CN101226313B - 显示屏板 - Google Patents

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Abstract

一种显示屏板包括具有形成于其上的像素薄膜晶体管的第一基板和与所述第一基板相对的第二基板。所述第一基板还包括:具有其中形成像素薄膜晶体管的显示区和包围所述显示区的非显示区的第一绝缘基板;形成于所述显示区内并电连接到所述像素薄膜晶体管的栅极线;包括驱动薄膜晶体管的驱动部分,其位于所述非显示区内,用于驱动所述像素薄膜晶体管;以及形成于所述驱动部分的***区域内的虚设半导体层。

Description

显示屏板
技术领域
本发明总体上涉及显示屏板,更具体而言,涉及直接在其基板上形成栅极驱动部分的显示屏板。
背景技术
液晶显示装置(LCD)通常包括显示屏板和背光单元。显示屏板包括在其上形成多个薄膜晶体管(TFT)的第一基板、与所述第一基板相对的第二基板以及位于所述第一和第二基板之间的液晶材料层。由于显示屏板自身不发光,因此其从位于所述第一基板的背面的背光单元接收形成图像所需的光。
在第一基板上形成栅极线、数据线以及分别连接至栅极线和数据线中的相关线路的TFT。将成像像素连接至相应的TFT,采用所述TFT以独立于其他像素的方式控制每一像素。
分别需要栅极驱动部分和数据驱动部分驱动栅极线和数据线。当前,为了降低驱动部分的成本,直接在第一基板上形成栅极驱动部分。
形成于所述第一基板上的栅极驱动部分包括多个TFT。TFT的功能特性会响应于其上的入射光而改变,如果TFT的功能特性发生变化,其可能在栅极线的驱动中导致不稳定性问题。
发明内容
根据文中公开的示范性实施例,提供了包括一种机构的显示屏板,该机构用于确保显示屏板的栅极线不遭受上述不稳定性问题,并相应地确保显示屏板得到稳定驱动。
根据本发明的实施例,一种显示屏板包括:第一基板,其具有其中形成像素薄膜晶体管的显示区和围绕所述显示区的非显示区;栅极线,其形成于所述显示区内,并电连接到所述像素薄膜晶体管;包括驱动薄膜晶体管的驱动部分,其位于所述非显示区内,用于驱动所述像素薄膜晶体管;以及虚设(dummy)半导体层,其形成于所述驱动部分的***区域内;以及与所述第一基板相对的第二基板。
根据本发明的实施例,所述驱动部分包括连接至所述栅极线,并驱动所述栅极线的栅极驱动部分。
根据本发明的实施例,所述虚设半导体层的至少一部分形成于所述栅极驱动部分和所述显示区之间。
根据本发明的实施例,所述虚设半导体层还形成于所述栅极驱动部分和所述第一基板的边缘之间。
根据本发明的实施例,所述虚设半导体层和所述栅极线相互隔开。
根据本发明的实施例,所述第二基板包括形成于所述显示区内的内部黑矩阵和形成于所述非显示区内的外侧黑矩阵;并且所述栅极驱动部分位于所述外侧黑矩阵的区域内。
根据本发明的实施例,所述外侧黑矩阵包括有机材料;并且所述第二基板还包括公共电极,所述公共电极具有对应于所述显示区形成的至少一部分和对应于所述栅极驱动部分形成并且与所述栅极驱动部分相对设置的开口,所述公共电极与所述外侧黑矩阵部分重叠。
根据本发明的实施例,所述栅极驱动部分包括设置在所述第一基板的相对侧上的第一和第二栅极驱动部分,所述显示区插置于其间;并且所述栅极线与所述第一和第二栅极驱动部分交替连接。
根据本发明的实施例,所述第一基板还包括:跨越所述栅极线并电连接到所述像素薄膜晶体管的数据线;以及电连接到所述像素薄膜晶体管的像素电极,其中,所述像素电极包括界定一个像素的第一、第二和第三像素电极,并且所述第一、第二和第三像素电极分别连接至不同的栅极线。
根据本发明的实施例,所述第一、第二和第三像素电极中的两个被连接至同一数据线,并与所述栅极线沿相同的方向延伸。
根据本发明的实施例,顺次驱动所述第一、第二和第三像素电极。
根据本发明的实施例,所述虚设半导体层的至少一部分形成于所述栅极驱动部分的外侧部分内。
根据本发明的实施例,所述第二基板包括:形成于所述显示区内的内部黑矩阵;以及形成于所述非显示区内的外侧黑矩阵,并且其中所述栅极驱动部分位于所述外侧黑矩阵的区域内。
根据本发明的实施例,所述外侧黑矩阵包括有机材料;并且所述第二基板还包括公共电极,所述公共电极具有对应于所述显示区形成的至少一部分和对应于所述栅极驱动部分形成并且与所述栅极驱动部分相对设置的开口,所述公共电极与所述外侧黑矩阵部分重叠。
根据本发明的实施例,一种显示屏板,包括:第一基板,其包括像素薄膜晶体管;以及与所述第一基板相对的第二基板,所述第一基板还包括:第一绝缘基板,其包括其中形成像素薄膜晶体管的显示区和包围所述显示区的非显示区;栅极线,其形成于所述显示区内,并电连接到所述像素薄膜晶体管;以及包括驱动薄膜晶体管的驱动部分,其位于所述非显示区内,用于驱动所述像素薄膜晶体管,并且所述第二基板包括:对应于所述非显示区形成的外侧黑矩阵;以及公共电极,所述公共电极的至少一部分是对应于所述显示区形成的,并且所述公共电极具有对应于所述驱动部分形成并且与所述驱动部分相对设置的开口,所述公共电极与所述外侧黑矩阵部分重叠。
根据本发明的实施例,所述驱动部分包括连接至所述栅极线并驱动所述栅极线的栅极驱动部分。
根据本发明的实施例,所述外侧黑矩阵包括有机材料。
根据本发明的实施例,所述栅极驱动部分位于所述外侧黑矩阵的区域内。
根据本发明的实施例,所述第一基板还包括形成于所述栅极驱动部分的***区域内的虚设半导体层。
根据本发明的实施例,所述虚设半导体层的至少一部分形成于所述栅极驱动部分和所述显示区之间。
考虑下文中对本发明的某些示范性实施例的详细说明,尤其是将这样的考虑与附图相结合,能够更好地理解本发明的显示屏板的上述和很多其他特征和优点,在附图中,采用类似的附图标记标识一幅或多幅附图中的类似元件。
附图说明
图1和图2是根据本发明的LCD的第一示范性实施例的局部示意性顶视平面图;
图3是图1中的虚线圈定的部分“A”的放大平面图;
图4是沿图1中的LCD的剖面线IV-IV观察的图1的LCD的截面图;
图5是图3中的虚线圈定的部分“B”的放大平面图;
图6是图4中的虚线圈定的部分“C”的放大正视图;
图7A到7E是示出了用于制造第一示范性LCD的方法的顺序步骤的局部截面图;
图8是根据本发明的LCD的第二示范性实施例的局部示意性平面图;
图9是根据本发明的LCD的第三示范性实施例的局部截面图;
图10是根据本发明的LCD的第四示范性实施例的局部截面图;
图11是根据本发明的LCD的第五示范性实施例的局部示意性顶视平面图;
图12是示出了第五示范性LCD的驱动的示意图;以及
图13是第五示范性LCD的局部截面图。
具体实施方式
尽管将对分别作为显示装置和显示屏板的例子的LCD和LCD屏板予以说明,但是可以将本发明应用于其他显示屏板,例如,有机发光二极管(OLED)屏板和电泳显示(EPD)屏板。
在下文中将参考图1到6说明根据本发明的LCD的第一示范性实施例,其中,图1示出了未示出其柔性构件500和相关电路基板600的装置的示范性第一基板100,图2示出了所述装置的通过柔性构件500互连至基板100的电路基板600。
如图4所示,第一示范性LCD包括其上形成了多个像素薄膜晶体管(Tp)的第一基板100、面对所述第一基板100的第二基板200、使所述第一基板100和第二基板200在其边缘处接合到一起的密封剂300、通过密封剂300密封于所述第一和第二基板100和200之间的液晶材料层400以及位于所述第一基板100之下的一个或多个光源700。
如图2所示,将柔性构件500连接于第一基板100和电路基板600之间。尽管图1和图2中未示出,但是所述LCD还可以包括位于所述第一基板100和光源700之间的光学构件。所述光学构件可以包括棱镜膜、漫射板、漫射片、反射偏振膜或保护膜。
将所述第一示范性基板100划分为显示区和围绕所述显示区的非显示区。首先将参考图1到图6描述所述显示区。
在第一绝缘基板111上形成栅极线路图案。栅极线路(gate wiring)可以由单层或多层金属形成。栅极线路包括在图中总体上横向延伸的栅极线121和从所述栅极线121分支出来的栅电极122。尽管在图中未示出,但是所述栅极线路还可以包括与所述像素电极161重叠以形成各像素电压存储电容器的存储电极线。
形成由(例如)氮化硅(SiNx)等构成的栅极绝缘膜131,以覆盖栅极线路。在栅电极122的栅极绝缘膜131上形成由非晶硅构成的半导体层132,并在半导体层132上形成包括(例如)采用n型杂质重掺杂的硅化物或n+氢化非晶硅的欧姆接触层133。将欧姆接触层133分离成两个部分。
在所述欧姆接触层133和栅极绝缘膜131上形成数据线路。所述数据线路也可以由单层或多层金属形成。所述数据线路包括数据线141,其在图中基本沿纵向延伸从而基本上与栅极线121垂直相交,但是其通过栅极绝缘膜131与所述栅极线电绝缘。所述数据线包括从数据线141分支出来并且在欧姆接触层133之上延伸的源电极142以及与相关的源电极142分离且在欧姆接触层133之上延伸的漏电极143。
在数据线路和未受数据线路覆盖的半导体层132上形成由(例如)氮化硅等构成的钝化膜151。在钝化膜151内形成通过其暴露相应的漏电极143的接触孔152。
在钝化膜151上形成多个像素电极161。像素电极161由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料构成。每一像素电极161通过对应的接触孔152与对应的像素薄膜晶体管(Tp)连接。
参考图1到图6,第一示范性基板100的非显示区的结构如下。
参考图1,在位于显示区的左侧的基板的非显示区内形成用于驱动栅极线121的栅极驱动部分123。在形成像素薄膜晶体管(Tp)的同时形成栅极驱动部分123。
参考图2和3,栅极驱动部分123通过柔性构件500、焊盘部分125和栅极连接线路124从电路基板600接收栅极驱动信号。所述驱动信号中除了其它信号外还尤其包括作为栅极导通电压的第一时钟信号(CKV)、相位与第一时钟信号(CKV)的相位相反的第二时钟信号(CKVB)、扫描起始信号(STVP)和栅极截止电压(Voff)。
焊盘部分125包括接收数据信号的数据焊盘125a以及分别接收栅极截止电压(Voff)、第一时钟信号(CKV)、第二时钟信号(CKVB)和扫描起始信号(STVP)的信号焊盘125b到125e。
栅极连接线路124包括分别连接至信号焊盘125b到125e的多条子连接线路124b到124e。
与对应的第一栅极线121连接的第一栅极驱动部分123输出与扫描起始信号和时钟信号同步的栅极导通电压。之后,与对应的第二栅极线连接的第二栅极驱动部分123输出与第一栅极驱动部分123的输出电压和时钟信号同步的栅极导通电压,等等顺次类推至其所在列的最后一个栅极驱动部分123。因而,每一栅极驱动部分123的栅极导通电压输出的末尾与下一栅极驱动部分123的输出开始的时间点紧密同步。
参考图5,在每一栅极驱动部分123内形成多个驱动薄膜晶体管(Td1到Td7)。在图6中,仅通过截面图示出了多个驱动薄膜晶体管中的一个(Td)。
参考图6,所示的驱动薄膜晶体管(Td)包括栅电极1231、半导体层1232、欧姆接触层1233、源电极1234和漏电极1235。所述驱动薄膜晶体管(Td)的结构与像素薄膜晶体管(Tp)的结构基本类似,相应地,为了简洁起见将省略对其的进一步详细说明。
在图6的示范性实施例中,在栅极驱动部分123和显示区之间以及栅极驱动部分123的外侧部分形成“虚设”半导体层135和136。虚设半导体层135和136与驱动薄膜晶体管(Td)的半导体层1232由相同的材料形成,并且处于同一层内。在下文中将更详细地说明虚设半导体层135和136的作用。
在下文中将参考图4和图6说明示范性第二基板200的结构。
在第二绝缘基板211上形成黑矩阵221。黑矩阵221包括位于显示区内、像素薄膜晶体管(Tp)之上的内部黑矩阵221a和形成于显示区周围的外侧黑矩阵221b。
通常,将内部黑矩阵221a以填隙的方式设置于红色、绿色和蓝色滤色器之间,从而防止光直接照射到位于第一基板100上的像素薄膜晶体管(Tp)上。将外侧黑矩阵221b形成为覆盖所有的栅极驱动部分123,并且按照类似的方式起作用。黑矩阵221可以由铬或其中添加了黑颜料的有机光致抗蚀剂材料构成。可以采用炭黑或氧化钛等作为所述黑色颜料。
滤色器231形成于内部黑矩阵221a的间隙内,并且包括每者分别具有红色、绿色或蓝色之一的三个子层231a、23 1b和231c。滤色器231分别使由光源700照射并穿过液晶层400的光具有各种对应的颜色。滤色器231可以由有机光致抗蚀剂材料形成。
在滤色器231和黑矩阵221上形成涂覆层241。涂覆层241由有机材料构成,并且起着提供平面表面的作用。
在涂覆层241上形成公共电极251。公共电极251形成于第二基板材料211的整个表面上,并且由(例如)ITO或IZO等透明导电材料构成。公共电极251连同第一基板100的像素电极161一起向液晶层400直接施加相应的像素电压。
密封剂300将第一和第二基板100和200接合到一起,并且其位于外侧黑矩阵221b上。密封剂300包括作为其主要成分的环氧树脂(epoxy resin)和丙烯酸树脂(acrylic resin)、胺系硬化剂(amine-series hardener)、诸如氧化铝粉末的填充剂材料和诸如丙烯-二醇-双醋酸酯(propylene-glycol-diacetate)的溶剂。密封剂300确定基板100和200之间的间隔或“单元(cell)间隙”。出于这一目的,还可以使由玻璃或塑料构成的间隔***于密封剂300内。
液晶层400位于第一和第二基板100和200之间。液晶层400的分子的配向响应于形成于像素电极161和公共电极251之间的相应电场而变化,从而独立地控制穿过显示屏板的每一像素的光的透射率。
光源700可以是表面光源、灯或发光二极管。所述灯可以是冷阴极荧光灯或外部电极荧光灯。
在本发明的第一示范性LCD中,被用作驱动薄膜晶体管(Td)的半导体层1232的非晶硅与被用作像素薄膜晶体管(Tp)的半导体层132的非晶硅相同。如果采用光对其进行照射,非晶硅将变得不稳定。不稳定的非晶硅引起驱动薄膜晶体管(Td)的导通电流(Ion)的增大,由此提高了功耗。
入射到驱动薄膜晶体管(Td)的半导体层1232上的大部分光都是由光源700发射的。如图6所示,光源700发射的光穿过第一基板,并且往往会从第二基板200的外侧黑矩阵221b或公共电极251上被反射回来,从而照射到驱动薄膜晶体管(Td)上。但是,在本发明的第一示范性实施例中,虚设半导体层135和136位于栅极驱动部分123的相对侧上。因此,光源700发射的光将受到虚设半导体层135和136的阻挡,因而不会照射到驱动薄膜晶体管(Td)上。
因而,根据第一示范性LCD实施例,能够使驱动薄膜晶体管(Td)的操作稳定,因此能够稳定地驱动栅极线121,并且由此降低了LCD的功耗。
在文中描述的其他示范性LCD实施例中,半导体层1232可以由多晶硅形成。在这些实施例中,如果能够通过子连接线路124b到124e为栅极驱动部分123的相应的外侧部分充分屏蔽或遮挡光,那么可以省略虚设半导体层136。
在下文中将参考图7A到7E说明用于制造上述第一示范性LCD的过程。
首先,如图7A所示,在第一绝缘基板111上形成金属层,并对其构图,以形成栅电极122和1231。
之后,如图7B所示,形成栅极绝缘膜131、非晶硅层171和n+非晶硅层172。可以采用化学气相淀积法依次形成栅极绝缘膜131、非晶硅层171和n+非晶硅层172。
之后,如图7C所示,对非晶硅层171和n+非晶硅层172构图,以形成半导体层132和1232以及虚设半导体层135和136。此时,在半导体层132和1232以及虚设半导体层135和136上形成了构图的n+非晶硅层172a,但是尚未将其分离成两个部分。
接下来,如图7D所示,淀积金属层并对其构图,以形成源电极142和1234以及漏电极143和1235,由此形成像素薄膜晶体管(Tp)和驱动部分薄膜晶体管(Td)。这一步骤包括在形成相应的源电极142和1234以及漏电极143和1235之后蚀刻并去除暴露的构图的n+非晶硅层172a的过程。
之后,通过对构图的n+非晶硅层172a进行蚀刻将构图的n+非晶硅层172a划分成两个分离的部分,因而形成了欧姆接触层133和1233。此外,去除位于虚设半导体层135和136上的构图的n+非晶硅层172a。
应当认识到,在蚀刻构图的n+非晶硅层172a的过程中,虚设半导体层135和136以及晶体管沟道区的半导体层132和1232的相应厚度将略微降低。
此后,如图7E所示,在所述结构上形成钝化膜151,并在其中形成接触孔152。
之后形成像素电极161,以完成第一示范性基板100。
第二基板200的形成、两个基板100和200的组装以及其间的液晶层400的放置是通过已知的方法执行的,因此,为了简洁起见,将省略对其的进一步详细说明。
在下文中,将参考图8说明根据本发明的LCD的第二示范性实施例。
在第二示范性实施例中,使虚设半导体层135和136与栅极线121隔开。也就是说,在栅极线121之间形成虚设半导体层135,并且将其形成在相互隔开的多个区域内。因而,根据第二示范性实施例,由此抑制了虚设半导体层135和136与栅极线121之间的不合乎要求的寄生电容的形成。
下面将参考图9说明第三示范性LCD实施例。
在第三示范性LCD中,省略了虚设半导体层135和136,作为替代,提供了由有机材料构成的黑矩阵121。如图9所示,对公共电极251构图,使之包含一个或多个开口,所述开口在尺寸和形状上对应于相应的驱动部分123,并且将所述开口设置在相应的驱动部分123之上,即,使所述开口与相应的驱动部分123相面对。
在光源700发射的光中,入射到栅极驱动部分123和显示区之间的光入射到第二基板200上。应当注意,凭借所述开口,具有良好反射率的公共电极251不再直接位于栅极驱动部分123之上,而是使具有较差反射率的外侧黑矩阵221b位于栅极驱动部分123之上。因而,入射到外侧黑矩阵221b上的光不再被从外侧黑矩阵221b上反射,而是大部分被外侧黑矩阵221b吸收。相应地,将显著降低入射到驱动薄膜晶体管(Td)的半导体层1232上的光的量。
此外,根据第三示范性实施例,由于在对应于栅极驱动部分123的第二基板200的区域内不存在公共电极251,因而还防止了在栅极驱动部分123和公共电极251之间形成不合乎要求的寄生电容。
另一个考虑事项在于,如果密封剂300未充分硬化,那么由于栅极驱动部分123和公共电极251之间的电压差,栅极驱动部分123可能吸收离子杂质。因而,可能在栅极驱动部分123内产生腐蚀。但是,在第三示范性实施例中,由于在对应于栅极驱动部分123的第二基板200的区域内未形成公共电极251,因而避免了产生对栅极驱动部分123的腐蚀。
在下文中,将参考图10说明根据本发明的LCD的第四示范性实施例。
在第四示范性LCD实施例中,提供了虚设半导体层135和136以及由具有较差反射率的有机材料构成的黑矩阵221。此外,对公共电极251构图,从而使之不存在于栅极驱动部分123之上,也就是说,使之包括一个或多个对应于栅极驱动部分123的开口,所述开口与所述栅极驱动部分123相互对设置。
入射到栅极驱动部分123的***上的大部分光被虚设半导体层135和136截断,因而不会照射到第二基板200上。入射到第二基板200上的光大部分被外侧黑矩阵221b吸收。相应地,照射到驱动薄膜晶体管(Td)的半导体层1232上的光的量显著降低。
下面将参考图11到13说明根据本发明的LCD的第五示范性实施例。
参考图11,形成具有通常为矩形的形状的像素电极161的连续行,从而使其沿栅极线121的方向延伸。三个纵向相邻的像素电极161形成一个像素。使形成一个像素的三个像素电极161中的每者连接至不同的栅极线121。此外,参考图11中的示意性图示,使所述的三个像素电极161按照交替的方式连接至相邻的左侧和右侧数据线。
因而,在第五示范性LCD中,沿栅极线121的延伸方向布置形成一个像素的三个像素电极161,并使其按照交替的方式连接至一对相邻的数据线141。相应地,在第五示范性实施例中,要想实现与上述第一示范性实施例中相同数量的像素,栅极线121的数量将增大至三倍,而数据线141的数量则减少至1/3。
如图11所示,栅极驱动部分123包括一列第一栅极驱动部分123a和一列第二栅极驱动部分123b,前者形成于位于显示区的左侧的非显示区内,后者形成于位于显示区的右侧的非显示区内。将编号为奇数的栅极线121分别连接至第一栅极驱动部分123a,将编号为偶数的栅极线121分别连接至第二栅极驱动部分123b。
一般而言,与用于栅极线121的电路相比,用于数据线141的电路更为复杂,并且更加昂贵。但是,由于在这一实施例中,数据线141的数量减少到了1/3,因而其导致了用于驱动数据线141的电路的净减少,因而降低了LCD的制造成本。
反之,由于栅极线121的数量提高到了三倍,因而用于栅极线121的电路的制造成本将相应提高。但是,在本发明中,由于采用直接形成于第一绝缘基板111上的栅极驱动部分123驱动栅极线121,因而不会导致电路成本的净增加。
此外,由于像素电极161沿行方向延伸,因而,缩短了栅极线121之间的间隔,相应地限制了栅极驱动部件123的可用空间。但是,由于将栅极驱动部分123划分成了设置在显示区的相对侧上的两个组,因而易于取得栅极驱动部分123所需的空间。
下面将参考图12说明第五示范性LCD的驱动。
如果向第(n-1)条栅极线121提供栅极导通电压,那么与所述的第(n-1)条栅极线121连接的像素薄膜晶体管(Tp)将导通。作为响应,与所述的第(n-1)条栅极线121连接的行(a)的像素电极161将导通。
之后,向第(n)条栅极线121提供栅极导通电压。相应地,与所述的第(n)条栅极线121连接的行(b)的像素电极161将导通。
此后,按照这一方式继续,如果向第(n+1)条栅极线121提供栅极导通电压,行(c)的像素电极161将导通。由此,完成了一行像素的显示。这里,顺次驱动三条栅极线121,以显示一行像素,并且数据线141根据栅极线121的驱动提供对应于相应的像素电极161的数据电压。
此外,控制施加至相应的像素电极161的电压的极性,以实施“点反转(dot inversion)”,参考图12的示意性图示。
参考图13,第五LCD实施例的虚设半导体层135和136包括分别设置在第一栅极驱动部分123a的左侧和右侧的左侧虚设半导体层135a和136a以及分别设置在第二栅极驱动部分123b的左侧和右侧的右侧虚设半导体层135b和136b。
此外,未形成公共电极251,或者使公共电极251包括位于第一栅极驱动部分123a和第二栅极驱动部分123b之上的开口,如上所述。
根据文中说明的各种示范性实施例,通过虚设半导体层135和136以及构图的公共电极251减少了入射到栅极驱动部分123上的光。因此,栅极驱动部分123的操作不会再因为从外部即从LCD的外部或者从内部即从光源700照射到其上的光而变得不稳定。
现在,本领域技术人员将认识到,在不背离本发明的精神和范围的情况下,可以对本发明的显示屏板的材料、方法和构造做出各种替换和改变。相应地,本发明的范围不应限于这里给出了图示和文字描述的具体实施例的范围,因为所述实施例只是本发明的某些例子,相反,本发明的范围应当由权利要求及其功能上的等同要件的范围界定。

Claims (10)

1.一种显示屏板,包括:
第一基板,具有其中形成像素薄膜晶体管的显示区和围绕所述显示区的非显示区;
栅极线,形成于所述显示区内并电连接到所述像素薄膜晶体管;
包括驱动薄膜晶体管的驱动部分,位于所述非显示区内且驱动所述像素薄膜晶体管,其中所述驱动部分包括连接至所述栅极线并驱动所述栅极线的栅极驱动部分;以及
虚设半导体层,形成于所述栅极驱动部分和所述显示区之间以及所述栅极驱动部分和所述第一基板的边缘之间;以及
与所述第一基板相对的第二基板。
2.根据权利要求1所述的显示屏板,其中,所述虚设半导体层和所述栅极线相互隔开。
3.根据权利要求1所述的显示屏板,其中:
所述第二基板包括形成于所述显示区内的内部黑矩阵和形成于所述非显示区内的外侧黑矩阵;并且
所述栅极驱动部分位于所述外侧黑矩阵的区域内。
4.根据权利要求3所述的显示屏板,其中:
所述外侧黑矩阵包括有机材料;并且
所述第二基板还包括公共电极,所述公共电极具有对应于所述显示区形成的至少一部分和对应于所述栅极驱动部分形成并且与所述栅极驱动部分相对设置的开口,所述公共电极与所述外侧黑矩阵部分重叠。
5.根据权利要求1所述的显示屏板,其中:
所述栅极驱动部分包括设置在所述第一基板的相对侧上的第一和第二栅极驱动部分,所述显示区插置于其间;并且
所述栅极线与所述第一和第二栅极驱动部分交替连接。
6.根据权利要求5所述的显示屏板,其中,所述第一基板还包括:
跨越所述栅极线并电连接到所述像素薄膜晶体管的数据线;以及
电连接到所述像素薄膜晶体管的像素电极,
其中,所述像素电极包括界定一个像素的第一、第二和第三像素电极,并且
所述第一、第二和第三像素电极分别连接至不同的栅极线。
7.根据权利要求6所述的显示屏板,其中,所述第一、第二和第三像素电极中的两个被连接至同一数据线,并与所述栅极线沿相同的方向延伸。
8.根据权利要求7所述的显示屏板,其中,顺次驱动所述第一、第二和第三像素电极。
9.根据权利要求8所述的显示屏板,其中,所述第二基板包括:
形成于所述显示区内的内部黑矩阵;以及
形成于所述非显示区内的外侧黑矩阵,并且其中
所述栅极驱动部分位于所述外侧黑矩阵的区域内。
10.根据权利要求9所述的显示屏板,其中:
所述外侧黑矩阵包括有机材料;并且
所述第二基板还包括公共电极,所述公共电极具有对应于所述显示区形成的至少一部分和对应于所述栅极驱动部分形成并且与所述栅极驱动部分相对设置的开口,所述公共电极与所述外侧黑矩阵部分重叠。
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