JP4335042B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4335042B2 JP4335042B2 JP2004074547A JP2004074547A JP4335042B2 JP 4335042 B2 JP4335042 B2 JP 4335042B2 JP 2004074547 A JP2004074547 A JP 2004074547A JP 2004074547 A JP2004074547 A JP 2004074547A JP 4335042 B2 JP4335042 B2 JP 4335042B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supply nozzle
- substrate
- semiconductor wafer
- developer
- liquid supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
以下、この発明の第1の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について説明する。この第1の実施の形態では、基板に対して現像液を供給して所定時間現像反応を行わせた後、当該基板に対していわゆるスリットスキャン方式にて帯電防止処理液を供給する基板処理装置及び基板処理方法について説明する。
この発明の第2の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。なお、本実施形態の説明において、上記第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様構成要素については同一符号を用いてその説明を省略する。
なお、上記各実施形態では、処理液供給ノズル40と半導体ウエハSWとの双方を回転させた例について述べたが、図19に示すように、半導体ウエハSWを静止状態に保ったままで、処理液供給ノズル40を、その半導体ウエハSWの一端側から他端側に向けて直線的に移動させるようにしてもよい。
20 現像液供給ノズル
30 現像液供給ノズル走査機構
40 処理液供給ノズル
42 吐出口
50 処理液供給ノズル回動機構
60 制御部
70 最終リンス液供給ノズル
85 処理液タンク
86 第1処理液系配管
87 第2処理液系配管
88 第3処理液系配管
89 ガス溶解部
185 処理液タンク
186 第1帯電防止洗浄液系配管
187 第2帯電防止洗浄液系配管
188 第3帯電防止洗浄液系配管
189 ガス溶解部
SW 基板
Claims (6)
- 現像処理後の基板の主面に処理液を供給する基板処理装置であって、
基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板の幅寸法と実質的に同寸法又はそれ以上の吐出幅で第1の処理液を吐出する吐出部を有する第1の処理液供給ノズルと、
前記第1の処理液供給ノズルに、前記第1の処理液として現像反応を停止させる現像停止液を供給する現像停止液供給手段と、
前記基板の上方を通過するように、前記第1の処理液供給ノズルを前記基板の一端側から他端側に向けて移動させるノズル移動手段と、
前記基板上に第2の処理液を吐出する第2の処理液供給ノズルと、
前記第2の処理液供給ノズルに、前記第2の処理液として帯電防止洗浄液を供給する帯電防止洗浄液供給手段と、
を備え、
前記基板上に、前記第1の処理液供給ノズルから前記現像停止液を供給した後に、前記第2の処理液供給ノズルから前記帯電防止洗浄液を供給する、基板処理装置。 - 請求項1記載の基板処理装置であって、
前記現像停止液は、純水である、基板処理装置。 - 請求項1又は請求項2記載の基板処理装置であって、
前記帯電防止洗浄液は、気泡を発生させない程度の濃度で、イオンが溶解した液である、基板処理装置。 - 現像処理後の基板の主面に処理液を供給する基板処理方法であって、
現像処理後の前記基板に現像停止液を供給した後、前記基板に帯電防止洗浄液を供給する、基板処理方法。 - 請求項4記載の基板処理方法であって、
前記現像停止液は、純水である、基板処理方法。 - 請求項4又は請求項5記載の基板処理方法であって、
前記帯電防止洗浄液は、気泡を発生させない程度の濃度で、イオンが溶解した液である、基板処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004074547A JP4335042B2 (ja) | 2004-03-16 | 2004-03-16 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US11/081,266 US20050205113A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-03-16 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US12/694,759 US20100126532A1 (en) | 2004-03-16 | 2010-01-27 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004074547A JP4335042B2 (ja) | 2004-03-16 | 2004-03-16 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005268294A JP2005268294A (ja) | 2005-09-29 |
JP4335042B2 true JP4335042B2 (ja) | 2009-09-30 |
Family
ID=34984895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004074547A Expired - Fee Related JP4335042B2 (ja) | 2004-03-16 | 2004-03-16 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20050205113A1 (ja) |
JP (1) | JP4335042B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008205118A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、基板の処理システム及び記憶媒体 |
JP5022462B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2012-09-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 電極形成方法および電極形成装置 |
JP5887719B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2016-03-16 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | パージ装置、ロードポート、ボトムパージノズル本体、ボトムパージユニット |
JP5398785B2 (ja) * | 2011-06-20 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | スパイラル塗布装置及びスパイラル塗布方法 |
TWI580488B (zh) * | 2015-04-07 | 2017-05-01 | 家登精密工業股份有限公司 | 針孔式噴嘴清潔設備及其運作方法 |
CN114247685B (zh) * | 2021-12-17 | 2022-12-20 | 张家港声芯电子科技有限公司 | 一种芯片清洗装置及清洗方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3626610B2 (ja) * | 1998-11-02 | 2005-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
US6589359B2 (en) * | 2000-07-11 | 2003-07-08 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method and cleaning apparatus for substrate |
JP2003031536A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Nec Corp | ウエハの洗浄方法 |
US20050000549A1 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-06 | Oikari James R. | Wafer processing using gaseous antistatic agent during drying phase to control charge build-up |
-
2004
- 2004-03-16 JP JP2004074547A patent/JP4335042B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-16 US US11/081,266 patent/US20050205113A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-01-27 US US12/694,759 patent/US20100126532A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005268294A (ja) | 2005-09-29 |
US20050205113A1 (en) | 2005-09-22 |
US20100126532A1 (en) | 2010-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101075553B (zh) | 基板处理方法以及基板处理装置 | |
US20160300707A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5030767B2 (ja) | 基板処理装置、および基板処理装置の異常処理方法 | |
US20020121341A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
CN107818929B (zh) | 基板清洗装置、基板处理装置及基板清洗方法 | |
US20100126532A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
WO2005006431A1 (en) | System and method for integrating in-situ metrology within a wafer process | |
US20210072645A1 (en) | Coater with automatic cleaning function and coater automatic cleaning method | |
JP2010050226A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
JPH11195601A (ja) | 半導体装置製造用現像装置及びその制御方法 | |
JP4730787B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2012196600A (ja) | ペースト塗布ヘッド,ペースト塗布装置及びペースト塗布方法 | |
JP2002151455A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄装置 | |
US20040028403A1 (en) | Developing apparatus and developing method | |
US6752544B2 (en) | Developing apparatus and developing method | |
JP3811082B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP5183562B2 (ja) | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 | |
JP5641994B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
US20100051055A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4326820B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
KR20190111751A (ko) | 현상 방법 | |
JP5290837B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
TW201347031A (zh) | 基板處理方法 | |
TWI384333B (zh) | Development processing device | |
KR20070092530A (ko) | 매엽식 기판처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090331 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090528 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090623 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090624 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |