TW408497B - LED illuminating apparatus - Google Patents

LED illuminating apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW408497B
TW408497B TW087119454A TW87119454A TW408497B TW 408497 B TW408497 B TW 408497B TW 087119454 A TW087119454 A TW 087119454A TW 87119454 A TW87119454 A TW 87119454A TW 408497 B TW408497 B TW 408497B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
substrate
crystal
led
lighting device
Prior art date
Application number
TW087119454A
Other languages
English (en)
Inventor
Sakuo Kamata
Shoichi Koyama
Nobuyuki Asahi
Toshiyuki Suzuki
Eiji Shiohama
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP32355197A external-priority patent/JP3505985B2/ja
Priority claimed from JP32355097A external-priority patent/JP3454123B2/ja
Priority claimed from JP32262697A external-priority patent/JPH11163412A/ja
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW408497B publication Critical patent/TW408497B/zh

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V5/00Refractors for light sources
    • F21V5/02Refractors for light sources of prismatic shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00Planar light sources
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • F21Y2107/10Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements on concave supports or substrates, e.g. on the inner side of bowl-shaped supports
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • F21Y2107/50Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements on planar substrates or supports, but arranged in different planes or with differing orientation, e.g. on plate-shaped supports with steps on which light-generating elements are mounted
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • F21Y2107/90Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements on two opposite sides of supports or substrates
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0284Details of three-dimensional rigid printed circuit boards
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]

Description

經濟部中央標率局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(,) [發明之技術背景】 本發明偽關於在基板配設多數個發光二極體元件而構 成的L E D照明裝置β [相關技術之掲示] 以往,在對於光源使用白熾燈或螢光燈的照明裝置除 能見光以外也放射紅外線或紫外線,這種能見光以外的 光線多半對於被照射物,如美術品.以至食品等帶給不良 影響。而且在這種照明裝置對光源,亦即燈具總有壽命 ,必需更換 —方面最近被提案高亮度的發光二極體(以下簡稱 ” LED"),藉由在這種單體的LED,尤其是在LED分立基板 上裝設多數痼加以模件化,而不放射紅外線或紫外線等 有害光線的照明裝置,乃逐漸備受使用》按違種LED照明 裝置者,實有較諸白熾燈或螢光燈的光源,使用壽命長 ,不需更換燈泡等保養,又可隨意使用的優點。 誠如上逑雖是具有各種優點的LED照明裝置,但仍有如 下橄結問題。亦即,由於L E D是單波長(單色),故不能獲 得白色光,而且由於光線的指向性強,故即使混合波長 (發光色)不同的LED裝設於基板,亦不能完金混合各色光 線而不易獲得白色光源,尤其是鱗照射物的陰影看起來 像彩虹色。從而,不像將螢光燈作為光源的照明裝置, 不可能使實現如白書光色和白色的微妙色差。而且如果 以高密度在基板裝設LED即因來自各LED的發熱而溫度上昇 ,會降低發光效率及亮度,同時,縮短各LED的壽命。且 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
408497 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( > ) 1 1 因 1, F Ϊ)的高度尺寸大, 故對於薄型化大大有問題。 i 1 1 對 於 這 種 習 用 技 術 而 > 如 MACB I Β Α等日本寅開平 1 1 4- 92 660 案 所 掲 示 7 以 水 平 將 發 光 晶 Η 配 列 於 基 板 裝 設 請 1 先 ! 平 面 的 發 光 二 極 amt 體 照 明 裝 置 〇 按 這 種 構 成 卽 從 水 平 排 列 閲 讀 i τ 的 晶 Η 對 於 晶 片 的 排 列 平 面 只 以 垂 直 方 向 配 光 而 已 在 背 ft 1 之 1 配 光 控 制 上 實 有 問 題 0 而 且 雖 由 T . I K E D Α 的 曰 本 特 開 平 注 意 1 I 1 - 2 8 38 8 3 掲 示 以 樹 脂 成 形 發 光 晶 H. 裝 設 基 板 的 構 成 ί 但 Ψ 頃 再 I 1 這 也 應 所 需 求 要 現 配 光 控 制 上 仍 有 問 題 〇 填 寫 ϋ 衣 1 本 發 明 的 Μ 的 在 於 提 供 能 克 服 上 逑 問 題 9 可 容 易 獲 得 頁 I [ 所 需 求 的 配 光 > 同 時 9 可 薄 型 化 的 發 光 二 極 體 {L ED )照明 1 1 裝 置 〇 1 1 若 依 照 本 發 明 者 » 在 基 板 形 成 多 數 凹 部 及 凸 部 中 至 少 1 訂 一 種 > 分 別 在 凹 部 及 凸 部 中 至 少 一 種 由 配 設 多 數 發 光 二 1 極 體 而 構 成 的 L E D照明裝置, 以達成目的。 1 1 按 照 附 圖 所 示 的 實 施 形 態 之 以 下 説 明 » 定 可 明 白 本 發 1 I 明 的 S 的 和 優 點 1 i Λ -----[-»μ示-之-簡-單-説-明j 一.一 —- • 一 -- -- -- -- -- 一 一一 一…- -------- — —' - 第 1 圖 偽 按 本 發 明 發 光 二 極 體 照 明 裝 置 的 實 施 形 態 1 的 部 柺 簡 略 剖 面 圖 ί 第 2 圖 係 第 1 圖 的 裝 置 斜 視 圖 4 9 第 3 圖 m 本 發 明 的 其 他 實 施 形 態 的 部 份 簡 略 剖 面 圖 7 .第 4 ϊ !·> 1 圖 傜 使 用 第 3 固 圖 裝 置 的 照 明 器 具 * * 第 5 圖 偽 本 發 明 其 他 1 實 施 形 態 的 部 份 簡 略 剖 面 圖 V J 第 6 圖 傺 本 發 明 其 他 實 施 1 1 形 態 的 裝 置 和 第 1 圖 相 同 斜 視 Π·-·τΙ 圍1 第 7 a 圔 俗 第 6 圖 的 i I 實 施 形 態 1 «3D 早 元 的 結 構 圖 4 9 第 7 b 圖 條 第 7a 圖 的 實 施 形 態 1 1 ] -4 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 4〇84q? _B7__ 五、發明説明(4 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 由多數單元所構成的結構圖;箄8圖偽本發明其他實施 形態的部份簡略斜視圖;第3圖〜第1 3圖分別為本發明 其他賁施形態的部份簡略剖面圖;第14圖傺第10圖的實 施形態的部份簡略平面圔;第1 5 a圖係本發明實施形態的 部份簡略剖面圔;第15b圖條第15a圖實施形態的正面圔 :第15c圖俗第15a圖的橫剖面圖•,第I5d圔傺第15a圖的 縱剖而圖;第1 6圖、第1 7圖分別為本發明其他實施形態 的部份簡略剖面圖;第i 8圖偽本發明其他實施形態的部 份簡略剖面Λ ;第1 9圖俗本發明其他實施形態的部份簡 略剖面圖:第2G圖傺有關本發明其他實施形態的動作說 明圖;第2 1 &圔傜本發明其他實施形態的部份簡略斜視圔 :箆21b圔偽第21a圖的部份簡略斜視圖:第22a圖傺本發 明其他實施形態的簡略剖面圖;第22b圖條第22a圖的部 份簡略斜視圖:第23圖偽本發明其他實施形態的部份簡 略剖面圖:第2 4 a圖傜本發明其他實施形態的部份放大剖 面圖:第24b圖,傺表示第24a圔的光線波長和強度關傺 的説明圖:第2 5圖、第2 6圖分別為本發明其他實施彫態 的部份簡略剖面圖;第27圖稱第26圔的實施形態的平面 圖:第28圖〜第32圖分別為本發明其他實施形態的部份 簡略剖而圖;第3 3圖偽本發明其他實施形態的部份簡略 斜視圖;第3 4圖傜第3 3圖實施形態的部份簡略倒面圖; 第3 5圖俗本發明其他實施形態和第1圖相同的部份簡略 斜視圖第3(5圖偽第35圖的部份電路結構圔·,第37圖傺 本發明其他賁施形態的部份簡略分解斜視圖:第38圔〜 -5- 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 408497 五、發明説明(4 ) 第4 G圖分別傺本發明的再另一實施形態的部份簡略剖面 圖〇 (請先闖讀背面之注意事項再填寫本頁) 以下雖按照附圖所示的多數實施形態説明本發明,但 本發明不只限定於這些實施形態的結構,諒可理解包括 記載於申請專利範圍中的多樣設計變更。 [合適實施形態之掲示] 在第1圖、第2圖雖表示依照本發明的一種實施形態 ,但在本實施形態中在矩形板狀的立體電路基板10的單 面縱橫配設了多數凹部η,在其凹部11的底面或制面等 其他面的一部份或大部份,以裝設3個發光二極體元件 (以下簡稱U Ε I)"晶片)1為宜。 玆説明有關上逑基板10的製造過程如下:使用聚醯亞 胺,聚醚亞胺,聚醯胺,液晶聚合物等電氣絶緣性材料 ,以射出成形形成絶緣基材。且在L E D晶片1的裝設處配 設凹部11等方法形成三維(次元)的立體形狀之絶緣性基 材。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 以鹼脱脂此絶緣基材以後,以電漿處理其表面而實 施表面的活性化及撤細的粗面化。其後乃用濺射或真空 溶敷等在絶緣性基材的表面形成銅、銀、金、鎳、白金 或耙等金屬膜亦即電鍍底層。此金屬層的厚度最好為0.1 〜2 . 0 ( A m )程度。 然而,照射雷射等電磁波而去除上述金屬膜。對於此 雷射而言,最好是第2高次諧波ΐ A G雷射、Y A G雷射、受 激準分子激光器等,藉以電磁鏡掃描雷射光,在絶緣性 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 408497 A7 B7_________ 五、發明説明(t ) (请先閲讀背面之注意事項再填寫本莧) 基材的表面中為形成電路處的電路部12以外的部份,亦 卽,為電路部1 2間絶線空間的非電路部1 3照射,藉於非 電路部13的至少和電路部12的境界領域,按照非電路部 1 3的圖型照射,去除非電路部1 3和電路部1 2間境界領域 的金鼷膜。 其次,供電給電路部12,例如以硫酸銅電鍍液沐浴(硫 酸銅80g/ 1,硫酸180g/ 1,氯,光澤劑)實施銅雷鍍, 或如瓦特沐浴(硫酸鎳2 7 Q g / 1 ,氣化鎳5 G g / 1,硼酸 40g/ 1,光j辜劑)使用如EEJA公司製的商品名Tenpel ex401等實施鎳電鍍或金電鍍,獲得形成了所定厚度的金 靥膜之電路基板,亦卽基板。非電路部13留下的金屬膜 ,即視其需要以軟蝕刻等去除也可以。 在依照上述方法所獲得的基板10凹部11裝設LED晶片1 ,以導電性粘結劑將電路部12和LED晶片1加以電連接 (DiboncO。其後,以金線14接合LED晶K1的上部電極和 電路部12(Wibon(U 。此外,由於將裝設LED晶片1的凹 部11内面U a精製為鏡面,使其兼任度射板之構成,可謀 求高亮度及髙效率化。接箸,在凹部11内填充透明樹脂 封閉LED晶Η 1 。此時最好在基板配設一堰,以防止上逑 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 透明樹脂流出於凹部1 1的外面。最後在基板1 0的表面, 亦即在裝設面安裝由透明樹脂等所構成的擴散板15,而 完成本實施形態的發生二極體照明装置的模件》 如上述將多數fiLED晶Η 1裝設於凹部11内,由於最好 以立體方式配置於使用MID(HOLDEl) INTERCONNECT DEVICE) -7 - 本紙張尺度適用中國國家標準(cns ) a4規格(210x297公嫠) A7 B7 4〇S4g7 五、發明説明(ί〇 (請先閲讀背面之注意事頃再填寫本頁) 的立體電路基板10,故因應基板1Q的形狀可容易獲得任 意的配光持性,同時,較諸將多數分立型發光二極體配 設於基板上的習用例更可達成模件的薄型化。且在所裝 設的LED晶Η 1装設發光色不同的一種以上,最好至少含 有紅、齄、綠三種的多數種LED晶Hi者,即可使各LED 1 的發光色混合,對於模件全體的光線曹現如螢光燈的白 色或白畫光色的微妙色差^ 此外,本賁施形態雖在基板10配設凹部11而形成三維 形狀,但不/只限定於此,例如在基板1 0設置凸部而在該 凸部裝設LED晶片1 ,或因在其他各種三維形狀形成_板 1 0的緣故,以立體方式配置L E D晶Η 1卽可。 而且在第2圖拆除由透明樹脂等所構成的擴散板15表 示,務使能明白裝置全體凹部1 1内的L E D晶片1之排列結 構以至L E D晶片1和電路部1 2的電連接關傺^而且L E D晶 Η ].傜以例如透明樹脂成形,使其容易被容納於凹部1 1 内般形成箸。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 在第3圔表示本發明的其他實施形態,在第3圖的形 態傜將多數(例如10i)feUE!}晶片1裝設於樹脂製的基板 10(例如50X 50mra)表面,同時在基板1G表面形成透明的 丙烯酸樹脂成形層1 0 A ,使能封閉L· E D晶片1 ,並且考慮 被模件化的發光二極體照明裝置30全體的配光,將為實 施發光控制所需作為光學控制手段的徹鏡Η所形成的微 鏡片板2 7加以配置而構成,例如藉由徹鏡Η板2 7設定配光而構 成為,來自發光二極體照明裝置3Q全體的光線之發光角 _ 8 ^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) Α4規格(2!0Χ297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 408497 at B7 五、發明説明(7 ) 度能形成為一 6tr 〜60° 。 如第3圖加上第4圖同時參閲者,在此一場合使用上 述發光二極體照明裝置3 (]的照明器具3 1配設於其器具本 體32的下而,同時在器具本體32的下面覆蓋光滲透性的 蓋子3構成。但在本實施形態將多數LED晶Η排列於i Η 基板].Q上,就可有效率實施配光控制,而Μ使藉由微鏡 片板27與藉由LED晶Η 1的裝設方向控制的配光控制複合 ,就可實施更有效率的配光控制。 在第5圖所示的本發明的其他實施彤態,即在第4圖 的實施形態的發光二極體照明裝置30中,相對與撤鏡片 板2 7封閉L E D晶Η 1的成形層1 G Α形成為另一體,而彫成 為具有在成形層lfl A的表面以球面加工或加工為任意形狀 而控制來自個別L E D晶Η 1的光線配光作為光學式控制手 段的微鏡Μ部27a。其他構成即與第3圖的實施形態實質 上相同。 在此一場合,對於各LED晶片1不使光學式控制手段對 應,也可髟成能同時配光控制來自多數個LED晶片1 (2 値〜任意個數)的光線之光學式控制手段。然而,本實施 、形態的發光二極體照明裝置30的LED晶片1的光線卽由徹 鏡Η部2 7 a,實現如以箭頭符號所示的配光控制。 在本實施形態中,由於在為封閉材料的成形層10A—體 形成微鏡片部27 a,故有光線的損失少,效率良好,而且 容易配光控制多數個LED晶Η 1等優點。 一方面在1 Η基板10裝設多數LED晶Η1 ,例如,即使 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210 X 297公釐) —-------ο裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明(方) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在裝造過程上因所發生的不良或經年劣化而造成不能點 亮一部份的L E D晶Μ 1時,必須更換包括該不點亮L E D晶 片1的基板10全體,頗不方便。 在此如第6圖所示的本實施形態,將幾種顔色的單色 LE丨)晶片(例如紅、緣、藍、黃)la~ld的但合作為一個單 位的模件而為一單元S ,藉組合多數個此種單元S ,以 構成發光二極體照明裝置者為其特徵。 亦即在和第1圖的賁施形態相同方法所形成的Η狀基 板1 0的凹部J 1 ,以矩陣狀配置裝設上逑4色的L Ε I)晶Η 1 a 〜1 d (參閲第7 a圖)。似此將裝設有4色LE D晶片1 a〜1 d的 一個凹部U作為一單元S ,在第6圖的虛線部分按每一 單元用圓鋸加以切斷。接著,藉將被切斷的一單元S再 度裝設於印刷基板等而重新構成模件(參閲第7b圖)。 經濟部中央標準局—工消費合作社印製 如上逑若依照本實施形態者,將裝設於同一凹部11内 包括4偁LED晶H1的一單元S作為一値單位,籍組合多 數値此種單元S而構成發光二極體照明裝置,因在製造 過程往往會發生的不良或經年劣化而致使一部份LED晶Η 1不點亮時,只將包括變成該不點亮LED晶Hi的單元S 更換新品就可以低咸本恢復發光二極體照明裝置。而且 ,若組合混合色或配光特性相異的單元S者,就有得以 簡單構成實現裝飾用發光二極體照明裝置的優點。 在第8圖所示的本發明實施形態中,在MID的基板10裝 設使LED晶H1微震的手段,亦即在本實施形態裝設微機 器部3 8的一點為其特激。 -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0><297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 408497 A7 B7 五、發明説明(9 ) 微機器部38傺由被單面支持一端的三痼樑部38a,和裝設 於其樑部38a上的水晶板38b所構成,在各樑部38a的自由 端附近分別配設了 L E D晶Η 1 。此外,最好在L E D晶Μ 1 的前方配設鏡Η 3 9。 繼而,只對於和第1圔的實施形態不同的部份,說明 本實施形態的基板10的製造過程如下;基板10俗由陶瓷 製成的Μ I I)基板,例如將氧化鋁粉中混合滑劑和樹脂練製 者射出成形,製成所定的形狀,再使其脱脂乾燥,燒結 而製成陶瓷烕形品(成形基板h然後,將此成形基板加 以鹼脫脂,再以電漿處理陶瓷的表面而實施表面的活性 化及撤細的粗面化。接著以濺射或真空溶敷等的適當方 法在陶瓷的表而形成銅、銀、金、鎳、白金、把等金屬 膜(電鍍底層)。此時金屬膜的厚度最好為〇·1〜2.0(/i m) 程度。以下以和第1圖的實施形態相同的方式實施濺射 ,在樑部38a的上面安裝水晶薄板38b,並且在其上實施 LED晶片1的安裝完成發光二極體照明裝置的模件。 然後藉於微機器部38附加電壓,就得以水晶的逆壓電 效果使樑部38 a榣動,可使裝設於樑部38 a上的LED晶Η 1 微振動 然而,賴對於特定L E D晶Η 1給與微振動,就可獲得任 意的混合色或配光特性,而且,若控制因應所附加的電 壓頻率或電平對於L E D晶Η 1給與任意振動的話,就可改 善給人不快感的閃爍持性。 一方面,如欲取代螢光燈而使顯出新光源者,有時需 -1 1 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨0X297公釐) ---------笔—I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 408497 A7 B7 五、發明説明(、。) 要發光近乎太陽的白色光。注目這一點在第9圖的實施 形態即排列發光色不同的LED晶片1 ,構成為混合數種顔 色而製成所需求的顔色,且構成為能混合不同顔色的光 線般籍光學式控制手段實施配光控制。 亦即,被模件化的發光二極體照明裝置3 0 ,在樹脂製 的基板1 0上,以所定間隔排列例如發光Μ色光的L E D晶Η 1 Β ,發光綠色光的L E D晶片1 G ,發光紅色光的L E D晶片 1 R ,發光黃色光的L E D晶Η 1Υ的四値L Ε Β晶片1 ,將分別 對應 LED 晶片 1B、 1G 、 、 1γ 的棱鏡 28β、 28G、
2 8r、2 8γ配置於晶片前方,藉稜鏡2 8 Β、2 8 ^、2 8 R 、2 8 γ配光控制分別來自L E D晶片1B、 1q、 1R、1γ的光線 ,以構成在基板10的中央部混合成白色光ϊί β 在上逑實施形態中,實質上可獲得白色光W ,且可用 於各種的用途。這種場合也可藉由稜鏡等光學式控制手 段來控制配光而可獲得任意的顔色。 在第10圖所示的本發明的其他實施彤態中,形成基板 為使其朝向多數L ίϊ I)晶Η 1的發光方向具有規則性的一點 ,為其特歡,Μ如第10圖所示,形成基板1Q的單面亦即 裝設面,為剖而如同鋸齒狀,分別在各斜而l〇a裝設LED 晶片1 。 一般而言LEi)晶Η 1.對於基板10的裝設方向和發光方向 雖具有規則性,怛藉將Μ I 1)的基板1 Q形成為任意的立體形 狀,就可獲得所需配光或集光特性。 但由於形成已完成的模件,使其被裝設的LED晶Ml方 -1 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 408497 A7 B7 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( Μ ) 1 向 有 規 則 地 能 朝 向 一 方 向 的 緣故,故 光線 i&r m 成 一方向 i ! I 的 配 光 9 實 有 發 效 率 會 轉 好的優點 〇 1 1 而 且 i 若 依 眧 上 述 本 實 施 形態者, 由於 形 成 基 板10為 請 1 先 1 使 其 朝 向 多 數 LO晶 Η 1 的發光方向能具有規刖性的緣故 閱 讀 1 I 故 可 因 辉 VIA' 基 板 1 0 的 形 狀 而 容易控制 配光 持 性 且由於 背 面 1 1 之 1 偽 考 慮 槙 件 體 的 集 配 光 > 所以有利 用率 良 好 的 優點。 注 意 1 # i 更 因 基 板 1 ί] 的 形 狀 而 可 控 制 配光的.緣 故, 故 也 有 不必另 項 再 1 外 裝 設 鏡 片 守 光 學 手 段 的 優 點〇 填 寫 本 裝 此 種 場 合 在 基 板 10 的 表 面形成多 數作 為 光 線 控制手 頁 1 I 段 的 鋸 齒 狀 斜 面 1 0 a也可以, L E D晶片 1被 装 設 在 斜面1 〇 a 1 1 J 使 得 pn 接 合 面 對 於 斜 面 1 0 面能形成為大致上垂直。 1 1 由 於 LK 〇晶片1 朝Ρ η接合面的全體方向放射光線, 故從 [ 訂 LED晶 Η 1 放射的光線對於斜面1 Q a表 面會 成 為 大 略垂直 1 0 在 此 » 斜 商 10 a的表而被形成為互相平行, 藉此多數 1 1 L Ε D晶Η 1 的發光即為互相平行,可從LED 照 明 模 件放射 1 I 平 行 的 光 線 ί 提 高 光 線 的 利 用效率。 1 就 如 上 逑 考 慮 配 設 多 數 値 LED晶片1 時的配光, 由於最 ). 1 好 將 裝 設 L Ο 晶 Η 1 處所的基板表而形成為鋸齒狀等立體 1 I 形 狀 的 緣 故 故 不 必 另 外 裝 設為控制 LED晶 Η 1 配光的光 1 學 手 段 可 有 效 率 地 利 用 L Ε I)晶Hi的光線。 L I 而 且 » 對 於 第 10 圖 所 示 的 實施形態 ,構 成 基 板 1 0或 LED 1 1 RH Η 1 為 如 第 11 圖 所 示 將 裝設於基 板10斜 面 10 a 0勺 LED 1 晶 Η 1 » 則 艏 別 晶 片 1 的 發 生方向不 規則 者 9 能 朝向目 1 I 標 方 向 3 例 如 能 朝 向 某 _» 對 象物集中 的方 向 〇 在 此形態 1 1 1 - 1 3 - 1 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 408497 A7 B7 五、發明説明(π ) 具有某對象物或對象領域時,可顯箸提高配光、集光特 性。 在第12圖再表示依照本發明的其他實施形態。本實施 形態的被模件化發光二極體照明裝置,藉具備著配設有 多數L R I)晶)={ 1的基板1 0本身,為控制各L E D晶片1的配 光而以連接的小凹部構成的光線控制手段1 A ,所以除基 板1 0以外不必另外裝設光學手段即可將L E D晶片1的配 光控制為所需求的配光,能提高LED晶片1的光線利用效 率般被構成< 且在第1 3圖所示的其他實施形態中,具備例如外徑尺 寸俱為大略50Η1Π1的基板10,而研磨該基板10的表面,形 成作為光線控制手段的抛物線曲面l〇b。此基板10的抛物 線曲面IQb也作為反射而作用,在此抛物線曲面10 b上裝 設多數個LED晶Η 1 ,使得對該曲面l〇b的pii接合面(p型 半導體和π型半導體的介面)能成為大略垂直。由於此場 合的LEB晶Mi會朝向pri接合面内的所有方向發光,故從 LED晶Η 1對於抛物線曲面l〇b朝向大略垂直方向放射光 線,形成抛物線曲l〇b為,LED晶Η 1的發光能集中在空 間上的一點。 在第1 4圖所示的本發明的其他實施形態,具備箸:基 板10;以矩陣狀裝設於基板10表面的多數個LED晶Η 1 ; 和形成於相鄰接的L Ε Ε晶片i間的基板1 0表面例如由鋁膜 所形成的反射面部1 〇 c。而且在本實施形態上,雖為戾射 而部](]C使用了反射效率良好的鋁膜,但不必將度射面部 -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!0X297公釐) ------------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .11 408497 A7 B7 五、發明説明(〇 ) l〇c限定為鋁膜,使用鋁膜以外的銀等高皮射率金屬材料 也可以。而a ,若作為反射而部1 〇 c的材料使用絶緣物者 ,即可避免構成L E D晶Η 1或L E D晶Η 1點亮電路的配線 圖型(未圖示)和反射面部1 Q c短路的危險性。 通常LED晶片1 ,藉由對於pri接合面流動順方向的電流 ,在pn接合而移動電子時發光,其發光方向即成為pri接 合面内的所有方向。從而,在基板.1 <3配設L E D晶Η 1的場 合,務使ρη接合面對於基板1Q的表面能成為大略垂直, 從L E D晶H L不僅[1:於基板Q的前面倒,光線也被放射到 和基板1Q平行的方向,或朝向基板10背面的方向。因此 ,如第14圖的實施形態般只將基板10表面形成為立體形 狀者,欲有效地利用丨」Ε1)晶的發光自然有限。在此藉 將從LE1)晶Η 1朝向和基板1〇大略垂直方向所放射的光線 作為光線控制手段的度射面部IQc而朝向所需求的方向反 射,不僅是從L E D晶片1放射到基板1 0前而倒的直接光線 而已,而且可利用從LED晶Η 1朝向和基板10略呈垂直方 向放射的光線,提高LED晶Η1的發光利用效率,可充份 提高被模件化的發光二極體照明裝置的亮度。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ----------ο裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此外,也得以立體或形成反射商部1 0 c,使得可朝向所 需求的方向反射來自晶Η 1的光線。且可形成度射面 部]0 c,使得從L !ί I)晶片1放射於基板1 0前面側的直線光 線,和藉由反射部1. 0 c的反射光分別朝向不同方向放射亦 可,可増加發光二稱體照明裝置的配光變化。 在上述第14圖的實施形態雖將LED晶Μ 1的發光反射於 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) Α4规格(210X297公釐) 408497 Μ _ΒΊ_ 五、發明説明() 所需求方向的反射面部i〇c形成於基板10的表面,但在第 1 5 a圖〜第1 5 d圖所示的本發明其他實施形態,則採用以 形成於基板10表面的LED晶片1之點亮電路的配線圔型兼 用反射而部l〇c之構成。 此場合如第15a圔所示在基板10的表面,形成了構成 L E 1)晶Η〗的點亮電路配線圖型的鍍鎳層〗.7、1 7。在鍍鎳 層1 7、1 7的端部形成由鍍金所成的端子部1 8、 1 8 , L E D晶 片〗的Ρ型半導體、η型半導髏使用焊錫或導電性糊漿 分別裝設於蹁子部18、18。更如第15b圖所示,介在著鍍 錁層1 7而朝向順方向串聯三橱L E D晶Η 1 ,又裝設了 3組 由眈3個l,ED晶Ml所組成的單元20。然而,介在箸短路 部2丨互相短路各單元20兩端的鍍錁層17,形成互相並聯 被串聯3個LED晶Η 1的電路。 此一場合的LED晶片1 ,ΡΤ1接合面被裝設得能和基板10 的表面大略正交(垂直相交),在裝設LED晶的基板10 周圍,越離LED晶片1就越突出於基板10的前面側般形成 了傾斜的一斜面1 0 a ,形成於斜面1 Q a表面的鍍鎳層1 7即 朝向所需求的方向反射L E D晶Η 1的發光。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 如上述茌本實施形態的發光二極體照明装置中,因藉 由構成配線圆型的鍍鎳層兼用箸反射面部的緣故,故不 需要另外形成反射板等,不必考慮反射面部和配線圖型 的接觸而可實施雷路設計,提高設計的自由度。此外, 作為被模件化的整個發光二極體照明裝置為增加由鍍鎳 層17反射的反射光線,將基板10表而的#導通部2 2的面積 -1 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 408497 A7 _B7_ 五、發明説明(d ) 設定為最小限度的而積,增加鍍鎳層17的面積即可。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第lti圖所示的本發明的實施形態,在HID的基板10 形成多層的凸部28,使整個基板10成為如中央部向上脹 出的所謂塔狀或螺旋形狀,在此凸部28的各層分別配設 多數個L E D晶Η 1的一點,為其特徵〇 基板1 〇俗使用形成為塔狀的模具射出成型。此外,由 於有關此後的製程和第1圖的實施形態共通,故說明從 略。但在基板1Q裝設LED晶Hi以後就不篑施藉以合成樹 脂的封閉。/ 一方面若因通電而LED晶Η 1的溫度上昇者,即LED晶 Η 1附近的空氣被加熱而發生上昇氣流,由於沿著基板 】〇的凸部28空氣上昇的同時,從基板10的下方流進溫度 低的空氣,故等於奪走LED晶片1的熱而被冷卻。 如上逑在本實施形態中,在MID的基板10形成多層的凸 部28,使整體基板1!1成為所謂塔狀或螺旋形狀,藉由在 此凸部2 8的各層分別配設了多數値L E D晶片1 ,以空氣的 氣流亦即對流使發自L E I)晶Η 1的熱發散,就可防止L E D 晶Η〗的溫度上昇。藉此,可抑制L E D晶Η 1的發光效率 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 薛 封 將 因 體 極ο 二 命光 壽發 用型 使立 其分 長的 延有 可就 a 來 ,向 低在 降, 的商 度方 亮 一 或 色設 角裝 的板 H基 鏡在 演過 扮不 而 。 形線 彈光 炮射 為照 成向 形方 脂全 樹的 氧度 Q 環 6 J 3 了 Η上 晶 D 致 Ε I 大 如可 例 , 射 照 向 方 圍 周 金 朝 成 造 蔽 遮 板 基 被 時 體 楝 二 。 光難 發困 數線 多光 本紙張尺度適用中國國家標牟(CMS ) Α4規格(210X297公釐) 408497 A7 87_ 五、發明説明(4 ) 但在第17圖的本實施形態,在MID基板10的表裏兩面分 別形成多數凹部3 6 ,在各凹部3 6的底商裝設L E 15晶K 1的 一點為其特徵,藉此可將光線照射於基板10周圍的大約 令方向。比外,由於基板1 〇的製造方法和第1圖的實施 形態共通,故説明從略。 若依照上述本實施形態者,即在基板10的表裏兩面分 別形成多數凹部36,藉在各凹部35的底面裝設LED晶Μ 1 ,故可朝向大略金方向照射光線,可像和以往的螢光燈 或白熾燈相JWI使用。而且可増大對於基板1 0該L E D晶Η 1 的裝設密度,而提高金體的亮度,更有所謂增大配光設 計自由度的優'點 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 並目由於LO晶片1會朝向ρη接合而内所有方向發光 ,故將LED晶片1配設於基板上,使得ρη接合而和基板 10的表商大略故正交的場合,儘管檢討各種基板的形狀 或L ΕΠ晶片ΐ的裝設方向,但因為由基板10遮蔽從LED晶Η 1 朝向基板10側的光線,所以要完全利用LED晶Hi的發光 實有困難。但在第18画所示的本發明的其他實施形態即 對於裝設L E D晶Η 1的基板1 0材料使用透光性樹脂,採取 了利用使自L E D晶片1放射到基板1 G側的光線透過基板1 0 的背面御之構成。 亦卽,由透明的兩烯酸樹脂形成的基板1 0 ,和配設於 基板1 fl上,使得Ρ η接合面能對於基板1 D的背而約略正交 的L E D晶片3 ,和為保護I, E D晶片1而形成於基板1 0表面 的透明封閉材料2 3所構成。此一場合雖基板1 0的材料使 ™ 1 8 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 408497 A7 B7 五、發明説明(V ) 用了丙烯酸樹脂,但不必限定基板1 0的材料為丙烯酸樹 脂,使用丙烯酸樹脂以外的聚碳酸酷樹脂等透明樹脂也 可以。 然而,如上所述藉由其基板1β及封閉材料23使用具有 透光性的材料,從L E D晶Η 1放射到基板1 〇側的先線乃透 過基板1 〇,而從基板1 〇的背面放射於外,從L E D晶Η 1放 射到基板1G前而側(亦即、封閉材2 3惻)的光線,即透週 封閉料2 3放射於外。因此,藉由透光性樹脂所形成的基 板1 Q本身構減光線控制手段,加上從L E D晶Η 1放射到基 板1 0前而価的光線,連放射於基板1 Q側的光線也可利用 ,自可提高L ϋ D晶片1的光線利用效率。此外,在本實施 形態雖將基板1. 0 f髏由透明樹脂所形成,但以透明樹脂 R形成裝設於L E D晶K 1的基板1 Π部位也可以。 並且,為要電連接裝設於蕋板1 0上的L Ε 1)晶Η 1 ,和形 成於基板1 Π的配線圖型,必需在L E D晶Η 1裝設例如由鋁 等金屬材料所組成的電極部,雖以焊接線連接此電極部 和基板1 0的配線圖型,但由於形成於L E D晶片1的電極部 不會透過光線的緣故,故此電極部乃遮蔽LED晶Η 1的發 光,有發生所謂陰影部份的問題。相對地在第1 3圖所示 的本實施形態,對於為供電給L 〇晶Η 1的電極部使用具 有透光性的透明導電髏,採取防止I, E D晶Μ 1發光被遮蔽 的構成〇 然而,由不透過光線的樹脂製基板1 〇,和形成於基板 1 η表而的電極部2 4 ,和裝設於電極部2 4上的多數L E D晶片 -1 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210 X 297公釐) ---------%丨| (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 408497 A7 _B7__ 五、發明説明(‘ Μ 1 ,及裝設於多數LED晶HI上面的電極部24 a所構成, 電極部24、24a都由屬於透明導電體的IT0(Inciiii(H- Tin 0 x i d e )所形成。此時多數L E I)晶片1的η梨半導體1 a即分 別被電建接到各一方電極部2 4 , p塑半導體1 b即分別被 電建接到他方電極部2 4 a ^而& ,電楝部2 4被電連接到形 成於基板〗G的配線圖型(未圃示),電極部2 4 a介由焊接線 (未圖示),被電連接到基板1 fl所形.成的另外的配線圖型 。E !)晶Η 1即介在著電極部2 4、2 4 a被電氣連接到配線 圖型。而&在鄰接的L E I)晶Η 1間的基板1 〇形成了突起 1 0 c,從L E D晶Η 1的ρ η接合介而所放射的光線即由基板 ί 0的突起1 fl c反射,被放射到所需求的配光方向。 此時由於其為電連接L E D晶片1和配線圖型的電極部使 用了電極部24、24a的緣故,故LED晶Η 1的發光不被電 槔部2 4、 2 4 a遮蔽,提髙m)晶Η 1的光線利用效率,故 可減少發光的損失。 此外在本實施形態雖然電極部2 4、2 4 a使用了 ί Τ 0 ,但 電極部2 4、2 4 a並不限定為I Τ 0,使用I Τ 0以外的 C T 0 ( C a d m〗1丨m - ]’ i η ο X i d e )等透明導電體也可以。而且, 藉其基板10使用具有透光性的基板,自可防止由基板10 遮蔽LED晶片】的發光,進而,提高LO晶片1發光的利 闬效率。 一方而,L R I)晶Η就在Ρ型半導體1 a和Ν型半導體b 接合介商的電子移動時發光,雖在包括接合介而的平面 内朝向金方向照射光線,但光線被對於基板10的LED晶Η -2 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
408497 A7 B7 五、發明説明(〇 ) 1之裝設方向或鐵線(網絲線)14遮_蔽,受制於光線的照射 方向受限制,或恐怕會産生陰影(參閲第20圖 此時在本宵施形態即如第2 1 a圖、第2 1 b圖所示,使P 型半導體1 a和N型半導體I b能對於基板1 0的裝設面約略 垂盲排列般配設L 晶片1的一點,為其特徽。由於其他 的結構和第1圖的實施形態相同,故説明從略。 在此_如第2〗a圏、第2 ] b圓所示.,裝設L E D晶Η 1的部 份較諸周圍被形成為格外地高在此兩側形成襯墊3 3 ,這 毕襯塾33和J」K 1)晶Η 1的Ρ _半導體1 a及Ν型半導體1 b的 連接係以焊錫或導電性粘結劑施行。在I比由於將.L ED晶Μ 1 裝設於形成為格外高的部份,故可防fb上述連接時的短 路事故。此外,L Ο晶Η 1最好例如為η . 3 ( m m )的立方體 者。 如上述若依據本實施形態者,藉使P型半導體1 a和N 型半導體1 b能對於基板1 0的裝設而約略平行排列般配設 了 L K [)晶Μ 1 ,使得兩者的接合面變成和基板1 ΰ的表面約 略正交,由於使發自LED晶Ml的光線對於基板1Q朝垂直 旳方向照射,故光線不會被鐵線(銷絲線)14遮蔽而産生 陰影,自可提高LED晶H1的發光效率。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} ' 此外,如第2 2 a、第2 2 b圖所示,在輪廊(f i 1 1 e t )部份 配設凹處3 3 Λ,即使在此凹處3 3 A内以導電性粘結劑等接 合LED晶片i ,亦可防止在電連接時發生上述短路。 因此,藉使P型半導體1 a和N型半導體1 b對於基板1 0 的裝設而能約略窀育地排列般配設了 L E D晶Η 1 , L E D晶 "21- 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 408497 A7 B7 五、發明説明(% ) Η )的發光方向就可對於基板10約略呈垂直,鐵線(綱絲 線)14的陰影消失而可增大LED晶Ml的發光效率。 第2 3圖所示的本發明的其他實施形態偽由基板1 0,和 形成於基板1 〇表面凹處〗.d d所配設的L E D晶Η 1所構成, 在形成有凹處l〇d的基板10處,形成了貫通基板10表裏而 為光線控制手段的貫通孔1 〇 e ^ L R D晶Η 1即將Ρ η接合商能對於基板1 0的表而形成為 約略垂直般被配置,丨」E D晶Η 1的η型半導體1 a和Ρ型 半導體1 h , 分別被電連接到形成於基板1 0的配線_型 (未圖示)。由於從L E D晶片1朝向ρ η接合面内的所有方 向放射光線,故ί. E D晶Η ί的一部份發光被放射到基板 i η的表商側,由於L E D晶Η 1的剩餘發光經由貫通孔1 0 e 放射到基板G的背而側,故可將光線放射到基板1 0的表 裏兩而。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此使Ρ η接含而能與基板1 Ο的表面約略平行般配設於 基板1(1的表而,藉使用組合發自PH接合而的發光被基板 ί 0反射而放射到基板1 0前面制的I」E D晶Η (未圖示),和 以第2 3圖所示的方向裝設基板1 0 ,將光線放射於基板1 0 背而側的L Ε 1)晶片〗,就可將光線放射到基板1 0的表裏 兩商。 此外,在貫通孔1 〇 e的内壁塗敷反射狀,防止來自l/E I) 晶Η 1的光線被基板1 0吸收。 並Μ,由於L Ε 0晶Κ 1的發光通常是單色光,故為要獲 得如陽光的白色光時,必需混合多數發光色 者慮此點 _ 2 2 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 408497 A7 B7 五、發明説明(>1 ) 而在第2 4 a圖、第2 4 b圖所示的實施形態,則利用螢光體 的發光,藉由混合L E D晶Η 1的發光和螢光體的發光,使 獲得白色光。 亦卽,由基板1 〇 ,和形成於基板1 〇表面的凹處1 〇 d,和 塗敷於凹處10(1表商的螢光體25,及裝設於凹處10d内的 L Ο晶片1.所構成。 如第24b_所示螢光體25的發光光譜(第20圖的P ), 並不是和UI)晶Η 1.的發光光譜(第2 4 b的0 )相同的發光 光譜,由於兩者的發光光譜不同,故藉由在裝設LED晶Η 1的基板10處塗敷螢光體25,而混合LED晶HI的光線和 螢光體2 5的光線,就可獲得和L S Ϊ)晶Η〗光線不同的光線 ,端視螢光體2 5的光線或可獲得白色光。此時由於L E D晶 Η 1和螢光體2 5的發光亮度不同,故為調整兩者的發光 亮度而將合適的濾波器(未圖示)裝設於LED晶Κ1的表面 也可以。而且,因在L Ε Ϊ)晶Η 1的發光色和螢光體2 5的發 光色之間有密切的關傺,故為控制作為整宿發光二極體 照明裝置之發光色,其LED晶片1使用發光紫外線者或發 光紅外線者卽可。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第2 5圖表示本發明的其他實施形態,本實施形態即 在基板1 Π的背面(和裝設置的相反面)裝設作為包括L E D晶 片1的電路基體之金屬板1δ,在使露出於凹部11底而的 金屬板(例如銅板)〗6上裝設L E D晶片1 ,構成為藉以金屬 板U使L Ε 1)晶Η 1所發生的熱有效地放熱為其特徵。此夕卜 ,由於有關其他結構實質上和第1圖的實施形態相同, -2 3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐} 408497 央 標 準
合 在 印 製 A7 B7 經 濟 五、發明説明 ( >-> ) 1 Ί 故 對 於 和 第 1 _ 的 構 成 相 同 的 構 成 要 素 在 第 2 5 圖 附加 同 1 1 1 一 符 號 而 错 略 説 明 〇 1 1 接 著 就 本 實 施 形 態 的 基 板 1 0 之 製 造 過 程 , □ 説明 和 請 1 | 先 1 第 1 圖 的 實 施 形 態 相 異 點 如 下 〇 將 a.iV: 趣 合 的 大 小 9 形狀 的 閱 讀 1 1 金 屬 板 ]6 裝 入 模 具 中 m 捅 入 射 出 成 型 形 成 m niL-i 緣 基 材。 對 之 1 於 電 氣 絶 線 性 材 料 就 和 第 1 圖 的 實 施 形 態 相 同 使 用聚 醯 注 意 1 事 1 亞 胺 5 聚 酸 胺 1 聚 _ 陵, 液 晶 聚 合 物 等 〇 金 屬 板 1 6預 先 項 再 1 m 板 .金 加 X 機 械 加 工 、 化 學 的 蝕 剌 等 構 成 為 立 體形 狀 碧 寫 也 可 έι 〇 - 頁 1 1 在 此 * 和 成 形 同 時 從 裝 設 LED晶片1 的凹部1 1底面使金 1 I 屬 板 1 0 露 出 7 或 Μ 由 俟 成 形 後 使 用 雷 射 或 琢 磨 去 除該 成 1 1 形 樹 脂 而 使 金 騰 板 16 從 上 述 底 而 露 出 〇 以 鹼 脱 脂 其絶 緣 ! 訂 1 I 性 基 材 以 後 為 使 金 屬 板 1 6 活 性 化 » 在 其 表 面 實 施 化學 謎 刻 〇 接 著 f 以 電 漿 處 理 絶 緣 性 基 材 的 表 面 實 施 其 表面 的 1 1 活 性 化 及 撒 細 的 粗 而 化 〇 以 下 和 第 1 圖 的 實 施 形 態相 同 1 1 j 形 成 金 屬 層 而 形 成 電 路 部 12以 及 非 電 路 部 Ϊ 3 9 最後 在 1 1 凹 部 11 内 裝 設 L· Ε D晶Η】 且以透明樹脂封閉, 在基板1 0 1 的 裝 設 面 安 裝 擴 散 板 1 5而 J *_1 兀 成 發 光 —- 極 m 照 明 裝 置的 模 i I 件 1 如 丄 依 據 本 賁 施 形 態 者 > 藉 由 將 金 屬 板 1 6 作為 電 1 路 的 共 通 基 盤 , 而 在 金 m 板 1 0 裝 設 !」E D晶Η 1 使金屬板1 6 1 I 和 1 E D晶Η 1 苜接接觸, 可Μ金屬板] β有效地發熱消除從 1 i L E Π晶Μ 1 發生的熱。 因此, 可防礙L ED 晶 片 1 的 溫度 上 1 1 舁 J 而 抑 制 發 光 效 率 或 度 的 降 低 > 且 可 延 長 LE D晶K 1 1 I -2 4 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1 A7 ^08497 B7 五、發明説明(4 ) 的使用壽命》 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如第2 fi圖所示本發明的其他實施形態,在裝設於基板 10的Ϊ,ΕΙ)晶Η 1的周圍配設由金屬等所構成而反射光線用 的放熱板1 ,使反射板兼用L E D晶片}.的放熱用放熱板 1 fi Λ的一點,為其特撒(同時参閲第2 7 _)。此外,由於就 其他構成和第1,阃的實施形態實質上相同,故對於和第1 圖同樑的結構要素在第2 e圖、第2 7國共通的部份乃附加 同一符號而説明從略。 接著,就.本賁施形態的基板1 〇之製造過程,只設明和 第1圖的實施形態相異點如下:將適當的大小、形狀的 放熱板(例如銅板)1 6 A裝入模具中,以***射出成型形成 絶線性基材。電氣絶線性材料即和實施形態柑同使用聚 曙亞胺、聚酿亞胺、聚醗胺、液晶聚合物等。放熱板1 6 A 形成為預先藉由板金加工、機械加工、化學蝕刻等能成 為反射板般的立體形狀(具體上裝設l· E D晶Η 1的凹部1 6 B 為多數被配設的形狀 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 將此絶緣性基材加以鹼脱脂以後,為使放熱板1 6 Α活性 化而化學蝕刻其表面接箸,將絶綠性基材的表面加以 雷漿處理而實施其表面的活.性化及徹細的粗面化。以下形成 金屬層而形成電路部1 2以及非電路部1 3 ,最後在放熱板 1 fi A的凹部1 6 B内裝設L R D晶Η 1 ,且以透明樹脂封閉,因 將擴散板15安裝於基板10的裝設面的緣故,自可完成發 光二極體照明裝置的模件。 如上所述若依據本實施形態者。藉於L E D晶片1的周圍 _ 2 5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4規格(210Χ297公釐) 4〇S4d7 A7 B7 五、發明説明(4 ) 配設兼仟反射板的放熱板1 s A ,使放熱板1 G A和L E D晶Η 1 首接接觸,藉以放熱板16Α可有效地放熱消除從LSD晶片1 發生的熱。藉此可阻礙L F, I)晶Η 1的溫度上昇,而抑制發 光效率或亮度的降低,目可延長L Ε I)晶Η 1的使用赛命^ 如第28國所示的本發明其他實施形態,在表面裝設凹 凸作為放熱體的金屬板21之單面形成Mil)基板10,在形成 於此蕋板1 〇表而的凹部1 1内的底面及側面裝設L E D晶Κ 1 ,這一點為其待徵。 繼而,就沐實施齡態基板1 〇的製造過程簡單説明如.下 ;在表而形成凹凸,例如以銅板所構成的金屬板2 1裝入 模具中_以***射出成型形成基板至於電氣絶緣性 材料就和第】圖的實施形態相同使用聚耱亞胺、聚睡亞 胺、聚醯胺、液晶聚合物等。金屬板21即預先藉由板金 加工、機械加工、化學蝕刻等形成具有凹凸的立體形狀( 具體上多數形成裝設晶Η 1的凹部1 1 )。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將上述成形基板加以鹼脫脂後,為使金屬板2 1活性化 而將表面加以化學腐蝕。接箸,以電漿處理絶綠性基材 的表而而實施表而的活性化及撤細的粗面化。以下形成 金鼷層而形成雷路部〗2以及非電路部1 3。然而,最後在 基板1 0的凹部1 1内裝設L R 1)晶Η 1且以透明樹脂封閉,因 將擴散板1. 5安裝於基板]_ί)的裝設而而完成發光二極體照 明裝置的模件。 如上所述转依據本實施形態者,因在表商配設凹凸而 増加金屬板2〗的表而積的緣故,自可有效地放熱消除從 --2 R - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ^08497 at B7 五、發明説明(< ) I, Ιΐ η晶Η 1發生的熱。藉此可m礙丨,E11晶片1的溫度上昇 ,而抑制發光效率或亮度的降低,也可延長L E I)晶片1的 使闬壽命。 如第2 S圖所示的本發明的其他實施形態,乃以具備可 接皭L E D晶片中至少一部份的放熱翼片2 5的一點,為其持 擻。放熱翼Η 2 5傜以鋁預鑄而成,裝入金屬模具中籍捅 入射出成型和基板1 G —體形成。其電氣絶緣性料卽和第 1圖的實施形態同樣使用聚醛茆胺、聚醚亞胺、聚醑胺 、液晶聚合.物等。 將此成型基板加以鹼脱脂以後,為使放熱翼片2 5活性 化而將表而加以化學蝕刻。其次,以電槳處理絶緣性基 材的表面而實施表而的活件化及徹細的粗面化。其後形 成金屬屬而形成電路部12以及非電路部13。最後在基板 】η的凹部]}内裝設L 〇晶片i且以透明樹脂封閉,因在基 板IQ的裝設面裝配擴散板15而完成發光二極體照明裝置 的模件。在此乃使放熱翼片25能接觸裝設在凹部11内的 L R Π晶Η 1 —部份般所裝設者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上逑若依照本實施形態者,薛將接觸於I, E D晶Η 1中 牵少一部份的放熱翼Η 2 5和基板1 Q —體成型就可藉放熱 翼Η 2 5有效地放熱消除從丨,E D晶Η 1發生的熱。藉此可闸 礙LO晶Hi的溫度上舁,而抑制發光效率或亮度的降低 ,Η也可延長L E D晶Μ 1.的使用諄命β 如第3 〇圖所示的本發明的其他實施形態,即在Μ I D的基 板單商以縱横配設多數凸部26,在此凸部26的頂點裝 -2 7 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X !297公釐) 408497 A7 B7五、發明説明(4 ) 設了 LKD晶片;c ,型 胺成 亞出 酿射 聚藉 f Ϊ 胺料 亞材 11性 聚緣 用絶 使氣 稈電 過的 造等 製物 的合 Π 聚 1 Ηΐ 板晶 基液 述 、 上胺 在醯 聚
•ί Ε L 通 在成 而形 然内 6 〇 2 材部 基凸 性在 緣 , 絶時 成同 形的 而2R 部 凸 成 形 處 設 裝 的 Η 晶 孔 面射 表濺 其以 理藉 處 , 漿後 電其 以 C -化 後而 以粗 fel日 旳 脫細 0 撤 以及 加化 材性 基活 牲的 縯而 絶表 此施 將實 而 鎳電 /等 金射 、 雷 銀射 、照 銅 , 成著 形接 面 0 表丨 的 材 基 性 緣膜 絶鼷 在金 等身 附 網 熔或 空.金 真白 或 、 層 底 鍍 電 其鍍 。電 膜銅 屬施 金實 的浴 域浸 領液 界鍍 境銅 的酸 部硫 路以 電如 和例 部 , 路部 電路 非電 除給 去電 而供 波 , 磁次 〇 0 設 ο b - C 1 6 裝板 H26 ΛΪ i·^ 基 部 卽#凸 y 放0£ 板入板 0 搖 S TTt; —^i ττΐ. 路 ci 的 電26得 的孔獲 度過所 厚通法 定的方 所26逑 成部上 形凸由 得於賴 權成在 而形 在 而 然 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 部 路 電 合 接 電 劑)0 結合 粘接 性模 電f 0T1 以Η t晶 銷 熱 女 Ε 方 L 括合 包接 '^線 屬 金 以 後 -ΓΙΝ 其 Η 晶 Η和 晶b) 上 合 接 線 Η 晶 造 構 的 E L 面 有射 設反 裝任 將兼 藉為 ,作 外.而 此面 α鏡 丨為 裝 精 而 部斜 路圍 雷周 和2G 極部 eBl r«L, 部的 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 封 脂 樹 明 透 以 0 次 其 □ 化 率 效 高 及 度 亮 高 求 謀 BT 就 片 晶 D E L 閉 透 由 裝 安 而 設 裝 即 亦 而 表 的 ο 11 板 基 在 後 最 體 栩 二 光 發 的 態 形 施 實 本 成 完 板 散 擴 。 的件 成模 構的 所置 脂裝 樹明 明照 施 實:U 本與 照少 侬至 若設 逑裝 上内 π ο ¢. 1 板 者 匕11··' 育 M 晶 基 而b, 下26 的銷 1 熱 M放 晶的 Rn觸 L接 於I is部 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 408497 五、發明説明(π ) 可藉以放熱銷2 6 b有效地放熱消除從L E D晶片1發生的熱 。藉此可附礙丨」E1)晶Η 1的溫度上昇,而抑制發先效率或 亮度的降低,而且也可延長ί, E D晶片1的使用壽命。 如第3 ί圖所示的本發明的其他實施形態,乃以在多數 凹部11.形成於單而的Η I D基板1 I)相反倒面裝設阽銅的金屬 _ 1 9 ,將此金屬體1 9的樽電層】.9 a做為丨」E D晶Η 1的基體 層,同時將構成用於控制丨晶Η 1的發光之控制電路的 Ϊ C、電附、電容器等電路元件亦即晶Η零件1 9 Α裝設於金 屬體1. 9的絶緣層1 9 b的一點,為其特徴。此外,由於有關 其他結構和第〗圖實施形態實質上柑同,故與第1圖相 同的結構要素在第3 1圖即只附加同一符號而説明從略。 玆就本實施形態基板10的製造過程簡單說明如下;首先,在簿 模内藉捅入射出成型而形成金屬體1 9的絶緣層。至於電 氣絶線層即和第]圖的實施形態相同使用聚醯亞胺、聚 _亞胺、聚®胺、液晶聚合物等。將絶緣層加以鹼脱脂 以後,再以電漿處理絶緣層的表而實施表而的活性化及 微細的粗而化。其後,形成金屬層並形成電路部1 2以及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 體 C 的 屬之11 金閉部 的封凹 而脂於 底樹設 11明裝 部透閉 凹以封 loa脂 板 1 樹 基片明 於晶透 出ED以 露ΐ中 在2態 二形 後aj施 1319實 部靥本 路電眈 電導在 非的 型 圖 線 , 3 後 < 以路 1 電 Η 的 晶路 形 層法 緣方 絶成 的形 9 ,’ 1 槩 體圖 鼷種 金此 在 。 為丨 電 制 控 成 形 刷 印 用 採 乃 何錫 任焊 中以 法藉 案 , 圖後 射成 雷形 或案 法圖 刻路 蝕電 、逑 光上 曝在 的 , 法而 方然 成 〇 形以 般可 一 都 板種 基 一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X29?公釐) 408497 A7 _B7_ 五、發明説明( 裝設1C、電阻、電容器等電路元件亦卽晶Μ零件20而完 成發光二栎體照明裝置的模件。 如上狨般若依據本實施形態者,藉以在***成型於基 板1 0的貼銅金靨體1 9導電層】9 a裝設L Ε I)晶Η 1作為基地 層,使金屬體1 ί)和l ε η晶Η 1直接接觸而藉金屬體1 s可有 效地放熱消除從L E D晶片ί發生的熱。藉此可限礙L E D晶 片ί的溫度上昇,而抑制發光效率或亮度的降低,且也 可延長L R [)晶片1的使用壽命。並且,藉於金屬體1 9的絶 緣層1 9 h裝學用於控制L E D晶Μ 1發光的控制電路等電路 元件2 0,可達成模件的小型化,同時,也可謀求對於噪 音的電路元件2 Q加以遮蔽的優點。 如第32圖所示的本發明的其他實施形態,對於在單面 形成多數凹部1 I的基板1 <3 ,裝設貫通裝設L Ε !)晶片1的上 述凹部3 Π和基板1 0背而側的通風用貫通孔2 6的一點,為 其特微。 當成梨此Μ Τ丨)的基板1 0時形成貫通孔2 6。有關以後的過 稈因和第1圔的實施形態相同故省略其說明。但在基板 1 Π的凹部1〗裝設L E D晶Η〗後,並無實施藉由合成樹脂的 封閉。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而,因通電而f」E F)晶Μ〗的溫度上舁者,L E D晶片1 附近的空氣即被加熱而發生上昇氣流。藉此,透過貫通 孔2 6從基板1 〇的相反制流入溫度低的空氣,1, E D晶片1的 熱便奪走而冷卻掉。 如上所逑的本實施形態中,藉裝設貫通裝設有L E D晶Η 1 -3 0 - 本紙浪尺度逋用中國國家標準(CNS > A4规格(210 X 297公釐) 408497 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( >9 ) \ 的 凹 部 1 1和 基 板 10背 面側 的 通 風 用 貫通 孔2 f 以 空氣 1 1 1 的 氣 流 (對流)使 從 L R D晶Η 1 發生的熱發散而可防丨 ED 1 1 晶 片 1 的 溫 度 上 昇 〇 藉此 > 可 抑 制 LED晶 Η 1 的發光效率 ,—'V 請 1 1 先 1 或 度 的 降 低 > 目. 也 可延 長 使 用 壽 命β 閱 讀 1 1 在 第 3 3 圖 第 3 4 圖 所示 的 本 發 明 實施 形態 ; 體形 成 背 1 I 之 1 I τ -以 立 jcLtlti m 方 式 裝 設 LF !)晶 Η 1 的Μ I I)的基 板10 B和可撓基板 注 意 1 1 1 η C以構成撓彎或祈彎自如的基板J D為其特徵。 Ψ 項 再 1 在 此 僅 就 和 第 1 圖 的實 施 形 態 不 同的 部份 » 説 明本 實 1 本 I 施 形 態 基 板 -1 0的 製 造 過程 〇 將 預 先 形成 電路 的 聚 鹺亞 胺 頁 、f 1 1 製 可 撓 基 板 1 0 C裝入鑄模中, 藉射出成型將可橈基板I 0轉 1 1 I 錄 為 成 m 品 〇 而 Ά 在 裝設 有 L Ε Ϊ)晶片].的部份形成成型品 1 1 的 厚 實 部 亦 即 凸 部 4 3 〇此 外 考 慮 彎曲 而將 上 逑 厚實 部 1 訂 1 0 1)之間仍以可撓基板i d C留 下 〇 而 且樹 脂的 封 閉 也只 在 1 1 fi D晶片1 周邊實施, 考慮析彎可撓板1 0 c時 不 使 封閉 部 1 1 直 接 彎 曲 9 製 成 以 m .ΤΗ. 體基 板 易 於 Si。 將該 成 型 基板 加 1 1 以 驗 脱 脂 後 實 施 和 第 1圖 的 實 施 形 態相 同的 過 程 rr~t *=is* ifrl τϋ 成 [ 1 某 板 in 0 ) 1 如 上 所 述 若 依 據 本 實施 形 態 者 > 乃一 體形 成 以 立體 方 1 | 式 裝 設 L E 1)晶片1 的Μ ΪΪ1的 基 板 ί 0 B和可撓基板1 fl C ,藉構成 Γ 撓 Hi. 或 祈 彎 白 如 的 基 板1 0 可 白 由 自在 地祈 彎 基 板10而 i 使 能 容 易 改 變 配 光 特 性。 加 上 利 用 基板 1 0的 W 性 而不 使 1 | 用 螺 柃 等 m 可 容 易 使 其安 裝 於 例 如 照明 器具 的 機 殼等 〇 1 I 第 3 5 圖 所 示 的 本 發 明的 其 他 的 實 施形 態, 即 如 第1 圖 1 I 的 實 施 形 態 所 示 > 將 在多 數 凹 部 1 1分別 裝設 了 多 數個 1 1 I -31- 1 1 [ 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210 X 297公釐) A7 B7 408497 五、發明説明(料) LED晶Η 1的蕋板]f),以包括所定個數之I. E I)晶片1的尺寸 單位沿0線設定為切斷自如的一點為其特徽。此外與基 板10等基本結構和第1圖的實施形態實質上相同,對於 第1圖相同結構的元件在第35圖附加同一符號而說明從 略。 如第3 fi圖所示對於本實施形態的電路,以所定的個數 逐一串聯裝設於基板1(1的LED晶的間時,經由電胆R1 將各串聯霜路連接在電源線路L 1和開關元件Q 1的集電極 之間,經由/電附R2將眈開關元件U的發射極連接於接地 線路L 2 ,並月.,分別經由·各電阻R 3、R 4將關關元件Q ]的 基栎連接於電源線路U和接地線路L 2而構成。此外,在 電源線路丨,1 -接地線路丨,2之間附加直流電壓I) C。
接箸,在上逑L Κ β晶Η 1的串聯電路間的適當切斷處A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 0 要 需 以 得 為 成 βΡ I , 的 如化 自元 斷單 切此 能在 為。 便元 ο 10單 板1 基Η 數 數 個 ti 片 晶 以 得 晶輸 ED應 L 丨因 ο 者 /V^ 出輸 般 燈 光 螢 成 形 bb 會 管 燈 的 應 對 能 若 設 配 ο 板 基 在 好 最 且 而 0 便 方 艮 yTl· 卽 上 ίι > 理 處 作 操 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 法 方 造 製 的 板明 基説 關其 有略 於省 由故 外同 此相 〇 態 斷形 切施 易實 容的 便圖 .第 溝和 L 為以 的斷得 數切 Η: ! Q 個 1 , 定板率 所基效 括將有 包可頗 以,而 藉如因 , 白 , 者斷用 態切使 形為寸 施成尺 實構的 本位度 據IF-明 依寸照 若尺需 逑之所 上 1 得 如Η獲 晶能 部 凹 少 〇 至 點成 優形 的數 本多 成板 低基 降在 求是 謀其 可尤 有者 而明 ο Τ 發 板本 基述 成上 製照 位侬 單若 大 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 408497 五、發明説明(W ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 或凸部的一方,同時由於在上述各凹部或凸部分別配設 ί牵多數發光二樺體元件,故可容冕獲得任意的配光, 同時,且有可薄型化的效果。 在第3 7 _所示的本發明的其他實施形態,乃是將排列 裝設L R!)晶Η 1而以樹脂封閉蕋板1 〇配置於作為光學式控 制手段的丙烯酸樹脂製長方體狀導光體2 9的一側而之構 成。 導光體29偽在和配置上逑基板10的一侧面正交的另一 側而的表面配置了印刷反射圖形1 0 f的反射圖形Η 1 0 g P而巨,為有效地使來自L E I)晶片1的光線入射於導光體 29内般,以反射板(未圖示)覆蓋而安裝設有LKD晶Η 1的 基板丨〇表而倒。反射圖形片1 0 g傜以白色印刷反射圖形 1 Π f,被構成為可實施仟意的配光,乃製成其度射圖形 lf)f為圓形,越接近甚板10其密度就越疏,而越遠離基板 1 〇卽越密。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 然而,出自U η晶Η的光線入射到導光體2 9内,藉以 反射圖形1 0 f等多重反射而從和反射圖形Η 1 〇 g相對向邊 制如箭頭符號所示般射出。在此,由於茌導光體2 9内多 熏反射的光線會形成均勻的亮度分佈,故可抑制L E D晶Η 1的売度不勻 此外,反射圖形1 〇 f直接印刷在導光體2 9的表而亦可, 除印刷以外以附帶溝加工等使其亂皮射也可以。此一 場合由於光線的出射從導光體;ί 9的兩側商實施,故可使 其提高光線效率。 -33" 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210><297公釐) 408497 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) i 而 目. > 以 封 閉 基 板 1 fl 表 而 的 封閉樹脂 料 一 體形 成 導 光 1 1 I um 體 2 9也 可 以 <5 Ά > 所 使 用 的 1,0晶 Η 1 雖可用單色, 但 1 1 使 用 發 光 色 不 同 的 多 數 禪 i, F D晶Η 1亦可, 此一場合藉由 請 1 先 1 m. 光 幽 2 f 内 部 的 多 電 射 > 容 易混合光 線 t 而可 獲 得 任 閲 讀 1 I 意 的 顔 色 〇 背 面 1 I 之 1 構 成 如 上 逑 的 本 W 施 形 態 者 ,由於配 光 控 制以 導 光 atm m 注 意 1 I Ψ 1 本 身 就 可 達 成 9 故 消 失 光 源 的形象, 即 使 混合 顔 色 時 項 再 1 ΐ 亦 不 必 逐 一 控 制 來 商 tin 早 一 L Ε η晶片1的發光,實有可错 寫 太 % 略 導 光 _ 2 9以 外 光 學 式 控 制 手 段的優點 0 頁 1 I 如 第 38 圖 所 不 本 發 明 的 其 他 實施形態 ί 對 於第 3 3 圖 1 1 I 第 3 7 圖 的 實 施 形 能 所 固 定 配 置 的光學式 捽 制 手段 其 實 1 1 施 形 態 被 設 定 為 可 動 的 光 學 式 控制手段 亦 即, 發 光 二 1 訂 橱 體 照 明 裝 置 3 0稱 由 基 板 1 0 ;形成於 基 板 1 〇的 凹 部 1 1 B 1 内 所 S 列 的 紅 色 N 線 色 N 藍 色 的各LED晶Η 1 Η " 1 G 1 1 1 封 閉 用 成 型 層 10 A ; 作為被固定的配光控制用光學式控 1 I 制 手 段 之 稜 鏡 板 2 7 c ; 和在此稜鏡板2 7 C 的 前 方朝 和 基 板 1 1 in 平 行 的 而 方 向 轉 動 自 如 地 配 置的同一 形 狀 之稜 鏡 板 2 7 d ) 1 所 構 成 〇 1 1 鈇 而 > 藉 使 稜 鏡 板 2 7 迴轉, 控制排列於基板1 0 的 LED 晶 片 1 R、 、 rB 伞體的配光而可使混合顔色的程度變 化 〇 此 時 作 為 1 R D晶Η 1 排列單色者也可以。 1 1 而 η 1 在 第 ^ 8 圖 的 實 施 形 態 中2片稜 鏡 板 2 7 c Λ 2 ?(1内 1 1 構 成 為 使 方 2 7 (i能廻轉, 但兩κ都可轉動般裝設也可 1 1 以 〇 更 以 可 動 的 稜 鏡 板 一 Η 構 成光學式 控 制 手段 也 可 以。 1 I 如 第 3 9 圖 所 示 本 發 明 的 其 他 實施形態 > 在 基板 1 〇以 多 1 i -3 4 - 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中夬襟隼局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) I 數 棑 平 行 排 列 了 剖 面 略 呈 盲 角 三 角 形 突 部 的 斜 而 1 0 a , 在 1 1 I 各 突 部 斜 面 1 C a的傾斜商徘列L E C 晶 Η 1 而 在 裝 設 的 階 段 1 1 控 制 D晶Η 1 的配光, 在此前方和基板1 〇平行的而能轉 請 1 j 先 1 動 如 地 配 置 了 微 鏡 板 2 7 作 為 一 鏡 片 部 之 構 成 〇 閱 讀 1 背 1 似 此 在 本 實 施 形 態 即 如 上 逑 的 稜 鏡 板 2 7 般 作 為 光 面 [ 之 I 1 學 式 控 制 手 段 至 少 使 用 一 可 動 者 9 藉 由 作 動 此 光 學 式 控 注 意 1 ( 事 1 制 手 段 可 任 改 變 配 光 > · 使 得 使.用 者 可 在 設 置 場 所 容 項 再 1 易 實 施 所 需 求 的 配 光 控 制 〇 從 而 1 組 裝 發 光 二 極 體 照 明 η 本 I 裝 置 3Π所 構 .成 的 照 明 器 具 , 改 變 配 光 時 9 不 必 改 變 照 明 頁 1 1 斯 具 本 身 的 方 向 〇 1 I 在 第 4 0 _ 所 示 本 發 明 的 其 他 實 施 形 態 中 , 藉 由 得 以 立 1 1 JU1I m 形 狀 成 m 的 Μ I 0基板所構成的基板1 〇 , 控制L ED 晶 Η 1 1 訂 i \ 的 裝 設 方 向 , 同 時 也 可 控 制 以1)晶片1 的配光方向之構成 〇 m 此 9 m 由 和 稜 鏡 板 2 7 等 光 學 控 制 手 段 組 合 而 得 以 正 1 1 確 的 配 光 控 制 〇 1 I 此 時 用 於 Hi 丨)棊板的樹脂材料, 雖然任何樹脂材料都可 1 1 以 ·» 但 取 好 是 基 板 的 電 氣 特 性 或 放 熱 特 性 將 優 的 材 料 ♦ ) 1 在 本 實 施 m 態 即 使 用 了 液 晶 聚 合 物 〇 而 且 9 和 第 3 8 圖 的 1 I 實 施 形 態 相 同 5 在 剖 面 以 直 角 角 形 狀 設 一 突 部 使 成 為 1 % __. 雒 形 狀 > 使 得 以 配 光 方 向 能 裝 設 LE D晶Η 1 般* 構成為 |Q 以 前 逑 突 部 的 斜 而 10 a作為裝設而。 1 [ 若 依 據 上 述 本 發 明 者 y 總 而 言 之 在 m 板 多 數 形 成 凹 1 1 部 或 凸 部 中 至 少 —. 方 同 時 ·> m 由 在 上 述 各 凹 部 或 凸 部 1 I 分 別 配 設 1 牵 多 數 發 光 二 極 Μ曲 體 元 件 J 就 可 容 易 權 得 任 意 1 I 配 光 的 同 時 1 可 理 解 得 以 逹 成 薄 化 l 1 -3 5- 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ^^8497
五、發明説明(X 蓉考符號説明 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 U】B ,】G ,】_R,]Y ..... la... ..n型半導體 lb... ..p型半導體 3…· .蓋子 1 η ..基板 1 0 d , 3 3 A.....凹處 1 0 e .. ...貫通孔 1 0 f .. ...反射圖形 1 ng .. ...反射圖形Η 10a,. ...斜而 i n c.. ...相反而部 11,11 Β , 1 G Β.....凹部 1. 2… ..雷路部 1 3 ... ..非電路部 14.*, ..鐵絲線 15... ..擴散板 1 0 A… ...成形靥 16,21 .....金臑板 1 6 A .. ...放熱板 1 7… ..鍍鎳層 18... ..端子部 19,.. ..金屬體 1 R a .. ...導電層 3 G - ---------% 1 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格(21〇X 297公釐) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 408497 A1 B7 五、發明説明(V ) ]9b . ....絶線履 1 9 A . ——晶H零件 2 0.. oc* —* .卑1 Tt; 2 4,2 4 a.....電極部 2 5.. ...螢光體,放熱 翼 Η 2 6.. ...凸部 2 6b. ....放熱銷 2 7.. ...微鏡板 28b ? 2 ,2 Sj^ 2 8 y 稜鏡 2 9… ...導光體 2 7a. ——徹鏡片部 2 7c, 27d.....稜鏡板 2 G a _ ....通渦孔 30.. ...發光一極髏照 明 裝 置 3 K . ...照明器具 3 2.. ...器具本髏 3 3 .. ...襯墊 3 3 A . ——凹處 3 8,. ..·微機器部 38a, ....樑部 ;^8b . ——水晶板 -37 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 408497 A8 B8 CS DS 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專來 範 ‘圍 1 . 一 種 發 光 二 極 •腊 i leu )照明裝置, 乃具備箸 多 數個 1 1 1 L E D 晶 Η ;裝設多數® L ED ΪΗ m Η 的 基 板 和 裝 設於前 述 1 1 蕋 板 > 用 於 控 制 前 逑 各 D晶片配光的光線控制 手段, 請 1 先 1 其 特 徽 為 閱 讀 1 I 光 線 控 制 手 段 至 少 在 裝 設 L Ε I)晶片部位的基板 表商包 背 面 1 I 之 1 I 含 凹 部 及 凸 部 的 __- 明 .5^?. 立 部 者 〇 注 意 1 I 事 1 2 ·如 串 請 專 利 範 圍 第 1 項 的 發 光 二 極 體 昭 明 裝 置, 其 中 項 再 1 前 述 基 板 偽 以 樹 脂 成 型 電 路 基 板 所 構 成 者 〇 寫 Q 本 I 3 .如 申 請 專 m 範 圍 第 1 項 的 發 光 ' 極 體 照 明 裝 置, 其 中 頁 1 I 在 前 逑 多 數 橱 LED晶片包含發光色不同的1 以上 種類的 1 1 I L E D晶Μ者。 1 1 4 ·如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 的 發 光 二 椟 體 照 明 裝 置, 其 中 1 訂 使 能 以 前 述 多 數 値 LED晶Η的發光方向具出規則 性般, 1 構 成 前 述 基 板 者 〇 1 ! 5 .如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 的 發 光 二 極 體 照 明 裝 置, 其 中 1 I 在 刖 逑 基 板 形 成 多 層 的 同 時 > 使 中 央 部 能 脹 出般所 設 1 I 置 者 Ο ) 6 .如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 的 發 光 二 極 ΜΒΜ 體 照 明 裝 置, 其 中 1 I 在 前 逑 基 板 的 兩 而 形 成 前 逑 光 線 控 制 手 段 中 至少形 成 1 | 為 一 部 份 的 凹 部 及 凸 部 中 至 少 其 一 者 〇 ji 7 .如 申 m 専 利 範 圍 第 1 項 的 發 光 二 極 m tl-W, 照 明 裝 置, 其 中 1 I 前 逑 光 線 控 制 手 段 傺 以 由 透 光 性 材 料 所 形 成 的基板 本 1 1 身 構 成 否 〇 1 i 8 .如 串 請 專 利 範 圍 第 7 項 的 發 光 二 槿 脾 0S 照 明 裝 置, 其 中 ) 1 I ™ 2 8 ™ 1 1 1 1 本紙乐尺度適用中國國家操準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A8 B8 C8 D8 408497 六、申請專利範圍 對於前逑LEI)晶Η的供電用電極部俗以透明導電體所構 成者。 % 9.如申請專利範圍第〗.項的發光二極體照明裝置,其中
TW087119454A 1997-11-25 1998-11-24 LED illuminating apparatus TW408497B (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32355197A JP3505985B2 (ja) 1997-11-25 1997-11-25 Led照明モジュール
JP32355097A JP3454123B2 (ja) 1997-11-25 1997-11-25 Led照明モジュール
JP32262697A JPH11163412A (ja) 1997-11-25 1997-11-25 Led照明装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW408497B true TW408497B (en) 2000-10-11

Family

ID=27339927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW087119454A TW408497B (en) 1997-11-25 1998-11-24 LED illuminating apparatus

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6331063B1 (zh)
EP (1) EP0921568B1 (zh)
DE (1) DE69841798D1 (zh)
TW (1) TW408497B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6809475B2 (en) 2000-06-15 2004-10-26 Lednium Pty Limited Led lamp with light-emitting junctions arranged in a three-dimensional array
US7320632B2 (en) 2000-06-15 2008-01-22 Lednium Pty Limited Method of producing a lamp
US7704762B2 (en) 2002-06-14 2010-04-27 Lednium Technology Pty Limited Lamp and method of producing a lamp
TWI511298B (zh) * 2013-03-14 2015-12-01 Nthdegree Tech Worldwide Inc 互連爲電路之三端印刷裝置

Families Citing this family (232)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6127783A (en) * 1998-12-18 2000-10-03 Philips Electronics North America Corp. LED luminaire with electronically adjusted color balance
DE19921684B4 (de) * 1999-05-12 2006-01-19 Vossloh-Schwabe Optoelectronic Gmbh & Co. Kg Beleuchtungselement mit Halbleiterchips
DE19922361C2 (de) * 1999-05-14 2003-05-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul für Anzeigeeinrichtungen
WO2000079605A1 (en) * 1999-06-23 2000-12-28 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
DE19931689A1 (de) * 1999-07-08 2001-01-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Optoelektronische Bauteilgruppe
AT407464B (de) * 1999-07-23 2001-03-26 Chip & Byte Datentechnik Ges M Verfahren zur bestückung von leiterplatten mit leuchtdioden
CN100426050C (zh) * 1999-07-26 2008-10-15 拉博斯费尔株式会社 体积型透镜、发光体、照明器具及光信息***
JP3798195B2 (ja) * 1999-08-12 2006-07-19 ローム株式会社 チップ型発光装置
US6712486B1 (en) 1999-10-19 2004-03-30 Permlight Products, Inc. Mounting arrangement for light emitting diodes
EP1113506A3 (en) * 1999-12-28 2005-03-16 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
CN1169436C (zh) 2000-04-21 2004-10-06 拉博斯费尔株式会社 威吓装置
AUPR570501A0 (en) * 2001-06-15 2001-07-12 Q1 (Pacific) Limited Led lamp
DE10031303A1 (de) 2000-06-27 2002-01-10 Arnold & Richter Kg Beleuchtungsvorrichtung mit lichtemittierenden Dioden (LED), Beleuchtungsverfahren und Verfahren zur Bildaufzeichnung mit derartiger LED-Beleuchtungsvorrichtung
DE10033502A1 (de) * 2000-07-10 2002-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
DE10041328B4 (de) 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
US6614103B1 (en) 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
DE10043660A1 (de) * 2000-09-05 2002-03-14 Volkswagen Ag Kfz-Leuchte mit LEDs
DE10044158C2 (de) * 2000-09-06 2003-04-10 Vossloh Wustlich Opto Gmbh & C Beleuchtungsvorrichtung in Form einer Reflektorlampe mit Halbleiterchips als Lichtquelle
JP3556916B2 (ja) * 2000-09-18 2004-08-25 三菱電線工業株式会社 半導体基材の製造方法
DE10063876B4 (de) * 2000-12-21 2009-02-26 Continental Automotive Gmbh Aus einer Vielzahl von Leuchtdioden bestehende Lichtquelle
DE10102585A1 (de) * 2001-01-20 2002-07-25 Philips Corp Intellectual Pty Farbige Beleuchtungseinrichtung
US6891200B2 (en) * 2001-01-25 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units
JP2002246650A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Agilent Technologies Japan Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US6661578B2 (en) * 2001-03-02 2003-12-09 Innovative Solutions & Support, Inc. Image display generator for a head-up display
US6798931B2 (en) * 2001-03-06 2004-09-28 Digital Optics Corp. Separating of optical integrated modules and structures formed thereby
US6611000B2 (en) 2001-03-14 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lighting device
JP4401037B2 (ja) * 2001-04-03 2010-01-20 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE10129950A1 (de) * 2001-06-21 2003-01-02 Hella Kg Hueck & Co Leuchte für Fahrzeuge und Verfahren zur Herstellung derselben
US6578986B2 (en) 2001-06-29 2003-06-17 Permlight Products, Inc. Modular mounting arrangement and method for light emitting diodes
JP4067802B2 (ja) * 2001-09-18 2008-03-26 松下電器産業株式会社 照明装置
JP4067801B2 (ja) * 2001-09-18 2008-03-26 松下電器産業株式会社 照明装置
JP3968226B2 (ja) * 2001-09-20 2007-08-29 松下電器産業株式会社 発光ユニット用ジョイント基板
US20030063465A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Mcmillan Richard K. Etched metal light reflector for vehicle feature illumination
US7048423B2 (en) * 2001-09-28 2006-05-23 Visteon Global Technologies, Inc. Integrated light and accessory assembly
CN100386888C (zh) 2001-10-01 2008-05-07 松下电器产业株式会社 发光元件及使用它的发光装置
US6851841B2 (en) * 2001-11-28 2005-02-08 Toyoda Gosei Co., Ltd. Illumination device
US6635557B2 (en) 2002-03-15 2003-10-21 Neumann Information Systems, Inc Halogen doped solid state materials
JP3968566B2 (ja) * 2002-03-26 2007-08-29 日立電線株式会社 窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体ウエハ並びに窒化物半導体デバイス
US20080009689A1 (en) * 2002-04-09 2008-01-10 Benaron David A Difference-weighted somatic spectroscopy
DE10225919B3 (de) * 2002-06-11 2005-04-21 Siemens Ag Optisches Modul und optisches System
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
DE10245892A1 (de) 2002-09-30 2004-05-13 Siemens Ag Beleuchtungseinrichtung zur Hinterleuchtung einer Bildwiedergabevorrichtung
JP3682449B2 (ja) * 2002-10-07 2005-08-10 正義 干野 照明ランプ
US6957899B2 (en) * 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US7213942B2 (en) * 2002-10-24 2007-05-08 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US7314289B2 (en) * 2002-11-27 2008-01-01 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Luminaire providing an output beam with a controllable photometric distribution
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US7338820B2 (en) * 2002-12-19 2008-03-04 3M Innovative Properties Company Laser patterning of encapsulated organic light emitting diodes
KR100504180B1 (ko) * 2003-01-29 2005-07-28 엘지전자 주식회사 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법
DE10303969B4 (de) * 2003-01-31 2008-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung mit einem Leuchtdiodenträger und einer Mehrzahl von Leuchtdioden
EP1448031A1 (en) * 2003-02-13 2004-08-18 Yang, Pi-Fu Concave cup printed circuit board for light emitting diode and method for producing the same
US20080102726A2 (en) * 2003-03-12 2008-05-01 Balu Jeganathan Lamp and a process for producing a lamp
EP1465256A1 (en) * 2003-04-03 2004-10-06 Micro Photonics Technology A method of producing a light source and a light source assembly
US7073618B1 (en) 2003-07-01 2006-07-11 Polaris Industries Inc. Flush mounted taillight
DE20311557U1 (de) * 2003-07-26 2003-10-16 Neuhorst Paul Heinrich Leuchte für Beleuchtungszwecke
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7329024B2 (en) 2003-09-22 2008-02-12 Permlight Products, Inc. Lighting apparatus
US7102172B2 (en) 2003-10-09 2006-09-05 Permlight Products, Inc. LED luminaire
JP4458804B2 (ja) * 2003-10-17 2010-04-28 シチズン電子株式会社 白色led
US20050094416A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-05 Schmitz Roger W. Light source structure
US7898821B2 (en) * 2003-12-10 2011-03-01 Nokia Corporation Apparatus and arrangement for shielding a light emitting diode against electrostatic discharge
JP4654670B2 (ja) * 2003-12-16 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US7128438B2 (en) * 2004-02-05 2006-10-31 Agilight, Inc. Light display structures
WO2005091392A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-29 Phoseon Technology, Inc. Micro-reflectors on a substrate for high-density led array
JP4754850B2 (ja) * 2004-03-26 2011-08-24 パナソニック株式会社 Led実装用モジュールの製造方法及びledモジュールの製造方法
TWI240127B (en) * 2004-05-05 2005-09-21 Quanta Display Inc A backlight module having a lens array
US8188503B2 (en) 2004-05-10 2012-05-29 Permlight Products, Inc. Cuttable illuminated panel
KR100586968B1 (ko) * 2004-05-28 2006-06-08 삼성전기주식회사 Led 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치용 백라이트어셈블리
US8294166B2 (en) 2006-12-11 2012-10-23 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
US20070295975A1 (en) * 2004-06-25 2007-12-27 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-Emitting Device
KR20060000544A (ko) * 2004-06-29 2006-01-06 삼성전자주식회사 표시 장치용 백라이트, 표시 장치용 광원, 광원용 발광다이오드
CN100510512C (zh) 2004-08-06 2009-07-08 皇家飞利浦电子股份有限公司 光学引擎
JP4659414B2 (ja) * 2004-09-01 2011-03-30 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びそれを用いる発光制御システム
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
JP4635551B2 (ja) 2004-10-06 2011-02-23 ソニー株式会社 カラー液晶表示装置
US20100096993A1 (en) * 2004-11-29 2010-04-22 Ian Ashdown Integrated Modular Lighting Unit
US20070273290A1 (en) * 2004-11-29 2007-11-29 Ian Ashdown Integrated Modular Light Unit
JP2008522378A (ja) * 2004-12-03 2008-06-26 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明装置
CA2592055A1 (en) * 2004-12-27 2006-07-06 Quantum Paper, Inc. Addressable and printable emissive display
TWI245440B (en) * 2004-12-30 2005-12-11 Ind Tech Res Inst Light emitting diode
DE102006002275A1 (de) 2005-01-19 2006-07-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
US7525248B1 (en) 2005-01-26 2009-04-28 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp
US7535028B2 (en) * 2005-02-03 2009-05-19 Ac Led Lighting, L.Lc. Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp
JP2006252958A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Sharp Corp 照明装置、及びこれを備えた液晶表示装置
CA2603382A1 (en) * 2005-03-12 2006-09-21 3M Innovative Properties Company Illumination devices and methods for making the same
CN100433380C (zh) * 2005-04-11 2008-11-12 新世纪光电股份有限公司 具有发光二极管的白光发光装置及其应用
DE102005017206A1 (de) * 2005-04-14 2006-10-19 Carl Zeiss Jena Gmbh LED-Modul zur Beleuchtung eines Objekts
JP4650085B2 (ja) * 2005-04-27 2011-03-16 ソニー株式会社 バックライト装置及び液晶表示装置
US7918591B2 (en) 2005-05-13 2011-04-05 Permlight Products, Inc. LED-based luminaire
US7989827B2 (en) * 2005-05-19 2011-08-02 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Multichip light emitting diode package
TW200642109A (en) * 2005-05-20 2006-12-01 Ind Tech Res Inst Solid light-emitting display and its manufacturing method
JP4548219B2 (ja) * 2005-05-25 2010-09-22 パナソニック電工株式会社 電子部品用ソケット
US8272757B1 (en) 2005-06-03 2012-09-25 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation
US7980743B2 (en) * 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
TWI284775B (en) * 2005-08-09 2007-08-01 Delta Electronics Inc Illumination system and illumination module thereof
US7311420B2 (en) * 2005-08-22 2007-12-25 Avago Technologies Ecbuip Pte Ltd Opto-electronic package, and methods and systems for making and using same
DE102006033893B4 (de) 2005-12-16 2017-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung
CN103925521A (zh) * 2005-12-21 2014-07-16 科锐公司 照明装置
TW200725104A (en) * 2005-12-23 2007-07-01 Innolux Display Corp Backlight module and liquid crystal display using the same
DE102006004581A1 (de) * 2006-02-01 2007-08-09 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Licht-Modul, Licht-Mehrfachmodul und Verwendung eines Licht-Moduls oder Licht-Mehrfachmoduls zur Beleuchtung oder Hinterleuchtung
US7667383B2 (en) * 2006-02-15 2010-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source comprising a common substrate, a first led device and a second led device
KR100738933B1 (ko) * 2006-03-17 2007-07-12 (주)대신엘이디 조명용 led 모듈
TWI270725B (en) * 2006-03-17 2007-01-11 Innolux Display Corp Light source array, backlight module and liquid crystal display
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
WO2008010130A2 (en) * 2006-07-18 2008-01-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Composite light source
US7943952B2 (en) * 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US8525402B2 (en) * 2006-09-11 2013-09-03 3M Innovative Properties Company Illumination devices and methods for making the same
US8581393B2 (en) * 2006-09-21 2013-11-12 3M Innovative Properties Company Thermally conductive LED assembly
TWI301183B (en) * 2006-10-04 2008-09-21 Lite On Technology Corp Light device with a color mixing effect
US7714348B2 (en) * 2006-10-06 2010-05-11 Ac-Led Lighting, L.L.C. AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism
US8018424B2 (en) * 2006-10-19 2011-09-13 Au Optronics Corporation Backlight device with zone control
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
KR20080048112A (ko) * 2006-11-28 2008-06-02 삼성전자주식회사 발광 다이오드와 이를 구비한 백라이트 유닛 및액정표시장치
JP2008140704A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Stanley Electric Co Ltd Ledバックライト
CA2708978C (en) * 2006-12-11 2016-03-15 Tir Technology Lp Luminaire control system and method
BRPI0720213A8 (pt) * 2006-12-11 2016-11-29 Tir Tech Lp Método e aparelho para controle digital de um dispositivo de iluminação.
US7534010B2 (en) * 2006-12-28 2009-05-19 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Backlight module
US20080171181A1 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Molex Incorporated High-current traces on plated molded interconnect device
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP5132960B2 (ja) * 2007-03-19 2013-01-30 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法及び光源
TWI351115B (en) * 2007-05-18 2011-10-21 Everlight Electronics Co Ltd Light-emitting diode module and the manufacturing method thereof
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US7972031B2 (en) * 2007-05-31 2011-07-05 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Addressable or static light emitting or electronic apparatus
US8133768B2 (en) * 2007-05-31 2012-03-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8456393B2 (en) 2007-05-31 2013-06-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8889216B2 (en) * 2007-05-31 2014-11-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US20080295327A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-04 3M Innovative Properties Company Flexible circuit
WO2008152561A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-based luminaire with adjustable beam shape
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
DE102007044567A1 (de) 2007-09-07 2009-03-12 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Beleuchtungseinrichtung mit mehreren steuerbaren Leuchtdioden
DE102007044566A1 (de) 2007-09-07 2009-03-12 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Beleuchtungssystem
EP2191191A1 (en) * 2007-09-17 2010-06-02 Wissenlux S.r.l. Led illuminating device
US9135837B2 (en) * 2007-11-16 2015-09-15 Intellectual Discovery Co., Ltd. Illumination assembly having multiple reflective cavities each with a single emitter
US8167674B2 (en) * 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
KR100999161B1 (ko) * 2008-01-15 2010-12-07 주식회사 아모럭스 발광 다이오드를 사용한 조명장치
JP5463447B2 (ja) * 2008-01-18 2014-04-09 三洋電機株式会社 発光装置及びそれを備えた灯具
US8637883B2 (en) * 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
KR100999162B1 (ko) * 2008-03-24 2010-12-07 주식회사 아모럭스 발광 다이오드를 사용한 조명장치
JP5236070B2 (ja) * 2008-05-13 2013-07-17 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト Ledアレイ
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
WO2010003134A2 (en) 2008-07-03 2010-01-07 Masimo Laboratories, Inc. Protrusion, heat sink, and shielding for improving spectroscopic measurement of blood constituents
DE102008031432B4 (de) * 2008-07-04 2011-07-28 odelo GmbH, 71409 Leuchte
US20100025699A1 (en) * 2008-07-30 2010-02-04 Lustrous International Technology Ltd. Light emitting diode chip package
US8630691B2 (en) 2008-08-04 2014-01-14 Cercacor Laboratories, Inc. Multi-stream sensor front ends for noninvasive measurement of blood constituents
US20100067240A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 John Selverian Optical Cup For Lighting Module
US8328390B2 (en) * 2008-10-09 2012-12-11 Phoseon Technology, Inc. High irradiance through off-center optics
DE102009025564A1 (de) * 2008-10-21 2010-05-20 Siemens Aktiengesellschaft Beleuchtungsanordnung mit einem LED-Array
FR2940679B1 (fr) 2008-12-31 2016-06-10 Finan Trading Company Systeme d'eclairage a diodes electroluminescentes.
US20090128042A1 (en) * 2009-01-05 2009-05-21 Jlj. Inc. Gold or silver plated wire leads on christmas lights
US20100184241A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Edison Opto Corporation Method for manufacturing thin type light emitting diode assembly
US8576406B1 (en) 2009-02-25 2013-11-05 Physical Optics Corporation Luminaire illumination system and method
EP2237328B1 (en) * 2009-03-31 2017-08-02 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component
WO2010135994A1 (zh) * 2009-05-27 2010-12-02 弘元科技有限公司 照明***以及用于发光二极管的多晶封装结构的制造方法
DE102009023854B4 (de) * 2009-06-04 2023-11-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP4996653B2 (ja) * 2009-07-10 2012-08-08 三共化成株式会社 成形回路部品の製造方法
JP5848246B2 (ja) * 2009-07-15 2016-01-27 リングデール インコーポレーテッド 掲示板照明システム
BR112012001312B1 (pt) 2009-07-24 2021-02-02 Philips Lighting Holding B.V. sistema de iluminação
US10290788B2 (en) * 2009-11-24 2019-05-14 Luminus Devices, Inc. Systems and methods for managing heat from an LED
TWI381137B (zh) * 2009-12-16 2013-01-01 Foxsemicon Integrated Tech Inc 照明裝置
TWM389350U (en) * 2010-01-26 2010-09-21 Jmk Optoelectronic Co Ltd Light source module of light-emitting diode
KR101641860B1 (ko) * 2010-05-12 2016-07-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 어레이, 조명장치 및 백라이트 장치
US8550647B2 (en) 2010-06-15 2013-10-08 Micron Technology, Inc. Solid state lighting device with different illumination parameters at different regions of an emitter array
KR101053633B1 (ko) 2010-06-23 2011-08-03 엘지전자 주식회사 모듈식 조명장치
KR101216084B1 (ko) 2010-06-23 2012-12-26 엘지전자 주식회사 조명장치 및 모듈식 조명장치
KR101057064B1 (ko) 2010-06-30 2011-08-16 엘지전자 주식회사 엘이디 조명장치 및 그 제조방법
KR101053634B1 (ko) * 2010-07-02 2011-08-03 엘지전자 주식회사 엘이디 조명장치 및 그 제조방법
CN102959320B (zh) * 2010-07-08 2017-03-15 皇家飞利浦电子股份有限公司 引线框led照明组件
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
CN104681694B (zh) * 2010-08-18 2017-08-08 晶元光电股份有限公司 发光装置
WO2012061183A2 (en) 2010-11-03 2012-05-10 3M Innovative Properties Company Flexible led device for thermal management and method of making
US9698563B2 (en) 2010-11-03 2017-07-04 3M Innovative Properties Company Flexible LED device and method of making
CN103190204B (zh) 2010-11-03 2016-11-16 3M创新有限公司 具有无引线接合管芯的柔性led器件
JP4940359B1 (ja) * 2011-01-17 2012-05-30 Dowaエレクトロニクス株式会社 発光素子と発光素子および半導体素子の製造方法
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US9716061B2 (en) * 2011-02-18 2017-07-25 3M Innovative Properties Company Flexible light emitting semiconductor device
TWI444088B (zh) * 2011-03-11 2014-07-01 Nat Univ Tsing Hua 不具色分離現象之彩色發光二極體顯示裝置
WO2012167800A1 (en) * 2011-06-10 2012-12-13 Martin Professional A/S Mechanichal color mixing device
US20130039074A1 (en) * 2011-08-08 2013-02-14 Yi Ding Led Luminaire with Convection Cooling
WO2013025402A2 (en) 2011-08-17 2013-02-21 3M Innovative Properties Company Two part flexible light emitting semiconductor device
CN102956627B (zh) * 2011-08-30 2015-04-29 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
DE102011112710A1 (de) * 2011-09-07 2013-03-07 Osram Ag Beleuchtungsvorrichtung
CN104040735B (zh) 2011-10-06 2017-08-25 皇家飞利浦有限公司 半导体发光器件的表面处理
DE102012202102A1 (de) * 2012-02-13 2013-08-14 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit Volumenstrahler-LED-Chips auf einem gemeinsamen Substrat
US9166116B2 (en) 2012-05-29 2015-10-20 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting device
JP5903193B2 (ja) * 2012-06-20 2016-04-13 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 照明特性を有する音響パネル
US8664681B2 (en) * 2012-07-06 2014-03-04 Invensas Corporation Parallel plate slot emission array
KR101188748B1 (ko) * 2012-07-18 2012-10-09 지스마트 주식회사 투명전광판 및 그 제조방법
CN102760730A (zh) * 2012-07-20 2012-10-31 歌尔声学股份有限公司 发光二极管装置
TWM450828U (zh) * 2012-12-14 2013-04-11 Litup Technology Co Ltd 熱電分離的發光二極體模組和相關的散熱載板
KR102099814B1 (ko) * 2013-01-25 2020-04-13 루미리즈 홀딩 비.브이. 조명 조립체 및 조명 조립체를 제조하기 위한 방법
US20140208689A1 (en) 2013-01-25 2014-07-31 Renee Joyal Hypodermic syringe assist apparatus and method
US9275978B2 (en) 2013-03-14 2016-03-01 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Three-terminal printed devices interconnected as circuits
JP2014187309A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュール及び照明装置
CN104110646A (zh) * 2013-04-18 2014-10-22 展晶科技(深圳)有限公司 广角多色温led灯泡
DE102013221644A1 (de) * 2013-04-30 2014-10-30 Tridonic Gmbh & Co Kg LED Modul mit konkavem Träger
DE102013214237A1 (de) * 2013-07-19 2015-01-22 Osram Gmbh Beleuchtungseinheit mit optoelektronischem Bauelement
CN103928594A (zh) 2014-03-21 2014-07-16 京东方科技集团股份有限公司 一种发光装置
KR20150124531A (ko) * 2014-04-28 2015-11-06 삼성전자주식회사 배열된 점광원들을 이용한 면광원
DE202014102430U1 (de) * 2014-05-23 2015-05-27 Bernd Mitecki Leuchtvorrichtung umfassend mindestens eine Halbleiterlichtquelle und Fassadenleuchtvorrichtung mit mindestens eine Halbleiterlichtquelle
CN106796003B (zh) * 2014-09-09 2019-06-21 深圳市客为天生态照明有限公司 一种类太阳光谱led结构
WO2016070346A1 (zh) * 2014-11-05 2016-05-12 袁志贤 一种高效散热的装饰led灯
FR3036916B1 (fr) 2015-05-26 2017-06-16 Valeo Vision Dispositif d'interconnexion moule mid comprenant au moins un composant electronique et procede de montage
WO2017054233A1 (zh) * 2015-10-02 2017-04-06 魏晓敏 Led模组及led发光设备
US10199533B2 (en) 2015-12-21 2019-02-05 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device
FR3047941B1 (fr) 2016-02-24 2019-11-29 Valeo Vision Systeme d'eclairage pour l'habitacle d'un vehicule automobile
WO2018053772A1 (zh) * 2016-09-23 2018-03-29 深圳市客为天生态照明有限公司 一种类太阳光谱led灯珠结构
CN109716014B (zh) * 2016-09-23 2021-03-30 深圳市客为天生态照明有限公司 一种类太阳光谱led灯珠结构
US10043956B2 (en) 2016-09-29 2018-08-07 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
US11282984B2 (en) * 2018-10-05 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
US11310884B2 (en) 2019-05-28 2022-04-19 King Luminaire Company, Inc. LED luminaire and engine systems
DE102019208858A1 (de) * 2019-06-18 2020-12-24 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Beleuchtungseinheit für Mikroskope
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
EP4011704A1 (en) * 2020-12-11 2022-06-15 Harman Professional Denmark ApS A light emitting assembly and a method for operating it
CN112804820A (zh) * 2021-01-27 2021-05-14 恒太工业科技(深圳)股份有限公司 Mini多色灯带及生产工艺方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3581162A (en) * 1969-07-01 1971-05-25 Rca Corp Optical semiconductor device
JPS5127988B2 (zh) * 1972-09-05 1976-08-16
FR2248663B1 (zh) * 1972-12-13 1978-08-11 Radiotechnique Compelec
JPS5310862Y2 (zh) * 1972-12-28 1978-03-23
GB1522145A (en) * 1974-11-06 1978-08-23 Marconi Co Ltd Light emissive diode displays
US4271408A (en) * 1978-10-17 1981-06-02 Stanley Electric Co., Ltd. Colored-light emitting display
US4467193A (en) * 1981-09-14 1984-08-21 Carroll Manufacturing Corporation Parabolic light emitter and detector unit
JPH0326536Y2 (zh) * 1986-10-01 1991-06-07
US4914731A (en) * 1987-08-12 1990-04-03 Chen Shen Yuan Quickly formed light emitting diode display and a method for forming the same
US4935665A (en) * 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
JP2574388B2 (ja) 1988-05-10 1997-01-22 松下電器産業株式会社 発光ダイオードおよびその電極の形成方法
DE3827083A1 (de) * 1988-08-10 1990-02-15 Telefunken Electronic Gmbh Flaechenhafter strahler
DE3835942A1 (de) * 1988-10-21 1990-04-26 Telefunken Electronic Gmbh Flaechenhafter strahler
JPH0492660A (ja) 1990-08-08 1992-03-25 Masayoshi Kishigami 人工股関節の爪つきソケット
KR950003955B1 (ko) * 1990-09-07 1995-04-21 가부시키가이샤도시바 Led램프
US5119174A (en) * 1990-10-26 1992-06-02 Chen Der Jong Light emitting diode display with PCB base
JPH0744029Y2 (ja) 1990-12-28 1995-10-09 株式会社小糸製作所 Ledモジュール
JPH0746370A (ja) * 1993-07-28 1995-02-14 Rohm Co Ltd イメージセンサ
DE9316106U1 (de) * 1993-10-21 1994-02-03 Chang Fa Sheng Leuchtdiodenaufbau
US5709453A (en) * 1994-08-16 1998-01-20 Krent; Edward D. Vehicle lighting having remote light source
US5515253A (en) * 1995-05-30 1996-05-07 Sjobom; Fritz C. L.E.D. light assembly
JPH10242523A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Kouha:Kk 発光ダイオード表示装置およびそれを利用した画像表示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6809475B2 (en) 2000-06-15 2004-10-26 Lednium Pty Limited Led lamp with light-emitting junctions arranged in a three-dimensional array
US7320632B2 (en) 2000-06-15 2008-01-22 Lednium Pty Limited Method of producing a lamp
US7352127B2 (en) 2000-06-15 2008-04-01 Lednium Pty Limited LED lamp with light-emitting junction arranged in three-dimensional array
US7704762B2 (en) 2002-06-14 2010-04-27 Lednium Technology Pty Limited Lamp and method of producing a lamp
TWI511298B (zh) * 2013-03-14 2015-12-01 Nthdegree Tech Worldwide Inc 互連爲電路之三端印刷裝置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0921568A2 (en) 1999-06-09
US20020006040A1 (en) 2002-01-17
EP0921568A3 (en) 2000-04-12
US6331063B1 (en) 2001-12-18
EP0921568B1 (en) 2010-08-04
DE69841798D1 (de) 2010-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW408497B (en) LED illuminating apparatus
JP4960099B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明器具または液晶表示装置
US10107456B2 (en) Solid state lamp using modular light emitting elements
US20120235553A1 (en) Spherical Light Output LED Lens and Heat Sink Stem System
JPH11163412A (ja) Led照明装置
WO2016172719A2 (en) Method and apparatus for chip-on board flexible light emitting diode
WO2005043637A1 (ja) 発光装置
JP2006237264A (ja) 発光装置および照明装置
JP3872490B2 (ja) 発光素子収納パッケージ、発光装置および照明装置
WO2006108339A1 (fr) Source de lumiere blanche a diode electroluminescente basee sur un tableau de connexions metalliques
JP2006210627A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2007266358A (ja) 発光装置および照明装置
JP2000277813A (ja) 光源装置
JP6158341B2 (ja) 発光装置、および、発光装置の製造方法
JP2007294890A (ja) 発光装置
US8872300B2 (en) Light emitting device module
JP2006066657A (ja) 発光装置および照明装置
TWI496316B (zh) 發光二極體及其相關背光模組
JP4091926B2 (ja) 発光装置および照明装置
JP2007150255A (ja) 発光ダイオード照明モジュールおよび照明装置
JP2006156604A (ja) 発光装置および照明装置
JP2006013198A (ja) 発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置
JP2011091126A (ja) 発光装置(cobモジュール)
JP2006269487A (ja) 発光装置および照明装置
CN203010228U (zh) 发光装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees