TWI431803B - 具有鏡面層之薄膜發光二極體及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種如申請專利範圍第1項中所述之具有一鏡面層的薄膜發光二極體及申請專利範圍第16項所述之薄膜發光二極體的製造方法。
本專利申請案主張德國專利申請案DE 10 2007 046 519.1之優先權，其已揭示的整個內容在此一併作為參考。
本發明的目的是提供一種可有效地發出輻射的薄膜發光二極體，其特徵是接觸層中的輻射吸收率較小，本發明亦提供該薄膜發光二極體的製造方法。
上述目的藉由一種具有申請專利範圍第1項特徵的薄膜發光二極體和一種具有申請專利範圍第16項特徵的製造方法來達成。本發明有利的佈置和其它形式描述在申請專利範圍各附屬項中。
本發明的薄膜發光二極體包括一種位障層、一在位障層之後的第一鏡面層、一在第一鏡面層之後的層堆疊以及一在該層堆疊之後的接觸結構，其中該層堆疊具有至少一發出電磁輻射的活性層。該接觸結構配置在薄膜-發光二極體之輻射發射面上且具有一接觸面。第一鏡面層在一與該接觸結構之接觸面相面對的區域中具有一凹入區，其大於該接觸結構之接觸面。
第一鏡面層須被結構化，使該接觸結構之接觸面在垂直方向中是與位障層之一未由第一鏡面層所覆蓋的區域相面對，該區域大於該接觸結構之接觸面。
在薄膜發光二極體之一種佈置中，位障層在第一鏡面層之凹入區中直接與該層堆疊之一與接觸結構相面對的界面相鄰。
該接觸結構可包括一接合墊及/或多個與該接合墊電性相連接的接觸條，以達成一種較佳的電流擴散作用。藉由一種具有多個與該接合墊導電地相連接的接觸條的配置，則可使電流較均勻地分佈在該薄膜發光二極體中。
所謂該接觸結構的接觸面以下是指在使用一接合墊時該接合墊之一種主面。在使用一種具有多個與該接合墊導電地相連接的接觸條的接合墊時，所謂接觸面以下是指由接合墊和各接觸條所形成的整個主面。
第一鏡面層能以反射的接觸層來形成，其中第一鏡面層在一與接觸結構之接觸面相面對的區域中具有一凹入區。由該活性區觀看時與輻射發射面相面對的第一鏡面層因此須被結構化，使該接觸結構在垂直方向中由該活性區觀看時是與該層堆疊之主面之一未由第一鏡面層所覆蓋的區域相面對。
由於凹入的區域未具有作為反射的接觸層用的第一鏡面層，則在凹入區中未形成一種至相鄰的層堆疊之電性接觸區。於是，輻射發射面上的接觸結構和層堆疊之區域(其在垂直方向中位於該接觸結構之接觸面下方且直接位於該接觸面之附近)中的凹入區之間之電流將減少。活性層之該區域中的輻射的產生量因此可下降，這樣可有利地使該接觸結構中的輻射吸收量減少。此外，藉由第一鏡面層之凹入區，則所發出的輻射之由第一鏡面層反射至該接觸結構的方向中的成份將減少。以此種方式，可使該輻射在該接觸結構中的吸收量進一步下降。薄膜-發光二極體之效率因此可有利地提高。
依據本發明，發光二極體以薄膜-發光二極體來構成。在薄膜-
發光二極體中，特別是須以區域方式將一製造用的基板去除或完全去除，該基板上須製備(特別是以沈積方式)該發光二極體用的層堆疊。該製造用的基板較佳是一種生長基板，其上以磊晶方式生長該層堆疊。較佳是去除該製造用的基板，使層堆疊之面向該製造用的基板之表面在下一過程中可被接近。
第一鏡面層之凹入區之橫向尺寸較該接觸結構之接觸面之橫向尺寸多出5μm至20μm。
藉由該凹入區，則活性層之一區域(其在垂直方向中位於該接觸結構之接觸面下方)中的電流密度以及另一區域(其在垂直方向中直接位於該接觸結構之接觸面附近)中的電流密度都可下降。這表示：活性層之產生光的一些區域和其它區域(其中只產生少量的光或較佳是未產生光)之間可達成一種空間上的隔離。光產生量較少的區域直接位於該接觸結構之接觸面下方之附近，該接觸結構對該活性區中所發出的輻射具有吸收性。藉由上述之空間上的隔離，則由活性層所發出的輻射之被該接觸結構所吸收的成份可下降。薄膜-發光二極體之效率因此可有利地提高。
該凹入區之橫向尺寸較接觸面之橫向尺寸多出20μm亦是可能的。於是，薄膜-發光二極體之光發出量不會不利地受到影響。當然，凹入區之橫向尺寸多出20μm時可使二極體電壓提高，其將使活性層的效率下降。
本發明的另一種佈置方式是，該層堆疊的一與輻射發射面相面對的界面須在該凹入區中改變，使層堆疊和第一鏡面層之空出的區域之間的接觸電阻提高。
另一較佳的佈置方式是，該層堆疊的一與輻射發射面相面對的界面須在該凹入區中改變，使層堆疊之界面在該凹入區中不具有導電性。
由於第一鏡面層之空出的區域中該層堆疊和第一鏡面層之空出的區域之間的接觸電阻已提高及/或該層堆疊的界面在該凹入區中不具有導電性，則電流以及該接觸結構下方之直接相鄰的區域中該活性層中的光產生量可下降，這樣可使活性層所發出之輻射在該接觸結構中的被吸收量下降。
該層堆疊之界面較佳是在該凹入區中改變，使層堆疊和第一鏡面層之空出的區域之間的接觸電阻提高，特別佳時是該層堆疊之界面在該凹入區中不具有導電性，其中第一鏡面層之凹入區具有一第二鏡面層。
由於層堆疊之界面會改變，則活性層之區域(其在垂直方向中位於該接觸結構之接觸面下方的直接相鄰處)中的電流密度會減少，使該接觸結構之接觸面下方產生較少的輻射。第二鏡面層位於第一鏡面層之凹入區中且因此位於該層堆疊之界面上，藉由第二鏡面層，則所發出的輻射之反射至第一鏡面層之凹入區的方向中的成份在第二鏡面層上反射至該輻射發射面之方向中。於是，所發出的輻射之該成份在薄膜-發光二極體之輻射發射面上發出。以此種方式，則可有利地使薄膜-發光二極體之效率提高。
本發明之另一較佳的佈置之設計方式是，該接觸結構之一與層堆疊相面對的主面具有一反射層。此反射層含有銀、鋁及/或鉑時特別有利。
藉由該接觸結構之與該層堆疊相面對的主面上的反射層，則所發出的輻射之由第二鏡面層反射至接觸結構之主面之方向中的成份將反射至第一或第二鏡面層之方向中。所發出的輻射的該成份又在第一或第二鏡面層上反射至薄膜-發光二極體之輻射發射面之方向中。以此種方式，則該接觸結構中的輻射之吸收量可下降，特別佳時該接觸結構所發出的輻射不會被吸收。於是，該薄膜-發光二極體之效率可有利地提高。
該層堆疊之輻射發射面較佳是被粗糙化。藉由此種粗糙化，則層堆疊和一圍繞該層堆疊之介質之間的界面上的反射率可下降。於是，該輻射之入射至該界面上的更多的成份可由該層堆疊中發出。因此，由活性層所發出的輻射之在該輻射發射面上反射回到該活性層的方向中的成份可下降。薄膜-發光二極體之效率因此可有利地提高。
本發明的另一佈置方式是，層堆疊之配置著該接觸結構之區域所具有的層高度小於層堆疊之未配置著該接觸結構的區域的層高度。於是，由該層堆疊所發出的輻射之強度可進一步提高。
未設有接觸結構之層堆疊較佳是具有一種介於4μm和8μm之間(特別佳時是6μm)的層高度。層堆疊之設有該接觸結構的區域較佳是具有一種介於50nm和3.5μm之間的層高度，特別是介於100nm和2μm之間。
該層堆疊之至少一側面較佳是具有另一反射層。於是，所發出的輻射之成份(其在無該至少另一反射層時在橫向中由該層堆疊中發出)反射至層堆疊的方向中。藉由繼續反射至層堆疊中，則所發出的輻射之該成份可反射至輻射發射面之方向中且發出。於是，該薄膜-發光二極體之效率可更有利地提高。
該另一反射層施加在層堆疊之至少一側面上且較佳是含有銀，鋁及/或鉑。
在本發明之另一有利的佈置中，在該薄膜-發光二極體之輻射發射面之至少一部份區域上施加一電致發光轉換層。此電致發光轉換層含有至少一電致發光轉換材料，其適合用來將該薄膜-發光二極體所發出之輻射之至少一部份之波長轉換成較長的波長。以此種方式，則特別是能以一種發出紫外線或藍色輻射的薄膜-發光二極體藉由所發出的輻射之一部份之波長轉換成互補的光譜區(例如，黃色光譜區)而產生白光。適當的電致發光轉換材料例如可為YAG：Ce，這在WO 98/12757中已為人所知，其特別是與發光材料有關的內容藉由參考而收納於此處。
一種施加在輻射發射面上的電致發光轉換層之其它優點在於，薄膜-發光二極體之效率可有利地改良，此乃因藉由電致發光轉換層可使該活性區所發出的輻射反射回到該層堆疊之方向中的次數進一步下降。這與下述情況有關：該層堆疊和電致發光轉換層之間的折射率差較佳是小於該層堆疊和圍繞該層堆疊之介質之間的折射率差。藉由該輻射發射面上的較小的折射率差，則由該層堆疊發出的輻射之次數可提高。
該薄膜-發光二極體之層堆疊較佳是以氮化物-化合物半導體為主。所謂”以氮化物-化合物半導體為主”此處是指，活性之磊晶-層序列或其所構成的至少一層包含一種氮化物-III/V-化合物半導體材料，較佳是Aln
Gam
Inl-n-m
N，其中0≦n
≦1,0≦m≦1且n+m≦1，因此，此材料未必含有上述形式之以數學所表示之準確的組成。反之，此材料可具有一種或多種摻雜物質以及其它成份，這些成份基本上不會改變Aln
Gam
Inl-n-m
N-
材料之物理特性。然而，為了簡單之故，上述形式只含有晶格(Al,Ga,In,N)之主要成份，這些主要成份之一部份亦可由少量的其它物質來取代。
第一及/或第二鏡面層較佳是含有鋁及/或鉑，特別是銀。位障層較佳是含有TiWN。
薄膜-發光二極體之活性層較佳是含有一種pn-接面，一種雙異質結構，一種單一量子井結構(SQW-結構)或特別是一種多量子井結構(MQW-結構)以產生輻射。此名稱量子井結構此處未指出量子化的維度。因此，量子井結構可另外包含量子槽，量子線和量子點以及這些結構的每一種組合。
本發明的薄膜-發光二極體之製造方法包含以下各步驟：
-製備一種生長基板，
-磊晶生長一種層堆疊，其適合用來產生電磁輻射，
-施加一第一鏡面層，其在一種與一接觸結構之一預設區相面對的區域中具有一凹入區，
-在第一鏡面層上施加一位障層，
-將該層堆疊由生長基板中剝除，
-在該層堆疊之與第一鏡面層相面對的此側上施加一接觸結構，其具有一接觸面，其中該接觸結構施加在一與第一鏡面層之凹入區相面對的區域中，且該接觸結構的接觸面小於第一鏡面層之凹入區。
因此，須對第一鏡面層進行結構化，使該接觸結構之接觸面在垂直方向中是與該位障層之一種未由第一鏡面層所覆蓋的區域相面對，該區域大於接觸結構之接觸面。第一鏡面層較佳是形成反射用的接觸層，其對相鄰的層堆疊較佳是形成一種歐姆接觸。
藉由該凹入區，則可使活性層的一區域(其在垂直方向中位於接觸結構之接觸面下方之直接相鄰處)中的電流密度下降，使該接觸結構之接觸面下方的活性層發出較少的輻射。此外，藉由第一鏡面層之凹入區，則所發出的輻射之由第一鏡面層反射至該接觸結構之接觸面之方向中的成份將減少。以此種方式，則接觸結構中輻射的吸收量將下降。薄膜-發光二極體之效率因此可有利地提高。
上述方法之另一有利的方式是，在施加該位障層之前，第一鏡面層之凹入區中該層堆疊的界面會由於電漿過程而受損。特別是第一鏡面層之凹入區中該層堆疊的界面會由於一濺鍍過程而受損。較佳是使第一鏡面層之凹入區中該層堆疊的界面受損，以便使該區域中該層堆疊之界面不具有導電性。
由於該凹入區中該層堆疊之界面較佳是不具有導電性，則該凹入區中活性層的電流密度可下降，使接觸結構之接觸面下方的活性層產生較少的輻射。於是，由活性層所發出的輻射之被該接觸結構所吸收的成份可下降。
上述方法之另一有利的方式是，在施加該位障層之前，在第一鏡面層之凹入區中該層堆疊之己受損的界面上施加一第二鏡面層。藉由此一第二鏡面層，則所發出的輻射之反射至第一鏡面層的凹入區之方向中的成份可在第二鏡面層上反射至輻射發射面之方向中。於是，所發出的輻射之該成份在薄膜-發光二極體之輻射發射面上發出。薄膜-發光二極體之效率可有利地提高。
在至少另一佈置中，該層堆疊之輻射發射面在施加該接觸結構之前被粗糙化。藉由此種粗糙化，則該輻射發射面上的反射率將下降，這樣可在該輻射發射面上使反射回到該活性層的方向的次數下降。於是，該輻射之入射至輻射發射面上的成份可更多地由薄膜-發光二極體中發出。薄膜-發光二極體之效率可有利地提高。
上述方法之另一種方式較佳是：在施加該接觸結構之前，在該層堆疊之用於該接觸結構的一部份區域上施加一鏡面層。於是，該輻射之由薄膜-發光二極體之活性層所發出且在無其它之鏡面層時被接觸結構所吸收的成份將反射至第一或第二鏡面層之方向中且又由該些鏡面層反射至輻射發射面的方向中，使該輻射由薄膜-發光二極體發出。於是，該薄膜-發光二極體之效率可進一步提高。
上述方法之另一有利的方式是：層堆疊之施加有該接觸結構的區域在施加該接觸結構之前須以乾式化學蝕刻來處理。這樣可使該層堆疊形成一些區域，其上配置著該接觸結構，其所具有的層高度小於該層堆疊之未配置著該接觸結構之區域的層高度。於是，由薄膜一發光二極體所發出的輻射之強度可進一步提高。
上述方法之另一方式較佳是：另外在該層堆疊之至少一側面上施加另一反射層。於是，該輻射之由薄膜-發光二極體之活性層中橫向地發出的成份將反射回到該層堆疊之方向中。藉由又反射至層堆疊中，則所發出的輻射之該成份可反射至該輻射發射面之方向中且發出。這樣可使該薄膜-發光二極體之效率有利地進一步提高。
本發明的薄膜-發光二極體之其它特徵、優點、較佳的佈置和適當形式以下將依據第1至4圖中的實施例來詳述。
各圖式和實施例中相同-或作用相同的各組件分別設有相同的參考符號。所示的各元件和各元件之間的比例未必依比例繪出。反之，為了清楚之故各圖式的一些細節已予放大地顯示出。
第1圖所示的薄膜-發光二極體是一種薄膜-發光二極體之第一實施例。此薄膜-發光二極體包括一位障層3，一隨後的第一鏡面層2和一配置於第一鏡面層2上的層堆疊5。層堆疊5具有一活性層5a，其在操作時發出電磁輻射。一以接合墊來形成的接觸結構6配置在一輻射發射面4上且具有一接觸面7。第一鏡面層2在一與該接合墊6之一接觸面7相面對的區域中具有一凹入區，其中第一鏡面層2之凹入區大於該接合墊6之接觸面7。
第一鏡面層2須被結構化，使該接合墊6之接觸面7之垂直方向中一未由第一鏡面層2所覆蓋的區域可與該位障層3相面對著。
第一鏡面層2形成反射用的接觸層，其由活性層5a觀看時形成該薄膜-發光二極體之與該接合墊6相面對的第二電性接觸區。
薄膜-發光二極體較佳是以一種氮化物-化合物半導體為主。第一鏡面層2較佳是含有銀。第一鏡面層2由較佳是含有TiWN的位障層3包封著，以防止銀的遷移。
第一鏡面層2之凹入區以及該反射用的接觸層所顯示的優點在於，活性層5a之在垂直方向中位於該接合墊6之接觸面7下方之直接相鄰處的區域中的電流密度較小，使該接合墊6之接觸面7下方之直接相鄰處的區域中所產生的輻射較少，這樣可使該活性層5a所發出的輻射中被該接合墊6所吸收的成份減少。此外，藉由第一鏡面層2之凹入區，則所發出的輻射之由第一鏡面層2反射至該接合墊6之方向中的成份可進一步下降。以此種方式，則該輻射在該接合墊6中的吸收量將下降。薄膜-發光二極體之效率可有利地提高。
該凹入區之橫向尺寸較佳是較該接合墊6之接觸面7之橫向尺寸多出5μm至20μm。於是，該接合墊下方直接相鄰處之區域(其用作吸收器)中的電流密度可下降，由輻射發射面4所發出的輻射之成份因此可提高。該凹入區之橫向尺寸較該接觸面7之橫向尺寸最多可多出的值亦可超過20μm。當然，這樣會顯示出一較大的二極體電壓且因此使活性層5a之效率下降。
在層堆疊5之與輻射發射面4相面對的一側上可將該薄膜-發光二極體固定在一載體14上。例如，該層堆疊5藉由一化合物層13(特別是一種焊接層)而固定在該載體14上。載體14例如是一種電路板，特別是一印刷電路板。此外，載體14可由陶瓷(其特別是可含有氮化鋁)來形成。亦可使用由半導體材料來形成的載體14，例如，鍺-或GaAs-載體。載體14之遠離該層堆疊5之背面例如可設有一種電性接觸層1，其由活性層5a觀看時形成該薄膜-發光二極體之與該接合墊6相面對的第二電性接觸區。
藉由位障層3，則特別是可使該化合物層13(其例如是一種焊接層)之材料不會擴散至第一鏡面層2中，第一鏡面層2之反射特別是可受到該化合物層所影響。
與第1圖所示的薄膜-發光二極體不同，第2圖所示的薄膜-發光二極體在第一鏡面層2之凹入區中具有一第二鏡面層8，使含有TiWN之位障層3在第一鏡面層2之區域中未直接與層堆疊5相鄰接，其中該位障層3對活性層5a所發出的輻射具有吸收性。
第二鏡面層8對層堆疊5具有一種高的接觸電阻，但第一鏡面層2對該層堆疊5具有一種低的接觸電阻。層堆疊5和第二鏡面層8之間高的接觸電阻和小的導電性藉由層堆疊5在凹入區中的一種已改變的界面來實現，以使層堆疊5在凹入區中的界面不具有導電性。
此外，亦可藉由適當的材料使第二鏡面層8具有一種較第一鏡面層2更小的導電性，由於在空出的區域中藉由層堆疊之界面之改變不能在第二鏡面層2和相鄰的層堆疊5之間形成電性接觸，則輻射發射面4上之接合墊6和第二鏡面層8之間在層堆疊5之垂直方向中位於該接合墊6之接觸面下方的直接相鄰處之區域中的電流將減小。活性層5a之該區域中的輻射產生量因此較少，這樣可使該接合墊6下方的輻射吸收量有利地下降。
第二鏡面層8較佳是含有銀。另一方式是，第二鏡面層8可含有鉑。
第3圖所示的薄膜-發光二極體與第2圖之薄膜-發光二極體不同之處在於，該接合墊6之面向該層堆疊5之主面含有一反射層9。此反射層9較佳是含有銀。另一方式是，此反射層可含有鋁及/或鉑。
第3圖所示的薄膜-
發光二極體具有第一鏡面層2，其以反射用的接觸層來形成，且由活性層5a來觀看時形成該薄膜-發光二極體之面向該接合墊6之第二電性接觸區。
藉由該接合墊6之面向該層堆疊之主面上的反射層9，則所發出的輻射之由第一或第二鏡面層2，8反射回到該接合墊6之方向中的成份將由該反射層9反射回到第一和第二鏡面層2，8之方向中。所發出的輻射之此成份又在第一或第二鏡面層2，8上反射回到薄膜-發光二極體之輻射發射面的方向中且可經由此輻射發射面4而由薄膜-發光二極體發出。以此種方式，則該接合墊6中的輻射吸收量又可下降。較佳是所發出的輻射未被該接合墊6所吸收。薄膜-發光二極體之效率可有利地提高。
薄膜-發光二極體之輻射發射面4較佳是被粗糙化。藉由粗糙化，則該輻射發射面4之反射率可下降。於是，由活性層所發出的輻射中較少的成份將在輻射發射面4上反射回到該活性區5a之方向中，這樣可使活性層所發出的輻射中較多的成份在該輻射發射面4上發出且使薄膜-發光二極體之效率提高。
第4圖所示的薄膜-發光二極體之不同於第3圖之薄膜-發光二極體之處在於，該接觸結構由一接合墊(未顯示)和多個接觸條10來形成。在各接觸條10和接合墊的下方使第一鏡面層2凹入，此時凹入區之橫向尺寸較該接觸結構之接觸面之橫向尺寸還大。該層堆疊5之界面在第一鏡面層2之凹入區中須改變，使該層堆疊的界面在各凹入區中不具有導電性。各凹入區中分別配置著一第二鏡面層8。
此外，與第3圖之實施例不同之處在於，在該位障層之與第一和第二鏡面層相面對的此側上配置一接觸層1，其由活性層5a觀看時形成該薄膜-發光二極體之與該接觸結構相面對的第二電性接觸區。
藉由該層堆疊5之在第二鏡面層8之區域中的界面的改變，則該層堆疊5之界面不具有導電性，這樣該接觸結構下方之直接相鄰處的區域中該活性層5a中所產生的光量將下降。於是，由活性層5a所發出的輻射在接觸結構中的吸收量可下降。
層堆疊5之側面包括另一鏡面層12，其較佳是含有銀、鋁及/或鉑。此外，在未具有接合墊或接觸條10之輻射發射面4上可施加一種電致發光轉換層11。此電致發光轉換層11含有至少一電致發光轉換材料，其用來將薄膜-發光二極體所發出的輻射之至少一部份的波長轉換成較大的波長。以此種方式，則特別是能以發出紫外線或藍色輻射的薄膜-發光二極體藉由所發出的輻射之一部份的波長轉換成互補的光譜區(較佳是黃色光譜區)而產生白光。
層堆疊5之施加有多個接觸條10之區域較佳是具有一較該層堆疊5之未施加有接觸條10之區域的層厚度還小的層厚度。於是，由薄膜-發光二極體所發出的輻射之強度可進一步提高。未施加該接觸條10之該層堆疊5所具有的層厚度較佳是在4μm和8μm之間，例如，6μm。層堆疊5之施加有該接觸條10之區域所具有的層厚度較佳是在50nm和3.5μm之間，例如，1μm。
層堆疊5之施加有接觸條10之區域之層厚度之下降較佳是藉由乾式化學方式來達成。層堆疊5之界面之改變較佳是藉由電漿過程，特別是藉由濺鍍過程，來達成。
上述各實施例的描述不是對多個個別的層之限制。薄膜-發光二極體之各層同樣可由層序列所組成。除了上述的各層以外，薄膜-發光二極體例如亦可包含緩衝層及/或中間層。
本發明之薄膜-發光二極體之依據上述各實施例的描述不是對本發明的一種限制。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各申請專利範圍-或不同實施例之個別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。
1．．．接觸層
2．．．第一鏡面層
3．．．位障層
4．．．輻射發射面
5．．．層堆疊
5a．．．活性層
6．．．接觸結構
7．．．接觸面
8．．．第二鏡面層
9．．．反射層
10．．．接觸條
11．．．電致發光轉換層
12．．．另一鏡面層
13．．．化合物層
14．．．載體
第1圖本發明之薄膜-發光二極體之第一實施例之橫切面。
第2圖本發明之薄膜-發光二極體之第二實施例之橫切面。
第3圖本發明之薄膜-發光二極體之第三實施例之橫切面。
第4圖本發明之薄膜-發光二極體之第四實施例之橫切面。
1．．．接觸層
2．．．第一鏡面層
3．．．位障層
4．．．輻射發射面
5．．．層堆疊
5a．．．活性層
6．．．接觸結構
7．．．接觸面
8．．．第二鏡面層
13．．．化合物層
14．．．載體
Claims (15)
- 一種薄膜發光二極體，包括：- 一位障層(3)，- 一配置在該位障層(3)之後的第一鏡面層(2)，- 一配置在第一鏡面層(2)之後的層堆疊(5)，具有至少一活性層(5a)，其發出電磁輻射，以及- 至少一配置在該層堆疊(5)之後的接觸結構(6)，其配置在一輻射發射面(4)上且具有一接觸面(7)，其中第一鏡面層(2)在一與該接觸結構(6)之接觸面(7)相面對的區域中具有一凹入區，其大於該接觸結構(6)之接觸面(7)，其中該位障層(3)之未被該第一鏡面層(2)所覆蓋的區域，與接觸結構(6)之接觸區域(7)成相對。
- 如申請專利範圍第1項之薄膜發光二極體，其中該凹入區之橫向尺寸較該接觸結構(6)之接觸面(7)之橫向尺寸多出5μm至20μm。
- 如申請專利範圍第1或2項之薄膜發光二極體，其中該層堆疊(5)之與輻射發射面(4)相面對的界面在該凹入區中改變，使該層堆疊(5)和第一鏡面層(1)之凹入的區域之間的接觸電阻提高。
- 如申請專利範圍第3項之薄膜發光二極體，其中該層堆疊(5)之與輻射發射面(4)相面對的界面在該凹入區中改變，使該層堆疊(5)之在該凹入區中的界面不具有導電性。
- 如申請專利範圍第3項之薄膜發光二極體，其中該第一 鏡面層(2)之凹入區具有一第二鏡面層(8)。
- 如申請專利範圍第1項之薄膜發光二極體，其中該接觸結構(6)之面向該層堆疊(5)的主面包括一反射層(9)。
- 如申請專利範圍第1項之薄膜發光二極體，其中該層堆疊(5)之輻射發射面(4)已粗糙化。
- 如申請專利範圍第1項之薄膜發光二極體，其中該層堆疊(5)之配置著該接觸結構(6)的區域所具有的層高度小於該層堆疊(5)之未配置著該接觸結構(6)的區域所具有的層高度。
- 如申請專利範圍第1項之薄膜發光二極體，其中該層堆疊(5)之至少一側面包括另一鏡面層(12)。
- 如申請專利範圍第1項之薄膜發光二極體，其中該薄膜發光二極體之輻射發射面(4)上施加一電致發光轉換層(11)。
- 一種如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之薄膜發光二極體的製造方法，包括以下各步驟：- 製備一生長基板，- 磊晶生長一層堆疊(5)，其用來產生電磁輻射，- 施加第一鏡面層(2)，其在一與接觸結構(6)之一預設區域相面對的區域中具有一凹入區，- 在第一鏡面層(2)上施加一位障層(3)，- 由生長基板剝除該層堆疊(5)，- 施加一接觸結構(5)，其在該層堆疊(5)之與第一鏡面層(2)相面對的此側上具有一接觸面(7)，此接觸結構(6) 施加在一與第一鏡面層(2)之凹入區相面對的區域中，且接觸結構(6)之接觸面(7)小於第一鏡面層(2)之凹入區。
- 如申請專利範圍第11項之製造方法，其中在第一鏡面層之凹入區中施加該位障層(3)之前藉由一電漿處理或濺鍍處理損傷該層堆疊(5)之界面。
- 如申請專利範圍第12項之製造方法，其中在施加該位障層(3)之前將第二鏡面層(8)安裝於第一鏡面層(2)之凹入區中。
- 如申請專利範圍第11至13項中任一項之製造方法，其中在施加該接觸結構(6)之前將該層堆疊(5)之與第一鏡面層(2)相面對的界面粗糙化。
- 如申請專利範圍第11項之製造方法，其中在該層堆疊(5)上施加該接觸結構(6)之前在該層堆疊(5)之一部份區域上施加一用於該接觸結構(6)之反射層(9)。
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