TW488081B - Infrared sensor and its manufacturing method - Google Patents

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TW488081B
TW488081B TW090106461A TW90106461A TW488081B TW 488081 B TW488081 B TW 488081B TW 090106461 A TW090106461 A TW 090106461A TW 90106461 A TW90106461 A TW 90106461A TW 488081 B TW488081 B TW 488081B
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layer
crystal silicon
wiring
support
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TW090106461A
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Yoshinori Iida
Naoya Mashio
Keitaro Shigenaka
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Toshiba Corp
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488081 A7 B7 五、發明説明（〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本案乃依據2 0 〇 〇年3月3 0日在日本申請發明專 利之特願2 0 0 0 - 9 5 6 8 7號爲基礎主張巴黎條約上 述之優先權者。 (.發明之背景） 本發明有關於紅外線感測器及其製造方法。特別是有 關於非冷卻型之紅外線感測器之畫素構造及其製造方法， 提供高感度之非冷卻型紅外線感測器及其製造方法者。 (先前技術之說明） 按紅外線撮像乃不管晝夜均可能撮像，同時具有較可 視光更能透過煙霧等透過性高之特徵，又也可獲得被撮體 之溫度資訊，因此在於國防領域以及監視撮影機或做爲火 災感測撮影機等等具有廣泛之應用範圍。 * 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以往主流之量子型紅外線固體撮像裝置之最大缺點乃 ，由於需要爲了低溫動作用之冷卻機構者。惟近年來不需 要冷卻機構之「非冷卻型紅外線固體撮像元件」之開發很 盛行。 按非冷卻型，換言之「墊型之紅外線固體撮像裝置」 乃藉由吸收構造將波長1 0 //程度之入射紅外線變換爲熱 ，而藉由一種熱電變換手段而將由此微弱之熱所發生之感 熱部之溫度變化變換爲電氣的訊號，由讀出此電氣的訊號 而獲得紅外線畫像資訊者， 爲了提高此種非冷卻型紅外線感測器之感度，大分類 $·紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " " 488081 A7 B7 五、發明説明（2) 而有3種方法。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1乃，提高對於被撮體之溫度變化d T s之入射於 紅外線檢測部之紅外線功率d p之比，換言之提高d p / d T s之方法。 此方法主要乃，由光學系之感度之提高。紅外線透鏡 之大口徑化，被覆防止反射膜，使用低吸收透鏡材料，紅 外線檢測部之紅外線吸收率之提高，紅外線吸收面積之提 高等係屬之。 近年來之非冷卻型紅外線感測器有多畫素化之超勢。 又單位畫素之尺寸係以4 0 // m X 4 0 M m程度爲主流。 如上述之項目中，紅外線檢測部之紅外線吸收面積之提高 問題乃成爲比較重要的課題的被留下來。惟在於畫素上部 疊層形成紅外線吸收層，由而將紅外線吸收面積提高至畫 素面積之約9 0 %之事實已有揭示（Tomohiro Ishikawa，et al.，pr〇c. SPIE Vol. 3 698, p556，1 999 )惟以光學的手段很難 再有更大幅度之感度之提高。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ..第二乃，提高入射紅外線功率P與紅外線檢測部之溫 度變化d T d之比，換言之提高d T d / d p之方法。上 述之方法係光學的手法而相對的本方法係屬於熱的方法。 通常安裝於真空容器之非冷卻型紅外線感測器中，現狀乃 從紅外線檢測部對於支撐基板之熱輸送，乃藉由將紅外線 檢測部支撐於支撐基板內部之中空構造上之支撐構造之熱 傳導者爲其主流，所以採取該由低熱傳導率之材料之腳狀 之支撐構造在設計上可能之範圍地儘量細，儘量長地予以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 488081 A7 B7 五、發明説明（3) 配置之手段。（例如 Tomohiro Ishikawa，et al.，Proc，SPIE Vol. 3698, p. 556，1 999 ) 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 惟在畫素尺寸之被微細化爲4 0 // m x 4 0 // m程度 之下，由於矽L S I處理水平之已進行微細加工之情形下 ，藉由改善支撐構造之配置來實現更進一步之大幅度的提 高感度乃非常困難。同時再減低支撐構造之材料特性之熱 傳導率也很困難。特別是從紅外線檢測部而輸出電氣訊號 之用之配線來說，對於該機構很相似之電氣傳導與熱傳導 而言，具有相反之要求，以材料的實現大幅度的感度之提 高係很難。 第三乃，提高紅外線檢測部之溫度變化d T d與由熱 電變換機構所發生之電氣訊號變化d s之比，換言之提高 d s/d T d之手段。這是屬於電氣的方法。此方法爲與 其他二方法不同，雖然以提高單純之高感度化即 d s / d T d爲目的，同時設法減低同時地發生之電氣的 雜訊也非常重要，至今已有很多種之熱電變換之手段被提 出檢討、。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其主要者，舉例於下。 (1 )藉由賽頁克效果（see beck effect )而將溫度變 換爲電位差之熱電堆（thermo pile )(例如Toshio Kanno，et al: Proc. SPIE Vol. 2269, pp 450-459 1 994 ) (2 )藉由電阻體之變化溫度而將溫度變化變化爲電 阻變化之輻射熱測量計（bolometer ) (3 )藉由焦電效果而將溫度變化變換爲荷之焦電元 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 488081 Α7 Β7 五、發明説明（4) 件。（例如 Charles Hanson, et al·，Proc. SPIE Vol. 2020 pp 330-339， 1993 )。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (4 )依一定之順方向電流而將溫度變化變換爲電壓 變化之矽 ρ η 接合。（例如 Tomohiro Ishikawa, et al., Proc，SPIE Vol 3698 p. 556，1 999 )。 惟在於各方式之比較上綜合的考量其熱電變換特性及 雜訊特性，並且製造方法之結果，現狀上並沒有比其他方 式決定的優異之方式。例如溫度分解能力而言，以輻射熱 測量計優異，而製造製程而言，矽L S I製程即可製造之 石夕Ρ η接合爲優異。 如前面所述，做爲使非冷卻型紅外線感測器高感度化 之方法之一而有提高入射紅外線功率d ρ與紅外線檢測部 之溫度變化dTd之比，即提高dTd/d ρ之屬於熱的 方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一般而言，從紅外線檢測部對於支撐基板之熱輸送乃 ，藉由將紅外線檢測部支撐於支撐基板內部之中空構造上 之中空構造之熱傳導爲其主要。於是採取由低熱傳導率之 材料所成之腳狀之支撐構造，在於設計上之可能之範圍地 ，更細，更長地予以配置之方式。惟在畫素尺寸之已被微 細化於4 0 // m X 4 0 // m程度之中，由於已實施矽 L S I之處理水平之微細加工，因此藉由支撐構造之按排 等而求更進一步之提高感度乃很困難。 (發明之槪說） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 488081 A7 B7 __ 五、發明説明（5) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明乃鑑於上述問題所創作，其目的乃提供一種’ 使該支撐紅外線檢測部之支撐構造之斷面積比以往而大幅 度地予以縮小，藉由抑制該熱之逸散，以資顯著的改善檢 測感度之紅外線感測器及其製造方法者。 爲了達成上述之目的紅外線感測器乃具備：具有，備 有複數之凹部之半導體基板、及吸收入射紅外線而變換爲 熱之吸收部（1 8，2 0 )及將於上述吸收部所發生之熱 之溫度變他變換爲電氣訊號之備有Ρ η接合部之熱電變換 部（8，1 5 )，而形成於上述半導體基板上之複數之紅 外線檢測部（1 0 )，及將上述複數之紅外線檢測部之各 個，分別離開於上述半導體基板之上述複數之凹部所相對 應之半導體基板地予以支撐，對於上述半導體基板面而延 伸於略平行方向之至少一個支撐體（11)， 上述熱電變換部乃，備有形成於上述吸收部下面之半 導體層（8)，而在該半導體層內形成上述ρη接合部， 上述支持體之一端部係分別連接於上述紅外線檢測部 ，另一端部即分別連接於上述半導體基板， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述支持體之厚度係較上述紅外線檢出部之厚度薄者 〇 爲其特徵者。 再者，紅外線感測器之製造方法乃主要乃係於具備： 吸收入射紅外線而變換爲熱之吸收部（1 8 ，2 〇 ) ’及將備有在於上述吸收部所發生之熱之溫度變化變換爲 電氣訊號之ρ η接合部之熱電變換部（8，1 5 )，而形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公董) " —- 488081 A7 B7 五、發明説明（6) 成於單晶矽基板（6 )上之複數之紅外線檢測部（1 〇 ) ，及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 使上述複數之紅外線檢測部之各個，分別離開於上述 單晶砂基板地予以支撐，對於上述單晶砍基板面而延伸於 略平行方向之至少一個支撐體（11)， 上述熱電變換部乃具備有形成於上述吸收面之下面之 單晶矽層（8 )，而在該單晶矽層內形成上述ρ η接合層 而成之紅外線感測器之製造方法乃具備有下列之製程： 對於依序疊層、單晶矽基板（6 )、埋入絕緣層（9 )、及上述單晶矽層（8 )而成之S〇I基板之上述單晶 矽層之一部份施予蝕刻去除，形成第1凹部，而使上述埋 入絕緣層露出之製程，及 在於上述第1凹部埋入元件分離絕緣層（1 4 )之製 程，及 將上述元件分離絕緣層之一部份、及其下面之上述埋 入絕緣層予以蝕刻去除以資形成第2凹部，而令上述單晶 矽基板露出之製程，及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在於上述第2凹部埋入犧牲矽層（2 1 )之製程，及 在於上述單晶矽層形成，備有將熱所致之溫度變化變 換爲電氣訊號之Ρ η接合部之上述熱電變換部之製程，及 在於基板上面形成包含，爲了從上述熱電變換部而輸 出電氣訊號用之配線層（1 7 )及形成於其上面之對應於 上述吸收部之一'部份之第1絕緣層（2 0 )之暨層體之製 程，及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) 7^ 488081 Α7 Β7 五、發明説明（7) 在於上述疊層體上形成對應於上述吸收部之一部份之 第2絕緣層（1 8 )之製程，及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由一部份的蝕刻去除形成於上述犧牲矽層上之上述 疊層體及上述第2絕緣層由而在於上述犧牲矽層上形成上 述支撐體之製程，及 蝕刻去除上述犧牲矽層而使上述單晶矽基板露出之製 程，及 蝕刻該露出之上述單晶矽基板，而使上述紅外線檢測 部從單晶矽基板離開之製程， 而構成者。 又紅外線感測器之製造方法乃主要乃係於具備： 吸收入射紅外線而變換爲熱之吸收部（1 8，2 0 ) ’及將備有在於上述吸收部所發生之熱之溫度變化變換爲 電氣訊號之Ρ η接合部之熱電變換部（8，1 5 )，而形 成於單晶矽基板（6 )上之複數之紅外線檢測部（1 〇 ) ，及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使上述複數之紅外線檢測部之各個，分別離開於上述 單晶矽基板地予以支撐，對於上述單晶矽基板面而延伸於 略平行方向之至少一個支撐體（11)， 上述熱電變換部乃具備有形成於上述吸收而下面之單 晶矽層（8 )，而在該單晶矽層內形成上述ρ η接合部而 成之紅外線感測器之製造方法，乃：具備有下列之製程： 對於依序疊層，單晶矽基板（6 )、埋入絕緣層（9 )、及上述單晶矽層（8 )而成之S〇I基板之上述單晶 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ~ " 488081 A7 ___ B7 五、發明説明（8) 矽層之一部份予以鈾刻去除形成第1凹部，而使上述埋入 絕緣層露出之製程，及 對於上述第1凹部埋入元件分離絕緣層（1 4 )之製 程，及 在於上述單晶矽層形成，將由熱所致之溫度變化變換 爲電氣訊號之備有ρ η接合部之上述熱電變換部之製程， 及 在於上述基板上面疊積第1絕緣層（2 5 )之製程， 及 在於形成了上述第1凹部之領域之一部份，分別蝕刻 去除上述第1絕緣層及其下面之上述元件分離絕緣層以及 其下方之上述埋入絕緣層以資形成第2凹部，以資將上述 單晶矽基板露出之製程，及 對於上述第2凹部埋入犧牲矽膜（2 1 )之製程，及 在於基板上面疊積第2絕緣層（2 6 )之製程，及 在於上述第1及第2絕緣層上形成從上述熱電變換部 而輸出電氣訊號之檢點部，再形成配線（1 7 )之製程， 及 在於基板上面疊積對應於上述吸收部之一部份之第3 絕緣層（2 0 )之製程，及 在於上述第3絕緣層之上面形成對應於上述吸收部之 一部份形成第4絕緣層（1 8 )之製程，及 蝕刻去除形成於上述犧牲矽膜上之上述第2、第3、 及第4之絕緣層之一部份以資在上述犧牲矽膜上，形成上 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 琴 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適财酬家標準（CNS ) Α4規格（210X297公羡） ~ 488081 Α7 Β7 五、發明説明（9) 述支撐體之製程，及 C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 蝕刻去除上述犧牲矽膜而使上述單晶矽基板露出之製 程，及 蝕刻露出之上述單晶矽基板以資使上述紅外線檢測部 離開於上述單晶矽基板之製程，而構成者。 又，紅外線感測器之製造方法，乃主要係於具備： 吸收入射紅外線而變換爲熱之吸收部（1 8，2 0 ) ，及將備有在於上述吸收部所發生之熱之溫度變化變換爲 電氣訊號之Ρ η接合部之熱電變換部（8，1 5 )，而形 成於單晶矽基板（6 )上之複數之紅外線檢測部（1 0 ) ，及 使上述複數之紅外線檢測部之各個，分別離開於上述 單晶矽基板地予以支撐，對於上述單晶矽基板面而延伸於 略平行方向之至少一個支撐體（1 1 )， 上述熱電變換部乃具備有形成於上述吸收面之下面之 單晶矽層（8 )，而在此單晶矽層內形成上述ρ η接合層 而成之紅外線感測器之製造方法乃具備有下列之製程， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對於依序疊層：單晶矽基板（6 )、埋入絕緣層（9 )、及上述單晶矽層（8 )而成之S〇I基板之上述單晶 矽層之一部份施予鈾刻去除，形成第1凹部，而使上述埋 入絕緣層露出之製程，及 在於上述第1凹部埋入元件分離絕緣層（1 4 )之製 程，及 藉由上述單晶矽層設置ρ η接合以資形成上述熱電變 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 488081 A 7 ____ B7 __ 五、發明説明（4 換部之製程，及 於基板上面疊積第1絕緣層（2 5 )之製程，及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在於上述第1絕緣層形成從上述熱電變換部輸出電氣 訊號之接點部，再形成配線（1 7 )之製程，及 在於基板上面疊積對應於上述吸收部之一部份之第2 絕緣層（2 0 )之製程，及 在於上述第2絕緣層之上面形成對應於上述吸收部之 一部份之第3絕緣層（1 8 )之製程，及 將上述單晶矽層，上述第1絕緣層，上述第2絕緣層 及上述第3絕緣層一部份予以蝕刻以資形成上述支撐體之 製程，及 除去據於上述支撐體上面位置之上述第3絕緣層之全 部及上述第2絕緣層之一部份而使上述支撐體之厚度變薄 之製程，及 蝕刻上述單晶矽基板，而令上述紅外線檢測部從上述 單晶矽基板離開之製程 而構成者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依本發明時，由上面所說明之構成而大幅度地可以使 紅外線檢測部及支撐基板之間之支撐體薄薄地形成，在於 由微細加工水準等所限制之平面上之佈置之相同之狀態下 ，仍大幅度地減低支撐體之斷面積，所以得大幅度地減低 支配紅外線檢測部與支撐體之間之熱輸送之支撐體之熱傳 導該結果可以獲得高感度之非冷卻型紅外線感測器也。 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 488081 A7 _ B7 五、發明説明（彳） (合宜的實施形態之說明） 下面詳細的說明本發明之實施形態之具體例。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (第1實施形態） 第1圖係本發明之第1實施形態之紅外線感測器之全 體構成圖。 在於半導體基板上二次元的配置將入射紅外線變換爲 電氣訊號之紅外線檢測畫素1 ，而爲了畫素之選擇之用之 垂直位址電路3 1及水平位址電路3 2即鄰接於紅外線檢 測畫素陣列地被配置，來自被選擇之畫素之訊號乃依序被 輸出。 第1圖之紅外線檢測畫素1係被順偏壓之ρ η接合， 而使畫素之ρ η接合予以順偏壓之用之定電流源3也鄰接 於紅外線檢測畫素陣列的被配置。本例中之第1圖係做爲 紅外線檢測畫素陣列2顯示2行X 2列之四畫素之陣列。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由垂直位址電路3 1所選擇之紅外線檢測畫素行有， 從定電流電源3 3所供給之順偏壓電流，流過垂直訊號線 3，選擇畫素，水平位址線4之電流路徑，而發生於垂直 訊號線3之訊號電壓乃由水平位址電路3 2而依序選擇而 被輸出。 第1圖中最單純的例子乃表示，介著由水平位址電路 3 2而依序選擇之列選擇電晶體5而將發生於垂直訊號線 3之訊號電壓直接輸出之構造。惟此訊號係微弱，因此必 要時設置以列單位的放大訊號電壓之構造也可以。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 488081 Α7 Β7 五、發明説明（ο (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2圖係第1圖之紅外線畫素1之等效電路圖。爲了 高感度化，因此Ρ η接合係η個地予以串聯連接，對於 ρ η接合串聯的存在有附加電阻R a。 附加電阻R a乃由：ρ η接合與水平位址線4之間’ 及ρ η接合與垂直訊號線5之間之畫素內部配線之電阻 R 1 ，此配線與Ρ η接合之接觸電阻R c ，以及ρ η接合 ρ領域及η領域之電阻R s所成。 第3 Α圖係表示第2圖之紅外線檢測畫素之平面構成 圖。 第3B圖係第3A圖之A — A’線斷面圖。 紅外線檢測畫素乃由：形成於單晶矽基板6內部之中 空構造7之上面，而由紅外線吸收層1 8，爲了熱電變換 而形成之S〇I層8內部之Ρ η構造，及支撐此SO I層 8之埋入矽氧化膜層9所成之感測器部1 〇，及將該感測 器部1 0支撐於中空構造7上，同時輸出從感測部1 〇之 電氣訊號之支撐部1 1 ，以及連接此感測器部1 〇及垂直 訊號線4以及水平位址線5之連接部（不圖示）所成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依第3 B圖時感測器1 0及支撐部1 1乃看起來像漂 浮於中空狀，惟實際上係如第3 A圖所示感測器1 〇係在 兩側分別由支撐部1 1之一端部所支撐，支撐部1 1之另 一端部係分別連接於垂直訊號線及水平位址線。 由於將感測器1 0及支撐部1 1設置於中空構造7上 ，因此，成爲很容易實施由入射紅外線所致之感測器1 〇 之溫度之調制者。第3圖中表示η二2時之構造者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） ^ _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488081 A7 B7 五、發明説明（u 並且，在本發明中，使支撐部1 1之厚度T 1係較感 測器1 0之厚度T 2爲薄的被形成。特別是本具體例時， 令支撐部1 1之下面1 1 B從基板6看時，形成於較感測 器1 0之下面1 Ο B爲高之位置，而使厚度T 1薄於丁 2 。如上所述地使支撐部之厚度薄化，以資抑制熱之逸散可 以大幅度的提高對於紅外線之感度也。 下面說明第3圖所不之紅外線檢測畫素之製程。 第4圖及第5圖係表示紅外線檢測畫素之製程之要部 斷面圖。 首先，做爲半導體基板準備在於單晶矽基板6上依序 疊積有埋入矽氧化膜層9，單晶矽層8之所謂S Ο I基板 (第4 A圖）。 接者’做爲兀件分離而貫施與S T I ( Shallow·* Trench-Isolation )同樣之製程。詳述之，即利用光蝕法等 之技術而劃定元件分離領域，而例如藉由R I E ( Reactive-Ion-Etching )等之技術而蝕刻去除元件分離領域 之單晶矽層 8 之後，以 C V D ( Chemical-Vapo卜Deposition )等技術埋入元件分離矽氧化膜1 4 ，而藉C Μ P (
Chemical-Vapor-Deposition )等技術而予以平坦化（第4圖 )’此時支撐部1 1之領域亦劃定於元件分離領域而埋入 元件分離矽氧化膜14。
接著，例如利用R I E等技術蝕刻去除元件分離領域 之中之用於形成支撐部1 1之支撐構造用元件分離領域之 元件分離矽氧化膜1 4及埋入矽氧化膜層9。而以C V D 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ -lb - I--------·#------IT------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 488081 A7 ___ B7 _
五、發明説明（U 等技術而埋入犧牲矽膜2 1 ，然後以C Μ P等之技術而使 之平坦化（第4 C圖）。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此犧牲矽膜2 1乃由後序製程之支撐基板6之蝕刻時 被蝕刻之所謂犧牲層，因此單晶，多晶，非晶質等任一構 造均可。 將此犧牲矽膜2 1埋入於支撐構造用元件分離領域內 之後，藉由C Μ Ρ等之平坦化過程而單晶矽層8曝露而出 。所以爲了保護所謂在於活性領域之單晶矽層8之表面起 見，在先於支撐構造用元件分離領域之矽氧化膜蝕刻之製 程。實施以矽氧化膜等來保護單晶矽層8表面之製程就更 合宜。 接著，與位址電路、輸出部、定電流源等之週邊電路 之源極、漏極領域同樣地以光鈾法技術及離子注入等之滲 雜技術形成感測器部1 0之Ρ η接合之用之η型雜質領域 1 5之後，實施形成爲了周邊電路及Ρ η接合之配線之用 之接觸孔1 6以及形成金屬配線1 7之所謂金屬噴鍍法（ 第4 D圖）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，在於感測器部1 0形成紅外線吸收層，惟如本 實施形態地亦可能流用在於金屬噴鍍製程時所形成之層間 絕緣膜2 0及鈍化膜1 8也（第4 D圖）。層間絕緣膜 2 0乃例如以矽氧化膜所形成。鈍化膜1 8係例如以矽氮 化膜所形成。層間配線膜2 0及鈍化膜1 8係對應於吸收 部。 接著形成爲了形成支撐部1 1及形成中空構造7用之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ~ 488081 A7 B7 五、發明説明（β 蝕刻孔1 9而實施以R 1 Ε等鈾刻法來蝕刻鈍化膜1 8及 層間絕緣膜（第5 Α圖）。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著介著此蝕刻孔1 9而例如以T M A H ( Tetra-Methyl-Ammonium-Hydrooxide )等之藥液鈾刻去除犧牲石夕膜 2. 1 (第 5 B 圖）。 最後，實施做爲單晶矽之各向異性之蝕刻劑而使用例 如T M A Η等藥液之單晶矽之各向異性之蝕刻，而在單晶 矽基板6之內部形成中空構造7，而可以獲得第3之紅外 線檢測畫素之構造（第5 C圖）。 第5圖之說明中關於犧牲矽膜2 1之蝕刻去除製程及 後序之單晶矽基板6之各向異性蝕刻製程係分別獨立的予 以說明，惟使用於這些蝕刻之藥液係基本上同一藥液，因 此在於實際之製程中，成爲第5 Α圖之形狀之後，例如實 施以T M A Η等之藥液之蝕刻而不意識第5 B圖之形狀地 可以獲得最終形狀之第5 C圖之構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當然需要爲了形成在於週邊電路所使用之電晶體之閘 極電極之形成過程，惟因爲與紅外線檢測畫素之製程沒有 直接關係之製程，因此在上述之說明中予以省略。 如第3圖所表示，在於本實施形態之感測器構造中， 在於元件分離製程之直後，對於支撐用元件分離領域埋入 形成犧牲矽膜2 1之後，此後鈾刻去除該犧牲矽膜2 1 ， 由而將支撐部之底部被形成與單晶矽層8之表面之同程度 之高度。因此支撐部1 1乃大幅度地被形成爲很薄。所以 支撐部1 1之斷面積係大幅度地被減低，感測器部1 〇與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ~ 488081 A7 _ B7 五、發明説明（d 支撐基板6之間之熱電導乃大幅度的被減低。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了與本實施形態做比較，做爲先前例之斷面構造， 而由表示於第2 0圖之斷面構造之比較也明顯的看出其斷 面積之減低。 第2 0 A圖係表不以往（先前技術）之紅外線檢測畫 素之平面構成圖，第20B圖係上述之A-A’線斷面圖 。同圖中對於與第3圖同樣之要素乃標上同一標號，省略 其詳細的說明。 比較第3圖所示之本實施形態之支撐部1 1，及第 2 0圖所顯示之以往之支撐部1 1時，可知本實施形態乃 支撐部1 1之斷面積係大幅度地變小。由此結果大幅度地 可以減低從感測器1 0之熱之逸散，可以提高對於入射紅 外線功率之感測器部之溫度變化之比。即大幅度地可以提 高所謂熱感度，所以可以獲得具有高的紅外線感度之紅外 線感測器也。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本例中，形成第5 A圖之形狀之後，以感光抗蝕劑等 來保護除了支撐部1 1之領域之狀態下，將支撐部1 1之 表面側之鈍化膜8予以適當量的實施蝕刻，而後實施犧牲 矽膜2 1及支撐單晶矽基板6之鈾刻處理而可以獲得第6 圖所轰示之構造。 即在於第6圖所顯示之構造中，支撐部1 1之底面 1 1乃不只是被形成爲與單晶矽層8之上面之同一程度之 高度，而支撐部1 1之上面1 1 τ係被形成於較感測器部 1〇之上面1 0 T爲低之位置，依此第6圖之構造時’與 _ 19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 488081 A7 B7 五、發明説明（d (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3圖之構造比較時，支撐部1 1之斷面積乃更被減低， 所以更能抑制熱之逸散，而可以使紅外線感測器之高感度 化也。 如上所述地鈾刻支撐部1 1之上面1 1 τ而形成爲低 於感測器部之上面1 Ο τ之情形乃實際上之利點很大。這 是由於爲了提高感測器之感度起見，必要將感測器部1 0 之矽氧化膜2 0形成地厚才可以之緣故。 第7圖係表示如上所述將矽氧化膜2 0比第6圖較厚 地形成之例子之槪念圖。 換言之，爲了提高對於紅外線之感度起見必須使感測 器1 0之矽氧化膜2 0之能充分的吸收紅外線地厚厚地形 成才可以。實際上也有將矽氧化膜2 0之膜厚形成爲 5 0 0 nm或該以上之情形。再者，也有在此上面，做爲 光吸收膜地疊積3 0 0 n m之厚度之程度氮化矽膜3 〇之 情形。此種情形時，蝕刻支撐部1 1之上面，而將該上面 1 1 T形成爲低於感測器部上面1 〇 T就能大幅地縮小支 撐部1 1之斷面積而更能改善感度者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第8圖係表示本發明之第1實施形態之紅外線感測器 之另一具體例之槪念圖。 在此具體例中，單晶矽層8與配線7係比第3圖離開 地被設置而以深的接觸孔1 6所連接。此構成乃由設於感 測器部1 0之週邊之週邊電路之構成上有時必要者，關於 此點將詳述於後。 另一方面依第4圖及第5圖所顯示之製程時，即所完 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 488081 A7 B7
五、發明説明（U (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成之第3圖之構造之紅外線感測器有高感度化之效果之外 ，也具有更使製程更簡單化之效果。爲了說明這一點首先 說顯示於第2 0圖之先前構造之紅外線感測器之製程。 第2 1圖及第2 2圖乃顯示第2 0圖所顯示之先前之 紅外線感測器之製程之要部之過程之斷面圖。關於這些之 圖面乃除了在於支撐構造用元件分離領域內不埋入犧牲矽 膜2 1之點及沒有蝕刻去除此犧牲矽膜2 1之製程之點， 即與第4圖及第5圖相同，因此省略該詳細說明。 參照這些製程，而從顯示於第3圖之本發明及顯示於 第2 0圖之先前構造之支撐部1 1之斷面積而分別算出熱 傳導率即將如下。 首先設定，支撐部1 1之絕緣材料係採用矽氧化膜。 做爲配線1 7之材料而使用鈦。又鈦配線之寬度爲0 · 6 〔// m 〇。厚度爲0 · 0 5 〔 // m〕，又構成支撐部1 1 之絕緣材料之寬度乃爲了用於保護鈦配線定爲1 · 0〔 β m ]。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2 0圖之先前構造之絕緣層之厚度乃，埋入矽氧化 膜層：0 · 2 β m，S〇I層·· 0 · 2 // m，配線下之矽 氧化膜：1 // m + 0 · 1 μ m，配線上之砂氧化膜厚： 0 · 5//m即共計膜厚爲2//m。 第3圖之本發明時，即上述之先前之絕緣膜中之埋入 氧化膜（0 · 2 // m ) ，S〇I層（0 · 2 // m )及配線 下之矽氧化膜厚（1 M m )將不須要，所以絕緣膜之共計 膜厚係〇· 6 β m。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 488081 A7 _____ B7 五、發明説明（ 於是T i配線之每單位長度之熱傳導率乃本發明乃先 前例均同一，而得由下述求之。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 先前例： 2 · 2x10- 5〔W///m/K〕x〇· 6〔//m〕 x〇·〇5 〔//m〕 = 6 · 6x10 一 7〔//m.W/K〕 每一矽氧化膜的單位長度的熱傳導率如以下所述。 先前例： 1· 4><10-6〔W//zm/K〕xl · 〇〔#m〕 x2 · 0〔#m〕= 2 · 8x10— 6〔//m.W/K〕 本發明： 1 · 4X10- 6〔W///m/K〕xl · 〇〔/zm〕 x〇· 6〔"m〕= 8 · 4x10— 7〔//m*W/K〕 合計T i及矽氧化膜之熱傳導，即先前例爲3 . 5 x X 1 〇—6〔 W / // m / K〕，而本發明即 1 · 5 x 1 0 — 6 〔W / // m / K〕。換言之本發明乃其熱傳導減低（ 1 · 5 / 3 · 5 )倍，換言之約1 / 2以下，結果感度可 以提高爲2倍以上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如上述以定量的說明了在於支撐部1 1之熱之逸散之 抑制效果。下面說明實際之製作上之優點。 首先比較，第2 2 A圖所示之兼爲支撐部1 1之形成 及鈾刻孔1 9之形成之矽氧化膜蝕刻直後之斷面構造及本 實施形態之第5 A圖之斷面構造。 在此製程之矽氧化膜之飩刻之圖樣乃，爲了在於被限 定之畫素領域內部中，使感測器部8儘量的使之成爲大面 本紙張尺度適用中®國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 488081 A7 B7 五、發明説明（2》 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 積而爲了使支撐部1 1儘可能細且長起見’以光蝕法可能 加工之最小尺寸而設計而成。又以嚴密的加工此以最小尺 寸所設計之佈置起見，矽氧化膜之鈾刻乃通常使用各方異 性之蝕刻之R I E。 在於R I E之鈾刻中，以其開口寬度與蝕刻深度之比 來定義之所謂縱橫比係做爲爲了實施R I E製程時之技術 之困難之指標乃習知者。換言之，雖然是同之之開口寬度 之狀態之下將要求較深之蝕刻深度之先前製程（第2 1圖 及第2 2圖）及先前製程（第2 0圖）乃比較困難之 R I E製程，反過來說，依本實施形態之製程乃較容易之 R I E製程者。 再者，依本實施形態時，除了由於將支撐部1 1形成 的薄所致之高感度化之效果’以及製程之能容易化之效果 之外也具有起因於製造過程之變爲容易所致之副次的高感 度化之效果。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 按屬於各向異性蝕刻之R I E乃利用其蝕刻之離子性 而實現離子入射之方向之蝕刻即對於基板成垂直之各向異 性之蝕刻。椎當上述之鈾刻深度變深，又蝕刻開口寬度變 狹，而該縱橫比高時，入射離子之方向性變劣，實際上其 斷面並非垂直而雖然微小乃會發生推拔形狀也是眾所習知 之事實。於是以第2 2 A圖做參考，考量高縱橫比之矽氧 化膜R I E。 按在於第2 2 A圖中，以垂直狀的表現之蝕刻孔斷面 係實際上雖然微小形成推拔狀，考量此飩刻孔形狀之推拔 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） -23- 488081 A7 B7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 形狀，即由下述之二個理由而實際上所製作而成之支撐部 1 1之斷面積乃如第2 2A圖或第2 0圖所示者成爲大面 積乃明顯之道理。 第1之理由乃鈾刻孔1 9之斷面之推拔形狀乃會形成 支撐部1 1之斷面之逆推拔形狀，因此支撐部1 1之斷面 將成爲下底長於上底之台形形狀’而該斷面積乃將大於以 上底及厚度所設計之斷面積。 另一個理由乃，當鈾刻孔1 9呈顯推拔形狀時，在於 支撐單晶矽基板6之蝕刻過程中，該蝕刻藥液之被供給之 倉虫刻孔1 9之底部之開口面積會降低之問題，換言之，考 慮了蝕刻孔1 9斷面之推拔形狀之狀態下，在於確保蝕刻 孔底部之開口面積起見，雖然微小須要將蝕刻孔1 9上底 部做擴大的佈置。所以支撐部1 1之斷面積將更增大，而 紅外線之感度乃更省化也。 (第2之實施形態） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著說明本發明之第2實施形態。有關本實施形態之 紅外線感測器之全體構成及紅外線檢測畫素之等效電路係 與第1實施形態同樣地分別表示於第1圖及第2圖者相同 ，因此省略其說明。 第9圖係說明本發明之第2實施形態之紅外線感測畫 素之平面構成及斷面構造之槪略構成圖。 第9圖所示之構造乃與第1實施形態所示之第3圖者 大致上相同，惟，支撐部1 1之底面1 1 B之據位於自基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 488081 A7 __B7________ 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 板6看時位置於比單晶矽層8之高度較高之位置’更具體 的說，底面1 1 B乃與感測部1 1內之絕緣層2 6之底面 而相一致之點而與第3圖之構造不相同。 在於本實施形態中，支撐部1 1之厚度T 1乃被形成 爲較感測部1 0之厚度T 2爲薄，而構成能抑制熱之逸散 〇 再者與第3圖比較時，於第9圖之感測器部1 0之接 觸孔1 6之深度乃被形成很深。這是在於說明本實施形態 時爲了使與第1實施形態之不同容易了解之目的而繪製者 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 關於本實施形態與上述之第1實施形態之不同點乃’ 如比較第9圖所示本實施形態與第8圖所示之第1實施形 態就更能瞭解。說明第1實施形態之第3圖，與第8圖之 不同乃只有感測部1 0之接觸孔1 6之深度變深之部份而 已，第8圖乃可以說較第3圖而表現近乎實際之斷面構造 。這點在第3圖上沒有顯示。因爲反映由於有構成位址電 路及輸出電路等之週邊電路之電晶體或電容器之存在而在 於感測器部8內部之接觸孔1 6會顯現較厚之狀況所致， 使用第2 0圖說明該狀況。 第1 0圖乃從左排置：感測器部1 0，電晶體T r ， 及電容器C，而比較顯示該斷面構造之槪念圖。 感測器部1 0之構造乃與上述者一樣，因此省略其說 明。 η —通道型之Μ〇S電晶體部T r乃由構成源極/漏 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~〇t. _ 488081 A7 B7 五、發明説明（ 極之N型雜質領域、及形成於閘極氧化膜上之閘極電極2 2所成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電容器C乃由，元件分離矽氧化膜1 4上之電容器下 部電極2 3，及在此下部電極上介著介電體膜而疊層形成 之電容器上部電極2 4所成。 並且形成於這些各領域之配線1 7係共同之配線。該 形成配線1 7之前之絕緣膜表面係藉由C Μ P等之技術而 予以平坦化。所以如第1 0圖所顯示，必須要較電晶體之 閘極電極2 2電容器上部電極2 4更高之位置，介著絕緣 膜之狀態地形成配線1 7係必要之事情，所以實際之感測 器部之斷面構造係如第1 〇圖或第8圖所示，成爲具有很 深之接觸孔1 6之構造，並且考慮實際之電容器構造，即 該深度將成爲1 // m程度。 於第2 3圖表示考慮了起因於周邊電路之存在被形成 之感測器部1 0之深的接觸孔時之先前構造之紅外線感測 器之畫素構造。於是再回至於第9圖所表示之本實施形態 之說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表示於第9圖之構造係大致上與第1實施形態所示之 第3圖者大致同樣。惟支撐構造1 1之底部係被形成爲較 單晶矽層8之高度爲高，且形成爲與絕緣層2 6之底面之 同一高度之部份係不相同，由此與第1實施形態更進一步 地可以減低支撐部1 1之斷面積，由而可以獲得更高感度 之紅外線感測器。本例中關於第1 0圖中，如由上述所做 之說明而可以理解，在於本實施形態之支撐部1 1之厚度 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐y 488081 A7 B7 五、發明説明（w 乃較第1實施形態之支撐部1 1之厚度形成爲較薄約1 "m者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 下面使用第1 1圖乃至第1 3圖之製程之斷面圖說明 製造本實施形態之紅外線感測器之.畫素之製程° 首先，做爲半導體基板而準備在於單晶矽基板6之上 依序疊積埋入矽氧化膜層9，單晶矽層8之所謂S Ο I基 板（第1 1 A圖）。 接著，做爲元件分離而實施與S T I ( Shallow-Trench-Isolation )同樣之製程。詳述之，即利用光飽法等 之技術而劃定元件分離領域，而例如藉由R I E ( Re active-Ion-Etching )等之技術而鈾刻去除兀件分離領域 之單晶矽層8之後，以C V D等技術埋入元件分離矽氧化 膜1 4，而藉C Μ P等技術而予以平坦化。（第1 1 Β圖 )。此時支撐部1 1之領域也做爲元件分離領域來劃定， 埋入元件分離矽氧化膜1 4。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，與位址電路，輸出部，定電流源等之週邊電路 之源極、漏極領域同樣地，藉由光蝕法技術及離子注入等 之滲雜技術形成感測部之Ρ η接合之用之η型雜質領域 1 5、此後形成絕緣層2 5 (第1 1 c圖）。 接著，例如利用R I Ε等技術，蝕刻去除元件分離領 域之中之用於形成支撐部1 1之支撐構造用元件分離領域 之絕緣層2 5 ，及元件分離矽氧化膜1 4，及埋入矽氧化 膜層9 (第1 1 D圖）。 接著以C V D等技術埋入犧牲矽膜2 1 ，而以C Μ Ρ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 488081 A7 _ B7 _ 五、發明説明（ 等技術將它予以平坦化（第1 2 A圖）° (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此犧牲矽膜2 1乃在於後序製程之支撐基板6之鈾刻 中將被鈾刻之所謂犧牲層所以單晶’多晶’非晶質之任何 構造均無妨。 接著在於基板上面形成絕緣層2 6 ’而形成犧牲砂膜 2 1與配線1 7之間之絕緣層。在於此支撐部1 1中形成 於配線1 7之下面之絕緣層2 6乃最終的成爲支撐部1 1 之底面（第1 2 D )。絕緣層2 6乃擔任在於矽蝕刻過程 中保護配線1 7之下面之職責。 接著形成爲了週邊電路及Ρ η接合之配線之用之接觸 孔1 6以及形成金屬配線1 7之所謂金屬噴鍍過程。 接著，在於感測器部形成紅外線吸收層’惟如本實施 形態地亦可能流用在於金屬噴鍍製程時所形成之層間絕緣 膜及鈍化膜1 8 (第1 2 C圖）。 接著形成支撐部1 1 ，同時爲了形成中空構造7之蝕 刻孔1 9之用，而以R I Ε等來蝕刻鈍化膜1 8及絕緣層 2 6 (第 1 3 Α 圖）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著介著此鈾刻孔1 9而例如以T M A Η等之藥約來 鈾刻去除犧牲矽膜2 1 (第1 3 Β圖）。 最後以單晶矽之各向異性蝕刻劑而例如以使用 T M A Η等之藥約之單晶矽之各向異性蝕刻由而在於單晶 矽基板6內部形成中空構造7，而可以獲得第9圖之紅外 線檢測畫素之構造（第1 3 C圖）。 在於第1 3 Β圖〜第1 3 C圖之說明中，獨立地說明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ29?公釐） -28 - 488081 A7 _ B7 _ 五、發明説明（ 了犧牲矽膜2 1之蝕刻去除過程，及接於它之支撐單晶矽 基板6之各向異性蝕刻過程，惟這些蝕刻所用之藥液係基 本上同一藥液，所以在於實際之製程乃成爲第1 3 A圖之 形狀之後，例如實施以T M A Η等之藥液之蝕刻而不意識 經由第1 3 Β圖之形狀地可以獲得最終形狀之第1 3 C圖 之構造。 當然不用說爲了週邊電路所使用之形成電晶體之用之 閘極電極之形成製程，惟由於與紅外線檢測畫素之製程沒 有直接之關係之製程，因此在上面之說明中予以省略也。 如第9圖所表示，在於本實施形態之感測器構造中， 於金屬噴鍍製程之前所實施之絕緣膜2 5之平坦化製程中 ，於支撐部用元件分離領域埋入形成犧牲矽膜2 1 ，而後 蝕刻去除此犧牲矽膜，由而支撐部之底部1 1 Β係被形成 爲與絕緣層2 6之底面之同一高度。因而支撐部1 1係更 大幅度地很薄的被形成，所以支撐部1 1之斷面積乃更大 幅度地被減低，感測器部1 0與支撐基板6之間之熱傳導 部更能大幅度的減低，從爲了與本實施形態之比較之先前 例之斷面構造之比較也可以明顯的看出支撐部1 1之斷面 積之減少。 此結果，對於入射紅外線功率之感測器部之溫度變化 之比，即所謂熱感度會大幅度的提高，因此可以獲得具有 高的紅外線感度之紅外線感測器也。 再者，於形成第1 3 Α圖之形狀之後，以感光抗飩劑 等來保護除了支撐部1 1之領域之狀態下’將支撐部1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡） .29 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488081 A7 B7 五、發明説明（2) 之表面側之鈍化膜1 8施予適當量之蝕刻，然後去除犧牲 矽膜2 1 (第1 4 B圖），實施支撐單晶矽基板6之鈾刻 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 處理（第14 C圖），由而可能獲得第15圖所示之構造 〇 換言之，第1 5圖所示之構造中，支撐部1 1之底面 11B乃不只是被形成爲與配線17之表面之同程度之高 度而已，且支撐部1 1之上面1 1 T乃被形成爲較感測器 部1 0之表面1 0T低之高度上。依此構造時，與第9圖 之構造比較時，支撐部1 1之斷面積乃更被減少，所以能 使紅外線感測器高感度化所以更合宜。 上面所說乃一面參照具體例一面說明了本發明之實施 形態，惟本發明並不局限於上述之具體例。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 例如’關於本發明之紅外線感測器上所設之配線1 7 再補充了，即於感測器1 0之配線，與於支撐部1 1之配 線乃不限定爲使用同一材料。例如在於感測器1 〇之配線 1 7之材料係使用通常之L S I製程所使用之鋁（A 1 ) 等金屬配線材料，而支撐部1 1之配線1 7之材料即使用 熱傳導率低之鈦（T i )，即更可減低熱之逸散，而很合 宜。 此時配線1 7之形成過程乃成爲形成感測器部1 〇之 鋁配線之第1配線形成過程，以及爲了形成支撐部1 1之 鈦配線之第2配線過程，共實施二次配線形成過程。此時 在鋁配線與鈦配線之間形成層間絕緣膜，而爲了連接兩配 線形成接觸孔之方法亦可採用，惟下述之方法亦可以而更 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30- 488081 A7 ____ B7 五、發明説明（ 爲合宜者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 這個方法乃，將第2配線圖樣之必定形成於第1配線 圖樣之上面地予以設計之後，在形成第1配線形成過程之 直後，立即實施第2配線形成過程者。當然在支撐1 1只 形成第2配線圖樣。依此方法時不但不要上述之形成絕緣 層及形成接觸孔之過程，可以防止由於該上層形成膜厚之 極薄之鈦配線之接觸孔之鈦配線之斷裂所致之接觸不良， 而鈦配線之膜厚形成爲極薄之理由乃不用說當然是在於減 低支撐部1 1之熱傳導以資高感度化爲目的者。 .另一方面，上面所說明之第1及第2實施形態均屬於 將紅外線檢測畫素二次元的陣列配置而構成之紅外線感測 器，惟當然適用於紅外線感測畫素一次元地配列之一次元 感測器或未經配列之單一之紅外線感測器也可以獲得同樣 之效果。 又在於上述具體例上再加上疊層了紅外線吸收層之構 成亦可以。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 6圖係表示疊層形成紅外線吸收層之紅外線感測 器之構成之槪念圖。詳言之，做爲本發明之實施形態而上 述之其中之構成中，在於感測器部1 0之上面疊層紅外線 吸收層1 0 0。紅外線吸收層1 0 0乃具有疊層了反射層 1 0 0 A及絕緣層1 0 0 B，及吸收層1 0 0 C之構成。 吸收紅外線而將熱供給於感測器部1 0。此種紅外線吸收 層1 0 0乃具有較感測器部1 0而大幅度地大之檢測面積 ，所以可以擴大紅外線吸收面積，與光學的感度可提高之 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 488081 A 7 B7 _ 五、發明説明（ 相乘效果而可以獲得更高感度之紅外線感測器者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又本發明之做爲熱電變換機構之Ρ Γ1接合乃不侷限於 平面構造之ρη接合，橫向構造之ρ η接合亦做爲熱電變 換機構而同樣的可以採用。 第1 7圖係槪念的表示此種橫向（lateral )構造之要 部之斜視透視圖。 詳述之，同圖所例示者乃，於形成於基板2 0 0上之 埋入氧化膜2 1 0之上面設置由S〇I膜所成之複數之橫 向型Ρ η接合二極體2 2 0，而藉金屬帶2 3 0而串聯連 接。本發明中此種橫向構造之ρ η接合亦同樣地可以採用 於熱電變換機構。 其他在不逸脫本發明之要旨之範圍內可以實施種種之 變形。 例如上述各實施形態乃在於犧牲砂膜2 1上形成支撐 部2 1爲例做說明，惟不一定要設犧牲矽膜2 1亦可能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 8圖至第1 9圖係表示不設置犧牲矽膜2 1地形 成較先前者爲薄之支撐部1 1之製程之圖。 第1 8Α圖〜第1 8C圖之製程係與第1 1Α圖〜第 1 1 C圖之製程相同。接著形成爲了週邊電路及Ρ η接合 之配線用之接觸孔1 6 ，同時實施爲了形成金屬配線1 7 之所謂金屬噴鑛製程（第1 9 Α圖）。 接著在於感測器部形成紅外線吸收層，惟如本實施形 態亦可能流用在於金屬噴鍍製程中所形成之層間絕緣膜及 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) 488081 A7 _ B7 五、發明説明（3(¾ 鈍化膜1 8者。（第1 9 A圖）。 接著形成支撐部1 1 ，同時實施爲了形成中空構造7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之蝕刻孔1 9起見，以R I E等而蝕刻鈍化膜1 8及絕緣 層2 6。 最後以感光抗蝕劑等來保護除了支撐部1 1之狀態下 ，施予適當量蝕刻支撐部1 1之表面側之鈍化膜1 8，而 後以單晶矽之各向異性蝕刻劑而例如使用T M A Η等之藥 液實施單晶矽之各向異性蝕刻，以資在單晶矽基板6內部 形成中空構造7，於是可以獲得第9圖之紅外線檢測畫素 之構造（第1 9 C圖）。 如上所詳述，依本發明時得與先前構造比較之下，大 幅度的將感測器部支撐於中空構造上之支撐部之厚度減少 ，大幅度地減少其斷面積，可能大幅度地減低熱傳導。結 果可以獲得非常感度高之紅外線感測器也。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者依本發明時，蝕刻支撐部領域之絕緣層而埋入犧 牲矽膜，所以大幅度地減少爲了形成支撐腳之絕緣層 R I Ε之縱橫比，使製作過程容易化，同時做爲副次的效 果而更能減少支撐腳之斷面積而更能使之高感度化者。 再如第3 Β圖所示藉由提高支撐部1 1之底面1 1 Β ，由而可以擴開由由單晶矽（1 1 1 )面之推拔狀之部份 與支撐部1 1之底面1 1 Β之間隔。該結果可以避免在該 製造過程中之以ΤΜΑΗ來濕式蝕刻矽基板6，及在其前 後之濕式製程中而支撐部1 1之附著於矽基板6之所謂粘 附（Sticking )之問題，亦可期待隨伴於製造良率之提高所 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） 488081 A7 ___ B7__ 五、發明説明（3) 致之低成本化之副次的效果也。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又如第2 Ο B圖所示，降低支撐部1 1之表面1 1 T 之高度乃表使微細構造之支撐部1 1比感測器部或其他元 件形成部份表面配置於更低之位置，因此在包含組合之製 造過程中減少直接碰觸於支撐部1 1而破壞它之缺點，結 果司以期待由提高製造良品率以及隨伴它之低成本化之副 次的效果。 換言之，依本發明時，可能很容易確實的可以獲得與 先前技術爲高感度之非冷卻紅外線感測器，在於各種之應 用領域而可以低成本的提供高性能之紅外線感測器。這一 點而言，產業上之利用價値非常高也。 圖式之簡單說明 第1圖係本發明之第1實施形態之紅外線感測器之全 體構成圖。 第2圖係第1圖之紅外線畫素1之等效電路圖。 第3 A圖係表示第2圖之紅外線檢測畫素之平面構成 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖 |_#圖係第3人圖之八
A ’線斷面圖。 係表示紅外線檢測畫素之製程之要部斷面圖。 第^係表示紅外線檢測畫素之製程之要部斷面圖。 第圖係紅外線檢測畫素之平面構成圖 第圖係第6 A圖之A — A’線斷面圖。 一 第7 \;丨肩ip表示將矽氧化膜2 0厚厚地形成之例之槪念 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -34 488081 A7 B7 五、發明説明（ 圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第8纖ilS1 m 係表示本發明之第1實施形態之紅外線感測器 例之槪念圖。 第說明本發明之第2實施形態之紅外線檢測畫 素之平面構成及斷面構造之槪略構成圖。 第1 0圖係從左排列感測器部，電晶體，電容器以資 比較其斷两造而表示之槪念圖。 之另 第1 1 感測器之畫 係表示本發明之第2實施形態之製造紅外線 之製程之製程斷面圖。 第1 係表示本發明之第2實施形態之製造紅外線 感測器之之製程之製程斷面圖。 第1 31¾¾表示本發明之第2實施形態之製造紅外線 幽:思丨 感測器之畫_彳之製程之製程斷面圖。 第1 4^?系表示本發明之第2實施形態之製造紅外線 感測器之_之製程之製程斷面圖。 第1支撐部1 1之上面1 1T之被形成爲較感 傷執 測器部1 CP之寨面1 0 T爲低之高度之紅外線感測器之槪 念圖。 第1 6圖係表示以疊層形成了紅外線吸收層之紅外線 感測器之構成之槪念圖。 第1 7圖係槪念的表示橫向構造之要部之斜視透視圖 〇 第1 8 A圖〜第1 8 C圖係表示不設犧牲矽膜以資形 成較以往者爲薄之支撐部之製程之圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -35- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
488081 A7 B7 五、發明説明（3》 第1 9 A圖〜第1 9 C圖係連接於第1 8圖之製程之 圖。 第2 0 A圖係以往之紅外線檢測畫素之平面構成圖。 圖係第2 0 A圖之A — A ’線斷面圖 _係表示以往之紅外線感測器之製程之要部之 係表示以往之紅外線感測器之製程之要部之 製程斷面圖。 第2 3 A圖係以往之紅外線檢測畫素之平面構成圖。 第23B圖係第23A圖之A—A’線斷面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元件對照表 1:紅外線檢測畫素 2:紅外線檢測畫素陣 3:垂直訊號線 4:水平位址線 5:列選擇電晶體 6:砂基板 7:中空構造 8:SDI 層 9 :石夕氧化膜層 10:感測器部 10B:感測器部的下部 1 1:支撐部 11 B:支撐部的下面 1 4:元件分離砂膜 15:n型雜質領域 16:接觸孔 1 7 :金屬配線 18:鈍化膜 1 9 :餓刻孔 20:層間絕緣膜 21:犠牲矽膜 22:閘極電極 23:電容器下部電極 24:電容器上部電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -36 488081 A7 B7 五、發明説明（3) 2 5，2 6 :絕緣層 32:水平位址電路 100:紅外線吸收層 1 0 0 B :絕緣層 200:基板 220:二極體 3 1:垂直位址電路 3 3 :定電流電源 1 0 0 A反射層 100C:吸收層 2 1 0 :氧化膜 230:金屬帶 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -37-

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合Α社印製 488081 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種紅外線感測器，具備： 具有，備有複數之凹部之半導體基板、及吸收入射紅 外線而變換爲熱之吸收部（1 8，2 0 )及將於上述吸收 部所發生之熱之溫度變化變換爲電氣訊號之備有ρ η接合 部之熱電變換部（8，1 5 )，而形成於上述半導體基板 上之複數之紅外線檢測部（1 〇 )，及 將上述複數之紅外線檢測部之各個分別離開於上述半 導體基板之上述複數之凹部所相對應之半導體基板地予以 支撐，對於上述半導體基板面而延伸於略平行方向之至少 一個支撐體（1 1 )， 上述熱電變換部乃，備有形成於上述吸收部下面之半 導體層（8)，而在該半導體層內形成上述ρη接合部， 上述支持體之一端部係分別連接於上述紅外線檢測部 ，另一端部即分別連接於上述半導體基板，· 上述支持體之厚度係較上述紅外線檢出部之厚度薄， 爲其特徵者。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之紅外線感測器，其 中 上述支持體之下面乃形成於上述半導體層之上面略相 等之局度’或形成於較該界面爲高之位置。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之紅外線感測器，其 中 上述支持體之上面乃形成於較上述紅外線之上面爲低 之位置者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） --------------1Τ------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -38- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -39 - 488081 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 4 ·如申請專利範圍第1項所述之紅外線感測器，其 中 具備：形成於上述熱電變換部之上面之第1絕緣層（ 2 5)，及形成於上述第1絕緣層之上面之第2絕緣層（ 2 6 )，及形成於上述第2絕緣層之上面，而介著形成於 上述第1及第2絕緣層之一部份之接點而連接於上述熱電 變換部之配線層（1 7 )， 上述吸收部乃形成於上述配線層之上面， 上述支持體之下面乃.設有，延伸上述第2絕緣層而形 成之第3絕緣層（1 1 B )， 上述配線層係延伸於上述第3絕緣層上而設置。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之紅外線感測器，其 中 具備：形成於上述熱電變換部之上面之第1絕緣層（ 2 5 )及 形成於上述第1絕緣層之上面之第2絕緣層（2 5 ) ，及 形成於上述第2絕緣層之上面，介著形成於上述第1 及第2絕緣層之一部份之接點而連接於上述熱電變換部之 配線層（1 7 )， 上述吸收部係形成於上述配線層之上面， 上述支持體之下面乃設有由延伸上述第2絕緣層所形 成之第3絕緣層（1 1 B )， 上述配線層乃延伸於上述第3絕緣層上地予以設置， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------ΜΎ------1T------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488081 A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 上述支撐體之上面乃形成於較上述吸收部之上面爲低 之位置者。 6 ·如申請專利範圍第1項所述之紅外線感測器，其 中 上述紅外線.檢測部乃，爲了輸出來自上述熱電變換部 之電氣訊號而具有對於上述半導體基板面略平行方向地延 伸之第1配線， 上述支撐體乃具有連接於上述第1配線之第2配線， 上述第2配線係由該熱傳導率之低於上述第1配線之 材料所形成者。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之紅外線感測器，其 中 在於依序疊層：單晶矽基板（6 )，埋入絕緣層（9 )以及單晶矽層（8 )而成之S〇I基板之上述單晶矽層 中含有上述半導體層者。 8 · —種紅外線感測器之製造方法，主要乃，於具備 吸收入射紅外線而變換爲熱之吸收部（1 8 ，2 0 ) ，及將備有在於上述吸收部所發生之熱之溫度變化變換爲 電氣訊號之ρ η接合部之熱電變換部（8，1 5 )，而形 成於單晶矽基板（6 )上之複數之紅外線檢測部.（1 〇 ) ，及 使上述複數之紅外線檢測部之各個，分別離開於上述 單晶矽基板地予以支撐，對於上述單晶矽基板面而延伸於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -40- --------------訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 488081 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 略平行方向之至少一個支撐體（1 1 )， 上述熱電變換部乃具備有形成於上述吸收面之下面之 單晶矽層（8 )，而在該單晶矽層內形成上述ρ η接合層 而成之紅外線感測器之製造方法中，其特徵爲，具備有下 列之製程： 對於依序疊層、單晶矽基板（6 )、埋入絕緣層（9 )、及上述單晶矽層（8 )而成之S〇I基板之上述單晶 矽層之一部份施予蝕刻去除，形成第1凹部，而使上述埋 入絕緣層露出之製程，及. 在於上述第1凹部埋入元件分離絕緣層（1 4 )之製 程，及 將上述元件分離絕緣層之一部份、及其下面之上述埋 入絕緣層予以蝕刻去除以資形成第2凹部，而令上述單晶 石夕基板露出之製程，及 在於上述第2凹部埋入犧牲矽層（2 1 )之製程，及 在於上述單晶矽層形成，備有將熱所致之溫度變化變 換爲電氣訊號之Ρ η接合部之上述熱電變換部之製程，及 在於基板上面形成包含，爲了從上述熱電變換部而輸 出電氣訊號用之配線層（1 7 )及形成於其上面之對應於 上述吸收部之一部份之第1絕緣層（2 0 )之疊層體之製 程，及 在於上述疊層體上形成對應於上述吸收部之一部份之 第2絕緣層（1 8 )之製程，及 藉由一部份的蝕刻去除形成於上述犧牲矽層上之上述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、一St 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488081 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 疊層體及上述第2絕緣層由而在於上述犧牲矽層上形成上 述支撐體之製程，及 蝕刻去除上述犧牲矽層而使上述單晶矽基板露出之製 程，及 蝕刻該露出之上述單晶矽基板，而使上述紅外線檢測 部從單晶矽基板離開之製程， 而構成者。 9 ·如申請專利範圍第8項所述之紅外線感測器之製 造方法，其中 在於形成上述支撐體之製程或其後，將據位於上述支 撐體之上面之上述第2絕緣層之全部及上述第1絕緣層之 一部份予以蝕刻，以資將上述支撐體之厚度減厚。 1 0 ·如申請專利範圍第8項所述之紅外線感測器之 製造方法，其中 上述支撐體之下面乃形成於，與上述熱電變換部之包 含Ρ η接合之上述單晶矽層之上面略相等之高度之位置， 或較上述單晶矽層之上面爲高之位置者。 1 1 ·如申請專利範圍第8項所述之紅外線感測器之 製造方法，其中 上述支撐體之上面乃被形成於較上述吸收部之上面爲 低之位置者。 1 2 .如申請專利範圍第8項所述之紅外線感測器之 製造方法，其中 具備：在於上述紅外線檢測部之內部形成，爲了輸出 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -42- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 488081 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 來自上述熱電變換部之電氣訊號之用，對於上述半導體基 板面而略平行方向地延伸之第1配線之製程，及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在於上述支撐體之內部形成連接於上述第1配線之第 2配線之製程， 且上述弟2 .配線係由其熱傳導率係較上述第1配線之 熱傳導率爲低之材料所成者。 1 3 · —種紅外線感測器之製造方法，主要乃，於具 ί~Ηι · 備· 吸收入射紅外線而變.換爲熱之吸收部（1 8，2 0 ) ，及將備有在於上述吸收部所發生之熱之溫度變化變換爲 電氣訊號之Ρ η接合部之熱電變換部（8，1 5 )，而形 成於單晶矽基板（6 )上之複數之紅外線檢測部（1 〇 ) ，及 使上述複數之紅外線檢測部之各個，分別離開於上述 單晶矽基板地予以支撐，對於上述單晶矽基板面而延伸於 略平行方向之至少一個支撐體（11)， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述熱電變換部乃具備有形成於上述吸收而下面之單 晶砂層（8)，而在該單晶砂層內形成上述ρη接合部而 成之紅外線感測器之製造方法中， 其特徵爲，具備有下列之製程： 對於依序疊層，單晶矽基板（· 6 )、埋入絕緣層（9 )、及上述單晶砂層（8 )而成之S〇I基板之上述單晶 矽層之一部份予以蝕刻去除形成第1凹部，而使上述埋入 絕緣層露出之製程，及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -43- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488081 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 · ^ ' 對於上述第1凹部埋入元件分離絕緣層（1 4 )之製 程，及 在於上述單晶矽層形成，將由熱所致之溫度變化變換 爲電氣訊號之備有ρ η接合部之上述熱電變換部之製程， 及 在於上述基板上面疊積第1絕緣層（2 5 )之製程， 及 在於形成了上述第1凹部之領域之一部份，分別蝕刻 去除上述第1絕緣層及其.下面之上述元件分離絕緣層以及 其下方之上述埋入絕緣層以資形成第2凹部，以資將上述 單晶砂基板露出之製程，及 對於上述第2凹部埋入犧牲矽膜（2 1 )之製程，及 在於基板上面疊積第2絕緣層（2 6 )之製程，及 在於上述第1及第2絕緣層上形成從上述熱電變換部 而輸出電氣訊號之檢點部，再形成配線（1 7 )之製程， 及 在於基板上面疊積對應於上述吸收部之一部份之第3 絕緣層（2 0 )之製程，及 在於上述第3絕緣層之上面形成對應於上述吸收部之 一部份形成第4絕緣層（1 8 )之製程，及 蝕刻去除形成於上述犧牲矽膜上之上述第2、.第3、 及第4之絕緣層之一部份以資在上述犧牲矽膜上，形成上 述支撐體之製程，及 飩刻去除上述犧牲矽膜而使上述單晶矽基板露出之製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ~ '— --------ΜΎ------訂------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 488081 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 程，及 餓刻露出之上述單晶矽基板以資使上述紅外線檢測部 離開於上述單晶矽基板之製程，而構成者。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之紅外線感測器 之製造方法，其中 在於形成上述支撐體之製程及其後，蝕刻去除露出於 上述支撐體之上面之上述第4絕緣層之全部以及上述第3 絕緣層之一部份，而使上述支撐體之厚度變薄。 1 5 ·如申請專利範.圍第1 3項所述之紅外線感測器 之製造方法，其中在於上述支撐體之下面形成由延伸上述 第2絕緣層之第3絕緣層，上述配線係延在於上述第3配 線層上。 1 6 ·如申請專利範圍第1 3項所述之紅外線感測器 之製造方法，其中 上述支撐體之上面係形成於較上述吸收部之上面爲低 之位置者。 1 7 ·如申請專利範圍第1 3項所述之紅外線感測器 之製造方法，其中 具備：在於上述紅外線檢測部之內部形成，爲了從上 述熱電變換部輸出電氣訊號之用而對於上述半導體基板面 延伸於略平行方向之第1配線之製程，及 在於上述支撐體之內部形成連接於上述第1配線之第 2配線之製程， 上述第2配線係由其熱傳導率較上述第1配線之熱傳 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 488081 Α8 Β8 C8 D8 々、申請專利範圍 導率爲低之材料所形成者。 1 8 · —種紅外線感測器之製造方法，其中，主要乃 ，於具備： 吸收入射紅外線而變換爲熱之吸收部（1 8，2 0 ) ，及將備有在於上述吸收部所發生之熱之溫度變化變換爲 電氣訊號之Ρ η接合部之熱電變換部（8，1 5 )，而形 成於單晶矽基板（6 )上之複數之紅外線檢測部（1 〇 ) ，及 使上述複數之紅外線.檢測部之各個，分別離開於上述 單晶矽基板地予以支撐，對於上述單晶矽基板面而延伸於 略平行方向之至少一個支撐體（1 1 )， 上述熱電變換部乃具備有形成於上述吸收面之下面之 單晶砂層（8 )，而在此單晶砂層內形成上述ρ η接合部 而成之紅外線感測器之製造方法中， 其特徵爲，具備有下列之製程， 對於依序疊層：單晶矽基板（6 )、埋入絕緣層（9 )、及上述單晶矽層（8)而成之SO I基板之上述單晶 矽層之一部份施予鈾刻去除，形成第1凹部，而使上述埋 入絕緣層露出之製程，及 在於上述第1凹部埋入元件分離絕緣層（1 4 )之製 程，及 藉由上述單晶矽層設置Ρ η接合以資形成上述熱電變 換部之製程，及 於基板上面疊積第1絕緣層（2 5 )之製程，及 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 46- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488081 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 在於上述第1絕緣層形成從上述熱電變換部輸出電氣 訊號之接點部，再形成配線（1 7 )之製程，及 在於基板上面疊積對應於上述吸收部之一部份之第2 絕緣層（2 0 )之製程，及 在於上述第.2絕緣層之上面形成對應於上述吸收部之 一部份之第3絕緣層（1 8 )之製程，及 將上述單晶矽層，上述第1絕緣層，上述第2絕緣層 及上述第3絕緣層一部份予以蝕刻以資形成上述支撐體之 製程，及 除去據於上述支撐體上面位置之上述第3絕緣層之全 部及上述第2絕緣層之一部份而使上述支撐體之厚度變薄 之製程，及 蝕刻上述單晶矽基板，而令上述紅外線檢測部從上述 單晶矽基板離開之製程 而構成者。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項所述之紅外線感測器 之製造方法，其中 上述支撐體之上面乃被形成於較上述吸收面爲低之位 置。 2 0 ·如申請專利範圍第1 8項所述之紅外線感測器 之製造方法，其中 具備：在於上述紅外線檢測部之內部形成，爲了檢出 來自上述熱電變換部之電氣訊號之用，對於上述半導體基 板面略平行方向地延伸之第1配線之製程，及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -47- --------------訂------^0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 488081 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 在於上述支撐體之內部形成連接於上述第1配線之第 2配線之製程， 且上述第2配線係由其熱傳導率係較上述第1配線之 熱傳率爲低之材料所成者。 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -48-
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