JP5183777B2 - 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る超音波洗浄装置の構成を示す図であり、図1(a)は、音波洗浄装置の正面から見た一部拡大図を含む断面図であり、図1(b)は、超音波洗浄装置の構成を示す平面図である。尚、図1に示す超音波洗浄装置は、シリコンウェーハを1枚ずつ処理する枚葉式のものである。図1(a)、(b)に示すように、超音波洗浄装置1は、洗浄液10を貯留する洗浄槽4と、洗浄槽4の側面に設けられた洗浄液供給口7(図1(a)に示す)と、洗浄液供給口7を有する洗浄槽4の側面と対向する側面に設けられた洗浄液排出口8(図1(a)に示す)と、洗浄槽4の洗浄液供給口7側の底部に設けられた振動板3と、振動板3の下面に設けられた超音波振動子2と、被洗浄物16を保持する保持部17(図1(a)に示す)とを有している。また、超音波振動子2に高周波電力を供給する超音波発振器40(図1(b)に示す)を有している。
図7は、本発明の第1実施形態に係る他の超音波洗浄装置の構成を示す一部拡大図を含む断面図である。尚、図1と同一のものに関しては、同一の符号を用い、構成に関する詳細な説明は省略する。図1に示す超音波洗浄装置1は、振動板3及び超音波振動子2が洗浄液10の液面と平行となるように配されているが、図7に示す超音波洗浄装置1は、振動板3及び超音波振動子2を液面に対して傾けて配置したものである。
次に、被洗浄物を移動しながら洗浄を行う第2実施形態に係る超音波洗浄装置について述べる。図15は、本発明の第2実施形態に係る超音波洗浄装置の構成を示す断面図である。図1及び図3に示す超音波洗浄装置1は、洗浄槽4に浸漬して被洗浄物16を固定して洗浄を行うが、図15に示す超音波洗浄装置33は、被洗浄物16を移動させながら洗浄を行うものである。尚、図1と同一のものに関しては、同一の符号を用い、構成に関する詳細な説明は省略する。
2、2L、2R 超音波振動子
3、31 振動板
4、36 洗浄槽
7、37 洗浄液供給口
8 洗浄液排出口
10 洗浄液
16 被洗浄物(半導体ウェーハ)
17 保持部
20 表面張力波
22 板波
34 収納部
35 ノズル
40、50 超音波発振器
41 発振回路
42 振幅変調回路
43 周波数変調回路
44 切換回路
45 パワーアンプ
46 制御回路
51 選択回路
Claims (17)
- 洗浄液を貯留し、被洗浄物を浸漬した洗浄槽と、
超音波振動を発する超音波振動子と、
当該超音波振動子の超音波振動を前記洗浄液に付与する振動板と、
前記超音波振動子を駆動する超音波発振器と、を有し、
前記超音波振動子は、平面に構成された振動面を有し、かつ、当該振動面全体から延びた垂線が前記洗浄液の液面に交わるように配されて、前記振動板を介して前記液面に対して超音波を直接照射可能であり、
前記被洗浄物は、前記振動面全体から延びた垂線の前記液面までの成す領域外に位置するように保持されて、前記被洗浄物の洗浄を行うことを特徴とする超音波洗浄装置。 - 前記被洗浄物は、前記超音波振動子からの超音波の平面波が直接当たらない位置に保持されていることを特徴とする請求項1に記載の超音波洗浄装置。
- 前記超音波振動子を駆動して前記振動板により前記洗浄槽の洗浄液の液面に向けて超音波を印加して、前記洗浄液の液面に表面張力波を発生させるようにしたことを特徴とする請求項1に記載の超音波洗浄装置。
- 前記洗浄液の液面における前記表面張力波によって被洗浄物の洗浄を行うことを特徴とする請求項3に記載の超音波洗浄装置。
- 前記表面張力波の伝搬方向と同一方向に、前記洗浄液が流動するように洗浄液を供給するようにしたことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の超音波洗浄装置。
- 前記被洗浄物から前記洗浄液の液面までの距離は、10mm(ミリメートル)以下であることを特徴とする請求項1に記載の超音波洗浄装置。
- 前記被洗浄物は、前記洗浄槽の洗浄液の液面と平行となるように、前記洗浄液の液面の近傍に位置するように保持されていることを特徴とする請求項1に記載の超音波洗浄装置。
- 前記超音波振動子及び前記振動板は、前記洗浄液の液面と平行を成すように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の超音波洗浄装置。
- 前記超音波振動子及び前記振動板は、洗浄液の液面に対して傾きを有するように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の超音波洗浄装置。
- 前記振動板を前記洗浄槽の底部全面に配し、前記超音波振動子を駆動する前記超音波発振器は、発振回路、振幅変調回路及び周波数変調回路を備え、前記発振回路による400KHz以上の周波数を有する信号を、前記振幅変調回路及び前記周波数変調回路の少なくとも1つの変調回路によって変調した信号で前記超音波振動子を励振して、前記洗浄液中に超音波を照射して洗浄を行うことを特徴とする請求項1に記載の超音波洗浄装置。
- 前記超音波振動子は、平面視において、前記被洗浄物を囲むように単数又は複数配置されていることを特徴とする請求項1に記載の超音波洗浄装置。
- 超音波振動により被洗浄物を洗浄する超音波洗浄方法であって、
超音波振動を発する超音波振動子を有する超音波振動発生手段と、
前記超音波振動発生手段が装着され、前記超音波振動子の超音波振動を洗浄液に付与する振動板と、
前記洗浄液を貯留し、被洗浄物を浸漬した洗浄槽とを備え、
前記超音波振動子は、平面に構成された振動面を有し、かつ、当該振動面全体から延びた垂線が前記洗浄液の液面に交わるように配されて、前記振動板を介して前記液面に対して超音波を直接照射可能であり、
前記被洗浄物は、前記振動面全体から延びた垂線の前記液面までの成す領域外に位置するように保持されて、前記被洗浄物の洗浄を行うことを特徴とする超音波洗浄方法。 - 前記被洗浄物は、前記超音波振動発生手段の前記超音波振動子からの超音波の平面波が直接当たらない位置に保持されていることを特徴とする請求項12に記載の超音波洗浄方法。
- 前記超音波振動発生手段の前記超音波振動子を駆動して前記洗浄槽の洗浄液の液面に向けて超音波を印加して、前記洗浄液の液面に表面張力波を発生させるようにしたことを特徴とする請求項12に記載の超音波洗浄方法。
- 前記洗浄液の液面における前記表面張力波によって被洗浄物の洗浄を行うことを特徴とする請求項14に記載の超音波洗浄方法。
- 前記表面張力波の伝搬方向と同一方向に、前記洗浄液が流動するように洗浄液を供給するようにしたことを特徴とする請求項14又は請求項15に記載の超音波洗浄方法。
- 前記超音波振動子は、平面視において、前記被洗浄物を囲むように単数又は複数配置されていることを特徴とする請求項12に記載の超音波洗浄方法。
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US10688536B2 (en) | 2014-02-24 | 2020-06-23 | The Boeing Company | System and method for surface cleaning |
KR101535090B1 (ko) * | 2014-03-07 | 2015-07-09 | 지에스티 반도체장비(주) | 기판 세척유닛 |
JP6401021B2 (ja) | 2014-11-18 | 2018-10-03 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置、基板処理装置、および基板洗浄方法 |
US11752529B2 (en) | 2015-05-15 | 2023-09-12 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Method for cleaning semiconductor wafers |
WO2018049671A1 (en) * | 2016-09-19 | 2018-03-22 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Methods and apparatus for cleaning substrates |
JP6605044B2 (ja) * | 2015-05-20 | 2019-11-13 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 |
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WO2018013668A1 (en) | 2016-07-12 | 2018-01-18 | Alexander Poltorak | System and method for maintaining efficiency of a heat sink |
JP6919849B2 (ja) * | 2016-08-09 | 2021-08-18 | 近藤工業株式会社 | 半導体製造装置 |
US11037804B2 (en) | 2016-09-20 | 2021-06-15 | Acm Research, Inc. | Methods and apparatus for cleaning substrates |
JP7123313B2 (ja) * | 2017-06-30 | 2022-08-23 | 青島海爾洗衣机有限公司 | 超音波洗浄装置 |
WO2019018446A1 (en) | 2017-07-17 | 2019-01-24 | Fractal Heatsink Technologies, LLC | SYSTEM AND METHOD FOR MULTI-FRACTAL THERMAL DISSIPATOR |
JP6763843B2 (ja) * | 2017-10-25 | 2020-09-30 | 株式会社カイジョー | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄システム |
US11581205B2 (en) | 2017-11-20 | 2023-02-14 | Acm Research, Inc. | Methods and system for cleaning semiconductor wafers |
CN112204389B (zh) * | 2018-03-29 | 2023-03-28 | 筑波科技株式会社 | 超声波传播影像的图像处理方法 |
CN108771505A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-11-09 | 徐剑 | 一种具有超声波清洗装置的足浴器 |
JP7295621B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2023-06-21 | 株式会社ディスコ | ウェーハの切削方法およびウェーハの分割方法 |
JP7166893B2 (ja) * | 2018-11-21 | 2022-11-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3839527B2 (ja) | 1996-09-26 | 2006-11-01 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 超音波処理方法および超音波処理装置 |
JP3322163B2 (ja) | 1997-05-08 | 2002-09-09 | 凸版印刷株式会社 | 超音波洗浄方法及び装置 |
JP3122061B2 (ja) * | 1997-07-22 | 2001-01-09 | 株式会社カイジョー | 超音波式浮揚搬送機構を備えたクラスターツール型枚葉処理装置 |
JP2000053047A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-02-22 | Jisaburo Shimizu | レバーストップ (二輪車等・施錠装置) |
WO2000021692A1 (en) | 1998-10-14 | 2000-04-20 | Busnaina Ahmed A | Fast single-article megasonic cleaning process |
JP4165845B2 (ja) * | 1998-12-07 | 2008-10-15 | 株式会社エフオーアイ | 表面処理方法および洗浄装置 |
JP4481394B2 (ja) | 1999-08-13 | 2010-06-16 | 株式会社荏原製作所 | 半導体基板の洗浄装置及びその洗浄方法 |
TW499329B (en) * | 1999-09-17 | 2002-08-21 | Product System Inc | Chemically inert megasonic transducer system |
JP2002093765A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Kaijo Corp | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
US7105985B2 (en) * | 2001-04-23 | 2006-09-12 | Product Systems Incorporated | Megasonic transducer with focused energy resonator |
US6726848B2 (en) | 2001-12-07 | 2004-04-27 | Scp Global Technologies, Inc. | Apparatus and method for single substrate processing |
JP4036287B2 (ja) * | 2002-05-01 | 2008-01-23 | 株式会社カイジョー | 超音波洗浄装置 |
KR100952087B1 (ko) * | 2003-02-20 | 2010-04-13 | 램 리써치 코포레이션 | 패터닝된 기판의 메가소닉 세정을 위한 방법 및 장치 |
WO2004112093A2 (en) * | 2003-06-06 | 2004-12-23 | P.C.T. Systems, Inc. | Method and apparatus to process substrates with megasonic energy |
US7111632B2 (en) * | 2003-09-22 | 2006-09-26 | Seagate Technology Llc | Ultrasonic cleaning device for removing undesirable particles from an object |
US7284558B2 (en) * | 2005-02-15 | 2007-10-23 | Infineon Technologies Ag | Enhanced megasonic based clean using an alternative cleaning chemistry |
KR101423611B1 (ko) * | 2008-01-16 | 2014-07-30 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치, 노광 장치 및 클리닝 툴의 세정 방법 |
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