JP7491805B2 - 基板洗浄装置および基板洗浄方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板を洗浄する基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。
液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板を洗浄するためには、基板洗浄装置が用いられる。
特許文献１に記載された基板洗浄装置は、ウエハの裏面周縁部を保持する２つの吸着パッド、ウエハの裏面中央部を保持するスピンチャック、およびウエハの裏面を洗浄するブラシを備える。２つの吸着パッドがウエハを保持するとともに横方向に移動する。この状態で、ウエハの裏面中央部がブラシで洗浄される。その後、スピンチャックが吸着パッドからウエハを受け取り、スピンチャックがウエハの裏面中央部を保持しつつ回転する。この状態で、ウエハの裏面周縁部がブラシで洗浄される。
特許第５９０４１６９号公報
基板洗浄装置において、異常が発生した場合、基板洗浄装置から基板が回収された後、異常への対処が行われる。しかしながら、上記の基板洗浄装置においては、基板が複数の位置に搬送されるので、基板の位置によっては適切に基板を回収することは容易でない。基板が適切に回収されない場合、スピンチャック等の基板洗浄装置の構成要素が損傷することがある。
本発明の目的は、異常発生時に基板を適切に回収することが可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供することである。
（１）第１の発明に係る基板洗浄装置においては、基板の下面を洗浄する基板洗浄装置であって、第１の高さ位置において基板の外周端部を保持する第１の基板保持部と、第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で基板の下面中央領域を吸着保持して基板を鉛直軸周りに回転させる第２の基板保持部と、第１の高さ位置と第２の高さ位置とで基板を搬送する基板搬送部と、基板の下面中央領域、または下面中央領域を取り囲む下面外側領域を洗浄する洗浄具と、第１または第２の基板保持部により保持された基板の下面に接触可能に洗浄具を昇降させる洗浄具昇降部と、基板の下面に向けて気体を吐出可能な気体供給部と、基板の位置を判定する基板位置判定部と、基板洗浄装置の異常発生時に基板位置判定部により基板が第１の高さ位置にあると判定された場合、第１の基板保持部により保持された基板の下面中央領域に気体が供給されるように気体供給部を制御する制御部とを備える。
この基板洗浄装置においては、第１の高さ位置と、第１の高さ位置の下方の第２の高さ位置とで基板が基板搬送部により搬送される。第１の高さ位置においては、第１の基板保持部により基板の外周端部が保持される。第２の高さ位置においては、基板の下面中央領域が第２の基板保持部により吸着保持され、基板が鉛直軸周りに回転される。
第１または第２の基板保持部により保持された基板の下面に接触可能に洗浄具が洗浄具昇降部により昇降される。基板の下面中央領域、または下面中央領域を取り囲む下面外側領域が洗浄具により洗浄される。基板の位置が基板位置判定部により判定される。基板洗浄装置の異常発生時に基板位置判定部により基板が第１の高さ位置にあると判定された場合、第１の基板保持部により保持された基板の下面中央領域に気体が気体供給部により供給される。
この構成によれば、基板洗浄装置の異常発生時に第１の基板保持部により保持された基板の下面中央領域に液体成分が付着している場合でも、基板の下面中央領域が気体供給部により供給される気体により乾燥される。そのため、基板が第２の高さ位置に搬送されて第２の基板保持部により吸着保持された場合でも、第２の基板保持部の吸着部に液体成分が浸入することがない。これにより、第２の基板保持部が損傷することが防止される。その結果、異常発生時に基板洗浄装置から基板を適切に回収することができる。
（２）基板洗浄装置は、基板の下面に向けて処理液を供給可能な処理液供給部をさらに備え、制御部は、基板洗浄装置の異常発生時に基板位置判定部により基板が第１の高さ位置にあると判定された場合、第１の基板保持部により保持された基板の下面中央領域に処理液が供給されるように処理液供給部を制御し、処理液供給部による処理液の供給の終了後、基板の下面中央領域に気体が供給されるように気体供給部を制御してもよい。
この場合、基板洗浄装置の異常発生時に第１の基板保持部により保持された基板の下面中央領域に処理液が処理液供給部により供給される。そのため、基板の下面中央領域に異物が付着している場合でも、基板から異物が除去される。また、処理液供給部による処理液の供給の終了後、基板の下面中央領域に気体が気体供給部により供給されるので、基板が第２の高さ位置に搬送されて第２の基板保持部により吸着保持された場合でも、第２の基板保持部の吸着部に液体成分が浸入することがない。その結果、異常発生時に基板洗浄装置から基板をより適切に回収することができる。
（３）制御部は、下面中央領域に気体が供給された基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持されるように基板搬送部を制御し、基板を保持しつつ回転するように第２の基板保持部を制御するとともに、基板の下面外側領域に処理液が供給されるように処理液供給部を制御し、所定時間後、基板の回転が維持されるように第２の基板保持部を制御しつつ処理液の供給が停止されるように処理液供給部を制御してもよい。
この場合、基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持されつつ回転された状態で、基板の下面外側領域に処理液が処理液供給部により供給される。そのため、基板の下面外側領域に異物が付着している場合でも、基板から異物が除去される。また、処理液供給部による処理液の供給の終了後、基板の回転が維持されるので、基板の全体が乾燥される。したがって、基板洗浄装置から基板が搬出される場合でも、基板を搬出する機構に液体成分が付着することがない。これにより、異常発生時に基板洗浄装置から基板をさらに適切に回収することができる。
（４）制御部は、基板洗浄装置の異常発生時に基板位置判定部により基板が第２の高さ位置にあると判定された場合、基板を保持しつつ回転するように第２の基板保持部を制御するとともに、基板の下面外側領域に処理液が供給されるように処理液供給部を制御し、所定時間後、基板の回転が維持されるように第２の基板保持部を制御しつつ処理液の供給が停止されるように処理液供給部を制御してもよい。
この構成によれば、基板洗浄装置の異常発生時に基板が第２の基板保持部により吸着保持されている場合、基板が第２の基板保持部により保持されつつ回転された状態で、基板の下面外側領域に処理液が処理液供給部により供給される。そのため、基板の下面外側領域に異物が付着している場合でも、基板から異物が除去される。また、処理液供給部による処理液の供給の終了後、基板の回転が維持されるので、基板の全体が乾燥される。したがって、基板洗浄装置から基板が搬出される場合でも、基板を搬出する機構に液体成分が付着することがない。これにより、異常発生時に基板洗浄装置から基板を適切に回収することができる。
（５）制御部は、基板洗浄装置の異常発生時に基板位置判定部により基板が第１の高さ位置と第２の高さ位置との間にあると判定された場合、基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持されるように基板搬送部を制御し、基板を保持しつつ回転するように第２の基板保持部を制御するとともに、基板の下面外側領域に処理液が供給されるように処理液供給部を制御し、所定時間後、基板の回転が維持されるように第２の基板保持部を制御しつつ処理液の供給が停止されるように処理液供給部を制御してもよい。
この構成によれば、基板洗浄装置の異常発生時に基板が第１の高さ位置と第２の高さ位置との間にある場合、基板が第２の基板保持部により保持されるように基板搬送部により第２の高さ位置に搬送される。その後、基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持されつつ回転された状態で、基板の下面外側領域に処理液が処理液供給部により供給される。そのため、基板の下面外側領域に異物が付着している場合でも、基板から異物が除去される。また、処理液供給部による処理液の供給の終了後、基板の回転が維持されるので、基板の全体が乾燥される。したがって、基板洗浄装置から基板が搬出される場合でも、基板を搬出する機構に液体成分が付着することがない。これにより、異常発生時に基板洗浄装置から基板を適切に回収することができる。
（６）第２の発明に係る基板洗浄方法は、基板洗浄装置により基板の下面を洗浄する基板洗浄方法であって、第１の高さ位置において第１の基板保持部により基板の外周端部を保持するステップと、第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により基板の下面中央領域を吸着保持して基板を鉛直軸周りに回転させるステップと、第１の高さ位置と第２の高さ位置との間で基板搬送部により基板を搬送するステップと、第１または第２の基板保持部により保持された基板の下面に接触するように洗浄具を昇降させるステップと、基板の下面中央領域、または下面中央領域を取り囲む下面外側領域を洗浄具により洗浄するステップと、基板の位置を判定するステップと、基板洗浄装置の異常発生時に基板が第１の高さ位置にあると判定された場合、第１の基板保持部により保持された基板の下面中央領域に気体供給部により気体を供給するステップとを含む。
この基板洗浄方法によれば、基板洗浄装置の異常発生時に第１の基板保持部により保持された基板の下面中央領域に液体成分が付着している場合でも、基板の下面中央領域が気体供給部により供給される気体により乾燥される。そのため、基板が第２の高さ位置に搬送されて第２の基板保持部により吸着保持された場合でも、第２の基板保持部の吸着部に液体成分が浸入することがない。これにより、第２の基板保持部が損傷することが防止される。その結果、異常発生時に基板洗浄装置から基板を適切に回収することができる。
（７）基板の下面中央領域に気体供給部により気体を供給するステップは、第１の基板保持部により保持された基板の下面中央領域に処理液供給部により処理液を供給することと、処理液供給部による処理液の供給の終了後、基板の下面中央領域に気体供給部により気体を供給することを含んでもよい。
この場合、基板洗浄装置の異常発生時に第１の基板保持部により保持された基板の下面中央領域に処理液が処理液供給部により供給される。そのため、基板の下面中央領域に異物が付着している場合でも、基板から異物が除去される。また、処理液供給部による処理液の供給の終了後、基板の下面中央領域に気体が気体供給部により供給されるので、基板が第２の高さ位置に搬送されて第２の基板保持部により吸着保持された場合でも、第２の基板保持部の吸着部に液体成分が浸入することがない。その結果、異常発生時に基板洗浄装置から基板をより適切に回収することができる。
（８）基板洗浄方法は、下面中央領域に気体が供給された基板を第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持するステップと、基板を保持する第２の基板保持部を回転させるステップと、第２の基板保持部により回転する基板の下面外側領域に処理液供給部により処理液を供給するステップと、処理液供給部による処理液の供給が開始されてから所定時間後、第２の基板保持部による基板の回転を維持しつつ処理液供給部による処理液の供給を停止するステップとをさらに含んでもよい。
この場合、基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持されつつ回転された状態で、基板の下面外側領域に処理液が処理液供給部により供給される。そのため、基板の下面外側領域に異物が付着している場合でも、基板から異物が除去される。また、処理液供給部による処理液の供給の終了後、基板の回転が維持されるので、基板の全体が乾燥される。したがって、基板洗浄装置から基板が搬出される場合でも、基板を搬出する機構に液体成分が付着することがない。これにより、異常発生時に基板洗浄装置から基板をさらに適切に回収することができる。
（９）基板洗浄方法は、基板洗浄装置の異常発生時に基板が第２の高さ位置にあると判定された場合、基板を保持する第２の基板保持部を回転させるステップと、第２の基板保持部により回転する基板の下面外側領域に処理液供給部により処理液を供給するステップと、処理液供給部による処理液の供給が開始されてから所定時間後、第２の基板保持部による基板の回転を維持しつつ処理液供給部による処理液の供給を停止するステップとをさらに含んでもよい。
この構成によれば、基板洗浄装置の異常発生時に基板が第２の基板保持部により吸着保持されている場合、基板が第２の基板保持部により保持されつつ回転された状態で、基板の下面外側領域に処理液が処理液供給部により供給される。そのため、基板の下面外側領域に異物が付着している場合でも、基板から異物が除去される。また、処理液供給部による処理液の供給の終了後、基板の回転が維持されるので、基板の全体が乾燥される。したがって、基板洗浄装置から基板が搬出される場合でも、基板を搬出する機構に液体成分が付着することがない。これにより、異常発生時に基板洗浄装置から基板を適切に回収することができる。
（１０）基板洗浄方法は、基板洗浄装置の異常発生時に基板が第１の高さ位置と第２の高さ位置との間にあると判定された場合、基板搬送部により第２の高さ位置に基板を搬送するステップと、基板を第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持するステップと、基板を保持する第２の基板保持部を回転させるステップと、第２の基板保持部により回転する基板の下面外側領域に処理液供給部により処理液を供給するステップと、処理液供給部による処理液の供給が開始されてから所定時間後、第２の基板保持部による基板の回転を維持しつつ処理液供給部による処理液の供給を停止するステップとをさらに含んでもよい。
この構成によれば、基板洗浄装置の異常発生時に基板が第１の高さ位置と第２の高さ位置との間にある場合、基板が第２の基板保持部により保持されるように基板搬送部により第２の高さ位置に搬送される。その後、基板が第２の高さ位置で第２の基板保持部により保持されつつ回転された状態で、基板の下面外側領域に処理液が処理液供給部により供給される。そのため、基板の下面外側領域に異物が付着している場合でも、基板から異物が除去される。また、処理液供給部による処理液の供給の終了後、基板の回転が維持されるので、基板の全体が乾燥される。したがって、基板洗浄装置から基板が搬出される場合でも、基板を搬出する機構に液体成分が付着することがない。これにより、異常発生時に基板洗浄装置から基板を適切に回収することができる。
本発明によれば、異常発生時に基板洗浄装置から基板を適切に回収することができる。
本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。 図１の基板洗浄装置の内部構成を示す外観斜視図である。 基板洗浄装置の制御系統の構成を示すブロック図である。 図１の基板洗浄装置の通常動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の通常動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の通常動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の通常動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の通常動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の通常動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の通常動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の通常動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の通常動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の通常動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の通常動作を説明するための模式図である。 図１の基板洗浄装置の通常動作を説明するための模式図である。 図３の制御装置による基板回収処理を示すフローチャートである。 図３の制御装置による基板回収処理を示すフローチャートである。
以下、本発明の実施の形態に係る基板洗浄装置および基板洗浄方法について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板（ウエハ）、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、本実施の形態では、基板の上面が回路形成面（表面）であり、基板の下面が回路形成面と反対側の面（裏面）である。また、本実施の形態では、基板は、ノッチを除いて円形状を有する。
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図２は、図１の基板洗浄装置１の内部構成を示す外観斜視図である。本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図１および図２以降の所定の図では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が適宜矢印で示される。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
図１に示すように、基板洗浄装置１は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ、下側保持装置２０、台座装置３０、受渡装置４０、下面洗浄装置５０、カップ装置６０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０および開閉装置９０を備える。これらの構成要素は、ユニット筐体２内に設けられる。図２では、ユニット筐体２が点線で示される。
ユニット筐体２は、矩形の底面部２ａと、底面部２ａの４辺から上方に延びる４つの側壁部２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅとを有する。側壁部２ｂ，２ｃが互いに対向し、側壁部２ｄ，２ｅが互いに対向する。側壁部２ｂの中央部には、矩形の開口が形成されている。この開口は、基板Ｗの搬入搬出口２ｘであり、ユニット筐体２に対する基板Ｗの搬入時および搬出時に用いられる。図２では、搬入搬出口２ｘが太い点線で示される。以下の説明においては、Ｙ方向のうちユニット筐体２の内部から搬入搬出口２ｘを通してユニット筐体２の外方に向く方向（側壁部２ｃから側壁部２ｂを向く方向）を前方と呼び、その逆の方向（側壁部２ｂから側壁部２ｃを向く方向）を後方と呼ぶ。
側壁部２ｂにおける搬入搬出口２ｘの形成部分およびその近傍の領域には、開閉装置９０が設けられている。開閉装置９０は、搬入搬出口２ｘを開閉可能に構成されたシャッタ９１と、シャッタ９１を駆動するシャッタ駆動部９２とを含む。図２では、シャッタ９１が太い二点鎖線で示される。シャッタ駆動部９２は、基板洗浄装置１に対する基板Ｗの搬入時および搬出時に搬入搬出口２ｘを開放するようにシャッタ９１を駆動する。また、シャッタ駆動部９２は、基板洗浄装置１における基板Ｗの洗浄時に搬入搬出口２ｘを閉塞するようにシャッタ９１を駆動する。
底面部２ａの中央部には、台座装置３０が設けられている。台座装置３０は、リニアガイド３１、可動台座３２および台座駆動部３３を含む。リニアガイド３１は、２本のレールを含み、平面視で側壁部２ｂの近傍から側壁部２ｃの近傍までＹ方向に延びるように設けられている。可動台座３２は、リニアガイド３１の２本のレール上でＹ方向に移動可能に設けられている。台座駆動部３３は、例えばパルスモータを含み、リニアガイド３１上で可動台座３２をＹ方向に移動させる。
可動台座３２上には、下側保持装置２０および下面洗浄装置５０がＹ方向に並ぶように設けられている。下側保持装置２０は、吸着保持部２１および吸着保持駆動部２２を含む。吸着保持部２１は、いわゆるスピンチャックであり、基板Ｗの下面を吸着保持可能な円形の吸着面を有し、上下方向に延びる軸（Ｚ方向の軸）の周りで回転可能に構成される。以下の説明では、吸着保持部２１により基板Ｗが吸着保持される際に、基板Ｗの下面のうち吸着保持部２１の吸着面が吸着すべき領域を下面中央領域と呼ぶ。一方、基板Ｗの下面のうち下面中央領域を取り囲む領域を下面外側領域と呼ぶ。
吸着保持駆動部２２は、モータを含む。吸着保持駆動部２２のモータは、回転軸が上方に向かって突出するように可動台座３２上に設けられている。吸着保持部２１は、吸着保持駆動部２２の回転軸の上端部に取り付けられる。また、吸着保持駆動部２２の回転軸には、吸着保持部２１において基板Ｗを吸着保持するための吸引経路が形成されている。その吸引経路は、図示しない吸気装置に接続されている。吸着保持駆動部２２は、吸着保持部２１を上記の回転軸の周りで回転させる。
可動台座３２上には、下側保持装置２０の近傍にさらに受渡装置４０が設けられている。受渡装置４０は、複数（本例では３本）の支持ピン４１、ピン連結部材４２およびピン昇降駆動部４３を含む。ピン連結部材４２は、平面視で吸着保持部２１を取り囲むように形成され、複数の支持ピン４１を連結する。複数の支持ピン４１は、ピン連結部材４２により互いに連結された状態で、ピン連結部材４２から一定長さ上方に延びる。ピン昇降駆動部４３は、可動台座３２上でピン連結部材４２を昇降させる。これにより、複数の支持ピン４１が吸着保持部２１に対して相対的に昇降する。
下面洗浄装置５０は、下面ブラシ５１、２つの液ノズル５２、気体噴出部５３、昇降支持部５４、移動支持部５５、下面ブラシ回転駆動部５５ａ、下面ブラシ昇降駆動部５５ｂおよび下面ブラシ移動駆動部５５ｃを含む。移動支持部５５は、可動台座３２上の一定領域内で下側保持装置２０に対してＹ方向に移動可能に設けられている。図２に示すように、移動支持部５５上に、昇降支持部５４が昇降可能に設けられている。昇降支持部５４は、吸着保持部２１から遠ざかる方向（本例では後方）において斜め下方に傾斜する上面５４ｕを有する。
図１に示すように、下面ブラシ５１は、基板Ｗの下面に接触可能な円形の洗浄面を有する。また、下面ブラシ５１は、洗浄面が上方を向くようにかつ洗浄面が当該洗浄面の中心を通って上下方向に延びる軸の周りで回転可能となるように、昇降支持部５４の上面５４ｕに取り付けられている。下面ブラシ５１の洗浄面の面積は、吸着保持部２１の吸着面の面積よりも大きい。
２つの液ノズル５２の各々は、下面ブラシ５１の近傍に位置しかつ液体吐出口が上方を向くように、昇降支持部５４の上面５４ｕ上に取り付けられている。液ノズル５２には、下面洗浄液供給部５６（図３）が接続されている。下面洗浄液供給部５６は、液ノズル５２に洗浄液を供給する。液ノズル５２は、下面ブラシ５１による基板Ｗの洗浄時に、下面洗浄液供給部５６から供給される洗浄液を基板Ｗの下面に吐出する。本実施の形態では、液ノズル５２に供給される洗浄液として純水が用いられる。
気体噴出部５３は、一方向に延びる気体噴出口を有するスリット状の気体噴射ノズルである。気体噴出部５３は、平面視で下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間に位置しかつ気体噴射口が上方を向くように、昇降支持部５４の上面５４ｕに取り付けられている。気体噴出部５３には、噴出気体供給部５７（図３）が接続されている。噴出気体供給部５７は、気体噴出部５３に気体を供給する。本実施の形態では、気体噴出部５３に供給される気体として窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。気体噴出部５３は、下面ブラシ５１による基板Ｗの洗浄時および後述する基板Ｗの下面の乾燥時に、噴出気体供給部５７から供給される気体を基板Ｗの下面に噴射する。この場合、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間に、Ｘ方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。
下面ブラシ回転駆動部５５ａは、モータを含み、下面ブラシ５１による基板Ｗの洗浄時に下面ブラシ５１を回転させる。下面ブラシ昇降駆動部５５ｂは、ステッピングモータまたはエアシリンダを含み、移動支持部５５に対して昇降支持部５４を昇降させる。下面ブラシ移動駆動部５５ｃは、モータを含み、可動台座３２上で移動支持部５５をＹ方向に移動させる。ここで、可動台座３２における下側保持装置２０の位置は固定されている。そのため、下面ブラシ移動駆動部５５ｃによる移動支持部５５のＹ方向の移動時には、移動支持部５５が下側保持装置２０に対して相対的に移動する。以下の説明では、可動台座３２上で下側保持装置２０に最も近づくときの下面洗浄装置５０の位置を接近位置と呼び、可動台座３２上で下側保持装置２０から最も離れたときの下面洗浄装置５０の位置を離間位置と呼ぶ。
底面部２ａの中央部には、さらにカップ装置６０が設けられている。カップ装置６０は、カップ６１およびカップ駆動部６２を含む。カップ６１は、平面視で下側保持装置２０および台座装置３０を取り囲むようにかつ昇降可能に設けられている。図２においては、カップ６１が点線で示される。カップ駆動部６２は、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面におけるどの部分を洗浄するのかに応じてカップ６１を下カップ位置と上カップ位置との間で移動させる。下カップ位置はカップ６１の上端部が吸着保持部２１により吸着保持される基板Ｗよりも下方にある高さ位置である。また、上カップ位置はカップ６１の上端部が吸着保持部２１よりも上方にある高さ位置である。
カップ６１よりも上方の高さ位置には、平面視で台座装置３０を挟んで対向するように一対の上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが設けられている。上側保持装置１０Ａは、下チャック１１Ａ、上チャック１２Ａ、下チャック駆動部１３Ａおよび上チャック駆動部１４Ａを含む。上側保持装置１０Ｂは、下チャック１１Ｂ、上チャック１２Ｂ、下チャック駆動部１３Ｂおよび上チャック駆動部１４Ｂを含む。
下チャック１１Ａ，１１Ｂは、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向（前後方向）に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。下チャック１１Ａ，１１Ｂの各々は、基板Ｗの下面周縁部を基板Ｗの下方から支持可能な２本の支持片を有する。下チャック駆動部１３Ａ，１３Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに近づくように、または下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに遠ざかるように、下チャック１１Ａ，１１Ｂを移動させる。
上チャック１２Ａ，１２Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂと同様に、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向（前後方向）に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。上チャック１２Ａ，１２Ｂの各々は、基板Ｗの外周端部の２つの部分に当接して基板Ｗの外周端部を保持可能に構成された２本の保持片を有する。上チャック駆動部１４Ａ，１４Ｂは、上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに近づくように、または上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに遠ざかるように、上チャック１２Ａ，１２Ｂを移動させる。
ユニット筐体２内には、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより基板Ｗが保持されているか否かを検出するセンサ装置１５が設けられる。本例では、センサ装置１５は上側保持装置１０Ａに取り付けられるが、実施の形態はこれに限定されない。センサ装置１５は、上側保持装置１０Ｂに取り付けられてもよいし、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂの両方に取り付けられてもよいし、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂとは別個に配置されてもよい。
センサ装置１５は、例えば投光部と受光部とを含む非接触式センサである。投光部は光を出射し、受光部は投光部から出射された光を受光した場合に受光信号を出力する。投光部と受光部とは、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが基板Ｗを保持しているときに、基板Ｗを挟んで互いに対向するように配置される。この配置においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが基板Ｗを保持していないときに、センサ装置１５から受光信号が出力される。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが基板Ｗを保持しているときに、センサ装置１５から受光信号が出力されない。
なお、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが基板Ｗを保持しているときに、投光部により出射されかつ基板Ｗにより反射された光が受光部により受光されるように投光部と受光部とが配置されてもよい。この配置においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが基板Ｗを保持しているときに、センサ装置１５から受光信号が出力される。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが基板Ｗを保持していないときに、センサ装置１５から受光信号が出力されない。また、センサ装置１５は、非接触式センサではなく、物理的接触により基板Ｗを検出する接触式センサであってもよい。
図１に示すように、カップ６１の一側方においては、平面視で上側保持装置１０Ｂの近傍に位置するように、上面洗浄装置７０が設けられている。上面洗浄装置７０は、回転支持軸７１、アーム７２、スプレーノズル７３および上面洗浄駆動部７４を含む。
回転支持軸７１は、底面部２ａ上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能に上面洗浄駆動部７４により支持される。アーム７２は、図２に示すように、上側保持装置１０Ｂよりも上方の位置で、回転支持軸７１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム７２の先端部には、スプレーノズル７３が取り付けられている。
スプレーノズル７３には、上面洗浄流体供給部７５（図３）が接続される。上面洗浄流体供給部７５は、スプレーノズル７３に洗浄液および気体を供給する。本実施の形態では、スプレーノズル７３に供給される洗浄液として純水が用いられ、スプレーノズル７３に供給される気体として窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。スプレーノズル７３は、基板Ｗの上面の洗浄時に、上面洗浄流体供給部７５から供給される洗浄液と気体とを混合して混合流体を生成し、生成された混合流体を下方に噴射する。
上面洗浄駆動部７４は、１または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸７１を昇降させるとともに、回転支持軸７１を回転させる。上記の構成によれば、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの上面上で、スプレーノズル７３を円弧状に移動させることにより、基板Ｗの上面全体を洗浄することができる。
図１に示すように、カップ６１の他側方においては、平面視で上側保持装置１０Ａの近傍に位置するように、端部洗浄装置８０が設けられている。端部洗浄装置８０は、回転支持軸８１、アーム８２、ベベルブラシ８３およびベベルブラシ駆動部８４を含む。
回転支持軸８１は、底面部２ａ上で、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能にベベルブラシ駆動部８４により支持される。アーム８２は、図２に示すように、上側保持装置１０Ａよりも上方の位置で、回転支持軸８１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム８２の先端部には、下方に向かって突出するようにかつ上下方向の軸の周りで回転可能となるようにベベルブラシ８３が設けられている。
ベベルブラシ８３は、上半部が逆円錐台形状を有するとともに下半部が円錐台形状を有する。このベベルブラシ８３によれば、外周面の上下方向における中央部分で基板Ｗの外周端部を洗浄することができる。
ベベルブラシ駆動部８４は、１または複数のパルスモータおよびエアシリンダ等を含み、回転支持軸８１を昇降させるとともに、回転支持軸８１を回転させる。上記の構成によれば、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの外周端部にベベルブラシ８３の外周面の中央部分を接触させることにより、基板Ｗの外周端部全体を洗浄することができる。
ここで、ベベルブラシ駆動部８４は、さらにアーム８２に内蔵されるモータを含む。そのモータは、アーム８２の先端部に設けられるベベルブラシ８３を上下方向の軸の周りで回転させる。したがって、基板Ｗの外周端部の洗浄時に、ベベルブラシ８３が回転することにより、基板Ｗの外周端部におけるベベルブラシ８３の洗浄力が向上する。
図３は、基板洗浄装置１の制御系統の構成を示すブロック図である。図３の制御装置９は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）および記憶装置を含む。ＲＡＭは、ＣＰＵの作業領域として用いられる。ＲＯＭは、システムプログラムを記憶する。記憶装置は、ＣＰＵに後述する通常動作を実行させるための基板洗浄プログラムを記憶する。基板洗浄プログラムは、ＣＰＵに後述する回収動作を実行させるための基板回収プログラムを含む。
図３に示すように、制御装置９は、機能部として、チャック制御部９Ａ、吸着制御部９Ｂ、台座制御部９Ｃ、受渡制御部９Ｄ、下面洗浄制御部９Ｅ、カップ制御部９Ｆ、上面洗浄制御部９Ｇ、ベベル洗浄制御部９Ｈ、搬入搬出制御部９Ｉおよび基板位置判定部９Ｊを含む。ＣＰＵが記憶装置に記憶された基板洗浄プログラムをＲＡＭ上で実行することにより制御装置９の機能部が実現される。制御装置９の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウエアにより実現されてもよい。
チャック制御部９Ａは、基板洗浄装置１に搬入される基板Ｗを受け取り、第１の高さ位置で保持するために、下チャック駆動部１３Ａ，１３Ｂおよび上チャック駆動部１４Ａ，１４Ｂを制御する。吸着制御部９Ｂは、第１の高さ位置の下方の第２の高さ位置で吸着保持部２１により基板Ｗを吸着保持するとともに吸着保持された基板Ｗを回転させるために、吸着保持駆動部２２を制御する。吸着保持駆動部２２は、基板Ｗが吸着保持部２１により吸着保持されているときに、基板Ｗが吸着保持されていることを示す吸着信号を出力する。
台座制御部９Ｃは、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗに対して可動台座３２を移動させるために、台座駆動部３３を制御する。受渡制御部９Ｄは、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの第１の高さ位置と、吸着保持部２１により保持される基板Ｗの第２の高さ位置との間で基板Ｗを移動させるために、ピン昇降駆動部４３を制御する。
下面洗浄制御部９Ｅは、基板Ｗの下面を洗浄するために、下面ブラシ回転駆動部５５ａ、下面ブラシ昇降駆動部５５ｂ、下面ブラシ移動駆動部５５ｃ、下面洗浄液供給部５６および噴出気体供給部５７を制御する。カップ制御部９Ｆは、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの洗浄時に基板Ｗから飛散する洗浄液をカップ６１で受け止めるために、カップ駆動部６２を制御する。
上面洗浄制御部９Ｇは、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの上面を洗浄するために、上面洗浄駆動部７４および上面洗浄流体供給部７５を制御する。ベベル洗浄制御部９Ｈは、吸着保持部２１により吸着保持された基板Ｗの外周端部を洗浄するために、ベベルブラシ駆動部８４を制御する。搬入搬出制御部９Ｉは、基板洗浄装置１における基板Ｗの搬入時および搬出時にユニット筐体２の搬入搬出口２ｘを開閉するために、シャッタ駆動部９２を制御する。
基板位置判定部９Ｊは、センサ装置１５から出力される受光信号および吸着保持駆動部２２から出力される吸着信号に基づいて基板Ｗの位置を判定する。本例では、センサ装置１５から受光信号が出力されない場合、基板Ｗは第１の高さ位置にあると判定される。吸着保持駆動部２２から吸着信号が出力される場合、基板Ｗは第２の高さ位置にあると判定される。基板Ｗが第１および第２の高さ位置のいずれにもあると判定されない場合、基板Ｗは第１の高さ位置と第２の高さ位置との間にあると判定される。
（２）基板洗浄装置の通常動作
図４～図１５は、図１の基板洗浄装置１の通常動作を説明するための模式図である。図４～図１５の各々においては、上段に基板洗浄装置１の平面図が示される。また、中段にＹ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示され、下段にＸ方向に沿って見た下側保持装置２０およびその周辺部の側面図が示される。中段の側面図は図１のＡ－Ａ線側面図に対応し、下段の側面図は図１のＢ－Ｂ線側面図に対応する。なお、基板洗浄装置１における各構成要素の形状および動作状態の理解を容易にするために、上段の平面図と中段および下段の側面図との間では、一部の構成要素の拡縮率が異なる。また、図４～図１５では、カップ６１が二点鎖線で示されるとともに、基板Ｗの外形が太い一点鎖線で示される。
基板洗浄装置１に基板Ｗが搬入される前の初期状態においては、開閉装置９０のシャッタ９１が搬入搬出口２ｘを閉塞している。また、図１に示されるように、下チャック１１Ａ，１１Ｂは、互いの距離が基板Ｗの直径よりも十分に大きくなる状態で維持されている。また、上チャック１２Ａ，１２Ｂも、互いの距離が基板Ｗの直径よりも十分に大きくなる状態で維持されている。また、台座装置３０の可動台座３２は、平面視で吸着保持部２１の中心がカップ６１の中心に位置するように配置されている。また、可動台座３２上で下面洗浄装置５０は、接近位置に配置されている。また、下面洗浄装置５０の昇降支持部５４は、下面ブラシ５１の洗浄面（上端部）が吸着保持部２１よりも下方に位置する状態にある。また、受渡装置４０においては、複数の支持ピン４１が吸着保持部２１よりも下方に位置する状態にある。さらに、カップ装置６０においては、カップ６１は下カップ位置にある。以下の説明では、平面視におけるカップ６１の中心位置を平面基準位置ｒｐと呼ぶ。また、平面視で吸着保持部２１の中心が平面基準位置ｒｐにあるときの底面部２ａ上の可動台座３２の位置を第１の水平位置と呼ぶ。
基板洗浄装置１のユニット筐体２内に基板Ｗが搬入される。具体的には、基板Ｗの搬入の直前にシャッタ９１が搬入搬出口２ｘを開放する。その後、図４に太い実線の矢印ａ１で示すように、図示しない基板搬送ロボットのハンド（基板保持部）ＲＨが搬入搬出口２ｘを通してユニット筐体２内の略中央の位置に基板Ｗを搬入する。このとき、ハンドＲＨにより保持される基板Ｗは、図４に示すように、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとの間に位置する。
次に、図５に太い実線の矢印ａ２で示すように、下チャック１１Ａ，１１Ｂの複数の支持片が基板Ｗの下面周縁部の下方に位置するように、下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに近づく。この状態で、ハンドＲＨが下降し、搬入搬出口２ｘから退出する。それにより、ハンドＲＨに保持された基板Ｗの下面周縁部の複数の部分が、下チャック１１Ａ，１１Ｂの複数の支持片により支持される。ハンドＲＨの退出後、シャッタ９１は搬入搬出口２ｘを閉塞する。
次に、図６に太い実線の矢印ａ３で示すように、上チャック１２Ａ，１２Ｂの複数の保持片が基板Ｗの外周端部に当接するように、上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに近づく。上チャック１２Ａ，１２Ｂの複数の保持片が基板Ｗの外周端部の複数の部分に当接することにより、下チャック１１Ａ，１１Ｂにより支持された基板Ｗが上チャック１２Ａ，１２Ｂによりさらに保持される。また、図６に太い実線の矢印ａ４で示すように、吸着保持部２１が平面基準位置ｒｐから所定距離ずれるとともに下面ブラシ５１の中心が平面基準位置ｒｐに位置するように、可動台座３２が第１の水平位置から前方に移動する。このとき、底面部２ａ上に位置する可動台座３２の位置を第２の水平位置と呼ぶ。
次に、図７に太い実線の矢印ａ５で示すように、下面ブラシ５１の洗浄面が第１の高さ位置において基板Ｗの下面中央領域に接触するように、昇降支持部５４が上昇する。また、図７に太い実線の矢印ａ６で示すように、下面ブラシ５１が上下方向の軸の周りで回転（自転）する。それにより、基板Ｗの下面中央領域に付着する汚染物質が下面ブラシ５１により物理的に剥離される。
図７の下段には、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接触する部分の拡大側面図が吹き出し内に示される。その吹き出し内に示されるように、下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する状態で、液ノズル５２および気体噴出部５３は、基板Ｗの下面に近接する位置に保持される。このとき、液ノズル５２は、白抜きの矢印ａ５１で示すように、下面ブラシ５１の近傍の位置で基板Ｗの下面に向かって洗浄液を吐出する。これにより、液ノズル５２から基板Ｗの下面に供給された洗浄液が下面ブラシ５１と基板Ｗとの接触部に導かれることにより、下面ブラシ５１により基板Ｗの裏面から除去された汚染物質が洗浄液により洗い流される。このように、下面洗浄装置５０においては、液ノズル５２が下面ブラシ５１とともに昇降支持部５４に取り付けられている。それにより、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄部分に効率よく洗浄液を供給することができる。したがって、洗浄液の消費量が低減されるとともに洗浄液の過剰な飛散が抑制される。
ここで、昇降支持部５４の上面５４ｕは、吸着保持部２１から遠ざかる方向において斜め下方に傾斜している。この場合、基板Ｗの下面から汚染物質を含む洗浄液が昇降支持部５４上に落下する場合に、上面５４ｕによって受け止められた洗浄液が吸着保持部２１から遠ざかる方向に導かれる。
また、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄時には、気体噴出部５３が、図７の吹き出し内に白抜きの矢印ａ５２で示すように、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間の位置で基板Ｗの下面に向かって気体を噴射する。本実施の形態においては、気体噴出部５３は、気体噴射口がＸ方向に延びるように昇降支持部５４上に取り付けられている。この場合、気体噴出部５３から基板Ｗの下面に気体が噴射される際には、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間でＸ方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。それにより、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄時に、汚染物質を含む洗浄液が吸着保持部２１に向かって飛散することが防止される。したがって、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面の洗浄時に、汚染物質を含む洗浄液が吸着保持部２１に付着することが防止され、吸着保持部２１の吸着面が清浄に保たれる。
なお、図７の例においては、気体噴出部５３は、白抜きの矢印ａ５２で示すように、気体噴出部５３から下面ブラシ５１に向かって斜め上方に気体を噴射するが、本発明はこれに限定されない。気体噴出部５３は、気体噴出部５３から下面ブラシ５１に向かってＺ方向に沿うように気体を噴射してもよい。
次に、図７の状態で、基板Ｗの下面中央領域の洗浄が完了すると、下面ブラシ５１の回転が停止され、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗから所定距離離間するように、昇降支持部５４が下降する。また、液ノズル５２から基板Ｗへの洗浄液の吐出が停止される。このとき、気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射は継続される。
その後、図８に太い実線の矢印ａ７で示すように、吸着保持部２１が平面基準位置ｒｐに位置するように、可動台座３２が後方に移動する。すなわち、可動台座３２は、第２の水平位置から第１の水平位置に移動する。このとき、気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射が継続されることにより、基板Ｗの下面中央領域が気体カーテンにより順次乾燥される。
次に、図９に太い実線の矢印ａ８で示すように、下面ブラシ５１の洗浄面が吸着保持部２１の吸着面（上端部）よりも下方に位置するように、昇降支持部５４が下降する。また、図９に太い実線の矢印ａ９で示すように、上チャック１２Ａ，１２Ｂの複数の保持片が基板Ｗの外周端部から離間するように、上チャック１２Ａ，１２Ｂが互いに遠ざかる。このとき、基板Ｗは、下チャック１１Ａ，１１Ｂにより支持された状態となる。
その後、図９に太い実線の矢印ａ１０で示すように、複数の支持ピン４１の上端部が下チャック１１Ａ，１１Ｂよりもわずかに上方に位置するように、ピン連結部材４２が上昇する。それにより、下チャック１１Ａ，１１Ｂにより支持された基板Ｗが、複数の支持ピン４１により受け取られる。
次に、図１０に太い実線の矢印ａ１１で示すように、下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに遠ざかる。このとき、下チャック１１Ａ，１１Ｂは、平面視で複数の支持ピン４１により支持される基板Ｗに重ならない位置まで移動する。それにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、ともに初期状態に戻る。
次に、図１１に太い実線の矢印ａ１２で示すように、複数の支持ピン４１の上端部が吸着保持部２１よりも下方に位置するように、ピン連結部材４２が下降する。それにより、複数の支持ピン４１上に支持された基板Ｗが、吸着保持部２１により受け取られる。この状態で、吸着保持部２１は、基板Ｗの下面中央領域を吸着保持する。ピン連結部材４２の下降と同時かまたはピン連結部材４２の下降完了後、図１１に太い実線の矢印ａ１３で示すように、カップ６１が下カップ位置から上カップ位置まで上昇する。
次に、図１２に太い実線の矢印ａ１４で示すように、吸着保持部２１が上下方向の軸（吸着保持駆動部２２の回転軸の軸心）の周りで回転する。それにより、吸着保持部２１に吸着保持された基板Ｗが水平姿勢で回転する。
次に、上面洗浄装置７０の回転支持軸７１が回転し、下降する。それにより、図１２に太い実線の矢印ａ１５で示すように、スプレーノズル７３が基板Ｗの上方の位置まで移動し、スプレーノズル７３と基板Ｗとの間の距離が予め定められた距離となるように下降する。この状態で、スプレーノズル７３は、基板Ｗの上面に洗浄液と気体との混合流体を噴射する。また、回転支持軸７１が回転する。それにより、図１２に太い実線の矢印ａ１６で示すように、スプレーノズル７３が回転する基板Ｗの上方の位置で移動する。基板Ｗの上面全体に混合流体が噴射されることにより、基板Ｗの上面全体が洗浄される。
また、スプレーノズル７３による基板Ｗの上面の洗浄時には、端部洗浄装置８０の回転支持軸８１も回転し、下降する。それにより、図１２に太い実線の矢印ａ１７で示すように、ベベルブラシ８３が基板Ｗの外周端部の上方の位置まで移動する。また、ベベルブラシ８３の外周面の中央部分が基板Ｗの外周端部に接触するように下降する。この状態で、ベベルブラシ８３が上下方向の軸の周りで回転（自転）する。それにより、基板Ｗの外周端部に付着する汚染物質がベベルブラシ８３により物理的に剥離される。基板Ｗの外周端部から剥離された汚染物質は、スプレーノズル７３から基板Ｗに噴射される混合流体の洗浄液により洗い流される。
さらに、スプレーノズル７３による基板Ｗの上面の洗浄時には、下面ブラシ５１の洗浄面が第２の高さ位置において基板Ｗの下面外側領域に接触するように、昇降支持部５４が上昇する。また、図１２に太い実線の矢印ａ１８で示すように、下面ブラシ５１が上下方向の軸の周りで回転（自転）する。さらに、液ノズル５２は基板Ｗの下面に向かって洗浄液を吐出し、気体噴出部５３は基板Ｗの下面に向かって気体を噴射する。この状態で、さらに図１２に太い実線の矢印ａ１９で示すように、移動支持部５５が可動台座３２上で接近位置と離間位置との間を進退動作する。それにより、吸着保持部２１により吸着保持されて回転される基板Ｗの下面外側領域が全体に渡って下面ブラシ５１により洗浄される。
次に、基板Ｗの上面、外周端部および下面外側領域の洗浄が完了すると、スプレーノズル７３から基板Ｗへの混合流体の噴射が停止される。また、図１３に太い実線の矢印ａ２０で示すように、スプレーノズル７３がカップ６１の一側方の位置（初期状態の位置）まで移動する。また、図１３に太い実線の矢印ａ２１で示すように、ベベルブラシ８３がカップ６１の他側方の位置（初期状態の位置）まで移動する。さらに、下面ブラシ５１の回転が停止され、下面ブラシ５１の洗浄面が基板Ｗから所定距離離間するように、昇降支持部５４が下降する。また、液ノズル５２から基板Ｗへの洗浄液の吐出、および気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射が停止される。この状態で、吸着保持部２１が高速で回転することにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗの全体が乾燥する。
次に、図１４に太い実線の矢印ａ２２で示すように、カップ６１が上カップ位置から下カップ位置まで下降する。また、新たな基板Ｗがユニット筐体２内に搬入されることに備えて、図１４に太い実線の矢印ａ２３で示すように、新たな基板Ｗを支持可能な位置まで下チャック１１Ａ，１１Ｂが互いに近づく。
最後に、基板洗浄装置１のユニット筐体２内から基板Ｗが搬出される。具体的には、基板Ｗの搬出の直前にシャッタ９１が搬入搬出口２ｘを開放する。その後、図１５に太い実線の矢印ａ２４で示すように、図示しない基板搬送ロボットのハンド（基板保持部）ＲＨが搬入搬出口２ｘを通してユニット筐体２内に進入する。続いて、ハンドＲＨは、吸着保持部２１上の基板Ｗを受け取り、搬入搬出口２ｘから退出する。ハンドＲＨの退出後、シャッタ９１は搬入搬出口２ｘを閉塞する。
（３）基板洗浄装置の回収動作
上記の基板洗浄装置１の通常動作において、基板洗浄装置１に異常が発生した場合、通常動作が中止されるとともに、基板位置判定部９Ｊにより基板Ｗの位置が判定される。また、ユニット筐体２から基板Ｗを回収するための回収動作が実行される。基板洗浄装置１の回収動作は、基板位置判定部９Ｊにより判定された基板Ｗの位置に応じて異なる。
なお、基板洗浄装置１には、図示しない１以上の漏液センサが設けられる。また、基板洗浄装置１には、モータまたはシリンダ等のアクチュエータの駆動量を検出する図示しないエンコーダが設けられる。いずれかの漏液センサにより漏液が検出された場合、またはアクチュエータの制御駆動値（例えばパルス数）と図示しないエンコーダにより検出されたアクチュエータの駆動量とが一致しない場合等に、基板洗浄装置１に異常が発生したと判定される。
基板洗浄装置１の回収動作において、基板Ｗが第１の高さ位置にあると判定された場合、図６に示すように、基板Ｗは上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持されているとともに、可動台座３２は第２の水平位置にある。この場合、図７に示すように、下面ブラシ５１の洗浄面が第１の高さ位置において基板Ｗの下面中央領域に接触するように昇降支持部５４が上昇することにより、液ノズル５２および気体噴出部５３が基板Ｗの下面に近接する位置に保持される。
この状態で、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面中央領域に処理液が液ノズル５２により供給される。これにより、基板Ｗの下面中央領域が洗浄される。ここで、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面中央領域の洗浄がさらに行われてもよい。液ノズル５２による処理液の供給の終了後、基板Ｗの下面中央領域に気体が気体噴出部５３により供給される。次に、図８に示すように、可動台座３２が第１の水平位置に移動する。このとき、気体噴出部５３から基板Ｗへの気体の噴射が継続されることにより、基板Ｗの下面中央領域が気体カーテンにより順次乾燥される。
その後、図９および図１０に示すように、昇降支持部５４が下降する。また、複数の支持ピン４１が上昇することにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂより支持された基板Ｗが複数の支持ピン４１により受け取られる。次に、図１１に示すように、複数の支持ピン４１が下降することにより、複数の支持ピン４１上に支持された基板Ｗが下側保持装置２０により受け取られる。これにより、基板Ｗの下面中央領域が下側保持装置２０により吸着保持される。また、カップ６１が上カップ位置まで上昇する。
続いて、図１２に示すように、側保持装置２０により基板Ｗが回転される。また、下面ブラシ５１の洗浄面が第２の高さ位置において基板Ｗの下面外側領域に接触するように、昇降支持部５４が上昇する。この状態で、基板Ｗの下面外側領域に処理液が液ノズル５２により供給される。これにより、基板Ｗの下面外側領域が洗浄される。ここで、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面外側領域の洗浄がさらに行われてもよい。
所定時間後、下側保持装置２０による基板Ｗの回転が維持されつつ、液ノズル５２による処理液の供給が停止される。この場合、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られることにより、基板Ｗの全体が乾燥される。基板Ｗの乾燥後、下側保持装置２０による基板Ｗの回転が停止される。また、図１３に示すように、昇降支持部５４が下降する。さらに、図１４に示すように、カップ６１が下カップ位置まで下降する。
その後、図１５に示すように、搬入搬出口２ｘが開放されることにより、搬入搬出口２ｘを通して基板搬送ロボットのハンドＲＨにより基板Ｗがユニット筐体２から搬出される。ハンドＲＨの退出後、シャッタ９１により搬入搬出口２ｘが閉塞されることにより、基板洗浄装置１の回収動作が終了する。
基板洗浄装置１の回収動作において、基板Ｗが第２の高さ位置にあると判定された場合、図１１に示すように、基板Ｗは下側保持装置２０により保持されているとともに、可動台座３２は第１の水平位置にある。また、カップ６１は上カップ位置にある。この場合、図１２に示すように、側保持装置２０により基板Ｗが回転される。また、下面ブラシ５１の洗浄面が第２の高さ位置において基板Ｗの下面外側領域に接触するように、昇降支持部５４が上昇する。この状態で、基板Ｗの下面外側領域に処理液が液ノズル５２により供給される。これにより、基板Ｗの下面外側領域が洗浄される。ここで、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面外側領域の洗浄がさらに行われてもよい。
所定時間後、下側保持装置２０による基板Ｗの回転が維持されつつ、液ノズル５２による処理液の供給が停止される。この場合、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られることにより、基板Ｗの全体が乾燥される。基板Ｗの乾燥後、下側保持装置２０による基板Ｗの回転が停止される。また、図１３に示すように、昇降支持部５４が下降する。また図１４に示すように、カップ６１が下カップ位置まで下降する。
その後、図１５に示すように、搬入搬出口２ｘが開放されることにより、搬入搬出口２ｘを通して基板搬送ロボットのハンドＲＨにより基板Ｗがユニット筐体２から搬出される。ハンドＲＨの退出後、シャッタ９１により搬入搬出口２ｘが閉塞されることにより、基板洗浄装置１の回収動作が終了する。
基板洗浄装置１の回収動作において、基板Ｗが第１の高さ位置と第２の高さ位置との間にあると判定された場合、図１０に示すように、基板Ｗは複数の支持ピン４１により保持されているとともに、可動台座３２は第１の水平位置にある。この場合、図１１に示すように、複数の支持ピン４１が下降することにより、複数の支持ピン４１上に支持された基板Ｗが下側保持装置２０により受け取られる。これにより、基板Ｗの下面中央領域が下側保持装置２０により吸着保持される。また、カップ６１が上カップ位置まで上昇する。
続いて、図１２に示すように、側保持装置２０により基板Ｗが回転される。また、下面ブラシ５１の洗浄面が第２の高さ位置において基板Ｗの下面外側領域に接触するように、昇降支持部５４が上昇する。この状態で、基板Ｗの下面外側領域に処理液が液ノズル５２により供給される。これにより、基板Ｗの下面外側領域が洗浄される。ここで、下面ブラシ５１による基板Ｗの下面外側領域の洗浄がさらに行われてもよい。
所定時間後、下側保持装置２０による基板Ｗの回転が維持されつつ、液ノズル５２による処理液の供給が停止される。この場合、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られることにより、基板Ｗの全体が乾燥される。基板Ｗの乾燥後、下側保持装置２０による基板Ｗの回転が停止される。また、図１３に示すように、昇降支持部５４が下降する。また図１４に示すように、カップ６１が下カップ位置まで下降する。
その後、図１５に示すように、搬入搬出口２ｘが開放されることにより、搬入搬出口２ｘを通して基板搬送ロボットのハンドＲＨにより基板Ｗがユニット筐体２から搬出される。ハンドＲＨの退出後、シャッタ９１により搬入搬出口２ｘが閉塞されることにより、基板洗浄装置１の回収動作が終了する。
（４）基板回収処理
図１６および図１７は、図３の制御装置９による基板回収処理を示すフローチャートである。図１６および図１７の基板回収処理は、制御装置９のＣＰＵが記憶装置に記憶された基板回収プログラムをＲＡＭ上で実行することにより行われる。基板回収処理は、基板洗浄装置１に図４～図１５の通常動作を実行させる基板洗浄処理と並行して実行される。以下、図３の制御装置９ならびに図１６および図１７のフローチャートを用いて基板回収処理を説明する。
まず、基板位置判定部９Ｊは、基板洗浄装置１に異常が発生したか否かを判定する（ステップＳ１）。基板洗浄装置１に異常が発生していない場合、基板洗浄装置１に異常が発生するまで待機する。基板洗浄装置１に異常が発生した場合、基板位置判定部９Ｊは、基板Ｗが第１の高さ位置にあるか否かを判定する（ステップＳ２）。このとき、基板洗浄処理は停止される。基板Ｗが第１の高さ位置にある場合、下面洗浄制御部９Ｅは、下面ブラシ５１の洗浄面が第１の高さ位置において基板Ｗの下面中央領域に接触するように昇降支持部５４を上昇させる（ステップＳ３）。
次に、下面洗浄制御部９Ｅは、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面中央領域に処理液を液ノズル５２により供給する（ステップＳ４）。所定時間後、下面洗浄制御部９Ｅは、液ノズル５２による処理液の供給を停止する（ステップＳ５）。また、下面洗浄制御部９Ｅは、基板Ｗの下面中央領域に気体を気体噴出部５３により供給する（ステップＳ６）。
続いて、台座制御部９Ｃは、可動台座３２を第１の水平位置に移動させる（ステップＳ７）。その後、下面洗浄制御部９Ｅは、気体噴出部５３による気体の供給を停止する（ステップＳ８）。また、下面洗浄制御部９Ｅは、昇降支持部５４を下降させる（ステップＳ９）。次に、受渡制御部９Ｄは、複数の支持ピン４１を上昇させた後、下降させることにより第１の高さ位置から第２の高さ位置に基板Ｗを搬送する（ステップＳ１０）。
続いて、吸着制御部９Ｂは、ステップＳ１０で搬送された基板Ｗを下側保持装置２０により保持する（ステップＳ１１）。また、カップ制御部９Ｆは、カップ６１を上カップ位置まで上昇させる（ステップＳ１２）。その後、吸着制御部９Ｂは、側保持装置２０により基板Ｗを回転させる（ステップＳ１３）。次に、下面洗浄制御部９Ｅは、下面ブラシ５１の洗浄面が第２の高さ位置において基板Ｗの下面外側領域に接触するように昇降支持部５４を上昇させる（ステップＳ１４）。
続いて、下面洗浄制御部９Ｅは、基板Ｗの下面外側領域に処理液を液ノズル５２により供給する（ステップＳ１５）。所定時間後、下面洗浄制御部９Ｅは、液ノズル５２による処理液の供給を停止する（ステップＳ１６）。この場合、基板Ｗの回転により基板Ｗの全体が乾燥される。基板Ｗの乾燥後、下面洗浄制御部９Ｅは、下側保持装置２０による基板Ｗの回転を停止する（ステップＳ１７）。また、下面洗浄制御部９Ｅは、昇降支持部５４を下降させる（ステップＳ１８）。さらに、カップ制御部９Ｆは、カップ６１を下カップ位置まで下降させる（ステップＳ１９）。
その後、搬入搬出制御部９Ｉは、搬入搬出口２ｘを開放する（ステップＳ２０）。搬入搬出口２ｘを通して基板搬送ロボットのハンドＲＨにより基板Ｗがユニット筐体２から搬出された後、搬入搬出制御部９Ｉは、シャッタ９１により搬入搬出口２ｘが閉塞する（ステップＳ２１）。
ステップＳ２で基板Ｗが第１の高さ位置にない場合、基板位置判定部９Ｊは、基板Ｗが第２の高さ位置にあるか否かを判定する（ステップＳ２２）。基板Ｗが第２の高さ位置にある場合、基板位置判定部９ＪはステップＳ１２に進む。この場合、ステップＳ１２～Ｓ２１が実行される。一方、基板Ｗが第２の高さ位置にない場合、基板位置判定部９ＪはステップＳ１０に進む。これにより、ステップＳ１０～Ｓ２１が実行される。ステップＳ２１が実行された後、基板回収処理が終了する。
（５）効果
本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、第１の高さ位置と第２の高さ位置とで基板Ｗが受渡装置４０により搬送される。第１の高さ位置においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより基板Ｗの外周端部が保持される。第２の高さ位置においては、基板Ｗの下面中央領域が下側保持装置２０により吸着保持され、基板Ｗが鉛直軸周りに回転される。
上側保持装置１０Ａ，１０Ｂまたは下側保持装置２０により保持された基板Ｗの下面に接触可能に下面ブラシ５１が下面ブラシ昇降駆動部５５ｂにより昇降される。基板Ｗの下面中央領域または下面外側領域が下面ブラシ５１により洗浄される。基板Ｗの位置が基板位置判定部９Ｊにより判定される。
基板洗浄装置１の異常発生時に基板Ｗが第１の高さ位置にあると判定された場合、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面中央領域に処理液が液ノズル５２により供給される。そのため、基板Ｗの下面中央領域に異物が付着している場合でも、基板Ｗから異物が除去される。また、液ノズル５２による処理液の供給の終了後、基板Ｗの下面中央領域に気体が気体噴出部５３により供給される。したがって、基板Ｗが第２の高さ位置に搬送されて下側保持装置２０により吸着保持された場合でも、下側保持装置２０の吸着部に液体成分が浸入することがない。
その後、基板Ｗは、下側保持装置２０により保持されるように受渡装置４０により第２の高さ位置に搬送される。次に、基板Ｗが第２の高さ位置で下側保持装置２０により保持されつつ回転された状態で、基板Ｗの下面外側領域に処理液が液ノズル５２により供給される。そのため、基板Ｗの下面外側領域に異物が付着している場合でも、基板Ｗから異物が除去される。また、液ノズル５２による処理液の供給の終了後、基板Ｗの回転が維持されるので、基板Ｗの全体が乾燥される。したがって、基板洗浄装置１から基板Ｗが搬出される場合でも、基板搬送ロボットのハンドＲＨに液体成分が付着することがない。
基板洗浄装置１の異常発生時に基板Ｗが第２の高さ位置にあると判定された場合、基板Ｗが下側保持装置２０により保持されつつ回転された状態で、基板Ｗの下面外側領域に処理液が液ノズル５２により供給される。そのため、基板Ｗの下面外側領域に異物が付着している場合でも、基板Ｗから異物が除去される。また、液ノズル５２による処理液の供給の終了後、基板Ｗの回転が維持されるので、基板Ｗの全体が乾燥される。したがって、基板洗浄装置１から基板Ｗが搬出される場合でも、基板搬送ロボットのハンドＲＨに液体成分が付着することがない。
基板洗浄装置１の異常発生時に基板Ｗが第１の高さ位置と第２の高さ位置との間にあると判定された場合、基板Ｗは、下側保持装置２０により保持されるように受渡装置４０により第２の高さ位置に搬送される。次に、基板Ｗが第２の高さ位置で下側保持装置２０により保持されつつ回転された状態で、基板Ｗの下面外側領域に処理液が液ノズル５２により供給される。そのため、基板Ｗの下面外側領域に異物が付着している場合でも、基板Ｗから異物が除去される。また、液ノズル５２による処理液の供給の終了後、基板Ｗの回転が維持されるので、基板Ｗの全体が乾燥される。したがって、基板洗浄装置１から基板Ｗが搬出される場合でも、基板搬送ロボットのハンドＲＨに液体成分が付着することがない。
これらの基板回収処理の結果、異常発生時に基板洗浄装置１から基板Ｗを適切に回収することができる。
（６）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態において、基板洗浄装置１の通常動作で、基板Ｗの下面中央領域の洗浄時に液ノズル５２から基板Ｗの下面に洗浄液が供給されるが、実施の形態はこれに限定されない。液ノズル５２から基板Ｗの下面に洗浄液が供給されることに代えて、基板Ｗの下面中央領域の洗浄前に、下面ブラシ５１に一定量の洗浄液が含浸されてもよい。この場合、基板洗浄装置１に液ノズル５２が設けられなくてもよい。
また、基板洗浄装置１に液ノズル５２が設けられない構成においては、基板洗浄装置１の異常発生時に基板Ｗが第１の高さ位置にあると判定された場合、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面中央領域に処理液が供給されない。この構成においても、基板洗浄装置１の異常発生時に上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面中央領域に液体成分が付着している場合、基板Ｗの下面中央領域が気体供給部により供給される気体により乾燥される。
そのため、下面中央領域に気体が供給された基板Ｗが第２の高さ位置に搬送されて下側保持装置２０により吸着保持された場合でも、下側保持装置２０の吸着部に液体成分が浸入することがない。これにより、下側保持装置２０が損傷することが防止される。その結果、異常発生時に基板洗浄装置１から基板Ｗを適切に回収することができる。
（ｂ）上記実施の形態において、受渡装置４０が基板搬送部であり、第１の高さ位置と第２の高さ位置とで基板Ｗを搬送するが、実施の形態はこれに限定されない。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂおよび下側保持装置２０のうち少なくとも一方が昇降可能に構成される場合には、受渡装置４０は設けられなくてもよい。この場合、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂおよび下側保持装置２０のうち少なくとも一方が基板搬送部であり、当該基板搬送部が昇降することにより、第１の高さ位置と第２の高さ位置との間で基板Ｗが搬送される。
（ｃ）上記実施の形態において、基板洗浄装置１の通常動作では、基板Ｗの下面中央領域が洗浄された後に基板Ｗの下面外側領域が洗浄されるが、実施の形態はこれに限定されない。基板洗浄装置１の通常動作では、基板Ｗの下面外側領域が洗浄された後に基板Ｗの下面中央領域が洗浄されてもよい。
この場合、基板洗浄装置１に搬入された基板Ｗは、最初に下側保持装置２０により吸着保持された状態で、その下面中央領域、外周端部および上面が洗浄される。その後、下側保持装置２０により保持された基板Ｗが上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより受け取られ、保持される。この状態で、基板Ｗの下面中央領域が洗浄される。洗浄後の基板Ｗは、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂからユニット筐体２の外部に搬出される。
あるいは、基板洗浄装置１の通常動作では、基板Ｗの下面中央領域および基板Ｗの下面外側領域の洗浄が順次実行された後に、再度基板Ｗの下面中央領域が洗浄されてもよい。
（ｄ）上記実施の形態において、基板回収処理は基板洗浄処理と並行して実行されるが、実施の形態はこれに限定されない。基板回収処理は、使用者の開始指令に応答して実行されてもよい。この場合、図１６の基板回収処理におけるステップＳ１は省略される。
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
上記実施の形態においては、基板Ｗが基板の例であり、基板洗浄装置１が基板洗浄装置の例であり、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが第１の基板保持部の例である。下側保持装置２０が第２の基板保持部の例であり、受渡装置４０が基板搬送部の例であり、下面ブラシ５１が洗浄具の例であり、下面ブラシ昇降駆動部５５ｂが洗浄具昇降部の例である。液ノズル５２が処理液供給部の例であり、気体噴出部５３が気体供給部の例であり、基板位置判定部９Ｊが基板位置判定部の例であり、制御装置９が制御部の例である。
１…基板洗浄装置，２…ユニット筐体，２ａ…底面部，２ｂ～２ｅ…側壁部，２ｘ…搬入搬出口，９…制御装置，９Ａ…チャック制御部，９Ｂ…吸着制御部，９Ｃ…台座制御部，９Ｄ…受渡制御部，９Ｅ…下面洗浄制御部，９Ｆ…カップ制御部，９Ｇ…上面洗浄制御部，９Ｈ…ベベル洗浄制御部，９Ｉ…搬入搬出制御部，９Ｊ…基板位置判定部，１０Ａ，１０Ｂ…上側保持装置，１１Ａ，１１Ｂ…下チャック，１２Ａ，１２Ｂ…上チャック，１３Ａ，１３Ｂ…下チャック駆動部，１４Ａ，１４Ｂ…上チャック駆動部，１５…センサ装置，２０…下側保持装置，２１…吸着保持部，２２…吸着保持駆動部，３０…台座装置，３１…リニアガイド，３２…可動台座，３３…台座駆動部，４０…受渡装置，４１…支持ピン，４２…ピン連結部材，４３…ピン昇降駆動部，５０…下面洗浄装置，５１…下面ブラシ，５２…液ノズル，５３…気体噴出部，５４…昇降支持部，５４ｕ…上面，５５…移動支持部，５５ａ…下面ブラシ回転駆動部，５５ｂ…下面ブラシ昇降駆動部，５５ｃ…下面ブラシ移動駆動部，５６…下面洗浄液供給部，５７…噴出気体供給部，６０…カップ装置，６１…カップ，６２…カップ駆動部，７０…上面洗浄装置，７１，８１…回転支持軸，７２，８２…アーム，７３…スプレーノズル，７４…上面洗浄駆動部，８０…端部洗浄装置，８３…ベベルブラシ，８４…ベベルブラシ駆動部，９０…開閉装置，９１…シャッタ，９２…シャッタ駆動部，ｒｐ…平面基準位置，ＲＨ…ハンド，Ｗ…基板

Claims (10)

  1. 基板の下面を洗浄する基板洗浄装置であって、
    第１の高さ位置において前記基板の外周端部を保持する第１の基板保持部と、
    前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で前記基板の下面中央領域を吸着保持して前記基板を鉛直軸周りに回転させる第２の基板保持部と、
    前記第１の高さ位置と前記第２の高さ位置とで前記基板を搬送する基板搬送部と、
    前記基板の前記下面中央領域、または前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域を洗浄する洗浄具と、
    前記第１または第２の基板保持部により保持された前記基板の下面に接触可能に前記洗浄具を昇降させる洗浄具昇降部と、
    前記基板の下面に向けて気体を吐出可能な気体供給部と、
    前記基板の位置を判定する基板位置判定部と、
    前記基板洗浄装置の異常発生時に前記基板位置判定部により前記基板が前記第１の高さ位置にあると判定された場合、前記第１の基板保持部により保持された前記基板の前記下面中央領域に気体が供給されるように前記気体供給部を制御する制御部とを備える、基板洗浄装置。
  2. 前記基板の下面に向けて処理液を供給可能な処理液供給部をさらに備え、
    前記制御部は、前記基板洗浄装置の異常発生時に前記基板位置判定部により前記基板が前記第１の高さ位置にあると判定された場合、前記第１の基板保持部により保持された前記基板の前記下面中央領域に処理液が供給されるように前記処理液供給部を制御し、前記処理液供給部による処理液の供給の終了後、前記基板の前記下面中央領域に気体が供給されるように前記気体供給部を制御する、請求項１記載の基板洗浄装置。
  3. 前記制御部は、前記下面中央領域に気体が供給された前記基板が前記第２の高さ位置で前記第２の基板保持部により保持されるように前記基板搬送部を制御し、前記基板を保持しつつ回転するように前記第２の基板保持部を制御するとともに、前記基板の前記下面外側領域に処理液が供給されるように前記処理液供給部を制御し、所定時間後、前記基板の回転が維持されるように前記第２の基板保持部を制御しつつ処理液の供給が停止されるように前記処理液供給部を制御する、請求項２記載の基板洗浄装置。
  4. 前記制御部は、前記基板洗浄装置の異常発生時に前記基板位置判定部により前記基板が前記第２の高さ位置にあると判定された場合、前記基板を保持しつつ回転するように前記第２の基板保持部を制御するとともに、前記基板の前記下面外側領域に処理液が供給されるように前記処理液供給部を制御し、所定時間後、前記基板の回転が維持されるように前記第２の基板保持部を制御しつつ処理液の供給が停止されるように前記処理液供給部を制御する、請求項２または３記載の基板洗浄装置。
  5. 前記制御部は、前記基板洗浄装置の異常発生時に前記基板位置判定部により前記基板が前記第１の高さ位置と前記第２の高さ位置との間にあると判定された場合、前記基板が前記第２の高さ位置で前記第２の基板保持部により保持されるように前記基板搬送部を制御し、前記基板を保持しつつ回転するように前記第２の基板保持部を制御するとともに、前記基板の前記下面外側領域に処理液が供給されるように前記処理液供給部を制御し、所定時間後、前記基板の回転が維持されるように前記第２の基板保持部を制御しつつ処理液の供給が停止されるように前記処理液供給部を制御する、請求項２～４のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
  6. 基板洗浄装置により基板の下面を洗浄する基板洗浄方法であって、
    第１の高さ位置において第１の基板保持部により前記基板の外周端部を保持するステップと、
    前記第１の高さ位置よりも下方の第２の高さ位置で第２の基板保持部により前記基板の下面中央領域を吸着保持して前記基板を鉛直軸周りに回転させるステップと、
    前記第１の高さ位置と前記第２の高さ位置との間で基板搬送部により前記基板を搬送するステップと、
    前記第１または第２の基板保持部により保持された前記基板の下面に接触するように洗浄具を昇降させるステップと、
    前記基板の前記下面中央領域、または前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域を前記洗浄具により洗浄するステップと、
    前記基板の位置を判定するステップと、
    前記基板洗浄装置の異常発生時に前記基板が前記第１の高さ位置にあると判定された場合、前記第１の基板保持部により保持された前記基板の前記下面中央領域に気体供給部により気体を供給するステップとを含む、基板洗浄方法。
  7. 前記基板の前記下面中央領域に気体供給部により気体を供給するステップは、
    前記第１の基板保持部により保持された前記基板の前記下面中央領域に処理液供給部により処理液を供給することと、
    前記処理液供給部による処理液の供給の終了後、前記基板の前記下面中央領域に前記気体供給部により気体を供給することを含む、請求項６記載の基板洗浄方法。
  8. 前記下面中央領域に気体が供給された前記基板を前記第２の高さ位置で前記第２の基板保持部により保持するステップと、
    前記基板を保持する前記第２の基板保持部を回転させるステップと、
    前記第２の基板保持部により回転する前記基板の前記下面外側領域に前記処理液供給部により処理液を供給するステップと、
    前記処理液供給部による処理液の供給が開始されてから所定時間後、前記第２の基板保持部による前記基板の回転を維持しつつ前記処理液供給部による処理液の供給を停止するステップとをさらに含む、請求項７記載の基板洗浄方法。
  9. 前記基板洗浄装置の異常発生時に前記基板が前記第２の高さ位置にあると判定された場合、前記基板を保持する前記第２の基板保持部を回転させるステップと、
    前記第２の基板保持部により回転する前記基板の前記下面外側領域に前記処理液供給部により処理液を供給するステップと、
    前記処理液供給部による処理液の供給が開始されてから所定時間後、前記第２の基板保持部による前記基板の回転を維持しつつ前記処理液供給部による処理液の供給を停止するステップとをさらに含む、請求項７または８記載の基板洗浄方法。
  10. 前記基板洗浄装置の異常発生時に前記基板が前記第１の高さ位置と前記第２の高さ位置との間にあると判定された場合、前記基板搬送部により前記第２の高さ位置に前記基板を搬送するステップと、
    前記基板を前記第２の高さ位置で前記第２の基板保持部により保持するステップと、
    前記基板を保持する前記第２の基板保持部を回転させるステップと、
    前記第２の基板保持部により回転する前記基板の前記下面外側領域に前記処理液供給部により処理液を供給するステップと、
    前記処理液供給部による処理液の供給が開始されてから所定時間後、前記第２の基板保持部による前記基板の回転を維持しつつ前記処理液供給部による処理液の供給を停止するステップとをさらに含む、請求項７～９のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
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