JP3442764B1 - コネクタ端子およびコネクタ - Google Patents
コネクタ端子およびコネクタInfo
- Publication number
- JP3442764B1 JP3442764B1 JP2002242150A JP2002242150A JP3442764B1 JP 3442764 B1 JP3442764 B1 JP 3442764B1 JP 2002242150 A JP2002242150 A JP 2002242150A JP 2002242150 A JP2002242150 A JP 2002242150A JP 3442764 B1 JP3442764 B1 JP 3442764B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ruthenium
- layer
- connector terminal
- connector
- conductive substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/85464—Palladium (Pd) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
Abstract
【要約】
【課題】 本発明は、金層が剥離することがなく挿抜性
に優れるとともに高度な耐食性を備えたコネクタ端子お
よびそれを有するコネクタを提供することを目的とす
る。 【解決手段】 本発明のコネクタ端子は、導電性基体上
にルテニウム層が形成されており、該ルテニウム層上に
金層が形成されていることを特徴としている。また、本
発明のコネクタ端子は、導電性基体とルテニウム層との
間に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇからなる群から選ばれた
少なくとも一種の金属からなる下地層が少なくとも一層
形成されていることを特徴としている。そして、本発明
のコネクタは、上記のコネクタ端子を有するものであ
る。
に優れるとともに高度な耐食性を備えたコネクタ端子お
よびそれを有するコネクタを提供することを目的とす
る。 【解決手段】 本発明のコネクタ端子は、導電性基体上
にルテニウム層が形成されており、該ルテニウム層上に
金層が形成されていることを特徴としている。また、本
発明のコネクタ端子は、導電性基体とルテニウム層との
間に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇからなる群から選ばれた
少なくとも一種の金属からなる下地層が少なくとも一層
形成されていることを特徴としている。そして、本発明
のコネクタは、上記のコネクタ端子を有するものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気、電子製品や
半導体製品等において広く接続を目的として用いられて
いるコネクタに関するものであり、より詳細にはその接
触部であるコネクタ端子およびそれを有するコネクタに
関する。
半導体製品等において広く接続を目的として用いられて
いるコネクタに関するものであり、より詳細にはその接
触部であるコネクタ端子およびそれを有するコネクタに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電気、電子製品や半導体製品
のコネクタとしては各種のものが用いられてきた。そし
て、特に接触信頼度が要求される用途においては、その
ようなコネクタの端子として導電性基体上にＮｉ層を形
成し、その上に薄く金層を形成した構造の端子が用いら
れることが多かった。しかし、この構造においてはＮｉ
層および金層の両者の硬度が比較的低いことから、コネ
クタの挿抜を繰り返すと金層が容易に剥離するという問
題があった。この問題は、単に外観が害されるというだ
けでなく、金層が剥離しＮｉ層が表面に現れると該Ｎｉ
層は容易に酸化されてしまい接触電気抵抗（以下、単に
接触抵抗と記す）が非常に高くなるという致命的な問題
が生じるものであった。この問題を解決するために金層
を分厚く形成させることが考えられるが、金層を分厚く
するとコストが高くなるだけでなくコネクタの挿抜時の
接触摩擦が増大し挿抜性が害されるとともに金層自体が
さらに摩耗し易くなるため、この方法により問題を解決
することはできなかった。
のコネクタとしては各種のものが用いられてきた。そし
て、特に接触信頼度が要求される用途においては、その
ようなコネクタの端子として導電性基体上にＮｉ層を形
成し、その上に薄く金層を形成した構造の端子が用いら
れることが多かった。しかし、この構造においてはＮｉ
層および金層の両者の硬度が比較的低いことから、コネ
クタの挿抜を繰り返すと金層が容易に剥離するという問
題があった。この問題は、単に外観が害されるというだ
けでなく、金層が剥離しＮｉ層が表面に現れると該Ｎｉ
層は容易に酸化されてしまい接触電気抵抗（以下、単に
接触抵抗と記す）が非常に高くなるという致命的な問題
が生じるものであった。この問題を解決するために金層
を分厚く形成させることが考えられるが、金層を分厚く
するとコストが高くなるだけでなくコネクタの挿抜時の
接触摩擦が増大し挿抜性が害されるとともに金層自体が
さらに摩耗し易くなるため、この方法により問題を解決
することはできなかった。
【０００３】一方さらに、導電性基体上にＮｉ層と金層
を形成した上記構造のコネクタ端子においては、該Ｎｉ
層において容易にピンホールが発生し、このピンホール
において導電性基体と金層が直接接触することから両者
のイオン化傾向の差に基づいて電気腐食が生じるという
問題もあった。
を形成した上記構造のコネクタ端子においては、該Ｎｉ
層において容易にピンホールが発生し、このピンホール
において導電性基体と金層が直接接触することから両者
のイオン化傾向の差に基づいて電気腐食が生じるという
問題もあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な現状に鑑みなされたものであってその目的とするとこ
ろは、金層が剥離することがなく挿抜性に優れるととも
に高度な耐食性を備えたコネクタ端子およびそれを有す
るコネクタを提供することにある。
な現状に鑑みなされたものであってその目的とするとこ
ろは、金層が剥離することがなく挿抜性に優れるととも
に高度な耐食性を備えたコネクタ端子およびそれを有す
るコネクタを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するために鋭意研究を重ねたところ、金層の優れた
接触抵抗を保持したまま挿抜性や耐食性を向上させるた
めには金層の下層に位置する層の作用が重要であるとの
知見を得、かかる知見に基づきさらに研究を続けること
によりついに本発明を完成するに至った。
解決するために鋭意研究を重ねたところ、金層の優れた
接触抵抗を保持したまま挿抜性や耐食性を向上させるた
めには金層の下層に位置する層の作用が重要であるとの
知見を得、かかる知見に基づきさらに研究を続けること
によりついに本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明のコネクタ端子は、導電
性基体上に金属ルテニウムからなるルテニウム層が形成
されており、該ルテニウム層上に金層が形成されている
ことを特徴としている。このように金属ルテニウムから
なるルテニウム層を金層の下層に位置させることによ
り、該ルテニウム層が有する高い硬度によって金層が摩
耗したり剥離したりすることを有効に防止し、金層が有
する優れた接触抵抗を保持したまま優れた挿抜性が得ら
れるとともに、ピンホールの発生をも有効に防止し以っ
て耐食性を飛躍的に向上させることに成功したものであ
る。
性基体上に金属ルテニウムからなるルテニウム層が形成
されており、該ルテニウム層上に金層が形成されている
ことを特徴としている。このように金属ルテニウムから
なるルテニウム層を金層の下層に位置させることによ
り、該ルテニウム層が有する高い硬度によって金層が摩
耗したり剥離したりすることを有効に防止し、金層が有
する優れた接触抵抗を保持したまま優れた挿抜性が得ら
れるとともに、ピンホールの発生をも有効に防止し以っ
て耐食性を飛躍的に向上させることに成功したものであ
る。
【０００７】また、本発明のコネクタ端子は、導電性基
体と金属ルテニウムからなるルテニウム層との間に、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇからなる群から選ばれた少なくと
も一種の金属からなる下地層が少なくとも一層形成され
ていることを特徴としている。該ルテニウム層は高い硬
度を有する反面、応力も大きいものとなるため導電性基
体の種類によっては該ルテニウム層自体が剥離すること
があり、このためこの剥離現象を緩和するために特定の
下地層を形成させたものである。
体と金属ルテニウムからなるルテニウム層との間に、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇからなる群から選ばれた少なくと
も一種の金属からなる下地層が少なくとも一層形成され
ていることを特徴としている。該ルテニウム層は高い硬
度を有する反面、応力も大きいものとなるため導電性基
体の種類によっては該ルテニウム層自体が剥離すること
があり、このためこの剥離現象を緩和するために特定の
下地層を形成させたものである。
【０００８】一方、本発明においては、上記金属ルテニ
ウムからなるルテニウム層および金層が、バレルめっき
装置、引掛けめっき装置または連続めっき装置のいずれ
かを用いてめっき法により形成されることを特徴として
いる。これにより、これらの層を極めて効率良く形成さ
せることが可能となる。
ウムからなるルテニウム層および金層が、バレルめっき
装置、引掛けめっき装置または連続めっき装置のいずれ
かを用いてめっき法により形成されることを特徴として
いる。これにより、これらの層を極めて効率良く形成さ
せることが可能となる。
【０００９】また、本発明のコネクタは、上記のいずれ
かに記載のコネクタ端子を有するものとしている。これ
により、接触抵抗、挿抜性、耐食性に優れた極めて信頼
性の高いコネクタとすることができる。
かに記載のコネクタ端子を有するものとしている。これ
により、接触抵抗、挿抜性、耐食性に優れた極めて信頼
性の高いコネクタとすることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】＜導電性基体＞本発明に用いられ
る導電性基体は、電気、電子製品や半導体製品等の接続
用のコネクタや各種の基板における接続用のパターン等
に用いられる従来公知の導電性基体であればいずれのも
のであっても用いることができる。たとえば、リン青
銅、黄銅、ベリリウム銅等の銅合金系素材、鉄（Ｆ
ｅ）、ステンレス鋼等の鉄系素材、その他ニッケル系素
材や各種基板上の銅パターン等を挙げることができる。
る導電性基体は、電気、電子製品や半導体製品等の接続
用のコネクタや各種の基板における接続用のパターン等
に用いられる従来公知の導電性基体であればいずれのも
のであっても用いることができる。たとえば、リン青
銅、黄銅、ベリリウム銅等の銅合金系素材、鉄（Ｆ
ｅ）、ステンレス鋼等の鉄系素材、その他ニッケル系素
材や各種基板上の銅パターン等を挙げることができる。
【００１１】＜ルテニウム層＞
本発明の金属ルテニウムからなるルテニウム層は、上記
導電性基体上に形成されるものであって、金属ルテニウ
ム（Ｒｕ）により構成されるものである。通常、このよ
うなルテニウム層は０．０５〜１．５μｍ、好ましくは
０．２〜１．０μｍの厚さとして金属ルテニウムを導電
性基体上にめっきすることにより形成される。０．０５
μｍ未満の場合は、挿抜性の向上等本発明により得られ
る効果を十分に得ることができなくなる一方、１．５μ
ｍを超えるとルテニウム層自体の応力が大きくなり過ぎ
て導電性基体から剥離したりルテニウム層自体に亀裂が
生じたりすることがあるため好ましくない。
導電性基体上に形成されるものであって、金属ルテニウ
ム（Ｒｕ）により構成されるものである。通常、このよ
うなルテニウム層は０．０５〜１．５μｍ、好ましくは
０．２〜１．０μｍの厚さとして金属ルテニウムを導電
性基体上にめっきすることにより形成される。０．０５
μｍ未満の場合は、挿抜性の向上等本発明により得られ
る効果を十分に得ることができなくなる一方、１．５μ
ｍを超えるとルテニウム層自体の応力が大きくなり過ぎ
て導電性基体から剥離したりルテニウム層自体に亀裂が
生じたりすることがあるため好ましくない。
【００１２】＜金層＞
本発明の金層は、上記ルテニウム層上に形成されるもの
であって、金属金（Ａｕ）により構成されるものであ
る。通常、金層は０．０２５〜１μｍ、好ましくは０．
１〜０．５μｍの厚さとして金属金を金属ルテニウムか
らなるルテニウム層上にめっきすることにより形成され
る。０．０２５μｍ未満の場合は、金による優れた接触
抵抗が得られなくなる場合がある一方、１μｍを超える
と挿抜時の接触摩擦が大きくなり挿抜性が害されるため
好ましくない。
であって、金属金（Ａｕ）により構成されるものであ
る。通常、金層は０．０２５〜１μｍ、好ましくは０．
１〜０．５μｍの厚さとして金属金を金属ルテニウムか
らなるルテニウム層上にめっきすることにより形成され
る。０．０２５μｍ未満の場合は、金による優れた接触
抵抗が得られなくなる場合がある一方、１μｍを超える
と挿抜時の接触摩擦が大きくなり挿抜性が害されるため
好ましくない。
【００１３】＜下地層＞
本発明の下地層は、導電性基体の種類により上記ルテニ
ウム層が剥離し易くなる場合に必要に応じ形成されるも
のである。通常、該ルテニウム層は導電性基体がニッケ
ル系の素材で構成されている場合には自己の応力により
剥離することはほとんどないが、導電性基体がニッケル
系素材以外の素材で構成されている場合には容易に剥離
することがあり、このような場合に該下地層を形成させ
る必要がある。すなわち、該下地層は、金属ルテニウム
からなるルテニウム層の剥離を防止する作用を有するも
のである。したがって、該下地層は、導電性基体と金属
ルテニウムからなるルテニウム層の間に（すなわち、ル
テニウム層の下層として）形成され、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｇからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属
からなる層であって、少なくとも一層（すなわち、単層
もしくは複数層として）形成される。該下地層を複数層
として形成する場合は、金属ルテニウムからなるルテニ
ウム層の厚さや導電性基体の種類を考慮してそれぞれの
層を構成する金属の種類や厚さを決定することが好まし
い。たとえば、導電性基体が銅合金系素材の場合には、
導電性基体上に厚さ０．０５〜５μｍのＮｉからなる第
１の下地層を形成し、その上に厚さ０．０５〜１μｍの
ＡｕまたはＡｇからなる第２の下地層を形成することが
好ましい。また、導電性基体が鉄系素材や黄銅の場合に
は、導電性基体上に厚さ０．０５〜５μｍのＣｕからな
る第１の下地層を形成し、その上に厚さ０．０５〜２μ
ｍのＮｉからなる第２の下地層を形成することが好まし
い。このように該下地層は、通常単層もしくは複数層と
してその厚さが０．０５〜７μｍ、好ましくは０．８〜
４．０μｍとなるようにそれぞれの金属を導電性基体上
にめっきすることにより形成することができる。該下地
層の厚さが０．０５μｍ未満の場合は、金属ルテニウム
からなるルテニウム層の剥離を防止することができなく
なる場合がある一方、７μｍを超えるとコストアップに
つながり経済的に不利となるばかりか、経時的に厚みが
変化し寸法安定性に欠けるとともに導電性基体自体のバ
ネ性が喪失するため好ましくない。
ウム層が剥離し易くなる場合に必要に応じ形成されるも
のである。通常、該ルテニウム層は導電性基体がニッケ
ル系の素材で構成されている場合には自己の応力により
剥離することはほとんどないが、導電性基体がニッケル
系素材以外の素材で構成されている場合には容易に剥離
することがあり、このような場合に該下地層を形成させ
る必要がある。すなわち、該下地層は、金属ルテニウム
からなるルテニウム層の剥離を防止する作用を有するも
のである。したがって、該下地層は、導電性基体と金属
ルテニウムからなるルテニウム層の間に（すなわち、ル
テニウム層の下層として）形成され、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａ
ｕ、Ａｇからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属
からなる層であって、少なくとも一層（すなわち、単層
もしくは複数層として）形成される。該下地層を複数層
として形成する場合は、金属ルテニウムからなるルテニ
ウム層の厚さや導電性基体の種類を考慮してそれぞれの
層を構成する金属の種類や厚さを決定することが好まし
い。たとえば、導電性基体が銅合金系素材の場合には、
導電性基体上に厚さ０．０５〜５μｍのＮｉからなる第
１の下地層を形成し、その上に厚さ０．０５〜１μｍの
ＡｕまたはＡｇからなる第２の下地層を形成することが
好ましい。また、導電性基体が鉄系素材や黄銅の場合に
は、導電性基体上に厚さ０．０５〜５μｍのＣｕからな
る第１の下地層を形成し、その上に厚さ０．０５〜２μ
ｍのＮｉからなる第２の下地層を形成することが好まし
い。このように該下地層は、通常単層もしくは複数層と
してその厚さが０．０５〜７μｍ、好ましくは０．８〜
４．０μｍとなるようにそれぞれの金属を導電性基体上
にめっきすることにより形成することができる。該下地
層の厚さが０．０５μｍ未満の場合は、金属ルテニウム
からなるルテニウム層の剥離を防止することができなく
なる場合がある一方、７μｍを超えるとコストアップに
つながり経済的に不利となるばかりか、経時的に厚みが
変化し寸法安定性に欠けるとともに導電性基体自体のバ
ネ性が喪失するため好ましくない。
【００１４】＜コネクタ端子＞本発明のコネクタ端子
は、導電性基体上に上記の各層を形成させた構造を有し
ている。かかる構造を有する限り、メス型端子であって
もまたオス型端子であっても差し支えない。
は、導電性基体上に上記の各層を形成させた構造を有し
ている。かかる構造を有する限り、メス型端子であって
もまたオス型端子であっても差し支えない。
【００１５】＜コネクタ＞本発明のコネクタは、上記コ
ネクタ端子を有するものである。その構造上かかるコネ
クタ端子を有する限り、通常のコネクタのみに限らずた
とえば回路基板上のパターン等をも含む。このように本
発明のコネクタは、挿抜可能でかつ電気的な接続を目的
としたものである限り、その形状の別を問うものではな
い。
ネクタ端子を有するものである。その構造上かかるコネ
クタ端子を有する限り、通常のコネクタのみに限らずた
とえば回路基板上のパターン等をも含む。このように本
発明のコネクタは、挿抜可能でかつ電気的な接続を目的
としたものである限り、その形状の別を問うものではな
い。
【００１６】＜製造装置＞本発明の上記ルテニウム層お
よび金層は、上述の通り通常めっき法により形成される
が、特にそのめっき装置としてはバレルめっき装置、引
掛けめっき装置または連続めっき装置のいずれかを用い
ることにより実行することが好ましい。これらの装置を
用いることにより上記コネクタ端子を極めて効率良く製
造することができる。ここで、バレルめっき装置とは、
コネクタ端子を一個づつ個別にめっきする装置であり、
連続めっき装置とは、一度に複数個のコネクタ端子を連
続的にメッキする装置であり、また引掛けめっき装置と
は、前二者の中間に位置するものであり中規模の製造効
率を持った装置である。これらの装置は、めっき業界に
おいて良く知られた装置であり、構造自体も公知のもの
である限るいずれのものも使用することができる。な
お、上記した本発明の下地層についても、これらの装置
により形成することができる。
よび金層は、上述の通り通常めっき法により形成される
が、特にそのめっき装置としてはバレルめっき装置、引
掛けめっき装置または連続めっき装置のいずれかを用い
ることにより実行することが好ましい。これらの装置を
用いることにより上記コネクタ端子を極めて効率良く製
造することができる。ここで、バレルめっき装置とは、
コネクタ端子を一個づつ個別にめっきする装置であり、
連続めっき装置とは、一度に複数個のコネクタ端子を連
続的にメッキする装置であり、また引掛けめっき装置と
は、前二者の中間に位置するものであり中規模の製造効
率を持った装置である。これらの装置は、めっき業界に
おいて良く知られた装置であり、構造自体も公知のもの
である限るいずれのものも使用することができる。な
お、上記した本発明の下地層についても、これらの装置
により形成することができる。
【００１７】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１８】＜実施例１＞
本実施例は、導電性基体上に金属ルテニウムからなるル
テニウム層および金層をそれぞれこの順で形成させたコ
ネクタ端子に関するものである。以下、図１を参照して
説明する。
テニウム層および金層をそれぞれこの順で形成させたコ
ネクタ端子に関するものである。以下、図１を参照して
説明する。
【００１９】まず、導電性基体１０１として厚さ０．１
ｍｍのテープ状のニッケルをコネクタの形状にプレス加
工し、連続状のコネクタ端子状としたものを７０ｍｍの
長さに切断した。該切断後、５０ｇ／ｌの活性剤（商品
名：エスクリーン３０、奥野製薬工業（株）社製）を用
いて５３℃で３分間洗浄することにより脱脂処理を行な
った。その後数回の水洗浄を行なった後さらに、１００
ｇ／ｌの活性剤（商品名：ＮＣラストール、奥野製薬工
業（株）社製）を用いて５０℃で２分間、電流密度５．
０Ａ／ｄｍ2の条件下で洗浄することにより電解脱脂処
理を行なった。続いて、数回の水洗浄を行なった後５％
の硫酸を用いて２５℃で１分間処理することにより酸活
性処理を行ない、その後数回の水洗浄を行なった。
ｍｍのテープ状のニッケルをコネクタの形状にプレス加
工し、連続状のコネクタ端子状としたものを７０ｍｍの
長さに切断した。該切断後、５０ｇ／ｌの活性剤（商品
名：エスクリーン３０、奥野製薬工業（株）社製）を用
いて５３℃で３分間洗浄することにより脱脂処理を行な
った。その後数回の水洗浄を行なった後さらに、１００
ｇ／ｌの活性剤（商品名：ＮＣラストール、奥野製薬工
業（株）社製）を用いて５０℃で２分間、電流密度５．
０Ａ／ｄｍ2の条件下で洗浄することにより電解脱脂処
理を行なった。続いて、数回の水洗浄を行なった後５％
の硫酸を用いて２５℃で１分間処理することにより酸活
性処理を行ない、その後数回の水洗浄を行なった。
【００２０】次に、上記の処理を経た導電性基体１０１
に対して、ルテニウム濃度８ｇ／ｌのルテニウムめっき
液（商品名：Ｒｕ−３３、エヌ・イーケムキャット
（株）社製）を用いて６０℃、ｐＨ２．０、電流密度
１．５Ａ／ｄｍ2の条件下で５分間引掛けめっき装置に
より電気めっきすることにより、厚さ０．４μｍの金属
Ｒｕからなるルテニウム層１０２を形成した。
に対して、ルテニウム濃度８ｇ／ｌのルテニウムめっき
液（商品名：Ｒｕ−３３、エヌ・イーケムキャット
（株）社製）を用いて６０℃、ｐＨ２．０、電流密度
１．５Ａ／ｄｍ2の条件下で５分間引掛けめっき装置に
より電気めっきすることにより、厚さ０．４μｍの金属
Ｒｕからなるルテニウム層１０２を形成した。
【００２１】その後数回の水洗浄を行なった後、さらに
１０％のアンモニア水でリンス洗浄（５０℃、５分間）
した後、１０％の塩酸を用いて２５℃で０．５分間処理
することにより酸活性処理を行なった。
１０％のアンモニア水でリンス洗浄（５０℃、５分間）
した後、１０％の塩酸を用いて２５℃で０．５分間処理
することにより酸活性処理を行なった。
【００２２】次いで、数回の水洗浄を行なった後、上記
の処理を経た金属ルテニウムからなるルテニウム層１０
２上に、金濃度９ｇ／ｌの金めっき液（商品名：Ｎ７
７、エヌ・イーケムキャット（株）社製）を用いて３５
℃、ｐＨ４．１、電流密度１．２Ａ／ｄｍ2の条件下で
１分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り、厚さ０．１μｍの金属Ａｕからなる金層１０３を形
成することにより図１に示した本発明のコネクタ端子を
得た。
の処理を経た金属ルテニウムからなるルテニウム層１０
２上に、金濃度９ｇ／ｌの金めっき液（商品名：Ｎ７
７、エヌ・イーケムキャット（株）社製）を用いて３５
℃、ｐＨ４．１、電流密度１．２Ａ／ｄｍ2の条件下で
１分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り、厚さ０．１μｍの金属Ａｕからなる金層１０３を形
成することにより図１に示した本発明のコネクタ端子を
得た。
【００２３】このようにして得られたコネクタ端子は、
優れた接触抵抗、挿抜性、耐食性を有しており、したが
ってこのコネクタ端子を有してなるコネクタは極めて信
頼性の高いものであった。
優れた接触抵抗、挿抜性、耐食性を有しており、したが
ってこのコネクタ端子を有してなるコネクタは極めて信
頼性の高いものであった。
【００２４】＜実施例２＞
本実施例は、導電性基体上に下地層、金属ルテニウムか
らなるルテニウム層、金層をそれぞれこの順で形成させ
たコネクタ端子に関するものである。以下、図２を参照
して説明する。
らなるルテニウム層、金層をそれぞれこの順で形成させ
たコネクタ端子に関するものである。以下、図２を参照
して説明する。
【００２５】まず、導電性基体２０１として厚さ０．１
ｍｍのテープ状のリン青銅をコネクタの形状にプレス加
工し、連続状のコネクタ端子状としたものを７０ｍｍの
長さに切断した。該切断後、５０ｇ／ｌの活性剤（商品
名：エスクリーン３０、奥野製薬工業（株）社製）を用
いて５３℃で３分間洗浄することにより脱脂処理を行な
った。その後数回の水洗浄を行なった後さらに、１００
ｇ／ｌの活性剤（商品名：ＮＣラストール、奥野製薬工
業（株）社製）を用いて５０℃で２分間、電流密度５Ａ
／ｄｍ2の条件下で洗浄することにより電解脱脂処理を
行なった。続いて、数回の水洗浄を行なった後５％の硫
酸を用いて２５℃で１分間処理することにより酸活性処
理を行ない、その後数回の水洗浄を行なった。
ｍｍのテープ状のリン青銅をコネクタの形状にプレス加
工し、連続状のコネクタ端子状としたものを７０ｍｍの
長さに切断した。該切断後、５０ｇ／ｌの活性剤（商品
名：エスクリーン３０、奥野製薬工業（株）社製）を用
いて５３℃で３分間洗浄することにより脱脂処理を行な
った。その後数回の水洗浄を行なった後さらに、１００
ｇ／ｌの活性剤（商品名：ＮＣラストール、奥野製薬工
業（株）社製）を用いて５０℃で２分間、電流密度５Ａ
／ｄｍ2の条件下で洗浄することにより電解脱脂処理を
行なった。続いて、数回の水洗浄を行なった後５％の硫
酸を用いて２５℃で１分間処理することにより酸活性処
理を行ない、その後数回の水洗浄を行なった。
【００２６】次に、上記の処理を経た導電性基体２０１
に対して、ニッケルめっき液（２４０ｇ／ｌの硫酸ニッ
ケル、５０ｇ／ｌの塩化ニッケル、４０ｇ／ｌの硼酸か
らなるもの）を用いて５５℃、ｐＨ３．８、電流密度４
Ａ／ｄｍ2の条件下で１分間引掛けめっき装置により電
気めっきすることにより厚さ０．９５μｍのＮｉからな
る下地層２０４を形成した。
に対して、ニッケルめっき液（２４０ｇ／ｌの硫酸ニッ
ケル、５０ｇ／ｌの塩化ニッケル、４０ｇ／ｌの硼酸か
らなるもの）を用いて５５℃、ｐＨ３．８、電流密度４
Ａ／ｄｍ2の条件下で１分間引掛けめっき装置により電
気めっきすることにより厚さ０．９５μｍのＮｉからな
る下地層２０４を形成した。
【００２７】続いて、数回の水洗浄を行なった後、上記
下地層２０４上に、ルテニウム濃度８ｇ／ｌのルテニウ
ムめっき液（商品名：Ｒｕ−３３、エヌ・イーケムキャ
ット（株）社製）を用いて６０℃、ｐＨ２．０、電流密
度１．５Ａ／ｄｍ2の条件下で５分間引掛けめっき装置
により電気めっきすることにより、厚さ０．４μｍの金
属Ｒｕからなるルテニウム層２０２を形成した。
下地層２０４上に、ルテニウム濃度８ｇ／ｌのルテニウ
ムめっき液（商品名：Ｒｕ−３３、エヌ・イーケムキャ
ット（株）社製）を用いて６０℃、ｐＨ２．０、電流密
度１．５Ａ／ｄｍ2の条件下で５分間引掛けめっき装置
により電気めっきすることにより、厚さ０．４μｍの金
属Ｒｕからなるルテニウム層２０２を形成した。
【００２８】その後数回の水洗浄を行なった後、さらに
１０％のアンモニア水でリンス洗浄（５０℃、５分間）
した後、１０％の塩酸を用いて２５℃で０．５分間処理
することにより酸活性処理を行なった。
１０％のアンモニア水でリンス洗浄（５０℃、５分間）
した後、１０％の塩酸を用いて２５℃で０．５分間処理
することにより酸活性処理を行なった。
【００２９】次いで、数回の水洗浄を行なった後、上記
の処理を経た金属ルテニウムからなるルテニウム層２０
２上に、金濃度９ｇ／ｌの金めっき液（商品名：Ｎ７
７、エヌ・イーケムキャット（株）社製）を用いて３５
℃、ｐＨ４．１、電流密度１．２Ａ／ｄｍ2の条件下で
１分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り、厚さ０．１μｍの金属Ａｕからなる金層２０３を形
成することにより図２に示した本発明のコネクタ端子を
得た。
の処理を経た金属ルテニウムからなるルテニウム層２０
２上に、金濃度９ｇ／ｌの金めっき液（商品名：Ｎ７
７、エヌ・イーケムキャット（株）社製）を用いて３５
℃、ｐＨ４．１、電流密度１．２Ａ／ｄｍ2の条件下で
１分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り、厚さ０．１μｍの金属Ａｕからなる金層２０３を形
成することにより図２に示した本発明のコネクタ端子を
得た。
【００３０】このようにして得られたコネクタ端子は、
優れた接触抵抗、挿抜性、耐食性を有しており、したが
ってこのコネクタ端子を有してなるコネクタは極めて信
頼性の高いものであった。
優れた接触抵抗、挿抜性、耐食性を有しており、したが
ってこのコネクタ端子を有してなるコネクタは極めて信
頼性の高いものであった。
【００３１】＜実施例３＞
本実施例は、導電性基体上に複数の下地層、金属ルテニ
ウムからなるルテニウム層、金層をそれぞれこの順で形
成させたコネクタ端子に関するものである。以下、図３
を参照して説明する。
ウムからなるルテニウム層、金層をそれぞれこの順で形
成させたコネクタ端子に関するものである。以下、図３
を参照して説明する。
【００３２】まず、導電性基体３０１として厚さ０．１
ｍｍのテープ状の黄銅をコネクタの形状にプレス加工
し、連続状のコネクタ端子状としたものを７０ｍｍの長
さに切断した。該切断後、５０ｇ／ｌの活性剤（商品
名：エスクリーン３０、奥野製薬工業（株）社製）を用
いて５３℃で３分間洗浄することにより脱脂処理を行な
った。その後数回の水洗浄を行なった後さらに、１００
ｇ／ｌの活性剤（商品名：ＮＣラストール、奥野製薬工
業（株）社製）を用いて５０℃で２分間、電流密度５Ａ
／ｄｍ2の条件下で洗浄することにより電解脱脂処理を
行なった。続いて、数回の水洗浄を行なった後５％の硫
酸を用いて２５℃で１分間処理することにより酸活性処
理を行ない、その後数回の水洗浄を行なった。
ｍｍのテープ状の黄銅をコネクタの形状にプレス加工
し、連続状のコネクタ端子状としたものを７０ｍｍの長
さに切断した。該切断後、５０ｇ／ｌの活性剤（商品
名：エスクリーン３０、奥野製薬工業（株）社製）を用
いて５３℃で３分間洗浄することにより脱脂処理を行な
った。その後数回の水洗浄を行なった後さらに、１００
ｇ／ｌの活性剤（商品名：ＮＣラストール、奥野製薬工
業（株）社製）を用いて５０℃で２分間、電流密度５Ａ
／ｄｍ2の条件下で洗浄することにより電解脱脂処理を
行なった。続いて、数回の水洗浄を行なった後５％の硫
酸を用いて２５℃で１分間処理することにより酸活性処
理を行ない、その後数回の水洗浄を行なった。
【００３３】次に、上記の処理を経た導電性基体３０１
に対して、硫酸銅めっき液（硫酸銅９０ｇ／ｌ、硫酸１
３０ｇ／ｌ、塩素５０ｐｐｍその他添加剤からなるも
の）を用いて２８℃、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2、空気
攪拌の条件下で引掛けめっき装置により電気めっき処理
を施すことによって厚さ１．５μｍのＣｕからなる第１
の下地層３０４ａを形成した。次いで、数回の水洗浄を
行なった後、この第１の下地層３０４ａ上にニッケルめ
っき液（２４０ｇ／ｌの硫酸ニッケル、５０ｇ／ｌの塩
化ニッケル、４０ｇ／ｌの硼酸からなるもの）を用いて
５５℃、ｐＨ３．８、電流密度４Ａ／ｄｍ2の条件下で
４分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り厚さ１．８μｍのＮｉからなる第２の下地層３０４ｂ
を形成した。
に対して、硫酸銅めっき液（硫酸銅９０ｇ／ｌ、硫酸１
３０ｇ／ｌ、塩素５０ｐｐｍその他添加剤からなるも
の）を用いて２８℃、電流密度２．５Ａ／ｄｍ2、空気
攪拌の条件下で引掛けめっき装置により電気めっき処理
を施すことによって厚さ１．５μｍのＣｕからなる第１
の下地層３０４ａを形成した。次いで、数回の水洗浄を
行なった後、この第１の下地層３０４ａ上にニッケルめ
っき液（２４０ｇ／ｌの硫酸ニッケル、５０ｇ／ｌの塩
化ニッケル、４０ｇ／ｌの硼酸からなるもの）を用いて
５５℃、ｐＨ３．８、電流密度４Ａ／ｄｍ2の条件下で
４分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り厚さ１．８μｍのＮｉからなる第２の下地層３０４ｂ
を形成した。
【００３４】続いて、数回の水洗浄を行なった後、上記
第２の下地層３０４ｂ上に、ルテニウム濃度８ｇ／ｌの
ルテニウムめっき液（商品名：Ｒｕ−３３、エヌ・イー
ケムキャット（株）社製）を用いて６０℃、ｐＨ２．
０、電流密度１．５Ａ／ｄｍ2の条件下で５分間引掛け
めっき装置により電気めっきすることにより、厚さ０．
４μｍの金属Ｒｕからなるルテニウム層３０２を形成し
た。
第２の下地層３０４ｂ上に、ルテニウム濃度８ｇ／ｌの
ルテニウムめっき液（商品名：Ｒｕ−３３、エヌ・イー
ケムキャット（株）社製）を用いて６０℃、ｐＨ２．
０、電流密度１．５Ａ／ｄｍ2の条件下で５分間引掛け
めっき装置により電気めっきすることにより、厚さ０．
４μｍの金属Ｒｕからなるルテニウム層３０２を形成し
た。
【００３５】その後数回の水洗浄を行なった後、さらに
１０％のアンモニア水でリンス洗浄（５０℃、５分間）
した後、１０％の塩酸を用いて２５℃で０．５分間処理
することにより酸活性処理を行なった。
１０％のアンモニア水でリンス洗浄（５０℃、５分間）
した後、１０％の塩酸を用いて２５℃で０．５分間処理
することにより酸活性処理を行なった。
【００３６】次いで、数回の水洗浄を行なった後、上記
の処理を経た金属ルテニウムからなるルテニウム層３０
２上に、金濃度９ｇ／ｌの金めっき液（商品名：Ｎ７
７、エヌ・イーケムキャット（株）社製）を用いて３５
℃、ｐＨ４．１、電流密度１．２Ａ／ｄｍ2の条件下で
１分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り、厚さ０．１μｍの金属Ａｕからなる金層３０３を形
成することにより図３に示した本発明のコネクタ端子を
得た。
の処理を経た金属ルテニウムからなるルテニウム層３０
２上に、金濃度９ｇ／ｌの金めっき液（商品名：Ｎ７
７、エヌ・イーケムキャット（株）社製）を用いて３５
℃、ｐＨ４．１、電流密度１．２Ａ／ｄｍ2の条件下で
１分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り、厚さ０．１μｍの金属Ａｕからなる金層３０３を形
成することにより図３に示した本発明のコネクタ端子を
得た。
【００３７】このようにして得られたコネクタ端子は、
優れた接触抵抗、挿抜性、耐食性を有しており、したが
ってこのコネクタ端子を有してなるコネクタは極めて信
頼性の高いものであった。
優れた接触抵抗、挿抜性、耐食性を有しており、したが
ってこのコネクタ端子を有してなるコネクタは極めて信
頼性の高いものであった。
【００３８】＜実施例４＞
本実施例は、実施例３と同様、導電性基体上に複数の下
地層、金属ルテニウムからなるルテニウム層、金層をそ
れぞれこの順で形成させたコネクタ端子に関するもので
ある。以下、図３を参照して説明する。
地層、金属ルテニウムからなるルテニウム層、金層をそ
れぞれこの順で形成させたコネクタ端子に関するもので
ある。以下、図３を参照して説明する。
【００３９】まず、導電性基体３０１として厚さ０．１
ｍｍのテープ状のリン青銅をコネクタの形状にプレス加
工し、連続状のコネクタ端子状としたものを７０ｍｍの
長さに切断した。該切断後、５０ｇ／ｌの活性剤（商品
名：エスクリーン３０、奥野製薬工業（株）社製）を用
いて５３℃で３分間洗浄することにより脱脂処理を行な
った。その後数回の水洗浄を行なった後さらに、１００
ｇ／ｌの活性剤（商品名：ＮＣラストール、奥野製薬工
業（株）社製）を用いて５０℃で２分間、電流密度５Ａ
／ｄｍ2の条件下で洗浄することにより電解脱脂処理を
行なった。続いて、数回の水洗浄を行なった後５％の硫
酸を用いて２５℃で１分間処理することにより酸活性処
理を行ない、その後数回の水洗浄を行なった。
ｍｍのテープ状のリン青銅をコネクタの形状にプレス加
工し、連続状のコネクタ端子状としたものを７０ｍｍの
長さに切断した。該切断後、５０ｇ／ｌの活性剤（商品
名：エスクリーン３０、奥野製薬工業（株）社製）を用
いて５３℃で３分間洗浄することにより脱脂処理を行な
った。その後数回の水洗浄を行なった後さらに、１００
ｇ／ｌの活性剤（商品名：ＮＣラストール、奥野製薬工
業（株）社製）を用いて５０℃で２分間、電流密度５Ａ
／ｄｍ2の条件下で洗浄することにより電解脱脂処理を
行なった。続いて、数回の水洗浄を行なった後５％の硫
酸を用いて２５℃で１分間処理することにより酸活性処
理を行ない、その後数回の水洗浄を行なった。
【００４０】次に、上記の処理を経た導電性基体３０１
に対して、ニッケルめっき液（２４０ｇ／ｌの硫酸ニッ
ケル、５０ｇ／ｌの塩化ニッケル、４０ｇ／ｌの硼酸か
らなるもの）を用いて５５℃、ｐＨ３．８、電流密度４
Ａ／ｄｍ2の条件下で４分間引掛けめっき装置により電
気めっきすることにより厚さ１．８μｍのＮｉからなる
第１の下地層３０４ａを形成した。次いで、数回の水洗
浄を行なった後、この第１の下地層３０４ａ上に銀めっ
き液（３０ｇ／ｌの銀および１１０ｇ／ｌのシアン化カ
リウムからなるもの）を用いて４８℃、ｐＨ１２．９、
電流密度１．０Ａ／ｄｍ2の条件下で１分間引掛けめっ
き装置により電気めっきすることにより厚さ０．６μｍ
のＡｇからなる第２の下地層３０４ｂを形成した。
に対して、ニッケルめっき液（２４０ｇ／ｌの硫酸ニッ
ケル、５０ｇ／ｌの塩化ニッケル、４０ｇ／ｌの硼酸か
らなるもの）を用いて５５℃、ｐＨ３．８、電流密度４
Ａ／ｄｍ2の条件下で４分間引掛けめっき装置により電
気めっきすることにより厚さ１．８μｍのＮｉからなる
第１の下地層３０４ａを形成した。次いで、数回の水洗
浄を行なった後、この第１の下地層３０４ａ上に銀めっ
き液（３０ｇ／ｌの銀および１１０ｇ／ｌのシアン化カ
リウムからなるもの）を用いて４８℃、ｐＨ１２．９、
電流密度１．０Ａ／ｄｍ2の条件下で１分間引掛けめっ
き装置により電気めっきすることにより厚さ０．６μｍ
のＡｇからなる第２の下地層３０４ｂを形成した。
【００４１】続いて、数回の水洗浄を行なった後、上記
第２の下地層３０４ｂ上に、ルテニウム濃度８ｇ／ｌの
ルテニウムめっき液（商品名：Ｒｕ−３３、エヌ・イー
ケムキャット（株）社製）を用いて６０℃、ｐＨ２．
０、電流密度１．５Ａ／ｄｍ2の条件下で５分間引掛け
めっき装置により電気めっきすることにより、厚さ０．
４μｍの金属Ｒｕからなるルテニウム層３０２を形成し
た。
第２の下地層３０４ｂ上に、ルテニウム濃度８ｇ／ｌの
ルテニウムめっき液（商品名：Ｒｕ−３３、エヌ・イー
ケムキャット（株）社製）を用いて６０℃、ｐＨ２．
０、電流密度１．５Ａ／ｄｍ2の条件下で５分間引掛け
めっき装置により電気めっきすることにより、厚さ０．
４μｍの金属Ｒｕからなるルテニウム層３０２を形成し
た。
【００４２】その後数回の水洗浄を行なった後、さらに
１０％のアンモニア水でリンス洗浄（５０℃、５分間）
した後、１０％の塩酸を用いて２５℃で０．５分間処理
することにより酸活性処理を行なった。
１０％のアンモニア水でリンス洗浄（５０℃、５分間）
した後、１０％の塩酸を用いて２５℃で０．５分間処理
することにより酸活性処理を行なった。
【００４３】次いで、数回の水洗浄を行なった後、上記
の処理を経た金属ルテニウムからなるルテニウム層３０
２上に、金濃度９ｇ／ｌの金めっき液（商品名：Ｎ７
７、エヌ・イーケムキャット（株）社製）を用いて３５
℃、ｐＨ４．１、電流密度１．２Ａ／ｄｍ2の条件下で
１分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り、厚さ０．１μｍの金属Ａｕからなる金層３０３を形
成することにより図３に示した本発明のコネクタ端子を
得た。
の処理を経た金属ルテニウムからなるルテニウム層３０
２上に、金濃度９ｇ／ｌの金めっき液（商品名：Ｎ７
７、エヌ・イーケムキャット（株）社製）を用いて３５
℃、ｐＨ４．１、電流密度１．２Ａ／ｄｍ2の条件下で
１分間引掛けめっき装置により電気めっきすることによ
り、厚さ０．１μｍの金属Ａｕからなる金層３０３を形
成することにより図３に示した本発明のコネクタ端子を
得た。
【００４４】このようにして得られたコネクタ端子は、
優れた接触抵抗、挿抜性、耐食性を有しており、したが
ってこのコネクタ端子を有してなるコネクタは極めて信
頼性の高いものであった。
優れた接触抵抗、挿抜性、耐食性を有しており、したが
ってこのコネクタ端子を有してなるコネクタは極めて信
頼性の高いものであった。
【００４５】＜比較例１＞
実施例２において、金属ルテニウムからなるルテニウム
層を形成させないことを除き、他は全て実施例２と同様
にしてコネクタ端子を製造した。かかるコネクタ端子
は、導電性基体上にＮｉ層および金層がこの順で形成さ
れた構造となっており、従来のコネクタ端子に相当する
ものである。
層を形成させないことを除き、他は全て実施例２と同様
にしてコネクタ端子を製造した。かかるコネクタ端子
は、導電性基体上にＮｉ層および金層がこの順で形成さ
れた構造となっており、従来のコネクタ端子に相当する
ものである。
【００４６】＜硬度試験＞実施例１〜４で得られたコネ
クタ端子と比較例１で得られたコネクタ端子とを用い
て、表面硬度計（装置名：ビッカス型表面硬度計、
（株）アカシ製作所社製）を使用して、測定荷重１０ｇ
の下それぞれのＡｕ層の表面より表面硬度を測定した。
その結果を以下の表１に示す。
クタ端子と比較例１で得られたコネクタ端子とを用い
て、表面硬度計（装置名：ビッカス型表面硬度計、
（株）アカシ製作所社製）を使用して、測定荷重１０ｇ
の下それぞれのＡｕ層の表面より表面硬度を測定した。
その結果を以下の表１に示す。
【００４７】＜耐食性試験＞実施例１〜４で得られたコ
ネクタ端子と比較例１で得られたコネクタ端子とを用い
て、それぞれの耐食性を測定した。測定条件は、５％の
食塩水を噴霧し、３５℃で８時間経過後の腐食の度合い
を観察することにより行なった。そして、腐食が起こら
なかったものは「○」、少し腐食したものは「△」、か
なり腐食したものは「×」として評価した。その評価結
果を以下の表１に示す。
ネクタ端子と比較例１で得られたコネクタ端子とを用い
て、それぞれの耐食性を測定した。測定条件は、５％の
食塩水を噴霧し、３５℃で８時間経過後の腐食の度合い
を観察することにより行なった。そして、腐食が起こら
なかったものは「○」、少し腐食したものは「△」、か
なり腐食したものは「×」として評価した。その評価結
果を以下の表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】表１より明らかなように、比較例１のコネ
クタ端子に比し各実施例のコネクタ端子は、いずれも優
れた表面硬度を有することにより金層の剥離が一切発生
することがなく優れた挿抜性が示されたとともに、また
耐食性試験においても優れた耐食性が示された。なお、
各実施例の表面硬度において数値のばらつきが見られる
のは、金属ルテニウムからなるルテニウム層単独では７
００〜８５０ＨＶの表面硬度が示されるものの、金属ル
テニウムからなるルテニウム層は比較的薄いため該層の
下層として存在する導電性基体や下地層の影響が現れた
ものと考えられる。
クタ端子に比し各実施例のコネクタ端子は、いずれも優
れた表面硬度を有することにより金層の剥離が一切発生
することがなく優れた挿抜性が示されたとともに、また
耐食性試験においても優れた耐食性が示された。なお、
各実施例の表面硬度において数値のばらつきが見られる
のは、金属ルテニウムからなるルテニウム層単独では７
００〜８５０ＨＶの表面硬度が示されるものの、金属ル
テニウムからなるルテニウム層は比較的薄いため該層の
下層として存在する導電性基体や下地層の影響が現れた
ものと考えられる。
【００５０】今回開示された実施の形態および実施例は
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
【００５１】
【発明の効果】本発明のコネクタ端子は、金層の下層と
して金属ルテニウムからなるルテニウム層を形成したこ
とにより優れた表面硬度を有したものとなり、金層が摩
耗したり剥離したりすることを有効に防止し金層が有す
る優れた接触抵抗を保持したまま優れた挿抜性が得られ
るとともに、ピンホールの発生をも有効に防止し以って
耐食性を飛躍的に向上させたものである。また、金属ル
テニウムからなるルテニウム層の下層として下地層を形
成すれば、導電性基体の種類にかかわらず、金属ルテニ
ウムからなるルテニウム層が剥離することを有効に防止
することができる。また、これらのルテニウム層や金層
をバレルめっき装置、引掛けめっき装置または連続めっ
き装置のいずれかを用いてめっき法により形成すれば、
これらの層を極めて効率良く形成させることが可能とな
る。したがって、本発明のコネクタ端子を有するコネク
タは、このようなコネクタ端子が有する固有の利点をそ
のまま踏襲したものであり、優れた接触抵抗、挿抜性、
耐食性を有しており、極めて信頼性の高いものとなる。
このため、本発明のコネクタは、電気、電子製品や半導
体製品等の接続用の用途に広範囲に利用することが可能
である。
して金属ルテニウムからなるルテニウム層を形成したこ
とにより優れた表面硬度を有したものとなり、金層が摩
耗したり剥離したりすることを有効に防止し金層が有す
る優れた接触抵抗を保持したまま優れた挿抜性が得られ
るとともに、ピンホールの発生をも有効に防止し以って
耐食性を飛躍的に向上させたものである。また、金属ル
テニウムからなるルテニウム層の下層として下地層を形
成すれば、導電性基体の種類にかかわらず、金属ルテニ
ウムからなるルテニウム層が剥離することを有効に防止
することができる。また、これらのルテニウム層や金層
をバレルめっき装置、引掛けめっき装置または連続めっ
き装置のいずれかを用いてめっき法により形成すれば、
これらの層を極めて効率良く形成させることが可能とな
る。したがって、本発明のコネクタ端子を有するコネク
タは、このようなコネクタ端子が有する固有の利点をそ
のまま踏襲したものであり、優れた接触抵抗、挿抜性、
耐食性を有しており、極めて信頼性の高いものとなる。
このため、本発明のコネクタは、電気、電子製品や半導
体製品等の接続用の用途に広範囲に利用することが可能
である。
【図１】 導電性基体上に金属ルテニウムからなるルテ
ニウム層および金層をそれぞれこの順で形成させたコネ
クタ端子の概略断面図である。
ニウム層および金層をそれぞれこの順で形成させたコネ
クタ端子の概略断面図である。
【図２】 導電性基体上に下地層、金属ルテニウムから
なるルテニウム層、金層をそれぞれこの順で形成させた
コネクタ端子の概略断面図である。
なるルテニウム層、金層をそれぞれこの順で形成させた
コネクタ端子の概略断面図である。
【図３】 導電性基体上に複数の下地層、金属ルテニウ
ムからなるルテニウム層、金層をそれぞれこの順で形成
させたコネクタ端子の概略断面図である。
ムからなるルテニウム層、金層をそれぞれこの順で形成
させたコネクタ端子の概略断面図である。
１０１，２０１，３０１ 導電性基体、１０２，２０
２，３０２ 金属ルテニウムからなるルテニウム層、１
０３，２０３，３０３ 金層、２０４ 下地層、３０４
ａ 第１の下地層、３０４ｂ 第２の下地層。
２，３０２ 金属ルテニウムからなるルテニウム層、１
０３，２０３，３０３ 金層、２０４ 下地層、３０４
ａ 第１の下地層、３０４ｂ 第２の下地層。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01R 13/03
C25D 5/10
C25D 7/00
Claims (4)
- 【請求項１】 導電性基体上に金属ルテニウムからなる
ルテニウム層が形成されており、該ルテニウム層上に金
層が形成されていることを特徴とするコネクタ端子。 - 【請求項２】 導電性基体と金属ルテニウムからなるル
テニウム層との間に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇからなる
群から選ばれた少なくとも一種の金属からなる下地層が
少なくとも一層形成されていることを特徴とする請求項
１記載のコネクタ端子。 - 【請求項３】 金属ルテニウムからなるルテニウム層お
よび金層が、バレルめっき装置、引掛けめっき装置また
は連続めっき装置のいずれかを用いてめっき法により形
成されることを特徴とする請求項１または２記載のコネ
クタ端子。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のコネク
タ端子を有するコネクタ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002242150A JP3442764B1 (ja) | 2002-08-22 | 2002-08-22 | コネクタ端子およびコネクタ |
| TW092121508A TWI225322B (en) | 2002-08-22 | 2003-08-06 | Terminal having ruthenium layer and a connector with the terminal |
| US10/640,514 US20040038072A1 (en) | 2002-08-22 | 2003-08-14 | Terminal with ruthenium layer and part having the same |
| CNA031545521A CN1487629A (zh) | 2002-08-22 | 2003-08-18 | 具有钌层的端子以及具有该端子的零件 |
| KR10-2003-0057092A KR100521550B1 (ko) | 2002-08-22 | 2003-08-19 | 루테늄층을 갖는 단자 및 그것을 갖는 부품 |
| EP03018849A EP1391969A3 (en) | 2002-08-22 | 2003-08-19 | Terminal with Ruthenium Layer and part having the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002242150A JP3442764B1 (ja) | 2002-08-22 | 2002-08-22 | コネクタ端子およびコネクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3442764B1 true JP3442764B1 (ja) | 2003-09-02 |
| JP2004079486A JP2004079486A (ja) | 2004-03-11 |
Family
ID=28672732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002242150A Expired - Lifetime JP3442764B1 (ja) | 2002-08-22 | 2002-08-22 | コネクタ端子およびコネクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3442764B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3519731B1 (ja) | 2003-07-29 | 2004-04-19 | Ｆｃｍ株式会社 | 端子、それを有する部品および製品 |
| JP3519727B1 (ja) | 2002-12-09 | 2004-04-19 | Ｆｃｍ株式会社 | コネクタ端子およびそれを有するコネクタ |
| JP3519726B1 (ja) | 2002-11-26 | 2004-04-19 | Ｆｃｍ株式会社 | 端子およびそれを有する部品 |
| CN110820024A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-02-21 | 无锡华晶利达电子有限公司 | 一种增强手机插接件耐腐蚀性能的镀层结构 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5086485B1 (ja) | 2011-09-20 | 2012-11-28 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| JP5284526B1 (ja) | 2011-10-04 | 2013-09-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
| TWI493798B (zh) | 2012-02-03 | 2015-07-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Push-in terminals and electronic parts for their use |
| JP6029435B2 (ja) | 2012-06-27 | 2016-11-24 | Ｊｘ金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
| JP6050664B2 (ja) | 2012-06-27 | 2016-12-21 | Ｊｘ金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 |
-
2002
- 2002-08-22 JP JP2002242150A patent/JP3442764B1/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3519726B1 (ja) | 2002-11-26 | 2004-04-19 | Ｆｃｍ株式会社 | 端子およびそれを有する部品 |
| JP3519727B1 (ja) | 2002-12-09 | 2004-04-19 | Ｆｃｍ株式会社 | コネクタ端子およびそれを有するコネクタ |
| JP3519731B1 (ja) | 2003-07-29 | 2004-04-19 | Ｆｃｍ株式会社 | 端子、それを有する部品および製品 |
| CN110820024A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-02-21 | 无锡华晶利达电子有限公司 | 一种增强手机插接件耐腐蚀性能的镀层结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004079486A (ja) | 2004-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI225322B (en) | Terminal having ruthenium layer and a connector with the terminal | |
| US6755958B2 (en) | Barrier layer for electrical connectors and methods of applying the layer | |
| JPH03173080A (ja) | モールド型電気コネクタ | |
| JP2007280945A (ja) | 電気接点材料及びその製造方法 | |
| JP3442764B1 (ja) | コネクタ端子およびコネクタ | |
| JP2009135097A (ja) | 電気電子機器用金属材料および電気電子機器用金属材料の製造方法 | |
| JP3519727B1 (ja) | コネクタ端子およびそれを有するコネクタ | |
| JPH01306574A (ja) | ＳｎまたはＳｎ合金被覆材料 | |
| JP6501039B2 (ja) | コネクタ用端子材及び端子並びに電線端末部構造 | |
| JP3519731B1 (ja) | 端子、それを有する部品および製品 | |
| JP5869749B2 (ja) | 光沢ニッケルめっき材の製造方法、及び、光沢ニッケルめっき材を用いた電子部品の製造方法 | |
| TWI761560B (zh) | 附錫鍍敷銅端子材及端子以及電線終端部構造 | |
| JP3519726B1 (ja) | 端子およびそれを有する部品 | |
| AU2015262624B9 (en) | Connecting component material | |
| JP5117796B2 (ja) | 化学研磨剤及びその化学研磨剤を用いてめっき前処理した銅又は銅合金を用いる金属めっき方法 | |
| JP2023067943A (ja) | 銀めっき材およびその製造方法 | |
| JP2009263786A (ja) | 接続部品用金属材料およびその製造方法 | |
| WO2019087926A1 (ja) | 防食端子材及び防食端子並びに電線端末部構造 | |
| JPS6212315B2 (ja) | ||
| JPH02173289A (ja) | 耐摩耗性に優れた金めっき材 | |
| JPH11335859A (ja) | 複合金めっき皮膜及びその製造方法、並びに該複合金めっき皮膜を有する電気接点 | |
| Fairweather | Alloy gold deposits for electronic applications: An evaluation of the gold-copper-cadmium sulphite system | |
| JP2951462B2 (ja) | 金めっき材の封孔処理方法 | |
| JP6579980B2 (ja) | Ｎｉめっき銅又は銅合金材、それを用いたコネクタ端子、コネクタ及び電子部品 | |
| JPH08120466A (ja) | 貴金属めっき材およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030603 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3442764 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |