TWI526319B - 表層及用於其的罩幕接著劑 - Google Patents

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Description

表層及用於其的罩幕接著劑
本發明是有關於曝光時安裝於罩幕的表層、及用於表層的罩幕接著劑。
在LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)、超LSI等半導體裝置或液晶顯示板等的製造步驟中，藉由經由罩幕(亦稱為曝光底版、光罩)對感光層等照射光而進行圖案化。此時，若罩幕上附著異物，則光因異物而被吸收或彎曲。因此，會產生所形成的圖案變形、或邊緣粗糙，而損及圖案化的尺寸、品質、及外觀等的問題。為了消除此種問題，而採用以下方法，在罩幕的表面安裝具備透過光的表層膜的作為防塵層的表層，而抑制異物附著於罩幕的表面。
表層通常具備金屬製表層架、配置於表層架的一端面的表層膜。並且，在表層架的另一端面形成用以將表層固定於罩幕的罩幕接著劑層。另外，在罩幕接著劑層的表面，通常為了保護罩幕接著劑層而配置具有脫模性的片狀材料(間隔片)等。
將表層安裝於罩幕時，將剝離間隔片而露出的罩幕接著劑層壓接於罩幕的特定位置而固定。如此，藉由將表層安裝於罩幕而能一邊排除因異物所引起的影響一邊照射光。
用以將表層接著於罩幕的接著劑例如提出：含有苯乙 烯/異戊二烯/苯乙烯系三嵌段共聚物等具有飽和環狀烴結構的嵌段共聚物的氫化物、及增黏劑的接著劑(例如參照專利文獻1)。另外提出，含有苯乙烯/乙烯/丙烯/苯乙烯三嵌段共聚物、及脂肪族系石油樹脂的熱熔接著劑(例如參照專利文獻2)。另外還提出，含有具有包含(甲基)丙烯酸烷基酯的聚合物嵌段的二種嵌段共聚物、及(氫化)石油樹脂等增黏樹脂的黏著劑(例如參照專利文獻3)。
但是，為了使半導體元件高積體化，而必須將所形成的圖案微細化。即，為了使大量的半導體元件積體在較窄面積上，而必須儘可能減小半導體元件的大小。因此，必須減小圖案的寬度、及所鄰接的圖案彼此的間隔(間距)。然而，藉由光微影形成圖案的方法存在解析極限，因此圖案的微細化存在極限。
克服此種光微影步驟的解析極限的方法已知有雙圖案化(Double Patterning)。雙圖案化是將1個電路圖案分割成2個密集度較低的圖案再分別進行曝光而形成，並將所形成的2個圖案組合，而最終獲得密集度較高的微細圖案的技術(例如參照專利文獻4及專利文獻5)。雙圖案化可較佳地用於22nm這一代(半間距：32nm)以後的下一代半導體的製造。
雙圖案化中，通常使用2片罩幕進行2次曝光。因此，較為重要的是提高所形成的2個圖案彼此的相對的位置精度。即，在藉由第1次曝光而得的圖案與藉由第2次曝光而得的圖案的相對的位置精度較低時，無法獲得所需圖 案。因此，必須以奈米(nm)水平減小所形成的2個圖案的相對的位置的偏移。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2000-267261號公報
[專利文獻2]日本專利特開平4-237056號公報
[專利文獻3]日本專利特開平11-323072號公報
[專利文獻4]日本專利特開2008-103718號公報
[專利文獻5]日本專利特開2008-103719號公報
產生2個圖案的相對的位置的偏移的主要原因之一可列舉罩幕的應變。一般認為，罩幕的應變是在將表層壓接於罩幕時，表層架的應變通過罩幕接著劑層而傳遞到罩幕而產生的。因此，較為有效的是有效地使用塑性變形的材料(罩幕接著劑)形成罩幕接著劑層，使表層架的應變能量在罩幕接著劑層中鬆弛。
表示罩幕接著劑的塑性變形的容易性的參數可列舉損耗正切(以下亦記為「tanδ」)。例如tanδ顯示最大值的溫度(以下亦記為「tanδ峰值溫度」)為-10℃~30℃的範圍的罩幕接著劑，在進行雙圖案化的曝光的溫度(通常為室溫)下容易塑性變形。因此，藉由罩幕接著劑層進行塑性變形，而可使表層架的應變能量有效地鬆弛。
通常的罩幕接著劑包含成為主成分的基礎聚合物、以及其他各種添加劑。作為添加劑的一種的增黏樹脂具有使作為主成分的基礎聚合物的tanδ峰值溫度向高溫側偏移的 作用。因此，藉由調整增黏樹脂的添加量來使罩幕接著劑的tanδ峰值溫度在所需的溫度範圍內。
但是可用作基礎聚合物的苯乙烯/乙烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)等通常的熱塑性彈性體的tanδ峰值溫度為-70℃~-50℃左右而較低。因此，為了使罩幕接著劑的tanδ峰值溫度達到室溫左右的溫度範圍內，而必須添加大量的增黏樹脂。然而，增黏樹脂的含有比例較多的罩幕接著劑有時會過軟。若使用過軟的罩幕接著劑，則在曝光後將表層自罩幕剝離時，容易在罩幕表面上產生糊殘留。而且，過軟的罩幕接著劑由於瞬間的接著性較高，因此亦有以下問題：手接觸時發黏，操作性亦較低。
本發明是鑒於上述先前技術所具有的問題點而完成的，其課題在於提供一種具有在進行曝光的溫度範圍內特別容易塑性變形，自罩幕剝離時幾乎不殘留糊，且良好操作性的罩幕接著劑層的表層。另外，本發明的課題在於提供一種能抑制圖案的位置偏移的表層。另外，本發明的課題在於提供一種用於此種表層的罩幕接著劑。
即，根據本發明，可提供以下所示的表層、及罩幕接著劑。
[1]一種表層，其具備：表層架、配置於上述表層架的一端面的表層膜、配置於上述表層架的另一端面的包含罩幕接著劑的罩幕接著劑層，且上述罩幕接著劑包含在頻率1Hz的條件下所測定的損耗正切顯示最大值的溫度為 -20℃~30℃的熱塑性彈性體(A)100質量份、及增黏樹脂(B)20質量份~150質量份，上述熱塑性彈性體(A)是選自由苯乙烯系熱塑性彈性體、(甲基)丙烯酸酯系熱塑性彈性體、及烯烴系熱塑性彈性體所組成群中的至少一種，上述罩幕接著劑在頻率1Hz的條件下所測定的損耗正切顯示最大值的溫度為-10℃~30℃。
[2]如上述[1]所述之表層，其中上述熱塑性彈性體(A)為苯乙烯系熱塑性彈性體。
[3]如上述[2]所述之表層，其中上述苯乙烯系熱塑性彈性體為具有第一聚苯乙烯嵌段、側鏈具有異丙烯基的聚異戊二烯嵌段及第二聚苯乙烯嵌段的三嵌段共聚物、及/或其氫化物。
[4]如上述[1]至[3]中任一項所述之表層，其中上述增黏樹脂(B)根據JIS K-2207所規定的環球法而測定的軟化點為60℃~150℃。
[5]如上述[1]至[4]中任一項所述之表層，其中上述增黏樹脂(B)的數量平均分子量為300~3000。
[6]如上述[1]至[5]中任一項所述之表層，其中上述增黏樹脂(B)是選自由松香及其衍生物、聚萜樹脂及其氫化物、萜酚樹脂及其氫化物、芳香族改質萜樹脂及其氫化物、苯并呋喃-茚樹脂、脂肪族系石油樹脂、脂環族系石油樹脂及其氫化物、芳香族系石油樹脂及其氫化物、脂肪族芳香族共聚合系石油樹脂、二環戊二烯系石油樹脂及其氫化物、苯乙烯的低分子量聚合物、以及取代苯乙烯的低分 子量聚合物所組成群中的至少一種。
[7]一種表層，其具備：表層架、配置於上述表層架的一端面的表層膜、配置於上述表層架的另一端面的包含罩幕接著劑的罩幕接著劑層，且上述罩幕接著劑在23℃自石英玻璃基板剝離的剝離強度為50gf~300gf，由下述式(1)所規定的上述罩幕接著劑的應力殘留率R(900)為0≦R(900)≦15%的範圍：應力殘留率R(900)={F(900)/F(0)}×100 (1)
(上述式(1)中，F(0)表示藉由應力鬆弛測定而測定的最大應力，F(900)表示藉由上述應力鬆弛測定而測定的試驗時間經過900秒後的應力；上述應力鬆弛測定是在23℃的條件下使用流變計來實施)。
[8]一種罩幕接著劑，其包含在頻率1Hz的條件下所測定的損耗正切顯示最大值的溫度為-20℃~30℃的熱塑性彈性體(A)100質量份、及增黏樹脂(B)20質量份~150質量份，上述熱塑性彈性體(A)是選自由苯乙烯系熱塑性彈性體、(甲基)丙烯酸酯系熱塑性彈性體、及烯烴系熱塑性彈性體所組成群中的至少一種，在頻率1Hz的條件下所測定的損耗正切顯示最大值的溫度為-10℃~30℃。
[9]一種罩幕接著劑，其在23℃自石英玻璃基板剝離的剝離強度為50gf~300gf，由下述式(1)所規定的應力殘留率R(900)為0≦R(900)≦15%的範圍： 應力殘留率R(900)={F(900)/F(0)}×100 (1)
(上述式(1)中，F(0)表示藉由應力鬆弛測定而測定的最大應力，F(900)表示藉由上述應力鬆弛測定而測定的試驗時間經過900秒後的應力；上述應力鬆弛測定是在23℃的條件下使用流變計來實施)。
本發明的表層具有在進行曝光的溫度範圍內特別容易塑性變形，自罩幕剝離時幾乎不殘留糊的罩幕接著劑層。因此，若使用本發明的表層，則可抑制圖案的位置偏移。另外，由於此罩幕接著劑層不過於發黏，因此操作性亦良好。因此，本發明的表層適合於以雙圖案化為代表的要求較高圖案化精度的圖案化。
另外，本發明的罩幕接著劑可形成在進行曝光的溫度範圍內特別容易塑性變形，自罩幕剝離時幾乎不殘留糊，且操作性良好的罩幕接著劑層。因此，若使用本發明的罩幕接著劑，可提供適合於以雙圖案化為代表的要求較高圖案化精度的圖案化的表層。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
1.罩幕接著劑
本發明的罩幕接著劑包含特定的熱塑性彈性體(A)、 增黏樹脂(B)，根據需要還可包含軟化劑或蠟等其他成分。
(熱塑性彈性體(A))
熱塑性彈性體(A)的tanδ峰值溫度為-20℃~30℃，較佳為-20℃~25℃，更佳為-20℃~20℃，尤其更佳為-20℃~0℃。若使用tanδ峰值溫度為上述範圍內的熱塑性彈性體(A)作為基礎聚合物，則即便減少增黏樹脂(B)的調配量，亦可使所得的罩幕接著劑的tanδ峰值溫度為-10℃~30℃的範圍內。因此，可製成在曝光溫度範圍內容易塑性變形、且抑制了發黏的罩幕接著劑。
tanδ(損耗正切)是以損耗彈性模數(G")相對於儲存彈性模數(G')的比(G"/G')的值來表示。tanδ的最大值較大時，容易塑性變形。熱塑性彈性體(A)的tanδ的最大值較佳為0.5~3的範圍，更佳為0.9~2.0的範圍。
tanδ(損耗正切)可使用動態黏彈性測定裝置(商品名「ARES」、TA INSTRUMENTS公司製造)而測定及計算。具體而言，將圓盤狀試料片(直徑：25mm×厚度：2mm)夾在作為測定夾具的2片平行板(直徑：25mm)之間，將試驗片的厚度調整為特定的初始間隙後，在氮氣環境下、剪切模式、頻率：1Hz、測定溫度：-80℃~200℃、升溫速度：3℃/分鐘、及初始間隙：2mm的條件下，測定儲存彈性模數(G')及損耗彈性模數(G")。並且可根據所得的儲存彈性模數(G')與損耗彈性模數(G")而計算tanδ(=G"/G')。
熱塑性彈性體(A)可列舉：(i)苯乙烯系熱塑性彈性體、(ii)(甲基)丙烯酸酯系熱塑性彈性體、(iii)烯烴系熱塑性彈性體等。該些熱塑性彈性體(A)可單獨使用一種或組合使用二種以上。
其中，由於(i)苯乙烯系熱塑性彈性體在分子骨架中不含酯鍵部位，因此耐水解性優異，且由於同一分子骨架中兼具軟鏈段與硬鏈段兩種鏈段，因此柔軟性與機械強度均優異，因此可較佳地使用。
((i)苯乙烯系熱塑性彈性體)
苯乙烯系熱塑性彈性體是包含源自苯乙烯的結構單元的聚合物，較佳為苯乙烯與苯乙烯以外的烯烴的嵌段共聚物。苯乙烯以外的烯烴較佳為異戊二烯、4-甲基-1-戊烯等在聚合物嵌段中能形成具有蓬鬆分支結構的側鏈的單體。其中特佳為異戊二烯。
苯乙烯系熱塑性彈性體所含的源自苯乙烯的結構單元的合計的比例較佳為35質量%以下，更佳為20質量%以下。若源自苯乙烯的結構單元的含有比例過多，則會有導致與各種添加劑的相溶性惡化，導致苯乙烯系熱塑性彈性體與添加劑分離的情況。
苯乙烯系熱塑性彈性體較佳為包含第一聚苯乙烯嵌段、側鏈具有異丙烯基(1-甲基乙烯基(-C(=CH2)CH3)的聚異戊二烯嵌段及第二聚苯乙烯嵌段的三嵌段共聚物(以下亦記為「SIS」)，或上述三嵌段共聚物的氫化物(以下亦記為「H-SIS」)。包含側鏈具有如異丙烯基般蓬鬆分支 結構的聚合物嵌段的三嵌段共聚物的tanδ峰值溫度通常為-20℃~30℃左右較高。另外，所謂「三嵌段共聚物的氫化物」，是指SIS所含的3種聚合物嵌段中的「聚異戊二烯嵌段」中的不飽和鍵較佳為90%以上、更佳為95%以上被氫化而成的產物。
上述SIS的具體例可列舉：商品名「HYBRAR 5127」(可樂麗(Kuraray)公司製造、tanδ峰值溫度：20℃)、商品名「HYBRAR 5215」(可樂麗公司製造、tanδ峰值溫度：-3℃)等市售品。
另外，上述H-SIS的具體例可列舉：商品名「HYBRAR 7125」(可樂麗公司製造、tanδ峰值溫度：-5℃)、商品名「HYBRAR 7311」(可樂麗公司製造、tanδ峰值溫度：-17℃)等市售品。
((ii)(甲基)丙烯酸酯系熱塑性彈性體)
(甲基)丙烯酸酯系熱塑性彈性體是包含源自(甲基)丙烯酸酯的結構單元的聚合物。更具體而言，是聚(甲基)丙烯酸甲酯與聚(甲基)丙烯酸甲酯以外的(甲基)丙烯酸酯的二嵌段或三嵌段共聚物。聚(甲基)丙烯酸甲酯以外的(甲基)丙烯酸酯較佳為：聚(甲基)丙烯酸正丁酯、聚(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、聚(甲基)丙烯酸異壬酯等在聚合物嵌段中能形成具有蓬鬆分支結構的側鏈的單體。其中較佳為聚(甲基)丙烯酸正丁酯。
(甲基)丙烯酸酯系熱塑性彈性體的具體例可列舉：商品名「LA Polymer」系列(可樂麗公司製造)等。
((iii)烯烴系熱塑性彈性體)
烯烴系熱塑性彈性體是一種或二種以上的α-烯烴類的共聚物，較佳為非晶性或低結晶性。α-烯烴可列舉：乙烯、丙烯、丁烯、戊烯、己烯、庚烯、辛烯、壬烯、癸烯、十一碳烯、十二碳烯、4-甲基戊烯-1等。
烯烴系熱塑性彈性體的具體例可列舉：商品名「Tafmer」(三井化學公司製造)、商品名「Notio」(三井化學公司製造)等市售品。
(增黏樹脂(B))
增黏樹脂(B)是具有使成為基礎聚合物的熱塑性彈性體(A)的tanδ峰值溫度向高溫側偏移的作用的成分。增黏樹脂(B)的軟化點較佳為60℃~150℃，更佳為90℃~120℃，尤佳為90℃~110℃。
若增黏樹脂(B)的軟化點小於60℃，則有增黏樹脂(B)自調配物中滲出的情況。另外，存在缺乏使成為基礎聚合物的熱塑性彈性體(A)的tanδ峰值溫度向高溫側偏移的效果的情況。另一方面，若增黏樹脂(B)的軟化點超過150℃，則有喪失對成為基礎聚合物的熱塑性彈性體(A)賦予黏著性的功能的情況。另外，增黏樹脂(B)的軟化點是根據JIS K-2207所規定的環球法來測定。
另外，增黏樹脂(B)的數量平均分子量(Mn)較佳為300~3000，更佳為500~1000。
若增黏樹脂(B)的數量平均分子量(Mn)小於300，則有軟化點變得過低的傾向。另一方面，若增黏樹脂(B) 的數量平均分子量(Mn)超過3000，則有軟化點變得過高的傾向。另外，增黏樹脂(B)的數量平均分子量(Mn)可藉由凝膠滲透層析法(Gel permeation chromatography，GPC)以聚苯乙烯為標準來測定。
增黏樹脂(B)較佳為與熱塑性彈性體(A)具有相溶性。藉此，可使熱塑性彈性體(A)的tanδ峰值溫度有效地向高溫側偏移。就與熱塑性彈性體(A)的相溶性的觀點而言，增黏樹脂(B)可列舉：松香及其衍生物、聚萜樹脂及其氫化物、萜酚樹脂及其氫化物、芳香族改質萜樹脂及其氫化物、苯并呋喃-茚樹脂、脂肪族系石油樹脂、脂環族系石油樹脂及其氫化物、芳香族系石油樹脂及其氫化物、脂肪族芳香族共聚合系石油樹脂、二環戊二烯系石油樹脂及其氫化物。該些增黏樹脂由於與SIS或H-SIS的聚異戊二烯嵌段具有較高的相溶性，因此較佳。
其中，較佳為松香及其衍生物、聚萜樹脂及其氫化物、脂肪族系石油樹脂、脂環族系石油樹脂及其氫化物，更佳為松香及其衍生物、脂肪族系石油樹脂、脂環族系石油樹脂及其氫化物。在熱塑性彈性體(A)為(i)苯乙烯系熱塑性彈性體時，特佳為脂環族系石油樹脂的氫化物。
松香及其衍生物的具體例可列舉：以下商品名的「Pinecrystal」、「Super Ester」、「Tamanol」(以上為荒川化學公司製造)等。聚萜樹脂、萜酚樹脂、芳香族改質萜樹脂、及該些的氫化物的具體例可列舉：以下商品名的「YS Resin」、「YS Polyster」、「Clearon」(以上為Yasuhara Chemical公司製造)等。脂肪族系石油樹脂、脂環族系石油樹脂及其氫化物、芳香族系石油樹脂及其氫化物、脂肪族芳香族共聚合系石油樹脂、二環戊二烯系石油樹脂及其氫化物的具體例可列舉：以下商品名的「Alcon」(荒川化學公司製造)、「Hi-rez」(三井化學公司製造)、「Aimerb」(出光興產公司製造)、「Quinton」(日本瑞翁(ZEON)公司製造)、「Escorez」(Tonex公司製造)等。
增黏樹脂(B)可單獨使用一種或組合使用二種以上。
罩幕接著劑所含的增黏樹脂(B)的量相對於熱塑性彈性體(A)100質量份，為20質量份~150質量份。
使用SEBS作為熱塑性彈性體(A)時，為了使所得的罩幕接著劑的tanδ峰值溫度為-10℃~30℃的範圍，相對於SEBS100質量份，需要添加200質量份~300質量份的增黏樹脂(B)。相對於此，本發明中，即便相對於熱塑性彈性體(A)100質量份，增黏樹脂(B)的量為150質量份以下，亦可使所得的罩幕接著劑的tanδ為-10℃~30℃的範圍。因此，本發明的罩幕接著劑發黏較少，且自罩幕剝離時幾乎不殘留糊。
另外，若相對於熱塑性彈性體(A)100質量份的增黏樹脂(B)的量小於20質量份，則難以使所得的罩幕接著劑的tanδ峰值溫度為-10℃以上。另一方面，若增黏樹脂(B)的量超過150質量份，則會導致所得的罩幕接著劑發黏，並自罩幕剝離時產生糊殘留。
(其他成分)
罩幕接著劑還可含有上述熱塑性彈性體(A)及增黏樹脂(B)以外的其他成分。其他成分例如可列舉軟化劑、蠟等。
軟化劑若為能對熱塑性彈性體(A)賦予柔軟性的材料，則並無特別限定。軟化劑的具體例可列舉：聚丁烯、氫化聚丁烯、不飽和聚丁烯、脂肪族烴、丙烯酸系聚合物等。
軟化劑的添加量相對於熱塑性彈性體(A)100質量份，通常為20質量份~300質量份，較佳為50質量份~200質量份。
蠟是能調整所得的罩幕接著劑的硬度的成分。蠟的具體例可列舉聚乙烯蠟、聚丙烯蠟等高彈性材料。蠟的添加量相對於熱塑性彈性體(A)100質量份，通常為20質量份~200質量份，較佳為50質量份~100質量份。
(罩幕接著劑)
罩幕接著劑的tanδ峰值溫度為-10℃~30℃，較佳為-5℃~30℃，更佳為-1℃~15℃。表層在罩幕上的安裝等作業、或曝光步驟等在常溫下進行。因此，在上述範圍內具有tanδ峰值溫度的本發明的罩幕接著劑能在常溫條件下形成可藉由塑性變形而使表層架的應變能量有效鬆弛的罩幕接著劑層。
罩幕接著劑的tanδ的最大值較佳為1.3~5，更佳為1.3~3。tanδ的最大值較高的罩幕接著劑容易塑性變形，可使表層架的應變能量鬆弛。但若tanδ的最大值過高，則有導 致罩幕接著劑過於容易變形，而難以保持接著劑的形狀的傾向。
罩幕接著劑在25℃的儲存彈性模數(G')較佳為1×103Pa~1×107Pa，更佳為1×104Pa~1×106Pa。
儲存彈性模數(G')為上述範圍的罩幕接著劑的操作性良好。另外，為了提高罩幕接著劑的儲存彈性模數(G')，而只要提高熱塑性彈性體(A)的含有比例即可。另一方面，為了降低罩幕接著劑的儲存彈性模數(G')，而只要降低熱塑性彈性體(A)的含有比例即可。
罩幕接著劑在25℃的損耗彈性模數(G")較佳為1×103Pa~1×107Pa，更佳為1×104Pa~1×106Pa。
罩幕接著劑的tanδ、儲存彈性模數(G')及損耗彈性模數(G")能以與上述相同的方式測定。
本發明的罩幕接著劑在特定的溫度範圍內具有tanδ峰值溫度。因此，若用作表層的罩幕接著劑層，則罩幕接著劑層在曝光溫度範圍發生塑性變形而吸收(鬆弛)表層的應變，可抑制表層的應變向罩幕傳遞。而且，本發明的罩幕接著劑難以殘留糊。因此，即便罩幕接著劑接觸到作業者的手，亦容易自手脫離，操作性亦優異。
另外，本發明的罩幕接著劑在23℃自石英玻璃基板剝離的剝離強度為50gf~300gf(0.49N~2.94N)，由下述式(1)所規定的應力殘留率R(900)為0≦R(900)≦15%的範圍。
應力殘留率R(900)={F(900)/F(0)}×100 (1)
另外，上述式(1)中，F(0)表示藉由應力鬆弛測定而測定的最大應力，F(900)表示藉由應力鬆弛測定而測定的試驗時間經過900秒後的應力。此應力鬆弛測定是在23℃的條件下使用流變計來實施。
應力鬆弛是指在材料內發生作用的應力藉由塑性變形而降低的現象。應力鬆弛的程度(應力鬆弛的快慢)因材料而不同，可藉由應力殘留率R(t)來定量化。此應力殘留率R(t)以試驗經過時間t秒後的應力F(t)相對於最大應力F(0)的比(%)來表示。另外，F(0)及F(t)可藉由使用流變計(黏彈性測定裝置)的應力鬆弛測定來測定。
在對不同材料彼此的應力鬆弛特性進行比較時，只要對應力殘留率的大小進行比較即可。通常，應力殘留率較大的材料隨著時間經過而應力難以消除。另一方面，應力殘留率較小的材料隨著時間經過而應力容易消除。但在對這兩種情況進行比較時，必須比較相同的試驗經過時間(t秒)後的應力殘留率R(t)。
在通常的半導體的製造步驟中，將表層壓接於罩幕後，罩幕接著劑應力鬆弛而殘留應力降低，罩幕的應變消除後，移送至下一步驟。因此，就製造效率提高的觀點而言，較佳為殘留應力降低的時間較短。因此，本發明中，考慮到目前的一般的罩幕操作步驟所需用的時間，而使用t=900秒的應力殘留率R(900s)作為指標。另外，一般 的半導體製造步驟是在室溫(約23℃)下實施，因此使用23℃下測定的應力殘留率作為指標。
本發明的罩幕接著劑的應力殘留率R(900)為0≦R(900)≦20%、更佳為0≦R(900)≦15%的範圍。因此，若用作表層的罩幕接著劑層，則罩幕接著劑層在曝光溫度範圍內發生塑性變形而吸收(鬆弛)表層的應變，而可抑制表層的應變向罩幕傳遞。
罩幕接著劑的應力殘留率R(900)可使用動態黏彈性測定裝置(商品名「ARES」、TA INSTRUMENTS公司製造)進行測定及計算。具體而言，將圓盤狀試料片(直徑：25mm×厚度：2mm)夾在作為測定夾具的2片平行板(直徑：25mm)之間，將試料片的厚度調整為特定的初始間隙後，在氮氣環境下、剪切模式、應變：1%、測定溫度：23℃、及初始間隙：2mm的條件下，對測定時間t的應力F(t)進行測定。並且，根據所得的「最大應力F(0)」、及試驗時間經過900秒後的應力「F(900)」，計算應力殘留率R(900)。
另外，罩幕接著劑在23℃自石英玻璃基板剝離的剝離強度為50gf~300gf，較佳為100gf~250gf。自石英玻璃基板剝離的剝離強度的強弱可作為將表層自罩幕剝離時有無殘留糊的指標。本發明的罩幕接著劑由於在23℃自石英玻璃基板剝離的剝離強度在上述數值範圍內，因此難以殘留糊。另外，即便罩幕接著劑接觸到作業者的手，亦容易自手脫離，且操作性亦優異。另外，若剝離強度小於50gf， 則使用中表層會脫落、或者貼附位置產生偏移等接著可靠性降低。另一方面，若剝離強度超過300gf，則剝離時產生糊殘留。
罩幕接著劑的剝離強度可根據以下所示的方法進行測定。首先，(1)準備經清洗的石英玻璃基板(型號「#6025基板」、HOYA公司製造、尺寸：152mm×152mm×6.35mm)。(2)將去除了剝離襯墊的罩幕接著劑載置於石英玻璃基板上，再載置鋁製表層架(外側尺寸：149mm×122mm、架高H：5.8mm、架寬W：2mm)。另外，罩幕接著劑尺寸設為外側尺寸：149mm×122mm、架寬W：1.6mm。(3)在表層架上載置30kg的砝碼並保持3分鐘後，去除砝碼，而獲得包含石英玻璃基板、罩幕接著劑、及表層架的積層體。(4)將所得的積層體立著收納於玻璃基板，在23℃下保管10天使密接力穩定化而作為測定用樣品。
圖2是示意性表示罩幕接著劑的剝離強度的測定方法的剖面圖。如圖2所示，將包含石英玻璃基板20、罩幕接著劑22(罩幕接著劑層)、及表層架24的積層體，於例如標準型萬能試驗機(Intesco公司製造)的剝離夾具28上，以將剝離夾具28的突起嵌入到表層架24的夾具穴(未圖示)的方式進行設置。另外，在石英玻璃基板20上載置砝碼26。將標準型萬能試驗機的負荷測定用負荷單元設定為20mm/分鐘的速度，在23℃的條件下，藉由壓下夾具30而壓下剝離夾具28的臂32的端部。可測定罩幕接著劑22自石英玻璃基板20剝離時所需要的負荷作為「剝離強度 (gf)」。
2.表層
本發明的表層具備：表層架、配置於表層架的一端面的表層膜、配置於表層架的另一端面的包含罩幕接著劑的罩幕接著劑層。圖1是表示本發明的表層的一個實施方式的示意圖。本實施方式的表層10具有表層膜12、以及支持表層膜12的外周的表層架14。表層膜12經由位於表層架14的一端面的膜接著劑層13而鋪設。另一方面，為了將表層架14接著於罩幕(未圖示)，而於表層架14的另一端面設置罩幕接著劑層15。罩幕接著劑層15由上述罩幕接著劑形成。
表層膜12藉由表層架14保持，並覆蓋罩幕的曝光區域。因此，表層膜12具有不阻斷曝光的能量的透光性。表層膜12的材質的例子包括：石英玻璃、或氟系樹脂或乙酸纖維素等具有透明性的材質。
表層架14是經氧化鋁膜處理(alumite treatment)的鋁架等。表層架14較佳為黑色。原因是防止曝光之光的反射，並且使檢查有無所附著的異物等變得容易。
膜接著劑層13將表層架14與表層膜12予以接著。膜接著劑層13的例子包括：丙烯酸樹脂接著劑、環氧樹脂接著劑、矽樹脂接著劑、含氟矽接著劑等氟聚合物等。
罩幕接著劑層15使表層架14接著於罩幕。罩幕接著劑層15可塗佈上述罩幕接著劑並乾燥而形成。罩幕接著劑的塗佈方法可為公知的方法。例如，可藉由將刮刀狀塗佈 噴嘴與表層架的端面抵接，而使罩幕接著劑自塗佈噴嘴噴出的方法等將罩幕接著劑塗佈於所需的部位。罩幕接著劑層15的厚度為0.3mm~1.0mm左右。
罩幕接著劑層15的表面可配置用來保護罩幕接著劑層15的脫模片(間隔片)。脫模片的例子包括聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚丙烯膜等。脫模片是在將表層安裝於罩幕時剝離。
表層10是在將脫模片剝離後，經由罩幕接著劑層15而安裝於罩幕上。附著於罩幕的異物會對晶圓引起解析不良。因此，表層10以覆蓋罩幕的曝光區域的方式安裝。藉此防止異物附著於罩幕。
在對罩幕安裝表層10時，可使用表層安裝機(例如松下精機公司製造等)。在常溫下在表層安裝機中設置表層與罩幕，使表層與罩幕壓接。壓接條件亦取決於罩幕的種類等，例如在室溫下以20kgf/cm2左右的壓力壓接3分鐘左右即可。
罩幕的具體例可列舉：配置有經圖案化的遮光膜的合成石英、石英玻璃等玻璃基板。遮光膜是Cr或MoSi等金屬的單層結構或多層結構的膜。罩幕的厚度例如為6mm左右。
在半導體元件上所刻畫的電路圖案的形成步驟等微影中所用的曝光之光，可使用水銀燈的i線(波長365nm)、KrF準分子雷射(波長248nm)、ArF準分子雷射(波長193nm)等短波長的曝光之光。
如上所述，本發明的表層具有在曝光溫度範圍內會適度地可塑應變，並且難殘留糊的罩幕接著劑層。因此，即便將表層安裝於罩幕，罩幕接著劑層亦會吸收及鬆弛表層的應變能量，而可抑制應變向罩幕傳遞。因此，可抑制因罩幕的應變引起的圖案化精度的降低。另外，在將表層自罩幕剝離時罩幕接著劑層不會殘留糊，操作性亦優異。
而且，雙圖案化中，使用2個罩幕，對1個晶圓進行2次曝光。並且，藉由使2個電路圖案互不相同地重合，而獲得具有由1個罩幕所得的電路圖案的間距的1/2的間距的電路圖案。雙圖案化所得的電路圖案的間距為1nm~5nm左右。
藉由使用雙圖案化的方法，可實現將難以藉由1片罩幕曝光的32nm節點以下的第一代所要求的微細的電路圖案曝光。此技術中，較為重要的是，如何使藉由第1次曝光與第2次曝光而形成的各電路圖案如所設計的電路圖般準確地重合。如此，在雙圖案化中，要求儘可能減小2個圖案的相對位置的偏移量(圖案的位置偏移量)。32nm節點以下的世代所要求的圖案的位置偏移量為0nm~5nm左右，較佳為0nm~3nm左右。
所謂2個圖案的位置偏移量，是藉由第1次的曝光、顯影而形成的圖案、與第2次的曝光、顯影而形成的圖案的實測距離，和根據電路設計所要求的距離的差。2個圖案的位置偏移量可藉由以下方法測定。首先，經由罩幕進行第1次的曝光。然後，自進行第1次的曝光的位置將罩 幕偏移特定量而進行第2次的曝光。此時，藉由SEM觀察求出藉由第1次的曝光、顯影而形成的圖案，與藉由第2次的曝光、顯影而形成的圖案的距離，將此距離與根據電路設計所要求的距離的差作為圖案的位置偏移量。
如此，在雙圖案化中，必須以奈米水平儘可能減小2個圖案的相對位置的偏移，而謀求較高的圖案化精度。本發明的表層由於不會將表層的應變傳遞給罩幕，因此特別適合於雙圖案化。
[實例]
以下，根據實例對本發明進行具體地說明，但本發明並不限定於該些實例。另外，以下表示各種物性值的測定方法、及各特性的評價方法。
(1)各種物性值的測定方法及各種評價方法
[tanδ峰值溫度、tanδ的最大值、儲存彈性模數(G')、損耗彈性模數(G")]
使用動態黏彈性測定裝置(商品名「ARES」、TA INSTRUMENTS公司製造)，將圓盤狀試料片(直徑：25mm×厚度：2mm)夾在作為測定夾具的2片平行板(直徑：25mm)之間，將試驗片的厚度調整為特定初始間隙後，在氮氣環境下、剪切模式、頻率：1Hz、測定溫度：-80℃~200℃、升溫速度：3℃/分鐘、及初始間隙：2mm的條件下，測定儲存彈性模數(G')及損耗彈性模數(G")。根據所得的儲存彈性模數(G')與損耗彈性模數(G")求出tanδ(=G"/G')，並計算tanδ顯示最大值的溫度(tanδ 峰值溫度)、及其最大值。
[應力殘留率R(900)]
使用動態黏彈性測定裝置(商品名「ARES」、TA INSTRUMENTS公司製造)，將圓盤狀試料片(直徑：25mm×厚度：2mm)夾在作為測定夾具的2片平行板(直徑：25mm)之間，將試料片的厚度調整為特定的初始間隙後，在氮氣環境下、剪切模式、應變：1%、測定溫度：23℃、及初始間隙：2mm的條件下，對測定時間t的應力F(t)進行測定。根據所得的「最大應力F(0)」、以及試驗時間經過900秒後的應力「F(900)」，計算應力殘留率R(900)。
[剝離強度]
(1)準備經清洗的石英玻璃基板(型號「#6025基板」、HOYA公司製造、尺寸：152mm×152mm×6.35mm)。(2)將去除了剝離襯墊的罩幕接著劑載置於石英玻璃基板上，再載置鋁製表層架(外側尺寸：149mm×122mm、架高H：5.8mm、架寬W：2mm)。另外，罩幕接著劑尺寸設定外側尺寸：149mm×122mm、架寬W：1.6mm。(3)在表層架上載置30kg的砝碼而保持3分鐘後，去除砝碼，而獲得包含石英玻璃基板、罩幕接著劑、及表層架的積層體。(4)將所得的積層體立著收納於玻璃基板，在23℃下保管10天使密接力穩定化而作為測定用樣品。
如圖2所示，將包含石英玻璃基板20、罩幕接著劑22(罩幕接著劑層)、及表層架24的積層體，於標準型萬能試驗機(Intesco公司製造)的剝離夾具28上，以將剝離 夾具28的突起嵌入表層架24的夾具穴(未圖示)的方式設置。另外，在石英玻璃基板20上載置砝碼26。將標準型萬能試驗機的負荷測定用負荷單元設定為20mm/分鐘的速度，在23℃的條件下，藉由壓下夾具30而壓下剝離夾具28的臂32的端部。測定罩幕接著劑22自石英玻璃基板20剝離所需用的負荷作為「剝離強度(gf)」。
[圖案的位置偏移量]
使用半導體曝光裝置(商品名「ArF液浸掃描機NSR-S610C」、尼康公司製造)，經由安裝了表層的罩幕對晶圓(6025基板、厚度：6.35mm、長度：151.95mm)進行2次曝光，而於晶圓上蝕刻圖案。更具體而言，進行第1次的曝光後，將罩幕偏移而進行第2次的曝光。然後，藉由SEM觀察並測定藉由第1次的曝光而形成的圖案、與藉由第2次的曝光而形成的圖案的偏移量(距離)。然後，將所測定的距離(X)與罩幕偏移的量(Y)的差(X-Y)作為「圖案的位置偏移量(nm)」。另外，圖案的位置偏移量越小越好，將圖案的位置偏移量為5nm以下的情形評價為「良好」，將圖案的位置偏移量超過5nm的情形評價為「不良」。
[罩幕的應變量]
在表層安裝機(松下精機公司製造)中設置表層與罩幕，在溫度：常溫(25℃)、壓力：20kgf/cm2、壓接時間：3分鐘的條件下，在石英玻璃製罩幕(厚度：6.35mm)壓接表層。使用平面度測定解析裝置(商品名 「UltraFlat200Mask」、Corning Tropel公司製造)測定安裝了表層的罩幕的應變量。另外，測定面積設為146mm2。
安裝了表層的罩幕通常反映表層架(鋁架)的應變而彎成弓形。使用平面度測定解析裝置測定整個罩幕後，罩幕的應變狀態以等高線圖表示，並表示應變量的最大值與最小值的差。將表層安裝前的整個罩幕的應變量(1)、與表層安裝後的整個罩幕的應變量(2)的差((1)-(2))作為藉由安裝表層而產生的「罩幕的應變量(nm)」。另外，罩幕的應變量越小越好，最佳為「0」(即無應變)。
[糊殘留]
使用照明裝置(S-Vans公司製造、照度：30萬勒克斯)對剝離表層後的罩幕的表面進行照明，一邊使罩幕的表面反射光一邊目視觀察有無糊殘留。
(2)各種成分
罩幕接著劑的原料是使用以下所示的各種成分。
(熱塑性彈性體(A))
H-SIS(1)：苯乙烯-氫化異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(商品名「HYBRAR 7125」(可樂麗公司製造)、tanδ峰值溫度：-5℃、苯乙烯含有比例：20質量%)
H-SIS(2)：苯乙烯-氫化異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(商品名「HYBRAR 7311」(可樂麗公司製造)、tanδ峰值溫度：-17℃、苯乙烯含有比例：12質量%)
SEBS：苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(商品名「Tuftec H1062」(旭化成化學公司製造)tanδ峰值溫度： -48℃)
(甲基)丙烯酸酯系彈性體：(商品名「LA POLYMER 2140e」(可樂麗公司製造)、tanδ峰值溫度：-20℃)
烯烴系彈性體(1)：(商品名「Notio PN3560」(三井化學公司製造)、tanδ峰值溫度：-20℃)
烯烴系彈性體(2)：4-甲基-1-戊烯與1-己烯的無規共聚物(4-甲基-1-戊烯：55mol%、1-己烯：45mol%、tanδ峰值溫度：-2℃)
(增黏樹脂(B))
脂環族系石油樹脂的氫化物：C9系氫化石油樹脂(商品名「Alcon P-100」(荒川化學工業公司製造)、軟化點：100±5℃、數量平均分子量(Mn)：610)
松香酯樹脂(商品名「Pinecrystal KE-311」(荒川化學公司製造)、軟化點：100±5℃)
(軟化劑)
聚丁烯(商品名「Nissan Polybutene 30N」(日油公司製造))
石蠟系礦物油(商品名「Neovac MR-200」(MORESCO公司製造))
丙烯酸系聚合物(商品名「ARUFON UP1080」(東亞合成公司製造))
(蠟)
聚丙烯熱分解型蠟(商品名「HIWAX NP055」(三井化學公司製造))
(3)表層的製造
(實例1)
將H-SIS(1)100質量份、增黏樹脂(B)100質量份、及軟化劑200質量份以總量48g的方式混合而獲得原料混合物。將所得的原料混合物投入到Labo-plastomill(東洋精機製作所公司製造、內容量：60mL)後進行密閉。以200℃、100rpm混練20分鐘，而獲得塊狀罩幕接著劑。將約10g罩幕接著劑投入到加熱箱(箱內溫度：200℃)使其熔融。另一方面，準備如圖1所示的經陽極氧化處理的鋁製表層架14(外側尺寸：149mm×122mm、架高H：5.8mm、架寬W：2mm)。將自與加熱箱連通的針尖擠出的熔融狀態的罩幕接著劑塗佈於表層架14的一端面上，而形成罩幕接著劑層15。所形成的罩幕接著劑層15的厚度為0.6mm。另外，在罩幕接著劑層15的表面配置間隔片。在表層架14另一端面(未形成罩幕接著劑層15之側的端面)上，經由膜接著劑層13貼附表層膜12而獲得表層10。將罩幕接著劑的tanδ峰值溫度、tanδ的最大值、25℃的儲存彈性模數(G')、25℃的損耗彈性模數(G")、應力殘留率R(900)、及剝離強度的測定結果示於表1。另外，將圖案的位置偏移量的測定及評價結果、罩幕的應變量的測定結果、以及糊殘留的評價結果示於表1。
(實例2~實例11、比較例1~比較例6)
以表1所示的調配的方式混合各成分而獲得混合物，除此以外，以與上述實例1相同的方式獲得表層。將罩幕 接著劑的tanδ峰值溫度、tanδ的最大值、25℃的儲存彈性模數(G')、25℃的損耗彈性模數(G")、應力殘留率R(900)、及剝離強度的測定結果示於表1。另外，將圖案的位置偏移量的測定及評價結果、罩幕的應變量的測定結果、以及糊殘留的評價結果示於表1。
使用實例1~實例11的表層時的罩幕的應變量為52nm以下。另外，圖案的位置偏移量為2nm以下，進行雙圖案化時為足夠小的位置偏移量。另外，任一實例中，自罩幕剝離表層時均未產生糊殘留。相對於此，使用比較例1~比較例6的表層時，圖案的位置偏移量、罩幕的應變量、及糊殘留的任一評價均較差。
比較例1及比較例2的表層所使用的罩幕接著劑的熱塑性彈性體(A)的tanδ峰值溫度在特定的範圍外。因此，即便將相對於熱塑性彈性體(A)100質量份，增黏樹脂(B)的調配量增加到150質量份，所得的罩幕接著劑的tanδ峰值溫度亦為低於-10℃的低溫(-21℃及-11℃)。因此，推測圖案的位置偏移量、及罩幕的應變量變大。但由於增黏樹脂(B)的調配量並不過量，因此認為不產生糊殘留。
比較例3的表層所用的罩幕接著劑，相對於熱塑性彈性體(A)100質量份，而將增黏樹脂(B)的調配量增加到200質量份。因此，所得的罩幕接著劑的tanδ峰值溫度為-10℃~30℃的範圍內。因此，推測圖案的位置偏移量及罩幕的應變量變小。另一方面，由於增黏樹脂(B)的調配量過量，因此認為產生糊殘留。
比較例4及比較例5的表層所用的罩幕接著劑的熱塑性彈性體(A)的tanδ峰值溫度在特定範圍內。因此，所得的罩幕接著劑的tanδ峰值溫度在-10℃~30℃的範圍內。因此，推測圖案的位置偏移量及罩幕的應變量變小。另一方面，由於增黏樹脂(B)的調配量過量，因此認為 產生糊殘留。
比較例6的表層所用的罩幕接著劑的熱塑性彈性體(A)的tanδ峰值溫度在特定範圍內。但是由於相對於熱塑性彈性體(A)100質量份的增黏樹脂(B)的調配量過少，因此所得的罩幕接著劑的tanδ峰值溫度為低於-10℃的低溫(-15℃)。因此，推測圖案的位置偏移量及罩幕的應變量變大。但由於增黏樹脂(B)的調配量並不過量，因此認為不產生糊殘留。
[產業上之可利用性]
本發明的表層適合於以雙圖案化為代表的要求較高圖案化精度的圖案化。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧表層
12‧‧‧表層膜
13‧‧‧膜接著劑層
14、24‧‧‧表層架
15‧‧‧罩幕接著劑層
20‧‧‧石英玻璃基板
22‧‧‧罩幕接著劑
26‧‧‧砝碼
28‧‧‧剝離夾具
30‧‧‧壓下夾具
32‧‧‧臂
H‧‧‧架高
W‧‧‧架寬
圖1是表示本發明的表層的一個實施方式的示意圖。
圖2是示意性表示罩幕接著劑的剝離強度的測定方法的剖面圖。
10‧‧‧表層
12‧‧‧表層膜
13‧‧‧膜接著劑層
14‧‧‧表層架
15‧‧‧罩幕接著劑層
H‧‧‧架高
W‧‧‧架寬

Claims (9)

  1. 一種表層，其具備：表層架、配置於上述表層架的一端面的表層膜、配置於上述表層架的另一端面的包含罩幕接著劑的罩幕接著劑層，且上述罩幕接著劑包含：在頻率1Hz的條件下測定的損耗正切顯示最大值的溫度為-20℃~30℃的熱塑性彈性體(A)100質量份、及增黏樹脂(B)20質量份~150質量份，上述熱塑性彈性體(A)為選自由苯乙烯系熱塑性彈性體、(甲基)丙烯酸酯系熱塑性彈性體、及烯烴系熱塑性彈性體所組成群中的至少一種，上述罩幕接著劑在頻率1Hz的條件下所測定的損耗正切顯示最大值的溫度為-10℃~30℃。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之表層，其中上述熱塑性彈性體(A)為苯乙烯系熱塑性彈性體。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之表層，其中上述苯乙烯系熱塑性彈性體為具有第一聚苯乙烯嵌段、側鏈具有異丙烯基的聚異戊二烯嵌段及第二聚苯乙烯嵌段的三嵌段共聚物、及/或其氫化物。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之表層，其中上述增黏樹脂(B)根據JIS K-2207所規定的環球法而測定的軟化點為60℃~150℃。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之表層，其中上述增黏樹脂(B)的數量平均分子量為300~3000。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之表層，其中上述增黏樹脂(B)為選自由松香及其衍生物、聚萜樹脂及其氫化物、萜酚樹脂及其氫化物、芳香族改質萜樹脂及其氫化物、苯并呋喃-茚樹脂、脂肪族系石油樹脂、脂環族系石油樹脂及其氫化物、芳香族系石油樹脂及其氫化物、脂肪族芳香族共聚合系石油樹脂、以及二環戊二烯系石油樹脂及其氫化物所組成群中的至少一種。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之表層，上述罩幕接著劑在23℃自石英玻璃基板剝離的剝離強度為50gf~300gf，上述罩幕接著劑的由下述式(1)所規定的應力殘留率R(900)為0≦R(900)≦15%的範圍；應力殘留率R(900)={F(900)/F(0)}×100 (1)(上述式(1)中，F(0)表示藉由應力鬆弛測定而測定的最大應力，F(900)表示藉由上述應力鬆弛測定而測定的試驗時間經過900秒後的應力；上述應力鬆弛測定是在23℃的條件下使用流變計來實施)。
  8. 一種罩幕接著劑，其包含：在頻率1Hz的條件下所測定的損耗正切顯示最大值的溫度為-20℃~30℃的熱塑性彈性體(A)100質量份、及增黏樹脂(B)20質量份~150質量份，上述熱塑性彈性體(A)為選自由苯乙烯系熱塑性彈 性體、(甲基)丙烯酸酯系熱塑性彈性體、及烯烴系熱塑性彈性體所組成群中的至少一種，在頻率1Hz的條件下所測定的損耗正切顯示最大值的溫度為-10℃~30℃。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之罩幕接著劑，其在23℃自石英玻璃基板剝離的剝離強度為50gf~300gf，由下述式(1)所規定的應力殘留率R(900)為0≦R(900)≦15%的範圍；應力殘留率R(900)={F(900)/F(0)}×100 (1)(上述式(1)中，F(0)表示藉由應力鬆弛測定而測定的最大應力，F(900)表示藉由上述應力鬆弛測定而測定的試驗時間經過900秒後的應力；上述應力鬆弛測定是在23℃的條件下使用流變計來實施)。
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