TWI322519B - Light emitting diode with ito layer and method for fabricating the same - Google Patents

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1322519 23017pif.doc 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種具有透明1το層作為電極層之發光二 極體以及一種製造發光二極體之方法，且更特定言之關於 一種歸因於電流擴散至ITO層之效率增加而具有增強之亮 度及發光效能的發光二極體’以及一種製造發光二極體之 方法。 【先前技術】 發光二極體為具有其中N型半導體與p型半導體接合 在一起之結構的光電轉換裝置（photoelectric coirvei*siori device)，且經由電子與電洞之再結合而發光。如一實例， 已知基於GaN之發光二極體為此種發光二極體。基於GaN 之發光二極體包含各具有N型半導體層、主動層（或發光 層）及P型半導體層（其由基於G aN之材料製成且依^形 成於由藍寶石、矽或其類似物製成之基板上）之發光單元 (light emitting cell)。 大體而言，以自p型半導體層至N型半導體声勃杆 ，程以允許_半導體層之部分暴露在外的“組= 光單元，且在P型半導體層及暴露在外之N型半導體層的 頂面上形成用於電流應用之電極結構或電接觸結構。曰 道触^言之’由於發光所經由之發絲域形成於P型半 ^層之了!部上，因此需要透明電極層（經由該透明電極 阻止）。已使用具有卓越之電學特性的Ni/Au 曰作為此透明電極層。然而，由於说心層雖然具有卓越 5 1322519 23017pif.doc 電學特性但對於可見光卻具有極低透射率’因此存在發光 二極體之發光效率降低的問題。

因此，已建議一技術，其_使用具有應用至其.以用於 形成歐姆接觸（ohmic contact)之随道結構的ΙΤΌ (Indium Tin Oxide ;氧化銦錫）層來替代Ni/Au層而作為p型半導 體層上之透明電極層《存在優勢在於：ιτο層對可見光具 有90%或90%以上之良好透射率。然而，已要求進一步改 良在於：ITO層與現有Ni/All層相比具有低電學特性。特 定言之，在此技術中已針對增強IT0層與諸如接觸襯墊 (contactpad)或線路（Wiring) 一端之接觸連接部分之間 的電流特性進行了許多研究。 【發明内容】 [技術問題] 抑树㈣光二極射，輕人考慮對形成於每 =之發絲面上之透明電極層的光透射率及電流特= 改良。因此，本發明建議-輕光二極體，其 卓越光透射率之IT〇層作為透明電極層，但認為是^ 之問題的電流特性得以增強。 ’、、、 層 因此，本發明之-目標在於提供一種歸因於 冗度及發光效能的發光二極 之方法 的致率增加而具有顯著稽= ，以及一種製造發光二極體 [技術解決方法] 根據本發明之態樣，提供—種製造發光二極體之方 1322519 23017pif.doc 主㈣5 成有包括在基板上之N型半導體層、 ^層从純層縣少—發林元 發光二 極體之方法包含以下步驟.r 、 體層之頂面上之ΙΤ〇^具有形成於P型半導 餉刿i ττη β + 9的少一發光單元；（b)經由乾式 ^在m>層中形成用於線路連接 ΓΓ=以）.叫㈣髓叙_連接部分來埴 充接觸槽以用於線路連接。 /、 來(b)包含藉由使惰性氣體碰撞ΙΤ0層 末钱刻m)層之部分的乾式钱刻製程，經由 型半導體層之表面暴露在外I# 麻 體層之表面上形成電c體碰撞之?型半導 士改口 +…1u且擋層（咖咖blocking layer )。 本發明之方法可在步驟⑷之前更 _ 露N型半導體層之部分作為 '广恭 形成N型接觸缝。 觸㈣且接著在接觸區域上 部圓周表面接觸且上部與接^外狀 ，少=單元可為彼此隔開之多個發光單元，且牛 驟⑷可更包έ以下步驟：暴露發光單^之每 ς =半導體層之部分作為形成Ν型接觸襯墊所在之接觸區 較佳地’㈣㈦更包含町频：經 沈積方法形成㈣電材料層製成之祕以祕相鄰ί = 7 23017pif.doc ，之間?電連接’且接觸連接部分 f。，物包含以下步驟:形 在步驟（a)中形成於基板上的發光單元. 由之部分，且同時开，透已緣層以暴露連接線路所經 且1 j訏形成ITO層之接觸槽。 更佳地’步驟（C)包含以下步驟：（cl)經由雷鉼 氣^沈積方法形成導電材料層以完全覆蓋具有形成於复1 二==光單元及基板;以W刻並移除 ¥電材之除自發光單元之接觸無伸至相鄰發光單元 之N型接觸襯塾以外的部分，而使導電材料層之另八 充當線路。 ° 77 根據本發明之另一態樣，提供一種具有ΙΤΟ層之發光 二極體’ S包含：基板；至少一發光單元，其在基板上依 序形成有Ν型半導體層、主動層及ρ型半導體層，且包括 形成於？型半導體層之頂面上之ΙΤΟ層；接觸槽，其形成 於ΙΤΟ層中以用於線路連接；以及接觸連接部分，其填入 線路一端處之接觸槽中。 [有利效應] 根據一結構，其中接觸連接部分（亦即，線路一端或 線路一端處之Ρ型接觸襯墊）接觸形成於ΙΤΟ層中之接觸 槽的内部圓周表面，可使電流擴散至Ρ型半導體層上之 ΙΤΟ層的效率得以增強而不減小ΙΤ〇層之發光面積。因 此’可實施具有顯著改良之亮度及發光效能的發光二極體。 在根據本發明之實施例包括Ρ型接觸襯墊作為接觸連 1322519 23017pif.doc 接部分的發光二鋪巾，p盤觸娜可啊 之頂面以及ITO層之内L 增 結㈣_0躲31此，進—步增加汀0 雜1的麵面毅得可料電流擴散至 _舉例而言，在類似於藉由AC電源來操作之Ac 本:明之另一實施例之包括多個發光單‘的 1光一極體中，線路可包含經由電鍍或氣相沈 之導電材料層以使得可防止線路斷接等。此時，、由於由 電材料層之部分形成的接觸連接部分與Ιτ〇叙接觸 内部圓周表面接觸，因此可增強電流擴散至ιτ〇 曰、 因：半 U於體層之部分的電流特性改變而 ^層可形成於P型半導體層與接觸連接部分接位=阻 ^ ’電流阻播層可完全阻擋電流直接流入p型半=展 中以有助於增強電流擴散至ITO層的效率。 紅層 :【實施方式】 在下文中，將參看_圖.式詳吨述本 =例。以下實施例僅出於說明性目的被提供以向熟t實 技術者充分傳達本發明之範轉。因此，本發明不限二項 中提出之實施例，而可以不同形式來實施。在中、文 出於方便說明之目的而誇示組件之寬度、長产’可 _似參考數字貫穿說明書及圖式指神似心。子度專。 剑視=為展示根據本發明之第一實施例之發光二極體的 9 1322519 23017pif.doc 根據本發明之第一實施例的發光二極體1為在交流 (AC)條件下操作之AC發光二極體。在Sakai等人的標 題為 “Light-emitting device having light emitting element” 之pct公開案第wo 2004/023568 A1號中已揭露藉由AC 電源操作之習知AC發光二極體。 參看圖1 ’根據此實施例之發光二極體1包含充當基 底之基板100以及多個發光單元200。基板1〇〇可為絕緣 φ 或導電基板。雖然此實施例中使用藍寳石基扳，但是可利 用諸如SiC之另一基板。 此外’可在基板100與發光單元200之間***緩衝層 (bufferlayer) 120，其用於減少發光單元2Q0之下部層與 基板100之間的晶格失配（lattice mismatch)。在基板1〇〇 如同此實施例中為由藍寶石製成之絕緣基板的情形中，緩 衝層120可由導電材料形成。在此情形中，對應於各別發 光單元200之緩衝層120彼此隔開以允許發光單元12〇 ^ 此電隔離。同時，假設基板1〇〇為導電基板，則緩衝層12〇 •由絕緣或半絕緣材料形成以將基板1〇〇與發光單元2〇〇電 隔離。舉例而言’常使用諸如A1N或GaN之氮化物作為 缓衝層120。 … 如上文所述，在基板100上形成多個發光單元2〇〇。 多個發光單元200中之每一者具有其中N型半導體層 220、主動層240以及P型半導體層26〇依序層疊的結構9。 如此圖式中所示，主動層240經由前述臺面形成而限制性 地形成於N型半導體層220之特定區域上，且p型半導體 1322519 23017pif.doc 層260接著形成於主動層24〇上。因此，主動層駕黏处 之項面上的特定區域上，且藉由如： 文^^跡除？型半導體層⑽及主動層物而將層 之頂面之剩餘部分暴露在外。 在本發明之實施例中，分別在發光單元 200中之每一 體層260及Ν型半導體層—上提供用於對 ^光U施加電流之電極結構。特定言之，應仔細考 二Ρ型半㈣層26Q上之電極結構的光透射率及電學特 、ί=率及電學特性之由氧化鋼錫製成的 s 〇作為透明電極層而形成於ρ型半導體居施 =上°在說明書中’將術語“發光單元”定義為 i層So連同N型半導體層細、主動層24〇及？型半導 將在下文中更為詳細地描述發光單元2〇〇中之一 ^ 〇 N ^ 220 ^ ^ N ^ AlxInyGaKx.yN ( 〇<χ , y x+d)形成且包括Ν型鍍層（clad layer) ，半導體層 260 可由 P 型 AlxInyGai_”N (吃，y，) ^成且包括P型鍍層。N型半導體層22〇可摻 P型半導體層260可摻雜有 Zn 或]Vig。 此外，主動層240為電子與電洞再結合所在之區域。 主=包含InGaN。自發光單元發出之光的波長根據構成 其二.240之材料的種類而變化。主動層24〇可為多層膜， 父替开>成量子井層（quantum well)與障壁岸。旦 曰从及障壁層可為表達為通式A1JnyGai+yN Υ， 1322519 23017pif.doc x+ySl )之二元至四元化合物半導體層（binary to quaternary compound semiconductor layers) 〇 此外，由於前述ITO層290對可見光具有90%或90% 以上之高透射率，因此其有助於增強各別發光單元2〇〇及 由此發光二極體1之發光效率。此時，由於IT〇層290為 Ν型，因此無法良好地形成ιτο層290與Ρ型半導體層260 之間的歐姆接觸。然而，若使用用於在汀〇層與ρ型 鲁半導體層260之間形成歐姆接觸的隧道結構，則可良好地 形成在兩層之間的歐姆接觸。雖然未在此圖式中說明隧道 釔構，但其可藉由以德耳塔（Delta)摻雜方法將銦（ιη) 或N型摻雜劑引入p型半導體層26〇與11()層29〇之間而 形成。 如圖I之放大部分中所示，在ΙΊΌ層290之頂面上形 成用於連接線路400之一端的接觸槽294。接觸槽2舛經 由乾式軸情程而以預定深度形成且填充有由導電材料層 =成之線路_的末端。如同自以下描述而更為清楚地理 =接觸槽294可使IT0層290之發光面積的減小最小化 二加ΙΤΟ層290與線路400之間的接觸面積使 由線路擴散至ΙΤ〇層29〇中的效率 路賴G彻嫩—部分（線 此~^層 該部分而彼此電連接），因此在 只軛例中將其定義為“接觸連接部分4〇2”。 种至明之此實施例，接觸槽294自1T〇層290延 土 ¥體層260之表面。此外，舉例而言，接觸槽 12 23017pif.doc 電鍍氣相沈積方法形成之線路400之-端處 =連接部分衛。此外，填人_槽二中= 觸連接心402與經由接觸槽29 圓==且與接觸槽294内的接觸槽》9= ==:此時，線路4〇。僅由完全經由電鍍或 Γ之導電材料層所形成。然而，在以浮 : 兀之工橋線路（air bridSe wiring)形式使用線 =的情形中，填充於接觸槽294中之接觸連接部分搬可 為p型接觸襯墊（或電極襯墊）。 在將線路4GG之接觸連接部分術填人 之接觸槽綱的狀態下，線路400之另一端連接^另一目 t發光單元2⑻之N型半導體層220上的接觸區域。與線 路400直接黏結的N型接觸襯墊瓜形成於接觸區域上。 此外，線路400藉由透明絕緣層410而與發光單元2〇〇 表面電卩南離。透㈣緣層41Q經形成以完全覆蓋包括 V體層220、240及260以及IT0層29〇之發光單元2〇〇 的表面。透明絕緣層410之至少一部分定位於線路與 ，光單元200之間以使線路4〇〇與發光單元2〇〇彼此電产 離。此外，透明絕緣層410分別在線路4〇〇連接至之前= 接觸槽294及Ν型接觸襯墊222上具有開口 412及4〗4 ^ 雖然在此實施射制氧化铺（Si〇2)作為透縣緣層 41〇 ’但本發明不限於此。亦即，透明絕緣層可由任何其 透明絕緣材料形成。 /' 同％，P曳半‘體層260可在接觸槽294之底部周圍 13 1322519 23017pif.doc 更包括電流阻擋層262。電流_層2 之接觸連接部分4〇2接觸的P型半導體在與f路働 令。歸因於在形成前述接觸槽綱之乾式射艮區域 由損壞而引起Ρ型半導體層26G之部分的電間藉 形成電流阻擋層262。此外， 电予锊性改變而 路400之一端與p型半導^二62用以切斷線 可廣泛擴散至IT0層t9t Ϊ 的電流以使得電流 在根據如此組態之本發明之此實施例的發光 ^可增加線路_與ΙΤ〇層罵之間 二ς 者減小肋層之發光面積。特定言之 部分402 (其為線路4〇〇之部分）與IT0 , Z接觸連接 294的肉部fi田走 〆 θ .290之接觸槽 ,$内邛圓周表面接觸，且接觸槽294之内部圓周矣品 為一位置（電流可於該位置容易地擴散至I TO層2 9 oV), 接觸槽294與線路400之連接結構可進一步择加 電▲自線路400擴散至ΠΌ層290中的效率。 曰 ^外’根據本發明之此實施例的AC發光二極體 更以能狗覆蓋線路400及透明絕緣層41〇之絕緣保 4因2:::工護膜4 2 〇防止線路4 〇 〇為濕氣所污染且防止歸 因於外部壓力而損壞。 在下文中，將參看圖2至圖9描述根據本發明之實施 例的製造發光二極體之方法。 貝苑 一苓看圖2，首先在基板100上形成緩衝層120。依序在 緩衝層120上形成N型半導體層22〇、主動層24〇以及p 型半導體層260。可使用‘‘金屬有機化學氣相沈積（metai 14 1322519 23017pif.doc organic chemical vapor deposition, MOCVD ) ”、“ 分子束 磊晶（molecular beam epitaxy, MBE ) ” 、“ 氫化物氣相磊 晶（hydride vapor phase epitaxy，HVPE ) ” 等來形成緩衝層 120以及半導體層220、240及260。此外，可在同一處理 腔室内連續形成半導體層220、240及260。 此時，可由諸如A1N或半絕緣GaN層之絕緣材料膜 來形成緩衝層120。然而在一些情形中，可由例如N型GaN 層或未摻雜GaN層之導電材料膜形成缓衝層。亦即，在基 板100為由監寶石製成之絕緣基板的情形中，可由導電材 料膜形成緩衝層。 茶看圖3，在p型半導體層26〇上形成汀〇層29〇。 在ITO層290形成之前，可執行形成隧道結構（其由厚度 約為5至50之德耳塔推雜層（和此doping layer)製成） 之製程.以於ITO層290與P型半導體層26〇之間形成歐姆 接觸。此外，可在待於下文中描述之臺面形成製程 ITO 層 290。 麥看圖4，經由臺面形成製程而在基板1〇〇上形成多 個發光單元200。此製餘由使用曝光之侧方法而被執 行各具有N型半導體層220、主動層240、P型半導體 層=〇以及ITO層29〇之多個發光單元2〇〇形成於基板1〇〇 上從而彼此關。此外，移除P型半導體層260及主動層 施之部分以形成一區域（亦即，接觸區域），N型半導^ 層220之頂面之部分於此向上暴露在外。

ΐ看圖5在n型半導體層220之接觸區域中形成N 1322519 23017pif.doc 型接觸襯墊.222。接著，在基板loo (發光單元200形成在 該基板100上）上沈積透明絕緣層41〇。透明絕緣層410 覆盍發光單元200之側表面及頂面且覆蓋發光單元2〇〇之 間的整個基板100。因此，前述ITO層290及接觸襯塾222 亦為透明絕緣層410所覆蓋。可（例如）使用化學氣相沈 積（CVD)方法將透明絕緣層41〇形成為氧化矽膜。此時， 較佳在前述臺面形成製程中傾斜發光單元2 〇 〇之側表面以 使得透明絕緣層4】0可甚至容易地覆蓋至發光單元2〇〇之 側表面。 參看圖6，將光阻塗覆至透明絕緣層410上，且藉由 :除=形成用於線路連接之開口所在之部分以外_餘 ^來執仃界定待姓刻之部分的製程。接著，如圖6及圖 中所不’在透·緣層41Q中形成第—開〇 Μ 亍在1㈣290上形成與第-開… Ϊ 的圖案化及乾式賴程。在此實施例 :及IK)層290之部分物理剝離的方式執 具有使接觸槽到達？型半導槽綱 此外，若甚至在已將 朗 ^度。 到達P型半導體；260 90姓刻至使接觸槽294 p,. g(l , ^ θ 之表面的程度後繼續前述#丨

，，則在p型半導體層26 :乾杨J = 述A，碰撞。型半導體層 生的”切體層26。之表面之部分的電學特性= 16 1322519 23017pif.doc 成電流阻擋層262。 接著’如圖8及圖9所示而執行線路連接製程。對於 線路連接’首先經由如圖8所示之電鑛或氣相沈積方法形 成導電材料層400a，該導電材料層4〇〇a在於單元以及單 兀之間的基板上形成透明絕緣層41〇之狀態 : 元細以及發光單元2〇〇之_基板。g 之對應於自發光單元·發光之區域的部分以 dll發光區域，則如圖9所示而形成具有導電材料 層結構之線路400。 穿、尚^線路彻以使其—端（亦即，接觸連接部分402) 穿^明絕緣層41〇之第一開口 412且接著填入加声 觸！ 294中而自—端延伸之另-物 222的方=連接至Ν型半導體層⑽上之ν型接觸襯墊 。與此實施财執行之魏連接製 二开 =ΪΓ除導電材料層之製程而形成具有圖9所 彻。此可藉由先前使用用於形成透明絕 ^光卩场界㈣成祕所在之d域來實施。 及透明以上製程之後’可形成覆蓋線路400以 透明之絕緣保護膜420。形成有位於其上之 月如 =41G的發光二極…在圖1中被充分說明。 中，由於^斤述’在根據本發明之實施例的發光二極體1 部圓周夺一端與ίΤ〇層290之接觸槽294的内 29〇之門因此可顯著擴大線路400與1Τ0層 接觸面積。此外’由於線路柳虫卩型半導體 17 1322519 23017pif.doc 層260接觸’且因此電流阻擋層262阻擋電流在接觸部分 處流入P型半導體層中，因此可更增強電流擴散至ITO層 290中的效率。 下文中’將描述根據本發明之第二實施例的發光二極 體°在為述根據第二實施例之發光二極體時，對執行與第 一貝％例之元件相同之功能的元件使用類似參考數字。因 此，本文中將略去第二實施例中與前述第一實施例重疊的 φ描述以使本發明之主題不必要地混淆。 圖10為說明根據本發明之第二實施例之發光二極體 的剖視圖。 一如圖10中所示’根據此實施例之發光二極體丨包含充 當基底之基板1〇〇以及形成於基板1〇〇上之發光單元 200。類似於先前實施例，發光單元2〇〇具有其中n型 導體層220、主動層240以及p型半導體層26〇依序層疊 ，結構。主_ 240經由前述臺面形成製程而限制性地形 成於N型半導體層22G之特定區域上，且p 形成於絲層24〇上。因此，N財導體層22〇之^ 疋區域黏結至主動層240，而暴露 為 ，型接觸概墊222所在之接觸區域。乂;=^ 導體層260上形成ITO層290。 卜在P型+ 根據第二實施例，在订〇層2 觸襯墊4021以用作連接至線路（丰、上提供P型接 P型接觸她術，_轉轉；；^^=接部分。 分。類似於先前實施例中所描述的形成為魏 18 1322519 23〇]7pi£d〇, = 刀402 C見圖1) ’ p型接觸概塾4〇2i填入ιτ◦層 290之接觸槽292中以允許線路連接至ΙΤΟ層290。 根據此實施例之麟Ρ型接觸概墊及ιτ〇層29〇 結構可最小化ΙΤ〇層綱之發光_的減小且增加 ΙΤ0層290與Ρ型接_塾術之間的接觸面積。詳十之， 連接，構可增強電流自Ρ型接觸她俯擴散至ιτ〇層 290中的效率。為達到此目的，在ΙΤ〇層之頂面上（尤 其在將形成Ρ型接觸襯墊術之地點）形成接觸槽脱。 類似於先前實施例，接觸槽292自ΙΤ〇層29〇 Ρ型半導體層26〇之表面。此外，舉例而言，經由電鐘或 氣相沈積方法將Ρ型接馳墊4Q2,之部分填人接觸槽292 中。此外，填入接觸槽294中之ρ型接觸襯墊4〇2，以 上部與接觸槽292外部之ΙΤΟ層29Q的頂面接觸且其下部 與接觸槽294内部之no層29Q的内部圓周表面接觸 式組態。 因此，根據此實施例之發光二極體可增加ρ型接觸襯 墊4〇2’與ΙΤΟ層29〇之間的接觸面積而不會顯著減小加 層290之發光面積。此外，歸因於結構（其中使ρ型接觸 襯墊402,同時接觸ιτο層29〇之頂面及接觸槽292之内部 圓周表面）而更增強電流擴散至IT〇層29〇的效率。 類似於先前實施例’根據此實施例之JP型半導體岸2 6 〇 亦包括電流阻擋層262。電流阻擋層262形成在ρ型半導 體層260之與前述Ρ型接觸襯墊4〇2,接觸的有限區域中: 如先前實施例中所述’在形成接觸槽292之乾式钱刻製程 19 23017pif.doc 期間知因於P型半導體層2 6 〇之部分的電學特性改變而 成電流阻擋層262。 下文中，將參看_ η至圖16描述製造前述發光二極 體之方法。 蒼看圖1卜緩衝層120形成於基板刚上。 上形成Ν型半導體層22〇、主動層24〇以及^ 260 =^°接者’如圖12所示在前述P型半導體層 260之頂面上形成pp〇層。 雜13至圖15，在1το層29g中形成將填充有p 出娃之接觸槽292。雖然在此實施例中描述首先开〉 1觸：292且接著執行暴露N型半，體層.220之部分的 首弁，心:在執灯室面形成製程後形成接觸槽。 將形成接觸槽二頂面上《界定 自:。層·延伸至?型二==: 292。若繼續前述乾式則製程，則如圖 ^^觸槽 t體Γ6ί)之表面上形成電流阻擋層262。如已於先2 之夺面日士吝L 在雨述&碰撞P型半導静260 性P二/型半導體層260之表面之部分的二4士 性改I：而形成電流p且擔層262。 I刀的电學特 接者’執行提供形成_接觸襯 製程。以部分地餘 Ά的ΉΤ面形成 主動層240的方式^ S 9Q、P型半導體層細以及 地點，使得提供將形成N型接觸襯塾的 + V體層220之部分如圖16所示暴露在 丄丄y 23017pif.doc 外 觀塾222及或氣相沈積方法而形成㈣接觸 接觸襯塾“ΐ::Γ0Γ製程。如圖10所示，㈣ 之了頁面及Ν刑半導i接觸概塾術分別形成於ΙΤΟ層290 擇形成接觸之接觸區域上。可由製造者選 根據本發明之較佳實_此^==本發明。 入接觸槽292中之"ΤΓΜ、 一 ^•接觸襯墊402'包含填 槽292的上部。由$ p。』以及經形成為大於下部以覆蓋接觸 之接觸槽292 搬'之下部與肋層綱 上部與ITO層29Q 觸且P型接觸襯墊402，之 Π %，形成接觸样292夕i ut二、> 電流阻擋層262且述乾式飯刻製程用以形成 内部圓周表面上的移^覆於接觸槽292之 餘物自綱表面移^ ^ λ 4光阻殘 麵刻表_顯地移^ Μ細]_可將絲殘餘物自 <内:=::==留在1Τ〇層29。之_^ 填入綠留央阳Ϊ 物。若接觸襯墊或線路—端 且因㈣卿峨 經由聽㈣乾辆㈣程職之接觸槽盘 …、式儀刻衣程形成之接觸槽進行比較的照片。可見，、 21 230l7pif.doc 如圖18所示，在經由、、晶 殘留大量光阻殘餘物二:如刻製程形成之接觸槽的邊緣處 程形成之接觸槽中幾玉 圖17所示，在經由乾式蝕刻製 [工業適用㈤不殘留光阻殘餘物。 由於根據本發明使 透明電極層，因此知发s '、有良好光透射率之ITO層作為 強，以使得可實“ 1疋1το層之問題的電流特性得以加 體。 4具有改良之亮度及發光效能的發光二極 :【圖式簡單說明】 圖1為展示根撼太八 剖視圖。 本每月之第一實施例之發光二極體的 法的:視圖圖為明製造圖1中所示之發光二極體之方 的剖Ξ圖。為明根據本發明之第二實施例之發光二極體 圖11至圖16為却日日舍j 方法的剖視圖。續造圖1G帽私糾二極體之 圖17及圖18公知丨* p _ 式_形成之接觸心：示根據本發明之實施例經由乾 成之接觸槽的真實^及作為比較實例之經由溪式侧形 【主要元件符號說明】 100 120 200 基板 缓衝層 發光單元 22 1322519 23017pif.doc 220 : N型半導體層 222 : N型接觸襯墊 240 :主動層 .260 : P型半導體層 262 :電流阻擋層 290 : ITO 層 292 :接觸槽 .294 :接觸槽 400 :線路 400a:導電材料層 402 :接觸連接部分 402' : P型接觸襯墊 410 :透明絕緣層 412 :第一開口 414 :第二開口 420 :絕緣保護膜 511 :光阻 23

Claims (1)

1. 23017pif.doc 十、申請專利範園·· 有包在，麟發光二極體形成 層的至少-發光單开動層以及？型半導體 f、 ，所述方法包含.以下步驟： ITO層的至p型半導體層之頂面上之 接之接觸彳t 仏刻在所述1το層中形成用於線路連 觸槽成之接觸連接部分來填充所述接 法，1賴述之製造發光二極體之方 _ 刻所 iIT0 層 ITQI 製程，％、+· D ,、u α °卩刀的乾式蝕刻製程，藉由所述蝕刻 體碰撞之：沭V導體層之表面暴露在外且在所述惰性氣 層。 处型半導體層之所述表面上形成電流阻擋 法，ϋ專利乾圍第1項所述之製造發光二極體之方 半導體厚二、e)之較包含以下步驟：暴露所述Ν型 成接氧域且接著在所述接觸區域上形 法，：專利範圍第1項所述之製造發光二極體之方 部分a τ>二驟“）中填入所述接觸槽中之所述接觸連接 觸_内/接觸襯墊’所型接觸齡之下部與所述接 π内部之所述IT〇層的内部圓周表面接觸且上部與所述 24 1022^19 23017pif.doc 接觸槽外之所述17〇層的頂面接觸。 、5.如申請專利範圍第1項所述之製造發光二極體之方 法，其中所述至少一發光單元為彼此隔開之多個發光單 且步驟（a)更包含.以下步驟：暴露所述發光單元中之 母者的所述N型半導體層之部分作為开多成N型接觸概塾 所在之接觸區域。 6.如申請專利範圍第5項所述之製造發光二極體之方 =其中步驟（e)更包含以下步驟：經由麵或氣相沈積 /形成由導電材料層製成之線路以用於相鄰發光單元之 間的電連接，且所述制雜部分由所述導電材料層之部 分形成。 曰° 、7·如申請專利範圍第6項所述之製造發光二極體之方 法，其中步驟（b)包含以下步驟： /、（b-Ι)形成透明絕緣層，其完全覆蓋在步驟中 形成於所述基板上的所述發光單元；以及 (b_2 )圖案化並飯刻所述透明絕緣層以暴露連接所述 線路所經由之部分，且同時形成所述IT〇層之所述接觸槽。 、8.如申請專利範圍第7項所述之製造發光二 法’其中步驟（c)包含以下步驟： jcl)經由電艘或氣相沈積方法形成導電材料屏、〜 全覆盖具有形成於其上之所述透明絕緣層的所.^ 及所述基板；以及 X尤早元 一 （e2)蝕刻並移除所述導電材料層之除自所述 7L之所述接觸槽延伸至所述相鄰發光單元之所述 25 丄丄y 23017pif.doc =外的部分’而使所述導電材料層之另-部分充當所 9.一種具有ITO層之發光二極體，包含： 基板； 導辦ΐ少Γίίί元’其在所述基板上依序形成有n型半 ;體=層二 鲁及接觸槽’其形成於所述IT0層中以用於線路連接；以 分’其填人線路—端紅所述接觸槽中。 搞姊=範圍第9項所述之具有ITO層之發光二 ::所述==成:延伸至所述-半_ 述接觸槽之底部表面處與之接觸的位置 處匕括電^特性改變的電流阻擋層。 二極體2二f、^、31第1G項所述之具有ΙΤ0層之發光 惰性氣體的Η述電流阻擔層是藉由在所述ΙΤ0層之使用 層而形成。、“钱刻製程中使所述惰性氣體碰撞所述ΙΤ0 極體範圍第9項所述之具有ιτ〇層之發光二 接觸襯塾之二sr: tP型接觸襯墊’所述ρ型 周表面接觸且上部:=二之所述IT0層的内部圓 接觸。 ”所述接觸槽外部之所述ιτο層的頂面 26 23017pif.doc 極體圍第9項所述之具有IW層之發光二 元，且N、型接二塾^^ 間隔之多個發光單 接所述接觸槽與所述N型連接襯塾 之用於相鄰發“成 接觸由真所述導電材料層之部分形成 二極體，更包含形成於㈣發光=^有+、=層之發光 間以使所述導電材料層與所電材料層之 明絕緣層。 疋表面電絕緣的透

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