JPH04315737A - カラー受像管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】［発明の目的］

【０００２】

【産業上の利用分野】この発明は、カラー受像管に係り
、特に外部磁界の垂直方向成分によるビームランディン
グのずれを減らして色純度を良好にするカラー受像管に
関する。

【０００３】

【従来の技術】一般にカラー受像管は、図７に示すよう
に、パネル１およびこのパネル１に一体に接合された漏
斗状のファンネル２からなる外囲器を有し、そのファン
ネル２のネック３内に３電子ビーム４Ｂ，４Ｇ，４Ｒを
放出する電子銃５が配設されている。またパネル１内面
に青、緑、赤に発光するドット状またはストライプ状の
３色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン６が形成され、
この蛍光体スクリーン６に対向して、その内側にシャド
ウマスク７が装着されている。このシャドウマスク７は
、多数の電子ビーム通過孔の形成されたマスク本体８と
その周辺部に取付けられたマスクフレーム９とからなり
、このシャドウマスク７のマスクフレーム９に、ファン
ネル２の径大部内側に位置する内部磁気遮蔽体１０が取
付けられている。そして、上記電子銃５から放出される
電子ビーム４Ｂ，４Ｇ，４Ｒをファンネル２の径大部と
ネック３との境界部外側に装着された偏向ヨーク１１の
発生する水平および垂直偏向磁界により偏向して、上記
蛍光体スクリーン６を水平、垂直走査することにより、
この蛍光体スクリーン６上にカラー画像を表示する構造
に形成されている。

【０００４】この蛍光体スクリーン６上に描かれるカラ
ー画像の色純度を良好にするためには、３色蛍光体層に
３電子ビーム４Ｂ，４Ｇ，４Ｒを正しくランディングさ
せることが必要である。しかし上記電子銃５から放出さ
れる３電子ビーム４Ｂ，４Ｇ，４Ｒに外部磁界が作用す
ると、ローレンツ力により電子ビームの軌道は変化して
ビームランディングのずれがおこる。上記内部磁気遮蔽
体１０は、外部磁界を遮蔽してその外部磁界によるビー
ムランディングのずれを防止するためのものであるが、
上記のように内部磁気遮蔽体１０を設けても、なお電子
ビームの軌道が変化するカラー受像管がある。

【０００５】ところで、外部磁界の電子ビームに作用す
るローレンツ力Ｆ（ベクトル）は、電子の電荷をｅ、電
子の速度をｖ（ベクトル）、磁束密度をＢ（ベクトル）
とすると、

【０００６】

【数１】

【０００７】 　　　　　　　　Ｆ＝−ｅｖ×Ｂ　　………　　　　　
　　　　　　　　　　　　　………　　（１）で表され
る。

【０００８】ここで説明を簡単にするため、３色蛍光体
層が垂直（ｙ軸）方向に細長いストライプ状蛍光体層か
らなるカラー受像管について考察すると、このストライ
プ状蛍光体層からなるカラー受像管では、垂直方向には
ランディングがずれても、色ずれは生じない。しかし水
平（ｘ軸）方向のランディングずれは色純度を劣化する
。

【０００９】すなわち、電子の速度ｖの垂直方向成分お
よび管軸（ｚ軸）方向成分をそれぞれｖｙ　、ｖｚ　、
磁束密度Ｂの垂直方向成分および管軸方向成分をそれぞ
れＢｙ　、Ｂｚ　とすると、電子ビームに作用するロー
レンツ力Ｆの水平方向成分をＦｘ　は、

【００１０】

【数２】

【００１１】 　　　　　　　　Ｆｘ　＝−ｅ（ｖｙ　Ｂｚ　−ｖｚ　
Ｂｙ　）　　………………　　（２）で表される。これ
は、磁束密度Ｂの垂直方向成分Ｂｙ　および管軸方向成
分Ｂｚ　が電子速度ｖの管軸方向成分ｖｚ　および垂直
方向成分ｖｙ　と作用し合って、ランディングずれを生
じさせることを示している。また、水平方向に横切る磁
界があると、磁束密度Ｂの水平方向成分Ｂｘ　も、内部
磁気遮蔽体１０およびシャドウマスク７のマスク本体８
やマスクフレーム９などの影響により、磁束密度Ｂの垂
直方向成分Ｂｙ　を発生し、電子ビームに影響を及ぼす
。

【００１２】図８（ａ）ないし（ｃ）にそれぞれ上記磁
束密度Ｂの管軸方向成分Ｂｚ　、垂直方向成分Ｂｙ　お
よび水平方向成分Ｂｘ　に対するビームランディングの
ずれの方向を矢印１３で示す。なお、図８（ｃ）に示し
た破線１４は、水平方向に横切る磁界である。地磁気に
ついては、この図８（ａ）に示した磁束密度Ｂの管軸方
向成分Ｂｚ　に対するビームランディングのずれの方向
は、カラー受像管を南向きから北向きに変えた場合に対
応し、図８（ｃ）に示した水平方向成分Ｂｘ　に対する
ビームランディングのずれの方向は、西向きから東向き
に変えた場合に対応する。また図８（ｂ）に示した垂直
方向成分Ｂｙ　に対するビームランディングのずれの方
向は、カラー受像管を南半球から北半球に移動した場合
に対応する。 （ただし、後述するように電子ビームの受ける力の方向
とランディングずれの方向とは異なることがある）上記
カラー受像管を南向きから北向きに変えた場合のビーム
ランディングのずれ量（ＮＳ移動量）および西向きから
東向きに変えた場合のビームランディングのずれ量（Ｅ
Ｗ移動量）が大きいと、カラー受像管は、配置する方向
によりビームランディングが大きく変化し、色純度が劣
化する。また地磁気の垂直方向成分Ｂｙ　は、地域（主
として緯度）により変化するため、南半球から北半球に
移動した場合のビームランディングのずれ量（ＢＶ　移
動量）が大きいと、カラー受像管の使用場所が変わった
ときに色純度の劣化がおこる。したがってこれらＮＳ移
動量、ＥＷ移動量およびＢＶ　移動量は、できる限り小
さくすることが必要である。

【００１３】ここで、特に磁束密度Ｂの垂直方向成分Ｂ
ｙ　によるビームランディングのずれについて、さらに
説明すると、電子銃から放出される電子ビームに対する
偏向ヨークの偏向は、近似的には仮想的な偏向中心にお
いて折れ曲がるとして取扱われる。そこで説明を簡単に
するため、画面中心に向かう電子ビームについて考える
と、図９に示すように、垂直偏向磁界がない場合は、カ
ソードＫを起点として放出された電子ビーム４は、偏向
中心面１６を直進し、シャドウマスク７の中心の電子ビ
ーム通過孔１７を通って蛍光体スクリーン６の中心上の
点１８に達する。しかしこれに矢印１９で示す垂直方向
下向きの磁界が加わると、電子ビームは、４ａで示すよ
うに偏向中心面１６に至るまでの間にΔｘＣ　曲げられ
、点２０を通るようになる。この電子ビーム４ａのうち
、シャドウマスク７の中心の電子ビーム通過孔１７を通
る電子ビーム４ｂは、蛍光体スクリーン６の中心上の点
１８からΔｘＳ　ずれた点２１に達する。つまり、電子
銃から放出される電子ビームに磁束密度Ｂの垂直方向成
分Ｂｙ　が作用すると、電子ビームは、偏向中心面１６
に至るまでの間に曲げられ、蛍光体スクリーン６上にそ
の曲げ方向とは逆向きの方向のランディングずれを生ず
る。

【００１４】ところで、上記ΔｘＣ　は、電子の電荷を
ｅ、電子の密度をｍ、磁束密度Ｂの垂直方向成分をＢｙ
　（ｚ）、電圧をｚの関数としてＶ（ｚ）で示すと、

【
００１５】

【数３】

【００１６】で表される。ただし、ｚＣ　は、カソード
Ｋを座標の原点（ｚ＝０）としたときの偏向中心面１６
のｚ座標である。この電子ビームの軌道は、実際には電
子銃のレンズ作用を考慮する必要があるが、ここでは本
質的な問題ではないので省略する。

【００１７】ここで、電子ビームは、シャドウマスク７
と蛍光体スクリーン６との間を直進するとし、偏向中心
面１６からシャドウマスク７に至る間での移動をΔｘＣ
Ｍ、カソードＫをｚ＝０としたときのシャドウマスク７
および蛍光体スクリーン６のｚ座標をそれぞれｚＭ　、
ｚＳ　とし、 Ｌ＝ｚＭ　−ｚＣ ｑ＝ｚＳ　−ｚＭ とすると、

【００１８】

【数４】

【００１９】となり、

【００２０】

【数５】

【００２１】で表され、ΔｘＳ　は、このΔｘＣＭとΔ
ｘＣ　の大小により符号が変化する。

【００２２】このΔｘＳ　に関し、従来のカラー受像管
は、たまたまΔｘＣＭとΔｘＣ　が打消し合うようにな
っていたため、ＢＶ　移動量は、あまり大きな値ではな
く、特に対策を講ずる必要はなかったまでである。しか
しハイビジョン放送などに使用されるカラー受像管では
、その要求される高解像度を得るために、従来のカラー
受像管よりも全長の長い電子銃が用いられる。この全長
の長い電子銃を用いると、カソードＫから偏向中心面ま
での距離が長くなるため、ΔｘＣ　が大きくなり、Δｘ
Ｓは、電子ビームが偏向中心面に至るまでの間に曲げら
れる方向とは逆方向に大きな値となる。

【００２３】このΔｘＳ　を小さくするためには、内部
磁気遮蔽体の高さ（ｚ軸方向長さ）を低くすれば補正で
きるが、内部磁気遮蔽体の高さを低くすると、反面ＮＳ
移動量やＥＷ移動量が大きくなるため、好ましくない。 また内部磁気遮蔽体の高さを低くしても、ΔｘＳ　を十
分に小さくすることができない場合がある。むしろ従来
のカラー受像管は、電子ビームが偏向中心面に至るまで
間に曲げられる方向がΔｘＳ　の発生方向と同方向であ
るため、ΔｘＳ　を小さくするためには、内部磁気遮蔽
体の高さをできる限り高くする必要がある。つまり、Δ
ｘＣ　が大きい場合とは逆であり、有効な方法がない。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、カラー
受像管については、地磁気などの外部磁界によるビーム
ランディングのずれを小さくする必要がある。このビー
ムランディングのずれのうち、Ｂｖ　移動量については
、電子銃のカソードから偏向中心に至るまでの間に曲げ
られる量ΔｘＣ　と偏向中心からシャドウマスクに至る
までの間の移動量ΔｘＣＭとの大小により、大きさと符
号が決まる。そのため、高解像度にするために従来の電
子銃よりも全長の長い電子銃を用いると、ΔｘＣ　が大
きくなり、ＢＶ　移動量すなわちΔｘＳ　は、電子ビー
ムが偏向中心面に至るまでの間に曲げられる方向とは逆
方向に大きくなる。この場合、従来の技術手段ではＮＳ
移動量やＥＷ移動量が大きくすることなく、そのＢＶ　
移動量を小さくすることができなかった。

【００２５】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、地磁気などの外部磁界の水平方向
成分によるランディングずれに影響されることなく、外
部磁界の垂直方向成分によるランディングずれを減少し
て、色純度の劣化の少ないカラー受像管を構成すること
を目的とする。

【００２６】［発明の構成］

【００２７】

【課題を解決するための手段】カソードおよびこのカソ
ード上に配列された複数個の電極に高低異なる電圧を印
加することにより電子ビームを形成しこの電子ビームを
加速集束して放出する電子銃を有し、この電子銃から放
出される電子ビームを偏向ヨークの発生する磁界により
水平および垂直方向に偏向して蛍光体スクリーンに入射
させるカラー受像管において、上記電子銃を構成する電
極のうち相対的に低い電圧が印加される電極を高磁率材
で形成するか、または上記相対的に低い電圧が印加され
る電極の外周を高磁率材で取囲んで上記カソードと上記
偏向ヨークの偏向中心との間で上記電子ビームに作用す
る外部磁界を遮蔽する構造とした。

【００２８】

【作用】上記のように、電子銃を構成する電極のうち、
相対的に低い電圧が印加される電極を高磁率材で形成す
るか、または相対的に低い電圧が印加される電極の外周
を高磁率材で取囲んで、カソードと偏向ヨークの偏向中
心との間で電子ビームに作用する外部磁界を遮蔽する構
造とすると、カソードから偏向中心に至るまでの間の電
子ビームの曲りを小さくすることができる。一方、（３
）式からわかるように電子ビームに対する遮蔽効果は、
距離ｚが小さいほど、また電圧Ｖが低いほど大きくなる
。実際には、電子銃内での電子の挙動は、単純に（３）
式では表わせないが、上記遮蔽効果の傾向は成立する。 したがって高磁率材によりΔｘＣＭとΔｘＣ　とを打消
し合うように、カソードに近くかつ相対的に低い電圧が
印加される電極を対象に適正に設定することにより、Ｂ
Ｖ　移動量を小さくすることができる。

【００２９】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。

【００３０】図１にその一実施例であるカラー受像管を
示す。このカラー受像管は、パネル１およびこのパネル
１に一体に接合された漏斗状のファンネル２からなる外
囲器を有し、そのパネル１内面に青、緑、赤に発光する
３色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン６が形成され、
この蛍光体スクリーン６に対向して、その内側にシャド
ウマスク７が装着されている。このシャドウマスク７は
、多数の電子ビーム通過孔の形成されたマスク本体８と
その周辺部に取付けられたマスクフレーム９とからなり
、そのマスクフレーム９にファンネル２の径大部内側に
位置する内部磁気遮蔽体１０が取付けられている。また
ファンネル２のネック３内に３電子ビーム４Ｂ，４Ｇ，
４Ｒを放出する後述する電子銃３０が配設されている。 さらにファンネル２の径大部に陽極端子３１が、さらに
またそのファンネル２の径大部からネック３の隣接部内
面にかけて内部導電膜３２が形成されている。

【００３１】なお、１１は、ファンネル２の径大部とネ
ック３との境界部外側に装着された偏向ヨークである。

【００３２】上記電子銃３０は、その性能を向上させる
ため、従来の通常の電子銃より電極数が多く、全長が長
くなっている。すなわち、図２に示すように、電子銃３
０は、３個のカソードＫ（図面には１個のみ図示）と、
この３個のカソードＫを各別に加熱する３個のヒータＨ
と、上記カソードＫ上に順次隣接して配置された電子ビ
ーム形成部を構成するコントロールグリッドＧ１、スク
リーングリッドＧ２、およびこの電子ビーム形成部から
電子ビームを引出して加速集束する電子レンズ部を構成
する第１ないし第８グリッドＧＤ１　〜　ＧＤ８を備え
、これらヒータＨ、カソードＫおよび各グリッドＧ１、
Ｇ２、ＧＤ１　〜　ＧＤ８が一対の絶縁支持体３１によ
り一体に固定された構造に形成されている。

【００３３】上記グリッドＧ１、Ｇ２、ＧＤ１　〜　Ｇ
Ｄ８のうち、電子ビーム形成部のコントロールグリッド
Ｇ１およびスクリーングリッドＧ２は、板状電極からな
る。また電子レンズ部の第１ないし第７グリッドＧＤ１
　〜　ＧＤ７は、複数個のカップ電極を組合わせた筒状
電極からなり、特に第２グリッドＧＤ２　は、その筒状
電極に板状電極を組合わせた構造に形成されている。そ
してこれらグリッドＧ１、Ｇ２、ＧＤ１〜　ＧＤ７には
、３個のカソードＫに対応して３個の電子ビーム通過孔
が形成されている。さらに第８グリッドＧＤ８　は、第
７グリッド　ＧＤ７の先端部側を包囲する径大な筒状電
極からなる。そして、特にカラー受像管においては、電
子レンズ部の第１ないし第５グリッドＧＤ１　〜　ＧＤ
５が初期透磁率μ約３０００の高透磁率材で形成されて
いる。

【００３４】この電子銃３０の各電極への電圧の印加は
、陽極高電圧が印加される第８グリッドＧＤ８　を除い
て、他の電極には、ネック３端部を封止するステム３４
を気密に貫通するステムピン３５を介して供給される。 また第８グリッドＧＤ８　には、ファンネル２の径大部
に設けられた陽極端子３１、内部導電膜３２および第８
グリッドＧＤ８　に取付けられてこの内部導電膜３２に
圧接するバルブスペーサ３６を介して供給される（図１
参照）。その電圧は、たとえばカソードＫに約１５０Ｖ
のカットオフ電圧に映像信号を加えた電圧が印加され、
コントロールグリッドＧ１をアースし、スクリーングリ
ッドＧ２に５００〜１ｋＶ、第１、第３、第５、第７グ
リッドＧＤ１　，ＧＤ３　，ＧＤ５　，ＧＤ７　に５〜
１０ＫＶ、第２グリッドＧＤ２　に０〜１ｋＶ、第４グ
リッドＧＤ４　に０〜３ｋＶ、第６グリッドＧＤ６　に
１５〜２０ｋＶ、第８グリッドＧＤ８　に２５〜３５ｋ
Ｖの陽極高電圧が印加される。

【００３５】このような電子銃３０の配設されたカラー
受像管は、たとえば３２インチカラー受像管では、カソ
ードから偏向中心面までの距離ＬＣ　が１７０ｍｍ、偏
向中心面から蛍光体スクリーン６までの距離ＬＣＳが３
１９ｍｍとなり、従来の同型カラー受像管のカソードか
ら偏向中心面までの距離ＬＣ　が約１４０ｍｍであるの
に対し、特に電子銃３０の全長の長大化にともなって、
ネック３部分が長くなる。

【００３６】ところで、このようにネック３部分が長く
なると、カラー受像管に外部磁界が加わった場合、その
垂直方向成分によりカソードＫから偏向中心に至るまで
の間に電子ビームが曲げられる量ΔｘＣ　が大きくなる
。 すなわち、この例の電子銃３０のように電極の一部を高
透磁率材で形成しないカラー受像管では、電子銃の長大
化にともなって、カソードから偏向中心に至るまでの間
に曲げられる量ΔｘＣ　は大きく、その後、反対方向に
大きく曲げられ、蛍光体スクリーン上のビームランディ
ングのずれが大きくなる（図９参照）。図３に示した曲
線３８は、上記のように電極を高透磁率材で形成しない
カラー受像管について、磁束密度Ｂの垂直方向成分Ｂｙ
　を±３５μＴ　変化させて実測したカソードから偏向
中心面までの距離ＬＣ　と蛍光体スクリーン上のビーム
ランディングのずれ量ΔｘＳ　との関係である。この曲
線３８からわかるようにΔｘＳ　は、ＬＣ　が大きくな
ると、マイナス方向に変化する。また、このカソードＫ
から偏向中心に至るまでの間に加わる磁束密度Ｂの垂直
方向成分Ｂｙ　を弱めると、ΔｘＳ　はプラス方向に変
化する。

【００３７】したがって、従来のカソードから偏向中心
面までの距離ＬＣ　が約１４０ｍｍのカラー受像管の場
合に発生するΔｘＳ　に対して、この例のカラー受像管
は、ＬＣ　が１７０ｍｍと長くなっているが、電極の一
部すなわち第１ないし第５グリッドＧＤ１〜　ＧＤ５を
高透磁率材で形成して、カソードから偏向中心面までの
間で電子ビームに作用する外部磁界を遮蔽し、実質的に
カソードから偏向中心面までの距離ＬＣが短くなり、Δ
ｘＳ　を小さくすることができる。

【００３８】図４（ａ）に第１ないし第５グリッドＧＤ
１　〜　ＧＤ５を高透磁率材で形成した３２インチカラ
ー受像管について、磁束密度Ｂの垂直方向成分Ｂｙ　を
±３５μＴ　変化させたときの画面中心、水平軸端、垂
直軸端および対角軸端でのビームランディングのずれ量
ΔｘＳ　を示す。−符号は、カソードから偏向中心面ま
での間の電子ビームの曲げられる方向と逆方向であるこ
とを示している。同（ｂ）は、第１ないし第５グリッド
を高透磁率材で形成しない同型カラー受像管の比較例で
ある。これら（ａ）および（ｂ）の比較からわかるよう
に、第１ないし第５グリッドＧＤ１　〜　ＧＤ５を高透
磁率材で形成すると、高透磁率材で形成しない場合にく
らべて、画面全面にわたりビームランディングのずれ量
ΔｘＳ　を大幅に小さくすることができる。

【００３９】なお、この例の電子銃３０では、図４（ｂ
）に示したように電極を高透磁率材で形成しない場合、
ビームランディングのずれが可なり大きいため、第１グ
リッドＧＤ１　から第６グリッドＧＤ６　の前段の第５
グリッド　ＧＤ５までを高透磁率材で形成したが、一般
的には、電極を高透磁率材で形成しない場合のビームラ
ンディングのずれ量ΔｘＳ　に応じて、高透磁率材で形
成する電極を選択すればよく、第１ないし第５グリッド
ＧＤ１　〜　ＧＤ５に限定されるものではない。

【００４０】また、その高透磁率材で形成される電極の
選定は、（３）式からわかるようにカソードに近い（ｚ
が小さい）ほどよく、また印加電圧が低い電極ほど効果
的にカソードから偏向中心面までの間の電子ビームの曲
げられる量を小さくすることができるので、カソードに
近くかつ印加電圧が低い電極を対象に高透磁率材で形成
するとよい。なお、集束電極である第６グリッドＧＤ６
　以降の電極を高透磁率材で形成することについては、
この第６グリッドＧＤ６　のネック外側に、スタティッ
ク・コンバーゼンスおよび色純度調整用のリング状永久
磁石が装着されるので、第６グリッドＧＤ６　以降の電
極を高透磁率材で形成すると、その永久磁石の磁界を遮
蔽してスタティック・コンバーゼンスや色純度の調整が
困難となるし、また偏向ヨークの後部漏洩磁界を乱すの
で、好ましくない。反面、第６グリッドＧＤ６　以降の
電極を高透磁率材で形成しても、通常これら電極は、高
電圧が印加されるので、期待の効果が得られにくい。

【００４１】つぎに、他の実施例について説明する。

【００４２】上記実施例では、電子銃の電極の一部を高
透磁率材で形成して、カソードから偏向中心面までの間
で電子ビームの曲げられる量を小さくしたが、図５は、
ネック３内に上記実施例と同一電極構成の電子銃３０を
配設し、その電子銃３０の電子レンズ部の第１ないし第
５グリッドと対向するネック３外側に高透磁率材からな
る筒状体４０を配置したものである。このような筒状体
４０は、たとえば３２インチカラー受像管の場合、板厚
が約０．２５ｍｍ、長さが約３０ｍｍに形成される。

【００４３】図６にこのように筒状体４０の取付けられ
たカラー受像管について、磁束密度Ｂの垂直方向成分Ｂ
ｙ　を±３５μＴ　変化させたときの画面中心、水平軸
端、垂直軸端および対角軸端でのビームランディングの
ずれを示す。この場合も、図４（ｂ）に示した高透磁率
材を使用しないカラー受像管のビームランディングのず
れと比較して、ずれ量ΔｘＳ　を大幅に小さくすること
ができる。

【００４４】なお、特開昭６１−１３８４３３号公報に
は、偏向ヨークからネックにかけて、外部磁界を遮蔽す
る非磁性磁気遮蔽体を配置したカラー受像管が示されて
いるが、このカラー受像管の磁気遮蔽体は、ネック外側
に装着されたスタティック・コンバーゼンスおよび色純
度調整用永久磁石の発生する磁界が、調整後、外部磁界
により変化するのを防止するためのものであり、その磁
気遮蔽体は、少なくとも電子銃の集束電極部を覆うもの
であり、前記したこの例のカラー受像管とは、それぞれ
構成、作用効果が相違する。

【００４５】

【発明の効果】電子銃を構成する電極のうち、相対的に
低い電圧が印加される電極を高磁率材で形成するか、ま
たは相対的に低い電圧が印加される電極の外周を高磁率
材で取囲んで、カソードと偏向ヨークの偏向中心との間
で電子ビームに作用する外部磁界を遮蔽する構造にする
と、外部磁界の垂直方向成分によりカソードから偏向中
心までの間の電子ビームの曲りが大きいために、蛍光体
スクリーン上てのビームランディングのずれが上記カソ
ードから偏向中心までの間の電子ビームの曲りとは逆方
向になるカラー受像管に対して、そのカソードから偏向
中心までの間の電子ビームの曲りを小さくすることがで
き、色純度の劣化の少ないカラー受像管とすることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例であるカラー受像管の構成
を示す図である。

【図２】電極の一部を高透磁率材で形成した電子銃の構
成を示す図である。

【図３】電子銃のカソードから偏向中心までの距離と蛍
光体スクリーン上のビームランディングのずれとの関係
を示す図である。

【図４】図４（ａ）は電極の一部を高透磁率材で形成し
た電子銃が配設されたカラー受像管のビームランディン
グのずれ量を示す図、図４（ｂ）は比較のために示した
電極を高透磁率材で形成しない電子銃の配設されたカラ
ー受像管のビームランディングのずれ量を示す図である
。

【図５】この発明の他の実施例の要部構成を示す図であ
る。

【図６】上記他の実施例のビームランディングのずれ量
を示す図である。

【図７】従来のカラー受像管の構成を示す図である。

【図８】図８（ａ）は磁束密度の管軸方向成分に対する
ビームランディングのずれを示す図、図８（ｂ）は磁束
密度の垂直方向成分に対するビームランディングのずれ
を示す図、図８（ｃ）は磁束密度の水平方向成分に対す
るビームランディングのずれを示す図である。

【図９】外部磁界の垂直方向成分によるビームランディ
ングのずれを説明するための図である。

【符号の説明】

３…ネック ４Ｂ，４Ｇ，４Ｒ…３電子ビーム ６…蛍光体スクリーン ７…シャドウマスク １０…内部磁気遮蔽体 １１…偏向ヨーク ３０…電子銃 ３１…絶縁支持体 Ｇ１…コントロールグリッド Ｇ２…スクリーングリッド ＧＤ１　…第１グリッド ＧＤ２　…第２グリッド ＧＤ３　…第３グリッド ＧＤ４　…第４グリッド ＧＤ５　…第５グリッド ＧＤ６　…第６グリッド ＧＤ７　…第７グリッド ＧＤ８　…第８グリッド ４０…高透率材からなる筒状体

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　カソードおよびこのカソード上に配列
   された複数個の電極に高低異なる電圧を印加することに
   より電子ビームを形成しこの電子ビームを加速集束して
   放出する電子銃を有し、この電子銃から放出される電子
   ビームを偏向ヨークの発生する磁界により水平および垂
   直方向に偏向して蛍光体スクリーンに入射させるカラー
   受像管において、上記電子銃を構成する電極のうち相対
   的に低い電圧が印加される電極を高磁率材で形成するか
   、または上記相対的に低い電圧が印加される電極の外周
   を高磁率材で取囲んで上記カソードと上記偏向ヨークの
   偏向中心との間で上記電子ビームに作用する外部磁界を
   遮蔽する構造に形成されていることを特徴とするカラー
   受像管。