TW201731125A - 輻射發射式半導體晶片、具有輻射發射式半導體晶片的光電組件及用於塗佈輻射發射式半導體晶片的方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種輻射發射式半導體晶片(1)，其具有一基板(2)和一磊晶的半導體層序列(3)。此磊晶的半導體層序列(3)包括一活性區(4)，其適合用於產生第一波長範圍的電磁輻射。該基板(2)係為該活性區(4)的電磁輻射可透過的。在基板(2)的一側面(9)上和半導體晶片(1)之後側的主面上施加光學活性層(11)，該後側的主面位於半導體晶片(1)之輻射發出面(5)之相對側。此外，本發明提供一種用於製造此種半導體晶片(1)的方法以及一種具有此種半導體晶片(1)的光電組件。
Description
本發明提供一種輻射發射式半導體晶片、具有輻射發射式半導體晶片的光電組件及用於塗佈輻射發射式半導體晶片的方法。
有關輻射發射式半導體晶片之相關內容已描述在文件WO 01/61765 A1中。
本申請案之目的在於提供一種輻射發射式半導體晶片，其亮度能以適當的形式和方式來調整。此外，本發明提供一種用於製造此種半導體晶片的方法以及一種具有此種半導體晶片的光電組件。
上述目的藉由具有專利請求項1之特徵的輻射發射式半導體晶片、具有專利請求項17之特徵的光電組件、以及具有專利請求項19之步驟的方法來達成。
半導體晶片、光電組件以及該方法之有利的其它形式和實施方式是附屬請求項之所請內容。
輻射發射式半導體晶片特別包括一基板和一磊晶的半導體層序列。此磊晶的半導體層序列具有一活性區，其適合用於產生第一波長範圍的電磁輻射。該基
板於此特佳為該活性區的電磁輻射可透過的。該活性區的電磁輻射可透過在此處特別是指：該活性區中產生的輻射之至少80%、較佳的是至少90%且特佳的是至少95%透過。
該基板特佳的是一種用於磊晶的半導體層序列之生長基板。磊晶的半導體層序列特佳地以磊晶方式生長在該基板上。
例如，該基板包括碳化矽、氮化鎵或藍寶石、或由碳化矽、氮化鎵或藍寶石構成。
磊晶的半導體層序列較佳以氮化物-化合物半導體為主。氮化物-化合物半導體包括氮，例如包括由系統InxAlyGa1-x-yN、其中0x1，0y1且x+y1、構成的材料。在以氮化物-化合物半導體為主的輻射發射式半導體晶片之群組(group)下目前特別是指：半導體晶片中以磊晶方式製成的半導體層序列包括至少一具有氮化物-化合物半導體的單一層。
例如，磊晶的半導體層序列以氮化鎵為主。以氮化鎵為主的半導體層序列較佳具有至少一包括氮化鎵的單一層。大多數的單一層較佳包括氮化鎵。
特佳的是，活性區產生藍色光譜區之電磁輻射。此外，活性區亦可產生綠光。活性區中產生的電磁輻射由半導體晶片之輻射發出面發出。又，由於輻射透射基板，則活性區中產生的輻射之一部份經由該基板之側面發出。此種半導體晶片亦稱為「體(volume)發射器」。
依據半導體晶片之一實施形式，半導體晶片包括一光學活性層，其施加在基板的一側面上和半導體晶片之後側的主面上，該後側的主面位於半導體晶片之輻射發出面之相對側。
此處及以下若談及「側面」，則在基板或半導體晶片具有複數個側面的情況下若未詳細另外指出時是指全部的側面。
例如，光學活性層整面施加在半導體晶片之後側的主面上且整面施加在基板之側面上。
另一方式是，亦可將基板之側面的一些區域在鄰接於後側的主面處連續地塗佈光學活性層，但基板之側面的另一區域則無該光學活性層。側面之無該光學活性層的該另一區域較佳鄰接於輻射發出面或配置成至少較塗佈著該光學活性層的區域更靠近該輻射發出面。
依據半導體晶片之另一實施形式，光學活性層在基板之側面上之厚度由後側的主面開始朝向輻射發出面減少。特佳的是，光學活性層之厚度於此是連續地減少。
光學活性層可以是一種各別的層或由複數個層構成的層序列。
依據半導體晶片之一實施形式，光學活性層是金屬層或半導體層。換言之，光學活性層由金屬或半導體構成或包括金屬或半導體。特佳的是，具有金屬或半導體的光學活性層或由金屬或半導體構成的光學活性層適當地且明確而言較佳地在第一波長範圍的整個光譜
區上吸收該活性區的輻射。以此形式和方式，半導體晶片之亮度可調整至所期望的值。
例如，具有半導體或金屬的光學活性層或由金屬或半導體形成的光學活性層對活性區之藍色輻射具有一種介於0.2 105cm-1(含)和15 105cm-1(含)之間的吸收係數。
具有半導體或金屬的光學活性層或由金屬或半導體形成的光學活性層之厚度例如介於1奈米(含)和1000奈米(含)之間。該光學活性層的厚度較佳介於1奈米(含)和100奈米(含)之間。
該光學活性層在不同的厚度時光學上的不透光性係與吸收係數有關，可使光不再透過。該光學活性層的厚度及其吸收係數決定了該光學活性層中透過的或吸收的輻射之份量。
此外，金屬層或半導體層可以是一種單一層或亦可以是由複數個單一層構成的層序列。
例如，以下材料之一適合用作金屬層或半導體層的材料：金、銀、鉑、鈀、鈦、銠、釕、鎢、鋁、矽、鍺、銦、鉻、鎳、銅。
依據半導體晶片之一較佳的實施形式，光學活性層形成為二個金屬單一層的層序列。其中一個金屬層於此例如形成為對活性區的輻射具有吸收性，但另一個金屬層例如是一種貴金屬層。具有吸收性的金屬層和該貴金屬層較佳地互相直接相接觸，其中該具有吸收性的金屬層直接施加在基板上且該貴金屬層可由外部自由地接近(access)。
具有吸收性的金屬單一層於此適當地吸收活性區之輻射的一部份，該輻射入射至該金屬單一層且因此控制半導體晶片的亮度，該貴金屬層包封著該具有吸收性的金屬層且例如由於腐蝕而至少使該具有吸收性的金屬層之劣化下降。例如，該具有吸收性的金屬層可以是鈦層且該貴金屬層可以是金層。
亦可使用其它的金屬層以取代貴金屬層來包封該具有吸收性的層，例如，鉻層。鉻具有的優點為：在濕環境中形成穩定的氧化物，使其下方之具有吸收性的層受到保護而免於氧化。就此而言，鉻層可達成一種類似於貴金屬層的功能。
依據半導體晶片之一較佳的實施形式，光學活性層形成為二個金屬單一層之層序列。其中一個金屬層於此例如形成為對活性區的輻射具有吸收性，但另一個金屬層用於包封該具有吸收性的金屬層。該具有吸收性的金屬層和該另一個金屬層較佳地互相直接相接觸，其中該具有吸收性的金屬層直接施加在基板上且該另一個金屬層可由外部自由地接近。
依據半導體晶片之一特佳的實施形式，光學活性層形成為二個金屬單一層之層序列，其中一個金屬層形成為對活性區的輻射具有吸收性且另一個金屬層包封著具有吸收性的金屬層。該具有吸收性的金屬層較佳由鈦形成且例如具有大約100奈米的厚度。該另一個金屬層例如由鉻形成且例如具有大約200奈米的厚度。
此外，金屬層亦可用作半導體晶片之後側的材料和另一個金屬層之間的黏合促進層。於此，光學活性層之光學特性通常最廣泛地由另一個金屬層之光學特性來決定。
此外，光學活性層亦可具有至少一個金屬層和至少一個介電質層或亦可具有至少二個介電質層。
依據輻射發射式半導體晶片之另一實施形式，光學活性層是一種布拉格(Bragg)-鏡面。布拉格-鏡面是一種交替的單一層形成的層序列，各個單一層通常係介電質形式。
例如，布拉格(Bragg)-鏡面可使活性區之由基板之側面發出的輻射發出量提高。
依據另一實施形式，布拉格-鏡面係用於使活性區的輻射透過，且視情況需要，使來自側面的輻射發出量提高以及使第一波長範圍外的電磁輻射反射。特佳的是，布拉格-鏡面係用於使活性區的輻射，例如藍光，透過或使其發出量提高且使黃光及/或綠光及/或紅光反射。此種輻射發射式半導體晶片特別適合使用在具有轉換元件之光電組件中，該轉換元件將主要的藍光之一部份轉換成黃光及/或綠光及/或紅光。使用此種半導體晶片於此種光電組件中可有利地使該組件之效率提高。
依據半導體晶片之另一實施形式，布拉格-鏡面反射第一波長範圍之輻射的光譜成份且使第一波長範圍之另一光譜成份透過。換言之，在此種實施形式中布拉格-鏡面濾除第一波長範圍之光譜的一部份，使只有
第一波長範圍之很狹窄的頻帶至少由基板之側面發出。例如，該頻帶具有一種介於1奈米(含)和50奈米(含)之間的寬度。
依據半導體晶片之另一實施形式，布拉格-鏡面適當地吸收活性區的輻射，較佳的是吸收第一波長範圍之整個光譜區的輻射。以此形式和方式，同樣可使半導體晶片之亮度調整至所期望的值。
例如，以下的材料適合用於布拉格-鏡面的單一層：氧化鋁、氧化鉭、氧化鋯、氮化矽、二氧化矽、矽氧氮化物、氧化鈮或透明的導電氧化物，特別是ITO，ZnO和In2O3。
透明的導電氧化物(TCO)通常是金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或銦錫氧化物(ITO)。二元的金屬氧化物例如ZnO，SnO2，或In2O3，三元的金屬氧化物例如Zn2SnO4，ZnSnO3，MgIn2O4，GaInO3，Zn2In2O5或In4Sn3O12，這些二元或三元的金屬氧化物、或不同的透明導電氧化物之混合物都屬於TCOs之族群。此外，TCOs在化學計量上未必對應於此種組成而是亦可另外被p-或n-摻雜。
布拉格-鏡面通常包括單一層之交替的序列，各單一層分別具有高的(n>1.7)和低的折射率(n1.7)。在可使發出量提高的布拉格-鏡面中，單一層的光學層厚度n*d典型上是n*d=λ/2，層序列之第一單一層亦可具有n*d=λ之光學層厚度。反之，在具有反射性或高反射性的布拉格-鏡面中，單一層的光學層厚度典型上
是n*d=λ/4，第一單一層亦可具有n*d=3λ/4之光學層厚度。
依據半導體晶片之另一實施形式，其輻射發出面設有一吸收層，此吸收層適當地吸收活性區之輻射，以將半導體晶片之亮度調整至所期望之值。例如，該吸收層同時設置成將電流施加至半導體層序列中且用於達成電性接觸。在此種情況下，該吸收層通常以結構化方式形成。該吸收層較佳包括二個分離的結構元件，其中每一結構元件都設置成電性接觸區且其另外同時在輻射發出面上佔有較大的面積份量，以吸收活性區的輻射。
例如，該吸收層可以是金屬層。該吸收層例如可具有以下材料之一或由以下材料之一構成：金、銀、鉑、鈀、鈦、銠、釕、鎢、鋁、鉻、鎳、銅。
依據一實施形式，該吸收層具有一種介於300奈米(含)和4000奈米(含)之間的厚度。
依據半導體晶片之另一實施形式，在基板之後側的主面上施加另一高反射性的布拉格-鏡面，其反射活性區的輻射。該另一高反射性的布拉格-鏡面適合用於將活性區的輻射轉向至半導體晶片之輻射發出面。本實施形式中，半導體晶片之後側的光學特性基本上是由該另一高反射性的布拉格-鏡面來決定且只微量地或甚至不是由後側上施加在布拉格-鏡面上的光學活性層來決定。
具有如上所述之半導體晶片的光電組件特別適合與一轉換元件一起使用。該半導體晶片較佳發出藍光。
特佳的是，該轉換元件包圍著半導體晶片。例如，半導體晶片埋置於該轉換元件中。該光電組件例如是發光二極體。
該轉換元件適合將第一波長範圍之輻射轉換成另一波長範圍之輻射。例如，該轉換元件將第一波長範圍之輻射的至少一部份轉換成第二波長範圍及/或第三波長範圍之輻射。例如，該轉換元件將半導體晶片之藍色輻射的一部份轉換成綠色及/或黃色及/或紅色輻射。以此形式和方式可產生一種光電組件，其發出由轉換後的藍色輻射以及綠色及/或黃色及/或紅色輻射構成之混合彩色的輻射。混合彩色的光之彩色位置特佳的是位於CIE-正規彩色圖之白色區域中。
光學活性層於此特佳地形成為使第一波長範圍之未轉換的輻射透過且使至少另一波長範圍之轉換後的輻射反射。以此形式和方式，可有利地使光電組件之效率提高。
該轉換元件例如由樹脂形成，其中施加著發光材料粒子。該樹脂例如可以是環氧化物或矽樹脂或這些材料的混合物。較佳的是，該樹脂是電磁輻射可透過的且特別是可見光可透過的。上述發光材料粒子授予該轉換元件波長轉換特性。
例如，以下材料之一適合用作上述發光材料粒子：以稀土摻雜的石榴石、以稀土摻雜的鹼土硫化物、以稀土摻雜的硫鎵酸鹽、以稀土摻雜的鋁酸鹽、以稀土摻雜的矽酸鹽、以稀土摻雜的正矽酸鹽、以稀土摻雜的氯矽酸鹽、以稀土摻雜的鹼土矽氮化物、以稀土摻雜的氧化氮化物、以稀土摻雜的鋁氧化氮化物、以稀土摻雜的矽氮化物、以稀土摻雜的矽鋁氮氧化物(sialon)。
在以光學活性層來塗佈輻射發射式半導體晶片所用的方法中，首先在箔上製備複數個半導體晶片。於此，半導體晶片以其輻射發出面施加在箔上，但半導體晶片之與輻射發出面相對的後側之主面偏離該箔。換言之，輻射發出面鄰接於該箔，但半導體晶片之分別與輻射發出面相對的後側之各主面可自由地被接近。此外，該些半導體晶片較佳相隔開地配置在箔上，使二個直接相鄰的半導體晶片之側面之間的區域可自由地被接近。
最後，在以此種方式配置在箔上的半導體晶片上沉積光學活性層。特佳的是，該光學活性層在室溫時沉積而成。例如，該光學活性層在室溫時藉由蒸鍍沉積而成。
目前只與半導體晶片結合而描述的特徵和實施形式同樣可在方法中形成且反之亦同。
本發明其它有利的實施形式和另外的形式由以下結合各圖式而描述的實施例即可得知。
1‧‧‧半導體晶片
2‧‧‧基板
3‧‧‧半導體層序列
4‧‧‧活性區
5‧‧‧輻射發出面
6‧‧‧基板之後側的主面
7‧‧‧電流擴大層
8‧‧‧電性接觸區
9‧‧‧基板之側面
10‧‧‧高反射性的布拉格-鏡面
11‧‧‧光學活性層
12‧‧‧轉換元件
13‧‧‧吸收層
14‧‧‧第一金屬層
15‧‧‧第二金屬層
16‧‧‧箔
17‧‧‧組件殼體
18‧‧‧發光材料粒子
第1圖至第6圖分別顯示一實施例的半導體晶片之剖面示意圖。
第7圖至第9圖顯示多個剖面示意圖，用於製造複數個光電半導體晶片的方法之一實施例係依據第7圖至第9圖來詳述。
第10圖顯示一實施例的光電組件之剖面示意圖。
各圖式中相同、相同形式或作用相似的各元件分別設有相同的參考符號。各圖式中所示的各元件之間的圖面及尺寸關係未必依是依比例繪出。反之，為了更清楚及/或更易於理解各別元件，特別是層厚度，將會予以放大地顯示。
依據第1實施例，半導體晶片1具有基板2，其上以磊晶方式生長一種半導體層序列3。磊晶的半導體層序列3包括一活性區4，其中產生電磁輻射。磊晶的半導體層序列3以氮化物-化合物半導體為主。活性區4中產生由藍色光譜區構成的第一波長範圍的電磁輻射，換言之，藍光。藍光由半導體晶片1之輻射發出面5發出，該輻射發出面5位於基板2之後側的主面6之相對側。此外，亦可在活性區中產生綠光。
又，依據第1圖之實施例，半導體晶片1包括電流擴大層7，其例如由透明之導電氧化物形成或具有透明之導電氧化物。例如，電流擴大層7由ITO形成。在電流擴大層7上配置電性接觸區8以達成電性接觸。
基板2由藍寶石形成且可使活性區4中產生的藍光透過。由於此一原因，半導體晶片1亦由基板2之側面9發出藍光。
在基板2之後側的主面6上配置高反射性的布拉格-鏡面10，其適合用於將活性區4之藍色輻射反射且轉向至輻射發出面5。
此外，依據第1圖之實施例，半導體晶片1包括光學活性層11，其目前同樣形成為布拉格-鏡面。光學活性層11於此完全覆蓋半導體晶片1之後側的主面以及基板2之側面9。形成為布拉格-鏡面的光學活性層11適合用於使活性區4之藍光透過且因此使來自基板2之側面9的發出量提高。
依據第2圖之實施例，半導體晶片1就像第1圖之實施例的半導體晶片1那樣具有光學活性層11，其形成為布拉格-鏡面。當然，不同於第1圖之布拉格-鏡面，本實施例中該布拉格-鏡面不只具有使活性區4之藍色輻射透過且使來自基板2之側面9的發出量提高的特性，而且亦具有使綠光、黃光和紅光反射的另一特性。特佳的是，該布拉格-鏡面另外用於將第一波長範圍之藍色輻射的一部份濾除，使藍色波長上只有很狹窄的頻帶可透過。因此，在與一轉換元件12組合下可產生白色的LED，其彩色位置可特別準確地調整。第2圖之布拉格-鏡面例如可由一種層序列形成，該層序列具有由二氧化矽和氧化鈦構成的交替之單一層。
不同於第2圖之實施例的半導體晶片1，第3圖之實施例中半導體晶片1具有一在輻射發出面5上的吸收層13。設置該吸收層13且用於適當地吸收活性區4之輻射且因此適當地調整半導體晶片1之亮度。吸收層13設置成同時用於接觸半導體層序列3且具有至少二個分離的結構元件(未顯示)。特別是該吸收層13由二個分離的接合墊組成，各個接合墊分別與至少一電流路徑連接。特佳的是，該吸收層13由金屬形成。
此外，不同於第2圖之實施例的半導體晶片1，第3圖之實施例中在基板2之後側的主面6上該半導體晶片1未具備額外之高反射性的布拉格-鏡面10。反之，光學活性層11以直接相接觸的方式施加在基板2上。本實施例中光學活性層11是一種布拉格-鏡面，其形成為對活性區4之輻射具有反射性。以此形式和方式，則基板2之側面9和後側的主面6上的布拉格-鏡面可使反射係數提高且使透射係數降低。以此形式和方式，可藉由選取布拉格-鏡面之單一層將半導體晶片1之亮度調整至預設的值。
不同於第3圖之實施例的半導體晶片1，第4圖之實施例中半導體晶片1具有光學活性層11，其由一各別的金屬層形成。該金屬層於此係由鈦形成或具有鈦。該金屬層的厚度大約是100奈米。鈦層特別適合用於吸收入射的藍色、綠色、黃色和紅色輻射的大部份。因此，例如具有發出藍光之半導體晶片1且具有用於轉換綠光、黃光和紅光的轉換元件12之光電組件之彩色位
置可適當地調整。此外，藉助於半導體晶片1之輻射發出面5上之吸收層13，可將該組件之總亮度調節至預設之值。
除了鈦層以外，亦可使用層厚度大約100奈米的金層作為光學活性層11。此種金層具有的特性是：吸收活性區4之入射的藍色輻射的大部份，但使例如可由包圍著半導體晶片1之轉換元件12產生的綠光、黃光和紅光的大部份被反射。
依據第5圖之實施例，半導體晶片1具有一種層序列以作為光學活性層11，其由第一金屬層14和第二金屬層15構成。第一金屬層14於此例如由鈦形成且設置成用於吸收活性區4之電磁輻射，但第二金屬層15例如由金構成且用於保護鈦層14使不受外部的影響，例如，不受濕度的影響。除了用於保護該鈦層14的金屬層15以外，亦可使用鉻層15。作為第一金屬層14用的鈦層例如具有大約100奈米的厚度，但作為寬大的金屬層15用的鉻層例如具有大約200奈米的厚度。
依據第6圖之實施例，半導體晶片1具有光學活性層11，其整面施加在半導體晶片1之後側的主面上且由半導體晶片1之後側的主面開始經由半導體晶片1之側面9而延伸。於此，光學活性層11之厚度由半導體晶片1之後側的主面開始朝向其輻射發出面5而連續地減少。此外，光學活性層11只配置在側面9之與後側的主面鄰接的一區域中，但側面9之與光發出面5鄰接的第二區域則未具備光學活性層11。
在第7圖至第9圖之實施例所示的方法中，首先在箔16上製備多個半導體晶片1。半導體晶片1於此係以其輻射發出面5施加在箔16上，使半導體晶片1之與輻射發出面5相對向之後側的主面可自由地被接近。此外，各個半導體晶片1互相隔開地配置著，使二個直接相鄰的半導體晶片1之區域都可自由地被接近(第7圖)。
在第8圖所示的下一步驟中，光學活性層11施加在半導體晶片1上，這例如在室溫時藉由蒸鍍施加而成。
藉由蒸鍍過程，在半導體晶片1之後側的主面上以及在半導體晶片1之側面上沉積光學活性層11，其就像例如已依據第6圖之實施例所述者那樣(第9圖)。
依據第10圖之實施例，光電組件包括一輻射發射式半導體晶片1，其就像例如已依據第2圖所述者那樣。半導體晶片1黏合在組件殼體17之凹口中，該凹口由轉換元件12填滿。該轉換元件12由大致上是以矽樹脂之類的樹脂來形成，樹脂中設置發光材料粒子18。發光材料粒子18適合用於將半導體晶片1之藍色輻射的一部份轉換成黃色輻射和紅色輻射，使該光電組件發出由藍色、黃色和紅色輻射構成之混合彩色的輻射。此混合彩色的輻射於此較佳具有一種在白色區域中的彩色位置。
半導體晶片1另外包括光學活性層11，其整面施加在半導體晶片1之側面上及後側的主面上。光學
活性層11於此係由布拉格-鏡面形成，其只使活性區之藍色輻射的一部份透過。此外，布拉格-鏡面形成為對該轉換元件12之轉換後的輻射具有反射性。以此形式和方式，則該光電組件之效率可提高且可調整白色的混合彩色光之彩色位置。
本實施例中，基板2之後側的主面6上的高反射性的布拉格-鏡面12有利地防止：第一波長範圍之電磁輻射使黏合材料層(未顯示)劣化。半導體晶片1係以該黏合材料層而固定在該凹口中。
本申請案主張德國專利申請案DE 10 2015 119 553.4之較佳權，其已揭示的內容收納於此以作為參考。
本發明不限於依據各實施例所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各請求項中各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各請求項中或各實施例中時亦屬本發明。
1‧‧‧半導體晶片
2‧‧‧基板
3‧‧‧半導體層序列
4‧‧‧活性區
5‧‧‧輻射發出面
6‧‧‧基板之後側的主面
7‧‧‧電流擴大層
8‧‧‧電性接觸區
9‧‧‧基板之側面
11‧‧‧光學活性層
Claims (20)
- 一種輻射發射式半導體晶片(1)，具有：一基板(2)，一磊晶的半導體層序列(3)，此磊晶的半導體層序列(3)具有一活性區(4)，其適合用於產生第一波長範圍的電磁輻射，該基板(2)係為該活性區(4)的電磁輻射可透過的，以及一光學活性層(11)，其施加在該基板(2)的一側面上和該半導體晶片(1)之後側的主面上，該後側的主面位該於半導體晶片(1)之輻射發出面(5)之相對側。
- 如請求項1之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該光學活性層(11)由一具有吸收性的金屬層(14)和另一個金屬層(15)形成，該二個金屬層互相直接地相接觸，其中該具有吸收性的金屬層(14)直接施加在該基板(2)上且該另一個金屬層(15)可由外部自由地被接近。
- 如請求項2之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該具有吸收性的金屬層(14)具有鈦且該另一個金屬層(15)具有鉻。
- 如請求項1至3中任一項之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該光學活性層(11)包括該具有吸收性的金屬層(14)和一貴金屬層(15)，這二個金屬層互相直接地相接觸，其中該具有吸收性的金屬層(14)直接施加在該基板(2)上且該貴金屬層(15)可由外部自由地被接近。
- 如請求項1至4中任一項之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該光學活性層(11)整面施加在該半導體晶片(1)之後側的主面上且整面施加在該基板(2)之側面(9)上。
- 如請求項1至4中任一項之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該基板(2)之該側面(9)的一區域在鄰接於其後側的主面(6)處連續地塗佈該光學活性層(11)，但該基板(2)之該側面(9)的另一區域則無該光學活性層(11)。
- 如請求項1至6中任一項之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該光學活性層(11)在該基板(2)之該側面(9)上之厚度由後側的該主面(6)開始朝向該輻射發出面(5)減少。
- 如請求項1至7中任一項之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該光學活性層(11)是金屬層或半導體層，其吸收該活性區(4)之輻射。
- 如請求項8之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該金屬層或該半導體層之材料由以下的群組中選取：金、銀、鉑、鈀、鈦、銠、釕、鎢、鋁、矽、鍺、銦、鉻、鎳、銅。
- 如請求項1和5至7中任一項之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該光學活性層(11)是布拉格-鏡面。
- 如請求項10之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該布拉格-鏡面使活性區(4)之由該基板(2)之該側面(9)發出的輻射發出量提高。
- 如請求項10或11之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該布拉格-鏡面係用於使活性區(4)的輻射之至少一部份透過且使該第一波長範圍外的電磁輻射反射。
- 如請求項10至12中任一項之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該布拉格-鏡面反射該第一波長範圍之輻射的 光譜成份且使該第一波長範圍之輻射的另一光譜成份透過。
- 如請求項10之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該布拉格-鏡面適當地吸收該活性區(4)之整個第一波長範圍的輻射。
- 如請求項1至14中任一項之輻射發射式半導體晶片(1)，其中該輻射發出面(5)設有一吸收層(13)，其適當地吸收活性區(4)之輻射，以將該半導體晶片(1)之亮度調整至所期望之值。
- 如請求項1至15中任一項之輻射發射式半導體晶片(1)，其中在該基板(2)之後側的該主面(6)上施加高反射性的布拉格-鏡面(10)，其反射活性區(4)之輻射。
- 一種光電組件，其特徵為具有如請求項1至16中任一項之半導體晶片(1)。
- 如請求項17之光電組件，其中半導體晶片(1)由轉換元件(12)包圍著，該轉換元件(12)將該第一波長範圍的輻射轉換成至少另一波長範圍的輻射，該光學活性層(11)可使該第一波長範圍之未轉換的輻射之至少一部份透過且使該至少另一波長範圍之轉換後的輻射反射。
- 一種用於塗佈輻射發射式半導體晶片(1)的方法，具有以下步驟：在箔(16)上製備複數個半導體晶片(1)，其中該半導體晶片(1)之輻射發出面(5)鄰接於該箔(16)且該半導體晶片(1)之與該輻射發出面(5)相對之後側的主面可自由地被接近，以及 該等半導體晶片(1)相隔開地配置在該箔(16)上，使二個直接相鄰的半導體晶片(1)之側面(9)之間的區域可自由地被接近，在該半導體晶片(1)上沉積光學活性層(11)。
- 如請求項19的方法，其中該光學活性層(11)係在室溫中沉積而成。
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