JPH03131026A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPH03131026A JPH03131026A JP1269485A JP26948589A JPH03131026A JP H03131026 A JPH03131026 A JP H03131026A JP 1269485 A JP1269485 A JP 1269485A JP 26948589 A JP26948589 A JP 26948589A JP H03131026 A JPH03131026 A JP H03131026A
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- wafer
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- Pending
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Landscapes
- Dicing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野］
本発明は、高圧水を用いた洗浄装置に係り、ウェハを単
体のチップに切断した後の洗浄装置に利用できる。 ［従来の技術］ 従来の洗浄装置は高圧水をウェハ表面にジェットノズル
を介して吹きつけて洗浄し、次に窒素をウェハ表面に吹
きつけて乾燥している。 ［発明が解決しようとする課題］ 従来の洗浄装置の場合次の様な問題が発生していた。ウ
ェハ表面はデバイスを保護する為酸化膜が形成されて電
気的には不導体となっている。また洗浄水には純水が用
いられている為、この純水も１５ＭΩ・Ｃｍ以上の比抵
抗を有している。この純水が５０ ｋ ｇ ／ ｃ ｍ
”から１００ｋｇ／ｃｍ”の圧力でジェットノズルを
介してウェハ表面に吹きつけられると、ウェハ表面と純
水の接触により数キロボルト以上の静電気がウェハ表面
に帯電する。この静電気がデバイスの特性を変化させた
り、放電によりデバイスを破壊し半導体を不良にする。 従来この対策として純水に二酸化炭素（以下ＣＯ黛と記
す）をバブリングし純水の比抵抗をＩＭΩ・ｃｍ以下の
弱酸性にして利用している。しかしこの対策ではウェハ
表面上にｌｋｖ以下の静電気が帯電している為半導体の
不良を完全に防止することができない、また純水比抵抗
をさらに小さくするとウェハを単体に分離する砥石を用
いた切断工程（以下ダイシングと記す）において砥石の
結合材が分解して砥石の摩耗が大きくなる悪影響が発生
する０本発明は純水の比抵抗をあまり下すに静電気の帯
電を防止し、砥石（以下ブレードと記す）の摩耗を大き
くしない装置の提供である。 〔課題を解決するための手段］ 本発明は上記課題を解決するため、ウェハ上に形成され
た半導体を単体のチップに分離する工程において切断後
のウェハ洗浄をイオン雰囲気中で高圧水洗浄および乾燥
することを特徴とする洗浄装置である。
体のチップに切断した後の洗浄装置に利用できる。 ［従来の技術］ 従来の洗浄装置は高圧水をウェハ表面にジェットノズル
を介して吹きつけて洗浄し、次に窒素をウェハ表面に吹
きつけて乾燥している。 ［発明が解決しようとする課題］ 従来の洗浄装置の場合次の様な問題が発生していた。ウ
ェハ表面はデバイスを保護する為酸化膜が形成されて電
気的には不導体となっている。また洗浄水には純水が用
いられている為、この純水も１５ＭΩ・Ｃｍ以上の比抵
抗を有している。この純水が５０ ｋ ｇ ／ ｃ ｍ
”から１００ｋｇ／ｃｍ”の圧力でジェットノズルを
介してウェハ表面に吹きつけられると、ウェハ表面と純
水の接触により数キロボルト以上の静電気がウェハ表面
に帯電する。この静電気がデバイスの特性を変化させた
り、放電によりデバイスを破壊し半導体を不良にする。 従来この対策として純水に二酸化炭素（以下ＣＯ黛と記
す）をバブリングし純水の比抵抗をＩＭΩ・ｃｍ以下の
弱酸性にして利用している。しかしこの対策ではウェハ
表面上にｌｋｖ以下の静電気が帯電している為半導体の
不良を完全に防止することができない、また純水比抵抗
をさらに小さくするとウェハを単体に分離する砥石を用
いた切断工程（以下ダイシングと記す）において砥石の
結合材が分解して砥石の摩耗が大きくなる悪影響が発生
する０本発明は純水の比抵抗をあまり下すに静電気の帯
電を防止し、砥石（以下ブレードと記す）の摩耗を大き
くしない装置の提供である。 〔課題を解決するための手段］ 本発明は上記課題を解決するため、ウェハ上に形成され
た半導体を単体のチップに分離する工程において切断後
のウェハ洗浄をイオン雰囲気中で高圧水洗浄および乾燥
することを特徴とする洗浄装置である。
本発明の実施例を第１図を用いて以下説明する。ダイシ
ング後のウェハ４はウェハチャックテーブル９に真空吸
着されている。このウェハチャックテーブル９はウェハ
チャックテーブル回転用モータＩＯによって回転される
。ウェハ４の洗浄は、外部より高圧水７を導入し、ジェ
ットノズル５を介して噴流６となってウェハ４表面に当
ることによりウェハ表面のシリコン等の異物を除去する
。この際ウェハ４表面は高圧かつ比抵抗の高いＣＯａ入
り純水の噴流６と接触するため表面にプラスの電荷が蓄
積する。イオン３は外部のイオン発生器１よりイオン送
風ノズル２を介してプラスイオンとマイナスイオンがウ
ェハ４表面に向って流れる。このイオン３によりウェハ
４表面に蓄積したプラスイオンがイオン３のマイナスイ
オンにより中和される。なおゼオ２３０発生量をウェハ
４表面の蓄積電荷より多くすることにより雰囲気のイオ
ンバランスは保つことができる。イオン送風ノズル２の
形状はカバー１１内にリング状に形成されて、円周状に
無数の穴がおいている。Ｎ２噴射ノズル８はＣＯ２入り
純水の噴流６洗浄の後ウェハ４表面を乾燥する時Ｎ２を
ウェハ４表面に吹きつけるものである。イオン３はＣＯ
□入り純水の噴流６による洗浄からＮ２ノズル８による
ウェハ４表面の乾燥までの全ての状態で発生している。 排気ダクト１２は噴流６による洗浄時のミストおよびＮ
２の排気を行う為に設けたものである。イオンホース１
３はイオン発生器１がらイオン送風ノズル２までの接続
管である。純水接続管１４は外部の高圧水７をジェット
ノズル５に導く管である。Ｎ、１５は外部より供給され
る。Ｎ２接続管１６はＮ２１５をＮ２噴射ノズル８に導
く管である。 ［発明の効果］ 本発明によりグイシング工程後の洗浄工程においてウェ
ハ表面に蓄積する静電気を低減することができ、半導体
を静電気により不良にすることが無くなった。また純水
の比抵抗もＩＭΩ・ｃｍ程度で管理することができ、ブ
レード摩耗を０．５ＭΩ・ｃｍに比べて２０％向上する
ことができブレードの消費量を低減することができる。
ング後のウェハ４はウェハチャックテーブル９に真空吸
着されている。このウェハチャックテーブル９はウェハ
チャックテーブル回転用モータＩＯによって回転される
。ウェハ４の洗浄は、外部より高圧水７を導入し、ジェ
ットノズル５を介して噴流６となってウェハ４表面に当
ることによりウェハ表面のシリコン等の異物を除去する
。この際ウェハ４表面は高圧かつ比抵抗の高いＣＯａ入
り純水の噴流６と接触するため表面にプラスの電荷が蓄
積する。イオン３は外部のイオン発生器１よりイオン送
風ノズル２を介してプラスイオンとマイナスイオンがウ
ェハ４表面に向って流れる。このイオン３によりウェハ
４表面に蓄積したプラスイオンがイオン３のマイナスイ
オンにより中和される。なおゼオ２３０発生量をウェハ
４表面の蓄積電荷より多くすることにより雰囲気のイオ
ンバランスは保つことができる。イオン送風ノズル２の
形状はカバー１１内にリング状に形成されて、円周状に
無数の穴がおいている。Ｎ２噴射ノズル８はＣＯ２入り
純水の噴流６洗浄の後ウェハ４表面を乾燥する時Ｎ２を
ウェハ４表面に吹きつけるものである。イオン３はＣＯ
□入り純水の噴流６による洗浄からＮ２ノズル８による
ウェハ４表面の乾燥までの全ての状態で発生している。 排気ダクト１２は噴流６による洗浄時のミストおよびＮ
２の排気を行う為に設けたものである。イオンホース１
３はイオン発生器１がらイオン送風ノズル２までの接続
管である。純水接続管１４は外部の高圧水７をジェット
ノズル５に導く管である。Ｎ、１５は外部より供給され
る。Ｎ２接続管１６はＮ２１５をＮ２噴射ノズル８に導
く管である。 ［発明の効果］ 本発明によりグイシング工程後の洗浄工程においてウェ
ハ表面に蓄積する静電気を低減することができ、半導体
を静電気により不良にすることが無くなった。また純水
の比抵抗もＩＭΩ・ｃｍ程度で管理することができ、ブ
レード摩耗を０．５ＭΩ・ｃｍに比べて２０％向上する
ことができブレードの消費量を低減することができる。
第１図は本発明の洗浄装置の断面図を示したものである
。 ・イオン発生器 ・イオン送風ノズル ３ ・ ４ ・ ５ ・ ６ ・ ７ ・ ８ ・ ９ ・ １０ ・ １ ｌ ・ ｌ ２ ・ ｌ ３ ・ ｌ ４ ・ ｌ ５ ・ ｌ ６ ・ ・イオン ・ウェハ ・ジェットノズル ・噴流 ・高圧水 ・Ｎ２噴射ノズル ・ウェハチャックテーブル ・ウェハチャックテーブル回転用モータ・カバー ・排気ダクト ・イオンホース ・純水接続管 ・Ｎ２ ・Ｎ、接続管 以上
。 ・イオン発生器 ・イオン送風ノズル ３ ・ ４ ・ ５ ・ ６ ・ ７ ・ ８ ・ ９ ・ １０ ・ １ ｌ ・ ｌ ２ ・ ｌ ３ ・ ｌ ４ ・ ｌ ５ ・ ｌ ６ ・ ・イオン ・ウェハ ・ジェットノズル ・噴流 ・高圧水 ・Ｎ２噴射ノズル ・ウェハチャックテーブル ・ウェハチャックテーブル回転用モータ・カバー ・排気ダクト ・イオンホース ・純水接続管 ・Ｎ２ ・Ｎ、接続管 以上
Claims (1)
- ウェハ上に形成された半導体を単体のチップに分離す
る工程において切断後のウェハ洗浄をイオン雰囲気中で
高圧水洗浄および乾燥することを特徴とする洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1269485A JPH03131026A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1269485A JPH03131026A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03131026A true JPH03131026A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=17473098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1269485A Pending JPH03131026A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03131026A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5597443A (en) * | 1994-08-31 | 1997-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for chemical mechanical polishing of semiconductor wafer |
| US5857474A (en) * | 1995-12-28 | 1999-01-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and apparatus for washing a substrate |
| US6332470B1 (en) * | 1997-12-30 | 2001-12-25 | Boris Fishkin | Aerosol substrate cleaner |
| US6367490B1 (en) * | 1998-11-02 | 2002-04-09 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and processing method |
| US6481447B1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same |
| US6705331B2 (en) * | 2000-11-20 | 2004-03-16 | Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. | Substrate cleaning apparatus |
| US6837941B2 (en) * | 1998-06-24 | 2005-01-04 | Neomax Co., Ltd. | Cleaning and handling methods of electronic component and cleaning apparatus thereof |
| US6938629B2 (en) * | 2002-11-13 | 2005-09-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Rinsing lid for wet bench |
| JP2012049359A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ダイシング加工装置 |
| US8267103B2 (en) | 2006-06-12 | 2012-09-18 | Semes Co. Ltd | Method and apparatus for cleaning substrates |
| US10446403B2 (en) * | 2016-10-25 | 2019-10-15 | Disco Corporation | Wafer processing method and cutting apparatus |
-
1989
- 1989-10-17 JP JP1269485A patent/JPH03131026A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5597443A (en) * | 1994-08-31 | 1997-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for chemical mechanical polishing of semiconductor wafer |
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