、搬送機構8のハンド61を上下方向Zに隣り合う2つの棚45の間に挿入するときのハンド61の挿入量を決定する。上下方向Zに隣り合う2つの棚45の間に挿入されるハンド61の挿入量は、搬送機構8のハンド61を上下方向Zに隣り合う2つの棚45の間に挿入するときの前後方向Xにおけるハンド61の移動量に相当する。以下では、上下方向Zに隣り合う2つの棚45の間に挿入されるハンド61の挿入量を、「挿入量KC」と略記する。制御部9は、搬送機構8が棚45から取る基板Wまたは搬送機構8が棚45に置く基板Wの形状に応じて、挿入量KCを変える。
制御部9は、吸引部68に供給される気体の流量を決定する。以下では、吸引部68に供給される気体の流量を、「流量M」と略記する。制御部9は、搬送機構8に搬送される基板Wの形状に応じて、流量Mを変える。
制御部9は、基板Wを処理する処理ユニット7を決定する。より詳しくは、制御部9は、基板Wの形状に応じて、基板Wを処理する処理ユニット7を、第1処理ユニット7Aおよび第2処理ユニット7Bのいずれか1つに決定する。
制御部9は、搬送機構8のハンド61の移動速度と加速度を決定する。以下では、搬送機構8のハンド61の移動速度を、「移動速度VB」と略記する。以下では、搬送機構8のハンド61の加速度を、「加速度AB」と略記する。制御部9は、搬送機構8が基板Wを支持しているか否かによって、移動速度VBを変える。制御部9は、搬送機構8が基板Wを支持しているか否かによって、加速度ABを変える。
制御部9は、決定された高さ位置HC、挿入量KC、流量M、処理ユニット7、移動速度VB、および、加速度ABによって、搬送機構8(具体的にはハンド駆動部62)を制御する。決定された処理ユニット7は、具体的には、第1処理ユニット7Aおよび第2処理ユニット7Bのうちで決定された1つである。
制御部9による制御にしたがって、搬送機構8のハンド駆動部62は、ハンド61を移動させる。これにより、搬送機構8は基板Wを搬送する。
・搬送機構8が載置部6の棚45から基板Wを取る動作例
・搬送機構8が載置部6から処理ユニット7に基板Wを搬送する動作例
・搬送機構8が処理ユニットの基板保持部91に基板Wを渡す動作例
・搬送機構8が処理ユニット7の基板保持部91から基板Wを取る動作例
・搬送機構8が載置部6の棚45に基板Wを渡す動作例
図34(a)-34(d)、および、図35(a)-35(d)は、搬送機構8が載置部6の棚45から基板Wを取る動作例を模式的に示す図である。
ハンド61は基板Wを保持している。具体的には、吸引調整部73は、制御部9によって決定された流量Mで、吸引部68に気体を供給する。ハンド61が保持する基板Wが第1基板W1である場合、吸引調整部73は、第1流量M1で吸引部68に気体を供給する。ハンド61が保持する基板Wが第2基板W2または第3基板W3である場合、吸引調整部73は、第2流量M2で吸引部68に気体を供給する。吸引部68は、基板Wの上面16に沿って気体を流している。吸引部68は、基板Wを吸引している。
図36(a)-36(f)は、搬送機構8が処理ユニット7の基板保持部91に基板Wを渡す動作例を模式的に示す図である。なお、基板保持部91が第1基板保持部91Aであっても第2基板保持部91Bであっても、搬送機構8が基板保持部91に基板Wを渡す動作は同じである。
図37(a)-37(f)は、搬送機構8が処理ユニット7の基板保持部91から基板Wを取る動作例を模式的に示す図である。なお、基板保持部91が第1基板保持部91Aであっても第2基板保持部91Bであっても、搬送機構8が基板保持部91から基板Wを取る動作は同じである。
図38(a)-38(d)、および、図39(a)-39(d)は、搬送機構8が載置部6の棚45に基板Wを置く動作例を模式的に示す図である。
図40は、第1処理ユニット7Aの動作例の手順を示すフローチャートである。図41は、第1処理ユニット7Aの動作例を示すタイミングチャートである。図41に示すt31-t35、t37-t39、t41-t44はそれぞれ、図40に示すステップS31-S35、S37-S39、S41-S44が実行される時刻に相当する。以下に説明する各要素の動作は、制御部9によって制御される。以下に説明する動作例の一部は、上述した搬送機構8の動作例の説明と重複する。
リフトピン116が上位置に移動する。
搬送機構8が、リフトピン116に1枚の基板W(具体的には第1基板W1)を渡す。より詳しくは、搬送機構8は、リフトピン116に基板Wを渡す。リフトピン116は、搬送機構8から基板Wを受ける。
リフトピン116は、上位置で基板Wを支持する。
第1吹出調整部111が第1吹出口105に対する気体の供給を開始する。第1吹出口105は、気体の吹き出しを開始する。第1吹出口105は、上方に気体を吹き出す。第2吹出調整部112は、まだ、第2吹出口106に対する気体の供給を開始しない。第2吹出口106は、気体を吹き出さない。
リフトピン116が、上位置から下位置に移動する。これにより、リフトピン116は、基板Wを上位置から下降させ、固定ピン103に基板Wを渡す。固定ピン103は、リフトピン116から基板Wを受ける。固定ピン103は、基板Wを支持する。リフトピン116は、固定ピン103に支持される基板Wから離れる。
位置調整ピン113が退避位置から調整位置に移動する。これにより、位置調整ピン113は、固定ピン103に支持される基板Wと接触し、水平方向における基板Wの位置を調整する。
基板Wの位置が所定の位置にあるか否かをチェックする。具体的には、基板検出部127が、基板Wを検出する。基板検出部127は、基板検出部127の検出結果を制御部9に出力する。制御部9は、基板Wが所定の位置にあるか、を判定する。基板Wが所定の位置にあると制御部9が判定した場合には、ステップS37に進む。仮に、基板Wが所定の位置にないと制御部9が判定した場合には、ステップS37に進まずに、異常処理を実行する。異常処理は、例えば、ステップS35を戻ることを含む。異常処理は、例えば、ユーザーに異常が発生したことを通知することを含む。
第2吹出調整部112が第2吹出口106に対する気体の供給を開始する。第2吹出口106は、気体の吹き出しを開始する。第2吹出口106は、気体を上方に吹き出す。第2吹出口106が吹き出す気体の流量は、第1吹出口105が吹き出す気体の流量よりも大きい。
位置調整ピン113が調整位置から退避位置に移動する。これにより、位置調整ピン113が基板Wから離れる。
第1回転駆動部92Aは、第1基板保持部91Aおよび基板Wを回転させる。処理液供給部121は、固定ピン103に支持される基板Wに処理液を供給する。処理液供給部121が基板Wに処理液を供給するときにおいても、第1吹出口105は気体を吹き出し、第2吹出口106は、第1吹出口105よりも大きな流量で気体を吹き出す。
基板Wの位置が所定の位置にあるか否かを、再びチェックする。本ステップS40は、ステップS36と略同じである。
第2吹出調整部112が第2吹出口106に対する気体の供給を停止する。第2吹出口106は、気体の吹き出しを停止する。
リフトピン116が下位置から上位置に移動する。これにより、リフトピン116は、固定ピン103から基板Wを取る。さらに、リフトピン116は、基板Wを上位置に上昇させる。
第1吹出調整部が第1吹出口105に対する気体の供給を停止する。第1吹出口105は、気体の吹き出しを停止する。
搬送機構8がリフトピン116から基板Wを取る。その後、搬送機構8は、第1処理ユニット7Aの外部に基板Wを搬出する。
第2処理ユニット7Bの動作例は、第1処理ユニット7Aの動作例から、ステップS33、S35-S38、S40-S41を省略したものと類似する。第2処理ユニット7Bの動作例を、簡単に説明する。
処理液供給部121は、端縁接触ピン133に保持される基板Wに処理液を供給する。
基板処理装置1は、基板Wを処理する処理ユニット7を備える。処理ユニットは、第1処理ユニット7Aと第2処理ユニット7Bを備える。
第1処理ユニット7Aは、基板Wを保持する第1基板保持部91Aと、第1基板保持部91Aを回転する第1回転駆動部92Aを備える。第1基板保持部91Aは、第1プレート101と固定ピン103と気体吹出口104を備える。固定ピン103は、第1プレート101の上面102から上方に突出する。固定ピン103は、基板Wの下面16と接触する。固定ピン103は、第1プレート101の上面102よりも高い位置で基板Wを載置する。気体吹出口104は、第1プレート101の上面102に形成される。気体吹出口104は、第1プレート101の上面102と、固定ピン103に支持される基板Wの下面16との間に気体を吹き出する。気体吹出口104は、基板Wを下方に吸引する。よって、第1基板保持部91Aは、比較的に薄い基板Wであっても、適切に保持できる。したがって、第1処理ユニット7Aは、比較的に薄い基板Wであっても、適切に処理できる。
よって、第2基板保持部91Bが回転するときであっても、第2基板保持部91Bは基板Wを好適に保持できる。よって、第2処理ユニット7Bは、基板Wを適切に処理できる。
これによれば、搬送機構8がリフトピン116から基板Wを取るとき、吸引部68は基板Wを容易に吸引できる。言い換えれば、搬送機構8がリフトピン116から基板Wを取るとき、ハンド61は基板Wを容易に保持である。
2 … インデクサ部
3 … キャリア載置部
4 … 搬送機構(第2搬送機構)
5 … 処理ブロック
6 … 載置部(第1位置、第2位置)
7 … 処理ユニット(第1位置、第2位置)
7A … 第1処理ユニット
7B … 第2処理ユニット
8 … 搬送機構(第1搬送機構)
9 … 制御部
11 … 基板本体
12 … 基板の周縁部
13 … 基板の主部
14 … 基板の凹部
15 … 保護プレート
16 … 基板の下面
17 … 基板の上面
18 … 基板の第1側部
19 … 基板の第2側部
20 … 基板の端縁
22 … 棚
23 … 第1棚
24 … 第2棚
31 … バーコードリーダ
33 … ハンド
34 … ハンド駆動部
35 … 連結部
36 … ロッド
37 … 接触部
38 … 基板検出部
45 … 棚
46 … 第1棚
47 … 第2棚
51 … 第1傾斜面
51T … 第1傾斜面の上端
51B … 第1傾斜面の下端
51M … 第1傾斜面の中間点
52 … 上傾斜面
53 … 下傾斜面
55 … 第2傾斜面
56 … 上傾斜面
57 … 下傾斜面
61 … ハンド
62 … ハンド駆動部
64 … 連結部
65 … ベース部
66 … 枝部
68 … 吸引部
69 … 吸引パッド
71 … 気体供給路
72 … 気体供給源
73 … 吸引調整部
74 … 接触部
75 … 第1接触部
76 … 第2接触部
77 … 壁部
78 … 第1壁部
79 … 第2壁部
80 … 第3壁部
81 … 受け部
82 … 第1受け部
83 … 第2受け部
86 … 受け部駆動部
87 … アクチュエータ
88 … 弾性部材
89 … 基板検出部
91 … 基板保持部
91A … 第1基板保持部
91B … 第2基板保持部
92 … 回転駆動部
92A … 第1回転駆動部
92B … 第2回転駆動部
93 … ガード
101 …第1プレート
102 … 上面
103 … 固定ピン(支持部)
104 … 気体吹出口
105 … 第1吹出口
106 … 第2吹出口
107 … 第1気体供給路
108 … 第2気体供給路
109 … 気体供給源
111 … 第1吹出調整部
112 … 第2吹出調整部
113 … 位置調整ピン(位置調整部)
114 … 軸部
116 … リフトピン(昇降部)
121 … 処理液供給部
122 … ノズル
123 … 配管
124 … 処理液供給源
125 … 流量調整部
127 … 基板検出部
131 … 第2プレート
132 … 上面
133 … 端縁接触ピン(端縁接触部)
134 … 小片部
135 … 下面接触ピン
136 … 軸部
141 … 第1処理ユニット
142 … 純水供給部
143 … 配管
144 … 純水供給源
145 … 流量調整部
151 … 第1処理ユニット
153 … 配管
154 … 処理液供給源
155 … 流量調整部
A1、A2、A3、A4、A5、A6 … 回転軸線
C … キャリア(第1位置、第2位置)
D … 基板の直径
D1 … 通常径基板の直径
D2 … 大径基板
E1 … 水平方向に並ぶ第1棚23と第2棚24の間隔
E2 … 水平方向に並ぶ第1棚46と第2棚47の間隔(水平方向における第1傾斜面と第2傾斜面の間隔)
ET … 水平方向における第1傾斜面の上端と第2傾斜面の上端の間隔
EB … 水平方向における第1傾斜面の下端と第2傾斜面の下端の間隔
EM … 水平方向における第1傾斜面の中間点と第2傾斜面の中間点の間隔
F1 … 第1方向
F2 … 第2方向
F3 … 第3方向
F4 … 第4方向
HA、HB、HC … 高さ位置
HA1、HB1、HC1 … 第1高さ位置
HA2、HB2、HC2 … 第2高さ位置
HA3、HB3、HC3 … 第3高さ位置
J … 基板の中心
KA、KB … 挿入量
KA1、KB1 … 第1挿入量
KA2、KB2 … 第2挿入量
L1 … 第2方向における2本のロッドの全体の長さ
L2 … 第1方向におけるロッドの長さ
L3 … 第2方向における1本のロッドの長さ
T1、T2、T3… 基板の主部の厚み
T4、T5、T6… 基板の周縁部の厚み
VA、VB … 移動速度
VA1、VB1 … 第1移動速度
VA2、VB2 … 第2移動速度
AA、AB … 加速度
AA1、AB1 … 第1加速度
AA2、AB2 … 第2加速度
M … 流量
M1 … 第1流量
M2 … 第2流量
M3 … 第3流量
W … 基板
W1 … 第1基板
W2 … 第2基板
W3 … 第3基板
WN … 通常径基板
WD … 大径基板
X … 前後方向
Y … 幅方向
Z … 上下方向
θ1 … 上傾斜面の角度
θ2 … 下傾斜面の角度
Claims (6)
- 基板処理装置であって、
基板を処理する処理ユニットと、
前記処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構を制御する制御部と、
を備え、
前記処理ユニットは、
第1処理ユニットと、
第2処理ユニットと、
を備え、
前記第1処理ユニットは、
基板を保持する第1基板保持部と、
前記第1基板保持部を回転する第1回転駆動部と、
を備え、
前記第1基板保持部は、
第1プレートと、
前記第1プレートの上面から上方に突出し、基板の下面および基板の端縁の少なくともいずれかと接触し、前記第1プレートの上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
前記第1プレートの上面に形成され、前記第1プレートの上面と、前記支持部に支持される基板の下面との間に気体を吹き出し、基板を下方に吸引する気体吹出口と、
を備え、
前記第2処理ユニットは、
基板を保持する第2基板保持部と、
前記第2基板保持部を回転する第2回転駆動部と、
を備え、
前記第2基板保持部は、
第2プレートと、
前記第2プレートに取り付けられ、前記第2回転駆動部が前記第2基板保持部を回転するときに基板の端縁と接触する端縁接触部と、
を備え、
前記制御部は、基板の形状に応じて、基板を処理する前記処理ユニットを、前記第1処理ユニットおよび前記第2処理ユニットのいずれか1つに決定し、決定された前記処理ユニットに、前記搬送機構によって基板を搬送させる
基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記第2回転駆動部が前記第2基板保持部を回転するとき、前記端縁接触部は、前記端縁接触部に対して基板が滑らないように、基板を保持する
基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、基板の周縁部の内側に位置する基板の主部の厚みに応じて、基板を処理する前記処理ユニットを、前記第1処理ユニットおよび前記第2処理ユニットのいずれか1つに決定する
基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、基板の前記主部が第1厚みを有する基板を前記第1処理ユニットに搬送させ、基板の前記主部が前記第1厚みよりも大きな第2厚みを有する基板を前記第2処理ユニットに搬送させる
基板処理装置。 - 請求項1から4のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板は、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部を有し、かつ、ガラス製の保護プレートを有しない第1基板と、
前記凹部を有しない第2基板と、
を含み、
前記制御部は、前記第1基板を処理する前記処理ユニットを前記第1処理ユニットに決定し、前記第1基板を前記第1処理ユニットに搬送させ、前記第2基板を処理する前記処理ユニットを前記第2処理ユニットに決定し、前記第2基板を前記第2処理ユニットに搬送させる
基板処理装置。 - 請求項1から4のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板は、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部を有し、かつ、ガラス製の保護プレートを有しない第1基板と、
前記凹部を有し、かつ、ガラス製の保護プレートを有しない第3基板と、
を含み、
前記制御部は、前記第1基板を処理する前記処理ユニットを前記第1処理ユニットに決定し、前記第1基板を前記第1処理ユニットに搬送させ、前記第3基板を処理する前記処理ユニットを前記第2処理ユニットに決定し、前記第3基板を前記第2処理ユニットに搬送させる
基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019171514A JP7280787B2 (ja) | 2019-09-20 | 2019-09-20 | 基板処理装置 |
CN202010823737.9A CN112542416B (zh) | 2019-09-20 | 2020-08-17 | 基板处理装置 |
TW109128502A TWI755821B (zh) | 2019-09-20 | 2020-08-21 | 基板處理裝置 |
KR1020200118998A KR102490337B1 (ko) | 2019-09-20 | 2020-09-16 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019171514A JP7280787B2 (ja) | 2019-09-20 | 2019-09-20 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021048360A JP2021048360A (ja) | 2021-03-25 |
JP7280787B2 true JP7280787B2 (ja) | 2023-05-24 |
Family
ID=74876622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019171514A Active JP7280787B2 (ja) | 2019-09-20 | 2019-09-20 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7280787B2 (ja) |
KR (1) | KR102490337B1 (ja) |
CN (1) | CN112542416B (ja) |
TW (1) | TWI755821B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7324667B2 (ja) * | 2019-09-20 | 2023-08-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
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---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4018958B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-12-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2005228863A (ja) * | 2004-02-12 | 2005-08-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置及びセンサ |
JP2009071041A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Canon Anelva Corp | 真空処理装置 |
KR101065557B1 (ko) * | 2008-10-29 | 2011-09-19 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 |
JP2010143733A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 基板ハンドリングシステム及び基板ハンドリング方法 |
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KR101621792B1 (ko) * | 2013-10-30 | 2016-05-17 | 주식회사 엘트린 | 기판 접합 장치 |
JP6113670B2 (ja) * | 2014-01-20 | 2017-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、その運用方法及び記憶媒体 |
JP6503194B2 (ja) * | 2015-02-16 | 2019-04-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR102284470B1 (ko) * | 2015-05-13 | 2021-08-03 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 리프트 핀 정렬 상태 판단 방법 및 정전기력 인가 여부 판단 방법 |
JP6814560B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2021-01-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR20180124198A (ko) * | 2017-05-10 | 2018-11-21 | 코닝 인코포레이티드 | 기판 처리 방법들 |
-
2019
- 2019-09-20 JP JP2019171514A patent/JP7280787B2/ja active Active
-
2020
- 2020-08-17 CN CN202010823737.9A patent/CN112542416B/zh active Active
- 2020-08-21 TW TW109128502A patent/TWI755821B/zh active
- 2020-09-16 KR KR1020200118998A patent/KR102490337B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008205359A (ja) | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2014138078A (ja) | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Nikon Corp | 搬送システム及び搬送方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210034513A (ko) | 2021-03-30 |
TW202125687A (zh) | 2021-07-01 |
CN112542416B (zh) | 2024-04-12 |
JP2021048360A (ja) | 2021-03-25 |
KR102490337B1 (ko) | 2023-01-19 |
TWI755821B (zh) | 2022-02-21 |
CN112542416A (zh) | 2021-03-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230425 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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