JPH02230126A - 反射型液晶表示デバイス - Google Patents
反射型液晶表示デバイスInfo
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- JPH02230126A JPH02230126A JP1050427A JP5042789A JPH02230126A JP H02230126 A JPH02230126 A JP H02230126A JP 1050427 A JP1050427 A JP 1050427A JP 5042789 A JP5042789 A JP 5042789A JP H02230126 A JPH02230126 A JP H02230126A
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- display device
- crystal display
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Landscapes
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プロジェクシゴン表示デバイスに利用するア
クティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスに関する
ものである。
クティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスに関する
ものである。
従来の技術
近年、アクティブ素子を利用した液晶表示デバイスはポ
ケットテレビまたは情報端末として利用されるようにな
ってきた。
ケットテレビまたは情報端末として利用されるようにな
ってきた。
以下に従来の反射型液晶表示デバイスについて説明する
。
。
第２図は従来の反射型液晶表示デバイスの断面図であり
、１は絶縁基板、２は配線電極、３はスイッチング素子
、４は絶縁体層、５は反射画素電極、６は液晶層、７は
対向共通電極、８は対向透明基板、９はブラックマトリ
ックスである。
、１は絶縁基板、２は配線電極、３はスイッチング素子
、４は絶縁体層、５は反射画素電極、６は液晶層、７は
対向共通電極、８は対向透明基板、９はブラックマトリ
ックスである。
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスについ
て、以下その動作について説明する。
て、以下その動作について説明する。
まず、スイッチング素子３がオン状態になると反射画素
電極５に電流が流れる。これにより、反射画素電極５と
対向共通電極７に挟まれた液晶層６に電圧が印加され、
液晶が動作する。このとき、表示を見やすくするための
光は対向透明電極側から照射され、反射画素電極５で入
射光は反射される。ここで、光は液晶層６を通る際に偏
光され、偏光されなかった画素との間にコントラストの
差が生じ、画像が得られる。対向透明電極基板８上のブ
ラックマトリックス９は反射画素電極５部分以外で生じ
る色むらを隠すためのものである。
電極５に電流が流れる。これにより、反射画素電極５と
対向共通電極７に挟まれた液晶層６に電圧が印加され、
液晶が動作する。このとき、表示を見やすくするための
光は対向透明電極側から照射され、反射画素電極５で入
射光は反射される。ここで、光は液晶層６を通る際に偏
光され、偏光されなかった画素との間にコントラストの
差が生じ、画像が得られる。対向透明電極基板８上のブ
ラックマトリックス９は反射画素電極５部分以外で生じ
る色むらを隠すためのものである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構成では、光が液晶層側から
反射電極間の絶縁層を通ってＴＰＴ内部に進入するため
、スイッチング素子に光が作用して、スイッチング素子
を構成する半導体層の電気抵抗を減少させる（光伝導）
。これにより画素電極と対向共通電極とに蓄えられた電
荷がスイッチング素子を通して漏れ、結果的に液晶の配
向が変化してコントラストの低下をもたらすという欠点
を有していた。
反射電極間の絶縁層を通ってＴＰＴ内部に進入するため
、スイッチング素子に光が作用して、スイッチング素子
を構成する半導体層の電気抵抗を減少させる（光伝導）
。これにより画素電極と対向共通電極とに蓄えられた電
荷がスイッチング素子を通して漏れ、結果的に液晶の配
向が変化してコントラストの低下をもたらすという欠点
を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するものでディスプレ
イ画面のコントラスト低下を解消するとともにブラック
マトリックスが同時に形成することができ、工程の簡略
化も実現することのできる反射型液晶表示デバイスを提
供することを目的とする。
イ画面のコントラスト低下を解消するとともにブラック
マトリックスが同時に形成することができ、工程の簡略
化も実現することのできる反射型液晶表示デバイスを提
供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の反射型液晶表示デバ
イスは、反射画素電極とこれに接続されたスイッチング
素子との中間層に設けられた光吸収係数の高い、不透明
な絶縁物から構成されている。
イスは、反射画素電極とこれに接続されたスイッチング
素子との中間層に設けられた光吸収係数の高い、不透明
な絶縁物から構成されている。
作用
この構成によって、入射光及び反射光が反射電極間の絶
縁層からアレイ内部に進入することを防ぎ、スイッチン
グ素子の光伝導が原因となる漏れ電流を防ぐことができ
る。
縁層からアレイ内部に進入することを防ぎ、スイッチン
グ素子の光伝導が原因となる漏れ電流を防ぐことができ
る。
実施例
以下本発明の一実施例の反射型液晶表示デバイスについ
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスの断面構造を示すものである。第１図において、１
１は絶縁基板としてガラス基板、ｌ２は配線電極、１３
はスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、Ｔ
ＰＴという）および補助容量、１４は黒色絶縁体として
、スパッタにより形成されたＰ ｒＭｎｏｓ 、１５は
反射画素電極、ｌ６は液晶層、１７は対向共通電極とし
て、スバッタにより成膜されたＩＴＯであり、１８は対
向透明基板としてガラス基板である。
イスの断面構造を示すものである。第１図において、１
１は絶縁基板としてガラス基板、ｌ２は配線電極、１３
はスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、Ｔ
ＰＴという）および補助容量、１４は黒色絶縁体として
、スパッタにより形成されたＰ ｒＭｎｏｓ 、１５は
反射画素電極、ｌ６は液晶層、１７は対向共通電極とし
て、スバッタにより成膜されたＩＴＯであり、１８は対
向透明基板としてガラス基板である。
さらに、補助容量は配線電極ｌ２上に形成されている。
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスについ
て、その動作は従来例の動作と同様である。
て、その動作は従来例の動作と同様である。
以上のように本実施例によれば、反射画素電極とスイッ
チング素子の中間層に黒色絶縁体ＰｒＭｎ０３で形成す
るにより、光のＴＰＴ側内部八の進入を抑えることがで
き、スイッチング素子の光伝導による漏れ電流を防ぐこ
とができる。
チング素子の中間層に黒色絶縁体ＰｒＭｎ０３で形成す
るにより、光のＴＰＴ側内部八の進入を抑えることがで
き、スイッチング素子の光伝導による漏れ電流を防ぐこ
とができる。
また、黒色絶縁体をＴＦＴ側基板の反射画素電極間に形
成することにより、対向透明基板上にブラックマトリッ
クスの形成工程が削減でき、ＴＦＴ側基板と対向透明基
板とのアライメントが不用となり、製造工程の簡略化が
図れる。
成することにより、対向透明基板上にブラックマトリッ
クスの形成工程が削減でき、ＴＦＴ側基板と対向透明基
板とのアライメントが不用となり、製造工程の簡略化が
図れる。
なお、黒色絶縁体としてＰｒＭｎＯｓという酸化物を用
いたが、光吸収が高く、絶縁性のよい有機物でもよい。
いたが、光吸収が高く、絶縁性のよい有機物でもよい。
発明の効果
以上のように本発明は反射型液晶表示デバイスにおいて
、反射画素電極とこれに接続されたスイッチング素子と
の中間層に光吸収係数の高い、不透明な絶縁物を設ける
ことにより、液晶層側からの光が絶縁層を通ってアレイ
内部へ進入することを防ぎ、スイッチング素子が光伝導
により抵抗が下がることによる漏れ電流を防ぐことがで
きる．更に、対向透明基板側に形成していたブラックマ
トリックスを不要にすることができ、製造工程の簡略化
に大きく貢献し、生産のコストを低減できるなど、数々
の優れた効果を得ることのできる反射型液晶表示デバイ
スを実現できるものである。
、反射画素電極とこれに接続されたスイッチング素子と
の中間層に光吸収係数の高い、不透明な絶縁物を設ける
ことにより、液晶層側からの光が絶縁層を通ってアレイ
内部へ進入することを防ぎ、スイッチング素子が光伝導
により抵抗が下がることによる漏れ電流を防ぐことがで
きる．更に、対向透明基板側に形成していたブラックマ
トリックスを不要にすることができ、製造工程の簡略化
に大きく貢献し、生産のコストを低減できるなど、数々
の優れた効果を得ることのできる反射型液晶表示デバイ
スを実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスの断面図、第２図は従来の反射型液晶表示デバイス
を示す断面図である。 ＩＩ・・・・・・ガラス基板、ｌ２・・・・・・配線電
極、１３・・・・・・ＴＦＴ，１４・・・・・・ＰｒＭ
ｎｏ＊ 、１５・・・・・・反射画素電極、１６・・・
・・・液晶層、１７・・・・・・対向共通電極、１８・
・・・・・対向ガラス基板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名／／， ｔ
８−，２ｙ−ラスＪ［ ｌ２・一丁線電兆 ！３一 丁ＦＴｋよひ楕一助界１ １４−Ｆ ｒ Ｍ−ｙｔ ０３ ｌ５・一反Ｍ画桑覧極 ｌ６−・液＆１
イスの断面図、第２図は従来の反射型液晶表示デバイス
を示す断面図である。 ＩＩ・・・・・・ガラス基板、ｌ２・・・・・・配線電
極、１３・・・・・・ＴＦＴ，１４・・・・・・ＰｒＭ
ｎｏ＊ 、１５・・・・・・反射画素電極、１６・・・
・・・液晶層、１７・・・・・・対向共通電極、１８・
・・・・・対向ガラス基板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名／／， ｔ
８−，２ｙ−ラスＪ［ ｌ２・一丁線電兆 ！３一 丁ＦＴｋよひ楕一助界１ １４−Ｆ ｒ Ｍ−ｙｔ ０３ ｌ５・一反Ｍ画桑覧極 ｌ６−・液＆１
Claims (4)
- （１）液晶を表示させるためにマトリックス上に配列さ
れている反射画素電極群と、前記画素電極に信号を供給
するためのスイッチング素子群とを具備した基板と、液
晶を介して一定の間隔を有して前記基板と対向し、共通
電極を有している基板とで構成されており、前記反射画
素電極とこれに接続されたスイッチング素子との中間層
に光吸収係数の高い、不透明な絶縁物とを備えたことを
特徴とする反射型液晶表示デバイス。 - （２）スイッチング素子が薄膜トランジスタ、ダイオー
ド、非線形スイッチング素子で形成されていることを特
徴とする請求項（１）記載の反射型液晶表示デバイス。 - （３）スイッチング素子が各画素に複数形成されている
ことを特徴とする請求項（２）記載の反射型液晶表示デ
バイス。 - （４）反射画素電極群の各表示画素に補助容量が形成さ
れていることを特徴とする請求項（１）記載の反射型液
晶表示デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5042789A JPH0752266B2 (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | 反射型液晶表示デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5042789A JPH0752266B2 (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | 反射型液晶表示デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230126A true JPH02230126A (ja) | 1990-09-12 |
| JPH0752266B2 JPH0752266B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=12858571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5042789A Expired - Fee Related JPH0752266B2 (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | 反射型液晶表示デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752266B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04322219A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ブラックマトリクスとその製法 |
| WO1997043781A3 (en) * | 1996-05-14 | 1998-02-26 | Micron Display Tech Inc | Praseodymium-manganese oxide layer for use in field emission displays |
| US6413577B1 (en) | 1996-05-14 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Process for operating a field emission display with a layer of praseodymium-manganese oxide material |
| US6747718B2 (en) | 2000-01-21 | 2004-06-08 | Nec Corporation | Reflection-type liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| US6784957B2 (en) | 2000-01-14 | 2004-08-31 | Nec Corporation | Liquid crystal display apparatus with protective insulating film for switching element and production method thereof |
| KR100548793B1 (ko) * | 1997-02-06 | 2006-03-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반사형표시장치및전자장치 |
-
1989
- 1989-03-02 JP JP5042789A patent/JPH0752266B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04322219A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ブラックマトリクスとその製法 |
| WO1997043781A3 (en) * | 1996-05-14 | 1998-02-26 | Micron Display Tech Inc | Praseodymium-manganese oxide layer for use in field emission displays |
| US6413577B1 (en) | 1996-05-14 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Process for operating a field emission display with a layer of praseodymium-manganese oxide material |
| KR100548793B1 (ko) * | 1997-02-06 | 2006-03-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반사형표시장치및전자장치 |
| US7176993B2 (en) | 1997-02-06 | 2007-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reflection type display device using a light shading film with a light shading material evenly dispersed throughout |
| US6784957B2 (en) | 2000-01-14 | 2004-08-31 | Nec Corporation | Liquid crystal display apparatus with protective insulating film for switching element and production method thereof |
| US7705945B2 (en) | 2000-01-14 | 2010-04-27 | Nec Corporation | Method of producing a reflective liquid crystal display |
| US6747718B2 (en) | 2000-01-21 | 2004-06-08 | Nec Corporation | Reflection-type liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| US7215394B2 (en) | 2000-01-21 | 2007-05-08 | Nec Corporation | Reflection-type liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| US7450198B2 (en) | 2000-01-21 | 2008-11-11 | Nec Corporation | Reflection-type liquid crystal display and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0752266B2 (ja) | 1995-06-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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