JPS62123737A

JPS62123737A - ダイシング装置

Info

Publication number: JPS62123737A
Application number: JP60262455A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Mimata; 巳亦　力; Toru Kawanobe; 川野辺　徹; Akira Minato; 湊　昭
Original assignee: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 1985-11-25
Filing date: 1985-11-25
Publication date: 1987-06-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔技術分野〕本発明は、グイソング装置の性能向上に適用して有効な
技術に関する。

〔背景技術〕

半導体装置の製造工程である、いわゆるウニハエ程が終
了すると、ウェハから個々の半導体ペレットに分離する
ためにダイシングを行う。

上記ダイシング工程は、回転可能なダイシング用のブレ
ードとダイシング後のウェハを洗浄するための高圧°水
の噴射ノズルとを備えたダイソング装置を用いて行うこ
とができる。上記ダイシング用のブレードには、耐食性
金属からなる円板の円周部に、たとえばニッケル（Ｎｉ
）をバインダとしてダイヤモンド粒子を固定したものが
ある。

ウェハのダイシングは、上記ブレードを回転させ、該ブ
レードに固定されているダイヤモンドでウェハを切削し
て行うものである。その際、ウェハと上記ブレードとの
摩擦により大量の熱が発生するので、冷却水をブレード
に吹き付けながらブレードおよびウェハの冷却を行う。

また、ダイシング後のウェハの洗浄は、いわゆる高圧ジ
ェット水流をウェハ上に噴射することにより行うことが
できる。上記洗浄水として純水を用いると、該純水とノ
ズルとの摩擦または空気との摩擦により上記高圧ジェッ
ト水流は静電気を帯びる性質を有している。そのため、
半導体ペレットの回路素子が静電破壊を起こす問題があ
る。

そこで、洗浄に用いる純水に炭酸ガスを溶解させて、該
純水の比抵抗を下げることが有効な手段として採用する
ことができる。

ところで、前記グイノング工程においても静電気の発生
が考えられるため、ブレードの冷却水にも炭酸ガスを溶
解させた水、すなわち炭酸水を用いた方が有効と考えら
れる。

ところが、上記冷却水として炭酸水、特に前記高圧ジェ
ット水流の帯電を防止するに十分な濃度の炭酸水を用い
ると、上記ブレードにおけるバインダのニッケル（Ｎ　
ｉ）が炭酸水に徐々にン容解するため、ダイヤモンド粒
子が早期に脱落する事実が明らかになった。その結果、
ブレードの寿命が極端に短くなるという問題のあること
が本発明者により見い出された。

なお、ダイシング技術については、特開昭５９−１３４
８４９号明細書に記載されている。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、洗浄工程における回路素子の静電破壊
を有効に防止し、かつダイシング用ブレードの寿命を延
ばすことができる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、ダイシング用ブレードの冷却水の供給手段と
、ウェハ洗浄用の高圧水供給手段とを備えたダイシング
装置について、ウェハ洗浄用の高圧水には静電破壊を防
止するために十分な４度の炭酸ガスを溶解させ、上記ブ
レードの冷却水には無溶解または上記高圧水の濃度より
低い炭酸ガスを溶解させることにより、洗浄用の高圧水
の比抵抗を下げることができるため高圧水流の帯電を有
効に防止でき、かつブレードの冷却水の炭酸濃度をゼロ
または低い値にすることができるためブレードにおける
ダイヤモンドを固定しているニッケル等のバインダ金属
の溶解を防止できる。したがって、上記目的が達成され
る。

なお、上記バインダ金属が冷却水に溶解する炭酸ガスの
存在により、急速に溶解してし１く事実は、本発明者に
よる鋭意研究の結果初めて明らかにされたものである。

〔実施例〕

第１図は本発明による一実施例であるダイシング装置の
一部を示す概略説明図、第２図は本実施例のダイシング
装置を示す概略平面図である。また、第３図は上記ダイ
シング装置のダイシング用ブレードの拡大部分正面図で
ある。

本実施例のダイシング装置は、本体１に複数の動作部等
を存するステージ２とＸＹテーブル３とが固定されてい
るものである。

上記ステージ２には、ウェハローダ４、予備位置合わせ
部５、位置合わせ部６、ダイシング部７、洗浄部８およ
びウェハアンローダ９の動作部等がそれぞれ設けられて
いる。また、ＸＹテーブル３には、スピンドルモーフ１
０が固定されており、該モータｌＯの先端にはブレード
１１が回転可能に取付けられている。そして、ダイシン
グ部７の近傍には、上記ブレード１１の冷却用ノズル１
２が設置されている。さらに、前記洗浄部８には高圧噴
射ノズル１３を先端に備えたアーム１４が、支軸１５に
回動可能に取付けられている。なお、同図において一部
切り欠いた円形はウェハ１６を示す。

本実施例のダイシング装置では、次のような手順で作業
が行われる。まず、図中右端に位置するローダ１４から
搬送治具（図示せず）でウェハ１６を予備位置決め部５
へ移動させ、次いで位置決め部６に移動させウェハチャ
ックテーブル１７の上で正確な位置合わせを行う。次い
で、上記チャックテーブル１７をダイシング部７に移動
させ、その上のウェハ１６をブレード２でダイシングす
る。この段階においては、分離された半導体ペレットが
貼着テープに保持されているか、または半導体ベレット
ごとにブレイク可能な程度にウェハが切削された状態に
ある。

ダイシング終了後のウェハ１６は再び位置決め部６に戻
され、次の洗浄部日へ移動され、洗浄後は乾燥工程（図
示せず）を経てアンローダ９へ収納される。

上記ダイシング装置の一部を第１図にさらに詳細に示す
。本図には、前記第２図に示した装置におけるダイシン
グ部７と洗浄部８との構造的関係の概略が示しである。

すなわち、ダイシング部７には左右方向に移動可能なウ
ェハチャックテーブル１７が設置され、該テーブル１７
にはウェハ１６が位置決め固定されている。上記ウェハ
１６を切削可能な高さに前記ブレード１１が位置され、
該ウェハ１６の切削位置のブレード１１に水を吹き付け
ることができる位置に前記冷却用ノズル１２が配置され
ている。

一方、洗浄部８には、回転軸に支持されたスピンナテー
ブル１８が設置されており、該テーブル１８を回転させ
ながらその上に載置されたウェハ１６の上に、その上方
に位置する噴射ノズル１３から高圧ジェット水流を噴射
させて、該ウェハ１６の洗浄を行う。

前記ブレード１１の冷却用ノズル１２と洗浄用の高圧噴
射ノズル１３の両ノズルには、同一の水槽１９から純水
が供給される。冷却用ノズル１２へは、上記水槽１９か
ら直接純水を供給する。一方の高圧噴射用ノズルへは、
上記水槽１９からの純水を混合槽２０に導入し、該混合
槽２０の中でボンベ２１から導入した炭酸ガスと混合し
て所定濃度の炭酸水にする。この炭酸水をポンプ２２で
加圧することにより、上記噴射ノズル１３から、いわゆ
る高圧ジェット水流としてウェハ１６上に噴射すること
ができるものである。なお、２３は逆流防止弁であり、
混合槽からの液が水槽またはノズル１２に流入しないた
めに設けられているものである。

次に本実施例の作用を説明する。

前記の如く、本実施例のダイシング装置においては、ブ
レード１１の冷却水としては純水をそのまま使用し、洗
浄水としては所定濃度の炭酸水を使用する。ここで所定
濃度とは、上記洗浄水を高圧噴射しても、該洗浄水とノ
ズルまたは空気等との摩擦による帯電を十分に防止する
ことができる濃度である。

したがって、ウェハ１６の洗浄は高圧ジェット水流によ
る回路素子の静電破壊を生じさせることなく行うことが
できる。

一方、ウェハチャックテーブルが十分にアースされてい
れば、ブレードの冷却水としては純水を使用することが
できる。それは、上記洗浄水の場合と異なり、高圧噴射
を必要としないため冷却水自体が帯電することがないた
めである。

また、冷却水に炭酸ガスが溶解されていると、第３図に
示すようにブレード１１の高強度金属からなる円板１１
ａにダイヤモンド粒子１１ｂを固定するためのバインダ
であるニッケル（Ｎｉ）１１Ｃが該冷却水に溶解すると
いう問題がある。しかし、本実施例の装置においては、
冷却水には炭酸ガスが存在しないため上記問題はない。

したがって、ニッケルｌｌｃが徐々に消耗し、ダイヤモ
ンドｌｌｂが欠落していくことによる上記ブレード１１
の寿命短縮を防止することができる。

以上説明した如く、本実施例のダイシング装置は、ウェ
ハ洗浄時にウェハ１１に形成されている回路素子の静電
破壊を防止しつつ、ダイシングに使用するブレードの長
寿命化が達成できるものである。したがって、上記装置
を使用することにより、ブレード１枚当たりのウェハ処
理枚数を大巾に増加することができ、かつ歩留りをも向
上できることにより、半導体ベレットひいては該ペレッ
トを搭載する半導体装置のコスト低減を達成することが
できる。

〔効果〕

ｆｉｌ、ダイシング用ブレードの冷却水の供給手段とウ
ェハ洗浄用の高圧水供給手段とを備えたダイシング装置
について、ウェハ洗浄用の高圧水には静電破壊を防止す
るために十分な７店度の炭酸ガスを溶解させ、上記ブレ
ードの冷却水には無溶解または上記高圧水の濃度より低
い炭酸ガスをン容解させることにより、洗浄工程におけ
る高圧水の比抵抗を下げることができるので高圧水流の
帯電をを効に防止でき、かつブレードの冷却水の炭酸濃
度をゼロまたは低い値にすることができるので、ブレー
ドにおけるダイヤモンドを固定しているニッケル等の炭
酸水に溶解するバインダ金属の消耗を防止できる。

（２）前記（１）により、洗浄工程においてはウェハに
形成されている回路素子の静電破壊を有効に防止でき、
かつダイシング用ブレードの寿命を延長することができ
る。

（３）、前記（２）により、半導体ペレットの歩留り向
上が達成され、かつダイシング用ブレード１枚当たりの
半導体ペレットの処理枚数を増加することができるので
、半導体ペレットの大巾なコスト低減が達成できる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、前記実施例ではブレードの冷却水には炭酸ガ
スを一切溶解せしめないものについて説明したが、必ず
しもこれに限るものでなく、ブレードのニッケル金属に
影響を与えないか、または顕著な形容が生じない程度の
低濃度の炭酸水を用いてもよいことはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】第１図は本発明による一実施例であるダイシング装置の
一部を示す概略説明図、第２回は本実施例のダイシング装置を示す概略平面図、第３図は上記ダイシング装置のダイシング用ブレードの
拡大部分正面図である。１・・・本体、２・・・ステージ、３・・・ＸＹテーブ
ル、４・・・ウェハローダ、５・・・予備位置合わせ部
、６・・・位１合わせ部、７・・・ダイシング部、８・
・・洗浄部、９・・・ウェハアンローダ、１０・・・モ
ータ、１１・・・ブレード、ｌｌａ・・・円板、ｌｌｂ
・・・ダイヤモンド粒子、ＩＩＣ・・・ニッケル（Ｎｉ
）、１２・・・冷却用ノズル、１３・・・高圧噴射ノズ
ル、■４・・・アーム、１５・・・支軸、１６・・・ウ
ェハ、１７・・・チャックテーブル、１日・・・スピン
ナテーブル、１９・・・水槽、２０・・・混合槽、２１
・・・炭酸ガスのボンへ、２２・・・ポンプ、２３・・
・逆流防止弁。第　　１　　図６：′７

Claims

【特許請求の範囲】１、ダイシング用ブレードの冷却水の供給手段と、ウェ
ハ洗浄に用いる高圧水の供給手段とを備えたダイシング
装置であって、上記高圧水に炭酸ガスを供給する手段を
設けてなるダイシング装置。２、ブレードの冷却水は、純水または噴出高圧水中の濃
度より低い炭酸ガスを含むことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のダイシング装置。