KR101393353B1 - 발광다이오드 - Google Patents

발광다이오드 Download PDF

Info

Publication number
KR101393353B1
KR101393353B1 KR1020070108686A KR20070108686A KR101393353B1 KR 101393353 B1 KR101393353 B1 KR 101393353B1 KR 1020070108686 A KR1020070108686 A KR 1020070108686A KR 20070108686 A KR20070108686 A KR 20070108686A KR 101393353 B1 KR101393353 B1 KR 101393353B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
emitting diode
light emitting
type semiconductor
transparent electrode
Prior art date
Application number
KR1020070108686A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090043057A (ko
Inventor
김화목
김대원
갈대성
Original Assignee
서울바이오시스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=40581658&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR101393353(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 서울바이오시스 주식회사 filed Critical 서울바이오시스 주식회사
Priority to KR1020070108686A priority Critical patent/KR101393353B1/ko
Priority to JP2008196779A priority patent/JP5259292B2/ja
Priority to US12/203,762 priority patent/US7863599B2/en
Publication of KR20090043057A publication Critical patent/KR20090043057A/ko
Priority to US12/942,635 priority patent/US7982207B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101393353B1 publication Critical patent/KR101393353B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H01L33/465—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector with a resonant cavity structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H01L33/105—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector with a resonant cavity structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 투명전극층을 포함하는 발광다이오드가 개시된다. 개시된 발광다이오드는, p형 반도체층과 상기 투명전극층 사이에 개재되는 터널층과, 상기 터널층을 상측으로 노출시키도록 상기 투명전극층에 형성된 개구부와, 상기 개구부 내에 형성되는 DBR(Distributed Bragg Reflector)과, 상기 개구부 내의 DBR을 덮도록 상기 투명전극층 상에 형성되는 전극패드를 포함한다.
DBR, 터널층, 발광다이오드, 투명전극층, n형, p형, 반도체층, 활성층

Description

발광다이오드{LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 발광다이오드, 특히, 질화갈륨계 발광다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 전극패드 부근의 개선을 통해, 전류 확산 효율과 광의 추출 효율을 보다 향상시킨 발광다이오드에 관한 것이다.
발광다이오드는 전류 인가에 의한 P-N 반도체 접합(P-N junction)에 의해 전자와 정공이 만나 빛을 발하는 광전변환소자이다. 일 예로, 기판 위에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 차례대로 형성된 GaN계열의 발광다이오드가 공지되어 있다. p형 반도체층 상에는 투명전극층이 형성되고, 그 투명전극층 위로 p형의 전극패드가 형성된다. 또한, 활성층 및 그 위의 p형 반도체층 일부가 제거되어, n형 반도체층 일부가 상측으로 노출될 수 있는데, 이 경우, 노출된 n형 반도체층의 상부 영역에는 n형의 전극패드가 형성된다.
위와 같은 발광다이오드에 있어서, 투명전극층은, 그 위에 형성되는 전극패드와 함께 전극으로서의 기능을 하는 부분임과 동시에 광의 방출이 주로 이루어지는 부분이다. 따라서, 투명전극층은 우수한 전기적 특성과 광 방출을 저해하지 않는 특성이 요구된다. 투명전극층으로, Ni/Au 층과 ITO(인듐 주석 산화물)층이 공지 되어 있는데, Ni/Au층은 우수한 전기적 특성을 갖는 반면 가시광선에 대한 투과성이 낮다는 단점이 있다. 또한, ITO층은 가시광선의 투과율이 90% 이상으로 광의 투과성의 우수하다는 장점을 갖지만 전기적인 특성이 떨어지는 문제점이 있다.
종래의 발광다이오드의 한 예로, 투명전극층(특히, ITO층) 일부를 식각하여 개구부를 형성하고, 그 개구부를 통해, p형의 전극패드가 p형 반도체층과 접촉되도록 한 것이 있다. 이와 같은 종래의 발광다이오드는, 오믹콘택(ohmic contact)을 위해, 고농도의 p형 불순물이 도핑된 p형 터널층(p++)을 p형 반도체층 상에 형성하며, 따라서, p형 전극패드는 p형 터널층과 접촉한다.
전술한 종래의 발광다이오드는, p형 전극패드 바로 아래쪽으로 전류의 흐름이 편중되어 투명전극층 상에서 전류가 넓게 확산되지 못하는 문제점이 있다. 이는, p형 전극패드와 p형 터널층이 직접 접촉되는 구조에 기인하며, 활성층에서의 전자와 정공의 재결합율을 감소시켜 발광효율을 저해하는 원인이 될 수 있다. 또한, 종래의 발광다이오드는, p형 전극 패드에 의한 광의 흡수 및 그에 의한 광 손실이 많다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 기술적 과제는, p형 전극패드 아래에, 광의 흡수 및 그에 의한 광 손실을 줄일 수 있고, 자신의 주변으로 광을 확산시킬 수 있는 DBR(Distributed Bragg Reflector)을 구비한 발광다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따라, n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 투명전극층을 포함하는 발광다이오드가 제공된다. 상기 발광다이오드는, 상기 p형 반도체층과 상기 투명전극층 사이에 개재되는 터널층과, 상기 터널층 또는 그 아래의 p형 반도체층을 상측으로 노출시키도록 상기 투명전극층에 형성된 개구부와, 상기 개구부 내에 형성되는 DBR과, 상기 개구부 내의 DBR을 덮도록 상기 투명전극층 상에 형성되는 전극패드를 포함한다. 이때, 상기 발광다이오드는 질화갈륨계인 것이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 전극패드의 측면부는 상기 투명전극층의 상기 개구부 내측면과 접하고, 상기 전극패드의 바닥부는 상기 DBR과 접한다.
바람직하게는, 상기 터널층은 n형 불순물이 고농도로 도핑된 n형 터널층(n++)이다.
바람직하게는, 상기 투명전극층은 ITO층이다.
바람직하게는, 상기 발광다이오드는, 상기 활성층의 하단면에 형성되는 하부 DBR을 더 포함한다.
본 발명에 따르면, DBR이 전극패드로 향하는 광을 높은 반사 효율로 반사시킴으로써, 전극패드의 광 흡수에 의한 광 손실을 최소화하며, 이에 의해, 광의 추출 효율을 높이는 효과가 있다. 또한, 본 발명은, 전극패드로부터 p형 반도체층 또는 그 위의 터널층으로 전류가 직접 흐르는 것을 차단하여, 투명전극층에서의 전류 확산 효율을 높이고, 이에 의해, 발광다이오드의 발광효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예예 따른 DBR의 구조를 확대 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예의 발광다이오드(1)는, 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 형성되는 n형 반도체층(220), 활성층(240) 및 p형 반도체층(260)을 포함한다. 상기 활성층(240)은 상기 n형 반도체층(220)과 상기 p형 반도체층(260) 사이에 개재되며, 상기 p형 반도체층(260)의 상면에는 투명전극층(320)이 형성된다. 또한, 상기 활성층(240)과 상기 p형 반도체층(260)의 일부가 제거되어, 상기 n형 반도체층(220)의 일부가 상측으로 노출될 수 있다. 상기 투명전극층(320)의 상면에는 p형 전극패드(340)가 형성되고, 상기 n형 반도체층(220)의 상면에는 n형 전극패드(440)가 형성될 수 있다.
기판(100)은 사파이어(Al2O3) 기판이거나 사파이어 기판에 비해 열전도성이 큰 SiC 기판일 수 있다. 상기 기판(100) 상에는 상기 n형 반도체층(200)과의 사이에 격자 부정합을 완화하기 위한 버퍼층(210)이 형성될 수 있다. 상기 기판(100) 상에 형성되는 반도체층들은 GaN계열인 것이 바람직하며, 상기 버퍼층(210)은 AlN, GaN일 수 있다.
상기 활성층(240)은 상기 n형 반도체층(220)의 일부 영역 위에 한정적으로 형성되며, 상기 활성층(240) 위로는 p형 반도체층(260)이 형성된다. 따라서, 상기 n형 반도체층(220)의 상면 일부 영역은 활성층(240)과 접해있고, 상면의 나머지 일부 영역은 전술한 p형 반도체층(260) 및 활성층(240)의 부분적인 제거에 의해 상측으로 노출된다. 상기 p형 반도체층(260) 상측의 투명전극층(320)으로는, 가시광선의 투과율이 좋은 인디움-주석 산화물로 이루어진 ITO 투명전극층이 이용된다.
상기 n형 반도체층(220)은 n형의 AlxInyGa1-x-yN(0≤x,y,x+y≤1)으로 형성될 수 있으며, N형 클래드층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 p형 반도체층(260)은 p형 AlxInyGa1-x-yN(0≤x,y,x+y≤1)으로 형성될 수 있으며, p형 클래드층을 포함할 수 있다. 상기 n형 반도체층(220)은 실리콘(Si)을 도우핑하여 형성할 수 있으며, p형 반도체층(260)은 아연(Zn) 또는 마그네슘(Mg)을 도우핑하여 형성할 수 있다.
또한, 활성층(240)은 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, InGaN을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 활성층(240)을 이루는 물질의 종류에 따라 추출되는 광의 파장이 결정된다. 상기 활성층(240)은 양자우물층과 장벽층이 반복적으로 형성된 다층막일 수 있다. 상기 장벽층과 우물층은 일반식 AlxInyGa1-x-yN(0≤x,y,x+y≤ 1)으로 표현되는 2원 내지 4원 화합물 반도체층들일 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라, ITO 투명전극층(320)과 그 아래의 p 반도체층(260) 사이에는 터널층(310)이 형성된다. 상기 터널층(310)은 ITO 투명전극층(320)과 p형 반도체층(260) 사이에 오믹콘택이 형성되도록 해준다. 이때, 터널층(310)은 n형 불순물이 고동도로 도핑된 n++ 터널층으로 이루어진다. 본 발명의 실시예에서는, 상기 터널층(310)의 물질로서, n++ In1-xAl1-yGa1-zN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1)을 이용한다.
또한, 상기 ITO 투명전극층(320)에는 상기 터널층(310) 일부를 상측으로 노출시키는 개구부(342)가 형성된다. 상기 개구부(342)는 상기 ITO 투명전극층(320)의 일부분을 식각하는 것에 의해 형성된다. 상기 식각을 위해서, 개구부(342)가 형성될 자리를 제외한 나머지 투명전극층(320)을 예를 들면, PR(photoresist) 등의 마스크 재료로 가린 후 , 그 개구부(342)에 상응하는 부분을 제거하는 식각 공정이 수행되며, 그 식각 공정은 습식 또는 건식 식각일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 상기 개구부(342)가 상기 터널층(310) 일부를 노출시키지만, 상기 식각에 의한 상기 개구부(342)에 형성에 의해, 상기 터널층(310) 아래의 p형 반도체층(260)이 상기 개구부(342)에 의해 상측으로 노출되는 것도 고려될 수 있을 것이다.
또한, 상기 개구부(342) 내에는 DBR(Distributed Bragg Reflector; 330)이 소정의 높이로 형성된다. 상기 DBR(330)은 상기 터널층(310)의 상면에서 상기 개구 부(342)를 소정 높이로 채우면서 형성된 것이다. 상기 DBR(330)은 그 바닥면이 상기 터널층(310) 상면에 접하고, 그 상면은 ITO 투명전극층(320) 상에 형성된 p형 전극패드(340)와 접한다. 상기 전극패드(340)는, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 등의 금속재질 또는 탄소나노튜브가 이용될 수 있다.
위와 같은 전극패드(340)는, 상기 개구부(342) 내부에서, 자신의 바닥면이 상기 DBR(330)의 상면과 접하고, 상기 개구부(342)의 내측면에서는 상기 ITO 투명전극층(320)과 접한다. 더 나아가, 상기 전극패드(340)는 상기 개구부(342)의 외부에서도 상기 ITO 투명전극층(320)과 접해 있다.
상기 DBR(330)은, 상기 전극패드(340)와 상기 터널층(310) 사이에서, 그 전극패드(340)로부터 터널층(310)으로 직접 전류가 흐르는 것을 차단하여, ITO 투명전극층(320)에서 넓은 전류 확산을 가능하게 한다. 또한, 상기 DBR(330)은, 전극패드(340)를 이루는 금속보다 광 반사율이 훨씬 큰 구조를 가져, 전극패드(340)에 의한 광 흡수 및 그에 의한 광의 손실을 최소화시킨다. 전극패드(340) 아래쪽에 전류 확산 기능을 부여한 발광다이오드는 본 출원인에 의해 등록된 특허등록 제10-0721515호에 개시되어 있으며, 이 문헌은 참조로써 본 명세서의 일부로 병합된다.
λ가 광의 파장이고 n이 매질의 굴절율이고, m을 홀수라 할 때, 상기 DBR(330)은, mλ/4n의 두께로 교대로 적층하여 특정 파장대(λ)의 광에서 95% 이상의 반사율을 얻을 수 있는 반도체 적층 구조로 이루어진다. 상기 DBR(330)은 발진 파장보다 밴드갭 에너지가 커서 광의 흡수가 잘 일어나지 않으며, DBR(330)의 층 들(즉, 매질들) 사이의 굴절율을 크게 하는 것에 의해 반사율을 보다 크게 할 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 DBR(330)은 저굴절율층(330a)과 고굴절율층(330b)의 적층구조가 연속적으로 반복 적층된 구조로 이루어진다. 이때, 상기 저굴절율층(330a)과 고굴절율층(330b)은 기준 파장의 λ/4 두께를 갖는다. 상기 저굴절율층(330a)과 상기 고굴절율층(330b)의 물질로는 여러 가지가 고려될 수 있지만, 바람직하게는, 저굴절율층(330a)으로, 굴절율 1.4의 SiO2 또는 굴절율 1.6의 Al2O3가 이용되고, 고굴절율층(330b)으로, 굴절율 2 이상의 Si3N4 또는 TiO2를 이용하거나 굴절율 3 이상의 Si-H가 이용된다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드를 도시한 도면이다. 도 3을 참조하면, 본 실시예의 발광다이오드(1)는, 개구부(342) 내에서 전극패드(340)와 터널층(310) 사이에 형성된 DBR(330; 이하 "상부 DBR"이라 함)을 포함하는 한편, 활성층(240)의 하단면에 형성된 DBR(230; 이하 "하부 DBR"이라 함)을 더 포함한다. 상기 하부 DBR(230)의 구조는, 도 2를 참조로 하여 설명된 상부 DBR(330)의 구조와 같거나 거의 유사하므로, 그 구체적인 구조에 대해서는 설명을 생략한다.
도 3에 도시된 발광다이오드(1)에 있어서, 활성층(240)으로부터 발생한 화살표 A로 표시된 광과, 상부 DBR(330)에 의해 반사된 화살표 B로 표시된 광이 상기 하부 DBR(230)에 의해 반사되어 상측으로 향한다. 이때, 하부 DBR(230)은, 자신의 높은 반사율에 의해 발광다이오드의 광 추출 효율을 높여주며, 또한, 광이 기판 아래쪽의 반사물질에 의해 반사되던 기존 발광다이오드에 비해, 발광다이오드 내에서 광의 이동 거리를 줄일 수 있고, 이에 의해서도, 발광다이오드이드의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드(1)를 도시한 도면으로서, 투명전극층(320)에 개구부(342)가 형성되고, 상기 개구부(342) 내에 전극패드(340)가 형성되되, 상기 전극패드(340)의 바닥면은 p형 반도체층(260) 상에 형성된 채 전극패드(340)와 오믹콘택이 가능한 층(330')와 접해 있다. 상기 층(330')은 n형 불순물이 고농도로 도핑된 n++층이거나, 언도프트(undoped) InGaN일 수 있다. 이때, 앞선 실시예들에서 개구부(342) 내에 위치하는 것으로 설명된 DBR은 생략될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드를 도시한 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 발광다이오드의 DBR 구조를 설명하기 위한 확대 단면도.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드를 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드를 도시한 단면도.

Claims (8)

  1. n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 투명전극층을 포함하는 발광다이오드로서,
    상기 p형 반도체층과 상기 투명전극층 사이에 개재되는 터널층;
    상기 터널층 또는 그 터널층 아래의 상기 p형 반도체층을 상측으로 노출시키도록 상기 투명전극층에 형성된 개구부;
    상기 개구부 내에 형성되는 DBR(Distributed Bragg Reflector); 및
    상기 개구부 내의 DBR을 덮도록 상기 투명전극층 상에 형성되는 전극패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 전극패드의 측면부는 상기 투명전극층의 상기 개구부 내측면과 접하고, 상기 전극패드의 바닥부는 상기 DBR과 접하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 터널층은 n형 불순물이 고농도로 도핑된 n형 터널층(n++)인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 투명전극층은 ITO층인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 활성층의 하단면에 형성되는 하부 DBR을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 발광다이오드는 질화갈륨계인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 DBR은 저굴절률층 및 고굴절률층이 반복된 적층구조를 가지는 발광 다이오드.
  8. 제1 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층 및 투명전극층을 포함하는 발광다이오드로서,
    상기 투명전극층에 형성된 개구부;
    상기 개구부 내에 일부가 채워지도록 형성되는 전극패드; 및
    상기 p형 반도체층 상에 형성되고, 상기 개구부 내에서 상기 전극패드와 접촉하는 n형 불순물을 포함하는 제2 n형 반도체층 또는 언도프트 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
KR1020070108686A 2007-10-29 2007-10-29 발광다이오드 KR101393353B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070108686A KR101393353B1 (ko) 2007-10-29 2007-10-29 발광다이오드
JP2008196779A JP5259292B2 (ja) 2007-10-29 2008-07-30 発光ダイオード
US12/203,762 US7863599B2 (en) 2007-10-29 2008-09-03 Light emitting diode
US12/942,635 US7982207B2 (en) 2007-10-29 2010-11-09 Light emitting diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070108686A KR101393353B1 (ko) 2007-10-29 2007-10-29 발광다이오드

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100052445A Division KR101165253B1 (ko) 2010-06-03 2010-06-03 발광다이오드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090043057A KR20090043057A (ko) 2009-05-06
KR101393353B1 true KR101393353B1 (ko) 2014-05-13

Family

ID=40581658

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070108686A KR101393353B1 (ko) 2007-10-29 2007-10-29 발광다이오드

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7863599B2 (ko)
JP (1) JP5259292B2 (ko)
KR (1) KR101393353B1 (ko)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101393353B1 (ko) * 2007-10-29 2014-05-13 서울바이오시스 주식회사 발광다이오드
US8115222B2 (en) * 2008-01-16 2012-02-14 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and fabrication method for the semiconductor light emitting device
JPWO2010100942A1 (ja) * 2009-03-05 2012-09-06 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
JP2011066047A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子
KR101039886B1 (ko) * 2009-10-21 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US8963178B2 (en) 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
KR101654340B1 (ko) * 2009-12-28 2016-09-06 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드
JP5106558B2 (ja) * 2010-03-09 2012-12-26 株式会社東芝 発光素子およびその製造方法
KR101081135B1 (ko) 2010-03-15 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101163861B1 (ko) 2010-03-22 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 전극 구조 및 발광 소자 패키지
KR101666442B1 (ko) * 2010-03-25 2016-10-17 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR101054984B1 (ko) 2010-03-26 2011-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101047792B1 (ko) * 2010-04-23 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101039948B1 (ko) * 2010-04-23 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
WO2011145794A1 (ko) * 2010-05-18 2011-11-24 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법
KR20120003775A (ko) 2010-07-05 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템
JP2012028381A (ja) * 2010-07-20 2012-02-09 Sharp Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP2012028749A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Seoul Opto Devices Co Ltd 発光ダイオード
CN103053036B (zh) * 2010-07-28 2015-11-25 首尔伟傲世有限公司 具有分布式布拉格反射器的发光二极管
KR101259482B1 (ko) * 2010-09-24 2013-05-06 서울옵토디바이스주식회사 고효율 발광다이오드
JP2012124321A (ja) * 2010-12-08 2012-06-28 Showa Denko Kk 半導体発光素子、ランプおよび半導体発光素子の製造方法
KR20120084104A (ko) * 2011-01-19 2012-07-27 엘지전자 주식회사 태양전지
TWI529963B (zh) * 2011-07-25 2016-04-11 廣鎵光電股份有限公司 發光元件結構
CN102903800B (zh) * 2011-07-28 2015-01-14 上海博恩世通光电股份有限公司 N型导电导热超晶格dbr垂直式蓝光led芯片及其制作方法
CN102903801B (zh) * 2011-07-28 2015-06-10 上海博恩世通光电股份有限公司 具有粘附性电流阻挡层的led芯片及其制作方法
CN102903802B (zh) * 2011-07-28 2015-09-16 上海博恩世通光电股份有限公司 具有dbr型电流阻挡层的led芯片及其制作方法
KR101872735B1 (ko) * 2011-11-15 2018-08-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN103249250A (zh) * 2012-02-08 2013-08-14 欧司朗股份有限公司 电路板及其制造方法和包括该电路板的照明装置
CN103325905B (zh) * 2012-03-20 2016-01-06 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种具有电流阻挡结构的GaN基发光二极管芯片及其制作方法
CN102646772A (zh) * 2012-05-11 2012-08-22 东南大学 一种具有背镀结构的发光二极管
CN102709420B (zh) * 2012-06-21 2014-07-30 安徽三安光电有限公司 一种氮化镓基发光二极管
CN102709421B (zh) * 2012-06-21 2014-11-05 安徽三安光电有限公司 一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管
CN102810609B (zh) * 2012-08-16 2015-01-21 厦门市三安光电科技有限公司 一种紫外半导体发光器件及其制造方法
TWI610416B (zh) * 2013-02-15 2018-01-01 首爾偉傲世有限公司 抗靜電放電的ｌｅｄ晶片以及包含該ｌｅｄ晶片的ｌｅｄ封裝
US20140231852A1 (en) 2013-02-15 2014-08-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Led chip resistant to electrostatic discharge and led package including the same
KR20140116574A (ko) 2013-03-25 2014-10-06 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 발광소자 및 이의 제조방법
KR101590585B1 (ko) * 2013-09-02 2016-02-01 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 칩 및 그것을 제조하는 방법
CN103700742B (zh) * 2013-12-18 2016-09-07 同辉电子科技股份有限公司 具有高反射率电极的发光二极管及其制作方法
TWI633678B (zh) 2014-01-27 2018-08-21 Glo公司 具有布拉格反射器之ｌｅｄ裝置及單分ｌｅｄ晶圓基板為具有該裝置之晶粒之方法
CN104091874B (zh) * 2014-07-01 2017-01-18 天津三安光电有限公司 发光二极管
JP6269362B2 (ja) * 2014-07-15 2018-01-31 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子とその製造方法
US11543083B2 (en) 2014-09-28 2023-01-03 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11421827B2 (en) 2015-06-19 2022-08-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11073248B2 (en) 2014-09-28 2021-07-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
US11997768B2 (en) 2014-09-28 2024-05-28 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11525547B2 (en) 2014-09-28 2022-12-13 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11085591B2 (en) 2014-09-28 2021-08-10 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11686436B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and light bulb using LED filament
JP2016100510A (ja) * 2014-11-25 2016-05-30 泰谷光電科技股▲ふん▼有限公司 電流拡散構成を有する発光ダイオード
JP6149878B2 (ja) * 2015-02-13 2017-06-21 日亜化学工業株式会社 発光素子
KR102353850B1 (ko) * 2015-06-30 2022-01-20 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자
KR102476036B1 (ko) * 2016-05-09 2022-12-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자
DE102018108158B4 (de) * 2018-04-06 2023-06-07 Hanwha Q Cells Gmbh Bifazial-Solarzelle, Solarmodul und Herstellungsverfahren für eine Bifazial-Solarzelle
CN109509822B (zh) * 2018-12-25 2023-10-20 河北工业大学 一种具有光散射结构和odr的发光二极管及其制备方法
CN109860349B (zh) * 2019-02-25 2020-08-14 厦门乾照光电股份有限公司 一种led芯片及其制造方法
CN112951967B (zh) * 2021-02-01 2022-10-11 厦门三安光电有限公司 Led芯片及其制作方法以及半导体发光器件及其制作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721515B1 (ko) 2006-01-09 2007-05-23 서울옵토디바이스주식회사 Ⅰｔｏ층을 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223384A (ja) * 2000-02-08 2001-08-17 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2002368273A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
JP2004200303A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Sharp Corp 発光ダイオード
US7109048B2 (en) * 2003-09-30 2006-09-19 Lg Electronics Inc. Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
US7009214B2 (en) * 2003-10-17 2006-03-07 Atomic Energy Council —Institute of Nuclear Energy Research Light-emitting device with a current blocking structure and method for making the same
US7166483B2 (en) * 2004-06-17 2007-01-23 Tekcore Co., Ltd. High brightness light-emitting device and manufacturing process of the light-emitting device
US7279751B2 (en) * 2004-06-21 2007-10-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
KR100576870B1 (ko) * 2004-08-11 2006-05-10 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
JP4371029B2 (ja) * 2004-09-29 2009-11-25 サンケン電気株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP2007005591A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Toshiba Corp 半導体発光素子
KR100721147B1 (ko) * 2005-11-23 2007-05-22 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
JP2007150075A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子
DE112006002927B4 (de) * 2006-01-09 2010-06-02 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Licht emittierende Diode mit ITO-Schicht und Verfahren zur Herstellung einer solchen
JP2007287757A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2008211164A (ja) * 2007-01-29 2008-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体発光装置及びその製造方法
KR101393353B1 (ko) * 2007-10-29 2014-05-13 서울바이오시스 주식회사 발광다이오드

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721515B1 (ko) 2006-01-09 2007-05-23 서울옵토디바이스주식회사 Ⅰｔｏ층을 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090043057A (ko) 2009-05-06
US20090108250A1 (en) 2009-04-30
US20110049472A1 (en) 2011-03-03
JP2009111342A (ja) 2009-05-21
US7863599B2 (en) 2011-01-04
JP5259292B2 (ja) 2013-08-07
US7982207B2 (en) 2011-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101393353B1 (ko) 발광다이오드
JP4644193B2 (ja) 半導体発光素子
JP5494005B2 (ja) 半導体発光素子
JP6780083B1 (ja) 半導体発光素子
JP4875361B2 (ja) ３族窒化物発光素子
JP6117541B2 (ja) 紫外線発光素子
KR20110107665A (ko) 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
CN102742038A (zh) 具有横向构造的带介质镜的发光二极管
KR101300781B1 (ko) 개구부가 형성된 전류 분산층을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지
TW201344957A (zh) 半導體發光元件及覆晶式封裝元件
KR101259482B1 (ko) 고효율 발광다이오드
JP4849866B2 (ja) 照明装置
KR101165253B1 (ko) 발광다이오드
JP2007214569A (ja) フリップチップ型の発光素子
KR100601992B1 (ko) 반사전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자
JP2022153366A (ja) 半導体素子およびこれを含む半導体素子パッケージ
JP5116291B2 (ja) 発光素子及び照明装置
TW201505211A (zh) 發光元件
JP5037037B2 (ja) 窒化物系半導体発光素子
KR102441153B1 (ko) 발광 소자
KR20130067216A (ko) 자외선 발광 소자
KR20120079328A (ko) 상부 핑거 및 하부 핑거를 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지
KR100585918B1 (ko) 질화물계 반도체소자의 전극
KR101223225B1 (ko) 테두리 영역에 형성된 광 추출층을 포함하는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지
KR101156118B1 (ko) 오디알층을 갖는 수직형 엘이디 소자 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170308

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190325

Year of fee payment: 6