JPH03131026A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPH03131026A JPH03131026A JP1269485A JP26948589A JPH03131026A JP H03131026 A JPH03131026 A JP H03131026A JP 1269485 A JP1269485 A JP 1269485A JP 26948589 A JP26948589 A JP 26948589A JP H03131026 A JPH03131026 A JP H03131026A
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- wafer
- ions
- pure water
- nozzle
- cleaning
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- Pending
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Landscapes
- Dicing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野]
本発明は、高圧水を用いた洗浄装置に係り、ウェハを単
体のチップに切断した後の洗浄装置に利用できる。 [従来の技術] 従来の洗浄装置は高圧水をウェハ表面にジェットノズル
を介して吹きつけて洗浄し、次に窒素をウェハ表面に吹
きつけて乾燥している。 [発明が解決しようとする課題] 従来の洗浄装置の場合次の様な問題が発生していた。ウ
ェハ表面はデバイスを保護する為酸化膜が形成されて電
気的には不導体となっている。また洗浄水には純水が用
いられている為、この純水も15MΩ・Cm以上の比抵
抗を有している。この純水が50 k g / c m
”から100kg/cm”の圧力でジェットノズルを
介してウェハ表面に吹きつけられると、ウェハ表面と純
水の接触により数キロボルト以上の静電気がウェハ表面
に帯電する。この静電気がデバイスの特性を変化させた
り、放電によりデバイスを破壊し半導体を不良にする。 従来この対策として純水に二酸化炭素(以下CO黛と記
す)をバブリングし純水の比抵抗をIMΩ・cm以下の
弱酸性にして利用している。しかしこの対策ではウェハ
表面上にlkv以下の静電気が帯電している為半導体の
不良を完全に防止することができない、また純水比抵抗
をさらに小さくするとウェハを単体に分離する砥石を用
いた切断工程(以下ダイシングと記す)において砥石の
結合材が分解して砥石の摩耗が大きくなる悪影響が発生
する0本発明は純水の比抵抗をあまり下すに静電気の帯
電を防止し、砥石(以下ブレードと記す)の摩耗を大き
くしない装置の提供である。 〔課題を解決するための手段] 本発明は上記課題を解決するため、ウェハ上に形成され
た半導体を単体のチップに分離する工程において切断後
のウェハ洗浄をイオン雰囲気中で高圧水洗浄および乾燥
することを特徴とする洗浄装置である。
体のチップに切断した後の洗浄装置に利用できる。 [従来の技術] 従来の洗浄装置は高圧水をウェハ表面にジェットノズル
を介して吹きつけて洗浄し、次に窒素をウェハ表面に吹
きつけて乾燥している。 [発明が解決しようとする課題] 従来の洗浄装置の場合次の様な問題が発生していた。ウ
ェハ表面はデバイスを保護する為酸化膜が形成されて電
気的には不導体となっている。また洗浄水には純水が用
いられている為、この純水も15MΩ・Cm以上の比抵
抗を有している。この純水が50 k g / c m
”から100kg/cm”の圧力でジェットノズルを
介してウェハ表面に吹きつけられると、ウェハ表面と純
水の接触により数キロボルト以上の静電気がウェハ表面
に帯電する。この静電気がデバイスの特性を変化させた
り、放電によりデバイスを破壊し半導体を不良にする。 従来この対策として純水に二酸化炭素(以下CO黛と記
す)をバブリングし純水の比抵抗をIMΩ・cm以下の
弱酸性にして利用している。しかしこの対策ではウェハ
表面上にlkv以下の静電気が帯電している為半導体の
不良を完全に防止することができない、また純水比抵抗
をさらに小さくするとウェハを単体に分離する砥石を用
いた切断工程(以下ダイシングと記す)において砥石の
結合材が分解して砥石の摩耗が大きくなる悪影響が発生
する0本発明は純水の比抵抗をあまり下すに静電気の帯
電を防止し、砥石(以下ブレードと記す)の摩耗を大き
くしない装置の提供である。 〔課題を解決するための手段] 本発明は上記課題を解決するため、ウェハ上に形成され
た半導体を単体のチップに分離する工程において切断後
のウェハ洗浄をイオン雰囲気中で高圧水洗浄および乾燥
することを特徴とする洗浄装置である。
本発明の実施例を第1図を用いて以下説明する。ダイシ
ング後のウェハ4はウェハチャックテーブル9に真空吸
着されている。このウェハチャックテーブル9はウェハ
チャックテーブル回転用モータIOによって回転される
。ウェハ4の洗浄は、外部より高圧水7を導入し、ジェ
ットノズル5を介して噴流6となってウェハ4表面に当
ることによりウェハ表面のシリコン等の異物を除去する
。この際ウェハ4表面は高圧かつ比抵抗の高いCOa入
り純水の噴流6と接触するため表面にプラスの電荷が蓄
積する。イオン3は外部のイオン発生器1よりイオン送
風ノズル2を介してプラスイオンとマイナスイオンがウ
ェハ4表面に向って流れる。このイオン3によりウェハ
4表面に蓄積したプラスイオンがイオン3のマイナスイ
オンにより中和される。なおゼオ230発生量をウェハ
4表面の蓄積電荷より多くすることにより雰囲気のイオ
ンバランスは保つことができる。イオン送風ノズル2の
形状はカバー11内にリング状に形成されて、円周状に
無数の穴がおいている。N2噴射ノズル8はCO2入り
純水の噴流6洗浄の後ウェハ4表面を乾燥する時N2を
ウェハ4表面に吹きつけるものである。イオン3はCO
□入り純水の噴流6による洗浄からN2ノズル8による
ウェハ4表面の乾燥までの全ての状態で発生している。 排気ダクト12は噴流6による洗浄時のミストおよびN
2の排気を行う為に設けたものである。イオンホース1
3はイオン発生器1がらイオン送風ノズル2までの接続
管である。純水接続管14は外部の高圧水7をジェット
ノズル5に導く管である。N、15は外部より供給され
る。N2接続管16はN215をN2噴射ノズル8に導
く管である。 [発明の効果] 本発明によりグイシング工程後の洗浄工程においてウェ
ハ表面に蓄積する静電気を低減することができ、半導体
を静電気により不良にすることが無くなった。また純水
の比抵抗もIMΩ・cm程度で管理することができ、ブ
レード摩耗を0.5MΩ・cmに比べて20%向上する
ことができブレードの消費量を低減することができる。
ング後のウェハ4はウェハチャックテーブル9に真空吸
着されている。このウェハチャックテーブル9はウェハ
チャックテーブル回転用モータIOによって回転される
。ウェハ4の洗浄は、外部より高圧水7を導入し、ジェ
ットノズル5を介して噴流6となってウェハ4表面に当
ることによりウェハ表面のシリコン等の異物を除去する
。この際ウェハ4表面は高圧かつ比抵抗の高いCOa入
り純水の噴流6と接触するため表面にプラスの電荷が蓄
積する。イオン3は外部のイオン発生器1よりイオン送
風ノズル2を介してプラスイオンとマイナスイオンがウ
ェハ4表面に向って流れる。このイオン3によりウェハ
4表面に蓄積したプラスイオンがイオン3のマイナスイ
オンにより中和される。なおゼオ230発生量をウェハ
4表面の蓄積電荷より多くすることにより雰囲気のイオ
ンバランスは保つことができる。イオン送風ノズル2の
形状はカバー11内にリング状に形成されて、円周状に
無数の穴がおいている。N2噴射ノズル8はCO2入り
純水の噴流6洗浄の後ウェハ4表面を乾燥する時N2を
ウェハ4表面に吹きつけるものである。イオン3はCO
□入り純水の噴流6による洗浄からN2ノズル8による
ウェハ4表面の乾燥までの全ての状態で発生している。 排気ダクト12は噴流6による洗浄時のミストおよびN
2の排気を行う為に設けたものである。イオンホース1
3はイオン発生器1がらイオン送風ノズル2までの接続
管である。純水接続管14は外部の高圧水7をジェット
ノズル5に導く管である。N、15は外部より供給され
る。N2接続管16はN215をN2噴射ノズル8に導
く管である。 [発明の効果] 本発明によりグイシング工程後の洗浄工程においてウェ
ハ表面に蓄積する静電気を低減することができ、半導体
を静電気により不良にすることが無くなった。また純水
の比抵抗もIMΩ・cm程度で管理することができ、ブ
レード摩耗を0.5MΩ・cmに比べて20%向上する
ことができブレードの消費量を低減することができる。
第1図は本発明の洗浄装置の断面図を示したものである
。 ・イオン発生器 ・イオン送風ノズル 3 ・ 4 ・ 5 ・ 6 ・ 7 ・ 8 ・ 9 ・ 10 ・ 1 l ・ l 2 ・ l 3 ・ l 4 ・ l 5 ・ l 6 ・ ・イオン ・ウェハ ・ジェットノズル ・噴流 ・高圧水 ・N2噴射ノズル ・ウェハチャックテーブル ・ウェハチャックテーブル回転用モータ・カバー ・排気ダクト ・イオンホース ・純水接続管 ・N2 ・N、接続管 以上
。 ・イオン発生器 ・イオン送風ノズル 3 ・ 4 ・ 5 ・ 6 ・ 7 ・ 8 ・ 9 ・ 10 ・ 1 l ・ l 2 ・ l 3 ・ l 4 ・ l 5 ・ l 6 ・ ・イオン ・ウェハ ・ジェットノズル ・噴流 ・高圧水 ・N2噴射ノズル ・ウェハチャックテーブル ・ウェハチャックテーブル回転用モータ・カバー ・排気ダクト ・イオンホース ・純水接続管 ・N2 ・N、接続管 以上
Claims (1)
- ウェハ上に形成された半導体を単体のチップに分離す
る工程において切断後のウェハ洗浄をイオン雰囲気中で
高圧水洗浄および乾燥することを特徴とする洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1269485A JPH03131026A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1269485A JPH03131026A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03131026A true JPH03131026A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=17473098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1269485A Pending JPH03131026A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03131026A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5597443A (en) * | 1994-08-31 | 1997-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for chemical mechanical polishing of semiconductor wafer |
US5857474A (en) * | 1995-12-28 | 1999-01-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and apparatus for washing a substrate |
US6332470B1 (en) * | 1997-12-30 | 2001-12-25 | Boris Fishkin | Aerosol substrate cleaner |
US6367490B1 (en) * | 1998-11-02 | 2002-04-09 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and processing method |
US6481447B1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same |
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US6837941B2 (en) * | 1998-06-24 | 2005-01-04 | Neomax Co., Ltd. | Cleaning and handling methods of electronic component and cleaning apparatus thereof |
US6938629B2 (en) * | 2002-11-13 | 2005-09-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Rinsing lid for wet bench |
JP2012049359A (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ダイシング加工装置 |
US8267103B2 (en) | 2006-06-12 | 2012-09-18 | Semes Co. Ltd | Method and apparatus for cleaning substrates |
US10446403B2 (en) * | 2016-10-25 | 2019-10-15 | Disco Corporation | Wafer processing method and cutting apparatus |
-
1989
- 1989-10-17 JP JP1269485A patent/JPH03131026A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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