TW434655B - Processing apparatus and processing method - Google Patents
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Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 43465d A7 --------- -- 五、發明說明(1 ) 本發明係有關於一種可供應一處理液至例如半導體晶 圓等基片上,來進行預定處理之處理裝置及處理方法β尤 其是’有關一種基片的清潔技術。 通常,於半導體裝置的製程中,乃使用—清癀系統來 除去黏附在該等半導想晶圓表面上的各種雜質,例如微粒 、有機污垢物、金屬雜質或類似物等。在供清潔晶圓的清 潔系統中,已知有一種單一晶圓處理系統使用旋轉式的清 潔裳置。於該習知的清潔方法中’亦有一擦洗清潔係藉諸 如刷子或海綿之旋轉元件來與旋轉的晶圊表面接觸,及一 噴射清潔係藉被一喷射泵施加高壓的處理液由一噴射噴嘴 噴射於該晶圓表面上。 當於前述喷射清潔中使用高電阻率的純水時,其勢必 須要採取一種措施來從該純水除去靜電。因若在丨5至18ΜΩ電 阻率的純水被以50至100kgf/cm2的高壓喷射於晶圓表面, 則該晶圓會接受電荷。而且’當在晶圓上的電荷超過其介 電強度時’乃有可能產生靜電火花,而破壞構製於該晶圓 上之半導體裝置。 因此,在第12圓所示的相關技術中,於一可輸送處理 液至一喷射喷嘴100的輸送管道101中間乃設有一起泡單元 102,其内具有起泡的二氧化碳(C02),因此藉使該純水 (DIW)通過起泡單元102,乃可產生碳酸鹽溶液(H2C03)。 在以一噴射泵]03加壓至高壓後,該具有0.2ΜΩ電阻率之 碳酸鹽溶液乃會被饋送至該噴射喷嘴100,而喷射至一晶 圓W的表面。該碳酸鹽溶液係宛如一離子水而可中和所發 本紙張尺度適用中固國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 4 I I I ---- I { I I * — !1 訂---------線 * { "f (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(2 ) 生的靜電’故能防止該晶圓W表面產生電荷。 但是’由於該輸送管道101與喷射泵103皆係由金屬製 成’例如不銹鋼等,故該宛如弱酸之碳酸鹽溶液流入該輸 送管道1Q1與喷射泵103中時,會使其金屬成分(例如鐵、 絡、錄等)以例如0.1〜〇.5ppb(十億分之一)的比率溶入該 碳酸鹽溶液中〇假使含有該等金屬成分的碳酸鹽溶液被經 由該噴射噴嘴100供至該晶圓W的表面,則該晶圓W會被 該等成分所污染。 爰是,本發明之目的乃在提供一種處理裝置及一種處 理方法,其係能在將加壓處理液供應至該基片時,避免該 基片被金屬成分污染者。 依據本發明的第一態樣,本發明之前述目的乃能以一 處理裝置來達成,其包含丫一第一喷嘴可供應處理液至一 基片上俾進行預定的處理,一第一液體管道連接於該第一 喷嘴’可輸送處理液至第一喷嘴;一加壓機構可對處理液 加壓而將其饋送至該第一液體管道;一第二喷嘴可供應電 荷消除液除液至該基片;及一第二液體管道與該第_液體 管道分開獨立設置而連接於第二喷嘴,可輸送該電荷消除 液至第二喷嘴。 依據本發明,由於該電荷消除液係經由與處理液不同 的管道被供應至該基片,故該電荷消除液不會接觸該加壓 機構。因此,其乃可避免組成該加壓機構的金屬成分溶入 於電荷消除液中,而防止該基片上之污染。 最好是該第二喷嘴與第二液體管道皆係,由即使該第 本紙張尺度適用中囤國家標準(CNS)A4規格(210x 297公* ) 5 -------------裝i Bt n f ϋ In It ϋ I 線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 434655 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明(3 ) 二噴嘴與第二液體管道與電荷消除液接觸,亦不會有金屬 成分溶解於該電荷消除液中的材料所製成者。 該第二喷嘴可喷灑形成霧狀的電荷消除液。藉著將一 可由氣體源頭供應氣趙的氣體管道連接於該第二噴嘴,而 使該氣體與通過第二喷嘴的電荷消除液混合,該電荷消除 液乃可被以霧狀喷出。因此’其將可使形成於於該基片上 之電荷消除液的液體薄膜厚度減少,而避免降低該處理液 的處理效果。 认 該電荷消除液係可類似於_碳酸鹽溶液。該碳酸鹽溶 液可藉一能將二氧化複溶解於純水中之溶解裝置來製成。 於此狀況下,被送至該第二喷嘴的氣體’乃可為二氧化碳 或氮氣。 該溶解裝置可包含一腔室單元其内被供入純水,及一 透氣管設在該腔室單元中’其内被供入二氧化碳。則,如 此構成之溶解裝置不但構造簡單,而且容易維修。 最好是’該電荷消除液係以氣動裝置饋送至第二噴嘴 ’而不經由中間的機械式加壓機構,例如泵等。以此方式 ,乃可減低該基片被金屬污染的可能性。 依據本發明之第二態樣,亦在提供一種基片的處理方 法,其包括:一第一步驟係供應一電荷消除液至該基片而 於其上形成一液體薄膜;及一第二步驟係供應—加壓處理 液至該基上具有電荷消除液之液膜的基片^ 於上述方法中’最好是’該第一步驟係在進行該第二 步驟時仍繼續進行。而且’亦最好是該電荷消除液與處理 本紙張尺度剌+ S S家標準(CNS)A4規格<210 X 297公爱) 6 H ^1 ^1 ^1 ^1 ϋ ϋ it I ia— ϋ ϋ —Bi n ί I n I it (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明說明(4 ) 液係經由二不同液體管道之中介者來供應至該基片。於上 述方法之第一步驟中,最好是,該電荷消除液係形成霧狀 被嗔灑於該基片上。該電荷消除液乃可相同於一碳酸鹽溶 液》 . 依據本發明之第三態樣,亦在提供一種基片之處理方 法’其包括··一步驟係供應一電荷消除液至該基片而在其 上形成一液體薄膜;及一步驟係供應一加壓處理液至該具 有電荷消除液之液膜形成於其上之基片。 本發明之上述及其它的特徵與優點,將可參閱以下說 明及申請專利範圍’配合示出一本發明之較佳實施例的圓 式,而得更為清楚’且發明實質將可被充分瞭解。 圖式之簡單說明 第1圈係依據本發明之設有表面清潔裝置之清潔系統 的主體圖; 第2圖係為第1圈之表面清潔裝置的立體圖; 第3圖係為第2圈之表面清潔裝置的平面圖; 第4圖係沿第3圖之Α-Α線所採的剖視圖: 第5圖係示出一喷射喷嘴及噴灑喷嘴的液體供應系統 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 合 社- 印 製 第6圖係第5圖之腔室單元内部的剖視圊; 第7圖係為一說明圖示出由該噴灑喷嘴供應霧狀之碳 酸鹽溶液於晶圓表面的狀況; 第8圖係為一流程圖用以說明本發明之清潔方法; 第9圖係為一時程圖表示經由該噴灑喷嘴與喷射嗔嘴 本紙張尺度適用中國固家標準(CNS)A4規格(2〗〇χ297公* ) 434655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(5 ) 喷射液體的時點; ^ 10圖係表示該噴射喷嘴與喷灑喷嘴之另一液體供應 系統; j 11.圈係表示該喷射喷嘴與噴灑喷嘴之又另一液體供 應系統; 名12圖係示出該喷射喷嘴之習知供應系統。 本發明之較佳實施例將藉一清潔系統之例子來說明, 其係可傳送在盛具中之供作基片的晶圓,逐一地清潔並乾
I 燥該等晶圓’再釋放於盛具中。第1圖係供說明本發明之 實施例的清潔系統1之立體圖。 該清潔系統.1設有一裝設區域2,可裝設四個盛具C其 内容裝晶圓。在該清潔系統1的中央設有一臂3,其可由設 在裝設區2上之盛具C中逐一地取出未清潔的(清潔之前的) 晶圓,及將清潔後之晶圓W置納於該盛具C中。在該臂3 的後方,設有一傳送臂5能將晶圓W傳送至該臂3及由該臂 3送走。 該傳送臂5能沿一設在該清潔系統〗中央的傳送軌路6 移動。各種不同的處理裝置乃被設在該傳送軌路6的兩側 。詳細而言,一可清潔晶圓W正面的正面清潔裝置7,及 一可清潔晶圓W背面的背面清潔裝置8,乃併列在該傳送 軌路6的一側。而,在該傳送軌路6之另一側,有四個加熱 裝置9乃被疊設可將晶圓W加熱烘乾。鄰接該加熱裝置9乃 有兩個晶圓翻轉裝置10亦被疊設。 阑請參閱第2至4圖,將說明該正面清潔裝置7的構造 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) .g . ---------- I I.-----III 11111111 I I 1^ {請先Μ讀背面之注意事項再填寫本Ϊ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____Β7__ 五、發明說明(6 ) 0 該正面清潔裝置7具有一殼體20。該殼體20大致在其 中央設有一罩蓋21。於該罩蓋21中乃設有一旋盤22,其上 可水平地吸附該晶圓W。該旋盤22係藉一設在該罩蓋21底 下的馬達23來旋轉。當在清潔處理時,純水(DIW)會被送 至被該旋盤22所旋轉的晶圓w表面。圍繞該晶圓w的罩蓋 21乃可防止純水傲濃至周邊。有一門24設在該殼趙2〇的壁 上,當在該晶圓W進出時其會上下移動》 此外’該正面清潔裝置7乃設有一擦洗清潔機25。該 擦洗清潔機25具有一臂件31,水平地框裝在一驅動機構 的頂端。該驅動機構30可使該臂件31上下移動,並在,如第 3圖之0方向内轉動。在該臂件31末端底下設有一軸32, 乃可藉一升高與旋轉機構(未示出)來升高及旋轉。一處理 器,即一擦洗器33被附設在該軸33的底端。 該處理器33具有一由刷毛、海棉等所組成的構件,聚 設於其底面。藉著旋轉該處理器33並使其觸接晶圓W,即 可進行該晶圓W表面的清潔處理。其中,若將一“純水” 供應管道連接於該處理器33 *則清潔處理乃可藉使該處理 器33接觸晶圓W,並由該處理器33的底部中央喷灑純水而 來進行。 該正面清潔裝置7另包括一喷射喷嘴40,可對該晶圓 W噴射高壓純水。义該殼體2〇内,該喷嘴40係設在一喷射 清潔機42中,其位於該旋盤22的另側而與該擦洗清潔機25 對稱列設。該噴射清潔機42具有一臂件44水平地樞裝在一 本紙張尺度適用中國困家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公» ) 9 i — — — — — ill— — — 111 — 11 訂·— I! — — <請先閱tt背面之注意事項再填寫本頁) 434655 經濟部智慧財產局員工消費合作社印^ Α7 Β7 五、發明說明(7 ) 驅動機構43的頂端。該驅動機構43可使該臂件44上下移動 。且,該驅動機構43乃可在第3圖之β ’方向内轉動’而使 設於該臂件44末端的喷嘴40在該晶圓W上方往復作動β 此外,如第5圈所示,該噴嘴40係連接於一純水” 供應管道45,其間乃設有一噴射泵46。由於使用驅動空氣 ,該喷射泵46係為一種稱為柱塞泵的形式,而可對該等純 水施以壓力使其成為高壓水。 如第2至4圖所示,該正面清潔裝置7另包含一喷灑喷 嘴41可對晶圓W喷灑碳酸鹽溶液。該噴灑噴嘴41係裝設於 一搖架50上’而被定向成可朝該晶圓w中心喷灑碳酸鹽溶 液。 再如第5圖所示,有一腔室單元51經由一輸送管道52 連接於該喷灑喷嘴41。該腔室單元51可供二氧化碳(C02) 溶解於純水中以產生碳酸鹽溶液。該輸送管道52係由不會 使金屬成分(如鐵、鉻、鎳等)溶解於該碳酸鹽溶液中的材 料所製成,例如氟樹脂。 如第6圖所示,有一 “純水,’供應管道53的出口、一 支管55的出口、及該輸送管道52的入口等連接於該腔室單 元Η ’該支管55係由一可供應二氧化碳之“二氧化碳”供 應管道54的中間部份所分支形成。 在該腔室單元51中,設有一透氣管56導通該支管55。 經由該純水”供應管道53流入該腔室單元5 1的純水,會 旁經該透氣管56的周圍,再繼續地朝該輸送管道52流出。 同時,二氧化碳會由該透氣管56釋洩至該腔室單元51的純 本紙張尺度週用中㈣家標準(CNS)A4規格⑽χ 297公楚) 10 --------------裝(------- 訂 *--------線---- ^ <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五 ^ .•一 經濟部智慧財產局員工消f-合作;si印製 Α7 Β7 發明說明(8) y 水中,因此乃可製成例如0.05ΜΩ電阻率的飽和碳酸鹽溶 液。如此構造的腔室單元51乃能以低成本製成,並幾乎不 需要維修。 在該輸送管道52的中段管路中,乃依序設有_清潔渡 器57、一供確認流量率的流量計58 ’及一閥59等。開啟該 閥59即可使碳酸鹽溶液送入喷灑嗅嘴41中。 將碳酸鹽溶液饋送至喷嘴41係藉利用工廠的壓力來達 成(意即在工廠中送至各區部的加壓空氣,約為〇5號至 lkgf/cm2的壓力)。因此,例如為不銹鋼的金屬喷射泵46 ,並未被使用於此“碳酸鹽溶液”供應系統中,其乃有異 於該“純水”供應系統。此外,不止該輸送管道52,連所 有的清潔濾器57、流量計58及間59等,皆係由不會使金属 成分溶解於碳酸鹽溶液之材料所製成,例如氟樹脂、石英 或類似物等。因此,當由該腔室單元51將碳酸鹽溶液輸送 至喷灑噴嘴41時’將不會有金屬成分溶解於該碳酸鹽溶液 的可能性。 該噴灑喷嘴41亦由不會使金屬成分溶解於碳酸鹽溶液 之材料所製成’例如石英等。而且,該嗔灌喷嘴41連接於 該“二氧化碳’’供應管道54。此外,另一間6〇乃設在該“ 二氧化碳”供應管道54的半途中β當開啟該閥60二氧化碳 會供應至該噴嘴41。嗣,供入該喷嘴41的二氧化碳將會供 入流進該噴嘴41的碳酸鹽溶液中。因此,如第7圖所示, 形成霧狀的碳酸鹽溶液將由該喷嘴41被嗔出而送至晶圓W 表面。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公;8 ) 丨 — —ιιιιιί — — · , I ί — — I I I ^^ ·111111 — _ (請先《讀背面之注意事項再填寫本I) 11 434655 A7 B7 五、發明說明(9 ) 由該喷射喷嘴40與喷灑喷嘴41來喷射液體,係可依據 其處理之需要而自由地控制。因此,上述之清潔系統乃能 進行下列操作: (1) 在由該喷射喷嘴40將純水噴於該晶圓w的表面之 前’先經由該噴灑喷嘴41將霧狀的碳酸鹽溶液灑於該晶園 W的表面; (2) 在將純水由該喷射喷嘴40噴於該晶® W之表面的 同時’將霧狀的破酸鹽溶液經由該喷灑噴嘴41灑於該晶圓 W的表面;
(3) 只將純水由該喷射喷嘴4〇噴於該晶圓w的表面, 而停止將霧狀的碳酸鹽溶液由該喷灑喷嘴41灑於該晶圓W 的表面;等等。 然後,將說明該晶圓W的清潔程序。首先,藉一未示 出的移轉機器人,可將内裝有未清潔晶圓W(例如25片)之 盛具C固設於裝設區2上。嗣,晶圓W會被由該固設在裝 設區2上之盛具C中取出,而由該臂3送至該傳送臂5。然 後’利用該正面清潔裝置7與背面清潔裝置8來清洗該晶圓 W,而將黏附於該晶圓w兩面的微粒等除去。 現將說明在該正面清潔裝置7所進行的清潔程序。該 正面清潔裝置7能夠個別地進行喷射清潔與擦洗清潔’該 擦洗清潔在嘖射清潔之後,或反之亦可不過,在擦洗清 潔之後來進行喷射清潔的清潔處理,將於下配合第8圖的 流程圖來說明。 首先,該傳送臂5會由門24進入該正面清潔裝置7中’ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) -12 - <請先閱tft背面之注$項再填寫本頁) 訂·1 線i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ' __B7_____ 五、發明說明(10) 並將晶圓W送至該旋盤22上’如第3圖所示*嗣,該傳送 臂5會由該正面清潔裝置7退出’繼而該門24會關閉。然後 ’會將被吸附在該旋盤22上之晶園一體地旋轉。即,開始 進行清潔處理(步驟S1)。首先,在擦洗清潔時要瀹該擦洗 清潔機25移至晶圓W上’嗣將該處理器33接觸晶圓W的表 面。完成擦洗清潔之後,該噴射清潔機41會被驅動來進行 喷射清潔》 如第5及6圓所示’要將純水(DIW)送入腔室單元51内 ’以將二氧化碳(C〇2)溶解於純水中,而製成具有例如 0.05M Ω電阻率的餘和碳酸鹽溶液(HjCO3)。由於該具有 透氣管56的腔室單元51構造簡單,故相較於習知之保持 0.2M Ω電阻率的起泡部102 ’其設置成本更低,且幾乎不 用維修。 在一方面’藉著供至廠内的氣動壓力,該碳酸鹽溶液 會被經由輸送管道52送至該喷灑喷嘴41。另一方面,二氧 化碳亦會被經由該“二氧化碳”供應管道54送至該嘴嘴41 。以此方式’該碳酸鹽溶液將會在喷嘴41中被霧化。嗣該 形成霧狀的碳酸鹽溶液會被朝向晶圓W的表面喷灑,而在 晶圓W的表面上形成碳酸鹽溶液的液體薄膜(步驟S2)。 然後,將處於準備狀態的喷射清潔機42旋動至該晶圓 W的上面,並將被喷射泵46加壓至例如50〜100kgf/cm2之 高壓純水,經由喷嘴40喷至晶圓w的表面上(步驟S3)。在 將該喷射清潔機42往復移動於至少該晶圓W表面中央與周 緣之間時,高壓純水會隨著該晶圓W的旋轉而均勻地嗔至 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公« > 13 — — — — — —— —— — — — 自 I I I I I 1 I · ί t I I I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 434656 經濟部智慧財產局員工消費合作社印^ A7 B7 五、發明說明(11) 該晶園W的整個表面。 j 在此方式中,該等個別設置的喷射噴嘴40與喷灑喷嘴 41,係可由該喷灑喷嘴41將霧狀的碳酸鹽溶液噴灑於晶圓 W上,而在該晶面表面上形成碳酸鹽溶液之液體薄膜,以 避免該晶圓W被充電,然後經由該噴射噴嘴4〇將高壓純水 喷射於晶圓W’而可由晶圓表面除去雜質,例如微粒等β 在此例中,由於碳酸鹽溶液的供應管道未設有機械泵 ’例如該喷射泵46,故如該泵46之金屬成分將沒有可能溶 液解於該碳酸鹽溶液中》並且,該輸送管道52係由氟樹脂 製成,該喷灑喷嘴41係由石英、樹脂等製成,而其它構件 ’即濾器57、流量計58及閥59等’亦由不會使金屬成分溶 於碳酸鹽溶液的材料所製成《因此,其乃可將不具有金屬 成分的碳酸鹽溶液喷灑於晶圓W上,而避免在該晶圓奴上 產生雜質"爰是,該晶圓表面乃可被妥當地清潔,並避免 靜電被壞該晶圓W上的裝置。 此外’在喷射高壓純水之前板先喷灑“霧化”的碳酸 鹽溶液’可在晶圓表面上形成碳酸鹽溶液的液體薄膜,而 該碳酸鹽溶液之薄膜厚度可以非常的薄。故,其乃能防止 該晶圓被充電,而不受純水對晶圓W之清潔作用的影樂。 而且’甚至若該等霧化碳酸鹽溶液與純水混合而由該 喷射喷嘴40來噴射,亦不會減少純水的清潔能力而降低清 潔效果°因此,其乃可以將來自高壓純水的清潔效果增至 最大。 經過一預定時間之後,則要將由該喷射清潔機42所供 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公* ) > . \a -----------.—裝(.-------訂---------線_—-1' <請先闓讀背面之注意事項再填寫本I> 五 '發明說明(η) Α7 Β7__ 應的純水中止,而使其回復到原來的準備狀態。然後,在 一短暫時間内,停止由該噴灑噴嘴41喷灑霧狀的碳酸鹽溶 液(步驟S4)。然後,該晶圓w會在乾燥程序(步驟S5)中以 高速旋轉’而完成該清潔處理。前述之喷灑喷嘴41與噴射 喷嘴40之操作,乃示於第9圖的時程圊中。 當該晶圓W的清潔處理完成後,該門24會打開,而晶 圓W會被傳送臂5由該正面清潔裝置7取出。然後,被該晶 圓翻轉裝置10所翻轉,而該晶圓W的背面會被該背面清潔 裝置8所清洗及乾燥。依照情況需要,該晶圓w會再被該 加熱裝置9例如在loot:下乾燥三十秒鐘。於完成指定的清 潔程序後,該晶圓W會被由該傳送臂5送至該檢取臂3而再 度容裝於盛具C中》然後,前述清潔程序乃會逐一施行於 剩餘的的24片晶圓W »在對25片晶園的清潔結束之後,匣 塊狀的盛具C將會被由該清潔系統〗抽出。 於此方式中,由於該實施例的正面清潔裝置7係被設 成,可由個別設置的噴射喷嘴40與噴灑喷嘴41分開地喷嘴 灑高壓純水及碳酸鹽溶液,故其能夠將不具有金屬成分的 碳酸鹽溶液喷灑於晶圓W的表面上,而避免金屬雜質附著 在晶圓…上。因此,在可防止靜電對晶圓w上之裝置破壞 的同時,該晶圓表面乃能被妥當地清潔。 請注意,本發明並不受限於前述實施例,而可以各種 不同的方式來實施。例如,在第10圖所示,若將該二氧化 碳供應管道54只連接於該腔室單元51時,乃可增設一 “n2 ”供應管道70 ’其可供應氮氣(N2)來產生霧狀的碳酸鹽溶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公* ) -------------裝-------丨訂-------線 {讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15 A7 434655 B7 五、發明說明(13) 液,而連接於該噴灑喷嘴41。在此狀況下,乃須打開_設 在該“N2”供應管道70上的閥71來將氮氣供至該喷灑喷 嘴41’而藉氮氣來使碳酸鹽溶液形成霧狀。請注意,第10 圖之實施例的構造,除了設有該‘‘N2”供應管遂70,及 將二氧化碳供應管道54的出口僅連接於該腔室單元51外, 乃與第2至5圖之正面清潔裝置7的構造相同。依據第1〇圖 之實施例,其乃可減少昂貴的二氧化碳之消耗量,而節省 該清潔裝置的運作成本β 或者,該碳酸鹽溶液亦可經由該喷射喷嘴40同時與純 水噴灑於晶圓W上》以此方法,亦可由該晶圓w上除去例 如微粒的雜質,並避免靜電對晶ogw上之裝置的破壞。而 且,該噴灑喷嘴41係可被設在該喷射清潔機42中*因此, 乃可將該喷灑喷嘴41往復移動於晶圓W上,而類似於該喷 射噴嘴40。 要注意有一問題,即依據該晶園表面的狀況及清潔處 理的種類’二氧化碳乃可能使晶圓表面粗糙。在此清況下 ,當停止由該噴灑噴嘴41噴灑時,可經由該喷射喷嘴4〇僅 將高壓純水喷射於晶圓表面上。於習知技術中,因為只有 碳酸鹽溶液被該單一的喷灑裝置噴灑於晶圓上,故不可能 解決上述問題》相反地’今此實施例的清潔裝置則由於分 別設置該喷射噴嘴40與喷灑噴嘴41,而能夠解決該問題。 在此方法中’於只供應純水之情況’及供應純水與碳酸鹽 溶液的另一情況之間的選擇性採用,乃可使該清潔處理之 應用更為廣泛。 本紙張尺度適用中S國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) -------------裝------訂- --------線_丨"{ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁》 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 16 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(I4) 假使由該喷灑喷嘴41供應小流量的碳酸鹽溶#時’則 其碳酸鹽溶液乃可被直接喷灑於該晶圓W上,而不必供應 氣體(二氧化碳或氮氣)於該喷灑喷嘴41 〇嗣’該二氧化碳 供應管道54乃可不連接於該喷灑噴嘴41,而僅連接於該腔 室單元51 » 此外,如第11圖所示,乃可另設一純水供應管道52a 連接於該喷嘴41前面的輸送管道52。嗣,於該純水輸送管 道52a中設一流量計58a及一閥59a»因此,由於間59與59a 之間的切換操作,乃可以視狀況需要而適當地供應純水、 飽和碳酸鹽溶液、及純水與飽和碳酸鹽溶液等之任何一者 。以此設計,乃可依狀況需要而獲得除去電荷的效果,不 止在噴射清潔時且於擦洗清潔時亦同。請注意,於該修正 例中’閥59、59a等乃能以一混合閥來取代,而被設在該 輸送管道52與純水供應管道52a之間的接合處。並且,該 二氧化碳供應管道54亦可連接或不連接於該喷嘴41(見第 1 1圊中之假想線)。 雖要被清潔之基片係與上述的晶圓W相同,但其在變 化例中可被LCD所取代。而且,若有注意本發明之效果, 即其係可妥當處理該等基片並能避免靜電破壞之功能,則 本發明並不受限於清潔處理,而可應用於要將指定的處理 液施加於該等基片上之任何裝置或方法中。 本紙張尺度剌中國國家標準(CNS)A4規格⑽χ挪公爱) — ill — I I I I I I I I * I I I I I I 1 1!!1111 <請先Μίι背面之注意事項再填寫本I) A7 434655 _____B7 五、發明說明(I” 文件標號對照 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1- 清潔系統 43…駆動機構 2·. 裝設區 44…臂件 3- 臂 45…純水供應管道 5,· 傳送臂 46…喷射泵 6·· 傳送軌路 50…搖架 7· ‘ 正面清潔裝置 51…腔室單元 8- 背面清潔裝置 52…輸送管道 9,· 加熱裝置 52a…純水供應管道 10 ••晶圓翻轉裝置 53…純水供應管道 20 ••殼體 54…二氧化碳供應管道 21 ••罩蓋 55…支管 22 ••旋盤 56…透氣管 23 *·馬達 57…清潔濾器 24 •門 58、58a…流量計 25 ••擦洗清潔機 59、59a…閥 30 ••驅動機構 60…閥 31 ••臂件 70…氮氣供應管道 32 •‘抽 71…閥 33 ••擦洗器(處理器) 100…噴射喷嘴 40 喷射喷嘴 101…輸送管道 41 ••噴灑噴嘴 102…起泡單元 42 ••喷射清潔機 103…噴射泵
Ji.裝'ί Γ请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格<210x297公爱) -18 -
Claims (1)
- 4 六、申請專利範圍 h 一種處理裝置,包含: —第一喷嘴可供應處理液俾在一基片上進行預定 的處理; 一第一液體管道連接於該第一噴嘴,可輸送該處 理液至第一喷嘴; 一加壓機構可加壓該處理液而將之饋送至該第_ 液體管道; 一第二噴嘴可供應電荷消除液至該基片:及 一第二液體管道與該第一液體管道分別獨立設置 而連接於該第二喷嘴,可輸送電荷消除液至該第二喷 嘴。 2·如申請專利範圍第1項之處理裝置,其中該第二喷嘴及 第二液體管道皆係由縱使該第二喷嘴與第二液體管道 與該電荷消除液接觸時,亦不會有金属成分溶解於電 荷消除液中的材料所製成者。 3·如申請專利範圍第1項之處理裝置,其中該第二嘴嘴係 可用來供應霧狀的電荷消除液。 如申請專利範圍第3項之處理裝置,更包含一氣趙管道 可由一氣體泺頭供應氣體至該第二喷嘴,其中該氣體 會混合電荷消除液,而使霧狀的電荷消除液由該第二 噴嘴噴出。 如申請專利範圍第4項之處理裝置,更包含一溶解裝置 可將二氧化碳溶入純水中而造成碳酸鹽溶液作為電荷 消除液,其中該氣體係相同於二氧化碳。 國國家標準(CNS)A4規格^(210 X 297公芨) T" --I--— ^ I 1 I I--— — — — — — — *^^1 4 J ί%先閱讀背面之注意事項再填鸾本Ϊ 經濟邹智慧財產局員工消費合作社印製 AKCD 經 濟 部 智 財 產 局 員 工 消 費, 合 社· 印 製 申請專利範圍 6.如申請專利範圍第丨項之處理裝置,其中該電荷消除液 係為一種碳酸鹽溶液。 7_如申請專利範圍第6項之處理裝置’更包含一溶解裝置 可將.一氧化瑞·溶入純水中而造成碳酸鹽溶液,其中該 溶解裝置乃包括: 一腔室單元其内被供入純水;及 一透氣管設在該腔室單元中,其内被供入二氧化 碟; 被供入該透氣管内的二氧化碳會釋洩於純水中, 而產生碳酸鹽溶液。 8. 如申請專利範圍第丨項之處理裝置,其中該電荷消除液 係被以氣動裝置餚送至該第二噴嘴。 9. —種基片的處理方法,包含以下步驟: 供應一電荷消除液至該基片而在其上形成一液想 薄膜;及 供應一加壓處理液至該具有電荷消除液之液膜形 成於其上的基片。 1〇·如申請專利範圍第9項之處理方法,其中該供應電荷消 除液的步驟在進行供應加壓處理液的步驟時仍繼續進 行。 η.如申請專利範圍第9項之處理方法,其中該電荷消除液 與處理液係經由二不同的液體管道之中介者來供應至 該基片。 12.如申請專利範圍苐9項之處理方法,其中該電荷消除液 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公| ) — II I I I I ---- illltm — ^ (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁> 20 A8B8C8D8 434655 六、申請專利範圍 係呈霧狀來被喷灑》 13. 如申請專利範圍第9項之處理方法’其中該電荷消除液 係相同於碳酸鹽溶液。 14. 一種基 之處理方法,包含以下步驟: 供應一電荷消除液至該基片而在其上形成一液想 薄膜;及 供應一加壓處理液至該具有電荷消除液之液膜形 成於其上的基片; 其中該二步驟係同時進行》 ---------,--.!裝('-------訂---------線]J (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本買) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 21 本紙張尺度適用中國酉家標準(CNS)Α4規格(210 X 297公* )
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