TW463198B - Cathode-ray tube with internal magnetic shield - Google Patents

Description

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五、發明說明（1) 技術領j 本發明是關於陰極射線管（CRT )特別是，具有内部 磁屏蔽可以校正螢幕上之針墊失真或桶狀光柵失真 (Pincushion or barrei-shaped raster distortion)^, CRT。 i知技-術之描述 ，常，彩色CRTs具有一内部磁屏蔽以磁性屏蔽電子束 的路彳二避免不需要的外部磁場如地磁和周邊電路所產生的 磁％屏蔽器，是金屬板所形成的中空零件，具有略成四 角錐口狀的形&。屏蔽器具有一下開口在面板側和一上開 口在電子槍侧。 蔽偏轉磁輛（defl 置。以避免影響由 來，部份由偏轉磁 部，以校正針墊失 例來說，於1 994年 號，於1 9 95年公開 和於1 996年公開之 然而，揭露在 知技術的内部磁屏 狀光栅失真的問題 而且，揭露在 搶側的屏蔽器開口是位於屏蔽器不致遮 ection yoke)所產生磁場的適當位 偏轉磁輛所產生的磁場。不過，近幾年 輕所產生的磁場被用來穿透屏蔽器内 真或桶狀光柵失真。這技術揭露於，舉 公開之日本公開專利公報第6„3 1 0 04 7 之曰本公開專利公報第7-1 05 868 63號， 曰本公開專利公報第8-1 71 86 866號。 公報第6- 3 1 00 47和7- 1 0 5 8 6 863號中之習 蔽器’會有無法完全校正針墊失真或桶 〇 公報第8- 1 7 1 8 686 6號中的習知技術的内

4 63 五、發明說明（2) --一·*--------- 部磁屏蔽器， 内壁。因1，在電子搶侧的開口會有凸緣凸向漏斗狀部的 高度c突2 ’凸緣與漏斗狀部内壁接觸的機率隨著凸緣的 佈在接撫長度）增加而增加。如果凸緣與内壁接觸，塗 因在位置内壁的石墨層有可能會剝離或脫落。 -4 # ί，凸緣的高度受到限制，結果針墊失真或桶狀光 具的問題無法完全地校正。 因此’本發明的目的是提供一 CRT具有可以充分校正 S針塾失真或桶狀光栅失真。 本發明的另一目的是提供一 CRT具有内部磁屏蔽器可 以有效地校正針墊失真或桶狀光柵失真。 本發明的另一目的是提供一 CRT具有内部磁屏蔽器可 以权正針塾失真或桶狀光栅失真並具有收歛的效應或校正 收歛誤差。 上述未特別說明的目的藉由下列敘述將使熟於此技術 的人更清楚。 —根據本發明的CRT具有： (a ) —真空管； 真空管内部具有一面板和一電子搶； 真空管具有一由電子槍發射電子束穿過的電子束路 徑；和 (b) —内部磁屏蔽器在真空管内位於面板和電子搶之 間；

第7頁 463198 五、 發明説明（3) 屏 蔽 器 具 有 一 略 成 四 角 錐 台 狀 的 中 空 體 1 和 一 對 凸 緣 ， 中 空 體 具 有 一 位 於 電 子 搶 侧 的 第 一 開 V 和 一 位 於 面板 側 的 第 一 開 α y 中 空 體 圍 繞 該 路 徑 所 以 電 子 束 會 穿 過 第 一 開 5 中空 體 内 部 ， 和 第 開 口 到 面 板 ； 該 對 凸 緣 固 定 在 中 空 體 接 近 第 一 開 口 的 位 置 ， 該 對 凸 緣 穿 過 路徑 向 内 凸 向 彼 此 * » 其 中 產 生 在 真 空 管 中 的 偏 轉 磁 場 被 吸 引 向 該 對 凸 緣。 根據本發明的CRT，内部磁屏蔽器具有該對凸緣固定 在該中空體接近第一開口的位置。該對凸緣在真空管中穿 過路徑向内凸向彼此。在真空管中所產生的偏轉磁場被吸 引向該對凸緣β 因此，在真空管中的偏轉磁場由於磁場的吸引而沿著 真空管的縱軸擴展。磁場的擴展會減弱造成針墊失真或桶 狀光柵失真的偏轉磁場的分量，並藉此校正針墊失真或桶 狀光柵失真。 、/ 而且，因為該對凸緣在真空管中穿過電子束路徑向内 凸向彼此，擴展偏轉磁場的效應會變強。因此， 正針墊失真或桶狀光柵失真的靈敏度。 义 而且，由於該對凸緣不可能接觸真空管的内壁， 達到該對凸緣的長度或突出高度 如上述，根據本發明的咖，可以充分地校正針塾失

五、發明說明（4) 真或桶狀光柵失真 因此’減弱偏轉磁場分量的效應變強而同時，突出高 度或该對凸緣的長度可以儘可能設大。這表示該對凸緣的 形狀可以自由地設計。結果，藉由適當地設計該對凸緣的 形狀’可以校正針塾失真或桶狀光柵失真並具有收歛效應 或校正收歛誤差。 根據較佳實施例的CRT，該對凸緣沿著真空管的縱軸 延伸並鉛直縱軸。吸引向該對凸緣的偏轉磁場主要鉛直偏 轉磁場。在本實施例中，具有另一個優點是CRT螢幕上下 端區域的針墊失真或桶狀光柵失真可以有效地校正。 根據本發明的另一較佳實施例中’該對凸緣的突出古 度沿著該對凸緣的延伸方向改變。在本實施例中，具有= —個優點是因為吸引偏轉磁場的效應可以局部地控制， 以針塾失真或桶狀光柵失真的校正準位可以精細地， 整。 平碟調 根據本發明的另一較佳實施例，該對凸緣的形狀口 由正方形、梯形、圓形的片段，或是三角形所構成的可以 t選出。在本實施例中，具有另一個優點是吸弓丨偏轉群^ 的效應可以輕易地使用電腦來模擬因為該對凸緣的形磁場 簡單，因此可以縮短屏蔽器設計和試產所需的時間/狀變 根據本發明另一較佳實施 空體一體形成。在本實施例中 只彎折中空體的一部份即可得 易製造，而可以降低成本。 例，該對凸緣與屏蔽器的 ，具有另一個優點是因為僅 到該對凸緣’故屏蔽器报容

第9頁 4 63 1-' 五、發明說明¢5) 根據本發明另一較佳實施例，該對凸緣可以與屏蔽器 的中空體分開形成然後固定在中空體。在本實施例中’具 有另外的優點敘述如下。 第一，藉由調整該對凸緣和中空體的固定位置，吁以 精細地調整吸引偏轉磁場的效應和針墊失真或桶狀光柵失 真的校正準位。 第二’因為該對凸緣可以與屏蔽器的中空體分開製 造’該對凸緣的形狀可以更複雜。因此，更容易控制吸引 偏轉磁場的效應，而更有效地校正針墊失真或桶狀光柵失 真。 .較佳實施例之說B彳 本發明較佳實施例將參考附圖解釋如下。 第一實施例 如圖1 ’根據本發明第一實施例的彩色C R τ 8 0具有一玻 璃製成的真空管90。真空管90的内部維持在特定高真空狀 態。真空管9 0是由一面板81 ’ 一裙裾部8 2，和一漏斗狀部 83所形成。面板81大約為平面的正方形。的费幕形 成在面板81上。 如圖1 ’CRT80的縱轴鉛直面板81。在此，縱軸定義為 Z軸。而，X軸定義為鉛直z軸橫向延伸的方向。γ轴定義為 錯直Z軸鉛直延伸的方向。面板8 1位於圖1中X軸和γ轴 ^ 成的X-Y平面上。 形

4 6 3η 五、發明說明（6) --—-- 面板81的上下端81a和8113沿著Υ軸在鉛直方向遠離ζ 卜面板81的左右端（未圖示）係沿著χ軸橫向遠離2轴。 裙裾部82與面板81 —體形成。裙裾部82與面板81相對 的開口端連接到漏斗狀部83對應的開口端。漏斗狀部83， 大約為圓錐形，在相對面板81的另—端具有—管狀頸部 一螢光幕84形成在面板81的内表面。紅、綠、藍螢光 材料規律地配置在整個螢光幕84上。 在真空管90中，一色彩選擇電極87位於面板“附近並 相對於螢光幕84。色彩選擇電極87具有許多開孔以便讓電 子束86可以選擇性地穿透到螢光幕84。 一内部磁屏蔽器10位於漏斗狀部83中以屏蔽不需要的 外部磁場。屏蔽器1 〇具有一上開口丨3f和一下開口丨^可以 讓電子束86穿透到達螢光幕84，上開口13f和下開口i3e沿 著z軸排列。屏蔽器10與漏斗狀部83的内壁分開。屏蔽器" 10與色彩選擇電極8 7—起固定在大約為正方形的邊框89 上。邊框89由支撐構件固定在裙裾部82的内壁。 在頸部83a中，具有一電子搶85可以發射三個電子束 γ給綠（G)、藍（B)，和紅（R)。一偏轉磁軛88在頸 部83a外面圍繞部份的漏斗狀部83。由電子搶85所發射的 電子束86，經由偏轉磁軛88所產生的磁場水平和鉛直偏 以掃描整個螢光幕84。掃描的電子束86穿過色彩選擇電極 Μ的開孔然後，選擇性地撞擊在螢光幕84的6 ' β或[?顏色 的螢光材料上並激發他們。而根據輸入訊號產生影像在螢

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五、發明說明σ) 光幕84上，並經由面板81被觀看者看見。 圖2是内部磁屏蔽器10的詳細結構。如圖]， 〇 的上部位於電子槍侧85而屏蔽器1〇的下部位於面板細！。 屏蔽器10的縱轴與ζ軸方向同軸。 如圖2，屏蔽器10具有一略成四角錐台狀形狀的中空 體13。中空體13是由四個磁性材料所形成的邊板i3a、 13b、13c和13d所構成。邊板i3a*13c具有相同形狀的梯 形面。邊板13b和13d具有大約相同形狀的梯形面。邊板 13b和13d在上端具有V型溝槽12。四個邊板13&、13b、13c 和13d的下邊13aa、13ba、13ca和13da形成大約是正方形 的下開口13e。四個邊板13a、13b、13c和13d的上邊 13ab、13bb、13cb和13db形成大約是正方形的上開口 I 3 f。下開口 1 3 e大於上開口 1 3 f。 邊板13b和13d的溝槽12是為了避免電子束86因為已知 地磁而誤偏移。 在真空管9 0中，屏蔽器1 〇以下列方式固定。特別是， 如圖1，邊板1 3a和1 3c分別位於上和下位置。邊板丨3b和 1 3 d分別位於左和右的位置。上開口 1 3 f位於電子搶側8 5而 下開口 1 3e位於面板側8 1。邊板1 3a和1 3c沿著X軸水平延 伸。邊板13b和13d沿者γ軸錯直延伸。 邊板13a和13c用來屏蔽沿著γ軸的鉛直磁場。邊板13b 和1 3 d用來屏蔽沿著X軸的水平磁場。 一對正方形平板狀的凸緣u分別由邊板丨3a和13c的上 邊13ab和13cb突出。凸緣^不是延伸於整個i3ab和13cb，

第12頁 4 6^1 9L 五、發明說明（8) 換句話說，凸緣11只在1 3 a b和1 3 c b而沒有延伸到端點的位 置。凸緣11罩住凸向中空體13縱軸的上開口 i3f，換句話 說，凸緣11由13ab和13cb邊緣向内凸。在真空管9〇中，凸 緣11大約错直於Z _並沿著Y轴彼此^目對，如圖1。 一對正方形平板狀的凸緣14a和14b由邊板13b的V型上 邊13bb突出。凸緣14a和14b不是延伸於整個13^，換句話 說，只在邊緣1 3 bb而沒有延伸到中間和端點的位置。凸緣 1 4a和1 4b罩住凸向中空體1 3縱軸的上開口〗3 f，換句話 說，凸緣14a和14b由13bb邊緣向内凸。 一對正方形平板狀的凸緣14a’和14b’由邊板13d的V型 上邊13db突出。凸緣14a’和14b’不是延伸於整個i3db ,換 句話說’只在邊緣1 3db而沒有延伸到中間和端點的位置。 凸緣14a’和;14b’罩住凸向中空體13縱軸的上開口 13f，換 句話說，凸緣14a’和14b’由13db邊緣向内凸。 在真空管9 0中’凸緣1 4 a和1 4 a ’大約鉛直於z軸並沿著 (軸彼此相對。同樣地，凸緣14b和14b，大約鉛直於z軸並 A著X轴彼此相對。 ' 在此，凸緣11、14a、14b、14a，和14b，係藉由彎折製 程與中空體13 —體形成。因此’凸緣n、Ua、Hb、 和14b和中空體Μ 一樣以相同的磁性金屬所製成。 、乂根據圖1和2本發明第一實施例的彩色CRT80，如上 Ϊ近S'气蔽器]0具有-對磁性凸緣11固定在中空體13 90中空4 口上邊的13aM〇13cb。該對凸緣11在真空管 過電子束路徑向内凸向彼此。該對凸緣丨丨沿著γ軸

第13頁 五、發明說明（9) 鉛直突出並 軛88所產生 對凸緣11。 沿著X軸水平延伸。因此真空管9〇中由偏轉磁 用以掃描電子束86的偏轉磁場，會被吸引向該 因此，因為磁場的吸引偏轉磁場沿著真空管9〇的縱軸 擴展（Z軸）。磁場的擴展會減弱造成針墊失真或桶狀光 栅失真的偏轉磁場的分量，並藉此校正在螢幕上下端區域 的針墊失真或桶狀光柵失真。 而且，因為該對凸緣11在真空管90中穿過電子束路徑 向内凸向彼此，擴展偏轉磁場的效應會變強。因此，會加 強校正針墊失真或桶狀光栅失真的靈敏度。 而且’因為該對凸緣11不可能與真空管9〇的内壁接 觸，所以該對凸緣的長度或突出高度可以達到滿足值。 如上述，根據圖1和2第一實施例的彩色，可以 有效地校正針墊失真或桶狀光柵失真。 因此，減弱偏轉磁場分量的效應變強而同時，突出高 度或該對凸緣11的長度可以儘可能設大。這表示該對凸緣 11的形狀可以自由地設計，換句話說，凸緣i丨的高度Η和 長度L(圖2)可以自由設定。 結果，藉由適當地設計該對凸緣11的形狀和尺寸，可 以有效地校正校正針墊失真或桶狀光柵失真和收斂誤差。 此外’根據第一實施例的CRT80更具有凸緣對u、14a、 14b、14a’和14b’固定在中空體13上開口13f的上邊13計和 13db。14b和14b’在真空管90中穿過電子束路徑向内凸向 彼此。凸緣14a、14b、14a，和14b，沿著X軸水平突出並沿

第14頁 463198 五、發明說明（ίο) 著Y轴錯直延伸。因此在真空管90中所產生的偏轉磁場 被吸引向凸緣14a、14b、I4a’和14b，a 因此，因為磁場的吸引，真空管90的偏轉磁場沿 轴（Z軸）擴展。磁場的擴展會減弱造成針墊失真或妝 光柵失真的偏轉磁場的分量’並藉此校正在發幕左" 域的針墊失真或桶狀光柵失真。 端區 第二實施例 圖3是本發明第二實施例彩色CRT内部磁屏蔽器。 蔽器20相當於圖1和2第—實施例中CRT 8〇的屏蔽器去 凸緣14a、Ub、14a，*14b，b的情形。第二實施例的crt除 了以屏蔽器20取代屏蔽器1〇之外其他與圖i crt 8〇具柏 同結構®此’為了簡化起見省略相同結構的解釋圖3並 用相同的參考符號來表示與第—實施例相同的部份。 如圖3内部磁屏蔽器20具有一對長方形平板狀凸緣 分別由邊板13a和13c的上邊13“和13吡突 ^凸^ 住凸向中空體U縱軸的上開口丨”^軸），換句話說緣凸 21由13ab和13cb邊緣向内凸。在真空管9〇 船直於z柏並沿著γ轴彼此相對，如圖丨。凸緣21大約 凸緣21藉由弯折製程與中空體13一體形成。因此 緣21和中空體1 3 -樣以相同的磁性金屬所製成。 不像第一實施例的凸緣1 1，凸緣21分別延伸在整個 13ab和Ucd邊緣。因為第二實施例省略凸緣個 五、發明說明（11) 1 3cd邊緣。 圖3根據第二實施例使用内部磁屏蔽器2〇 屏蔽器20具有一對磁性凸緣21固定在中空體13接^上開口 13f上邊的I3ab和13ct^該對凸緣11在真空管9〇中穿過"電 子束路徑向内凸向彼此.該對凸緣2丨沿著γ軸鉛直突出並 平延伸°因此’真空管90中由偏轉4耗88所產 生用以掃描電子束86的偏轉磁場，會被吸引向該對凸緣 21。因此，磁場沿著真空管9 〇的縱軸擴展（z軸）。 結果，如第一實施例屏蔽器丨〇的相同方式在螢幕上下 端區域的針墊失真或桶狀光柵失真可以被有效地校正而不 會造成該對凸緣2 1接觸到真空管9 0的内壁。 此外’因為凸緣2 1的高度Η和長度L可以自由設定，針 墊失真或桶狀光栅失真和收歛誤差可以藉由適當地設計凸 緣21的高度Η和長度L來有效地校正。 為了確認本發明的優點，本發明者在丨了吋的彩色CRT 上進行下列測試。測試結果如下^ 屏蔽器2 0的凸緣2 1的高度η設成5 mm和1 〇 mm。而，對照 組的高度Η設成0mm，表示省略凸緣2 1。在這情形中，與對 照組比較，在螢幕上下端區域的光柵失真在H = 5mni和i〇mm 兩種情形時分別朝針墊狀偏向〇. 6mm及0. 8mm。同時，在螢 幕上下端區域的鉛直線收斂也會改變。特別是，紅色鉛直 線的收斂相對於藍色鉛直線分別偏向螢幕右邊〇 . 〇 8 nrn和0 · 13mm 〇 因此’使用第二實施例内部屏蔽器2〇的CRT，可以提

第16頁 五、發明說明（12) -- 升針塾失真或桶狀光拇失真的校正準位並校正收歛誤差。 蓋三實施例 圖4是本發明第三實施例彩色CRT内部磁屏蔽器3〇。屏 蔽器30相當於圖3第二實施例中屏蔽器2〇改變凸緣2丨形狀 的情形。第三實施例的CRT除了以屏蔽器3〇取代屏蔽器1〇 之外其他與CRT 80具有相同結構。因此，為了簡化起見省 略相同結構的解釋圖4並用相同的參考符號來表示與第一 實施例相同的部份。 如圖4，内部磁屏蔽器3 0具有一對平板狀凸緣3丨分別 由邊板13a和13c的上邊13 ab和13 cb突出。凸緣31罩住凸向 中空體13縱軸的上開口 1 3f (Z軸），換句話說，凸緣31由 1 3ab和13 cb邊緣向内凸。在真空管9〇中，凸緣31大約鉛直 於Z軸並沿著Y軸彼此相對，如圖1。 凸緣31藉由彎折製程與中空體丨3 一體形成。因此，凸 緣31和中空體1 3 —樣以相同的磁性金屬所製成。 如同第二實施例的凸緣21，凸緣31分別延伸整個丨3ab 和1 3 c d邊緣。這是因為第三實施例省略凸緣1 4 a、1 4 b、 14a’和14b’ b，所以凸緣31可以輕易地延伸在整個丨3ab和 1 3 c d邊緣。 如圖4 ’凸緣3 1的形狀大約為圓形的片段。因此凸緣 31的突出高度Η在中間最大並向兩端逐漸減少到零。 使用圖4第三實施例内部磁屏蔽器3 〇的彩色CRT，如同 圖2的第二實施例’在螢幕上下端區域的針墊失真或桶狀

第17頁 463198 五、發明說明（13) 光柵失真可以被有效地校正而不會造成該對凸緣31接觸到 真空管9 0的内壁。而且，收斂誤差也可以校正。 根據本發明者在使用圖4内部磁屏蔽器30的17吋彩色 CRT上的測試。測試結果如下。 當屏蔽器30的凸緣3 1的最大高度Η設成5mm時，與 H = Omni的對照組比較起來，在螢幕上下端區域的光柵失真 偏向針墊狀〇. 7mm。同時，在螢幕上下端區域的鉛直線收 傲也會改變。特別是，藍色鉛直線的收斂相對於紅色鉛直 線偏向螢幕右邊0. 15min。 因為内部磁屏蔽器3 〇具有圓形部份形狀的凸緣31，所 以具有與第二實施例屏蔽器2〇不同的效應D比較上述測試 結果與第二實施例H = 5mm的測試結果’針墊失真或桶狀光 拇失真的偏差值為〇. 7nm ’相當於第二實施例中的〇. 6mn]。 相對地’收斂的偏差值為〇 · 1 5mm ’與第二實施例的〇. 〇 8mm 相差恨大。因此，可以發現下列因素。 H 第^實施例的屏蔽器3〇，可以藉由調整凸緣3 1的高度 ’當控制針墊失真或桶狀光柵失真的改變時收斂的偏 ，會增加。換句話說，當校正收歛誤差時以 失真或桶狀光栅失真。

圓5是本發明第四實施例 蔽器40相當於圖3第二實施例 的情形。第四實施例的以丁除 彩色CRT内部磁屏蔽器4〇。屏 中屏蔽器2 0改變凸緣2 1形狀 了以屏蔽器40取代屏蔽器10

463 ΐ 98 五、發明說明（14)

之外其他與CRT 80具有相同結構。因此， ^ 略相同結構的解釋圖5並用相同的參考符…了簡化起見省 實施例相同的部份。 &表示與第一 如圖5，内部磁屏蔽器40具有一對平板 由邊板13a和13c的上邊13礼和13叻突出。凸凸緣41分別 中空體13縱軸的上開口13“2車由），換句話說，2【=2向 13ab和13cb邊緣向内凸。在真空管9〇中， ' 由 於Z軸並沿著γ軸彼此相對，如圖1。 ’、41大約鉛直 如同第二實施例的凸緣21，凸緣41分別延伸整個Η 和13cd邊緣。凸緣41藉由彎折製程與中空體13 — 因此，凸緣41和中空體13—樣以相同的磁性金屬所製° 如圖5，凸緣4 1的形狀大約為具有v形溝槽在中間的 方形。因此凸緣41在中間的高度们和在接近端點的^度 使用圖5第四實施例内部磁屏蔽器4〇的彩色CRT，如同 圖2的第二實施例，在螢幕上下端區域的針墊失真或桶狀 光拇失真可以被有效地校正而不會造成該對凸緣4丨接觸到 真空管90的内壁。而且，收斂誤差也可以校正。 根據本發明者在使用圖5内部磁屏蔽器40的1 7对彩色 CRT上的測試。測試結果如下。 因為凸緣41的形狀和不同高度η 1和H2，在螢幕上下端 區域的針墊失真或桶狀光柵失真偏向桶狀同時，以這個方 式改變的收斂其藍色鉛直線相對於紅色鉛直線偏向螢幕右 邊0

第19頁 46319ft 五、發明說明（15) 這是因為下列原因 因為該對凸緣41吸引在真 生的偏轉磁場偏向該對凸緣41 以與第一實施例相同的方式沿 )° 磁場的擴展降低電子束86 的靈敏度降低。同時，偏轉磁 狀光柵失真減弱。 在螢幕中央鉛直軸端點附 真與省略凸緣4 1相比偏向針墊 的收斂其藍色鉛直線相對於紅 另一方面，在發幕對角線 的高度H2大於在中間的高度H1 位會大於接近螢幕中央錯直軸 失真或桶狀光柵失真會偏向桶 的收傲會與螢幕中央袖端點附 紅色鉛直線偏向螢幕右邊。 如上述’具有第四實施例 或桶狀光柵失真會偏向圖3第. 話說，光柵失真的極相對於收 不同。 空管90中由偏轉磁軛88所產 ’在凸緣41附近的偏轉磁場 著Z軸擴展（偏向面板82 的偏轉水準，也就是，偏轉 場的分量造成針墊失真或桶 近’針塾失真或桶狀光柵失 狀。同時，以這個方式改變 色錯直線偏向螢幕右邊。 端點的附近，在凸緣41端點 因此，偏轉靈敏度的降低準 端點附近=因此，整個針墊 狀。同時，以這個方式改變 近一樣其藍色鉛直線相對於 屏蔽器40的CRT，針墊失真 1實施例的相反方向。換句 歛疾差的極與第二實施例的 第五實施例

463198 五、發明說明（16) 蔽器50相當於圖3第二實施例中屏蔽器2〇改變凸緣2 1形狀 的情形。第五實施例的CRT除了以屏蔽器5 〇取代屏蔽器工〇 之外其他與CRT 80具有相同結構。因此，為了簡化起見省 略相同結構的解釋圖6並用相同的參考符號來表示與第一 實施例相同的部份。 如圖6，内部磁屏蔽器50具有一對平板狀凸緣51分別 由邊板13a和13c的上邊13ab和13cb突出。凸緣罩住凸白 中空體13縱軸的上開口i3f(Z軸），換句話說，&緣51由° 13ab和l3cb邊緣向内凸。在真空管9〇中，凸緣51大約鉛直 於Z軸並沿著Y軸彼此相對，如圖1。 条二第二實施例的凸緣21 ’凸緣51分別延伸整個13以 因此如：緣51和中空體13一樣以相同的磁=屬 =’ 1緣51的形狀大約為梯形。因此凸緣51在中 間的间度H1和在接近端點的高度H2，Hl大於。 使用圖6第五實施例内部磁屏蔽器5 、 ° 圖2的第二實施例，在榮幕上下端區域的=CRT ’如同 光柵失真可以被有效地校正而不會/甬' 真空管9〇的内壁。而且，收敛誤差也緣51接觸到 區度ηι'°η2，在螢幕上下端 式改變的收f;偏向摘狀同時，以這個方 邊。這是因為下列原因。 色軋直線偏向螢幕右 因為該對凸緣51吸引在真空管9〇中由偏轉磁細所產

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生的偏轉磁場A 以與第一實施例^的太7，在凸緣5丨附近的偏轉磁場 低電子⑽的Γ=ΓϊΠζ軸擴展。磁場的擴展降 右馨墓由!^量成針墊失真或桶狀光柵失真減弱。 „ 中央鉛直軸端點附近，因為偏轉磁場分量減 光拇失真與省略凸緣51相比偏= 色鉛直線偏向螢幕右邊。 了於紅 另方面，在螢幕對角線端點的附近，在凸緣5 1端點 的冋度H2小於在中間的高度H1因此，偏轉靈敏度的降低準 位會小=接近螢幕中央鉛直軸端點附近。結果，電子束8 6 的偏轉量會大於接近螢幕中央軸附近β因此，整個針墊失 真或桶狀光柵失真會偏向針墊狀。以這個方式改變的收斂 會與螢幕中央軸端點附近一樣其藍色鉛直線相對於紅色鉛 直線偏向螢幕右邊。 如上述，具有第五實施例屏蔽器5〇的CRT，針墊失真 或桶狀光栅失真會偏向圖5第四實施例的相反方向。換句 話說’光栅失真的極相對於收歛誤差的極與第四實施例的 不同。 第六眚施例 圖7是本發明第六實施例彩色CRT内部磁屏蔽器60。屏 蔽器60相當於圖3第二實施例中屏蔽器2〇改變凸緣21形狀 的情形。第六實施例的CRT除了以屏蔽器取代屏蔽器1 0

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五、發明說明（18) 之外其他與CRT 80具有相同結構。 略相同結構的解釋圖7並用相同 ^，為了簡化起見省 實施例相同的部份。 、考符號來表示與第一 如圖7，内部磁屏蔽器6〇具 由邊板1 3a和1 3c的上邊1 3ab和彳β對平板狀凸緣6 1分別 中空體Π縱抽的上開=3 =。凸_罩住凸向 _和_緣向内ώ。在真軸空)管：广’凸緣61由 於Z#並沿著Υ轴彼此相對，如m。+，凸緣61大約鉛直 和13cd二=1施例的凸緣21 ’凸緣61分別延伸整個13ab 因此，凸緣61和中心13 :製私與中空體13-體形成。 如圖7，几姑c工體樣以相同的磁性金屬所製成。 6〗的;SI:為， 圖2:第用二實= = 器6°的彩色⑽，如同 真空管90的内壁。it ”：不會造成該對凸緣61接觸到 Λ 而且’收斂誤差也可以校正。 或桶狀I 五實施例’在f幕向下端區域的針塾失真 斂兑駐 、會偏向針墊狀同時，以這個方式改變的收 1色鉛直線相對於紅色鉛直線偏向螢幕右邊。 sn知Rn 述第—到第六實施例，凸緣對10、20 ' 30、40、 板#鉍Γ中空體13 一體形成。因此僅只贊折中空體13的平 板I材料即可形成，並提高產量而降低製造成本。 第23胃 463 1 9'

复七實施例 圖8是本發明第七實施例彩色c r τ内部磁屏蔽器7 0。屏 蔽器7 0相當於圖3第二實施例中屏蔽器丨0除了凸緣對2丨以 對或緣7 1取代屏蔽器之外。第七實施例的。r τ除了以 屏蔽器60取代屏蔽器1〇之外其他與CRT 80具有相同結構。 因此’為了簡化起見省略相同結構的解釋圖8並用相同的 參考符號來表示與第一實施例相同的部份。 如圖8 ’内部磁屏蔽器70具有一對長方形平板狀凸緣 Π分別由邊板13a和13c的上邊13ab和13cb突出。凸緣71罩 住凸向中空體13縱軸的上開口13f(z軸），換句話說，凸緣 71由13ab和1 3cb邊緣向内凸。在真空管9〇中，凸緣71大約 紹直於Z軸並沿著Y軸彼此相對，如圖1。 如同第二實施例的凸緣21，凸緣71分別延伸整個Uab 和13cd邊緣。凸緣71與邊板13a ’13b，13c和13d分開成形 然後，分別固定到邊板1 3 a和1 3 b的内壁。凸緣7 1和中空體 1 3 —樣以相同的磁性金屬所製成。 使用圖8第七實施例内部磁屏蔽器7〇的彩色CRT，如同 圖2的第二實施例，在螢幕上下端區域的針墊失真或桶狀 光柵失真可以被有效地校正而不會造成該對凸緣71接觸到 真空管90的内壁。而且，收斂誤差也可以校正。 不像圖3的第二實施例，因為凸緣71是與邊板丨3a， 1 3b，1 3c和1 3d分開成形然後，分別固定到邊板丨仏和丨⑽ 的内壁。因此必須要有固定到邊板13a和13b的步驟。然 而’好處是凸緣71的位置可以沿著CRT的縱軸調整（2軸

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d 63 1 9B 五、發明說明（20) )’而可以精細地調整校正準位或針墊失真或桶狀光柵失 真的量。 雖然第七實施例的凸緣7 1是長方形，但也可以是第三 到第六實施例的任何其他形狀。而且，凸緣7 1的形狀，可 以是任何如彎曲條狀的複雜形狀。因此，校正準位或針墊 失真或桶狀光栅失真的量可以更有效地校正。 +、雖然本發明針對上述第一到第七實施例的彩色CRT來 為，’但也可以適用於單色CRT。内部磁屏蔽器的凸緣可 乂是其他圖2到8的任何形狀。 專利^然本發明針對特定實施例來清楚完整地揭露，申請 1 &圍並不限於實施例任改 於熟於此技藝 的人皆能輕易的達到。1變災

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A 63 1 9B 圖式簡單說明 圖1為依本發明第一實施例之彩色CRT結構的示意橫剖 面圖； 圖2為依圖1之第一實施例之CRT之内部磁屏蔽器詳細 結構的示意立體圖； 圖3為依本發明第二實施例之彩色CRT的内部磁屏蔽器 詳細結構的示意立體圖； 圖4為依本發明第三實施例之彩色CRT的内部磁屏蔽器 詳細結構的示意立體圖； 圖5為依本發明第四實施例之彩色CRT的内部磁屏蔽器 詳細結構的示意立體圖； 圖6為依本發明第五實施例之彩色CRT的内部磁屏蔽器 詳細結構的示意立體圖； 圖7為依本發明第六實施例之彩色CRT的内部磁屏蔽器 詳細結構的示意立體圖； 圖8為依本發明第七實施例之彩色CRT的内部磁屏蔽器 詳細結構的示意立體圖。

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Claims (1)

1. d 63 1 98 六、申請專利範圍 1. 一種陰極射線管，具有： (a ) —真空管外殼； 該外殼内部具有一面板和一電子槍； 該外殼具有一由該電子搶發射電子束穿過的電子束路 徑；和 (b) —内部磁屏蔽器，在該外殼内位於該面板和該電子 槍之間； 該屏蔽器具有一略成四角錐台狀的中空體和一對凸 緣； 該中空體具有一第一開口位於電子搶側和一第二開口 位於面板側； 該中空體圍繞該路徑俾該電子束穿過該第一開口、該 中空體内部、和該第二開口到該面板； 該對凸緣固定在該中空體搔近該第一開口的位置； 該對凸緣隔著該路徑朝内伸出彼此面對； 其中一產生在該外殼中的偏轉磁場被吸引向該對凸 緣。 2. 如申請專利範圍第1項之陰極射線管，其中該對凸緣沿 著該外殼的縱軸延伸並鉛直該縱軸； 其中朝向該對凸緣被吸引的該偏轉磁場主要為一鉛直偏轉 之磁場。 3.如申請專利範圍第1項之之陰極射線管，其中該對凸緣

   第27頁 4 63 1 Ή 六、申請專利範圍 的突出高度沿著該對凸緣的延伸方向改變。 4 ·如申請專利範圍第1項之陰極射線管，其中該對凸緣的 形狀係由正方形、梯形、圓形的片段]、或是三角形所構 成的群組中選出。 5. 如申請專利範圍第1項之陰極射線管，其中該對凸緣與 該屏蔽器的該中空體一體形成。 6. 如申請專利範圍第1項之陰極射線管，其中該對凸緣係 與該屏蔽器的該中空體分開形成然後固定在該中空體。 7. 一内部磁屏蔽器，用於一陰極射線管，具有： (a) —略呈四角錐台形狀的中空體； 該中空體具有一第一開口位於該電子槍側和一第二開 口位於該面板側； 該中空體圍繞該路徑俾由該電子槍所發射的電子束會 穿過該第一開口 、該中空體内部、和該第二開口到該面 板； (b ) —對凸緣，固定在該中空體接近該第一開口的位 置； 該對凸緣隔著該路徑朝内伸出彼此面對； 其中在該外殼中的一偏轉磁場朝向該對凸緣被吸引。

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