TW530184B - Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel - Google Patents

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TW530184B TW087108977A TW87108977A TW530184B TW 530184 B TW530184 B TW 530184B TW 087108977 A TW087108977 A TW 087108977A TW 87108977 A TW87108977 A TW 87108977A TW 530184 B TW530184 B TW 530184B
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Shigenori Katayama
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Description

530184 A7 B7 五、發明説明（） 〔發明之所屬技術領域〕 本發明係有關構成反射型液晶面板之反射電極側基板 構造及，利用其基板而構成之液晶面板’還有關於利用此 液晶面板之電子機器。 〔以往之技術〕 以往作爲適合於投影機用燈泡等用途之超小型高精密 矩陣式放射液晶面板，於石英基板上形成利用聚矽之薄膜 晶體管（TFT)，並且於其上方由形成透明畫素電極來 構成之透過型液晶面板被實用化。而在利用上述T F T之 透過型液晶面板之中，設置在各畫素之T F T領域及構成 爲了驅動T F T之控制電極、源極電極、汲極電極之配線 領域係因無法使光透過之透過領域，所以將會有隨著面板 解像度提昇X G A、S X G A、畫素領域會變小，導致開 口率變小之致命的缺陷。 因此，作爲比較於透過型矩陣式放射液晶面板，而高 開口率化較容易之矩陣或放射液晶面板，提案有將畫素電 極作爲反射電極，再於其下方爲構成晶體管之反射型矩陣 式放射液晶面板。 〔欲解決發明之課題〕 針對以往上述之反射型矩陣式放射液晶面板，維持施 加在反射電極之電壓的維持容量也與晶體管同樣地配置在 與反射電極下方的晶體管配置領域呈平面分離之不同領域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） Γ4Ι (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 it 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 530184 A7 B7 五、發明説明（$ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 。隨之，在以往反射型矩陣式放射液晶面板之中’因在設 置於各畫素之晶體管配置領域無法形成維持容量，所以當 畫素尺寸（畫素領域的大小）變小時，因應此可配置維持 容量之面積也將縮小，而其結果將會有無法確保充份之維 持容量（3 0〜1 〇〇 f F以上，理想則是在5 0〜 1 0 0 f F以上）的缺點。而當無法確保維持容量時，針 對導通晶體管之選擇期間，介由晶體管施加於反射電極之 電壓則暫時被儲存在維持容量，但被儲存之電荷係在之後 的非選擇期間，根據液晶層之電阻成份及晶體管之〇F F 釋放進行放電，而針對維持電壓低下，非選擇期間全體則 無法繼續施加安定之電壓於反射電極。而在一垂直掃描期 間中，對於反射電極無法施加安定之電壓時，則無法充份 地顯示色調，將導致對比度，顯示品質劣化。 圖2 ( A )係針對使用半導體基板之以往的反射型液 晶面板，表示形成在反射電極側基板之畫素部份剖面圖。 圖.2 ( A )係表示針對表示形成在反射電極側基板之畫素 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 領域的一晝素部份平面圖之圖2 ( B )的虛線A — A /之 剖面圖。針對圖2 ( A ) ，2 0 1係半導體基板，2 0 2 係凹陷領域，2 0 3係掃描場酸化膜，2 0 4 a係選通絕 緣膜，2 0 4 b係由構成維持容量而成之誘電體膜的絕緣 膜，2 0 5 a係施加掃描信號控制電極，2 0 5 b係構成 容量電極，與控制電極同一層而成之聚矽或金屬矽化物層 ，2 0 6 a，2 0 6 b係源極領域、汲極領域，2 0 7 a 、207b係源極電極、汲極電極而成之第1導電層， ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） :5_ 530184 A7 _ B7_ 五、發明説明（& (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 13 係如 BPSG ( Boron Phosphorus silica Grass)膜之 第1層間絕緣膜，2 0 8係S i Ο 2而成之第2層間絕緣膜 ，20 9係第2導電層，2 1 0係S i 〇2而成之第3層間 絕緣膜，2 1 2係反射型畫素電極而成之第3導電層， 2 1 1係接續汲極電極2 0 7 b與畫素電極2 1 2之接續 插頭。 如圖2 ( A )所示，在以往之維持容量構造之中，針 對基板表面在沒有形成掃描場酸化膜2 0 3之領域形成P 型不純物摻雜質領域2 0 6 c之同時，於此p型不純物摻 雜質領域2 0 6 c表面係介由絕緣膜2 0 4 b形成聚矽或 金屬矽化物等而成之容量電極。而根據此容量電極 2 0 5 b與上述p型不純物摻雜質領域2 0 6 c與介在於 兩者之中之絕緣膜2 0 4 b來構成維持容量。 圖2 (B)係表不針對以往反射型液晶面板之反射電 極側基板的一畫素領域平面圖。而圖中的符號係與圖2 ( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A )所表示之相同。控制電極2 0 5 a係延伸在畫素行走 方向（掃描方向），然後於掃描方向之各畫素的晶體管之 控制電極構成傳輸掃描信號之掃描線，而更加地控制電極 2 0 5 a與同一層容量電極2 0 5 b係介由汲極電極 2 0 7 b與晶體管之汲極領域2 0 6 b接續。另，源極電 極2 0 7 a係延伸在畫素列方向，然後於畫素列方向之各 畫素的晶體管之源極構成依序供給資料信號之資料線。而 晶體管係由接續在源極電極（資料線）2 0 7之源極領域 2 0 6 a、汲極領域2 0 6 b，形成在源極領域與汲極領 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） TfiT " 530184 A7 B7 五、發明説明（4) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 域之間的基板表面之波道領域，選通絕緣膜2 0 4 a，控 制電極2 0 5 a所構成。而汲極電極2 〇 7 b係在配線途 中介由接續插頭2 1 1接續在畫素電極2 1 2 (並無表示 在圖2 (B))。而於容量電極205b之正下方配置絕 緣膜2 0 4 b，再形成其下方之基板表面p型不純物摻雜 質領域2 0 6 c ，然後再根據這些形成維持容量。隨之， 維持容量係可介由晶體管將被施加之資料信號的電壓儲存 在圖示之領域。 但，如圖2 ( B )所示，在以往的例之中，因控制電 極2 0 5 a與維持容量之上側電極2 0 5 b則由同一層所 構成，所以不得不將兩者呈平面地分離。也就是，因爲無 法在設置於各畫素之晶體管形成領域形成維持容量，所以 無法充份確保維持容量値。 此發明的目的係針對反射型矩陣式放射液晶面板，提 供即使畫素尺寸變小也可得到充份維持容量之技術。 〔爲解決課題之手段〕 此發明係爲了達成上述目的，有關申請專利範圍第1 項之發明係一種液晶面板用基板，其特徵係具有 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於基板上配置成爲矩陣狀之複數之反射電極， 和對應於前述各反射電極配置於前述反射電極之下方 ，擁有源極電極和汲極電極的同時，於前述各射電極供給 電壓的複數之電晶體， 和電氣連接於前述反射電極，蓄積電荷之複數之保持 容量； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X297公釐） ~ " 一 530184 A7 B7 五、發明説明（多 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述保持容量係經由前述反射電極，和配置於前述電 晶體之源極電極及汲極電極間的中間導電層，和前述反射 電極，和配置於前述中間導電層和前述反射電極間的絕緣 膜所構成； 前述中間導電層係亦於鄰接配置之前述複數之反凡山 射電極間之下方，連續地加以配置之金屬層中，做爲構成 前述複數之保持容量的一方之電極，被共通化使用，於形 成前述複數之反射電極的畫素範圍之周邊，連接於爲供給 所定之電位的配線層， 設於前述反射電極之下方的前述中間導電層之未形成 部分，且藉由與前述中間導電層電氣性絕緣之連接部，電 氣連接前述反射電極和前述電晶體之源極電極及汲極電極 之一方， 前述絕緣膜係形成於表面平坦化之前述中間導電層上 的二氧化矽所成，該膜厚爲6 5 0 0 A以下者。 有關申請專利範圍第2項之發明係一種液晶面板用基 板，其特徵係具有 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於基板上配置成爲矩陣狀之複數之反射電極， 和對應於前述各反射電極配置於前述反射電極之下方 ，擁有源極電極和汲極電極的同時，於前述各射電極供給 電壓的複數之電晶體， 和電氣連接於前述反射電極，蓄積電荷之複數之保持 容量； 前述保持容量係經由前述反射電極，和配置於前述電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 530184 A7 B7 五、發明説明（$ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 晶體之源極電極及汲極電極間的中間導電層，和前述反射 電極，和配置於前述中間導電層和前述反射電極間的絕緣 膜所構成； 前述中間導電層係亦於鄰接配置之前述複數之反凡山 射電極間之下方，連續地加以配置之金屬層中，做爲構成 前述複數之保持容量的一方之電極，被共通化使用，於形 成前述複數之反射電極的畫素範圍之周邊，連接於爲供給 所定之電位的配線層， 設於前述反射電極之下方的前述中間導電層之未形成 部分，且藉由與前述中間導電層電氣性絕緣之連接部，電 氣連接前述反射電極和前述電晶體之源極電極及汲極電極 之一方， 前述絕緣膜係形成於表面平坦化之前述中間導電層上 的氮化矽所成，該膜厚爲1 0 8 0 0 A以下者。 有關申請專利範圍第3項之發明係一種液晶面板用基 板，其特徵係具有 於基板上配置成爲矩陣狀之複數之反射電極， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 和對應於前述各反射電極配置於前述反射電極之下方 ，擁有源極電極和汲極電極的同時，於前述各射電極供給 電壓的複數之電晶體， 和電氣連接於前述反射電極，蓄積電荷之複數之保持 容量； 前述保持容量係經由前述反射電極，和配置於前述電 晶體之源極電極及汲極電極間的中間導電層，和前述反射 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 7〇Z" 530184 A7 _B7_ 五、發明説明（7 電極，和配置於前述中間導電層和前述反射電極間的絕緣 膜所構成； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述中間導電層係亦於鄰接配置之前述複數之反凡山 射電極間之下方，連續地加以配置之金屬層中，做爲構成 前述複數之保持容量的一方之電極，被共通化使用，於形 成前述複數之反射電極的畫素範圍之周邊，連接於爲供給 所定之電位的配線層， 設於前述反射電極之下方的前述中間導電層之未形成 部分，且藉由與前述中間導電層電氣性絕緣之連接部，電 氣連接前述反射電極和前述電晶體之源極電極及汲極電極 之一方， 前述絕緣膜係形成於表面平坦化之前述中間導電層上 的氧化鉅所成，該膜厚爲4 6 0 0 0 A以下者。 有關申請專利範圍第4項之發明係如申請專利範圍第 3項之液晶面板用基板，其中，將前述中間導電層經由鉅 所形成，前述絕緣膜係陽極氧化前述鉅加以形成者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有關申請專利範圍第5項之發明係一種液晶面板，屬 於液晶面板用基板和透明羞基板具有間隙加以配置的同時 ，於前述液晶面板用基板和前述透明基板之間隙內，挾持 液晶構成之液晶面板中，其特徵係具有 於前述液晶面板基板上配置成爲矩陣狀之複數之反射 電極， 和對應於前述各反射電極配置於前述反射電極之下方 ，擁有源極電極和汲極電極的同時，於前述各射電極供給 -10- 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 530184 A7 —_____B7 五、發明説明（矣 電壓的複數之電晶體， 和電氣連接於前述反射電極，蓄積電荷之複數之保持 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 容量； 前述保持容量係經由前述反射電極，和配置於前述電 晶體之源極電極及汲極電極間的中間導電層，和前述反射 電極，和配置於前述中間導電層和前述反射電極間的絕緣 膜所構成； 前述中間導電層係亦於鄰接配置之前述複數之反凡山 射電極間之下方，連續地加以配置之金屬層中，做爲構成 前述複數之保持容量的一方之電極，被共通化使用，於形 成前述複數之反射電極的畫素範圍之周邊，連接於爲供給 所定之電位的配線層， 設於前述反射電極之下方的前述中間導電層之未形成 部分，且藉由與前述中間導電層電氣性絕緣之連接部，電 氣連接前述反射電極和前述電晶體之源極電極及汲極電極 之一方， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 前述絕緣膜係形成於表面平坦化之前述中間導電層上 的二氧化矽所成，該膜厚爲6 5 0 0 A以下者。 有關申請專利範圍第6項之發明係一種液晶面板，屬 於液晶面板用基板和透明羞基板具有間隙加以配置的同時 ，於前述液晶面板用基板和前述透明基板之間隙內，挾持 液晶構成之液晶面板中，其特徵係具有 於前述液晶面板基板上配置成爲矩陣狀之複數之反射 電極’ -11 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 530184 A7 B7 五、發明説明（多 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 和對應於前述各反射電極配置於前述反射胃極2下方 ，擁有源極電極和汲極電極的同時，於前述各射電極供給 電壓的複數之電晶體， 和電氣連接於前述反射電極，蓄積電荷之複數之保持 容量； 前述保持容量係經由前述反射電極，和配置於前述電 晶體之源極電極及汲極電極間的中間導電層’和前述反射 電極，和配置於前述中間導電層和前述反射電極間的絕緣 膜所構成； 前述中間導電層係亦於鄰接配置之前述複數之反凡山 射電極間之下方，連續地加以配置之金屬層中，做爲構成 前述複數之保持容量的一方之電極，被共通化使用，於形 成前述複數之反射電極的畫素範圍之周邊，連接於爲供給 所定之電位的配線層， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 設於前述反射電極之下方的前述中間導電層之未形成 部分，且藉由與前述中間導電層電氣性絕緣之連接部，電 氣連接前述反射電極和前述電晶體之源極電極及汲極電極 之一方， 前述絕緣膜係形成於表面平坦化之前述中間導電層上 的氮化矽所成，該膜厚爲1 0 8 0 0 A以下者。 有關申請專利範圍第7項之發明係一種液晶面板，屬 於液晶面板用基板和透明羞基板具有間隙加以配置的同時 ，於前述液晶面板用基板和前述透明基板之間隙內，挾持 液晶構成之液晶面板中，其特徵係具有 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 530184 A7 B7 五、發明説明（）〇 於前述液晶面板基板上配置成爲矩陣狀之複數之反射 電極， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 和對應於前述各反射電極配置於前述反射電極之下方 ，擁有源極電極和汲極電極的同時，於前述各射電極供給 電壓的複數之電晶體， 和電氣連接於前述反射電極，蓄積電荷之複數之保持 容量； 前述保持容量係經由前述反射電極，和配置於前述電 晶體之源極電極及汲極電極間的中間導電層，和前述反射 電極，和配置於前述中間導電層和前述反射電極間的絕緣 膜所構成； 前述中間導電層係亦於鄰接配置之前述複數之反凡山 射電極間之下方，連續地加以配置之金屬層中，做爲構成 前述複數之保持容量的一方之電極，被共通化使用，於形 成前述複數之反射電極的畫素範圍之周邊，連接於爲供給 所定之電位的配線層， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 設於前述反射電極之下方的前述中間導電層之未形成 部分，且藉由與前述中間導電層電氣性絕緣之連接部，電 氣連接前述反射電極和前述電晶體之源極電極及汲極電極 之一方， 前述絕緣膜係形成於表面平坦化之前述中間導電層上 的氧化鉅所成，該膜厚爲4 6 0 0 0 A以下者。 有關申請專利範圍第8項之發明係如申請專利範圍第 7項之液晶面板，其中，將前述中間導電層經由鉅所形成 本^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - 530184 A7 B7__ 五、發明説明（）1 ，前述絕緣膜係陽極氧化前述鉅加以形成者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔發明之實施形態〕 以下根據圖面說明本發明之實施例。 (液晶面板全體構成與本發明之液晶面板用基板之構成說 明） 圖1 (A)及圖3係表示針對適用在本發明之反射型 液晶面板之反射電極側基板的畫素領域之一畫素部份構成 之第1實施例剖面圖與平面圖。而圖15 (A)係表示本 發明之反射型液晶面板平面圖（A )與剖面圖（B )。 針對本發明之反射電極側基板係如圖1 ( A )所示使 用半導體基板1 0。首先關於本發明之反射型液晶面板之 全體構成，說明其槪要。 如圖1 5 ( A )、 （ B )所表示，於反射電極側基板 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 801 (圖15 (B)爲932)之中央部係設置畫素領 域8 2 0，再於畫素領域中配置掃描線與資料線成矩陣狀 。因應掃描線與資料線的交點來配置各畫素，對於各晝素 係如後述所述設置反射電極9 1 2與切換元件。而於晝素 領域8 2 0之週邊領域係配置有供給掃描資料於掃描線之 掃描線驅動電路8 2 2，供給資料信號於資料線之資料線 驅動電路821 ，介由墊片領域826 (在圖15 (B) 係9 2 6 )然後從外部所輸入之取得影像資料之輸入電路 823，控制這些電路之同步控制電路824等電路。而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公β 「14 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 530184 A7 B7___ 五、發明説明（）2 液晶面板係根據封接材9 3 6將反射電極側基板8 0 1 ( 9 3 1 )與，由形成共通電極9 3 3在內面之透明玻璃而 成之對向基板9 3 5接著固定於領域8 3 6 ’再由封入液 晶9 3 7於其間隙而構成。又，夾合在點線之領域8 2 5 (圖1 5 ( B )爲9 2 5 )係表示將畫素領域週邊進行遮 光之遮光膜。 接著依據圖1 ( A )詳細地說明有關反射電極側基板 (8 0 1，9 3 1 )之剖面構造。而針對圖1 ( A )， 1 〇 1係如單結晶矽之P型半導體基板（爲N型半導體基 板也可以），102係爲形成在此半導體基板101表面 ，且比基板過高之不純物濃度的P型凹陷領域。而凹陷領 域1 0 2係並無被特定，但對於例如擁有7 6 8 X 1 0 2 4個畫素之高精密液晶面板之情況係將這些畫素凹 陷領域作爲共通凹陷領域來形成，再與形成構成表示在圖 1 1 (A)之液晶面板平面圖之資料線驅動電路8 2 1及 掃描線驅動電路822，輸入電路，同步控制電路824 等週邊電路之元件的部份凹陷領域分離來形成。 1 0 3係爲形成在半導體基板1表面之元件分離用之 屏幕結構酸化膜（即所謂的L 0 C 0 S )，而屏幕結構酸 化膜1 0 3係根據選擇熱酸化來形成。在屏幕酸化膜 1 0 3形成有開口部，再於此開口部內側中央介由由矽基 板表面的熱酸化所形成之選通酸化膜1 1 4來形成由矽或 金屬矽化物等而成之控制電極1 0 5 a及掃描線1 〇 5， 再於此控制電極1 0 5 a兩側之基板表面形成由此凹陷領 本紙張尺度適财關家縣（CNS ) ( 21GX297公釐) 「15 - — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 530184 Α7 Β7 五、發明説明（）3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 域1 0 2過高不純物濃度之N型不純物質（以下稱作摻雜 層）而成之源極、汲極領域106a、106b，再根據 這些而構成電場效果晶體管。並且於上述源極、汲極領域 106a ， 106b 上方係介由如 BPSG( Β〇Γ〇η
Phosphorus Silica Crass)膜之第1層間絕緣膜1 0 4來形成 第一層之由鋁層而成之第1導電層107a ，l〇7b， 而此第1導電層1 0 7 a係介由形成在上述絕緣膜1 〇 4 之接觸孔以電接續源極領域1 0 6 a，然後構成供給資料 信號電壓於源極領域1 0 6 a之源極電極（相當於資料線 )，另，第1導電層107b係於形成在上述絕緣膜 1 0 4之接觸孔構成以電接續於汲極領域1 0 6 b之汲極 電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另於上述第1導電層107a，107b之上方係形 成有由如二氧化矽之絕緣膜而成之第2層間絕緣膜1 〇 8 ，還有在其上方形成有由鋁層或钽層而成第2導電層 109 (相當於本發明之中間導電層）。而此第2導電層 1 0 9係爲了構成如後述之畫素維持容量，希望將其表面 平坦化。 因此，在形成第2層間絕緣膜1 0 8之後，由C Μ P (化學機械硏磨）法，將其表面平坦化，然後在被平坦化 之第2層間絕緣膜1 0 8表面上形成第2導電層1 0 9。 而作爲其他的方法係在依序重疊形成第2層間絕緣膜 108，第2導電層109後，根據CMP法等將第2導 電層1 0 9表面平坦化也可以。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210'〆297公釐） 530184 A7 B7 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於此第2導電層1 〇 9上係介由之後詳細說明之絕緣 膜1 1 0形成爲晝素電極之反射電極1 1 2。而反射電極 1 1 2係介由形成在絕緣膜1 〇 8、1 1 0之接觸孔以電 接續於汲極電極1 〇 7 b。另此反射電極1 1 2係由鋁而 成，其表面則是由CMP法而平坦化。汲極電極1 〇 7 b 與反射電極1 1 2之接續係利用C V D法等埋入形成接續 插頭1 1 1於開口在絕緣膜1 〇 8、1 1 0之接觸孔。 於第2導電層1 0 9係以電接續傳達在液晶面板之共 通電位VCQM或其附近，或者施加於上述反射電極1 1 2 之電壓（即供給於資料線之資料信號電壓）之振幅中心電 位或其附近，或者是上述共通電極電位與上述電壓振幅中 心電位之中間電位之任何規定之電位V r e f之配線。又， 上述共通電極電位V。。μ係指表示在圖15 (B)之共通 電極9 3 3之電位，夾合畫素電極9 2 1與液晶9 3 7， 然後傳達於形成在對向之對向基板9 3 5上之共通電極 9 3 3，相當於極性反轉驅動各晝素液晶層時之反轉中心 電位。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此規定之電位V r e f係針對配置在反射電極側基板上 週邊電路，希望能兼用所使用之電壓。如果如此進行，將 不必特地設置施加於第2導電層1 0 9之電位V r e f專用 之墊片就可完成，而第2導電層1 0 9與上述配線之接續 係在晝素領域之週邊領域來進行。 於上述第2導電層1 0 9上方係形成由二氧化矽 s i 0 2 ( ε = 3 . 9 )，氮化矽 SiN(e=6.5)或 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 530184 A7 ___B7___ 五、發明説明（）5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 氧化鉅Ta〇x(ε=27·6)等比Si〇過高電容率 材料而成的第3層間絕緣膜1 1 0之後，利用C Μ P (化 學機械硏磨）法來進行平坦化。而平坦化後，爲了以電接 續汲極電極107b與反射電極1 12，根據CVD法等 將由鎢等高融點金屬而成之接續插頭1 1 1埋入形成在層 間絕緣膜之接觸孔內。而在形成上述接續插頭1 1 1後， 例如由低溫噴射法形成反射電極1 1 2。在此第2導電層 1 0 9與反射電極1 1 2係成爲介由第2層間絕緣膜 1 1 0之一對之電極，如圖所示在每個各畫素構成維持容 量。 第3之層間絕緣膜1 1 0之形成係爲二氧化矽及氮化 矽之情況，係根據C V D法等堆積膜，之後進行平坦化處 理，但在氧化鉅的情況則是利用钽來形成第2的層間導電 層，之後將鉅表面作陽極酸化，然後形成氧化鉅後進行平 坦化處理。又，第2導電層1 0 9表面被平坦化，而形成 在其表面之絕緣膜1 1 0表面的凹凸如針對維持容量的形 爲可無視之程度，則不將第3層間絕緣膜平坦化也可以。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 針對以上之製造方法的說明係根據C Μ P法來將第2 導電層1 0 9表面及，或者第3層間絕緣膜1 1 0表面平 坦化，但，這些針對製造方法來說並不是必須要件。而在 本發明重要的事係將形成在第2導電層1 0 9上之第3層 間絕緣膜1 1 0之膜厚作均一化，而來可充份確保維持容 量1 1 3。隨之，即使在第2導電層1 09表面多少有凹 凸，而在其上也可由C V D法及陽極酸化將第3層間絕緣 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 530184 A7 B7 五、發明説明（）6 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜1 1 0以均一的膜厚來形成，而在第3層間絕緣膜 1 1 0有著凹凸表面上，將反射電極材料形成必要厚度， 再由CMP法硏磨其表面，然後可形成反射電極1 1 2地 製造加工也可形成維持容量。此情況，反射電極1 1 2下 _面係沿著下層凹凸有著凹凸狀，但可將上表面作爲被平 坦化之鏡面。 另’第2導電層1 0 9係也有射入於配置成矩陣狀之 反射電極1 1 2間隙的光進入基板之半導體層側，然後不 將F E T泄光地鄰接之反射電極1 1 2之間間隙間進行遮 光之功能。另，第2導電層1 0 9係包含畫素領域全體， 可作爲各晝素之維持容量電極進行共通化。隨之第2導電 層1 0 9係針對畫素領域係只在F E T與接續反射電極之 處週邊進行開口，而大略覆蓋畫素領域全體地來構成。因 此，第2導電層1 0 9係並不只可作爲針對畫素領域全體 之入射光之遮光膜的功能，根據擁有廣闊之配線面積，因 將擁有較大之配線容量，所以可防止施加在此導電層之上 述規定電位V 之變動，進而擁有可安定維持容量之電 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 荷維持功能等效果。 又，針對本實施例係因在導電層1 〇 9之上層與下層 的絕緣膜（1 1 0 ’ 1 0 8 )以連續性地形成接續孔，所 以上層與下層之絕緣膜理想係由同一材料來形成。當利用 同一之腐鈾氣體或腐鈾劑來對於不同之絕緣膜進行接續用 接觸孔之腐鈾時，根據絕緣膜不同之腐蝕程度，因對於一 方之絕緣膜進行側邊腐蝕而容易形成帽簷狀之加工形狀， -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 530184 A7 B7 五、發明説明（）7 但根據對於同一之絕緣膜來進行腐蝕’則可得到良好的腐 蝕形狀之效果。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，在圖1 ( B )表示利用上述反射電極側基板來 構成液晶面板之情況的等價電路圖。另’圖1 2 ( A )係 表示此等價電路之動作波形圖。 掃描線1 0 5與資料線1 0 7 a則被配置成矩陣狀， 而各畫素係由接續控制電極於掃描線、而源極領域則接續 在資料線1 0 7 a之F E T 3 0 0與，根據對向於接續在 F E T 3 0 0之汲極領域之反射電極1 1 2之共通電極 9 3 3來夾合之液晶層9 3 7而構成之顯示畫素（構成液 晶容量C I C )與，維持容量1 1 3而形成。如上述所述 構成液晶容量C L C之一方的電極之共通電極9 3 3係接 續在共通電極電位VCQM。另，構成維持容量1 1 3之另 一的電極1 0 9係接續在如上述所述之規定電位V r e f。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 V G係表示依序施加在各掃描線1 〇 5之掃描信號波 形，而V P係表示施加在資料線1 〇 7 a之資料信號電壓 波形。而共通電極電位VC CM係爲施加在夾合上述第3導 電層1 1 2與液晶然後對向之共通電極（圖1 1 ( B ) 9 3 3 )之電壓，而將考慮到在液晶驅動下所成爲之問題 ’即爲後進先出（受到F E T之控制順序容量的影響，對 於液晶之實質寫入電壓則移動電壓△ V分於負側之現象） ’對於資料信號V D振幅之中心電位V c預先只將其部份 △ V移動之電壓。另，資料信號振幅之中心電位v c係爲 資料信號V D最大振幅之正好中間電位。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20: 530184 A7 B7 五、發明説明（>8 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在針對屏幕結構期間之選擇期間（V G之高電壓期間 )畫素之F E T則開啓，此時供給於資料線χ 〇 7 a之資 料信號電壓V D則介由F E T 3 0 0供給至反射電極。而 維持容量1 1 3係因應施加在反射電極之電位與規定電位 V r e f之電位差儲存電荷，而即使在非選擇期間（v G的 低電壓期間）F E T爲關閉狀態下也維其電壓，然後對於 爲畫素電極之反射電極1 1 2因繼續施加其維持電壓，所 以仍'存在著。 維持容量1 1 3係根據接續一方的電極（第2導電層 1 0 9 )於共通電極電位Ve CM，而維持之電壓係可作爲 與施加在反射電極1 1 2與共通電極9 3 3間之液晶層 9 3 7之相同的電壓。此情況液晶容量C L C與維持容量 因以電並列接續在反射電極1 1 2與共通電極電位Vc。μ 之間而構成，所以針對F Ε Τ 3 0 0成爲非導通之非選擇 期間，可將對於液晶之施加電壓安定化。又如上述所述施 加於第2導電層1 0 9之電位，並不是共通電極電位 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 V c ◦ Μ，而即使調換成其附近電位及，資料信號之中心電 位V C或其附近電位及，共通電極電位Vc CM與資料信號 之中心電位V c之中間電位，也可維持電荷。 接著參照圖說明針對圖1 ( A )所表示之液晶面板的 反射電極側基板之畫素領域平面構成。 圖中，掃描線1 0 5係延伸在被矩陣配置之畫素掃描 方向。而另一方面，源極電極（資料線）1 0 7 a係延伸 在畫素的列方向。而源極電極1 0 7 a係接續在F Ε T之 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 530184 A7 B7 五、發明説明（〉9 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 源極106a，再對於夾合源極l〇6a與波道，然後對 向之汲極106b係以電接續汲極電極i〇7b，再從此 引出。而汲極電極1 0 7 b係介由接續插頭1 1 1接續於 畫素電極。而於畫素電極1 1 2下方係介由絕緣膜1 1 〇 形成第2導電層。此第2導電層1 0 9係只除了在各畫素 之接續插頭1 1 1所形成之接觸孔周圍之外，以連續性形 成在複數之畫素領域全域，還有係包括畫素領域全體。隨 之，大致接近畫素電極1 1 2之面積則將作爲維持容量所 使用。又，如上述所述之第2導電層1 〇 9係因只除了接 觸孔週圍以外以連續性地來形成，所以可作爲反射電極間 間隙的遮光層功能。 如同圖所示，上述維持容量部係除了上述反射電極 1 1 2與汲極電極1 0 7 b之接續部以外，可將大部份反 射電極之面積作爲構成維持容量1 1 3之一方的電極來利 用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，針對以上的說明，將1 0 6 a及1 〇 7 a作爲源 極領域及源極電極，將1 0 6 b及1 〇 7 b作爲汲極領域 及汲極電極已說明過，但也可考慮調換源極與汲極之稱呼 ，可將1 0 6 a及1 0 7 a作爲汲極領域及汲極電極，而 將1 0 6 b及1 〇 7 b作爲源極領域及汲極電極。 (成爲維持量的誘電體膜之絕緣膜膜厚之說明） 接著，利用表示因應晝素尺寸大小而變動之維持容量 値之圖4〜圖8之方塊圖，就使用在維持容量之絕緣膜材 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董1 -22 - '~ 530184 A7 B7 五、發明説明（扣 料與其膜厚進行說明。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖4及圖5係針對如圖2所示之以往構造，表示構成 維持容量之絕緣膜爲S i〇2 ( ε = 3 . 9)時之單元圖。 而針對表示在圖4及圖5之以往構造的單元圖係將構成維 持容量之選通絕緣膜2 0 4作爲S i 0 2 ( ε = 3 . 9 )， 另’即使畫素尺寸有變動，F Ε Τ之尺寸及配線規則係作 爲不會變動之構成來算出維持容量。 另一方面，圖6〜圖8係針對適用本發明之構造，表 示構成維持容量1 1 3之絕緣膜各自爲二氧化矽S i〇2 ( ^ = 3.9)，氮化矽S i N ( ε = 6 · 5 )，氧化鉅
Ta〇x (ε = 27 · 6)時之維持容量的方塊圖。而在 本發明之構造之中，如圖1及圖3所示，在反射電極 1 1 2與第2導電層1 0 9之重疊領域之中，將除了汲極 電極1 0 7 b與其接續部（將接續插頭1 1 1週圍之第2 導電層1 0 9開口之領域）之領域作爲維持容量1 1 3之 一對的電極。又，在圖6〜圖8之中係將形成維持容量 1 1 3之絕緣膜1 1 2各自作爲S i〇2 ( ε = 3 · 9 )， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 S i Ν ( ε = 6 . 5 ) ，Ta〇x(e = 27.6) ’即 使畫素尺寸有變動，F Ε T之尺寸及配線規則係作爲不會 變動之構成來算出維持容量。 另’圖4及圖6〜圖8係特別是將畫素尺寸（將畫素 領域作爲正四角形之假設情況的一邊長度）作爲1 〇 // m 之情況，作爲維持容量爲了得到3 0 f F，5 〇 f F， 100 f F則關於S i〇2，S iN，Ta〇x各自算算出 -23- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 530184 A7 B7 五、發明説明（幻 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 必要之絕緣膜1 1 0膜厚，更加地關於所得之各膜厚，各 自表示使畫像尺寸變化（根據此使維持容量的電極面積變 化）而所得之維持容量値之圖表。同樣地，圖5係將上述 畫素尺寸作1 5 // m之情況，作爲維持容量，爲了得到
3 0fF，50fF，l〇〇fF，關於 Si〇2，SiN ，T a〇x而各自算出必要的膜厚，更加地關於所得到之 各膜厚，各自表示著使畫素尺寸變化（根據此來使維持容 量之電極面積變化）所得到之維持容量値的圖表。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又’在以下所說明之晝素尺寸係本來依據畫素之反射 電極的面積來說明是爲理想，但爲求說明之簡便，意思是 指作爲正四角形來定義針對晝素領域之一畫素所占的領域 之情況的畫素間距。即，針對本發明之畫素尺寸係指一畫 素領域之縱橫長度的意思。而針對本發明係因除了同爲鄰 接畫素邊界界限，而大部份之一畫素領域則成爲反射電極 ，且其大部份之反射電極則可作爲維持容量的電極來使用 ，所以將畫素間距作爲畫素尺寸來掌握。又，作爲畫素面 積掌握晝素尺寸之情況係將以下所示之晝素尺寸自乘即可 ’而畫素尺寸1 〇 //m之畫素面積係也可作爲]_ 〇 〇 em2 變換’畫素尺寸1 5 //m之畫素面積係也可作爲2 5 5 ’//m2來變換，畫素尺寸2 0 //m之畫素面積係也可作爲 4 0 0 //m2來變換，畫素尺寸2 5 //m之畫素面積係也可 作爲6 2 5 //m2來變換。 又，維持容量係如上述所述，F E T在非導通之非選 擇期間擁有維持施加在畫素電壓之功能。隨之，在非選擇 本紙張尺度適财1]國家轉（CNS ) Α4· ( 210X297公釐) .〇4 - 一 530184 A7 一__B7_ 五、發明説明（匕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 期間’即使根據F E T之關閉釋出及在液晶層之電流釋出 等’有著電荷之放電，對於爲了減少維持之電壓値之變動 ，也不會偏向畫素尺寸，而最低也必需要擁有大約3 0 f F之容量値。 如圖4所示之以往構造之中，畫素尺寸爲1 〇 //m時 ，對於將維持容量形成3 0〜1 00 f F，S i〇2 (如圖 2所示與選通絕緣膜同一層係需要8 0〜2 7 0 A之膜厚 ，另如圖5所示，畫素尺寸爲1 5 /zm時，對於將維持容 量形成3 0〜1 0 0 f F，S i 0 2 (選通絕緣膜）係一定 要有3 3 0〜1 1 1 0A之膜厚。即，在以往之維持容量 的構造之中，則必需要形成非常薄的膜厚之S i〇2，製造 上不是很容易。 另一方面，針對本發明係如圖6〜圖8所示，當畫素 尺寸爲1 0 /zm時，對於將維持容量形成3 0〜1 0 0 f F，S i〇2 ( ε = 3 · 9 )之情況係作爲2 5 0〜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 5 0 Α之膜厚，S i Ν ( ε = 6 · 5 )之情況則作爲 420 〜1400Α 之膜厚，Ta〇x (ε = 27 . 6) 之情況則作爲1 8 0 0〜6 0 0 0 Α之膜厚即可。而此膜 厚係指即使比以往構造之絕緣膜厚較厚，也可得到與以住 相等之維持容量的意思。隨之，可簡單地製作維持容量之 絕緣膜。 接著，圖9〜圖1 1係表示使針對本發明的S i〇2 ( e = 3.9，SiN(e = 6.5) ，丁 a〇x(e = 2 7 · 6 )之各絕緣膜膜厚變化情況之維持容量的變動。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公H -25- 530184 A7 _B7_____ 五、發明説明（和 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 針對各圖係在將晝素尺寸作爲1 Oem ’ 1 5//m，25 // m之情況，將對於絕緣膜1 1 0膜厚變化之維持容量的 變化特性表示在每個絕緣膜之構成材料。而圖9係表示將 絕緣膜作爲S i〇2 ( ε = 3 . 9 )之情況，圖1 0係表示 將絕緣膜作爲S i Ν ( ε = 6 · 5 )之情況，圖1 1係表 示將絕緣膜作爲T a Ο X ( ε = 2 7 · 6 )之情況。 針對本發明係得到以下之結果。 (a )當畫素尺寸爲1 〇//m時 ① 將最低限必要之維持容量假定爲3 0 f F之情況白勺 絕緣膜膜厚係 利用S i〇2 ( ε = 3 · 9 )係作爲8 5 Ο A以下即可 利用S i N ( ε = 6 · 5 )係作爲1 4 Ο Ο A以下即 可 利用Ta〇x (ε = 27 . 6)係作爲600〇a以 下即可 ② 將最低限必要之維持容量假定爲5 0 f F之情況的 絕緣膜膜厚係 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 利用S i〇2 ( ε = 3 · 9 )係作爲5 Ο Ο A以下即可 利用S i N ( ε = 6 · 5 )係作爲8 5 Ο A以下即可 利用T a〇X ( ε = 2 7 · 6 )係作爲3 6 0 〇 a以 下即可 ③ 將最低限必要之維持容量假定爲1 〇 〇 f F之情況 的絕緣膜膜厚係 利用S i〇2 ( ε = 3 · 9 )係作爲2 5 Ο A以下即可 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐） -26 - 530184 A7 B7 五、發明説明（扣 利用S i N ( ε = 6 · 5 )係作爲4 2 0 A以下即可 利用Ta〇x (ε = 27 · 6)係作爲1800A以 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 下即可 (b)畫素尺寸爲15//m時 ① 將最低必要之維持容量假定爲3 0 f F之情況的絕 緣膜膜厚係 利用S i〇2 ( ε = 3 . 9 )係作爲2 1 0 0 A以下即 可 利用S i N ( ε二6 · 5 )係作爲3 6 0 0 A以下即 可 利用T a〇X ( ε二2 7 · 6 )係作爲1 5 0 0 A以 下即可 ② 將最低必要之維持容量假定爲5 0 f F之情況的絕 緣膜膜厚係 利用S i〇2 ( ε = 3 · 9 )係作爲1 2 6 0 A以下即 可 利用S i N ( ε = 6 . 5 )係作爲2 1 6 0 A以下即 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可 利用Ta〇x (ε二27 . 6)係作爲9000A以 下即可 ③ 將最低必要之維持容量假定爲1 0 0 f F之情況的 絕緣膜膜厚係 利用S i Ο 2 ( ε = 3 . 9 )係作爲6 3 0 A以下即可 利用S i N ( ε = 6 · 5 )係作爲1 0 8 0 A以下即 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 530184 A7 B7 五、發明説明（碎 可 利用Ta〇x(ε=27·6)係作爲4500A以 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 下即可 (c )畫素尺寸2 0 // m時 ① 將最低限必要之維持容量假定爲3 0 f F之情況的 絕緣膜膜厚係 利用S i〇2 ( ε = 3 . 9 )係作爲4 0 0 0 A以下即 可 利用S i N ( ε = 6 . 5 )係作爲6 7 0 0 A以下即 可
利用Ta〇x (ε = 27 . 6)係作爲28000A 以下即可 ② 將最低限必要之維持容量假定爲5 0 f F之情況的 絕緣膜膜厚係 利用S i〇2 ( ε = 3 . 9 )係作爲2 0 0 0 A以下即 可 利用S i N ( ε = 6 · 5 )係作爲3 3 5 0 A以下即 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可
利用Ta〇x (ε = 27 . 6)係作爲14000A 以下即可 ③ 將最低限必要之維持容量假定爲1 0 0 f F之情況 的絕緣膜膜厚係 利用S i〇2 ( ε二3 . 9 )係作爲1 0 0 0 A以下即 可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28 - 530184 A7 B7 五、發明説明（扣 利用S i N ( ε = 6 . 5 )係作爲1 6 8 0 A以下即 可 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用Ta〇x (ε = 27 . 6)係作爲7000A以 下即可 (d)畫素尺寸爲25//m時 ① 將最低必要之維持容量假定爲3 0 f F之情況的絕 緣膜膜厚係 利用S i〇2 ( ε = 3 · 9 )係作爲6 5 0 0 A以下即 可 利用S i N ( ε = 6 · 5 )係作爲1 0 8 0 0 A以下 即可
利用Ta〇x (ε = 27 · 6)係作爲46000A 以下即可 ② 將最低必要之維持容量假定爲5 0 f F之情況的絕 緣膜膜厚係 利用S i〇2 ( ε = 3 · 9 )係作爲3 9 0 0 A以下即 可 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 利用S i N ( ε = 6 . 5 )係作爲6 4 8 0 A以下即 可
利用Ta〇x (ε = 27 · 6)係作爲2760.0A 以下即可 ③ 將最低必要之維持容量假定爲1 0 0 f F之情況的 絕緣膜膜厚係 利用S i〇2 ( ε = 3 · 9 )係作爲1 9 5 0 A以下即 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 - 530184 A7 _ B7_ _ 五、發明説明（%Ί 可 利用S i Ν ( ε = 6 · 5 )係作爲3 2 4 0 Α以下即 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 可
利用Ta〇x (ε = 27 · 6)係作爲13800A 以下即可 從以上可明暸地了解，畫素尺寸（畫素間距）爲2 5 // m以下（將畫素面積作爲6 2 5 // m 2以下）之高精細液 晶面板用基板係作爲維持容量作絕緣膜使用二氧化矽之情 況係如爲6 5 0 0 A以下，而使用氮化矽之情況係如爲 1 0 8 0 0 A以下，使用氧化矽之情況係如爲4 6 0 0 0 A以下之膜厚，即可得到3 0 f F以上的容量値。隨之， 如根據本發明，即使將液晶面板作爲高精細化，因不單只 是可良好維持在畫素之電荷維持特性，也不需將絕緣膜形 成更薄，所以可在製造上可容易進行且也可提昇製造。 更加地如上述所述，作爲上述維持容量之絕緣膜，當 採用比S i〇2 ( ε = 3 · 9 )過高電容率之絕緣膜，例如 :S iN (ε = 6 · 5)及 Ta〇x (ε = 27 · 6)時 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ，即使爲1 0 0 0 0 Α以上之較厚絕緣膜，也可確保充份 之維持容量，而畫素尺寸即使微細化成1 0 // m，也可確 保充份的維持容量。隨之，對於作維持容量的絕緣膜而使 用S i N及T a Ο X則可將膜厚形成厚狀，進而將容易製 作絕緣膜。 又，利用S i N來構成維持容量之絕緣膜1 1 〇之情 況，可使耐濕性提昇。即，於反射電極1 1 2上方作爲表 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30- 530184 A7 _B7_ 五、發明説明（扣 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 面穩定化膜，根據利用一'般所使用之等離子C V D法之 S i N情況，S i N之膜厚即使爲零散的1 0 %程度’其 可視光領域之反射率則因其膜厚的零散部份也會有產生大 變化之不良狀況。進而作爲在反射電極上之表面穩定化膜 使用S i N係爲困難。因此，在本發明之中，對於反射電 極上，作爲表面穩定化膜係使用S i 0 2 ?或者不形成表面 穩定化膜，此情況，當利用S i 0 2來構成絕緣膜1 1 〇時 ，針對對於基板及元件之水份，遮蔽之點、將會變成不充 份。因此，如將上述絕緣膜1 1 0爲S i N，因此絕緣膜 1 1 0也可作爲表面穩定化膜之功能，所以比較於對於水 份之遮蔽機能較差之S i〇2之情況，可使耐濕性提昇。 另將晝素尺寸微細化成1 0 // m，例如將絕緣膜 1 1 0作成S i〇2之情況，對於如圖5所示將維持容量確 保爲5 0 f F，則有必要將絕緣膜1 1 〇之膜厚作爲 5 0 0 A以下，而上述第2導電層1 0 9與反射電極 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 1 2則有短路或無法確保充份的絕緣耐壓之可能性。其 情況’並無特別圖示’但介由構成在依據本發明之每個畫 素的第2導電層1 〇 9與絕緣膜1 1 〇，將形成之反射電 極112作爲一對電極之維持容量作爲第1維持容量，其 他例如由圖2所示之聚矽或金屬矽化物等而成之容量電極 2 0 5 b與摻雜領域2 〇 6 c作爲一對電極之第2維持容 量，將這些並列形成即可。此時，對於畫素尺寸爲1 〇 // m情況下將維持容量確保爲5 〇 f f係因可在上述第2 維持容量下確保1 5 f F (S i〇2之膜厚係作爲6 00Λ -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 〇 X 297公着） 530184 A7 _B7_ 五、發明説明（鈐 )之容量値’所以上述第1維持容量係確保在3 5 f F即 可，而絕緣膜1 1 0膜厚爲8 5 0 A即可。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 另’對於不將上述第2維持容量在砂基板上，而只將 維持容量1 1 3形成之情況，只有其容量份以外基板表面 上係產生多餘的面積。而此情況，例如對於各畫素也可根 據F ET (因應必要之電阻元件）形成SRAM ( Static Random Access Memory)等記憶元件。 另，針對本發明之第2導電層1 0 9係因並不只是只 有成爲維持容量的一方電極，而於反射電極1 1 2下方包 括畫素領域全域共通地形成，所以在反射電極1 1 2的間 隙也有形成，也有將射入此間隙部之光阻止進入半導體基 板內之遮光機能。 (本發明之反射電極側基板之畫素領域其他構成例） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖13係表示適用本發明之反射電極側基板之畫素領 域之第2實施例剖面圖。在本實施例之中，反射電極側基 板之剖面構造係與第1實施例不同，但其等價電路及其動 作，液晶面板構造等係與第1實施例相同。又，對於晝素 係與第1實施例同樣地配置有N溝道晶體管。 6 0 1係P型半導體基板（也可爲N型半導體基板） ，6 0 2係比基板還高不純物濃度之P型凹陷領域， 6 0 3係掃描場酸化膜，6 0 5係控制電極，6 0 6 a， 6 0 6 b係由比凹陷領域還高不純物濃度之N型摻雜層而 成之源極、汲極領域，6 0 7 a，6 0 7 b係成爲源極、 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2l〇X297公釐） ^32- 530184 A7 B7 五、發明説明（抝 汲極電極之第1導電層’ 6 〇 4係如由B P S G膜之絕緣 膜而成之第1層間絕緣膜，6 〇 8係如S i〇2之第2層間 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 絕緣膜，609a，609b係第2導電層，610係第 3層間絕緣膜，6 1 1係接續插頭，6 1 2係成爲由纟呂等 金屬之反射電極而成之畫素電極之第3導電層。第3層間 絕緣膜6 1 0係由S i〇2 ( ε = 3 · 9 )而形成？或者由 例如 SiN (ε = 6 · 5)及丁 a〇x (ε = 27 · 6) 之比S i〇2過電容率之絕緣膜來形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如圖1 3所示，在此實施例之中，第1導電層6 〇 7 之一部份6 0 7 b係介由設置在第2層間絕緣膜6 0 8之 接觸孔接續於第2導電層6 0 9 b，而此第2導電層 6 0 9 b係再介由設置在第3層間絕緣膜6 1 〇之接觸孔 接續於反射電極6 1 2。而對於設置在第3層間絕緣膜 6 1 0之接觸孔係與第1實施例相同地埋入由鎢等高融點 金屬而成之接續插頭6 1 1來形成，再根據此，再以電接 續第2導電層6 0 9 b與畫素電極6 1 2。又因設置在絕 緣膜6 1 0之接觸孔深度不足，而不利用由高融點金屬而 成之接觸插頭6 1 1 ’然後介由接觸孔直接接續第3導電 層6 1 2於第2導電層6 09b也可以。 針對本實施例，維持容量6 1 3係形成在畫素電極 6 1 2與第2導電層6 0 9 a介由第1層間絕緣膜6 1 0 然後對向之部份。 如以上針對此實施例之構造，各自將第3層間絕緣膜 6 1 0與第2導電層6 0 9b與第2層間絕緣膜6 0 8， 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 33 - 530184 A7 B7 _ 五、發明説明（Θ 另外進行腐鈾。而第3層間絕緣膜6 1 0與第2層間絕緣 膜6 0 8例如：利用如S i N與S i〇2及T a〇X與 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 i〇2之不同的膜來構成之情況，由同一的腐鈾氣體或腐 蝕劑腐蝕2個絕緣膜來形成接觸孔時，根據各自絕緣膜之 腐蝕比例的不同，因一方的絕緣膜容易進行側邊腐蝕，所 以將容易成爲帽簷狀之加工形狀。另一方面，如根據本實 施例之構成，因可以利用適合於各種絕緣膜之腐蝕氣體或 腐蝕劑來進行腐蝕，所以不進行側邊腐蝕，也可得到良好 之腐蝕形狀。因此，針對第3層間絕緣膜6 1 0與第2層 間絕緣膜6 0 8利用不同的膜來形成之情況，此實施例係 特別有效。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 4係表示在圖1 3所示之液晶面板之反射側基板 的畫素領域平面圖。而圖中，掃描線（與控制電極同一層 )6 0 5係延伸存在於被配置爲矩陣狀畫素之行走方向。 另一方面，源極電極（資料線）6 0 7 a係延伸存在於畫 素的列方向。而源極電極6 0 7 a係接續在F E T之源極 606a ，再於夾合源極與波道然後對向之汲極606b 接續著汲極電極6 0 7 b，再從此引出。而汲極電極 6 0 7 b係介由接續插頭6 1 1來接續在畫素電極6 1 2 。而在晝素電極612下方係介由絕緣膜610形成有第 2導電層6 0 9 a ，而此第2導電層6 0 9 a係除了只有 根據在各畫素之第2導電層6 0 9 b之接續領域之外，以 連續性形成在複數畫素領域全域，或更加地包括畫素領域 全體。隨之，大略接近晝素電極6 1 2之面積則將作爲維 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董) ΓβΤ： -- 530184 A7 ___B7_ 五、發明説明（呤 持容量來利用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，構成維持容量6 1 3之第3層間絕緣膜6 1 0係 與第1實施例相同地由Si〇2、SiN或者Ta〇x等絕 緣膜而成，而其膜厚係如圖6〜圖1 1所說明之設定厚度 〇 另，針對本發明之第2導電層6 0 9 a係因並不只是 成爲維持容量之一方的電極，而於反射電極6 1 2下方包 括畫素領域共道地形成，所以也形成在反射電極6 1 2之 間隙，而也有防止射入此間隙部之光進入半導體基板內之 遮光機能。 又，針對本實施例也可變換F E T之源極與汲極。 (本發明之反射電極側基板之畫素領域其他構成例） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 8係表示適用本發明之反射型液晶面板之反射電 極側基板的畫素領域第3實施例之剖面圖，針對本實施例 係作爲畫素切換用晶體管使用著N波道T F T。在本實施 例之中，反射電極側基板的剖面構造係與第1實施例不同 ，但其等價電路與其動作，液晶面板的構造係與第1實施 例相同。 1 3 0 1係由石英及無鹼性的玻璃而成之絕緣基板， 而於此絕緣基板上係形成有單晶體或多晶體，或者非晶形 的矽膜（1 3 0 6 a ，1 3 0 6 b之形成層），另在此矽 膜上係形成有由熱氧化而形成之矽氧化膜與利用C V D法 所堆積之矽氮化膜之二層構造而成之絕緣膜1 3 0 4 b， -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 530184 A7 B7 五、發明説明（灸3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，對於絕緣膜1 3 0 4 b上層之矽氮化膜之形成前，摻 雜N型不純物於矽膜之1 3 0 6 a，1 3 0 6 b的領域， 然後形成T F T之源極領域1 3 0 6 a，汲極領域 1 3 06b。更加地在絕緣膜1 304b上係形成TFT 之控制電極，還有成爲掃描線之聚矽或金屬矽化物等之配 線層1 3 0 5。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另在配線層1 3 0 5上係形成由矽氮化膜或矽氧化膜 而形成之絕緣膜1 3 0 3，再介由形成在此絕緣膜 1 3 0 3之接觸孔來接續於源極領域1 3 0 6 a之源極電 極（資料線）1 3 0 7 a則根據由鋁層而成之金屬層所形 成。而在前述金屬層上係更加地形成矽氮化膜或者，由矽 氧化膜與矽氮膜之二層構造形成之絕緣膜1 3 0 8，而此 層間絕緣膜1 3 0 8的構造作爲二層構造來構成層間絕緣 膜也可以。根據如此，可得到耐濕性等效果。而在此絕緣 膜1 3 0 8上形成中間導電層1 3 0 9，再於此中間導電 層1 3 0 9上形成絕緣膜1 3 1 0，而在此絕緣膜 1 3 1 0上成爲由鋁而成之反射電極的畫素電極1 3 1 2 則形成在每個畫素。 又，矽膜的汲極領域1 0 3 6 b與畫素電極係介由接 觸孔以電接續。而此接續係埋入由鎢等高融點金屬而成之 接續插頭1 3 1 1來進行。 另在圖1 8之中，控制電極爲位置在比波導還上方之 頂端閘極型式，但先形成控制電極，再介入選通絕緣膜之 後，再進行配置成爲波道之矽膜的底端閘極型式也可以。 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 530184 A7 ____ B7_ 五、發明説明（和 此中間導電層1 3 0 9係除了針對各畫素之汲極領域 1 3 〇 6 b與畫素電極1 3 1 2之接續領域以外，複數晝 素領域全域，還有包括畫素領域全體以連續性來形成。隨 之’大略接近晝素電極之面積則操作爲維持容量1 3 1 3 來利用。 又，構成維持容量1 3 1 3之絕緣膜1 3 1 0係與第 1實施例同樣地由S i〇2，S i N或Ta〇X等絕緣膜而 成’而其膜厚係如在圖6〜圖1 1所說明之設定厚度。 另，針對本發明之中間導電層1 3 0 9係因並不只是 成爲維持容量之一方的電極，而在反射電極1 3 1 2下方 包括晝素領域全域共通地形成，所以在反射電極1 3 1 2 之間隙也有形成，而也有防止射入此間隙部光進入矽層內 之遮光機能。 又，針對本實施例也可變換F E T之源極與汲極。 (本發明之液晶面板之構造說明） 圖15 (A)係表示適用上述第1、第2或者第3實 施例之液晶面板用基板（反射電極側基板）8 0 1之全體 平面圖。 如圖1 5 ( A )所示，針對此實施例係設置有防止光 射入於設置在基板週邊部之週邊電路之遮光膜8 2 5。而 於配置由反射電極而成之上述畫素電極成矩陣狀之晝素領 域8 2 0的週邊係設置有供給因應影像資料之影像信號於 上述資料線1 0 7 a，6 0 7 a之資料線驅動電路8 2 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
530184 A7 B7 五、發明説明（妇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 及依順序掃描掃描線1 〇 5 ’ 6 0 5之掃描線驅動電路 822，介由墊片領域826 ’然後從外部收取被輸入之 影像資料之輸入電路8 2 3，由控制這些電路之同步控制 電路8 2 4等電路而成之週邊電路。而這些電路係作爲畫 素電極切換之，由組合對於此之電阻及容量等之負荷元件 來構成。又，8 3 6係爲與對向之玻璃基板進行固定接著 之絕緣材的形成領域。 針對此實施例，上述遮光膜8 2 5係由表示在圖1 ( A)之畫素電極1 1 2及利用與圖9所示之畫素電極 6 1 2的同一工程所形成之第3導電層來構成，再施加電 源電壓及影像信號之中心電位或者，共通電極電位等規定 電位地構成者。而由施加規定的電位於遮光膜8 2 5，比 較於漂置的及爲其他電位之情況可減少反射，而8 2 6係 爲爲了供給電源電壓所使用之墊片或形成端子的墊片領域 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
圖1 5 ( B )係表示適用上述液晶面板用基板（圖 1 5 ( A )之8 0 1 )之反射型液晶面板剖面構成圖。而 如圖1 5 ( B )所示，液晶面板基板9 3 1 ( 8 0 1 )係 由接著劑接著由玻璃或陶瓷等而成之支撐基板9 3 2在其 內面。同時，在其表面側打開適當的間隔配置擁有由施加 共通電極電位Vc。Μ之透明導電膜（I τ〇）而成之對向 電極（也稱之共通電極）9 3 3的射入側玻璃基板9 3 5 ，而將周圍利用形成在圖1 5 ( A )之絕緣林形成領域 8 3 6之絕緣材9 3 6所接著的間隙內，由眾知之之T N 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS^A4規格（210X297公釐） .38 - 530184 A7 B7 五、發明説明（妗 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (Twisted Nematic )型液晶或無施加電壓狀態下塡充大略垂 直配向液晶分子之S H ( Super Homeotropic)型液晶 9 3 7等來作爲液晶面板構成著。又，從外部輸入信號等 等，凹陷領域9 2 6 ( 8 2 6 )係能進入上述絕緣材 9 3 6外側地設定設置絕緣材之位置。 週邊電路上的遮光膜9 2 5 ( 8 2 5 )係介在液晶 9 3 7，然後與對向電極9 3 3對向地構成著。並且如施 加共通電極電位Vc〇M於遮光膜9 2 5，對於對向電極 9 3 3係因施加共通電極電位V c。μ，所以對於介在於其 之間之液晶不將施加直流電壓。因此如爲Τ Ν型液晶，液 晶分子則經常被扭轉成大略9 0 ° ，而如爲S Η型液晶， 液晶分子則經常被保持成垂直配向之狀態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 針對此實施例，係由半導體基板而成之上述液晶面板 基板9 3 1因根據接著劑接合由玻璃或陶瓷而成之支撐基 板9 3 2於其內面，所以其強度則顯著提昇。其結果，使 支撐基板9 3 2接合在液晶面板基板9 3 1之後進行與對 向基板之則合時，有著包括面板全體，液晶層之間隔將成 均一化之利點。 針對上述第1、第2或第3實施例，對於與畫素電極 對向，然後形成維持容量之導電層（第1實施例之1 0 9 ，第2實施例之609a，第3實施例之1309)係在 針對圖1 5之週邊領域施加規定的電位V r e f (包含共通 電極電位V C。Μ )。而此規定的電位V r e f係爲從墊片領 域8 2 6所輸入之電位。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公疫1 「39- 530184 A7 B7_ 五、發明説明（ (利用本發明之液晶面板的電子機器之說明） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著說明將本發明之反射型液晶面板作爲顯示裝置來 使用之電子機器之例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 6係爲利用本發明之液晶面板之電子機器之一例 ，作爲燈泡而使用本發明之反射型液晶面板之投影機（投 射型顯示裝置）的要部以平面所看到之槪略構成圖。而此 圖1 6係爲針對通過光學要素7 5 0中心之XZ平面之剖 面圖。本例的投影機係由沿著系統光軸L的配置之光源部 700，積分電路透鏡720，偏光變換元件730而槪 略構成之偏光照明裝置7 0 0，使從偏光照明裝置7 0 0 所射出之S偏光光束，由S偏光光束反射面7 4 1反射之 偏光半透鏡7 4 0，從偏光半透鏡7 4 0之S偏光反射面 7 4 1的反射之光之中分離藍色光（B)成份之分射鏡 7 4 2將分離之藍色光（B )調製藍色光之反射型液晶燈 泡7 4 5 B，在分離藍色光之後的光束之中，使紅色光（ R )成份反射然後進行分離之分射鏡7 4 3，調製被分離 之紅色光（R )的反射型液晶燈泡7 4 5 R，調製透過分 射鏡之剩餘的綠色光（G )之反射型液晶燈泡7 4 5 G， 將在3個反射型液晶燈泡7 4 5 R，7 4 5 G，7 4 5 B 所調製的光在偏光半透鏡7 4 0進行合成，再將此合成光 投射在銀幕7 6 0之投射透鏡而成之投射光學系7 5 0而 構成。對於上述3個反射型液晶燈泡7 4 5 R，7 4 5 G ，7 4 5 B係各自利用表示在前述之圖1 5的液晶面板。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） :40- 530184 A7 B7 五、發明説明（細 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 從光源部7 1 0所射出之任意偏光光束係由積分電路 透鏡7 2 0分割成複數的中間光束之後，再由擁有第2積 分電路透鏡於光射入側之偏光變換元件7 3 0，偏光方向 則變換成大略一致之偏光光束（S偏光光束）之後，到達 偏光半透鏡。而從偏光變換元件7 3 0所射出之S偏光光 束係根據偏光半透鏡7 4 0之S偏光光束反射面7 4 1來 進行反射，而被反射的光束之中，藍色光（B )光束則在 分射鏡7 4 2之藍色光反射層進行反射，再由反射型液晶 燈泡7 4 5 B進行調製。另，透過分射鏡7 4 2之藍色光 反射層之光束之中，紅色光（R)光束係在分射鏡7 4 3 之紅色光反射層進行反射，再由反射型液晶燈泡進行調製 。另一方面，透過分射鏡7 4 3之紅色光反射層之綠色光 (G )光束係由反射型液晶燈泡7 4 5 G進行調製，如此 進行，由各自之反射型液晶燈泡7 4 5 R，7 4 5 G， 745B來完成色光之調製。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 成爲反射型液晶燈泡7 4 5 R，7 4 5 G，7 4 5 B 之反射型液晶面板採用T N型液晶（液晶分子之長軸在無 施加電壓時，略並行配向在面板基板之液晶）或S Η型液 晶（液晶分子的長軸在無施加電壓時，略垂直地配向在面 板基板之液晶）。 對於採用Τ Ν型液晶之情況係施加於夾合畫素之反射 電極與對向之基板之共通電極之間的電壓在液晶之稍有間 隔値電壓以下之畫素（〇F F畫素），所射入的光係由液 晶層來進行楕圓偏光，再由反射電極進行反射，再介由液 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） :41 - 530184 Α7 Β7 五、發明説明（羚 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 晶層作爲接近射入之色光的偏光軸大略偏向9 0度之的多 偏光成份之楕圓偏光之狀態的光來進行反射、射出。另一 方面，在施加電壓於液晶層之畫素（ON畫素），射入的 光則到達反射電極，再進行反射，然後與射入時相同的偏 光軸進行反射、射出。而因爲因應施加於反射電極之電壓 ，T N型液晶之液晶分子的配列角度產生變化，所以對於 射入光之反射光的偏光軸角度係介由畫素F E 丁，然後因 應施加於反射電極之電壓可進行變化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另，對於採用S Η型液晶之情況係液晶層之施加電壓 在液晶之稍有間隔値電壓以下之畫素（〇F F )，所射入 之色光則到達反射電極，再進行反射，然後再與射入時同 相之偏光軸進行反射、射出。另一方面，施加電壓於液晶 層之畫素（〇 Ν畫素），所射入之色光係在液晶層進行楕 圓偏光，再由反射電極進行反射，再介由液晶層，對於射 入光之偏光軸，偏光軸則作爲大略偏向成9 0 °之偏光軸 成份較多之楕圓偏光進行反射、射出。而與ΤΝ型液晶之 情況相同地，因爲因應施加於反射電極之電壓，Τ Ν型液 晶之液晶分子配列角度產生變化，所以對於射入光之反射 光的偏光軸係介由畫素之F Ε Τ，然後因應施加在反射電 極之電壓可進行變化。 從這些液晶面板之畫素所反射之色光之中，S偏光成 份係不透過反射S偏光之偏光半透鏡，而另一方面，Ρ偏 光成份係透過。根據透過此偏光透光鏡7 4 0來形成影像 。隨之，被投射之影像係利用Τ Ν型液晶之液晶面板之情 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -42- 530184 A 7 B7 五、發明説明（>〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 況，因0 F F畫素之反射光則到達投射光學系7 5 0，而 〇N畫素之反射光係不會到達透鏡，所以將正常地顯示成 白色，而利用S Η液晶之情況，〇 F F畫素之反射光係不 會到達投射光學系，而Ο Ν畫素之反射光係會到達投射光 學系7 5 0，所以將正常地顯示成黑色。 反射型液晶面板係因比較於形成T F Τ排列在玻璃基 板之有效矩陣型液晶面板，再到半導體技術來形成畫素， 所以可形成更多的畫素數，且因也可縮小面板之尺寸，所 以在投射高精細畫面之同時也可將投影機作成小型化。 如在圖1 5 ( A )之說明，液晶面板之週邊電路部係 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因由遮光膜所覆蓋，再與形成在對向基板之對向位置之共 通電極同時地施加相同的電位（例如：共通電極電位。但 ，對於不爲共通電極電位之情況，因成爲與畫素部之共通 電極不同之電位，所以此情況將成爲與畫素部之共通電極 分離之週邊對向電極），所以對於介在於兩者間之液晶係 大略施加0 V，而液晶係成爲與〇F F狀態相同之情況。 隨之，在Τ N型液晶之液晶面板係可配合正常地顯示成白 色，然後可將影像領域週邊全部表示成白色，而在S Η型 液晶之液晶面板係配合正常地顯示成黑色，然後可將影像 領域之週邊全部顯示成黑色。 當依照上述實施例時，施加在反射型液晶面板7 4 5 r，74 5G，74 5Β之各畫素電極之電壓在被充份地 維持之同時，因畫素電極之反射率非常高，所以可得到鮮 明之影像。 -43- 本纸張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 530184 A7 B7 五、發明説明（# 圖17 (A)係表不各自使用本發明之反射型液晶面 板之電子機器例的外觀圖。又，在這些電子機器之中，因 並不是作爲與偏光半透鏡同時使用之燈泡，而是作爲直視 型反射型液晶面板來使用，所以反射電極係並不需要完全 之鏡面，而對於爲了擴大視野角來說，反而希望附上適當 的凹凸，但這以外之構成要件係基本來說的燈泡的情況相 同。 圖1 7 ( a )係表示行動電話之斜視圖，1 〇 〇 〇係 表示行動電話主體，其中的1 0 0 1係利用本發明之反射 型液面板之液晶顯示部。 圖17 (b)係表示手錶型電子機器，11 〇〇係表 示手錶主體之斜視圖，1 1 0 1係利用本發明之反射型液 晶面板之液晶顯示部，而此液晶面板係因比較於以往手錶 顯示部有著高精細畫素，所以也可顯示電視影像，而實現 手錶型電視。 圖1 7 ( C )係表示文書處理機，電腦等攜帶型資訊 處理裝置圖，1200係表示資訊處理裝置，1202係 鍵盤等輸入部，1 2 0 6係利用本發明之反射型液晶面板 之顯示部，1204係表示資訊處理裝置主體。各種電子 機器係因由電池來驅動，所以如使用不能維持光源燈泡之 反射型液晶面板，則可延長電池壽命。另，如本發明，因 可內藏週邊電路在面板基板，所以可大幅削減構件數量， 進而可更進行輕量化，小型化。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -44 - 530184 A7 B7 五、發明説明（淞 〔發明之效果〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如根據擁以上構成之本發明，設置在反射型液晶面板 之各晝素的維持容量係針對各畫素之領域，可在除了反射 電極與源極或汲極電極之接續處之剩餘領域內配設廣大面 積，進而在每個畫素內可確保充份的維持容量値。即，因 爲可將大略接近畫素領域之面積使用在維持容量，進而得 到較大的維持容量，所以可安定地施加電壓於反射電極。 〔圖面之簡單說明〕 〔圖1〕 （ A )係表示適用本發明之反射型液晶面板 之反射電極側基板之畫素領域第1實施例剖面圖，（B ) 係表示適用本發明之反射型液晶面板之等價電路構成圖。 〔圖2〕 （ A )係以往反射型液晶面板之反射電極側 基板之畫素領域剖面圖，（B )係以往反射型液晶面板之 反射電極側基板之畫素領域平面圖。 〔圖3〕表示適用本發明之反射型液晶面板之反射電 極側基板之畫素領域第1實施例平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔圖4〕表示根據以往反射型液晶面板之畫素尺寸的 維持容量變動圖表。 〔圖5〕表示根據以往反射型液晶面板之畫素尺寸的 維持容量變動圖表。 〔圖6〕表示根據適用本發明之反射型液晶面板之畫 素尺寸的維持容量變動，而維持容量的絕緣膜爲S i 0 2 ( ε = 3 · 9)時之圖表。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -45- 一 530184 A7 B7 五、發明説明（妗 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔圖7〕表示根據適用本發明之反射型液晶面板之畫 素尺寸的維持容量變動，而維持容量的絕緣膜爲S i N ( ε = 6 . 5)時之圖表。 〔圖8〕表示根據適用本發明之反射型液晶面板之畫 素尺寸的維持容量變動，而維持容量的絕緣膜爲T a〇X (ε二27 · 6)時之圖表。 〔圖9〕表示針對適用本發明之反射型液晶面板之各 畫素尺寸，對於絕緣膜膜厚之維持容量變動，而維持容量 的絕緣膜爲S i〇2 ( ε = 3 . 9 )時之圖表。 〔圖1 0〕表示針對適用本發明之反射型液晶面板之 各畫素尺寸，對於絕緣膜膜厚之維持容量的變動，而維持 容量之絕緣膜爲S i Ν ( ε = 6 . 5)時之圖表。 〔圖1 1〕表示針對適用本發明之反射型液晶面板之 各畫素尺寸，對於絕緣膜膜厚之維持容量的變動，而維持 容量之絕緣膜爲Ta〇x (ε = 27 . 6)時之圖表。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔圖1 2〕表示施加在成爲適用本發明之反射型液晶 面板之各畫素切換元件之F Ε Τ控制電極之掃描信號波形 及，施加在資料線之資料信號波形例之波形圖。 〔圖1 3〕表示針對適用本發明之反射型液晶面板之 反射電極側基板之晝素領域之第2實施例剖面圖。 〔圖1 4〕表示適用本發明之反射型液晶面板之反射 電極側基板之晝素領域之第2實施例平面圖。 〔圖1 5〕 （ A )係表示實施例之反射型液晶面板之 反射電極側基板之配置構成例平面圖。（B )係表示適用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -46: ' 530184 A7 B7 五、發明説明（知 實施例之液晶面板用基板之反射型液晶面板之一例剖面圖 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔圖1 6〕將實施例之反射型液晶面板作爲燈泡來應 用之投射型顯示裝置之槪略構成圖。 〔圖1 7〕利用實施例之反射型液晶面板的行動電話 (a )，手錶型電視（b )，電腦（c )之外觀。 〔圖1 8〕表示適用本發明之反射型液晶面板之反射 電極側基板之畫素領域之第3實施例剖面圖。 〔符號之說明〕 10 1 半導體基板，1 0 2 凹陷領域， 10 3 掃描場氧化膜，1 0 5 掃描線， 1 0 6 a，1 0 6 b 源極、汲極領域， 1 0 7 a，1 0 7 b 第1導電層（源極汲極電極）， 10 8 第1層間絕緣膜， 109 第2導電層（中間導電層）， 110 第2層間絕緣膜，1 1 1 接續插頭， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 112 第3導電層（反射電極），201 半導體基板 ，2 0 2 凹陷領域，2 0 3 掃描場氧化膜， 2 0 4 選通絕緣膜，2 0 5 a 控制電極， 205b 控制電極同一層而形成之聚矽或金屬矽化物層 ，2 0 6 a，2 0 6 b 源極、汲極領域， 207a，207b 第1導電層（源極、汲極電極）， 2 0 8 第1層間絕緣膜，2 0 9 第2導電層， 2 10 第2層間絕緣膜，2 1 1 接續插頭， -47- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 530184 A7 B7 ---—_____ 五、發明説明（奸 2 1 2 第3導電層（畫素電極），601 半導體基板 ，6 〇 2 凹陷領域，6 0 3 掃描場氧化膜， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 0 5 掃描線，6 0 6 a，6 0 6 b 源極、汲極領域 ，6〇7a ，607b 第1導電層（源極、汲極電極） ’6〇8 第1層間絕緣膜’ 6 0 9 第2導電層（中間導電層）， 6 1 〇 第2層間絕緣膜，6 1 1 接續插頭， 6 1 2 第3導電層（反射電極）， 8 0 1 半導體基板，820 畫素領域， 8 2 1 資料線驅動電路，8 2 2 掃描線驅動電路， 823 輸入電路，824 同步控制電路， 8 2 5 遮光膜（第3導電層），826 墊片領域， 8 3 1 液晶面板基板，8 3 2 支撐基板， 912 第3導電層（反射電極）， 9 2 5 遮光膜（第3導電層），926 墊片領域， 9 3 0 液晶面板，9 3 1 液晶面板基板， 932 支撐基板，933 對向電極， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 3 5 射入側之玻璃基板，9 3 6 絕緣材， 9 3 7 液晶，1 3 0 1 支撐基板，1 3 0 3 絕緣膜 ’1 3 0 4 b 絕緣膜，1 3 0 5 控制電極， 1 3 0 6 a 源極領域，1 3 0 6 b 汲極領域， 1 3 0 7 a 源極電極，1 3 0 8 絕緣膜， 1 3 0 9 中間導電層，1 3 1 0 絕緣膜， 1311 接續插頭，1312 畫素電極。 -48- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210X297公釐）

Claims (1)

  1. 530184 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 和對應於前述各反射電極配置於前述反射電極之下方 ，擁有源極電極和汲極電極的同時，於前述各射電極供給 電壓的複數之電晶體， 和電氣連接於前述反射電極，蓄積電荷之複數之保持 容量； 前述保持容量係經由前述反射電極，和配置於前述電 晶體之源極電極及汲極電極間的中間導電層，和前述反射 電極，和配置於前述中間導電層和前述反射電極間的絕緣 膜所構成； 前述中間導電層係亦於鄰接配置之前述複數之反凡山 射電極間之下方，連續地加以配置之金屬層中，做爲構成 前述複數之保持容量的一方之電極，被共通化使用，於形 成前述複數之反射電極的畫素範圍之周邊，連接於爲供給 所定之電位的配線層， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 設於前述反射電極之下方的前述中間導電層之未形成 部分，且藉由與前述中間導電層電氣性絕緣之連接部，電 氣連接前述反射電極和前述電晶體之源極電極及汲極電極 之一方， 前述絕緣膜係形成於表面平坦化之前述中間導電層上 的氮化矽所成，該膜厚爲1 〇 8 0 0. A以下者。 3 ' —種液晶面板用基板，其特徵係具有 於基板上配置成爲矩陣狀之複數之反射電極， 和對應於前述各反射電極配置於前述反射電極之下方 ’擁有源極電極和汲極電極的同時，於前述各射電極供給 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -50 - 530184 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 電壓的複數之電晶體， 和電氣連接於前述反射電極，蓄積電荷之複數之保持 容量 ； 前述保持容量係經由前述反射電極’和配置於前述電 晶體之源極電極及汲極電極間的中間導電層’和前述反射 電極，和配置於前述中間導電層和前述反射電極間的絕緣 膜所構成； 前述中間導電層係亦於鄰接配置之前述複數之反凡山 射電極間之下方，連續地加以配置之金屬層中’做爲構成 前述複數之保持容量的一方之電極，被共通化使用’於形 成前述複數之反射電極的畫素範圍之周邊，連接於爲供給 所定之電位的配線層， 設於前述反射電極之下方的前述中間導電層之未形成 部分，且藉由與前述中間導電層電氣性絕緣之連接部，電 氣連接前述反射電極和前述電晶體之源極電極及汲極電極 之一方， 前述絕緣膜係形成於表面平坦化之前述中間導電層上 的氧化鉅所成，該膜厚爲4 6 0 0 0 A以下者。 4、 如申請專利範圍第3項之液晶面板用基板，其中 ，將前述中間導電層經由鉅所形成.，前述絕緣膜係陽極氧 化前述鉅加以形成者。 5、 一種液晶面板，屬於液晶面板用基板和透明羞基 板具有間隙加以配置的同時，於前述液晶面板用基板和前 述透明基板之間隙內，挾持液晶構成之液晶面板中，其特 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -51 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *1T- d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 530184 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 徵係具有 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於前述液晶面板基板上配置成爲矩陣狀之複數之反射 電極， 和對應於前述各反射電極配置於前述反射電極之下方 ，擁有源極電極和汲極電極的同時，於前述各射電極供給 電壓的複數之電晶體， 和電氣連接於前述反射電極，蓄積電荷之複數之保持 容量； 前述保持容量係經由前述反射電極，和配置於前述電 晶體之源極電極及汲極電極間的中間導電層，和前述反射 電極，和配置於前述中間導電層和前述反射電極間的絕緣 膜所構成； 前述中間導電層係亦於鄰接配置之前述複數之反凡山 射電極間之下方，連續地加以配置之金屬層中，做爲構成 前述複數之保持容量的一方之電極，被共通化使用，於形 成前述複數之反射電極的畫素範圍之周邊，連接於爲供給 所定之電位的配線層， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 設於前述反射電極之下方的前述中間導電層之未形成 部分，且藉由與前述中間導電層電氣性絕緣之連接部，電 氣連接前述反射電極和前述電晶體之源極電極及汲極電極 之一方， 前述絕緣膜係形成於表面平坦化之前述中間導電層上 的二氧化矽所成，該膜厚爲6 5 0 0 A以下者。· 6 ' —種液晶面板，屬於液晶面板用基板和透明羞基 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS)八4規格（21〇><297公釐） -52 - 530184 A8 B8 C8 D8 &、申請專利範圍 5 板具有間隙加以配置的同時，於前述液晶面板用基板和前 述透明基板之間隙內.，挾持液晶構成之液晶面板中，其特 徵係具有 於前述液晶面板基板上配置成爲矩陣狀之複數之反射 電極， 和對應於前述各反射電極配置於前述反射電極之下方 ’擁有源極電極和汲極電極的同時，於前述各射電極供給 電壓的複數之電晶體， 和電氣連接於前述反射電極，蓄積電荷之複數之保持 容量； 前述保持容量係經由前述反射電極，和配置於前述電 晶體之源極電極及汲極電極間的中間導電層，和前述反射 電極，和配置於前述中間導電層和前述反射電極間的絕緣 膜所構成； 前述中間導電層係亦於鄰接配置之前述複數之反凡山 射電極間之下方，連續地加以配置之金屬層中，做爲構成 前述複數之保持容量的一方之電極，被共通化使用，於形 成前述複數之反射電極的畫素範圍之周邊，連接於爲供給 所定之電位的配線層， 設於前述反射電極之下方的前述中間導電層之未形成 部分，且藉由與前述中間導電層電氣性絕緣之連接部，電 氣連接前述反射電極和前述電晶體之源極電極及汲極電極 之一方， · 前述絕緣膜係形成於表面平坦化之前述中間導電層上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -53 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 530184 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 6 的氮化矽所成，該膜厚爲1 0 8 0 0 A以下者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 7、一種液晶面板，屬於液晶面板用基板和透明羞基 板具有間隙加以配置的同時，於前述液晶面板用基板和前 述透明基板之間隙內，挾持液晶構成之液晶面板中，其特 徵係具有 於前述液晶面板基板上配置成爲矩陣狀之複數之反射 電極， 和對應於前述各反射電極配置於前述反射電極之下方 ，擁有源極電極和汲極電極的同時，於前述各射電極供給 電壓的複數之電晶體， 和電氣連接於前述反射電極，蓄積電荷之複數之保持 容量； 前述保持容量係經由前述反射電極，和配置於前述電 晶體之源極電極及汲極電極間的中間導電層，和前述反射 電極，和配置於前述中間導電層和前述反射電極間的絕緣 膜所構成； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 前述中間導電層係亦於鄰接配置之前述複數之反凡山 射電極間之下方，連續地加以配置之金屬層中，做爲構成 前述複數之保持容量的一方之電極，被共通化使用，於形 成前述複數之反射電極的畫素範圍之周邊，連接於爲供給 所定之電位的配線層， 設於前述反射電極之下方的前述中間導電層之未形成 部分，且藉由與前述中間導電層電氣性絕緣之連接部，電 氣連接前述反射電極和前述電晶體之源極電極及汲極電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -54 - ： 530184 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 7 之~方， 前述絕緣膜係形成於表面平坦化之前述中間導電層上 的氧化鉅所成，該膜厚爲4 6 0 0 0 A以下者。 8、如申請專利範圍第7項之液晶面板，其中，將前 述中間導電層經由鉅所形成，前述絕緣膜係陽極氧化前述 組加以形成者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -55 -
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