TW393747B - Semiconductor device, film carrier tape, circuit board and the electronic device and their manunfacturing - Google Patents

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TW393747B TW087120368A TW87120368A TW393747B TW 393747 B TW393747 B TW 393747B TW 087120368 A TW087120368 A TW 087120368A TW 87120368 A TW87120368 A TW 87120368A TW 393747 B TW393747 B TW 393747B
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Nobuaki Hashimoto
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Description

A7 B7 五、發明說明（1 ) 〔發明領域〕 ~ --------------裝—— (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 本發明係爲關於半導體裝置及其製造方法、軟片型載 裝帶、電路基板以及電子機器。 〔先行技術〕 追求半導體的小型化則成對晶片實裝較爲理想，但由 於品質的保證及使用操作較難，所以利用加工成封裝形態 期予對應。特別是因應於要求多端子化之封裝形態_，近年 ’ B G A ( ball grid array )型封裝已被開發。BGA型 封裝係爲將爲外部端子之凸起呈區域陣列狀配置在基板， 而使其能實裝之封裝。 .線· 作爲B GA型封裝的1種，具有採用可撓性的基板之 封裝。在此樣B GA型封裝的製造，特別是必須實裝窄距 導片的半導體元件之需求、或能連續製造之優點，所以適 用 T A B ( Tape Automated Bonding )技術。 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 例如’在日本專利特開平8 — 3 1 8 6 9號公報，已 揭示利用軟片型載裝帶製造B GA型封裝。在此軟片型載 裝帶，對應於各個封裝而個別形成有引線，全部的.引線並 不是全部導通。因此必須對對應於各封裝之每條引線施予 電鍍’過程煩瑣。另外就是使其導通全部的引線，也因貫 穿軟片型載裝帶則引線的端面露出，所以必須加強絕緣漏 電或耐濕信賴性等。 〔發明開示〕 -4- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 —____B7____五、發明說明（2 ) •翁. "*»-7- 本發明係爲了解決此問題點；其目的係爲提供就是從 軟片的端面露出引線的端面也能防止降低信賴性之半導體 裝置及其製造方法、軟片型載裝帶、電路基板及電子機器 0 (1 )本發明之半導體裝置具有：備有裝置孔之絕緣 軟片，及 被形成在前述絕緣軟片之複數個外部電極，及 從前述絕緣軟片的外形端露出端面而分別被塞_接在前 述外部電極的1個之複數條第1引線，及 從前述裝置孔突出端部而分別被連接在前述外部電極 的1個之複數條第2引線，及 在前述裝置孔內被連接到前述第2引線的前述端部之 半導體元件； 對前述第1及第2引線，施予電鍍。 前述絕緣軟片，在含有前述第1引線的前述所露出的 端面之領域，形成爲具有切痕之外形。 依據本發明之半導體裝置，形成爲藉由被形成在絕緣 軟片之複數個外部電極就可以面實裝。另外在引線施予電 鍍。第1引線從絕緣軟片的外形端露出端面，但此絕緣軟 片的外形形成爲含有第1引線所露出的端面之領域被切痕 。因此就是手持絕緣軟片的外側也不致接觸到第1引線的 端面，所以能防止水分侵到內部所造成耐濕信賴性的劣化 〇 (2 )前述第1引線，被形成爲前述所露出的端面在 (請先閱讀背面之注意事項t寫本頁) 裝 •1_ --線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐〉 -5- A7 B7 五、發明說明（3 ) 複數個處所密集亦可。 --------------裝i — (請先閲讀背面之注意事項wCr寫本頁) 第1引線，因避開外部電極而被配置，所以被形成爲 密集在所定處所。然且當第1引線所露出的端面密集時， 可以整合各密集領域切入絕緣膜，以此方法就可以減少形 成切痕的處所。 (3 )本發明之半導體裝置具有：備有裝置孔之絕緣 軟片，及 被形成在前述絕緣軟片之複數個外部電極，及^ 從前述絕緣軟片的外形端露出端面而分別被連接在前 述外部電極的1個之複數條第1引線，及 從前述裝置孔突出端部而分別被連接在前述外部電極 的1個之複數條第2引線，及 在前述裝置孔內被連接在前述第2引線的前述端部之 半導體元件等； -.線· 對前述第1及第2引線，施予電鍍， 前述第1引線被形成爲至少前述所露出之端面爲相互 分散並排。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明之半導體裝置，被形成爲藉由被形成在絕 緣軟片之複數個外部電極就能面實裝。另外在引線施予電 鍍。第1引線從絕緣軟片的外形端露出端面，但此所露出 的端面爲相互分散並排。因此相鄰同類端面的間隔盡可能 加寬，所以能使兩者間所產生的電界減弱。然且因減弱電 界，所以就是在絕緣軟片的外形端附著水分*也不易發生 漏電，因此可以使信賴性提高。 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 A7 _ B7_ 五、發明說明（4 ) (4 )前述第1引線，以幾乎等間隔並排亦可。 經此過程就可以將第1引線的前述所露出的端面相互 分散並排。 (5 )本發明半導體裝置之製造方法，準備具有複數 個裝置孔，及複數個外部電極，及從前述裝置孔突出端部 而分別通過前述外部電極的1個之複數條引線，及連接前 述全部引線之電鍍引線等；介由前述電鍍引線而對前述引 線施予電鍍，介由各裝置孔而在前述引線的前述端_部連接 半導體元件之軟片型載裝帶； 以被形成有前述引線的領域被切痕之形狀，貫穿前述 軟片型載裝帶。 依據本發明，在具有外部電極及引線之軟片型載裝帶 搭載半導體元件後，貫穿軟片型載裝帶而製造半導體裝置 。此處，軟片型載裝帶貫穿使引線的形成領域被切痕。依 據經此方法所得有的半導體裝置，含有引線露出的端面之 領域被切痕，就是手持也不致接觸到引線的端面，所以能 防止水分侵入到內部所造成耐濕信賴性的劣化。 (6)前述引線被形成爲在複數個處所密集亦.可。 引線因避開外部電極而被配置，所以大多被形成爲在 所定處所密集；整合各密集領域將絕緣軟片切痕就可以減 少切痕處所。 - (7 )本發明軟片型載裝帶具有：複數個裝置孔、及 複數個外部電極、及從前述裝置孔突出端部而分別通過前 述外部電極的1個之複數條引線、及連接前述全部的引線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐〉 ------ ------I-裝--- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁> •5. -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印*'《 A7 B7__ 五、發明說明（5 ) ，- -iw 之電鍍引線等； 前述引線，介由前電鍍引線施予電鍍，在於前述外部 電極與前述電鍍引線之間的部位，被形成爲相互分散並排 〇 依據本發明，因在電鍍引線連接全部的引線，所以介 由電鍍引線在引線施予電鍍。另外依據軟片型載裝帶，在 於外部電極與電鍍引線之間的部位，引線相互分散並排。 因此，在此位置，貫穿軟片型載裝帶則引線的所霡比端面 相互分散並排》因此，相鄰導線的端面之間隔，盡可能加 寬，所以能弱減兩者間所產生的電界。然且因電界減弱所 以就是在絕緣軟片的外形端附著水分，也不易造成洩漏而 能得到高信賴性的半導體裝置。 (8 )前述引線以幾乎等間隔並排亦可。 以此方法，可以相互分散並排引線的前述所露出的端 面。 (9 )本發明之電路基板實裝上述半導體裝置。 (1 0 )本發明之電子機器具有上述電路基板。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖係爲說明本發明第1實施形態半導體裝置的製 造過程之圖》 - 第2圖係爲表示第1實施形態所完成的半導體裝置之 圖。 第3圖係爲表示本發明第2實施形態的軟片型載裝帶 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 -8- -------------裝.1 — (請先閱讀背面之注意事項wCr寫本頁) 訂· -線· B7 五、發明說明（6 ) 之圖。 第4圖係爲表示本實施形態的電路基板之圖。 (請先閱讀背面之注意事項f寫本頁) 第5圖係爲表示具備使用本發明的方法所製造之半導 體裝置，在電路基板實裝該半導體基板的電子機器之圖。 第6圖係爲表示本發明軟片型載裝帶之槪略圖。 〔實施形態〕 經濟部智慧財產局員工消费合作社印*1"4 在說明本發明的實施形態之前，說明形成本發· _明的動 機之技術。第6圖係爲表示本發明者所提案的軟片型載裝 帶之槪略圖。針對同圖，在樹脂所形成帶狀之軟片1 0 0 ，形成裝置孔1 0 2及送帶導引口 1 0 4。另外在軟片 1 0 0經蝕刻銅箔而形成圓狀表面1 0 6、引線1 0 8和 1 1 0以及電鍍引線1 1 2。圓狀表面1 0 6係爲了設置 突起（未圖示）之領域。引線1 0 8，一方的端從裝置孔 1 0 2突出，他方的端部被連接到圓狀表面。在裝置孔 1 0 2的內側，引線1 0 8的端部接合到半導體晶片 1 1 4的電極（未圖示）。另外引線1 1 0係爲使其連接 引線1 0 6與電鍍引線1 1 2。 . 介由電鍍引線1 1 2導通全部的圓狀表面1 0 6及引 線108、110,所以能在這些施予電鍍。相反地，施 予電鍍使其全部導通這些爲不可缺。 — 然且，搭載半導體晶片1 1 4後，軟片1 0 0在二點 狀虛線1 2 0所示的領域貫穿， 依據經此方法所得之半導體裝置，在軟片1 0 0的所 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明說明（7 ) 隹- 被貫穿的端面，露出引線1 1 〇的端面。因此，以手持則 汗水等附著在此引線1 1 〇的露出面，則恐會^腐蝕引線 1 1 0並且水分侵入到內部而劣化耐濕信賴性之問題。 或者是如第6圖所示，在於複數個引線1 1 0所集中 的領域3 1 0，因同類引線接近所以電界增強。因此，水 分附著在引線1 1 0的露出面，則易於造成漏電。 本發明係爲用以解決上述技術的問題。以下，參照圖 面說明本發明的實施形態。 (第1實施形態） 第1圖係爲說明本發明第1實施形態半導體裝置的製 造過程之圖。第2圖係爲表示第1實施形態的所完成半導 體裝置之圖。 如第2圖所示，半導體裝置1 0係爲適用B GA封裝 之裝置。即是在於同圖，半導體裝置1 0具有絕緣軟片 1 2、及被形成在絕緣軟片1 2之複數個突起1 4、及半 導體晶片1 6等；藉由複數個突起1 4能面實裝。. 絕緣軟片12係爲衝壓第1圖所示長狀的軟片型載裝 帶3 0而得到，所以被形成爲比半導體晶片1 2還大。然 而軟片型載裝帶3 0以聚亞胺樹脂等所形成。在絕緣膜片 1 2被形成有裝置孔2 4，在其外側形成複數條引線2 0 、2 2及複數個圓狀表面2 1。 詳細上，在軟片型載裝帶3 0，預先被形成有裝置孔 2 4，並且在各裝置孔2 4的外側形成複數條引線2 0、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -10- -------------裝i — (請先閱讀背面之注意事項一^寫本頁) 訂·- 線 A7 B7 五、發明說明（8 ) 22及複數條圓狀表面21。在引線20、 22及圓形面 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項h寫本頁) 2 1全部施予電鍍。貫穿截取此軟片型載裝帶3 0而得到 絕緣軟片1 2。 突起1 4介由貫通絕緣軟片1 2之孔1 2 a，從與引 線20、 22及 '圓狀表面21相反側突出而被形成。以此 方法，成爲在形成突起14之側未露出引線20、 22及 圓狀表面2 1之構造。然而突起1 4，例如以焊點形成， 上部被形成爲球體狀。突起14，至孔12a內爲_止利用 焊點被一體形成亦可；其他導電構件至少被設在孔1 2 a 內且在其上部搭載以焊點等所形成之突起1 4亦可。另外 除了焊點以外，例如使用銅等亦可。 -線· 從裝置孔24，突出引線20 —方的端部20a，在 此端部2 0 a連接半導體晶片1 6的電極1 8。即是配置 半導體晶片1 6，使電極1 8位於形成絕緣軟片1 2中的 引線之側的面，且是在裝置孔2 4的內側後，接合引線 20的端部20a與電極18。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 引線4 0係爲使其連接半導體晶1 6的電極1. 8與圓 狀表面2 1。然且圓狀表面2 1，介由引線2 2，.被連接 到電鍍引線32 (參照第1圖。在電鍍引線32，連接全 部的引線22。引線22避開圓狀表面21而被形成。因 此，如第1圖所示，在於與電鍍引線3 2的連接部4Ό， 集中複數條引線2 2。然而電鍍引線3 2係爲在引線2 0 、22及圓狀表面21施予電鍍時被使用。 本實施形態的特徵係爲從軟片型載裝帶3 0所貫穿截 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） -11 - A7 B7 五、發明說明（9 ) --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 取而形成之絕緣軟片1 2的外形。即是在絕緣軟片1 2形 成有切痕。此切痕3 4係爲部分地使其凹陷全體外形爲矩 形之絕緣軟片1 2。此切痕3 4被形成在引線2 2的形成 領域。特別是在本實施形態，幾個引線2 2集中在連接部 40 ;在於此連接部40，形成切痕。 .在形成此切痕34下，引線22的端面22a，伸入 到內側。因此，就是手持半導體裝置1 0的外形，也不會 接觸到引線2 2的端面。然且因在此端面2 2 a不__易附著 汗水等，所以減少水分侵入到內部，提高信賴性。 然且，半導體晶片1 6與絕緣軟片1 2之間，以環氧 樹脂2 6的接合而被封包。另外，環氧樹脂2 6也充塡在 裝置2 4及半導體晶片1 6的外周。 --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 進而，在本實施形態，於與突起1 4相反側，在絕緣 軟片1 2設置平板2 8。平板2 8係爲以銅或不銹鋼或銅 系合金等所形成，具有能維持平面形狀之強度；介由絕緣 接著劑29,被貼著在引線20、 22及圓狀表面21之 上。另外平板28，避開半導體晶片16，被貼著在絕緣 軟片12 —方之面全體。以此方式，引線20、2.2及圓 狀表面2 1利用絕緣接著劑2 9及平板2 8而被保護。特 別是絕緣接著劑2 9形成爲與焊阻層同樣的保護層。 絕緣接著劑2 9，係爲以熱硬化性或熱可塑性的軟片 所形成，預先貼著在平片2 8亦可。然且可以將平板熱壓 著在具有絕緣軟片1 2之引線2 0、2 2及圓狀表面2 1 之面。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7____ 五、發明說明（1〇 ) - * 另外，在設置平板2 8下，消除絕緣軟片1 2的變形 、曲撓；突起1 4的高度形成一定而提高平面安定性，且 提高實裝到電路基板的良品率。 此平板28係爲將抗蝕層設置在引線20、 22及圓 狀表面2 1後，介由絕緣接著劑2 9貼著在其上面亦可。 經此過程，可以防止保持摻雜不純物的原狀貼著平板之情 況。 進而，在與半導體晶片1 6的實裝面相反側之_面，介 由銀糊等的熱傳導接著構件接著放熱板2 7。藉由此情況 ，可以提高半導體晶片16的放熱性。放熱板27被形成 爲比半導體晶片1 6還大，也被接著在平板2 8之上。 然而，在平板2 8與放熱板2 7之間存在有接著劑（ 在第2圖未表示），藉此貼著兩者（平板28及放熱板 27)。因此，以此接著劑，接著放熱板27與半導體晶 片亦可。 另外，如第2圖所示，本實施形態，在設有絕緣軟片 1 2的突起1 4之面，形成焊阻層3 6，但省略此焊阻層 亦可。不過當引線20、 22被形成在突起14側诗，必 須塗敷焊阻層36使其覆蓋這些的引線20、 22。 本實施形態，如上述所構成：以下說明其製造方法。 首先，形成第1圖所示之軟片型載裝帶3 0。略述其 製造過程，則在長狀的軟片形成裝置孔24及孔12a ( 參照第2圖）：貼著銅箔後蝕刻這些銅箔，而形成引線 20、 22及圓狀表面21及電鍍引線32。然且電鍍引 * ^1 ϋ I .1 ϋ 1 1· ·1 1 I n I (請先閲讀背面之注意事項tjc,寫本頁) *'SJ. -線. 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） • 13 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（11 ) 線32作爲電極，在引線20、 22及圓狀表面21施予 電鍍。其他的製成，由於是眾知所以省略說明》 其次，進行如下的製程；在引線2 0的端部2 〇 a接 合半導體晶片1 b的電極1 8之製程，及在絕緣軟片1 2 (軟片型載裝帶3 0 )貼著平板2 8之製程、及在半導體 晶片1 b與絕緣軟片1 2 (軟片型載裝帶3 0)之間設置 環氧樹脂26之製程、及將軟片型載裝帶30貫穿成絕緣 軟片1 2的形狀之製程、及在半導體晶片1 6接著_放熱板 2 7之製程。這些製程更換順序亦可。 此處，貫穿軟片型載裝帶3 0時，使連接電鍍引線 32與圓狀表表面21之引線22的端面22a (參照第 2圖）切痕，而形成切痕3 4。在本實施形態，複數條引 線2 2，如第1圖所示，集中在所定的領域，所以在此領 域40形成切痕34。 經過以上的製程，可以得到上述過的半導體裝置1 0 。依據本實施形態，藉由使引線2 2的端面2 2 a切痕， 形成爲凹陷的形狀，所以例如就是手持半導體裝置1 0也 不會接觸到引線2 2的端面2 2 a，所以能防止水.分侵入 到內部所造成耐濕信賴性的劣化。 (第2實施形態） - 第3圖係爲表示本發明第2實施形態軟片型載裝帶之 圖。同圖所示之軟片型載裝帶5 0，對於被形成有裝置孔 64，並且形成引線60、 62及圓狀表面61以及電鍍 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 14· — — — — — — — — — — — — — ·1111111 — — — — — — — <請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7_^_ 五、發明說明（12 ) 引線66之點，則是與第1圖所示的軟片型載裝帶30同 樣。不過，第3圖所示之軟片型載裝帶5 0 ,對於連接圓 狀表面6 1與電鍍引線6 6之引線6 2配置，則是與第1 圖所示之軟片型載裝帶3 0不同。 即是如第3圖所示，複數條引線6 2，以幾乎均等的 間隔，相互分散而被配列。然且軟片型載裝帶5 0，與過 去技術同樣地，貫穿成矩形狀後取得絕緣軟片5 2。詳細 情況上，沿著貫穿軟片型載裝帶5 0之直線，相亂引線 6 2的間隔形成爲幾乎均等。 依據本實施形態，貫穿以幾乎等間隔並排之複數條引 線6 2的部位，所以從絕緣軟片5 2的外形端露出之引線 62的端面62a，以等間隔相互分散並排。因此，相鄰 端面6 2 a之間隔盡可能加寬，所以能弱減兩者所產生電 位差的電界。然且，因減弱電界，所以就是在絕緣軟片 5 2的外形端附著不純物，也不易產生漏電，因此可以使 其提高耐濕性及信賴性。 使用此軟片型載裝帶5 0，藉由與第1實施形.態同樣 的製程（絕緣軟片12的貫穿形狀除外），可以製造與第 2圖所示的半導體裝置10同樣的半導體裝置（絕緣軟片 1 2的外形除外）。 依據本實施形態，以同過去同樣的形狀，貫穿軟片型 載裝帶5 0，所以只變更引線6 2的配置，就可以使用與 過去同樣的製造裝置。 本發明不限於上述實施形態，種種的變形爲可能。例 I-----lull- — — illllll ^«1 —---111^. (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7____ 五、發明說明（13 ) 如，如第2圖所示，不限於半導體晶片1 6實裝在與凸起 1 4形成面相反側之背面TAB型；對於在凸起1 4形成 面側實裝半導體晶片16之表面TAB型也可以適用本發 明。另外，取代上述絕緣軟片1 2，改而使用在配線側一 體成突起之所謂B - ΤΑ B型的絕緣軟片亦可。或者是使 用無突起的軟片型載裝帶，進行單點接合亦可。 在第4圖表示實裝適用本發明的半導體裝置1 1 0 0 之電路基板1 000。在電路基板，例如，一般是·使用玻 璃環氧樹脂。在電路基板被形成有以銅所形成之配線圖案 而成爲所要的電路，機械性連接這些配線圖案與半導體裝 置的凸起，達成這些的電氣導通。此情況，若在上述的半 導體裝置，設置吸收因與外部熱膨脹差所產生的變形之構 造，則就是將本半導體裝置實裝在電路基板也可以提高連 接時及連接以後的信賴性。另外就是對半導體裝置的配線 也更加強，則可以使其提高連接時及連接後的信賴性》然 而實裝面積也可以減小以成對晶片所實裝的面積。因而若 將此電路基板用於電子機器則可達到電子機器本身的小型 化。另外在於同一面積可以更確保實裝空間，也能達到高 機能化。 然且在第5圖表示筆記型個人電腦1 2 0 0，作爲具 備此電路基板1000之電子機器。 - 然而，應用上述本發明，也可以製造與半導體裝置同 樣地必須多數個凸起之面實裝用的電子零件（不論是能動 元件或是受動元件）。作爲電子零件，例如具有電阻器、 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項h寫本頁) 訂.- •線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐〉 -16- A7 B7__ 五、發明說明（14 ) -- 電容器、線圈、振盪器、濾波器、溫度感應器、熱敏電阻 、可變電阻、電位器、保線絲。 〔圖號說明〕 10:半導體裝置 12:絕緣軟片 14:突起（外部電極）16:半導體晶片（半導體元件） 2 0 :引線 2 0 a :端部 2 2 :引線 2 2 a :端面 一— 24:裝置孔 30:軟片型載裝帶 3 2 :電鍍引線 3 4 :切痕 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) --1°· - --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17-

Claims (1)

  1. 軟片；及 從前 述外部電 從前 1個之複 在前 半導體元 在印J X IV 則述 端面之領 2 . 第1引線 述絕緣軟 極的1個 裝置孔突 數條第2 述裝置孔 件等； 述第1及 絕緣軟片 域，形成 如申請專 ，被形成 片的外形端露出端面而分別被連接在前 之複數條第1引線：及 出端部而分別被連接在前述外部電極的 引線；及 內被連接在前述第2引線的前述端部之 第2引線，施予電鍍； ，在含有前述第1引線的前述所露出的 具有切痕之外形。 利範圍第1項之半導體裝置，其中前述 爲前述所露出的端面密集在複數個處所 請 先 閲 % 背 之 注 意 事 項
    訂 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 3 種半導體裝置，係爲具有：具有裝置孔之絕緣 軟片；及 被形成在前述絕緣軟片之複數個外部電極；及 從前述絕緣軟片的外形端露出端面而分別被連·接在前 述外部電極的1個之複數條第1引線：及 從前述裝置孔突出端面而分別被連接在前述外部電極 的1個之複數條第2引線；及 - 在前述裝置孔內被連接在前述第2引線的前述端部之 半導體元件等； 在前述1第及第2引線施予電鍍； 本紙張尺度遑用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專巧範圍 前述第1及第2引線被形成爲至少前述所露出的端面 •相互分散並排。 4 .如申請專利範圍第3項之半導體裝置，其中前述 第1引線以幾乎等間隔並排。 5 . —種半導體裝置之製造方法，係爲準備具有複數 個裝置孔、及複數個外部電極、及從前述裝置孔突出端部 而分別通過前述外部電極的1個之複數條引線、及連接前 述全部的引線之電鍍引線等；且介由前述電鍍引線在前述 引線施予電鍍；介由各裝置孔，在前述引線的前述端部連 接半導體元件之軟片型載裝帶。 6·如申請專利範圍第5項半導體裝置之製造方法， 其中前述引線，被形成爲密集在複數個處所。 7 . —種軟片型載裝帶，係爲具有複數個裝置孔，及 複數個外部電極，及從前述裝置孔突出端部而分別通過前 述外部電極的1個之複數條引線，及連接前述全部的引線 .之電鍍引線； 前述引線介由前述電鍍引線施予電鎪，在於前述外部 電極與前述電鍍引線之間的部位，被形成爲相互散並排。 8 .如申請專利範圍第7項之軟片型載裝帶，其中前 述引線以幾乎等間隔並排。 9 . 一種電路基板，係爲實裝申請專利範圍第1-或2 項的半導體裝置之電路基板。 1 0 . —種電路基板，係爲實裝申請專利範圍第3或 4項的半導體裝置之電路基板。 (請先閲讀背面之注意事項^-Ni,寫本頁) .裝· 、1T 線 本紙張尺度逋用t國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 + -*iw·1 1 . 一種電子機器，係爲具有申請專利範圍第9項 的電路基板之電子機器。 n ~"訂 (請先閲讀背面之注意事項hi,寫本頁) 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -ZU-
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KR (1) KR100372466B1 (zh)
SG (1) SG72904A1 (zh)
TW (1) TW393747B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI715590B (zh) * 2015-06-10 2021-01-11 美商3M新設資產公司 組件載帶及其製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3608205B2 (ja) * 1996-10-17 2005-01-05 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法並びに回路基板
US6359334B1 (en) 1999-06-08 2002-03-19 Micron Technology, Inc. Thermally conductive adhesive tape for semiconductor devices and method using the same
US6404046B1 (en) * 2000-02-03 2002-06-11 Amkor Technology, Inc. Module of stacked integrated circuit packages including an interposer
KR100713637B1 (ko) * 2000-02-21 2007-05-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 테이프 캐리어 팩키지 필름
JP2001332658A (ja) 2000-03-14 2001-11-30 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JP3476442B2 (ja) * 2001-05-15 2003-12-10 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
TWI300679B (en) * 2006-02-22 2008-09-01 Au Optronics Corp Assembly of fpc and electric component
US20110059579A1 (en) * 2009-09-08 2011-03-10 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming tape ball grid array package
TWI451549B (zh) * 2010-11-12 2014-09-01 Unimicron Technology Corp 嵌埋半導體元件之封裝結構及其製法
CN104735906B (zh) * 2013-12-24 2017-11-17 张逸 一种金手指线路板
US12002795B2 (en) 2022-04-13 2024-06-04 Google Llc Pluggable CPU modules with vertical power

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0526746Y2 (zh) * 1987-07-14 1993-07-07
US5036380A (en) * 1988-03-28 1991-07-30 Digital Equipment Corp. Burn-in pads for tab interconnects
JPH0373559A (ja) * 1989-08-15 1991-03-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2751450B2 (ja) * 1989-08-28 1998-05-18 セイコーエプソン株式会社 テープキャリアの実装構造及びその実装方法
JP2816244B2 (ja) * 1990-07-11 1998-10-27 株式会社日立製作所 積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置
US5519332A (en) * 1991-06-04 1996-05-21 Micron Technology, Inc. Carrier for testing an unpackaged semiconductor die
US5355018A (en) * 1992-06-26 1994-10-11 Fierkens Richard H J Stress-free semiconductor leadframe
US5400219A (en) * 1992-09-02 1995-03-21 Eastman Kodak Company Tape automated bonding for electrically connecting semiconductor chips to substrates
JP2875122B2 (ja) * 1992-11-20 1999-03-24 株式会社東芝 リ−ド・キャリア
JPH06338544A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 改良されたｔａｂテープ
JP2606603B2 (ja) 1994-05-09 1997-05-07 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法及びその実装検査方法
US5527740A (en) * 1994-06-28 1996-06-18 Intel Corporation Manufacturing dual sided wire bonded integrated circuit chip packages using offset wire bonds and support block cavities
KR100209782B1 (ko) * 1994-08-30 1999-07-15 가나이 쓰도무 반도체 장치
JPH08153826A (ja) 1994-11-30 1996-06-11 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH08274214A (ja) 1995-03-30 1996-10-18 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH098186A (ja) 1995-06-22 1997-01-10 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
US5786631A (en) 1995-10-04 1998-07-28 Lsi Logic Corporation Configurable ball grid array package

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI715590B (zh) * 2015-06-10 2021-01-11 美商3M新設資產公司 組件載帶及其製造方法

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Publication number Publication date
US6297964B1 (en) 2001-10-02
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