TW466554B

TW466554B - Apparatus and method for cleaning semiconductor substrate

Info

Publication number: TW466554B
Application number: TW089116206A
Authority: TW
Inventors: Hiroshi Tomita; Soichi Nadahara; Mitsuhiko Shirakashi; Kenya Ito; Yuki Inoue
Original assignee: Ebara Corp
Priority date: 1999-08-13
Filing date: 2000-08-11
Publication date: 2001-12-01
Also published as: JP4481394B2; KR20010021285A; KR100824362B1; US6543080B1; JP2001053047A

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印奴 4-6 65 54 五、發明說明（1 ) [發明背景] [發明領域] 本發明係關於一種半導體基板清潔裝置及方法。 [相關技藝說明] 近年來’對於在半導體裝置上要求要有非常細微之配線圖案’已成為為一般之標準。不僅要求裝置須有較小之尺寸，而且要求裝置須增進可靠度。當配線圖案之間距離減小時’為了防止短路和其他缺陷發生，則對於基板表面要求避免有特殊的和其他的污染物的污染，益形重要。因此’現在在半導體製程之各種步驟十，皆要求實施半導體基板之清潔工作。關於此點，下文中將舉例說明目前用於化學機械研磨法（CMP)中之清潔技術。於化學機械研磨法（CMP)中’研磨後會有研漿或研磨液中之譬如氧化鋁（八丨2〇3)、氧化矽（si〇2)、氧化鈽（Ce〇x) 之研磨劑附著於晶圓的表面。在直徑200mm之带晶圓的例子中，大約有直徑在0.2微米4至4x 104個之粒子附著在 aa圓之表面。對於此狀態之晶圓表面，須進行如下所述之一次和二次清潔處理，將如下之說明。於一次清潔處理步驟中’晶圓由複數個配置在晶圓周緣之驅動滚筒（roller)保持住，而驅動滾筒旋轉著使晶圓繞著轴旋轉然後海棉滾筒（sponge rollers)壓抵著對侧或是旋轉晶圓之正面或反面’以便從晶圓之表面清除包括已從晶圓分離之研磨粒子和碎屑粒子。然而，在表面形成有凹 --I —In I--! 裝 ------丨訂-1!_!-線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國g家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） 1 311715 4 6 6 5 5 4 A7 ----- B7 五、發明說明（2) 部之晶圓的例子中，由於凹部之存在，無法使海棉滾筒與晶圓之表面適當接觸。以下將參照第21圖說明二次清潔處理。第2 i圖為使用於清潔處理之清潔裝置之概念視圖。已經過一次清潔處理之矽晶圓1，由複數個與晶圓之周緣相接合之驅動滾筒 (未顯不）保持住。驅動滾筒之轉動使得晶圓i繞著軸沿箭號方向旋轉。超音波喷嘴31設於晶圓丨的表面上方。操作超音波喷嘴31於晶圓之直徑方向移動。從超音波喷嘴31 將清潔液33施加於晶圓i上，以除去餘留在晶圓j表面上之任何粒子。應注意者，於二次清潔處理過程令，藉由裝在喷嘴31中之超音波振動器而使清潔液33具有超音波振動’以有效地經由清潔液33而將振動傳遞至晶圓丨之表面。將超音波振動應用於晶圓丨’由清潔液所提供之化學清潔效果和由在清潔處理下所予晶圓之超音波振動所引起之直接物理清潔效果所結合而獲得之合成效果之結果將使得能夠大大地增進清潔之效果。然而，如第21圖所示之清潔裝置，為了要完成清潔處理，而有需時相當長之問題。第22圖為清潔裝置之概念視圖，包括長形之喷嘴4!，其設計為可縮短所需之清潔時間。如第22圖所示，晶圓】係由與其周緣相接合之驅動滾筒所支持及驅動而旋轉。長形之喷嘴41設置於晶圓上於晶圓1之直徑方向延伸。長形之噴嘴在超音波振動之下沿著晶圓之整個直徑長度方向供應清潔液，由此與第21圖_所示之清潔裝置相比較能縮短清潔時間。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -I 裝！ —訂-!線經濟部智慧財產局員工消費合泎社印鉍 311715 經濟部智慧財產局員工消費合阼钍卬设 4 6 65 5 4 A7 ____B7__ 五、發明說明（3 ) 然而，由第21圖和第22圖中所示清潔裝置所獲得之此高效率之清潔效果’僅能對晶圓面對清潔裝置之喷嘴之正面實施，而於反面所獲得的清潔效果’則比於正面所獲得的清潔效果差。雖然可想到採用將晶圓翻面而有效清潔反面之清潔處理方式’然如此之處理方式將需要雙倍的清理晶圓之時間。亦提出一種清潔方法，其中將晶圓整個浸入清潔液中，一旦晶圓浸入清潔液中，則用超音波施加到晶圓上。然而，使用如此方法造成之結果是遭受不經濟地增加化學液用量之問題。此外，包括從晶圓清除之研磨粒子之微粒’傾向於附著到容裝清潔液之容器的壁上。此等粒子之黏著於晶圓清潔過程中有可能造成不良效果。前面各段中所描述之問題’係只有面對著超音波振動器的晶圓表面’可獲得高效率之清潔效果’而於反面所獲得的清潔效果，則比於正面所獲得的清潔效果差，此即為本發明所欲克服之目標。 [發明概述] 有鑑於上述先前技藝之問題’本發明之目的是要提供一種半導趙基板清潔裝置及方法，能夠有效地從半導體基板之正面和反面兩面清除污染物。本發明提供一種半導鱧基板清潔裝置，包括：清潔液供應喷嘴，用來將清潔液供應至將清潔之半導體基板之正面和反面兩面。此清潔裝置尚包括超音波振動器，用來將超音波供應至半導體基板之正面和反面兩面。最好，將超音波振動器設在與半導體基板接觸的位 -------I I I 1. 裝— ίβ-ί!!·線 (請先閲讀背面之注f項再填窝本頁) 本紙張尺度適用中國g家標準（CNSXA4規格（2〗0 X 297公釐） 3 311715 經濟部智慧財產局員Η消費合作钍印奴 466554 A7

五、發明說明（4 ) 置’以將振動直接供應至半導體基板。或者，將超音波振動器設在與半導體基板保持一距離的位置，以經由設置於超音波振動器與半導體基板之間的清潔液或保護構件而將振動供應至半導體基板。最好，清潔裝置設有複數個與半導體基板之外周緣相接觸之保持機架（retaining jig)。使保持機架一邊壓抵著半導趙基板之外周緣一邊旋轉’藉此一邊保持半導體基板一邊使之旋轉。更理想的是，各保持機架與超音波振動器相結合。最好’清潔裝置具有用於半導體基板之正面和反面兩面之海棉滾筒。使海棉滾筒在與半導體基板相接觸的情況下旋轉’由此將丰導體基板之正面和反面兩面之污染物清除。最好，超音波振動器之振動頻率是在200kHz至700kHz 之範圍。最適合的振動頻率是在400kHz至5 00kHz之範圍。應注意的是清潔裝置可以有單一個或複數個超音波振動器’和單一個或複數個清潔液供應喷嘴。然而，最好單一個振動器和單一個噴嘴是以振動器結合喷嘴之方式使用。於此情況中，最好從喷嘴釋出之清潔液係以相對於半導體基板表面在±10至20範圍内之角度，朝向半導體基板之周圍邊緣之喷射流。於設有複數個超音波振動器之情況中，此等超音波振動器係相對於半導體基板表面對稱設置’而具有相同特性之超音波振動以相同角度和於半導體基板之正面和反面之間成對稱的方式實施於半導體基板。 1 ---------- 裝！ —訂 -------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中a 0家標準（CNS)A4規格（210 X 297公蹵） 4 311715 經濟部智慧財產局員工消費合作社印奴 466554 A7 __________B7_五、發明說明（5 ) 清潔液之pH值最好不小於7。此外’本發明提供一種半導體基板之清潔方法，其中清潔液同時供應至將清潔之半導體基板之正面和反面，且超音波施加到半導體基板之正面和反面，藉以清潔半導體基板。於本發明中’具有超音波振動之清潔液由清潔液供應喷嘴供應至半導體基板之正面和反面。因此，能同時清潔半導體基板之正面和反面。亦因此，能縮短清潔之時間。因為從喷嘴供應清潔液，所以相較於將整個半導體基板浸入清潔液之浸入式清潔處理’本發明使用之化學液之量減少〇藉由在各保持機架上設置超音波振動器以施加超音波振動至清潔液’能同時施加超音波振動至半導體基板之正面和反面。藉由採用使設於驅動滾筒（roller)之超音波振動器與半導體基板直接接觸之構造’能將超音波振動直接施加到半導體基板’而沒有使用清潔液作為振動媒介。因此，能藉由通過半導體基板之震波，而連續施加超音波振動於半導體基板之直徑方向。在單一個超音波振動器和單一個清潔液供應喷嘴整合成一個單元之情況下’超音波振動能從喷嘴尖端施加到半導體基板的一側。因此’可同時清潔半導體基板之正面和反面而使裝置的成本降至最低。對照於習知系統須使用二個清潔步驟，本發明藉由使 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 裝

n I ----訂-----I !線本紙張尺度適用令國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐〉 5 311715 4 6 65 54 A7 B7 五、發明說明（6) 清潔裝置具有用以清潔之海棉滾筒，則變得可以僅以單一步驟清潔處理清潔半導體基板。因此，可縮短清潔時間，並顯著地改進清潔效果。由下列較佳實施例之詳細說明，並配合所附圖式，本發明之上述和其他目的、特徵和優點將變得更為清楚。 [圖式之簡單說明] 第1(a)圖為依照本發明第一實施例之半導體基板清潔裝置之側正視圖。第1(b)圖為第1圖裝置之平面視圖。第2圖為使用於依照本發明半導體基板清潔方法之海棉滾筒清潔裝置之概念視圖。第3(a)圖為顯示半導體基板之表面清潔前，留在半導體基板之正面之粒子之顯微鏡照像圖。第3(b)圖為顯示使用依照本發明之第一實施例之清潔裝置進行清潔實驗後，留在半導體基板之正面之粒子之顯微鏡照像圖。第3(c)圖為顯示半導體基板之表面清潔前，留在半導體基板之反面之粒子之顯微鏡照像圖。第3(d)圖為顯示使用依照本發明之第一實施例之清潔裝置進行清潔實驗後，留在半導體基板之反面之粒子之顯微鏡照像圖。第4圖為顯示於本發明之第一實施例_，超音波喷嘴相對於基板之施加角度改變之狀態之概念視圖，。第5圖為顯示於本發明之第一實施例中，超音波喷嘴本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 6 311715 <锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------II 訂 ---- 線經濟部智慧財產局員工消費合阼社印较 A7 B7 五、發明說明（7) 相對於基板之施加角度和粒子清除效果之間關係的圖。第6(a)、6(b)和6(c)圖為顯示用200kHz的振動分別進行清潔實驗1 〇秒鐘、20秒鐘、和30秒鐘後，留存在半導體基板上之粒子之顯微鏡照像圖。第（5(d)、6(e)和6(f)圖為顯示用400kHz的振動分別進行清潔實驗10秒鐘、20秒鐘、和30秒鐘後，留存在半導體基板上之粒子之顯微鏡照像圈。第7(a)、7(b)和7(c)圖為顯示用SOOkHz的振動分別進行清潔實驗10秒鐘、20秒鐘、和30秒鐘後，留存在半導體基板上之粒子之顯微鏡照像圖。第7(d)、7(e)和7(f)圖為顯示用700kHz的振動分別進行清潔實驗1 〇秒鐘、20秒鐘、和30秒鐘後，留存在半導體基板上之粒子之顯微鏡照像圖。第8圖為顯示於本發明之第一實施例中，對於裸晶圓或預處理晶圓，必須使用超音波振動以獲得滿意之清潔效果之圖。第9圖為顯示於本發明之第一實施例中，使用其上蝕刻有氮化矽圖案之晶圓進行實驗以證明必須使用超音波振動以獲得滿意之清潔效果之實驗結果圖。第10圖為顯示在晶圓上施加各種不同超音波頻率所獲得清潔效果之圖。第11圖為顯示依照本發明之第一實施例之半導體基板清潔方法中，獲得滿意清潔效果之重要pH值之圖。第12(a)圖為顯示依照本發明之第一實施例，半導體基本紙張尺度適用中@國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 7 311715 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝！ —丨訂·1!1--線經濟部智慧財產局員工消費合阼钍印设 4 6 6 5 5 4 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印妓五、發明說明（8) 板清潔裝置修飾之前正視圖。第12(b)圖為第12(3)圖之裝置的側正視圖。第1 3(a)圖為顯示依照本發明之第二實施例之半導體基板清潔裝置的側正視圖。第13(b)圖為第13(幻圖之裝置的平面視圖。第14圖為顯示依照本發明之第一和第二實施例之清潔效果與習知清潔裝置之清潔效果之比較圖。第15(a)圖為顯示依照本發明之第三實施例之半導體基板清潔裝置的側正視圖。第15(b)圖為第i5(a)圖之裝置的平面視圖。第16圖為顯示依照本發明之第三實施例之半導體基板清潔裝置之重要部分之圖。第17圖為顯示依照本發明之第三實施例之清潔方法與習知清潔裝置之清潔方法之清潔效果之比較圖。第18圖為顯示依照本發明之第三實施例之半導體基板清潔裝置之修飾變化例之圖。第19圖為顯示依照本發明之第四實施例之半導體基板清潔裝置之一般配置之圖。第20圖為顯示依照本發明之第四實施例之半導體基板清潔裝置之重要部分之放大視圖。第21圖為習知半導體基板清潔裝置使用單一超音波喷嘴之示意圖。第22圖為習知半導體基板清潔裝置使用桿形超音波振動器之示意圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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I 線本紙張尺度適用尹國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 311715 466554 A7 _ B7五、發明說明（9) [元件符號之說明] 1 梦晶圓 2 驅動滾筒 3 超音波振動喷嘴 4 清潔液入口 5 清潔液出口 6 超音波振動器 7a、 7b海棉滾筒 8a ' 8b清潔液供應喷 11 保護板 21 晶圓保持器 22 夾頭栓 23 超音波振動器 24 旋轉構件 25 支撐構件 31 超音波喷嘴 33 清潔液 41 噴嘴 (靖先閱讀背面之注ί項再填寫本頁} 經濟邹智慧財產局員工消費合阼社印製 [較佳實施例之詳細說明] 以下將參照所附圖式說明本發明之實施例。第一實施例第1圖顯示依照本發明第一實施例之半導體基板清潔裝置，此半導體基板清潔裝置用於研磨操作之後：第1圖為側正視圖；第1(b)圖為第1圖之半導體基板清潔裝置之平面視圖。此清潔裝置設有4個驅動滾筒2，彼此以相等的角度距離圍繞著具圓形碟狀之半導體晶圓1之周圍間隔開，而與晶圓丨之周圍邊緣成相接合之方式。驅動滾筒2各具有與晶圓1之表面垂直而延伸之旋轉轴，用以使晶圓1繞著其中心軸旋轉。晶圓之旋轉速度係在每分鐘旋轉數十轉至數百轉之範圍内。駆動滾筒2之旋轉軸可沿著晶圓1之外周緣或相對於晶圓1之中心軸移動。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Α4規格（210 X 297公釐） 9 311715

—— — — — —I— I I I I 線經濟部智慧財產局員工消費合阼社印製 A7 ____B7____ 五、發明說明（10) 此清潔裝置後包括設有超音波振動器6之超音波振動喷'嘴3。喷嘴3設有清潔液入口 4和清潔液出口 5。喷嘴3 以清潔液出口 5朝向晶圓1之方式設置在晶圓1之附近和周緣外側。喷嘴3經由清潔液入口 4提供清潔液，以將清潔液施加到晶圓1之正面、反面兩面之方式而將清潔液從清潔液出口 5釋向晶圓1。釋出之清潔液接收由超音波振動器6產生之超音波振動。第1圖中一系列之虛線顯示超音波波前之行經路徑。因為超音波振動波具有強烈之成直線前進之傾向，因此晶圓1和喷嘴之清潔液出口 5之間之距離d並不受超音波之前進狀況所限制。然而’為了適當地提供清潔液至晶圓1之反面，則最好距離d限制在l〇mm至20mm或更小。可是若將清潔液之壓力效果列入考量，則並不須嚴格地限制該距離d於此範圍》喷嘴之清潔液出口 5之直徑1 一般要求至少，而通常希望清潔液出口 5之直徑1是在5mm至5 Omm之範圍内〇作為清潔液’可使用純水或化學清潔液。舉例而言，化學清潔液可為酸性或鹼性水溶液，譬如鹽酸、氨水、氫氟酸、過氧化氫溶液、雙氧水和電離水（酸性水或鹼性水）、氧化或還原化學溶液、和陰離子或非離子表面活性劑^尤其希望使用pH值不低於7之鹼性水溶液或陰離子表面活性劑。所供應之清潔液之流率，雖然依超音波振動喷嘴3之 (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 10 311715 經濟部智慧財產局員工消費合作钍卬製 466554 A7 --------—------ 五、發明說明（11 ) 喷嘴寬度1而定，但希望其在每分鐘幾百立方公分至每分鐘幾公升之範圍内β 其次，將說明使用上述清潔裝置之半導雜基板之清潔方法。於施行如帛1圖所示之二次清潔處理之前，首先施行如第2圖所示之使用海棉滾筒之清潔作為一次清潔處理。於使用海棉滾筒作清潔處理期間，將主要由例如具pH值大約10之氨水所組成之清潔液從化學液供給口（未顯示） #應至晶HI 1之正面和反面二面。此外，圓柱狀海棉滾筒 7a和7b壓抵著晶圓1之正面和反面二面，而此圓柱狀海棉滚筒7a和7b以能夠分別靠向和退離晶圓！之正面和反面和向後縮回之方式作用著。於靠向和退離動作期間，騍動滾筒亦轉動著。因此，當晶圓i正在轉動時，海棉滚筒 7a和7b亦轉動著以為了除去附著在晶圓】之正面或反面上之例如粒子和金屬雜質之任何污染物。於使用海棉滾筒之清潔處理後，再以如下所述方式實施使用如第1圖所示之裝置之超音波清潔處理。首先，以與一次清潔操作相同的方式藉由旋轉驅動滾筒而使晶圓1旋轉。超音波振動噴嘴3設置在距晶圓外周緣端面預定距離d處。可調整喷嘴出口 5以使得施加角度相對於晶圓1之表面為〇。β然後，從液體入口 4經由超音波振動喷嘴3將清潔液供應至晶圓晶圓丨之正面和反面皆由所供應的清潔液浸濕。完成此步驟後，接著從超音波振動器6施加超音波振 — — — — [ — —— — — II. - ! I 1 - — II >11 — —— — — — <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f

U 311715 Ά 5 5 4 Α7 ---------Β7 五、發明說明（12 ) 動。由超音波振動器6產生之超音波振動從超音波振動喷嘴3經由從喷嘴出口 5釋出之清潔液施加到晶圓】。由於超曰波以直線方式進行之超越（〇verriding)傾向如此超音波能施加到用清潔液浸泡之晶圓i之正面和反面二面將超音波振動波施加到晶圓i之正面和反面二面，可同時去除附著在晶圓1之正面或反面上之例如粒子和金屬雜質等之任何污染物。再者，因為在晶圓】轉動時實施超音波清潔’所以晶圓1之正面或反面之整個表面區域皆能達到所希望之清潔效果。概略述之，依照本實施例，當完成海綿滚筒方式之一次清潔後’實*超音波清潔，使待清潔之晶s1之正面和反面二面同時從設置在晶圓丨之外周緣端面之超音波振動喷嘴3得到具有喷嘴3所產生之超音波之清潔液的供應。所得到之結果是，透過清潔液將超音波振動同時施加到晶圓1之正面和反面。因此，能同時清潔晶圓1之正面和反面，藉此減少清潔晶圓所需之時間。此外，因為清潔裝置僅須安裝一個超音波振動器6，則可減少裝置之成本。第3圖顯示從以上述清潔方法進行清潔的效果評估所獲得的實驗數據。於此實驗中，以表面沉積有達22〇〇埃（八）厚度之氮化矽薄臈，且表面由於形成在其上之圖案而呈現相當大的高度差異之矽晶圖作為欲清潔之目標。第3圖之第3(a)圖和第3(b)圖為顯微鏡照像圖顯示附著在晶圓之正面之粒子之分佈之測量結果’係用粒子計數器（由KLA-Tencor公司製造之AIT-8000 )獲得；和第3(c)圖和第3(d) (锖先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 裝-----—II訂--------竣經濟部智慧財產局員工消費合泎社印奴本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） 12 311715 經濟部智慧財產局員工消費合作社印奴 4 6 6 5 5 4 五、發明說明（13 圖為顯微鏡照像圖顯示附著在晶圓之反面之粒子之分佈之測量結果。第3⑷圖和第3(c)圖係分別顯示正面和反面用氧化鋁污染後所觀察晶圓之狀況，而第3(b)圖和第3(幻圖係顯示經超音波清潔後，晶圓兩面之狀況。從顯微鏡照像圖t能證明以超音波清潔方法能滿意地清除附著在晶圓之正面和反面兩面之氧化銘。請參照第4和5圖，將討論相對於晶圓丨施加清潔液之角度和清潔效果之間的關係。當晶圓〗設置在一平面而沿著此平面有從噴嘴3釋出清潔液之路徑，也就是說，角度時，大約有相等的清潔液量供應至晶圓丨之正面和反面。當超音波振動喷嘴3從晶圓丨上方的位置朝向晶圓 1時，則清潔液方向角0變成正。於此情況，施加到晶圓j 之反面或下側之清潔液之量將減少。結果，由此而獲得的清潔效果顯著減少。於另一方面，當從晶圓下方的位置施加清潔液時，也就是說，角度θ是負位置時，施加到晶圓1 之正面或上面之清潔液和施加到晶圓1之反面之清潔液之量將相等。第5圖顯示當清潔液方向角0如上述般改變時粒子清除之效果。橫軸顯示角度而縱袖顯示粒子清除之效果。相對於晶圓1之正面和反面，當施加角度0是在〇。附近時’可獲得滿意之粒子清除效果。其理由是當施加角度 Θ是0°時’可有足夠之清潔液量和超音波量供給至晶圓1 之正面和反面。當角度0偏向負側時，在從0。至大約-50 — — — —— — — — I - I I I 1 I I I --I I II--* 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（21G X 297公爱） 13 311715 經濟部智慧財產局員工消費合泎钍卬沒 466554 A7 ---------B7________ 五、發明說明（14〉之角度範圍内，可獲得晶圓1之正面和反面之滿意的粒子清除效果；反面之當角度0偏向正側時，在從0。至50 之角度範圍内，則會引起對於反面之清潔效果快速減小，雖然仍可保持正面之清潔效果。其原因是因為當清潔液以傾斜向下施加至晶圓1時，清潔液不能充分地供應至晶圓Ϊ之反面。當角度0偏向負側時’則變得不可能供應清潔液至晶圓1之整個表面。當角度0偏向負側超過-60。至-70。時，則會引起顯著之清潔效果減少。關於在正面之清潔效果，只要大約土 60。内皆可獲得高的清潔效果，因為在此供應角度範圍内’清潔液仍然能夠供應至正面。然而，在土 8〇至±90附近，由於反面射波之影響，則會引致清潔效果減小。從上述可瞭解到，就希望在晶圓1之正面和反面都獲得滿意的粒子清除效果而言，清潔方向角0應該設在土 1〇。至20°之範園内，理想的是在〇。。第6和7圖為以不同的超音波頻率進行清潔效果評估期間，所照之晶圓1的顯微鏡照像圖。第6(a)至6(c)圖顯示用200kHz頻率施加超音波之顯微鏡照像圖；第6(d)至 6(f)圖顯示用400kHz頻率施加超音波之顯微鏡照像圖；第 7(a)至7(c)圖顯示用500kHz頻率施加超音波之顯微鏡照像圖；以及第7(d)至7(f)圖顯示用700kHz頻率施加超音波之顯微鏡照像圖。於200kHz，甚至當施行30秒鐘的清潔，粒子仍未被充分清除。然而，在從晶圓之中心至直徑 — — — — — — —— — — — — — — — — — — I— *ΙΙΙΙΙΪΪΙ <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 14 311715 A7 466554 五、發明說明（15 ) 的範圍内，粒子被清除得相當滿意。於4〇〇kHz，當僅施行清潔10秒，則可在晶圓之整個表面獲得滿意之清潔效果。當實施清潔30秒’則粒子幾乎完全清除。於5〇〇kHz，晶圓之整個表面皆可獲得滿意之清潔效果，如同在使用 400kHz頻率時之情況。當清潔施行3〇秒後’粒子進一步清除。於7〇〇kHz，甚至清潔實施了 3()秒鐘，粒子僅在從晶圓之中心至直徑80mm的範圍内被清除。然而，在直徑 8〇mm範圍内粒子被充分清除，而有令人滿意的清潔效果。清潔效果要較使用200kHz頻率情況時梢微高。第8圖顯示在清除粒子時超音波頻率之效果。於下列狀況下實施測量：清潔目標物是裸晶圓：晶圓之旋轉數為 lOOrpm,臂之擺動數為3，臂之擺動速率為5mm/秒；喷嘴角45 ’以及清潔液之流率為5.0公升/分鐘’於200-700 kHz，以及1.2公升/分鐘，於5MHz。從第8圖中可瞭解到’清潔效果之峰值是在4〇〇kHz-500kHz之範圍，並於鋒值之兩測漸漸減小，和第6和7圖之顯微鏡照像圖所示情況一樣。粒子清除效果亦依將清潔之目標物之型式而定。第8 圖顯不對於裸晶圓之清潔效果，以及顯示與晶圓表面上形成有凹部圖案者之清潔情況有何不同。第9圖顯示以表面儿積有達2200埃（A)厚度之氮化矽薄膜，且表面由於形成在其上之圖案的存在而呈現相當大的高度變化之矽晶圓作為欲清潔之目標時，超音波頻率相對於粒子清除率的關係。從第9圖可瞭解到，和裸晶圓之情況一清潔效果 ------ ------裝--------訂---------線 fm先閱讀背面之注急事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合阼社印议本紙張尺度適財g國家標準（CNS)A4_規格（210 X 297公；* > 15 311715 經濟部智慧財產局員工消费合作钍印奴 Α7 Β7 五、發明說明（16 ) 之峰值是在超音波頻率為400kHz至5 OOkHz之範圍内，而從最佳峰值位準當頻率増加或減少時’則清潔效果會快速地減退。迄今皆考慮到將適當地使用超音波振動施加 1MHz大小之頻率，以為了從具有凹部圖案形成其上之晶圓上凹部處將粒子釋出’以達到有效從晶圓清除粒子之目的。然而，此實驗結果顯示最佳頻率將使用位於4〇〇kHz 至500kHz之範圍内。第10圖為顯示對於各種不同之目標物於各不同之超音波頻率評估清潔效果之實驗結果。於平坦裸晶圓之例子中，在使用不同之頻率，即1500kHz和200kHz之清潔操作之間’包括使用400kHz之清潔操作，於氧化鋁（八1203) 清除效果上沒有太大的差異。在晶圓上形成有5 〇nm之凹部圖案或形成有500nm之凹部圖案之例子中，當使用 1 500kHz或200kHz之超音波時，清除粒子之量相當地減少。氧化鋁之清除效果大致與凹部圖案之不規則性之大小成比例減少。於使用400kHz超音波頻率之情況，無關於凹部圖案之不規則性之大小，皆能獲得滿意之清潔效果。因此’能夠瞭解到400kHz左右之超音波頻率特別適合清潔在其上形成有凹部之晶圓。如此之清潔效果亦依所使用清潔液之pH值而定。第 11圖為顯示當實驗條件之清潔液之pH值改變時，氧化鋁之清除效果。橫座標顯示清潔液之pH值，而縱座標顯示氧化鋁之清除效果。第11圖顯示當晶圓具有深500nm之凹部時於頻率為400kHz和1.5MHz之二個不同超音波頻率 ----^----- ----- 裝— I I 訂·！-線 (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) 本紙張尺度適用t圉國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 311715 經濟部智慧財產局員工消費合泎社印奴 -u b 5 5 4 A7 __B7_________ 五、發明說明（17 > 時，氧化招之清除效果。於40 0kHz之情況中，當pH值不低於8,且最好是不低於10時，可獲得滿意之粒子清除效果。另一方面，於1 ·5ΜΗζ之情況中，即使pH值增加，亦不能獲得滿意之粒子清除效果。應注意的是當清潔液之pH 值低於7時，證明無清除效果。本發明並不限於上述實施例。第12圖顯示第一實施例之修飾變化例。於此修飾變化例中，晶圃1垂直設置，而清潔液從上側以自由落體之方式供應至其上。裝置之其餘架構方式為修飾變化例和上述實施例所共同具有D於此修飾變化例中’因為清潔液以自由落體方式落下，所以即使喷嘴出口 5和晶圓1之周邊之間之距離&有幾十釐米，亦不會有問題。因為清潔液以自由落體方式供應，所以清潔液可充分供應至晶圓1之正面和反面兩面β 第二實施例第13圖為顯示依照本發明之第二實施例之半導體基板清潔裝置之一般配置圖。其中第13 (a)圖為侧正視圖，和第13(b)圖為平面視圖。於此實施例中，海棉清潔滾筒7a、 7b加入使用於依照第一實施例之清潔裝置中D於第一實施例和第二實施例中所共同使用之清潔裝置之構件和部分，係標以相同之參考號碼，並省略其詳細說明。如第13(a)圖所示’海棉清潔滾筒7a、7b設在晶圓j 之正面和反面兩面，以便能更進一步靠向和退離晶圓1。調整海棉清潔滾筒7a、7b以將晶圓1夹在其間，堪動滾筒 2之旋轉軸可沿著晶圓1之外周緣移動。換言之，使親 — — — — — —------^---I--|_訂-1-----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 17 311715 經濟部智慧財產局員工消費合作社印说 '466554 A7 _____Β7 _ 五、發明說明（18) 滾筒2繞著晶圓1移動’即可在任何時間改變獎動滾筒與晶圓1接合之位置。應注意者’和第一實施例相同圖中虛線顯示超音波波前之行經路徑》以下將說明依照此實施例之半導艘基板清潔裝置之操作。首先’由旋轉壤動滾筒2使晶圓1旋轉。海棉清潔滾筒7a、7b分別壓靠著旋轉之晶圓1之正面和反面。然後，使海棉清潔滾筒7a、7b旋轉。當海棉清潔滾筒7a、7b壓靠著旋轉之晶圓1之正面和反面的同時，超音波振動喷嘴 3設置在離晶圓1之周邊一預定之距離d’且清潔液方向角相對於晶圓1之表面為0° 。然後，清潔液從液體出口 4 經過超音波振動喷嘴3而供給至晶圓晶圓1之正面和反面兩面用清潔液浸泡著。於此狀態’由超音波振動器6產生超音波。結果，產生之超音波從超音波振動喷嘴3經由清潔液傳播至晶圓 1°因此’超音波振動同時施加到晶圓1之正面和反面兩面。超音波振動可使附著在晶圓1之粒子同時從晶圓]之兩面清除。此外，因為海棉清潔滾筒7a、7b壓靠接觸著晶圓〗旋轉，則可更進一步增強清潔效果。支撐著晶圓！之駆動滾筒2之旋轉軸沿著晶圓1之外周緣相對於晶圓的中心移動。由於’依照本實施例’超音波振動能同時直接施加到晶圓1之正面和反面兩面。因此在晶圓正面和反面兩面凹部内之粒子能如第一實施例一樣有效地清除。然而，因為 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) k — - — — — —— III — — — — — — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18 311715 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印议五、發明說明（19) 超音波清洗操作配合著海棉滾筒清洗操作實施，更可增強清洗效果。此外’因為海棉滾筒清潔處理不須在另外的處理中進行’因此可縮短清洗之時間。因為驅動滾筒2之旋轉轴沿著晶圓1之外周緣相對於晶圓的中心移動’所以只要在晶圓1之周邊而不干擾到海棉清潔滾筒7a、7b之清潔操作，晶圓]即能有效地清洗。亦應該注意到，一般係使用自旋夾頭系統（spill Chnck system)以保持待清潔的晶圓。然而，使用此自旋夾頭系統’於清潔處理期間，自旋夹頭係持績夾住晶圓丨的某固定位置。因此’不能清洗到晶圓1被自旋夾頭夾住的部分。再者’無法以從晶圓1的側邊提供施加了超音波振動之清潔液至晶圓1之方式安裝超音波振動喷嘴3，因為當以此種方式安裝之喷嘴無法清洗到晶圓1被自旋夾頭遮住之部分和被自旋夾頭擋住之部分。反面之’使用駆動滾筒2時，驅動滾筒2接合晶圓i 上之位置並非固定的。因此’可充分的清潔晶圓丨包括晶圓1被保持住之位置，也就是說，只要在晶圓1之周邊而不干擾到海棉清潔滾筒7a、7b之清潔操作。因此，可顯著增進粒子之清除效果。第丨4圖為顯示本實施例與第一實施例之清潔效果以及與習知清潔裝置之清潔效果之比較圖。橫座標顯示殘餘的氧化鋁粒子數。第14圓顯示對於晶圓形成有凹部並有銘研漿吸附於其上之不同之清潔處理之鋁研漿之清除效率。晶圓有氮化物薄膜（LP-SiN薄膜）沉積達0.2微米厚於具有 (靖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

裝-----111訂----I ϋ i 線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公芨 19 311715 4

五、發明說明（ B7 20 罙度〇_5微求之矽凹溝（trench)-用ΑΙΤ·8000(由KLA -

TeilC〇r Α司所製造）來偵測研漿粒子。當晶圓有鋁CMP研衆吸附在其上而自轉乾燥並沒能將之清除時則賴測到有 4x 10至5χ 1〇4個之研漿粒子。而當晶圓用海棉滾筒及用具有ρη值大約1 〇之氨液清潔液清洗i分鐘後，則偵測到有3x10至4χΐ〇4個之研漿粒子。也就是說幾乎沒能獲得清潔效果《反面之，當晶圓用如第—實施例之超音波清洗時，能夠滿意地將研漿粒子清除，且殘留之研漿粒子減少到幾百個範圍内。因此，可以清楚地證明藉由超音波清洗所獲得的清潔效果。然而，附著在表面層之大的鋁凝結塊（agglomerate)不能清除掉。當如於本實施例中同時實施超音波清洗和海棉滾筒清洗時，可以清除鋁研襞粒子並限制殘留之研漿粒子至100個或更少。因此，可清楚明白由同時實施接觸清洗和非接觸清洗所產生之良好效果，並可證明較之於僅單獨實施接觸清洗和非接觸清洗處理時大大地改進了清洗效果。再者’相對於習知之系統僅用海棉滾筒清洗’本發明亦可相當地改進了晶圓反面所獲得的清洗效果。 _ !實施例第15(a)圖為顯示依照本發明之第三實施例之半導體基板清潔裝置之一般配置之側正視圖如第15(a)圖所示’複數個驅動滾筒2沿著圓形之晶圖 1之外周緣設置。驅動滾筒2接觸晶圓1之周圍邊緣而水斗·地支撐著晶圓1。驅動’袞筒2為可旋轉之構件，對著各 311715 請绫度適用#國料群（CNS)A4規格（2Wx297公楚）經濟部智慧財產局員工消費合作彺印y 4 Ο Ο 5 5 4 Α7 ______Β7__________ 五、發明說明（21) 自的旋轉著晶圓之旋轉軸旋轉。設置之化學清潔液供應喷嘴8a和8b供應化學清潔液至晶圓1之正面和反面之中心部位。第15(b)圖為顯示從上方觀察晶圓1和驅動滾筒2之視圖。驅動滾筒2於個別之實線箭號方向以相同的轉數旋轉。如此之配置方式使得晶圓1由虛線箭號所指示之方向對著晶圓之中心旋轉。第16圖為第15圖所示之一驅動滚筒2及其附近之放大視圖。驅動滾筒2結合超音波振動器4。如上所述，設有四個結合了超音波振動器4之驅動滾筒2。各驅動滾筒2 與晶圓接觸表面則構造成超音波振動器4直接接觸晶圓 1。於此實例中，在晶圓1和超音波振動器4之間的接觸區域’僅需要至少晶圓1之周圍邊緣與超音波振動器4接觸即可。藉著超音波振動器4與晶圓1之斜角端直接接觸之構造’由超音波振動器4產生之超音波會直接施加到晶圓 1上。應注意的是，於第丨6圖中晶圓1上之箭號指示著超音波之前進方向。以下將詳細說明依照本實施例之半導體基板清潔裝置之操作。首先’作為一次清潔處理，由驅動滾筒2於晶圓1之周圍邊緣之複數個位置點保持住晶圓丨，並且旋轉晶圓1。當清潔液供應至旋轉之晶圓〗，海棉滾筒（未顯示）同時壓抵著晶圓1之正面和反面》各海棉滾筒旋轉以將晶圓1夾在其間之方式而全面洗刷晶圓1，藉此將粒子從晶圓1之正 — — — — — ——---I— — — — — 11111111 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） 21 311715 經濟部智慧財產局員工消費合作社印设 -〇 ο 5 5 4 Α7 ------------- 五、發明說明（22) 面和反面清除。其次’如同於一次清潔處理之情況’由旋轉驅動滚筒 2而使晶圓1旋轉。然後’從清潔液供應喷嘴8a和8b同時供應化學清潔液至旋轉晶圓〗之正面和反面。同時，從設在驅動滾筒2之超音波振動器4產生超音波。結果，可直接將超音波施加到晶圓1。此振波進行於由第16圊中箭號所指示之方向’也就是於晶圓1之直徑方向。因此，在超音波直接施加到晶圓1之狀況下實施清潔，而可滿意地將附著在晶圓1之正面和反面之粒子清除。第17圖顯示由上述清潔處理，對於晶圓！之粒子清除效果。第17圖顯示當8吋晶圓1之表面實施化學/機械研磨（CMP)後之殘餘粒子數。為了比較之目的，第17圖亦顯示於化學/機械研磨後立即存在之殘餘粒子數，和於施行習知之晶圓清潔處理後，剩餘之粒子數。於習知之晶圓清潔處理中，以1 _6MHz頻率施行掃描型（scannjng_type)超音波清潔。如於第1 7圖中所示，由習知之晶圓清潔處理，於化學/機械研磨後即刻附著於晶圓]之表面之殘餘粒子數，亦即104個’將減少到為1 〇2個。另外也發現習知之晶圓清潔處理之粒子清除效果，不能充分有效地清除〇5微米之粒子或更大之蒞子。反面之’依照本實施例之晶圓清潔處理則表現出對於0〗微米之粒子或更大之粒子之優越之粒子清除效果’並包括能將這樣大小的粒子的殘餘粒子數減到相當少的數目。如上所述，依照本實施例’能將超音波振動直接施加 — II--------- 裝！—訂！--線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國圉家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 22 311715 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 ob 5 4 A7 __B7 五、發明說明（23 ) 到晶圓1之直徑方向。而且，因為化學清潔液供應喷嘴8a 和8b設於晶圓1之正面和反面，所以可同時供應化學清潔液至晶圓1之正面和反面。因此，能夠同時清潔晶圓1之正面和反面，並能縮短清潔時間。本發明並不限於如上述之第三實施例。雖然於此實施例中，使設於驅動滾筒2之超音波振動器4與晶圓1直搔接觸’如第16圖所示’然亦可配置成如第18圖所示之例子’在各驅動滾筒2之表面設有保護板丨丨’而使得超音波振動器4和晶圓1透過保護板π而彼此接觸。設置之保護板Π增進了超音波振動器4和驅動滚筒2對化學之抵抗性。對於保護板11 ’例如可使用碳化矽（Sic)或石英（si〇2)。然而，並不限定保護板11須使用這些材料。此外’第三實施例之清潔處理亦可結合使用如說明於第二實施例中之藉由海棉滚筒方式之清潔處理效果。第四實施例第19圖為顯示依照本發明之第四實施例之半導體基板清潔裝置之一般配置之圖。第20圖為顯示依照本發明之第四實施例之半導體基板清潔裝置之重要部分之放大視圖。如第19圖所示’如同於第三實施例中之情況，化學清潔液供應噴嘴8a和8b分別設在晶圓1之正面和反面。晶圓1由晶圓保持器21保持住。此外，複數個用於決定晶圓 1之水平位置之夾頭栓（chuck pin)22設成透過超音波振動器23而與晶圓1之周圍邊緣接觸。於清潔處理期間，夾頭 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 裝-----!丨訂--------線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 23 311715 46 65 54 五、發明說明（24) 栓22持績地抓住晶圓〗的相同位置。然而，在複數個超音波振動器23安裝於複數個夾頭栓22之晶圓保持位置之情 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 況，超音波振動器23彼此干擾因而造成振動強度衰退。應 >主意的是’超音波振動器23將不安裝在相對於晶圓1中心之對稱點上。圓柱狀旋轉構件24設在位於晶園1之反面之化學清潔液供應喷嘴8b之基部並可旋轉。支撐構件25固定於旋轉構件24之上端以支撐著晶圓保持器2 1。當旋轉構件24繞著化學清潔液供應噴嘴8b旋轉時，晶圓保持器21以旋轉構件24之旋轉軸為中心軸旋轉，因此而使得晶圓1可旋轉。因此’即使在本實施例中用自旋夾頭系統作為保持晶圓1之機構之情況’亦能與第三實施例一樣，將晶圓j之正面和反面同時清潔乾淨。經濟部智慧財產局員工消費合作社印t 本發明並不限於上述實施例。清潔標的亦不限制為石夕晶圓。本發明可應用至任何型式之半導體基板而無關於其使用材料。驅動滾筒2之數目不限定為4個，而是可用任何數目之驅動滾筒2,只要能將晶員1滿意的保持住即可。然而’最好能設定堪動滾筒2之數目而使之不會因驅動滾筒2而限制了海棉滾筒7a、7b之清潔操作。如上之詳細說明，依照本發明’從清潔液供應噴嘴供應之清潔液可浸濕半導體基板之正面和反面，且超音波振動可施加到半導體基板之正面和反面。因此，能同時清潔半導體基板之正面和反面，並縮短清潔時間。而且，因為本紙張尺度適用令國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 24 311715 4 b 65 5 4 a? _B7_ 五、發明說明（25 ) 從喷嘴供應清潔液，所以相較於將整個半導體基板侵入清潔液中之浸入式清潔系統，則本發明之清潔液供應噴嘴能量液學化用使少減夠 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *—— — — 111 III — — — ——— — I _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印:;.'|14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 25 311715

Claims

466554 、申請專利範圍 L 一種清潔裝置’用來清潔半導體基板，此半導體基板具有正面、反面和周緣，此清潔裝置包括：清潔液供應喷嘴，用來供應清潔液至半導體基板之正面和反面；以及超音波振動器’用來施加超音波至半導體基板之正面和反面。 2. 如申請專利範圍第1項之清潔裝置，其中該清潔液供應喷嘴係設置於半導體基板之外周緣外側，且具有清潔液出口，用來使清潔液朝向半導體基板之外周緣*俾使清潔液供應至半導體基板之正面和反面；以及該超音波振動器係可產生超音波振動，及經由從該喷嘴之清潔液出口釋出並供應至半導體基板之清潔液將超音波振動施加至該半導體基板。 3. 如申請專利範圍第1項之清潔裝置，其中該超音波振動噴嘴係作在該清潔液供應喷嘴中。 4. 如申請專利範園第1項之清潔裝置，其中該半導體基板為碟狀；以及該清潔裝置更進一步包括複數個可與半導體基板之周緣相接合之驅動滾筒’且各藥動滚筒各具有軸並繞著其軸旋轉，藉此驅使該半導體基板旋轉。 5. 如申請專利範圍第1項之清潔裝置，其尹復包括：海棉滾筒，可與半導體基板之正面和反面其中之一相接觸’該海棉滾筒旋轉以從與該海棉滾筒相接觸之半 311715 衣---.-----^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 5 4 as _____D8 六、申請專利範圍導體基板之表面清除污染物。 6. 如申請專利範園第2項之清潔裝置，復包括：一對海棉滾筒，可與半導體基板之正面和反面相接觸’將該半導體基板失在其間，該對海棉滾筒可旋轉地與該半導體基板之表面相接觸而從半導體基板之表面清除污染物。 7. 如申請專利範圍第1項之清潔裝置，其中該超音波振動器產生振動之範圍為從200kHz至700kHz。 8. —種清潔裝置，用來清潔半導體基板，此半導體基板具有正面、反面和周緣，此清潔裝置包括：至少一個清潔液供應噴嘴，用來供應清潔液至半導體基板之正面和反面；和超音波振動器，用來施加超音波至半導體基板之正面和反面。 9. 如申請專利範圍第8項之清潔裝置，其中該超音波振動器係設成與半導體基板相接觸，以直接施加超音波振動至該半導體基板。 10. 如申請專利範圍第8項之清潔裝置，其中該半導體基板為碟狀；該清潔裝置進一步包括複數個可與半導體基板之周緣相接合之驅動滾筒，且各驅動滾筒各具有軸並繞著其轴旋轉，藉此驅使該半導體基板旋轉；以及該超音波振動器係作在該驅動滚筒中，以便經由該驅動滾筒傳送超音波振動。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^_!·---- - 訂·！ I 線】 a齊"一曰慧材轰苟員二省費^":*1"製本紙張尺度適用中國國家楳準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 27 311715 4 5 5 6 6 4 A8B8C8D8 t 齊 ϊρ $ η ί % ί 六、申請專利範圍 11·如申請專利範園第10項之清潔裝置，其中該超音波振動器具有圓柱狀表面以直接與半導體基板相接合。 12. 如申請專利範圍第1〇項之清潔裝置，其中該超音波振動器埋設於該驅動滾筒中。 13. 如申請專利範圍第10項之清潔裝置，其中復包括：海棉滾筒，可與半導體基板之正面和反面其中之一相接觸，該海棉滾筒旋轉以從與該海棉滾筒相接觸之半導體基板之表面清除污染物。 14. 如申請專利範圍第10項之清潔裝置，其中復包括： —對海棉滾筒，可與半導體基板之正面和反面相接觸，將該半導體基板夹在其間，該對海棉滾筒可旋轉地與該半導體基板之表面相接觸而從半導體基板之表面清除污染物。 15. 如申請專利範圍第10項之清潔裝置，其中該超音波振動器產生振動之範圍為從200kHz至700kHz。 16·—種清潔半導體基板之清潔方法，此半導體基板具有正反面和周緣，此方法包括下列步驟：面面 ί請先閱讀背面之注意華項再读寫本買) ^ ·11.11111 > - - -----I - 同時供應清潔液至半導體基板之正面和反面；以及同時施加超音波振動至半導體基板之正面和反 17.如申請專利範圍第16項之清潔方法，其中該清潔液以喷射之形式從半導體基板外側及隔半導體基板周緣一空間距離處，朝向半導體基板之周圍邊本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 4 5 5 6 6 4 05058 8 A25CD 六、申請專利範圍緣喷射，俾使得清潔液供應至半導體基板之正面和反面。 18.如申請專利範圍第16項之清潔方法，其中該超音波振動經由喷射之清潔液傳送並施加至半導體基板之正面和反面。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^---.-----訂---------線_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 29 311715