JPH11163412A - Led照明装置 - Google Patents

Led照明装置

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JPH11163412A
JPH11163412A JP32262697A JP32262697A JPH11163412A JP H11163412 A JPH11163412 A JP H11163412A JP 32262697 A JP32262697 A JP 32262697A JP 32262697 A JP32262697 A JP 32262697A JP H11163412 A JPH11163412 A JP H11163412A
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substrate
emitting diode
light emitting
lighting device
led lighting
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JP32262697A
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English (en)
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Sakuo Kamata
策雄 鎌田
Shoichi Koyama
昇一 小山
Nobuyuki Asahi
信行 朝日
Toshiyuki Suzuki
俊之 鈴木
Eiji Shiohama
英二 塩浜
Masaru Sugimoto
勝 杉本
Shohei Yamamoto
正平 山本
Jiro Hashizume
二郎 橋爪
Yasushi Akiba
泰史 秋庭
Koji Tanaka
孝司 田中
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
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    • HELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】 【課題】任意の配光が容易に得られるとともに薄型化が
可能なLED照明装置を提供する。 【解決手段】矩形板状のMID(立体回路成形品)基板
10の片面に多数の凹部11が縦横に配設され、その凹
部11の底面に3個のLEDチップ1が実装されてい
る。而して、複数個のLEDチップ1を凹部11内に実
装してMIDの基板10に立体的に配置するため、基板
10の形状に応じて任意の配光特性が容易に得られると
ともに、モジュールの薄型化が可能となる。また、実装
するLEDチップ1に発光色の異なる1種類以上、望ま
しくは赤、青、緑の3種類を少なくとも含む複数種のL
EDチップ1を実装するようにすれば、各LEDチップ
1の発光色を混色させて、モジュール全体の光に蛍光灯
における白色や昼光色のような微妙な色差を実現するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に複数個の発
光ダイオード素子を配設して成るLED照明装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来、光源に白熱灯や蛍光灯を用いた照
明装置では可視光以外に赤外線や紫外線も放射されてお
り、このような可視光以外の光が被照射物(例えば、美
術品や食品等)に良くない影響を与えていることが多か
った。また、このような照明装置では光源(ランプ)に
寿命があり、交換が必要である。
【0003】一方、最近では高輝度の発光ダイオード
(以下、「LED」と略す。)が開発され、このような
単体のLED(LEDディスクリート)50を図25及
び図26に示すように基板51上に複数個実装してモジ
ュール化することにより、赤外線や紫外線等の有害光線
が放射されない照明装置が使用されてきている。このよ
うなLED照明装置では、白熱灯や蛍光灯のような光源
に比較して、寿命が長く、ランプ交換等のメンテナンス
が不要となって使い勝手が良いという利点がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に種々の利点を有するLED照明装置ではあるが、以下
に述べるような問題を有している。すなわち、LED5
0は単波長(単色)であるために白色光が得られず、且
つ光の指向性が強いために波長(発光色)の異なるLE
D50を混在して基板51に実装しても各色の光が完全
に混じらずに白色光源を得ることが難しく、特に被照射
物の影が虹色に見えてしまう。よって、蛍光灯を光源と
する照明装置のように昼光色と白色のような微妙な色差
を実現させることが不可能である。また、LED50を
基板51に高密度で実装すると各LED50からの発熱
で温度が上昇し、発光効率及び輝度が低下してしまうと
ともに、各LED50の寿命が短くなってしまう。さら
に、LED50の高さ寸法が大きいために薄型化が困難
である。
【0005】本発明は上記問題に鑑みて為されたもので
あり、請求項1及び請求項12〜14の発明の目的とす
るところは、任意の配光が容易に得られるとともに薄型
化が可能なLED照明装置を提供することにあり、ま
た、請求項2及び請求項15,16の発明の目的とする
ところは、白色や昼光色のような微妙な色差が実現可能
なLED照明装置を提供することにあり、さらに、請求
項4〜11の発明の目的とするところは、温度上昇を抑
えて発光効率及び輝度の低下を防止し発光ダイオード素
子の寿命も長くできるLED照明装置を提供することに
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、上記
目的を達成するために、基板に凹部又は凸部の少なくと
も一方を複数形成するとともに、上記各凹部又は凸部に
各々1乃至複数の発光ダイオード素子を配設したことを
特徴とし、任意の配光が容易に得られるとともに薄型化
が可能となる。
【0007】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、上記複数の発光ダイオード素子に発光色の異なる1
乃至複数種の発光ダイオード素子を含むことを特徴と
し、白色や昼光色のような微妙な色差が実現可能とな
る。請求項3の発明は、請求項1又は2の発明におい
て、上記凹部又は凸部に上記発光ダイオード素子からの
光を反射する反射手段を設けたことを特徴とし、高輝度
並びに高効率化が図れる。
【0008】請求項4の発明は、請求項1の発明におい
て、上記基板の少なくとも一部に複数の発光ダイオード
素子のグランドとなる金属板を設け、該金属板に上記発
光ダイオード素子を接触させて成ることを特徴とし、発
光ダイオード素子が発する熱を金属板により効率良く放
熱することができ、温度上昇を抑えて発光効率や輝度の
低下が防止できるとともに発光ダイオード素子の寿命が
延ばせる。
【0009】請求項5の発明は、請求項1の発明におい
て、少なくとも上記基板の凹部又は凸部の発光ダイオー
ド素子の周りに当該発光ダイオード素子からの光を反射
する金属製の放熱体を配設したことを特徴とし、発光ダ
イオード素子が発する熱を金属製の放熱体により効率良
く放熱することができ、温度上昇を抑えて発光効率や輝
度の低下が防止できるとともに発光ダイオード素子の寿
命が延ばせる。
【0010】請求項6の発明は、請求項1の発明におい
て、上記基板に銅張金属基板を一体に形成し、該銅張金
属基板の一方の面に形成された銅張部分に上記発光ダイ
オード素子を実装してグランドとし、上記発光ダイオー
ド素子の発光を制御する制御手段を構成する回路素子を
上記銅張金属基板の他方の面に実装したことを特徴と
し、小型化が図れるとともに制御手段のノイズに対する
シールドも可能になる。
【0011】請求項7の発明は、請求項1の発明におい
て、上記発光ダイオード素子から発する熱を放熱する放
熱体を備え、該放熱体に複数の凹凸部を設けたことを特
徴とし、発光ダイオード素子が発する熱を放熱体により
効率良く放熱することができ、特に凹凸部を設けること
で放熱体の表面積を増加させて効率良く放熱することが
でき、温度上昇を抑えて発光効率や輝度の低下が防止で
きるとともに発光ダイオード素子の寿命が延ばせる。
【0012】請求項8の発明は、請求項1の発明におい
て、上記発光ダイオード素子の少なくとも一部分に接触
する放熱フィンを備えたことを特徴とし、発光ダイオー
ド素子が発する熱を放熱フィンにより効率良く放熱する
ことができ、温度上昇を抑えて発光効率や輝度の低下が
防止できるとともに発光ダイオード素子の寿命が延ばせ
る。
【0013】請求項9の発明は、請求項1の発明におい
て、上記発光ダイオード素子と少なくとも一部で接触す
る放熱ピンを上記基板内に埋設したことを特徴とし、発
光ダイオード素子が発する熱を放熱ピンにより効率良く
放熱することができ、温度上昇を抑えて発光効率や輝度
の低下が防止できるとともに発光ダイオード素子の寿命
が延ばせる。
【0014】請求項10の発明は、請求項1の発明にお
いて、上記基板の凸部を多層に形成したことを特徴と
し、発光ダイオード素子が発する熱を空気の対流で発散
させ、発光ダイオード素子の温度上昇を抑えて発光効率
や輝度の低下が防止できるとともに発光ダイオード素子
の寿命が延ばせる。請求項11の発明は、請求項1の発
明において、上記発光ダイオード素子近傍の上記基板に
通風用の貫通孔を設けたことを特徴とし、貫通孔を通る
空気の対流で発光ダイオード素子からの熱を発散させ、
発光ダイオード素子の温度上昇を抑えて発光効率や輝度
の低下が防止できるとともに発光ダイオード素子の寿命
が延ばせる。
【0015】請求項12の発明は、請求項1の発明にお
いて、上記発光ダイオード素子を、当該発光ダイオード
素子のP型半導体とN型半導体とが上記基板の実装面に
対して略平行に並ぶように配設したことを特徴とし、発
光ダイオード素子の実装にワイヤボンディングを使用せ
ずに済み、発光効率を増大できるとともにワイヤの影が
生じるのを防ぎ、配光特性の設計自由度を拡げることが
できる。
【0016】請求項13の発明は、請求項1の発明にお
いて、上記複数の発光ダイオード素子の発光方向に規則
性を持たせるように上記基板を形成したことを特徴と
し、基板の形状に応じて容易に配光特性を制御すること
ができる。請求項14の発明は、請求項1の発明におい
て、上記基板の両面に凹部又は凸部の少なくとも一方を
形成するとともに、上記各凹部又は凸部に各々1乃至複
数の発光ダイオード素子を配設したことを特徴とし、光
の照射範囲を基板周囲の略全方向に拡げることができ
る。
【0017】請求項15の発明は、請求項1の発明にお
いて、1乃至複数の上記凹部又は凸部を有し該凹部又は
凸部に発光色の異なる複数種の発光ダイオード素子を配
設してセルを構成し、該セルを複数個用いて形成される
ことを特徴とし、製造工程で発生した不良あるいは経年
劣化により一部の発光ダイオード素子が不点灯になった
場合、当該不点灯となった発光ダイオード素子が含まれ
るセルのみを交換することで安価に復旧させることがで
きる。また、混色あるいは配光特性の異なるセルを組み
合わせるようにすれば、装飾用のLED照明装置が簡単
な構成で実現できる。
【0018】請求項16の発明は、請求項1の発明にお
いて、上記発光ダイオード素子を微振動させる手段を上
記基板に設けたことを特徴とし、特定の発光ダイオード
素子を振動させることで任意の混色及び配光特性を得る
ことができ、また振動を制御することで人に不快感を与
える光のちらつき特性を改善することができる。請求項
17の発明は、請求項1の発明において、上記基板を撓
み自在に形成したことを特徴とし、基板を自在に曲げる
ことができて配光特性を容易に変えることが可能とな
り、しかも基板の弾性を利用してねじ等を使わずにハウ
ジング等に容易に取り付けることができる。
【0019】請求項18の発明は、請求項1の発明にお
いて、所定個数の上記発光ダイオード素子が含まれる寸
法単位に上記基板を切断自在としたことを特徴とし、必
要な照度が得られるような寸法に基板を切断して使用す
ることができて効率的であり、しかも基板を大きな単位
で作成することが可能でコストダウンが図れる。
【0020】
【発明の実施の形態】(実施形態1)図1は本発明の実
施形態1を示す要部側面断面図、図2は同じく斜視図で
ある。図2に示すように矩形板状のMID(立体回路成
形品)基板10の片面に多数の凹部11が縦横に配設さ
れ、その凹部11の底面に3個の発光ダイオード素子
(以下、「LEDチップ」と略す。)1が実装されてい
る。
【0021】次に上記MID基板(以下、単に「基板」
と呼ぶ。)10の製造工程について説明する。ポリイミ
ド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、液晶ポリマ等の
電気絶縁性材料を用い、射出成形によって絶縁性基材を
形成する。そして、LEDチップ1の実装箇所に凹部1
1を設ける等して3次元の立体形状の絶縁性基材を形成
する。
【0022】この絶縁性基材をアルカリ脱脂した後、そ
の表面をプラズマ処理して表面の活性化及び微細な粗面
化を行う。その後、絶縁性基材の表面にスパッタリング
や真空蒸着等により、銅、銀、金、ニッケル、白金又は
パラジウム等の金属膜(めっき下地層)を形成する。こ
の金属層の厚みは0.1〜2〔μm〕程度が望ましい。
【0023】そして、レーザ等の電磁波を照射して上記
金属膜を除去する。このレーザとしては第2高調波YA
Gレーザ、YAGレーザ、エキシマレーザ等が好まし
く、ガルバノミラーでレーザ光を走査することにより、
絶縁性基材の表面のうち回路を形成する箇所である回路
部12以外の部分、すなわち回路部12間の絶縁スペー
スとなる非回路部13において照射されるものであり、
非回路部13の少なくとも回路部12との境界領域に非
回路部13のパターンに沿って照射することにより、非
回路部13の回路部12との境界領域の金属膜を除去す
るものである。
【0024】次に、回路部12に給電を行ない、例えば
硫酸銅めっき浴(硫酸銅80g/l、硫酸180g/
l、塩素、光沢剤)で電気銅めっきを行ない、例えばワ
ット浴(硫酸ニッケル270g/l、塩化ニッケル50
g/l、ホウ酸40g/l、光沢剤)で電気ニッケルめ
っき、電気金めっき(例えば、EEJA社製:商品名テ
ンペレックス401)等を行って所定厚の金属膜を形成
した回路基板(基板10)を得る。非回路部13の残存
した金属膜は、必要に応じてソフトエッチング等で除去
してもよい。
【0025】上記方法により得られた基板10の凹部1
1にLEDチップ1を実装し、回路部12とLEDチッ
プ1を導電性接着剤で電気的に接合する(ダイボン
ド)。その後にLEDチップ1の上部電極と回路部12
とを金線14で接合する(ワイボンド)。なお、LED
チップ1が実装される凹部11の内面11aを鏡面に仕
上げて反射板を兼ねる構造とすることで、高輝度及び高
効率化を図ることができる。その次に凹部11内に透明
樹脂を充填してLEDチップ1を封止する。このとき上
記透明樹脂が凹部11の外に流れ出ないように、基板1
0に堰を設けることが望ましい。最後に基板10の表面
(実装面)に透明樹脂等から成る拡散板15を取り付け
て、本実施形態のLED照明装置のモジュールが完成す
る。
【0026】上述のように複数個のLEDチップ1を凹
部11内に実装してMIDの基板10に立体的に配置す
るため、基板10の形状に応じて任意の配光特性が容易
に得られるとともに、ディスクリート型の発光ダイオー
ドを基板上に多数配設した従来例に比較してモジュール
の薄型化が可能となる。また、実装するLEDチップ1
に発光色の異なる1種類以上、望ましくは赤、青、緑の
3種類を少なくとも含む複数種のLEDチップ1を実装
するようにすれば、各LEDチップ1の発光色を混色さ
せて、モジュール全体の光に蛍光灯における白色や昼光
色のような微妙な色差を実現することができる。
【0027】なお、本実施形態では基板10に凹部11
を設けて3次元形状を形成したが、これに限定する主旨
ではなく、例えば基板10に凸部を設けて該凸部にLE
Dチップ1を実装したり、その他の種々の3次元形状に
基板10を形成することでLEDチップ1を立体的に配
置するようにすればよい。 (実施形態2)図3は本発明の実施形態2を示す側面断
面図である。本実施形態は、基板10の裏面(反実装
面)にLEDチップ1を含む回路のグランドとなる金属
板16を設け、凹部11の底面に露出させた金属板16
上にLEDチップ1を実装して、LEDチップ1が発す
る熱を金属板16により効率良く放熱させるようにした
点に特徴がある。なお、その他の構成については実施形
態1と共通であるから、共通する部分に同一の符号を付
して説明を省略する。
【0028】次に本実施形態の基板10の製造工程につ
いて、実施形態1と異なる点のみを説明する。適当な大
きさ、形状の金属板(例えば、銅板)16を金型の中に
入れてインサート射出成形によって絶縁性基材を形成す
る。電気絶縁性材料には実施形態1と同様にポリイミ
ド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、液晶ポリマ等を
用いる。金属板16は予め板金加工、機械加工、科学的
なエッチング等によって立体形状に形成してもよい。
【0029】ここで、成形と同時にLEDチップ1が実
装される凹部11の底面から金属板16を露出させる
か、あるいは成形後にレーザ又はホーニングにより成形
樹脂を取り除くことで上記底面から金属板16を露出さ
せる。その絶縁性基材をアルカリ脱脂した後、金属板1
6を活性化するために表面を化学エッチングする。その
次に絶縁性基材の表面をプラズマ処理して表面の活性化
及び微細な粗面化を行う。以下実施形態1と同様に、金
属層を形成し回路部12並びに非回路部13を形成し
て、最終的に凹部11内にLEDチップ1を実装し且つ
透明樹脂で封止して、基板10の実装面に拡散板15を
取り付けることでLED照明装置のモジュールが完成す
る。
【0030】上述のように本実施形態によれば、金属板
16を回路の共通のグランドとすることで金属板16に
LEDチップ1を実装して金属板16とLEDチップ1
とを直接接触させ、LEDチップ1から発生する熱を金
属板16によって効率良く放熱し取り除くことができ
る。そのため、LEDチップ1の温度上昇が防げ、発光
効率や輝度の低下を抑えることができ、また、LEDチ
ップ1の寿命も延ばすことができる。
【0031】(実施形態3)図4は本発明の実施形態3
を示す要部側面断面図、図5は同じく平面図である。本
実施形態は、基板10に実装されたLEDチップ1の周
囲に金属等から成り光を反射する放熱体17を配設し、
LEDチップ1の放熱用の放熱板17を反射板に兼用し
た点に特徴がある。なお、その他の構成については実施
形態1と共通であるから、共通する部分に同一の符号を
付して説明を省略する。
【0032】次に本実施形態の基板10の製造工程につ
いて、実施形態1と異なる点のみを説明する。適当な大
きさ、形状の放熱板(例えば、銅板)17を金型の中に
入れてインサート射出成形によって絶縁性基材を形成す
る。電気絶縁性材料には実施形態1と同様にポリイミ
ド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、液晶ポリマ等を
用いる。放熱板17は予め板金加工、機械加工、科学的
なエッチング等によって反射板と成るような立体形状
(具体的にはLEDチップ1が実装される凹部17aが
多数配設された形状)に形成してある。
【0033】その絶縁性基材をアルカリ脱脂した後、放
熱板17を活性化するために表面を化学エッチングす
る。その次に絶縁性基材の表面をプラズマ処理して表面
の活性化及び微細な粗面化を行う。以下、金属層を形成
し回路部12並びに非回路部13を形成して、最終的に
放熱板17の凹部17a内にLEDチップ1を実装し且
つ透明樹脂で封止して、基板10の実装面に拡散板15
を取り付けることでLED照明装置のモジュールが完成
する。
【0034】上述のように本実施形態によれば、反射板
を兼ねる放熱板17をLEDチップ1の周りに配設した
ことにより、放熱板17とLEDチップ1とを直接接触
させ、LEDチップ1から発生する熱を放熱板17によ
って効率良く放熱し取り除くことができる。そのため、
LEDチップ1の温度上昇が防げ、発光効率や輝度の低
下を抑えることができ、また、LEDチップ1の寿命も
延ばすことができる。
【0035】(実施形態4)図6は本発明の実施形態3
を示す要部側面断面図である。本実施形態は、基板10
の凹部11内面に光を反射する金属膜(例えば、銅膜)
を形成し、この金属膜をLEDチップ1の放熱を行う放
熱体18と反射板とに兼用した点に特徴がある。なお、
その他の構成については実施形態1と共通であるから、
共通する部分に同一の符号を付して説明を省略する。
【0036】次に本実施形態の基板10の製造工程につ
いて、実施形態1と異なる点のみを説明する。ポリイミ
ド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、液晶ポリマ等の
電気絶縁性材料を用い、射出成形によって絶縁性基材を
形成する。そして、LEDチップ1の実装箇所に凹部1
1を設ける等して3次元の立体形状の絶縁性基材を形成
する。この絶縁性基材をアルカリ脱脂した後、その表面
をプラズマ処理して表面の活性化及び微細な粗面化を行
う。その後、絶縁性基材の表面にスパッタリングや真空
蒸着等により、銅、銀、金、ニッケル、白金又はパラジ
ウム等の金属膜(めっき下地層)を形成する。
【0037】そして、レーザ等の電磁波を照射して上記
金属膜を除去して配線パターンを形成する(レーザパタ
ーニング)のであるが、この時凹部11の内面に形成さ
れている金属膜(放熱体18)の全体が回路部12を構
成するように金属膜を除去する。以下、放熱体18が形
成された凹部11の底面にLEDチップ1を実装し且つ
透明樹脂で封止して、基板10の実装面に拡散板15を
取り付けることでLED照明装置のモジュールが完成す
る。
【0038】上述のように本実施形態においても、金属
膜(金属めっき)を放熱体18と反射板とに兼用してL
EDチップ1の周りに配設したことにより、放熱体18
とLEDチップ1とを直接接触させ、LEDチップ1か
ら発生する熱を放熱体18によって効率良く放熱し取り
除くことができる。そのため、LEDチップ1の温度上
昇が防げ、発光効率や輝度の低下を抑えることができ、
また、LEDチップ1の寿命も延ばすことができる。
【0039】(実施形態5)図7は本発明の実施形態5
を示す要部側面断面図である。本実施形態では、多数の
凹部11が片面に形成されたMID基板10の反対側の
面に銅張金属基板(以下、単に「金属基板」と呼ぶ。)
19を設け、この金属基板19の導電層19aをLED
チップ1のグランドとするとともに、LEDチップ1の
発光を制御する制御回路を構成するIC、抵抗、コンデ
ンサ等の回路素子(チップ部品)20を金属基板19の
絶縁層19bに実装した点に特徴がある。なお、その他
の構成については実施形態1と共通であるから、共通す
る部分に同一の符号を付して説明を省略する。
【0040】次に本実施形態の基板10の製造工程につ
いて簡単に説明する。まず金属基板19を金型の中に入
れてインサート射出成形によって絶縁性基材を形成す
る。電気絶縁性材料には実施形態1と同様にポリイミ
ド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、液晶ポリマ等を
用いる。その絶縁性基材をアルカリ脱脂した後、絶縁性
基材の表面をプラズマ処理して表面の活性化及び微細な
粗面化を行う。その後は、金属層を形成し回路部12並
びに非回路部13を形成した後、基板10の凹部11底
面に露出した金属基板19の導電層19a上にLEDチ
ップ1を実装し且つ透明樹脂で封止する。
【0041】ここで、本実施形態では凹部11に実装さ
れたLEDチップ1を透明樹脂で封止した後に、金属基
板19の絶縁層19bに制御回路を形成するための回路
(配線)パターンを形成する。このパターン形成方法
は、プリント基板の一般的な形成方法である露光・エッ
チング法でもレーザパターニング法の何れでもよい。そ
して、上記回路パターン形成後にIC、抵抗、コンデン
サ等の回路素子(チップ部品)20を半田実装すること
でLED照明装置のモジュールが完成する。
【0042】上述のように本実施形態によれば、基板1
0にインサート成形された銅張金属板19の導電層19
aにLEDチップ1を実装してグランドとすることによ
り、金属基板19とLEDチップ1とを直接接触させて
LEDチップ1から発する熱を金属基板19により効率
良く放熱し取り除くことができる。そのため、LEDチ
ップ1の温度上昇が防げ、発光効率や輝度の低下を抑え
ることができ、また、LEDチップ1の寿命も延ばすこ
とができる。しかも、金属基板19の絶縁層19bにL
EDチップ1の発光を制御する制御回路等の回路素子2
0を実装するようにしたため、モジュールの小型化が可
能になるとともにノイズに対する回路素子20のシール
ドも図れるという利点がある。
【0043】(実施形態6)図8は本発明の実施形態6
を示す要部側面断面図である。本実施形態は、表面に凹
凸を設けた放熱体(金属板)21の片面にMID基板1
0を形成し、この基板10の表面に形成された凹部11
内の底面及び側面にLEDチップ1を実装した点に特徴
がある。
【0044】次に本実施形態の基板10の製造工程につ
いて簡単に説明する。表面に凹凸を形成した金属板(例
えば、銅板)21を金型の中に入れてインサート射出成
形によって基板10を形成する。電気絶縁性材料には実
施形態1と同様にポリイミド、ポリエーテルイミド、ポ
リアミド、液晶ポリマ等を用いる。金属板21は予め板
金加工、機械加工、科学的なエッチング等によって凹凸
を有する立体形成(具体的にはLEDチップ1が実装さ
れる凹部11に対応した凹部21aが多数形成してあ
る。
【0045】その成形基板をアルカリ脱脂した後、金属
板21を活性化するために表面を化学エッチングする。
その次に絶縁性基材の表面をプラズマ処理して表面の活
性化及び微細な粗面化を行う。以下、金属層を形成し回
路部12並びに非回路部13を形成する。そして、最終
的には基板10の凹部11内にLEDチップ1を実装し
且つ透明樹脂で封止して、基板10の実装面に拡散板1
5を取り付けることでLED照明装置のモジュールが完
成する。
【0046】上述のように本実施形態によれば、表面に
凹凸を設けることで金属板21の表面積を増やしたこと
により、LEDチップ1から発生する熱を効率良く放熱
し取り除くことができる。そのため、LEDチップ1の
温度上昇が防げ、発光効率や輝度の低下を抑えることが
でき、また、LEDチップ1の寿命も延ばすことができ
る。
【0047】(実施形態7)図9は本発明の実施形態7
を示す要部側面断面図である。本実施形態は、LEDチ
ップ1の少なくとも一部分に接触する放熱フィン22を
備えた点に特徴がある。放熱フィン22はアルミダイカ
スト製であって、金型の中に入れてインサート射出成形
により基板10と一体に形成される。電気絶縁性材料に
は実施形態1と同様にポリイミド、ポリエーテルイミ
ド、ポリアミド、液晶ポリマ等を用いる。その成形基板
をアルカリ脱脂した後、放熱フィン22を活性化するた
めに表面を化学エッチングする。その次に絶縁性基材の
表面をプラズマ処理して表面の活性化及び微細な粗面化
を行う。以下、金属層を形成し回路部12並びに非回路
部13を形成する。そして、最終的に基板10の凹部1
1内にLEDチップ1を実装し且つ透明樹脂で封止し
て、基板10の実装面に拡散板15を取り付けることで
LED照明装置のモジュールが完成する。ここで、凹部
11内に実装したLEDチップ1の一部が放熱フィン2
2と接触させてある。
【0048】上述のように本実施形態によれば、LED
チップ1の少なくとも一部に接触する放熱フィン22を
基板10と一体成形したことにより、LEDチップ1か
ら発生する熱を放熱フィン22により効率良く放熱し取
り除くことができる。そのため、LEDチップ1の温度
上昇が防げ、発光効率や輝度の低下を抑えることがで
き、また、LEDチップ1の寿命も延ばすことができ
る。
【0049】(実施形態8)図10は本発明の実施形態
8を示す要部側面断面図である。MIDの基板23の片
面に多数の凸部24が縦横に配設され、その凸部24の
頂点にLEDチップ1が実装してある。上記基板23の
製造工程について簡単に説明する。ポリイミド、ポリエ
ーテルイミド、ポリアミド、液晶ポリマ等の電気絶縁性
材料を用い、射出成形によって絶縁性基材を形成する。
そして、LEDチップ1の実装箇所に凸部24を形成す
るとともに凸部24内にスルーホール25を形成する。
【0050】この絶縁性基材をアルカリ脱脂した後、そ
の表面をプラズマ処理して表面の活性化及び微細な粗面
化を行う。その後、絶縁性基材の表面にスパッタリング
や真空蒸着等により、銅、銀、金、ニッケル、白金又は
パラジウム等の金属膜(めっき下地層)を形成する。そ
して、レーザ等の電磁波を照射して非回路部の回路部と
の境界領域の金属膜を除去する。次に、回路部に給電を
行ない、例えば硫酸銅めっき浴で電気銅めっきを行なて
所定厚の金属膜を形成した回路基板(基板23)を得
る。そして、凸部24に形成したスルーホール25内に
放熱ピン26を圧入する。
【0051】上記方法により得られた基板23の凸部2
4にLEDチップ1を実装し、回路部(放熱ピン26を
含む)とLEDチップ1を導電性接着剤で電気的に接合
する(ダイボンド)。その後にLEDチップ1の上部電
極と回路部とを金線で接合する(ワイボンド)。なお、
LEDチップ1が実装される凸部24の周囲斜面24a
を鏡面に仕上げて反射板を兼ねる構造とすることで、高
輝度及び高効率化を図ることができる。その次に透明樹
脂によりLEDチップ1を封止する。最後に基板10の
表面(実装面)に透明樹脂等から成る拡散板を取り付け
て、本実施形態のLED照明装置のモジュールが完成す
る。
【0052】上述のように本実施形態によれば、LED
チップ1の下の基板24内に少なくともLEDチップ1
の一部に接触する放熱ピン26を設けたことにより、L
EDチップ1から発生する熱を放熱ピン26により効率
良く放熱し取り除くことができる。そのため、LEDチ
ップ1の温度上昇が防げ、発光効率や輝度の低下を抑え
ることができ、また、LEDチップ1の寿命も延ばすこ
とができる。
【0053】(実施形態9)図11は本発明の実施形態
9を示す要部側面図である。本実施形態は、MIDの基
板27に多層の凸部28を形成して基板27全体を所謂
タワー形状(螺旋形状)とし、この凸部28の各層に各
々複数個のLEDチップ1を配設するようにした点に特
徴がある。
【0054】基板27はタワー形状に形成された金型を
用いて射出成形される。なお、以降の工程については実
施形態1と共通するので説明を省略する。但し、基板2
7にLEDチップ1を実装した後で合成樹脂による封止
は行わない。ところで、通電によりLEDチップ1の温
度が上昇するとLEDチップ1の近傍の空気が温められ
て上昇気流が発生し、基板27の凸部28に沿って空気
が上昇するとともに、基板27の下方からは温度の低い
空気が流れ込むことでLEDチップ1の熱が奪われて冷
却される。
【0055】上述のように本実施形態では、MIDの基
板27に多層の凸部28を形成して基板27全体を所謂
タワー形状(螺旋形状)とし、この凸部28の各層に各
々複数個のLEDチップ1を配設するようにしたことに
より、LEDチップ1から発する熱を空気の気流(対
流)で発散させてLEDチップ1の温度上昇を防ぐこと
ができる。そのため、LEDチップ1の発光効率や輝度
の低下を抑えることができ、また、寿命も延ばすことが
できる。
【0056】(実施形態10)図12は本発明の実施形
態10を示す要部側面図である。本実施形態は、片面に
多数の凹部30が形成された基板29に対し、LEDチ
ップ1が実装される上記凹部30と基板29の裏面側と
を貫通する通風用の貫通孔(スルーホール)31を設け
た点に特徴がある。
【0057】MIDの基板29の成形時に貫通孔31を
形成する。なお、以降の工程については実施形態1と共
通するので説明を省略する。但し、基板29の凹部30
にLEDチップ1を実装した後で合成樹脂による封止は
行わない。而して、通電によりLEDチップ1の温度が
上昇するとLEDチップ1の近傍の空気が温められて上
昇気流が発生する。そのため、貫通孔31を通して基板
29の反対側から温度の低い空気が流れ込み、LEDチ
ップ1の熱が奪われて冷却される。
【0058】上述のように本実施形態では、LEDチッ
プ1が実装される凹部30と基板29の裏面側とを貫通
する通風用の貫通孔31を設けたことにより、LEDチ
ップ1から発する熱を空気の気流(対流)で発散させて
LEDチップ1の温度上昇を防ぐことができる。そのた
め、LEDチップ1の発光効率や輝度の低下を抑えるこ
とができ、また、寿命も延ばすことができる。
【0059】(実施形態11)ところで、図15に示す
ようにLEDチップ1はP型半導体1aとN型半導体1
bとの接合界面における電子の移動時に発光し、接合界
面を含む平面内で全方向に光が照射されるが、基板10
へのLEDチップ1の実装方向や金線(ワイヤ)14に
光が遮られて光の照射方向が制約を受けたり、影ができ
てしまう。
【0060】そこで、本実施形態では、図13に示すよ
うにLEDチップ1をP型半導体1aとN型半導体1b
とが基板10の実装面に対して略平行に並ぶように配設
した点に特徴があり、その他の構成は実施形態1と共通
であるので説明は省略する。図13に示すようにLED
チップ1が実装される部分は周囲より一段高く形成され
ており、その両側にパッド32が形成してあって、これ
らパッド32とLEDチップ1のP型半導体1a及びN
型半導体1bとの接続は半田や導電性接着剤33により
行われる。ここでLEDチップ1を1段高く形成された
部分に実装しているため、上記接続時の短絡事故が防止
できる。なお、LEDチップ1は例えば0.3〔mm〕
の立方体のものが望ましい。
【0061】上述のように本実施形態によれば、LED
チップ1をP型半導体1aとN型半導体1bとが基板1
0の実装面に対して略平行に並ぶように配設したことに
より、両者の接合面が基板10の表面と略直交すること
になり、LEDチップ1から発する光を基板10に対し
て垂直な方向に照射するため、金線(ワイヤ)14で光
が遮られて影ができることもなく、LEDチップ1の発
光効率を高めることができる。
【0062】なお、図14に示すようにフィレット部分
に凹所33を設け、この凹所33内で導電性接着剤等に
よりLEDチップ1を接合するようにしても、電気的な
接続時における上記短絡の発生が防止できる。上述のよ
うに本実施形態によれば、LEDチップ1をP型半導体
1aとN型半導体1bとが基板10の実装面に対して略
平行に並ぶように配設したことにより、LEDチップ1
の発光方向が基板10に対して略平行とすることがで
き、ワイヤ(金線)14の影がなくなってLEDチップ
1の発光効率を増大させることができる。
【0063】(実施形態12)図16は本発明の実施形
態12を示す要部側面断面図である。本実施形態では、
複数のLEDチップ1のの発光方向に規則性を持たせる
ように基板を形成した点に特徴があり、図16に示すよ
うに基板34の片面(実装面)を断面鋸歯状に形成し、
各々の斜面34aにLEDチップ1が実装してある。
【0064】一般にLEDチップ1の基板34に対する
実装向きと発光方向とには規則性があるが、MIDの基
板34を任意の立体形状に形成することにより、所望の
配光や集光特性を得ることができる。そして、完成した
モジュールを、実装されたLEDチップ1の方向が規則
正しく一方向を向くように形成してあるので、光が一方
向の配光になり発光効率がよくなるという利点がある。
【0065】上述のように本実施形態によれば、複数の
LEDチップ1の発光方向に規則性を持たせるように基
板34を形成したので、基板34の形状に応じて容易に
配光特性を制御することができ、しかもモジュール全体
を考慮した集配光で利用率がよいという利点がある。さ
らに、基板34の形状によって配光制御が可能であるた
め、別途レンズ等の光学手段を設ける必要がないという
利点がある。
【0066】(実施形態13)ところで、従来からある
ディスクリート型の発光ダイオードでは、例えばLED
チップを封止するエポキシ樹脂を砲弾形に形成すること
でレンズの役割を担っており、ほぼ360度の全方向に
光を照射することができるが、基板に複数の発光ダイオ
ードを実装する場合には基板に遮られて全周囲方向に光
を照射することが困難になる。
【0067】そこで、本実施形態では、図17に示すよ
うにMIDの基板35の表裏両面に各々凹部36を複数
形成し、各凹部36の底面にLEDチップ1を実装した
点に特徴があり、これにより基板35の周囲のほぼ全方
向に光を照射することができる。なお、基板35の製造
方法は実施形態1と共通であるから説明は省略する。上
述のように本実施形態によれば、基板35の表裏両面に
各々凹部36を複数形成し、各凹部36の底面にLED
チップ1を実装したことにより、略全方向に光を照射す
ることができ、従来の蛍光灯や白熱灯と同じように使用
することができる。また、基板35に対するLEDチッ
プ1の実装密度を増大させて全体の輝度を向上させるこ
とができ、さらには配光設計の自由度が大きくなるとい
う利点がある。
【0068】(実施形態14)ところで上記実施形態1
〜13においては、1枚の基板10に多数のLEDチッ
プ1が実装されており、例えば製造工程上で発生する不
良や経年劣化によって一部のLEDチップ1が点灯しな
くなった場合でも、当該不点灯のLEDチップ1が含ま
れる基板10全体を交換する必要があり、不便である。
【0069】そこで、本実施形態では、数色の単色LE
Dチップ(例えば、赤・緑・青・黄)1a〜1dの組み
合わせを1つの単位とするモジュールを1セルSとし、
このセルSを複数個組み合わせることでLED照明装置
を構成するようにした点に特徴がある。図18に示すよ
うに実施形態1と同様の方法で形成されたシート状の基
板10の凹部11には、上記4色のLEDチップ1a〜
1dをマトリクス状に配置して実装してある(図19
(a)参照)。このように4色のLEDチップ1a〜1
dが実装された1つの凹部11を1セルSとし、図18
における破線部分で各セル毎にダイシングソーで切断す
る。そして、切断された1セルSを再度プリント基板等
に実装することで新たにモジュールが構成される(図1
9(b)参照)。上述のように本実施形態によれば、同
一の凹部11内に実装された4個のLEDチップ1を含
む1セルSを1つの単位とし、このセルSを複数個組み
合わせることでLED照明装置を構成するようにしたこ
とにより、製造工程で発生した不良あるいは経年劣化に
より一部のLEDチップ1が不点灯になった場合、当該
不点灯となったLEDチップ1が含まれるセルSのみを
良品と交換することでLED照明装置を安価に復旧させ
ることができる。また、混色あるいは配光特性の異なる
セルSを組み合わせるようにすれば、装飾用のLED照
明装置が簡単な構成で実現できるという利点もある。
【0070】(実施形態15)図20は本発明の実施形
態15を示す要部斜視図である。本実施形態は、MID
の基板37にLEDチップ1を微振動させる手段(マイ
クロマシン部38)を設けた点に特徴がある。マイクロ
マシン部38は一端が片持ち支持された3つの梁部38
aと、その梁部38aの上に設けられた水晶板38bと
によって構成され、各梁部38aの自由端近傍にそれぞ
れLEDチップ1が配設される。なお、LEDチップ1
の前方にはレンズ39を設けることが望ましい。
【0071】次に本実施形態の基板37の製造工程を、
実施形態1と異なる部分についてのみ説明する。基板3
7はセラミックから成るMID基板であり、例えばアル
ミナ粉に滑剤と樹脂を混練したものを射出成形し、所定
の形状をつくり、さらに脱脂乾燥、焼結させてセラミッ
ク成形品(成形基板)を作成する。その後、この成形基
板をアルカリ脱脂した後、セラミックの表面をプラズマ
処理して表面の活性化及び微細な粗面化を行う。次にセ
ラミックの表面にスパッタリング、真空蒸着等の適宜の
方法で銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム等の金
属膜(めっき下地層)を形成する。この金属膜の厚みは
0.1〜2〔μm〕程度が好ましい。以下、実施形態1
と同様にしてパターニングを行って梁部38aの上に水
晶の薄板38bを実装し、さらにその上にLEDチップ
1の実装を行ってLED照明装置のモジュールが完成す
る。
【0072】そして、マイクロマシン部38に電圧を印
加することにより、水晶の逆圧電効果で梁部38aを揺
動させることができ、梁部38aの上に実装されている
LEDチップ1を微振動させることができる。而して、
特定のLEDチップ1に微振動を与えることにより、任
意の混色や配光特性を得ることができ、また、印加する
電圧の周波数やレベルに応じて任意の振動をLEDチッ
プ1に与えるように制御すれば、人に不快感を与えるち
らつき特性を改善することができる。
【0073】(実施形態16)図21は本発明の実施形
態16を示す斜視図、図22は側面断面図である。本実
施形態は、LEDチップ1が立体的に実装されるMID
の基板40とフレキシブル基板41とを一体に形成し、
撓み(曲げ)自在の基板42を構成した点に特徴があ
る。
【0074】ここで、本実施形態の基板37の製造工程
を、実施形態1と異なる部分についてのみ説明する。予
め回路形成したポリイミド製のフレキシブル基板41を
金型の中に入れ射出成形によってフレキシブル基板41
を成形品に転写する。また、LEDチップ1が実装され
る部分に成形品の厚肉部(凸部)43を形成する。な
お、曲げを考慮して上記厚肉部43の間はフレキシブル
基板41のまま残す。また、樹脂の封止もLEDチップ
1周辺のみで行ない、フレキシブル基板41を曲げた際
に封止剤が直接曲がらないように考慮し、基板全体とし
て曲げ易いようにしてある。その成形基板をアルカリ脱
脂した後は実施形態1と同様の工程で基板42を形成す
る。
【0075】上述のように本実施形態によれば、LED
チップ1が立体的に実装されるMIDの基板40とフレ
キシブル基板41とを一体に形成し、撓み(曲げ)自在
の基板42を構成したことにより、基板41を自在に曲
げることができて配光特性を容易に変えることが可能と
なり、しかも基板41の弾性を利用してねじ等を使わず
に(照明器具の)ハウジング等に容易に取り付けること
ができる。
【0076】(実施形態17)図23は本発明の実施形
態17を示す斜視図である。本実施形態は、実施形態1
のように複数の凹部11に各々複数個のLEDチップ1
が実装された基板10を、所定個数のLEDチップ1が
含まれる寸法単位で切断自在とした点に特徴がある。な
お、基板10等の基本的な構成は実施形態1と共通であ
るので、共通する部分には同一の符号を付して説明を省
略する。
【0077】図24に示すように本実施形態の回路は、
基板10に実装されるLEDチップ1を所定の個数ずつ
直列に接続するとともに、各直列回路を抵抗R1 …を介
して電源ラインL1 とスイッチング素子Q1 のコレクタ
との間に接続し、このスイッチング素子Q1 のエミッタ
を抵抗R2 を介してグランドラインL2 に接続し、さら
に電源ラインL1 とグランドラインL2 とに各々抵抗R
3 ,R4 を介してスイッチング素子Q1 のベースを接続
して構成してある。なお、電源ラインL1 −グランドラ
インL2 間には直流電圧DCが印加される。
【0078】そして、上記LEDチップ1の直列回路の
間の適当な切断箇所イで基板10が切断自在となってお
り、必要な個数のLEDチップ1でユニット化できるよ
うにしてある。ここで、ユニット化するLEDチップ1
の個数は、蛍光灯が出力(10、15、20、30W)
に応じた管球で形成されるように、出力に対応する個数
とすれば取扱が便利になる。また、切断し易いように基
板10に溝を設けることが望ましい。なお、基板10の
製造方法については実施形態1と共通であるから説明は
省略する。
【0079】上述のように本実施形態によれば、所定個
数のLEDチップ1が含まれる寸法単位で切断自在とし
たことにより、必要な照度が得られるような寸法に基板
10を切断して使用することができて効率的であり、し
かも基板10を大きな単位で作成することが可能でコス
トダウンが図れるという利点がある。
【0080】
【発明の効果】請求項1の発明は、基板に凹部又は凸部
の少なくとも一方を複数形成するとともに、上記各凹部
又は凸部に各々1乃至複数の発光ダイオード素子を配設
したので、任意の配光が容易に得られるとともに薄型化
が可能となるという効果がある。
【0081】請求項2の発明は、上記複数の発光ダイオ
ード素子に発光色の異なる1乃至複数種の発光ダイオー
ド素子を含むので、白色や昼光色のような微妙な色差が
実現可能となるという効果がある。請求項3の発明は、
請求項1又は2の発明において、上記凹部又は凸部に上
記発光ダイオード素子からの光を反射する反射手段を設
けたので、高輝度並びに高効率化が図れるという効果が
ある。
【0082】請求項4の発明は、上記基板の少なくとも
一部に複数の発光ダイオード素子のグランドとなる金属
板を設け、該金属板に上記発光ダイオード素子を接触さ
せて成るので、発光ダイオード素子が発する熱を金属板
により効率良く放熱することができ、温度上昇を抑えて
発光効率や輝度の低下が防止できるとともに発光ダイオ
ード素子の寿命が延ばせるという効果がある。
【0083】請求項5の発明は、少なくとも上記基板の
凹部又は凸部の発光ダイオード素子の周りに当該発光ダ
イオード素子からの光を反射する金属製の放熱体を配設
したので、発光ダイオード素子が発する熱を金属製の放
熱体により効率良く放熱することができ、温度上昇を抑
えて発光効率や輝度の低下が防止できるとともに発光ダ
イオード素子の寿命が延ばせるという効果がある。
【0084】請求項6の発明は、上記基板に銅張金属基
板を一体に形成し、該銅張金属基板の一方の面に形成さ
れた銅張部分に上記発光ダイオード素子を実装してグラ
ンドとし、上記発光ダイオード素子の発光を制御する制
御手段を構成する回路素子を上記銅張金属基板の他方の
面に実装したので、小型化が図れるとともに制御手段の
ノイズに対するシールドも可能になるという効果があ
る。
【0085】請求項7の発明は、上記発光ダイオード素
子から発する熱を放熱する放熱体を備え、該放熱体に複
数の凹凸部を設けたので、発光ダイオード素子が発する
熱を放熱体により効率良く放熱することができ、特に凹
凸部を設けることで放熱体の表面積を増加させて効率良
く放熱することができ、温度上昇を抑えて発光効率や輝
度の低下が防止できるとともに発光ダイオード素子の寿
命が延ばせるという効果がある。
【0086】請求項8の発明は、上記発光ダイオード素
子の少なくとも一部分に接触する放熱フィンを備えたの
で、発光ダイオード素子が発する熱を放熱フィンにより
効率良く放熱することができ、温度上昇を抑えて発光効
率や輝度の低下が防止できるとともに発光ダイオード素
子の寿命が延ばせるという効果がある。請求項9の発明
は、上記発光ダイオード素子と少なくとも一部で接触す
る放熱ピンを上記基板内に埋設したので、発光ダイオー
ド素子が発する熱を放熱ピンにより効率良く放熱するこ
とができ、温度上昇を抑えて発光効率や輝度の低下が防
止できるとともに発光ダイオード素子の寿命が延ばせる
という効果がある。
【0087】請求項10の発明は、上記基板の凸部を多
層に形成したので、発光ダイオード素子が発する熱を空
気の対流で発散させ、発光ダイオード素子の温度上昇を
抑えて発光効率や輝度の低下が防止できるとともに発光
ダイオード素子の寿命が延ばせるという効果がある。請
求項11の発明は、上記発光ダイオード素子近傍の上記
基板に通風用の貫通孔を設けたので、貫通孔を通る空気
の対流で発光ダイオード素子からの熱を発散させ、発光
ダイオード素子の温度上昇を抑えて発光効率や輝度の低
下が防止できるとともに発光ダイオード素子の寿命が延
ばせるという効果がある。
【0088】請求項12の発明は、上記発光ダイオード
素子を、当該発光ダイオード素子のP型半導体とN型半
導体とが上記基板の実装面に対して略平行に並ぶように
配設したので、発光ダイオード素子の実装にワイヤボン
ディングを使用せずに済み、発光効率を増大できるとと
もにワイヤの影が生じるのを防ぎ、配光特性の設計自由
度を拡げることができるという効果がある。
【0089】請求項13の発明は、上記複数の発光ダイ
オード素子の発光方向に規則性を持たせるように上記基
板を形成したので、基板の形状に応じて容易に配光特性
を制御することができるという効果がある。請求項14
の発明は、上記基板の両面に凹部又は凸部の少なくとも
一方を形成するとともに、上記各凹部又は凸部に各々1
乃至複数の発光ダイオード素子を配設したので、光の照
射範囲を基板周囲の略全方向に拡げることができるとい
う効果がある。
【0090】請求項15の発明は、1乃至複数の上記凹
部又は凸部を有し該凹部又は凸部に発光色の異なる複数
種の発光ダイオード素子を配設してセルを構成し、該セ
ルを複数個用いて形成されるので、製造工程で発生した
不良あるいは経年劣化により一部の発光ダイオード素子
が不点灯になった場合、当該不点灯となった発光ダイオ
ード素子が含まれるセルのみを交換することで安価に復
旧させることができるという効果がある。また、混色あ
るいは配光特性の異なるセルを組み合わせるようにすれ
ば、装飾用のLED照明装置が簡単な構成で実現できる
という効果がある。
【0091】請求項16の発明は、上記発光ダイオード
素子を微振動させる手段を上記基板に設けたので、特定
の発光ダイオード素子を振動させることで任意の混色及
び配光特性を得ることができ、また振動を制御すること
で人に不快感を与える光のちらつき特性を改善すること
ができるという効果がある。請求項17の発明は、上記
基板を撓み自在に形成したので、基板を自在に曲げるこ
とができて配光特性を容易に変えることが可能となり、
しかも基板の弾性を利用してねじ等を使わずにハウジン
グ等に容易に取り付けることができるという効果があ
る。
【0092】請求項18の発明は、所定個数の上記発光
ダイオード素子が含まれる寸法単位に上記基板を切断自
在としたので、必要な照度が得られるような寸法に基板
を切断して使用することができて効率的であり、しかも
基板を大きな単位で作成することが可能でコストダウン
が図れるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1の要部を示す側面断面図である。
【図2】同上を示す斜視図である。
【図3】実施形態2の要部を示す側面断面図である。
【図4】実施形態3の要部を示す側面断面図である。
【図5】同上を示す平面図である。
【図6】実施形態4の要部を示す側面断面図である。
【図7】実施形態5の要部を示す側面断面図である。
【図8】実施形態6の要部を示す側面断面図である。
【図9】実施形態7の要部を示す側面断面図である。
【図10】実施形態8の要部を示す側面断面図である。
【図11】実施形態9の要部を示す側面図である。
【図12】実施形態10の要部を示す側面断面図であ
る。
【図13】実施形態11を示し、(a)は要部側面断面
図、(b)は要部斜視図である。
【図14】同上の他の構成を示し、(a)は要部側面断
面図、(b)は要部斜視図である。
【図15】同上に対する従来の構成を示す要部側面断面
図である。
【図16】実施形態12の要部を示す側面図である。
【図17】実施形態13の要部を示す側面図である。
【図18】実施形態14の斜視図である。
【図19】同上を示し、(a)は1セルの構成図、
(b)は複数セルから成るモジュールの構成図である。
【図20】実施形態15の要部斜視図である。
【図21】実施形態16の斜視図である。
【図22】同上の要部を示す側面図である。
【図23】実施形態17の斜視図である。
【図24】同上の要部回路構成図である。
【図25】従来例を示す側面図である。
【図26】同上の斜視図である。
【符号の説明】
1 LEDチップ 10 基板 11 凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 俊之 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 塩浜 英二 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 杉本 勝 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 山本 正平 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 橋爪 二郎 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 秋庭 泰史 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 田中 孝司 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に凹部又は凸部の少なくとも一方を
    複数形成するとともに、上記各凹部又は凸部に各々1乃
    至複数の発光ダイオード素子を配設したことを特徴とす
    るLED照明装置。
  2. 【請求項2】 上記複数の発光ダイオード素子に発光色
    の異なる1乃至複数種の発光ダイオード素子を含むこと
    を特徴とする請求項1記載のLED照明装置。
  3. 【請求項3】 上記凹部又は凸部に上記発光ダイオード
    素子からの光を反射する反射手段を設けたことを特徴と
    する請求項1又は2記載のLED照明装置。
  4. 【請求項4】 上記基板の少なくとも一部に複数の発光
    ダイオード素子のグランドとなる金属板を設け、該金属
    板に上記発光ダイオード素子を接触させて成ることを特
    徴とする請求項1記載のLED照明装置。
  5. 【請求項5】 少なくとも上記基板の凹部又は凸部の発
    光ダイオード素子の周りに当該発光ダイオード素子から
    の光を反射する金属製の放熱体を配設したことを特徴と
    する請求項1記載のLED照明装置。
  6. 【請求項6】 上記基板に銅張金属基板を一体に形成
    し、該銅張金属基板の一方の面に形成された銅張部分に
    上記発光ダイオード素子を実装してグランドとし、上記
    発光ダイオード素子の発光を制御する制御手段を構成す
    る回路素子を上記銅張金属基板の他方の面に実装したこ
    とを特徴とする請求項1記載のLED照明装置。
  7. 【請求項7】 上記発光ダイオード素子から発する熱を
    放熱する放熱体を備え、該放熱体に複数の凹凸部を設け
    たことを特徴とする請求項1記載のLED照明装置。
  8. 【請求項8】 上記発光ダイオード素子の少なくとも一
    部分に接触する放熱フィンを備えたこと特徴とする請求
    項1記載のLED照明装置。
  9. 【請求項9】 上記発光ダイオード素子と少なくとも一
    部で接触する放熱ピンを上記基板内に埋設したことを特
    徴とする請求項1記載のLED照明装置。
  10. 【請求項10】 上記基板の凸部を多層に形成したこと
    を特徴とする請求項1記載のLED照明装置。
  11. 【請求項11】 上記発光ダイオード素子近傍の上記基
    板に通風用の貫通孔を設けたことを特徴とする請求項1
    記載のLED照明装置。
  12. 【請求項12】 上記発光ダイオード素子を、当該発光
    ダイオード素子のP型半導体とN型半導体とが上記基板
    の実装面に対して略平行に並ぶように配設したことを特
    徴とする請求項1記載のLED照明装置。
  13. 【請求項13】 上記複数の発光ダイオード素子の発光
    方向に規則性を持たせるように上記基板を形成したこと
    を特徴とする請求項1記載のLED照明装置。
  14. 【請求項14】 上記基板の両面に凹部又は凸部の少な
    くとも一方を形成するとともに、上記各凹部又は凸部に
    各々1乃至複数の発光ダイオード素子を配設したことを
    特徴とする請求項1記載のLED照明装置。
  15. 【請求項15】 1乃至複数の上記凹部又は凸部を有し
    該凹部又は凸部に発光色の異なる複数種の発光ダイオー
    ド素子を配設してセルを構成し、該セルを複数個用いて
    形成されることを特徴とする請求項1記載のLED照明
    装置。
  16. 【請求項16】 上記発光ダイオード素子を微振動させ
    る手段を上記基板に設けたことを特徴とする請求項1記
    載のLED照明装置。
  17. 【請求項17】 上記基板を撓み自在に形成したことを
    特徴とする請求項1記載のLED照明装置。
  18. 【請求項18】 所定個数の上記発光ダイオード素子が
    含まれる寸法単位に上記基板を切断自在としたことを特
    徴とする請求項1記載のLED照明装置。
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