TWI450941B - 再剝離性加工薄膜 - Google Patents

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Description

再剝離性加工薄膜
本發明涉及再剝離性加工薄膜，更詳言之，涉及用於多層印刷配線板之軟性配線板製作用之基材薄片，或適用於金屬材料或其以外之無機材料，例如電荷耦合裝置或互補式金屬氧化半導體元件之玻璃部等之具有基材薄膜與設於其一面之丙烯醯系黏著劑層之再剝離性加工薄膜。
印刷配線板係藉印刷等形成搭載於其之電器‧電子零件間之連接所需之導體電路圖案於絕緣基板表面或表面與其內部之配線板。
如此之印刷配線板，從形狀面觀之可大致分為硬質印刷配線板與軟性印刷配線板，構造上可分為單層、2層以上之多層。
這些印刷配線板之中，軟性印刷配線板係於富柔軟性之絕緣性基材薄片形成導體電路圖案，係為立體高密度構裝於電子機器內部之狹窄、具複雜構造之空間內時不可或缺之基板。如此之軟性印刷配線板係回應近年來之電子機器類之小型輕量化、高密度化、高精度化等需求之最佳電子機器用構材之一，其需求快速延伸。
因於該軟性印刷配線板有撓性之要求，作為絕緣性基材薄片之塑膠薄片係用例如聚醯亞胺薄片、聚苯硫醚薄片等耐熱性、絕緣性等優良之塑膠薄片，且於此基材薄片表面或表面與其內部以銅等金屬材料形成電路圖案。電路圖案之形成方法已知除例如僅留下銅面積層板之銅箔的必要部分，藉蝕刻處理溶解去除其餘部分之減去法以外，有加成法等。此加成法係僅於基板之必要部分施以鍍敷處理形成電路圖案之方法，有半加成法與全加成法。
如此之軟性印刷配線板之要求性能除例如尺寸精度、低翹曲‧扭曲率、耐熱性、剝離強度、彎曲強度、高體積電阻率、耐藥物性、加熱彎曲強度等以外，印刷配線板之加工適性亦極重要。
如此之印刷配線板，在上述之電路形成、電器‧電子零件之構裝過程中，為抑制對該配線板之溶劑污染、異物混入、瑕疵發生等，一般在進行該等處理以前，先於用在軟性印刷電路基材製作用之基材薄片貼合再剝離性加工薄膜。此加工薄膜係於基材薄膜之一面設有可再剝離之黏著劑層，貼合於軟性印刷配線板用之基材薄片後，經衝切加工、溶劑浸泡、熱壓等種種加工後，自所製作之軟性印刷配線板剝離。因此，具有可於該加工中不發生浮起、剝落等，並在剝離後不於被著體(基材薄片)有殘膠，且不致使被著體發生捲曲之再剝離性至關重要。
因而，本申請人先前於軟性印刷配線板製作用之基材薄片進行該處理而發現，於製作軟性印刷配線板之過程不發生滑移、浮起、剝落等，可有效抑制往該配線板表面之溶劑污染、異物混入、瑕疵發生等，並於剝離後不於被著體留下殘膠，且不致使被著體發生捲曲之再剝離性加工薄膜，提出過申請(參照例如專利文獻1)。
而近年來，伴隨電子機器之高性能化、高速化，於印刷配線板亦有高密度構裝、高密度配線化之要求，為滿足該需求，多層印刷配線板多受矚目。又，最近，隨電器‧電子機器之小型化，多層印刷配線板愈見有薄型化、高密度化之要求，使用接著薄片(熱硬化性樹脂薄片)之多層印刷配線板已漸受採用。
製造如此之多層印刷配線板係用例如介著環氧樹脂薄片等接著性薄片，將設有電路圖案，構裝有電器‧電子零件之軟性印刷配線板與其它軟性印刷配線板疊合之方法。
具體而言，一般係用：以於貼有再剝離性加工薄膜之基材薄片形成電路圖案，更構裝電器‧電子零件，於其上設包覆薄片(聚醯亞胺薄片等)者為1單元，剝除該再剝離性加工薄膜，使露出之基材薄片與其它單元之包覆薄片相向，於其間***環氧系樹脂薄片等接著性薄片，疊合該單元之方法。此一方法中，單元與單元間之接著必須夠高。
而於數位相機、攝影機、照相手機等，近年來搭載有電荷耦合裝置(CCD)、互補式金屬氧化半導體元件(CMOS)等固態攝影元件。製造這些CCD、CMOS的製品之際，於用以受光之玻璃部通常貼有保護用之再剝離性加工薄膜。該玻璃部有時因迴焊加工等暴露於高溫(例如260℃左右)，因此，對於用在此用途之再剝離性加工薄膜，有能耐此溫度之優良耐熱性，例如對於被著體之殘膠、基材薄膜之變形少之要求。
[專利文獻1]特開2005-281423號公報
該專利文獻1所述之再剝離性加工薄膜，如前敘，以基材薄片為被著體貼合時，雖具有不發生滑移、浮起、剝落等，可有效抑制往該配線板表面之溶劑污染、異物混入、瑕疵之發生等，且剝除後不易於被著體留下殘膠，不易導致被著體捲曲等優良特性，但使用在用於多層印刷配線板之配線板單元時，該再剝離性加工薄膜經剝除之際，有被著體之基材薄片側受污染，用於積層單元與單元之環氧樹脂薄片等接著性薄片與該基材薄片之接著力不足之問題，其改善受到期待。
又，在用於CCD、CMOS之玻璃部之用途，有耐熱性優良，例如可耐260℃數分鐘之迴焊加工之再剝離性加工薄膜之需求。
本發明係於如此狀況下所做，其目的在提供，具有基材薄膜與設於其一表面之丙烯醯系黏著劑層之再剝離性加工薄膜，係使用於用在多層印刷配線板之軟性印刷配線板製作用之基材薄片時，該再剝離性加工薄膜經剝除之際，被著體基材薄片側之污染受抑制，環氧樹脂系樹脂薄片等接著性薄片與該基材薄片之接著力夠高之再剝離性加工薄膜，或用於CCD、CMOS之玻璃部時，暴露於260℃左右之溫度，對於被著體之殘膠、基材薄膜之變形亦少之耐熱性優良之再剝離性加工薄膜。
本發明人等為達該目的一再精心探討結果查明，使用於用在多層印刷配線板之軟性印刷配線板製作用基材薄片時，再剝離性加工薄膜經剝除之際，遷移至被著體側之污染物質，係丙烯醯系黏著劑層中之低聚物成分。本發明人等為減少丙烯醯系黏著劑層中該低聚物成分之含量，更重複研究結果發現，製造構成該黏著劑層之丙烯醯系黏著劑之際，控制丙烯醯系黏著劑中之樹脂成分丙烯醯系共聚物之分子量分布於某值以下，且較佳者抑制殘留單體含量於某範圍內，即可減少黏著劑中之低聚物成分含量，並以非矽酮系剝離材用作保護黏著劑層至使用前之剝離劑層，可得作為該軟性印刷配線板製作用基材薄片之貼合用之更合適之再剝離性加工薄膜。
更發現，在CCD、CMOS之玻璃部貼合用時，使用特定式所規定之儲存彈性模數變化率在某值以下者作為基材薄膜，可得耐熱性優良之再剝離性加工薄膜。本發明即係基於該見解而完成。
亦即，本發明提供
[1]一種再剝離性加工薄膜，係具有基材薄膜，與設在該基材薄膜的一面之黏著劑層之再剝離性加工薄膜，其特徵為該黏著劑層係使用含(A)具有丙烯酸丁酯單元40～80質量%、苯乙烯單元1～15質量%、甲基丙烯酸甲酯單元1～30質量%、丙烯酸甲酯單元1～30質量%、含羥基之乙烯系單體單元1～10質量%與含羧基之乙烯系單體單元0.1～1質量%之丙烯酸酯系共聚物，及(B)異氰酸酯系交聯劑，且該丙烯酸酯系共聚物之重量平均分子量Mw係30萬～100萬，分子量分布(重量平均分子量Mw/數量平均分子量Mn)係3.0以下之黏著劑形成；
[2]如[1]之再剝離性加工薄膜，其中(A)丙烯酸酯系共聚物中殘留單體之含量佔該(A)丙烯酸酯系共聚物之5～20質量%；
[3]一種再剝離性加工薄膜，係積層如[1]或[2]之再剝離性加工薄膜與具有非矽酮系剝離劑層之剝離材，使該再剝離性加工薄膜之黏著劑層相對於該剝離材之剝離劑層之面而成；
[4]如[3]之再剝離性加工薄膜，其中非矽酮系剝離劑層係聚丙烯樹脂；
[5]如[1]～[4]中任一之再剝離性加工薄膜，其中黏著劑兼含甲苯二異氰酸酯系交聯劑與二甲苯二異氰酸酯系交聯劑作為異氰酸酯系交聯劑；
[6]如[1]～[5]中任一之再剝離性加工薄膜，其中以用於多層印刷配線板之軟性印刷配線板之塑膠薄片用作被著體；
[7]如[6]之再剝離性加工薄膜，其中
(a)依JIS Z 0237之測定法，對於用於軟性印刷配線板之塑膠薄片即被著體之保持力，於溫度40℃係70,000秒以上，且於70,000秒之時，滑移未達0.1mm；
(b)依JIS Z 0237之測定法，對於用於軟性印刷配線板之塑膠薄片即被著體之黏著力，在熱壓前係0.01～0.5N/25mm；
(c)貼合在用於軟性印刷配線板之塑膠薄片(被著體)後，於溫度180℃、壓力4.3N/mm2 之條件下熱壓60分鐘後之黏著力，依JIS Z 0237之測定法，係2.0N/25mm以下，且
(d)黏著劑層之凝膠分率係95%以上；
[8]如[6]或[7]之再剝離性加工薄膜，其中軟性印刷配線板之塑膠薄片係使用聚醯亞胺薄片或聚苯硫醚薄片而得者；
[9]如[6]～[8]中任一之再剝離性加工薄膜，其中基材薄膜係聚對酞酸乙二酯薄膜；
[10]如[1]～[4]中任一之再剝離性加工薄膜，其中以金屬材料或其以外之無機材料用作被著體；
[11]如[10]之再剝離性加工薄膜，其中被著體係電荷耦合裝置或互補式金屬氧化膜半導體元件之玻璃部；
[12]如[1]～[4]、[10]或[11]中任一之再剝離性加工薄膜，其中黏著劑係以二甲苯二異氰酸酯系交聯劑用作異氰酸酯系交聯劑而得者；
[13]如[1]～[4]、[10]～[12]中任一之再剝離性加工薄膜，其中基材薄膜於23℃之儲存彈性模數為G’23 ，260℃之儲存彈性模數為G’260 時，下述式之儲存彈性模數變化率X係85%以下，
X(%)=[(G’23 -G’260 )/G’23 ]×100
及
[14]如[1]～[8]、[10]～[13]中任一之再剝離性加工薄膜，其中基材薄膜係聚醯亞胺薄膜。
依本發明可提供具有基材薄膜，與設在其一面之丙烯醯系黏著劑層之再剝離性加工薄膜，其係(1)使用在用於多層印刷配線板之軟性印刷配線板製作用基材薄片時，該再剝離性加工薄膜經剝除之際，可抑制被著體基材薄片側之污染，環氧樹脂薄片等接著性薄片與該基材薄片之接著力下降可予抑制之再剝離性加工薄膜。並可提供，(2)用於金屬材料或其以外之無機材料，例如CCD、CMOS之玻璃部等時，暴露於260℃左右之溫度，對於被著體之殘膠、基材薄膜之變形仍少之耐熱性優良之再剝離性加工薄膜。
 (實施發明之最佳形態)
本發明之再剝離性加工薄膜(以下或簡稱「加工薄膜」)係具有基材薄膜，與設在其一面之黏著劑層之再剝離性加工薄膜，其特徵為該黏著劑層係使用含(A)以特定比率具有下示特定單體單元之丙烯酸酯系共聚物，及(B)異氰酸酯系交聯劑，且該丙烯酸酯系共聚物之重量平均分子量Mw係30萬～100萬，分子量分布(重量平均分子量Mw/數量平均分子量Mn)係3.0以下之黏著劑形成。
具有如此性狀之黏著劑層的本發明之再剝離性加工薄膜，依用途可分為再剝離性加工薄膜A(以下或簡稱「加工薄膜A」)及再剝離性加工薄膜B(以下或簡稱「加工薄膜B」)。
加工薄膜A係以於用在多層印刷配線板之富柔軟性之絕緣性基材薄片形成電路圖案之軟性印刷配線板之塑膠薄片用作被著體之加工薄膜，加工薄膜B係以金屬材料或其以外之無機材料，例如CCD、CMOS之玻璃部等用作被著體之加工薄膜。
[加工薄膜A用基材薄膜]
本發明之再剝離性加工薄膜A之基材薄膜係耐熱性優良之薄膜至關重要，具體而言，有聚對酞酸乙二酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、非晶性聚烯烴薄膜、芳族聚醯胺薄膜、聚萘酸乙二酯薄膜、聚苯硫醚薄膜以及芳族聚碸薄膜、聚醚醯亞胺薄膜、聚芳酯薄膜、聚醚醚酮薄膜、各種液晶聚合物薄膜等超級工程塑膠薄膜等，其中因機械特性、電絕緣性、阻障性、耐熱性、耐藥物性、經濟性等之均衡優良，以聚對酞酸乙二酯薄膜為合適。此基材薄膜之厚度無特殊限制，通常係16～200μm，25～100μm之範圍更佳。
[加工薄膜B用基材薄膜]
加工薄膜B用基材薄膜係金屬材料或其以外之無機材料用，較之該加工薄膜A用基材薄膜，有更優良的耐熱性之要求。例如，加工薄膜B當用於CCD、CMOS之玻璃部 時，因迴焊加工等有時暴露於260℃左右之高溫，因此，有能耐此溫度之優良耐熱性(對於被著體之殘膠、基材薄膜之變形少)之要求。
而，加工薄膜B所適用之金屬材料有例如金、鉑、銀、銅、鐵、鋁或該等之合金，用於晶圓之半導體金屬等，金屬材料以外之無機材料有例如玻璃板、陶瓷板等。
加工薄膜B用基材薄膜係以使用，於23℃之儲存彈性模數為G’23 ，260℃之儲存彈性模數為G’260 時，下述式之儲存彈性模數變化率X係85%以下之薄膜為佳。
X(%)=[(G’23 -G’260 )/G’23 ]×100
如此之基材薄膜有例如聚醯亞胺薄膜、芳族聚醯胺薄膜等，聚醯亞胺薄膜尤合適。
而，該儲存彈性模數G’23 及儲存彈性模數G’260 ，係依下述方法測得之值。
基材薄膜以測定長度(夾頭間距)20mm安裝於動態黏彈性測定裝置[TA Instruments公司製，商品名DMA-Q800]，在頻率11Hz，振幅20μm，升溫速度5℃/min之條件下，測定溫度範圍15～300℃之儲存彈性模數G’，得23℃之儲存彈性模數G’23 、260℃之儲存彈性模數G’260 。
該加工薄膜B用基材薄膜之厚度無特殊限制，通常係16～200μm，25～100μm更佳。
該加工薄膜A用及B用基材薄膜，至少於設黏著劑層側之面，為提升與黏著劑層之接著性，必要時，可藉氧化法、凹凸化法等施以表面處理。並亦可施以底塗處理。該氧化法係用例如電暈放電處理、電漿處理、鉻酸處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧‧紫外線照射處理等，凹凸化法係用例如噴砂法、溶劑處理法等。這些表面處理法係依基材薄膜之種類適當選擇，一般，電暈放電處理法於效果及操作性等較佳。
[加工薄膜A用及B用黏著劑層]
本發明之再剝離性加工薄膜A及B，設於該基材薄膜一面之黏著劑層係使用含(A)至少具有丙烯酸丁酯單元、苯乙烯單元、甲基丙烯酸甲酯單元、丙烯酸甲酯單元、含羥基之乙烯系單體單元與含羧基之乙烯系單體單元之丙烯酸酯系共聚物，及(B)異氰酸酯系交聯劑之黏著劑形成。
((A)丙烯酸酯系共聚物)
用於本發明之黏著劑，(A)成分之丙烯酸酯系共聚物中，甲基丙烯酸甲酯單元及苯乙烯單元提高凝集力與玻璃轉移溫度，於加工薄膜A，具有抑制對於熱壓後之軟性印刷配線板之滑移、黏著力上升之作用。而丙烯酸甲酯單元，於該丙烯酸酯系共聚物之製造，具有使聚合安定化，提高分子量之作用。該丙烯酸酯系共聚物中，含羥基之乙烯系單體單元及含羧基之乙烯系單體單元，係被導入以於該丙烯酸酯系共聚物賦予能與後敘交聯劑反應之交聯性官能基(羥基、羧基)。
形成該含羥基之乙烯系單體單元之單體有例如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯等。這些可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。這些之中以丙烯酸2-羥乙酯及甲基丙烯酸2-羥乙酯為合適。
而，形成該含羧基之乙烯系單體單元之單體有例如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、順丁烯二酸、伊康酸、檸康酸等乙烯式不飽和羧酸等。這些可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。這些之中以甲基丙烯酸及丙烯酸為合適。
本發明中，於該丙烯酸酯系共聚物一倂導入該含羥基之乙烯系單體單元，與含羧酸之乙烯系單體單元，該丙烯酸酯系共聚物與交聯劑之反應性即良好。
該黏著劑之樹脂成分丙烯酸酯系共聚物中，丙烯酸丁酯單元之含量，若如後敘係40.0質量%以上，則貼合加工薄膜A於軟性印刷配線板製作用基材薄片，例如經熱壓時，該基材薄片與加工薄膜之間不易發生滑移。
該丙烯酸酯系共聚物中該各單元之含有比率，基於黏著劑之性能，係丙烯酸丁酯單元40～80質量%，苯乙烯單元1～15質量%，甲基丙烯酸甲酯單元1～30質量%，丙烯酸甲酯單元1～30質量%，含羥基之乙烯系單體單元1～10質量%且含羧基之乙烯系單體單元0.1～1質量%，以丙烯酸丁酯單元50～65質量%、苯乙烯單元2～10質量%、甲基丙烯酸甲酯單元3～20質量%、丙烯酸甲酯單元5～20質量%、含羥基之乙烯系單體單元2～7質量%且含羧基之乙烯系單體單元0.1～0.5質量%為較佳。
又，該丙烯酸酯系共聚物中，必要時，可以能與該單體共聚之其它單體用作共聚成分。此其它單體成分有例如(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸2-乙己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等丙烯酸丁酯及(甲基)丙烯酸甲酯以外之酯部分之烷基碳原子數2～20之(甲基)丙烯酸酯；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯類；乙烯、丙烯、異丁烯等烯烴類；氯乙烯、二氯亞乙烯等鹵化烯烴類；丁二烯、異平、氯平等二烯系單體；丙烯腈、甲丙烯腈等腈系單體；丙烯醯胺、N-甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺等丙烯醯胺類；α-甲苯乙烯等。這些可單獨使用，亦可組合2種以上使用。
本發明中，該丙烯酸酯系共聚物其共聚形態無特殊限制，隨機、嵌段、接枝共聚物中任一皆可。又，分子量係重量平均分子量Mw為30萬～100萬，分子量分布(重量平均分子量Mw/數量平均分子量Mn)3.0以下。
該重量平均分子量Mw在30萬～100萬之範圍，則得到之黏著劑可發揮良好之黏著性能。又，分子量分布Mw/Mn若係3.0以下，則重量平均分子量1,000~30,000左右之低聚物含量低，可達成本發明之目的。較佳分子量分布Mw/Mn係2.8以下。
而，該重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn係由凝膠滲透層析(GPC)法測得之聚苯乙烯換算值，本發明中除非特加聲明係依以下條件測定。
GPC裝置：高速GPC裝置[東曹(股)製，商品名HLC-8120GPC]
管柱：高速管柱[東曹(股)製，商品名TSK guard column HXL- H、TSKGelGMHXL 、TSKGel GMHXL 、TSKGel G2000HXL ]依此順序連結於裝置作測定。
溶出溶劑：四氫呋喃
聚合物濃度：10毫克/毫升
溫度：40℃
流速：1.0ml/分鐘
偵測器：紫外可見偵測器(偵測器波長；254nm)及微差折射計[皆係東曹(股)製]
而，單體成分係採用排除值。
向來，丙烯醯系黏著劑中，樹脂成分丙烯酸酯系共聚物之製造通常係使用(甲基)丙烯酸酯、有具活性氫之官能基之乙烯系單體及必要時之其它單體，於自由基聚合引發劑與適當溶劑之存在下進行第一段自由基聚合至單體消耗達40%左右後，為盡量去除殘餘未反應單體，更進行第二段自由基聚合，採用2段聚合法。
然而，經本發明人之研究發現，採用如此之2段聚合法時，於第二段聚合多有前敘低聚物形成，此低聚物在將再剝離性加工薄膜自被著體基材薄片經剝除之際，遷移至該被著體側，降低環氧系樹脂薄膜等接著性薄膜與該被著體之接著力。因而本發明人更重複研究發現，採用以該第一段自由基聚合至未反應單體殘留量可係佔生成之黏著劑中之丙烯酸酯系共聚物之5～20質量%左右，較佳者5～15質量%時停止反應之1段聚合法，即可減少低聚物之形成。藉此可成功控制生成之丙烯酸酯系共聚物之重量平均分子量Mw於30萬～100萬之範圍，且分子量分布Mw/Mn為3.0以下。得知含於黏著劑中之殘留未反應單體於形成黏著劑層之際於加熱、乾燥處理時揮散，實質上不殘留於黏著劑層中。
((B)異氰酸酯系交聯劑)
本發明中，該黏著劑之交聯劑係以異氰酸酯系交聯劑用作必要成分。此異氰酸酯系交聯劑之例有甲苯二異氰酸酯系、二苯甲烷二異氰酸酯系、二甲苯二異氰酸酯系等芳族聚異氰酸酯類，六亞甲二異氰酸酯系等脂族聚異氰酸酯類，異佛酮二異氰酸酯系、加氫二苯甲烷二異氰酸酯系等脂環式聚異氰酸酯類等，及該等之縮二脲體、異三聚氰酸酯體，以及與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲丙烷、蓖麻油等低分子含活性氫之化合物之反應產物加成體等。
這些異氰酸酯系交聯劑之中，於加工薄膜A因反應性、基材與黏著劑之密著性優良、殘膠少，及熱壓後可得適度之黏著力等，以倂用甲苯二異氰酸酯系交聯劑與二甲苯二異氰酸酯系交聯劑二者為宜。此時，其用量通常係選定為相對於該丙烯酸酯系共聚物100質量份，甲苯二異氰酸酯系與二甲苯二異氰酸酯系之合計量達0.5～30質量份，較佳者1.0～20質量份，以得具後敘性狀之黏著劑層。
而於加工薄膜B從耐熱性之觀點，以二甲苯二異氰酸酯系為佳。其用量通常係相對於該丙烯酸酯系共聚物100質量份為0.5～30質量份，較佳者1.0～20質量份。
此黏著劑在無損於本發明目的之範圍，必要時可於丙烯醯系黏著劑適當添加常用之各種添加劑，例如抗氧化劑、紫外線吸收劑、光安定劑、軟化劑、填料、交聯促進劑等。而，雖可倂用黏著賦予劑，但因隨之黏著力上升故不佳。
[再剝離性加工薄膜A之性狀]
使用該黏著劑形成之本發明之再剝離性加工薄膜A，宜具有下示性狀。
首先，對於被著體軟性印刷配線板製作用基材薄片之保持力通常係70,000秒以上，且70,000秒之時宜實質上不見有滑移發生。此保持力未達70,000秒者，將加工薄膜貼合於被著體基材薄片，衝切加工、浸泡於溶劑、熱壓等操作過程中加工薄膜與被著體之間有發生滑移之虞。而，該保持力係依下示方法測得之值。又，「實質上不見」滑移發生指70,000秒之時滑移未達0.1mm。
(保持力)
依JIS Z 0237，於SUS製之保持力測定用試驗板之試片的加工薄膜貼著部，使作為用於軟性印刷配線板製作用之基材薄片之聚醯亞胺薄片接著，為試驗板。其次，裁切加工薄膜製作寬度25mm，長度150mm之試片。於試驗板之一端將此試片之一端的黏著劑層面以25mm×25mm之面積接觸貼合，以2kg之輥來回壓合5次。15分鐘後設置於潛變測試儀內於40℃條件下放置15分鐘。施以垂直向下之9.807N荷重，測定至落下為止之時間或70,000秒之時有無滑移發生與滑移量。
其次，對於用於軟性印刷配線板製作用基材薄片(被著體)之黏著力，以熱壓前係0.01～0.5N/25mm為佳，溫度180℃、壓力4.3N/mm2 之條件下，熱壓60分鐘後以係2.0N/25mm以下為佳。熱壓前之黏著力若在上述範圍，貼合加工薄膜於被著體軟性印刷配線板製作用基材薄片，熱壓前進行衝切加工、浸泡於溶劑等機械操作，亦具有充分之黏著力，加工薄膜與被著體之間不易發生滑移，且加工薄膜易於剝離，並可抑制剝離後之殘膠、被著體捲曲之發生。熱壓前之黏著力以0.03～0.4N/25mm為佳。又，熱壓後之黏著力若係2.0N/25mm以下，則將加工薄膜貼合於被著體印刷配線板製作用基材薄片，進行熱壓操作後加工薄膜比較容易剝離，並可抑制剝離後殘膠、被著體捲曲之發生。又，經熱壓操作，為具有充分之黏著力，抑制加工薄膜與被著體間滑移之發生，熱壓後黏著力之下限係0.08N/25mm左右。較佳者熱壓後之黏著力係0.12～1.0N/25mm。而，熱壓前及熱壓後之黏著力係依下示方法測得之值。
(熱壓前之黏著力)
依JIS Z 0237，於SUS製之黏著力測定用試驗板之試片的加工薄膜貼著部，作為用於軟性印刷配線板製作用之基材薄片將聚醯亞胺薄片製作成寬度120mm、長度150mm接著，為試驗板。另將加工薄膜裁切成寬度25mm，長度250mm之試片。將此試片之一端的黏著劑層面貼合於試驗板，使貼合面積可為寬度25mm×長度約90mm，以2kg之輥來回壓合1次。貼合起24小時後，測定以剝離角度180度，剝離速度300mm/min剝離試片時之黏著力。測定開始區域及結束區域之各15%除外，以圖中央部70%之平均值為熱壓前之黏著力。
(熱壓後之黏著力)
準備裁切成寬度120mm，長度150mm大小之用於軟性印刷配線板製作用之基材薄片(聚醯亞胺薄片)，另將加工薄膜裁切成寬度100mm、長度250mm為試片。於此試片之一端的黏著劑層面，將基材薄片以使貼合面積可達寬度100mm×長度約90mm貼合後，以溫度180℃之壓板自試片上施加壓力4.3N/mm2 熱壓60分鐘。然後，將貼合經熱壓之試片與基材薄片之薄片裁切成寬度25mm，長度250mm，使基材薄片側接著於SUS製之黏著力測定用試驗板，依JIS Z 0237，測定以剝離角度180度，剝離速度300mm/min剝離試片時之黏著力。測定開始區域及結束區域之各15%除外，以圖中央部70%之平均值為熱壓後之黏著力。
又，本發明之再剝離性加工薄膜A及B之黏著劑層之凝膠分率通常係95%以上。此凝膠分率未達95%則將加工薄膜A之黏著劑層面貼合於被著體印刷配線板製作用基材薄片，進行各種操作後，剝除加工薄膜之際易於發生殘膠，造成被著體之污染，又，熱壓時加工薄膜容易發生滑移，並導致電路印刷精度下降之問題。較佳凝膠分率係96%以上。而，該凝膠分率係依下述方法測得之值。
(凝膠分率之測定方法)
塗布該黏著劑於厚度25μm之聚對酞酸乙二酯薄膜塗布有矽酮樹脂作為剝離劑之剝離薄膜之剝離劑層面上，以與製作本發明之再剝離性加工薄膜時同之條件使其交聯化後，自剝離薄膜剝除黏著劑(50mm×100mm)。其次，於100×130mm大小之200目金屬網上，以金屬網包入該交聯化黏著劑2片(合計質量A g)，將之設置於索克斯雷萃取器(Soxhlet extraction apparatus)，在乙酸乙酯之回流下萃取處理16小時。其次，萃取處理後，使殘留在金屬網上之黏著劑於100℃乾燥24小時，在23℃、50% RH之氛圍下調濕3小時以上後，測定該黏著劑之質量(B g)，由下式
凝膠分率(%)=(B/A)×100
算出凝膠分率。
[加工薄膜A及B用剝離材]
於加工薄膜A及B之黏著劑層可積層以剝離材。此剝離材有例如玻璃紙、塗被紙、澆塗紙等紙基材，積層聚乙烯等熱塑性樹脂於這些紙基材之積層紙，或於聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯、聚萘酸乙二酯等聚酯薄膜，聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴薄膜等塑膠薄膜，塗布烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等橡膠系彈性體，長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、矽酮系樹脂、氟系樹脂等剝離劑者。又有，將這些剝離劑直接製成薄片狀者等。尤以使用本發明之加工薄膜A於軟性印刷配線板製作用基材薄片時，使用矽酮系剝離劑則自剝離劑層微量遷移至黏著劑層，有時該矽酮成分附著於該基材薄片，造成污染。因此，使用本發明之加工薄膜A於軟性印刷配線板製作用途時，以使用非矽酮系剝離劑為佳。該剝離劑之中，以使用成分遷移少，最終接著力大之烯烴系樹脂的聚丙烯樹脂為佳。剝離劑層之厚度係0.01～100μm左右。又，此剝離材之厚度無特殊限制，通常係20～150μm左右。
[再剝離性加工薄膜A及B之製作]
本發明之再剝離性加工薄膜A及B可於基材薄片之一面直接塗布前敘本發明有關之黏著劑，於100～130℃左右加熱乾燥1～5分鐘左右形成黏著劑層，於該黏著劑層面設剝離材而製作。又亦可塗布黏著劑於剝離材之剝離處理面，如上加熱乾燥形成黏著劑層後，將之貼合於基材薄膜之一面而製作。考慮黏著劑層與基材薄膜之密著性，則前者之製作方法較適用。
而，該製作操作中，黏著劑塗布後之乾燥處理宜充分進行。乾燥不充分時，貼合於被著體後造成滑移之發生及殘餘溶劑、殘留單體之增加。而且，乾燥不充分時，加工薄膜A之黏著劑層與印刷配線板製作用基材薄片之間易於發生滑移，熱壓後黏著力大幅上升，經剝離之際容易有印刷配線板製作用基材薄片之捲曲、殘膠發生。
本發明之再剝離性加工薄膜A及B之黏著劑層，厚度通常係5～60μm，5～30μm左右較佳。
本發明之再剝離性加工薄膜A係使用來作為，用於前敘多層印刷配線板之軟性印刷配線板製作用之加工薄膜。以本發明之再剝離性加工薄膜A使用作用於多層印刷配線板之軟性印刷配線板製作用基材薄片時，該再剝離性加工薄膜經剝除之際，被著體基材薄片側之污染被抑制，環氧系樹脂薄片等接著性薄片與該基材薄片之接著力下降可予抑制，可製作品質良好之多層印刷配線板。本發明之再剝離性加工薄膜A所適用之軟性印刷配線板之基材薄片，其種類無特殊限制，該軟性印刷配線板通常係使用聚醯亞胺、聚苯硫醚等耐熱性塑膠薄片。
而本發明之再剝離性加工薄膜B適用作為，金屬材料或其以外之無機材料，例如CCD、CMOS之玻璃部之保護薄膜等。此時，雖會暴露於260℃左右之高溫，但對於被著體之玻璃部之殘膠卻可予抑制，且基材薄膜之變形亦少。
實施例
其次，舉實施例更詳細說明本發明，但本發明絕不限於這些例。
而各例中製作之加工薄膜之諸特性係依下述方法評估。
(1)接著力
以裁切成22cm×22cm大小之用於製作軟性印刷配線板之基材薄片(聚醯亞胺薄片)為試驗板(被著體)，將裁切成20cm×20cm大小之加工薄膜之黏著劑層面貼合而不夾入氣泡，溫度180℃、壓力4.3N/mm2 之條件下熱壓1小時後，剝離加工薄膜。加工薄膜經剝離之被著體面與新的用於印刷配線板製作用之基材薄片(聚醯亞胺薄片)之間夾以接著薄片(Pyralux LF0100[杜邦(股)製，註冊商標Pyralux，丙烯醯改質環氧系接著薄片]，寬度20mm，長度150mm)，溫度180℃、壓力4.3N/mm2 之條件下熱壓30分鐘後，將被著體之基材薄片接著於SUS製之黏著力測定用試驗板，依JIS Z 0237，以剝離角度180度，剝離速度300mm/min測定聚醯亞胺薄片與另一聚醯亞胺薄片之黏著力，以之為接著力。
而接著力係以30N/20mm以上為合格。
(2)熱壓後之滑移
以裁切成22cm×22cm大小之用於製作軟性印刷配線板之基材薄片(聚醯亞胺薄片)為試驗板(被著體)，將裁切成20cm×20cm大小之加工薄膜之黏著劑層面貼合而不夾入氣泡，於四隅開出徑6mm之通孔。將之於溫度180℃、壓力4.3N/mm2 之條件下熱壓60分鐘後，測定四隅通孔處加工薄膜與被著體之滑移，以平均值為滑移。
(3)黏著劑層與基材薄膜之密著性
依JIS K 5600-5-6，於加工薄膜之黏著劑層以旋轉刀具切成1mm見方之棋盤目100格，將黏膠帶(CELLOTAPE[Nichiban公司製，註冊商標])壓合後，黏膠帶以約60°之角度經0.5秒～1.0秒拔除時，數出100格之中的殘留膜數，進行加工薄膜之基材薄膜與黏著劑層之密著性試驗。密著性係依下述判定基準評估。
90/100以上：5
80/100～未達90/100：4
70/100～未達80/100：3
60/100～未達70/100：2
未達60/100：1
(4)殘膠評估試驗-1
以裁切成22cm×22cm大小之用於製作軟性印刷配線板之基材薄片(聚醯亞胺薄片)為試驗板(被著體)，將裁切成20cm×20cm大小之加工薄膜之黏著劑層面貼合而不夾入氣泡，溫度180℃、壓力4.3N/mm2 之條件下熱壓60分鐘後，剝離加工薄膜，試驗板之表面以FT-IR(傅立葉變換紅外線吸收光譜分析，ATR法)進行IR測定，藉來自黏著劑之吸收峰之有無探察有無殘膠，無殘膠者評估為○，有殘膠者為×。
(5)殘膠評估試驗-2
以7cm×15cm，厚度2mm之浮法玻璃板為試片(被著體)，將裁切成3cm×5cm大小之加工薄膜之黏著劑層面貼合而不夾入氣泡，進行最高溫度260℃、加熱時間3分鐘之IR迴焊(迴焊爐：相模理工製WL-15-20DNX型)。然後於室溫放置1小時後，剝除加工薄膜，被著體表面以數位顯微鏡觀察，探察有無殘膠。殘膠係依下述判定基準作評估。
1cm2 中之殘膠比率
未達5%：○
5%～未達30%：△
30%以上：×
(6)殘留矽酮
以裁切成22cm×22cm大小之用於製作軟性印刷配線板之基材薄片(聚醯亞胺薄片)為試驗板(被著體)，將裁切成20cm×20cm大小之加工薄膜之黏著劑層面貼合而不夾入氣泡，溫度180℃、壓力4.3N/mm2 之條件下熱壓1小時後，剝離加工薄膜。試驗板表面以X線光電分光法(XPS)依下述條件進行元素分析。
測定裝置：ARUBAKFAI製Quantera SXM
X線源：AlKα(1486.6eV)
射出角度：45度
測定元素：矽(Si)、碳(C)及氮(N)
而Si量係於Si/(Si+C+N)之值乘以100，以「原子%」表示。有Si量之偵測則矽酮已遷移。
(7)重量平均分子量與數量平均分子量之測定法(GPC)
溶解各實施例中得之黏著劑於四氫呋喃(聚合物濃度：10毫克/毫升)，以凝膠滲透層析(GPC)法測定標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量與數量平均分子量。測定係使用GPC裝置[高速GPC裝置HLC-8120GPC，東曹(股)製]，依序連結高速管柱TSK guard column HXL -H、TSKGel GMHXL 、TSKGel GMHXL 、TSKGel G2000HXL (以上皆係東曹(股)製)於裝置作測定。管柱溫度為40℃、輸液速度1.0毫升/分鐘，偵測器係用紫外可見偵測器(偵測器波長；254nm)及微差折射計(皆係東曹(股)製)。
分子量分布係以GPC法測得之重量平均分子量(Mw)與數量平均分子量(Mn)之比(Mw/Mn)。而，單體成分係排除值。
(8)儲存彈性模數變化率
依下述方法測定23℃之儲存彈性模數G’23 及260℃之儲存彈性模數G’260 ，由式
X(%)=[(G’23 -G’260 )/G’23 ]×100
求出儲存彈性模數變化率X。
<G’23 及G’260 之測定>
將基材薄膜以測定長度(夾頭間距)20mm安裝於動態黏彈性測定裝置[TA Instruments公司製，商品名DMA-Q800]，頻率11Hz，振幅20μm，升溫速度5℃/min之條件下，測定溫度範圍15～300℃之儲存彈性模數G’，得23℃之儲存彈性模數G’23 、260℃之儲存彈性模數G’260 。
又，黏著劑層之保持力、熱壓前及熱壓後之黏著力、凝膠分率係依說明書本文所述之方法測定。
實施例1
使用備有攪拌機、回流冷卻器、滴液漏斗、氮氣導入管及溫度計之反應裝置，將丙烯酸丁酯(BA)61.0質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)18.0質量份、苯乙烯(St)3.5質量份、丙烯酸甲酯(MA)12.0質量份、甲基丙烯酸2-羥乙酯(HEMA)5.0質量份、丙烯酸(AAc)0.15質量份以偶氮雙異丁腈(AIBN)0.01質量份用作聚合引發劑，加甲苯作為溶劑，於氮氣氛圍下溶液聚合，製造固體成分40.0質量%，重量平均分子量約45萬，分子量分布(Mw/Mn)2.60之丙烯酸酯系共聚物。
而，殘留單體含量係由下述測定法，為丙烯酸酯系共聚物之10.0質量%。
<殘留單體含量之測定>
殘留單體含量係以氣態層析法定量測定，算出。
於此丙烯酸酯系共聚物100質量份配合甲苯二異氰酸酯系(TDI系)交聯劑[東洋油墨製造(股)製，商品名OLIBINE BHS8515(固體成分37.5質量%)]8.0質量份與二甲苯二異氰酸酯系(XDI系)交聯劑[武田藥品工業(股)製，商品名D-110N(固體成分75質量%)]3.0質量份、甲苯30.0質量份、乙酸乙酯1.0質量份，調製黏著劑。
其次，直接塗布於厚度50μm之聚對酞酸乙二酯(PET)薄膜[YUNITIKA(股)製，商品名ENPLET TA-50]之一面，至乾燥後之塗布量可達10g/m2 (厚度10μm)，於120℃乾燥1分鐘後，於其上積層具有矽酮系剝離劑層之剝離材[王子製紙公司製，商品名40RL-01Z]，製作加工薄膜，評估諸特性。而試驗板(被著體)係用聚醯亞胺薄片。又，殘膠係以殘膠評估試驗-1評估。結果如表1。
實施例2
如表1變化單體組成以外如同實施例1製造固體成分40.0質量%，重量平均分子量約46萬，分子量分布(Mw/Mn)2.70，殘留單體12.0質量%之丙烯酸酯系共聚物。
以下如同實施例1製作加工薄膜，評估諸特性。結果如表1。
比較例1
實施例1中，進行溶液聚合後，再聚合一次以外，如同實施例1製造丙烯酸酯系共聚物。得到之丙烯酸酯系共聚物之重量平均分子量約47萬，分子量分布(Mw/Mn)3.29。
又，殘留單體含量如同實施例1測定，為丙烯酸酯系共聚物之3.4質量%。
以下，如同實施例1製作加工薄膜，評估諸特性。結果如表1。
由表1知，實施例1及2之加工薄膜相較於比較例1者，於接著試驗具有極高之接著力。
實施例3
使用備有攪拌機、回流冷卻器、滴液漏斗、氮氣導入管及溫度計之反應裝置，將丙烯酸丁酯(BA)60.0質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA)18.0質量份、苯乙烯(St)3.5質量份、丙烯酸甲酯(MA)13.0質量份、甲基丙烯酸2-羥乙酯(HEMA)5.0質量份、丙烯酸(AAC)0.15質量份使用偶氮雙異丁腈(AIBN)0.01質量份作為聚合引發劑，加甲苯作為溶劑，於氮氣氛圍下溶液聚合，製造固體成分40.0質量%，重量平均分子量約47萬，分子量分布(Mw/Mn)2.4之丙烯酸酯系共聚物。
又，殘留單體含量係如同實施例1測定，為丙烯酸酯系共聚物之11.0質量%。
於此丙烯酸酯系共聚物溶液100質量份(固體成分40.0質量%)配合甲苯二異氰酸酯系(TDI系)交聯劑[東洋油墨製造(股)製，商品名OLIBINE BHS8515(固體成分37.5質量%)]8.0質量份與二甲苯二異氰酸酯系(XDI系)交聯劑[武田藥品工業(股)製，商品名D-110N(固體成分75質量%)]3.0質量份、乙酸乙酯40.0質量份，調製黏著劑。
其次，直接塗布於厚度50μm之聚對酞酸乙二酯(PET)薄膜[YUNITIKA(股)製，商品名ENPLET TA-50]之一面，至乾燥後塗布量可達10g/m2 (厚度10μm)，於120℃乾燥1分鐘後，於其上積層聚丙烯樹脂所成之剝離材[王子製紙公司製，商品名ALFAN PP40SD-001]，製作加工薄膜，評估諸特性。而，殘膠係以殘膠評估試驗-1評估。結果如表2。
實施例4
如表2變化單體組成以外如同實施例3，製造固體成分40.0質量%，重量平均分子量約50萬，分子量分布(Mw/Mn)2.7，殘留單體8.3質量%之丙烯酸酯系共聚物。
以下如同實施例3製作加工薄膜，評估諸特性。結果如表2。
實施例5
剝離材變為其一面以醇酸樹脂作脫模處理之厚度50μm之聚對酞酸乙二酯薄膜[LINTEC(股)製，商品名PET50 AL-5]以外，如同實施例3製作加工薄膜，評估諸特性。結果如表2。
實施例6
以使用矽酮系剝離劑層之剝離材[LINTEC(股)製，商品名SP-PET3811]使用以外，如同實施例3製作加工薄膜。結果如表2。
比較例2
實施例3中，進行溶液聚合後，再一次進行聚合以外，如同實施例3製造丙烯酸酯系共聚物。得到之丙烯酸酯系共聚物之重量平均分子量約55萬，分子量分布(Mw/Mn)3.4。
又，殘留單體含量係如同實施例1測定，為丙烯酸酯系共聚物之3.5質量%。
以下，如同實施例3製作加工薄膜，評估諸特性。結果如表2。
由表2知，實施例3～6之加工薄膜較之比較例2者，於接著試驗具有高接著力。又，實施例3～5係使用具有非矽酮系剝離劑層之剝離材，而實施例6係使用具有矽酮系剝離劑層之剝離材，故於接著試驗之接著力不如實施例3～5。
實施例7
如同實施例3製造丙烯酸酯系共聚物溶液。
於此丙烯酸酯系共聚物溶液100質量份(固體成分40.0質量%)配合二甲苯二異氰酸酯系(XDI系)交聯劑[武田藥品工業(股)製，商品名D-110N(固體成分75質量%)]9.0質量份、乙酸乙酯40.0質量份，調製黏著劑。
其次，直接塗布於厚度50μm，儲存彈性模數變化率40%之聚醯亞胺薄膜[東麗‧杜邦(股)製，註冊商標KAPTON]之一面，至乾燥後塗布量可達10g/m2 ，於120℃乾燥1分鐘後，於其上積層聚丙烯樹脂所成之剝離材[王子製紙公司製，商品名ALFAN PP40SD-001]，製作加工薄膜，採用殘膠評估試驗-2評估殘膠。結果如表3。
實施例8
如同實施例1製造丙烯酸酯系共聚物。
於此丙烯酸酯系共聚物溶液100質量份(固體成分40.0質量%)配合二甲苯二異氰酸酯系(XDI系)交聯劑[武田藥品工業(股)製，商品名D-110N(固體成分75質量%)]7.0質量份、乙酸乙酯40.0質量份，調製黏著劑。
其次，直接塗布於厚度50μm，儲存彈性模數變化率40%之聚醯亞胺薄膜[東麗‧杜邦(股)製，註冊商標KAPTON]之一面，至乾燥後塗布量可達10g/m2 ，於120℃乾燥1分鐘後，於其上積層聚丙烯樹脂所成之剝離材[王子製紙公司製，商品名ALFAN PP40SD-001]，製作加工薄膜，採用殘膠評估試驗-2評估殘膠。結果如表3。
比較例3
使用比較例1中製作之黏著劑溶液以外如同實施例7製作加工薄膜，採用殘膠評估試驗-2評估殘膠。結果如表3。
 (產業上之利用可能性)
本發明之再剝離性加工薄膜，使用於用在多層印刷配線板之軟性印刷配線板製作用基材薄片時，該再剝離性加工薄膜經剝除之際，被著體基材薄片側之污染被抑制，環氧系樹脂薄片等接著性薄片與該基材薄片之接著力下降可予抑制。又，以CCD、CMOS之玻璃部等用作被著體時，暴露於260℃左右之溫度，對於被著體之殘膠、基材薄片之變形亦少，耐熱性優良。

Claims (16)

  1. 一種再剝離性加工薄膜，其係具有基材薄膜，與設在該基材薄膜的一面之黏著劑層之再剝離性加工薄膜，其特徵為該黏著劑層係使用含(A)具有丙烯酸丁酯單元40~80質量%、苯乙烯單元1~15質量%、甲基丙烯酸甲酯單元1~30質量%、丙烯酸甲酯單元1~30質量%、含羥基之乙烯系單體單元1~10質量%與含羧基之乙烯系單體單元0.1~1質量%之丙烯酸酯系共聚物，及(B)異氰酸酯系交聯劑，且該丙烯酸酯系共聚物之重量平均分子量Mw係30萬~100萬，分子量分布(重量平均分子量Mw/數量平均分子量Mn)係3.0以下，殘留單體之含量佔該丙烯酸酯系共聚物之5~20質量%之黏著劑而形成。
  2. 一種再剝離性加工薄膜，其係積層如申請專利範圍第1項之再剝離性加工薄膜與具有非矽酮系剝離劑層之剝離材，使該再剝離性加工薄膜之黏著劑層相向於該剝離材之剝離劑層之面而成。
  3. 如申請專利範圍第2項之再剝離性加工薄膜，其中非矽酮系剝離劑層係聚丙烯樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1項之再剝離性加工薄膜，其中黏著劑兼含甲苯二異氰酸酯系交聯劑與二甲苯二異氰酸酯系交聯劑作為異氰酸酯系交聯劑。
  5. 如申請專利範圍第1項之再剝離性加工薄膜，其中以用於多層印刷配線板之軟性印刷配線板之塑膠薄片用作被著體。
  6. 如申請專利範圍第5項之再剝離性加工薄膜，其中(a)依JIS Z 0237之測定法，對於被著體之用於軟性印刷配線板之塑膠薄片之保持力，於溫度40℃係70,000秒以上，且於70,000秒之時滑移未達0.1mm，(b)依JIS Z 0237之測定法，對於被著體之用於軟性印刷配線板之塑膠薄片之黏著力，在熱壓前係0.01~0.5N/25mm，(c)貼合在被著體之用於軟性印刷配線板之塑膠薄片後，於溫度180℃、壓力4.3N/mm2 之條件下進行熱壓60分鐘後之黏著力，依JIS Z 0237之測定法，係2.0N/25mm以下，且(d)黏著劑層之凝膠分率係95%以上。
  7. 如申請專利範圍第5項之再剝離性加工薄膜，其中軟性印刷配線板之塑膠薄片係使用聚醯亞胺薄片或聚苯硫醚薄片而得者。
  8. 如申請專利範圍第5項之再剝離性加工薄膜，其中基材薄膜係聚對酞酸乙二酯薄膜。
  9. 如申請專利範圍第1項之再剝離性加工薄膜，其中以金屬材料或其以外之無機材料用作被著體。
  10. 如申請專利範圍第9項之再剝離性加工薄膜，其中被著體係電荷耦合裝置或互補式金屬氧化膜半導體元件之玻璃部。
  11. 如申請專利範圍第1項之再剝離性加工薄膜，其中黏著 劑係以二甲苯二異氰酸酯系交聯劑用作異氰酸酯系交聯劑而得者。
  12. 如申請專利範圍第9項之再剝離性加工薄膜，其中黏著劑係以二甲苯二異氰酸酯系交聯劑用作異氰酸酯系交聯劑而得者。
  13. 如申請專利範圍第1項之再剝離性加工薄膜，其中基材薄膜於23℃之儲存彈性模數為G’23 ，260℃之儲存彈性模數為G’260 時，下述式之儲存彈性模數變化率X係85%以下，X(%)=[(G’23 -G’260 )/G’23 ]×100。
  14. 如申請專利範圍第9項之再剝離性加工薄膜，其中基材薄膜於23℃之儲存彈性模數為G’23 ，260℃之儲存彈性模數為G260 時，下述式之儲存彈性模數變化率X係85%以下，X(%)=[(G’23 -G’260 )/G’23 ]×100。
  15. 如申請專利範圍第1項之再剝離性加工薄膜，其中基材薄膜係聚醯亞胺薄膜。
  16. 如申請專利範圍第9項之再剝離性加工薄膜，其中基材薄膜係聚醯亞胺薄膜。
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