TW201411296A - 光掩模、光掩模組、曝光裝置以及曝光方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係在提供一種能夠提高電路板與分別配置於電路板表面和背面上的光掩模之間的對位精度之光掩模；本發明之光掩模(70)具備：描繪圖形(73)，其形成於光掩模(70)之與電路板(P)相對置的一面上且用於進行曝光；第一對位標記(TM1)，其設置於一面中的、在保持電路板(P)時與電路板(P)相對置且未形成有描繪圖形(73)之部位上，並且用於與形成在電路板(P)上的電路板側標記(P5)進行對位；以及第二對位標記(TM2)，其設置於在保持電路板(P)時不與該電路板(P)相對置之部位上，並且用於與設置在另一光掩模(70)上的第三對位標記(TM3)進行對位。

Description

光掩模、光掩模組、曝光裝置以及曝光方法
本發明係關於一種光掩模、光掩模組、曝光裝置以及曝光方法。
隨著電子設備之小型化和高性能化，對於電子設備等中使用的柔性印刷電路板(Flexible printed circuits；以下稱之為“電路板”)之高密度化要求提高。為了對應這樣的高密度化，透過構成設有兩層或三層以上電路板導體層之多層電路板來實現電路板之高密度化。而且，作為高密度化的一環，利用連接器等將安裝各種電子部件的多層印刷電路板之間連接的不同電路板，以筆記本式個人電腦、數碼相機、可擕式電話裝置、遊戲機等小型電子設備為中心被廣泛使用。
但是，在實現至少在表面和背面設有導體層的、具有兩層以上層數之電路板之高密度化時，形成於各層或表面和背面上的導電圖形之位置精度高很重要。即，當各層或表面和背面上的導電圖形之位置精度高時，存在下述優點，即，能夠將層間連接部的焊盤小徑化，另外，即使僅在一面 上配置下一工序的目標，也能夠抑制表面和背面上的導電圖形之位置錯位。關於如上所述提高形成於各層或表面和背面上的導電圖形之位置精度，存在專利文獻1~4所公開之技術內容。
圖13係將專利文獻1之曝光方法模式化之剖視圖。在專利文獻1之方法中，如圖13所示，透過利用CCD攝像機讀取形成於電路板上的環狀對位標記和形成於光掩模上的圓形對位標記來進行對位。在該方法中，基本上只能在一面進行對位。
圖14係將專利文獻2之曝光方法模式化之剖視圖。在專利文獻2之方法中，如圖14所示，在電路板上設有貫通孔，並且在表面側和背面側之光掩模上分別設有不同的對位標記。而且，藉由使貫通孔的位置與表面側和背面側之光掩模之對位標記的位置對準，從而進行電路板與表面側和背面側之光掩模之間的對位。
另外，在專利文獻3中公開了工件保持機構使用真空吸引之方式。進而，在專利文獻4中公開了夾鉗式(clamp type)工件保持機構。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本公報、特許第4921789號
專利文獻2：日本公報、特開2007-121425號
專利文獻3：日本公報、特許第4218418號
專利文獻4：日本公報、特公平5-41982號
然而，在專利文獻1所公開之方法中，在對分別形成於電路板表面和背面兩面上的光刻膠進行曝光時，需要分別使電路板表面和背面的位置與表面側之光掩模的位置對準。因此，會發生兩次電路板的環狀對位標記與光掩模的圓形對位標記之間的錯位，因此，難以提高電路板的表面和背面的對位精度。
另外，在專利文獻2所公開之方法中，在電路板的銅箔與透明層(例如聚醯胺薄膜)之間存在用於提高粘合性之凹凸。因此，當藉由背面處理將電路板的銅箔除去並形成貫通孔時，存在下述問題，即，存在於透明層上的凹凸使光散射，貫通孔之邊緣或者存在於背面側的光掩模上的對位標記之邊緣變得不清楚，從而導致對位精度降低。另外，在透過機械加工進行穿孔從而在電路板上形成貫通孔時，由於會產生加工精度偏差，因此存在對位精度降低這一問題。
進而，在專利文獻2所公開之方法中，電路板是從卷狀的捲繞部分引出至曝光部位，並且，在曝光部位處透過拉伸來保持電路板。因此，存在電路板被拉長的危險，另外，由於曝光部位處的保持並不穩定，因此難以提高對位精度。
另外，即使在專利文獻1、2所公開之方法中使用專利文獻3、4之工件保持機構，也難以提高光掩模與電路板之間的對位精度。
本發明係鑒於上述情況而成的，其目的在於，提供能夠提高電路板與分別配置於電路板表面和背面上的光掩模之間的對位精度之光掩模、光掩模組、曝光裝置以及曝光方法。
為了解決上述課題，本發明之第一觀點係在提供一種光掩模，其特徵在於，具備描繪圖形、第一對位標記以及第二對位標記，其中，描繪圖形形成於光掩模的與電路板相對置的一面上且用於進行曝光；第一對位標記設置於一面中的、在保持電路板時與該電路板相對置且未形成有描繪圖形之部位上，並且用於與形成在電路板上的電路板側標記進行對位；第二對位標記設置於在保持電路板時不與該電路板相對置的部位上，並且用於與設置在另一光掩模上的第三對位標記進行對位。
另外，本發明之其他方面係在上述發明中，優選在一面上設有凹部，並且，利用壓力產生機構對該凹部施加負壓從而對電路板的與一面相對置的對置面施加負壓。
進而，本發明之其他方面係在上述發明中，優選凹部包括沿著一面延伸的吸引槽和從與一面呈相反側的另一面貫穿至吸引槽為止的吸引孔。
另外，本發明之其他方面係在上述發明中，優選吸引槽被設置為環狀，第一對位標記設置於一面中的、被環狀的吸引槽包圍的內側部位上，第二對位標記設置於一面中的、環狀的吸引槽外側的部位上。
另外，本發明之第二觀點係在提供一種由第一 光掩模和第二光掩模構成的光掩模組，其特徵在於，第一光掩模具備描繪圖形、第一對位標記以及第二對位標記，其中，描繪圖形形成於第一光掩模的與電路板相對置的一面上且用於進行曝光；第一對位標記設置於一面中的、在保持電路板時與該電路板相對置且未形成有描繪圖形之部位上，並且用於與形成在電路板上的電路板側標記進行對位；第二對位標記設置於在保持電路板時不與該電路板相對置的部位上，並且用於與設置於第二光掩模上的第三對位標記進行對位；第二光掩模具備描繪圖形和第三對位標記，其中，描繪圖形形成於第二光掩模的與電路板相對置的一面上且用於進行曝光；第三對位標記設置於第二光掩模的一面中的、在保持電路板時不與該電路板相對置的部位上，並且用於與設置在第一光掩模上的第二對位標記進行對位。
另外，本發明之第三觀點係在提供一種對兩面形成有感光性材料的電路板的兩面進行曝光的曝光裝置，其特徵在於，具備第一移動機構、第二移動機構、攝像機構以及控制部，其中，第一移動機構設有第一驅動源，並且藉由第一驅動源的驅動而使第一光掩模移動，其中該第一光掩模以與電路板的一面相對置的狀態配置在進行曝光的位置上；第二移動機構設有第二驅動源，並且藉由第二驅動源的驅動而使第二光掩模移動，其中，第二光掩模以與電路板的一面相對置的狀態配置在進行曝光的位置上；攝像機構對形成於第一光掩模上的第一對位標記和形成於電路板上的電路板側標記進行攝像，並且對形成於第一光掩模上的第二對位標記 和形成於第二光掩模上的第三對位標記進行攝像；控制部控制第一驅動源、第二驅動源以及攝像機構的驅動；並且，控制部根據利用攝像機構對第一對位標記與電路板側標記進行攝像的結果控制第一驅動源，從而進行第一對位標記與電路板側標記之間的對位，並且，根據利用攝像機構對第二對位標記和第三對位標記進行攝像的結果控制第二驅動源，從而進行第二對位標記與第三對位標記之間的對位。
另外，本發明之第四觀點係在提供一種對兩面形成有感光性材料的電路板的兩面進行曝光的曝光裝置，其特徵在於，具備第一光掩模、第一移動機構、第二光掩模、第二移動機構、攝像機構以及控制部；第一光掩模具備描繪圖形、第一對位標記以及第二對位標記，其中，描繪圖形形成於第一光掩模的一面上且用於進行曝光；第一對位標記設置於一面中的、在保持電路板時與該電路板相對置且未形成有描繪圖形之部位上，並且用於與形成於電路板上的電路板側標記進行對位；第二對位標記設置於在保持電路板時不與該電路板相對置的部位上；第一移動機構設有第一驅動源，並且藉由第一驅動源的驅動而使第一光掩模移動，其中，第一光掩模以與電路板的一面相對置的狀態配置在進行曝光的位置上；第二光掩模具備描繪圖形和第三對位標記，其中，描繪圖形形成於第二光掩模的一面上且用於進行曝光；第三對位標記設置於第二光掩模的一面中的、在保持電路板時不與該電路板相對置的部位上，並且用於與第二對位標記進行對位；第二移動機構設有第二驅動源，並且藉由第二驅動源 的驅動而使第二光掩模移動，其中，第二光掩模以與電路板的一面相對置的狀態配置在進行曝光的位置上；攝像機構對第一對位標記和形成於電路板上的電路板側標記進行攝像，並且對第二對位標記和第三對位標記進行攝像；控制部控制第一驅動源、第二驅動源以及攝像機構的驅動；並且，控制部根據利用攝像機構對第一對位標記與電路板側標記進行攝像的結果控制第一驅動源，從而進行第一對位標記與電路板側標記之間的對位，並且，根據利用攝像機構對第二對位標記和第三對位標記進行攝像的結果控制第二驅動源，從而進行第二對位標記與第三對位標記之間的對位。
另外，本發明之其他方面係在上述發明中，優選曝光裝置還設有第一壓力產生機構和第二壓力產生機構；其中，第一壓力產生機構利用負壓使第一光掩模保持電路板、或者利用正壓解除第一光掩模對於電路板的保持；第二壓力產生機構利用負壓使第二光掩模保持電路板、或者利用正壓解除第二光掩模對於電路板的保持；控制部控制第一壓力產生機構和第二壓力產生機構的驅動，並且，控制部在透過控制第一驅動源進行了電路板與第一光掩模之間的對位之後，按照利用負壓使第一光掩模保持電路板之方式控制第一壓力產生機構的驅動，並且，在透過控制第二驅動源進行了第一光掩模與第二光掩模之間的對位之後，按照利用負壓使第二光掩模保持電路板之方式控制第二壓力產生機構的驅動。
另外，本發明之第五觀點係在提供一種用於對兩面形成有感光性材料的電路板的兩面進行曝光的曝光方法， 其特徵在於，包括第一攝像工序、第一對位工序、第一位置保持工序、第二攝像工序、第二對位工序、第二位置保持工序以及曝光工序；第一攝像工序係指：對形成於第一光掩模上的第一對位標記和形成於電路板上且用於與第一對位標記進行對位的電路板側標記進行攝像之工序；第一對位工序係指：根據第一攝像工序中的攝像結果在進行曝光的位置上進行第一對位標記與電路板側標記之間的對位之工序；第一位置保持工序係指：在第一對位工序後保持第一光掩模與電路板之間的對位狀態至少至對電路板的曝光結束為止之工序；第二攝像工序係指：在第一位置保持工序後對形成於第一光掩模上的第二對位標記和形成於第二光掩模上且用於與第二對位標記進行對位的第三對位標記進行攝像之工序；第二對位工序係指：根據第二攝像工序中的攝像結果在進行曝光的位置上進行第二對位標記與第三對位標記之間的對位之工序；第二位置保持工序係指：在第二對位工序後，保持第一光掩模與第二光掩模之間的對位狀態至少至對電路板的曝光結束為止之工序；曝光工序係指：在第二位置保持工序後對電路板進行曝光之工序。
根據本發明，能夠提高電路板與分別配置於電路板表面和背面上的光掩模之間的對位精度。
10‧‧‧曝光裝置
11‧‧‧對位機構
20‧‧‧移動機構
20A‧‧‧第一移動機構
20B‧‧‧第二移動機構
21‧‧‧掩模保持部
22‧‧‧驅動源(對應於第一驅動源、第二驅動源)
30‧‧‧攝像裝置(對應於攝像機構)
31‧‧‧攝像機
32‧‧‧照明裝置
32A‧‧‧落射照明裝置
32B‧‧‧透射照明裝置
40‧‧‧吸引/送風機構(對應於壓力產生機構、第一壓力產生機構以及第二壓力產生機構)
41‧‧‧吸盤
42‧‧‧吸引管道
43‧‧‧泵
50‧‧‧曝光用照明裝置
60‧‧‧控制部
70‧‧‧光掩模
70A‧‧‧第一光掩模
70B‧‧‧第二光掩模
70c‧‧‧外周邊緣部
71‧‧‧吸引槽
72‧‧‧吸引孔
73‧‧‧描繪圖形
P‧‧‧柔性印刷電路板(對應於電路板)
P1‧‧‧基材層
P2‧‧‧導體層
P3‧‧‧透明薄膜層
P4‧‧‧光刻膠層
P5‧‧‧電路板側標記
P6‧‧‧貫通孔
TM、TM1、TM2、TM3‧‧‧目標標記
圖1係概略顯示本發明一實施方式之曝光裝置的主要部分之側面剖視圖。
圖2係概略顯示圖1之曝光裝置的主要部分之框圖。
圖3(A)係顯示第一光掩模的結構之俯視圖，圖3(B)係將設有吸引孔的A部或B部放大進行顯示的局部俯視圖。
圖4係顯示第二光掩模的結構之俯視圖。
圖5係顯示光掩模的結構之局部側面剖視圖。
圖6(A)係顯示第一光掩模的目標標記與電路板的電路板側標記之對位狀態之俯視圖，圖6(B)係顯示第一光掩模的目標標記與第二光掩模的目標標記之對位狀態之俯視圖。
圖7係顯示電路板被臨時固定在第二光掩模上的狀態之側面剖視圖。
圖8係顯示進行第一光掩模與電路板之間的對位的圖像之側面剖視圖。
圖9係顯示利用第一光掩模保持電路板且解除第二光掩模對於電路板之保持的狀態之側面剖視圖。
圖10係顯示進行第一光掩模與第二光掩模之間的對位的圖像、和在保持利用第一光掩模保持電路板之狀態不變的情況下進而利用第二光掩模保持電路板之狀態之側面剖視圖。
圖11係顯示在保持利用第二光掩模保持電路板之狀態不變的情況下解除第一光掩模對於電路板之保持的狀態之側面剖視圖。
圖12係有關於本發明之變形例且係顯示使用形成有貫通孔之電路板進行對位的圖像之側面剖視圖。
圖13係將先前的專利文獻1之曝光方法模式化之剖視圖。
圖14係將先前的專利文獻2之曝光方法模式化之剖視圖。
以下，根據圖式對本發明一實施方式之光掩模70、光掩模組(一組光掩模70)、曝光裝置10以及曝光方法進行說明。需要說明的是，在以下的說明中，存在設定XYZ直角坐標系進行說明的情況，其中，將上下方向設為“Z方向”，將柔性印刷電路板P的搬送方向設為“X方向”，將與上述X方向和Z方向垂直相交的方向設為“Y方向”，其中，上述上下方向是指遠離設置曝光裝置10的設置面的方向。另外，將XY平面設為“水平面”。
<關於柔性印刷電路板P>
首先，對於成為曝光對象的柔性印刷電路板P進行說明。圖1係顯示曝光裝置10之主要部分的結構和電路板P的結構之側面剖視圖。如圖1所示，在經過各種工序形成有電路圖形的柔性印刷電路板(Flexible printed circuits；以下，將未經過曝光等製造工序的柔性印刷電路板也稱為電路板)P的表面和背面兩面上形成有光刻膠層P4(對應於感光性材料)。
更加詳細而言，電路板P設有基材層P1、導體層P2、透明薄膜層P3以及光刻膠層P4，其中，導體層P2 設置於該基材層P1的表面和背面兩面上，透明薄膜層P3設置於該導體層P2的與基材層P1呈相反側的面上，光刻膠層P4設置於透明薄膜層P3的與導體層P2呈相反側的面上。基材層P1例如由聚醯胺薄膜形成，導體層P2例如由銅箔形成。另外，透明薄膜層P3例如由聚醯胺薄膜形成。該電路板P整體的厚度為100μm~200μm左右，從而在相對於後述的光掩模70而藉由真空吸引進行固定時，能夠在防止發生彎曲或翹曲的同時平坦地進行固定。
另外，在電路板P中設有存在於基材層P1與導體層P2之間的粘合層、或者將導體層P2彼此加以連接的通孔等，但是省略關於粘合層和通孔等的說明。
在圖1中，在上側(表面側)的透明薄膜層P3上形成有電路板側標記P5。電路板側標記P5是用於相對於後述的目標標記(target mark)TM1進行對位之部分。在圖1所示的結構中，電路板側標記P5呈內徑大於目標標記TM1的直徑之環狀圖形。在圖1所示的結構中設有兩個電路板側標記P5。這兩個電路板側標記P5的位置與後述的目標標記TM1的位置相對應。另外，連接兩個電路板側標記P5的線的長度與連接兩個目標標記TM1的線的長度相等。
<關於曝光裝置10的結構>
本實施方式中的曝光裝置10的對位機構11係使電路板P的兩面分別對準曝光用的光掩模70的部分。
圖2係概略顯示曝光裝置10之主要部分之框圖。如圖1和圖2所示，曝光裝置10的對位機構11具備移動機 構20。移動機構20係以將光掩模70的邊緣部分保持的狀態使該光掩模70移動之機構。因此，移動機構20具備：保持光掩模70的邊緣部分的掩模保持部21、施加用於使掩模保持部21移動的驅動力的驅動源22(例如電動機等)、以及用於將驅動源22產生的驅動力傳遞至掩模保持部21的驅動力傳遞機構(省略圖示)。由此，透過移動機構20的驅動源22的動作，能夠使掩模保持部21朝向XYZ三個方向移動，並且也能夠使掩模保持部21沿旋轉方向(θ方向)移動。在此，θ方向可以是XY平面上的旋轉方向，也可以是YZ平面上的旋轉方向，還可以是ZX平面上的旋轉方向。
在此，如圖1所示，在本實施方式之曝光裝置10中，光掩模70被配置為與XY平面(水平面)平行。在該結構的情況下，與電路板P的搬入、搬出等機構的親和性高，從而能夠提高生產率。
但是，在曝光裝置10中，既可以將光掩模70的表面和背面配置為與上下方向(Z方向)平行，也可以將光掩模70的表面和背面配置在相對於XY平面(水平面)傾斜的傾斜方向上。當光掩模70的表面和背面配置為與上下方向(Z方向)平行時，能夠降低因為光掩模70的自重而產生的撓曲的影響等，從而能夠更加高精度地使光掩模70的位置與電路板P的位置對準。
如圖1所示，移動機構20設有一對。具體而言，設有在圖1中位於電路板P上方側的第一移動機構20A和在圖1中位於電路板P下方側的第二移動機構20B。第一移動 機構20A在電路板P上方側保持光掩模70並使該光掩模70的位置與電路板P的表面側的位置對準。另一方面，第二移動機構20B在電路板P下方側保持光掩模70並使該光掩模70的位置與電路板P下面側的位置對準。
另外，第一移動機構20A的驅動源對應於第一驅動源，第二移動機構20B的驅動源對應於第二驅動源。
如圖1所示，曝光裝置10的對位機構11設有對應於攝像機構的攝像裝置30。攝像裝置30設有攝像機31和照明裝置32，攝像機31例如設有使用CCD(電荷耦合器件)或CMOS(互補型金屬氧化物半導體)等攝像器件，從而能夠對後述的目標標記TM及其周邊進行攝像。
另外，照明裝置32係為了在利用攝像機31攝像時容易識別目標標記TM而照射光的部分，藉由該光的照射而使目標標記TM與其周邊的灰度差變大。但是，照明裝置32發出的光幾乎不會對光刻膠層P4產生感光作用。照明裝置32包括從電路板P和光掩模70的上方側照射光的同軸落射照明裝置(以下稱為“落射照明裝置”)32A和從電路板P和光掩模70的下方側照射光的透射照明裝置32B。
另外，在圖1所示的結構中，攝像機31與上側的光掩模70的吸引孔72之個數相對應地設有兩個。另外，在圖1所示的結構中，攝像機31能夠相對於光掩模70平行地移動，並且，攝像機31是藉由電動機等驅動源的動作而進行移動。但是，也可以形成為僅在後述的目標標記TM的讀取位置處設置攝像機31，並且該攝像機31不會藉由電動機 等驅動源的動作而進行移動。另外，即使在圖1所示的結構中，也可以形成為僅設有一個攝像機31而不是設有兩個攝像機31之結構，還可以形成為設有三個以上的攝像機31。
另外，也可以形成為除了攝像機31之外照明裝置32也能夠藉由電動機等驅動源的動作而進行移動；也可以形成為：無論攝像機31能否藉由驅動源的動作而進行移動都預先將照明裝置32配置在目標標記TM的讀取位置處。
另外，曝光裝置10的對位機構11中設有吸引/送風機構40。吸引/送風機構40與後述光掩模70的吸引孔72的周圍部分相抵接並施加用於保持電路板P的負壓。該吸引/送風機構40具備吸盤41、吸引管道42以及泵43。吸盤41與光掩模70的表面或背面相抵接從而施加用於保持電路板P的負壓。另外，吸引管道42的一端側與吸盤41連通，並且，吸引管道42的另一端側連接在泵43上。在保持電路板P時，泵43經由吸引管道42和吸盤41施加負壓，該負壓經由光掩模70的吸引孔72到達電路板P。另一方面，在解除電路板P的保持時，泵43經由吸引管道42向吸盤41送入氣體(送風或者施加正壓)，由此將電路板P的保持解除。
另外，泵43例如設有兩個。因此，能夠利用兩個泵43分別在上側的光掩模70和下側的光掩模70進行真空吸引和送風。但是，既可以採用設有一個泵43且在吸引管道42的中途位置上設有打開或關閉吸引管道42的轉換閥等之結構，也可以採用設有三個以上的泵43之結構。另外，吸引/送風機構40對應於壓力產生機構。另外，在吸引/送風機構 40中，在上側的光掩模70上進行真空吸引和送風的吸引/送風機構對應於第一壓力產生機構，在下側的光掩模70上進行真空吸引和送風的吸引/送風機構對應於第二壓力產生機構。
另外，如圖2所示，曝光裝置10除了對位機構11之外還設有曝光用照明裝置50。曝光用照明裝置50例如具有高壓水銀燈等光源(省略圖示)，並且使該光源發出的光照射於電路板P的光刻膠層P4上。另外，曝光用照明裝置50除了光源之外還設有用於對光掩模70照射平行度高的光的透鏡、鏡子、複眼透鏡等光學元件(省略圖示)。
另外，也可以採用在上側和下側分別設有曝光用照明裝置50的結構。該情況下，能夠同時對電路板P的表面側和背面側進行曝光。相對於此，例如也可以採用在上側或者下側的任一側設有進行照明的曝光用照明裝置50之結構。當在上側或者下側的任一側設有進行照明的曝光用照明裝置50時，也可以構成為：具備用於將光引至電路板P上側的光學系統和用於將光引至電路板P下側的光學系統，並利用閘門等進行切換從而將光引至電路板P上側或者下側的任一側。這樣，與在上側和下側分別設有曝光用照明裝置50之結構相比較，當在上側或者下側的任一側設有進行照明的曝光用照明裝置50時，雖然生產率降低，但是，曝光用照明裝置50的成本降低並且能夠實現曝光裝置10尺寸的小型化。另外，也能夠控制消耗電力。
如圖2所示，曝光裝置10的對位機構11中設 有控制部60。控制部60控制驅動源22、攝像機31、泵43等的動作。另外，除此之外，控制部60也可以控制照明裝置32的動作、或者控制未圖示的閥門的動作。
<關於光掩模70>
接下來，對於光掩模70進行說明。圖3係顯示上側的光掩模70(後述的第一光掩模70A)的結構之俯視圖，圖3(A)顯示光掩模70的整體，圖3(B)係將A部或B部放大進行顯示的局部俯視圖，其中，A部或B部係圖3(A)中的光掩模70的拐角部。另外，圖4係顯示下側的光掩模70(後述的第二光掩模70B)的結構之俯視圖，其中，圖4中的A部和B部與圖3(B)相同。另外，圖5係顯示光掩模70的結構之剖視圖。
本實施方式中的光掩模70係材質為玻璃的玻璃掩模，其尺寸變化小從而能夠對應高精度。但是，除了玻璃以外，光掩模70例如也可以由PET薄膜這樣的材質形成。另外，如圖3和圖4所示，本實施方式之光掩模70被設置為矩形。但是，光掩模70也可以呈矩形以外的其他形狀。
另外，當光掩模70為玻璃掩模時，其厚度優選為3mm~10mm左右，更優選為5mm左右。
在光掩模70的一面上設有吸引槽71。吸引槽71設置於光掩模70的、相比其中央側更靠近外周邊緣部70c側的位置上。更加詳細而言，吸引槽71設置於靠近外周邊緣部70c的如下位置上：即，光掩模70的外周邊緣部70c側設有被掩模保持部21保持的保持部位。另外，從保持部位朝向 中央側存在規定的空間，該空間係用於形成後述的目標標記TM2之部分。因此，吸引槽71設置於從外周邊緣部70c起空出保持部位和目標標記形成部位之位置上。另外，如圖3和圖4所示，在本實施方式中，吸引槽71被設置為呈四角形的環狀。
另外，在光掩模70的被吸引槽71包圍的部分中，形成有用於對電路板P的光刻膠層P4進行曝光的描繪圖形73。
另外，如圖3~圖5所示，在吸引槽71的規定部位上，設有從該吸引槽71的底部貫穿至光掩模70另一面為止的吸引孔72。在本實施方式中，如圖3(B)所示，吸引孔72例如設置於四角環狀的吸引槽71的拐角部(圖3(A)和圖4中的A部和B部)。但是，也可以在拐角部以外的其他部位上設有吸引孔72。另外，吸引孔72至少設有一個。
另外，吸引孔72的直徑優選為1mm~2mm左右，但是，吸引孔72的直徑也可以是上述範圍以外的尺寸。另外，吸引槽71的寬度優選為1mm~4mm左右，更優選為2mm左右，但是，吸引槽71的寬度也可以是上述範圍以外的尺寸。另外，吸引槽71和吸引孔72對應於凹部。
如圖1、圖3(A)以及圖4所示，在光掩模70上設有目標標記TM。上側的光掩模70(以下，根據需要稱之為“第一光掩模70A”)和下側的光掩模70(以下，根據需要稱之為“第二光掩模70B”)上的目標標記TM是不同的。
具體而言，在第一光掩模70A的被環狀的吸引槽71包圍的內側部位上，設有用於與電路板P的電路板側標記P5進行對位的目標標記TM1。該目標標記TM1對應於第一對位標記。另外，圖6(A)顯示目標標記TM1的位置與電路板側標記P5的位置對準之狀態。如圖6(A)所示，目標標記TM1為了與電路板側標記P5相對應而被設置為圓形，而且其是光不易透過的非透光性部位。另外，該目標標記TM1例如也可以由鉻膜或黑化金屬銀膜這樣的與描繪圖形73相同的材質形成。
另外，如圖1和圖3(A)所示，在本實施方式中，在第一光掩模70A上設有兩個目標標記TM1。在圖3(A)所示的結構中，該兩個目標標記TM1位於偏向(靠近)環狀吸引槽71的四個拐角中的、位於對角方向上的兩個拐角部(A部和B部以外的拐角部)的部位上。但是，如圖3(A)所示，當矩形光掩模70的短邊沿著X方向、長邊沿著Y方向時，連接兩個目標標記TM1的線既可以與X方向平行也可以與Y方向平行。另外，連接兩個目標標記TM1的線也可以不與X方向或Y方向中的任一方向平行。
另外，在第一光掩模70A的環狀的吸引槽71外側的部位上，設有用於與第二光掩模70B進行對位的目標標記TM2。目標標記TM2對應於第二對位標記。在圖3(A)所示的結構中，目標標記TM2與上述目標標記TM1同樣為圓形的非透光性部位。
另外，與上述目標標記TM1同樣，在第一光掩 模70A上也設有兩個目標標記TM2。這兩個目標標記TM2的位置關係也與上述目標標記TM1相同。但是，目標標記TM2既可以靠近環狀吸引槽71的四個拐角中的、靠近目標標記TM1的拐角部，也可以靠近與上述拐角部不同的拐角部。
另外，如圖4所示，在第二光掩模70B上還設有目標標記TM3。該目標標記TM3用於與第一光掩模70A的目標標記TM2進行對位。具體而言，目標標記TM3設置於第二光掩模70B的環狀的吸引槽71外側的部位上。而且，當俯視第二光掩模70B時，目標標記TM3的中心設置於能夠與目標標記TM2的中心重合之位置上。另外，目標標記TM3對應於第三對位標記。
為了將目標標記TM3設置於上述位置上，而將目標標記TM3設置為靠近環狀吸引槽71的四個拐角中的、與靠近目標標記TM2的拐角部相同的拐角部(A部和B部以外的拐角部)。另外，連接兩個目標標記TM3的線的長度與連接兩個目標標記TM2的線的長度相同。
另外，圖6(B)顯示目標標記TM2的位置與目標標記TM3的位置對準之狀態。在本實施方式中，如圖4和圖6(B)所示，目標標記TM3被設置為圓環狀。而且，圓環狀的目標標記TM3的內側直徑被設置為大於目標標記TM2的直徑。另外，被圓環狀的目標標記TM3包圍的部位，為未形成有用於形成該目標標記TM3的被膜之透光部位。
<關於使用曝光裝置10進行的曝光方法>
接下來，對於使用上述曝光裝置10進行的曝光方法進行說明。
首先，如圖7所示，將形成有光刻膠層P4的電路板P配置於下側的第二光掩模70B上。然後，吸引/送風機構40在控制部60的控制下經由吸引孔72和吸引槽71對電路板P的背面(下表面)施加負壓，從而真空吸附該電路板P。由此，電路板P被吸附固定在第二光掩模70B上。此時的電路板P的固定狀態下，電路板P呈未相對於第二光掩模70B進行對位、即臨時固定之狀態。
接著，如圖8所示，控制部60進行下述控制：即，利用攝像機31對第一光掩模70A與電路板P之間的位置關係進行攝像(第一攝像工序)，並根據該攝像機31的攝像結果使驅動源22進行動作，從而調整第一光掩模70A在XYZ方向上的位置以及θ方向上的位置(第一對位工序)。此時，落射照明裝置32A也發光，從而形成為能夠利用攝像機31良好地識別圖像的狀態。另外，當預先使Z方向上的位置為所希望的位置時，也可以不進行Z方向上的位置調整。此時，利用攝像機31進行對位直到目標標記TM1與電路板P的電路板側標記P5處於所希望的位置為止。
在此，在進行對位之前的階段，在第一光掩模70A與電路板P之間雖然進行了大概的對位，但是呈精度不佳的狀態。因此，利用第一移動機構20A使第一光掩模70A移動，從而如圖6(A)所示將目標標記TM1的中心相對於電路板側標記P5的中心之誤差控制在規定的誤差範圍內，由 此進行第一光掩模70A與電路板P之間的對位。
另外，在進行上述對位時，形成為在第一光掩模70A與電路板P之間存在規定間隙(例如10μm~100μm左右的間隙)之狀態，並在該狀態下利用第一移動機構20A使第一光掩模70A移動。然後，在進行了第一光掩模70A與電路板P之間的對位之後，使第一光掩模70A與電路板P緊密結合，並利用攝像機31來確認目標標記TM1與電路板側標記P5之間的對位狀態。
當在該確認中判斷為還未將目標標記TM1的中心相對於電路板側標記P5的中心之誤差控制在規定的誤差範圍內時，再次拉開第一光掩模70A與電路板P之間的間隔，並再次調整第一光掩模70A相對於電路板P的位置，然後使第一光掩模70A與電路板P緊密結合，並再次確認是否將目標標記TM1的中心相對於電路板側標記P5的中心之誤差控制在規定的誤差範圍內。而且，重複進行該動作直到將目標標記TM1的中心相對於電路板側標記P5的中心之誤差控制在規定的誤差範圍內為止。
當將目標標記TM1的中心相對於電路板側標記P5的中心之誤差控制在規定的誤差範圍內時，接著，如圖9所示，利用第一光掩模70A保持電路板P(第一位置保持工序)，並且解除第二光掩模70B對於電路板P的保持。即，將電路板P交接至第一光掩模70A。此時，控制部60控制上側的泵43進行吸引動作，經由朝向第一光掩模70A的吸引管道42、第一光掩模70A的吸引孔72以及吸引槽71，向被 電路板P和吸引槽71包圍的部分施加負壓，從而將電路板P保持於第一光掩模70A上。另一方面，控制部60控制下側的泵43進行送風動作，從而經由朝向第二光掩模70B的吸引管道42、第二光掩模70B的吸引孔72以及吸引槽71，向被電路板P和吸引槽71包圍的部分送入空氣，由此將第二光掩模70B對於電路板P的保持狀態解除。
該情況下，維持對目標標記TM1的中心與電路板側標記P5的中心的位置進行了調整後之狀態不變，直到向第一光掩模70A交接電路板P結束。由此，能夠維持第一光掩模70A與電路板P之間的位置精度。
接著，如圖10所示，控制部60進行下述控制，即，利用攝像機31對第一光掩模70A與第二光掩模70B之間的位置關係進行攝像(第二攝像工序)，並根據該攝像機31的攝像結果使驅動源22進行動作，從而調整第二光掩模70B在XYZ方向上的位置以及θ方向上的位置(第二對位工序)。此時，透射照明裝置32B也發光，從而形成為能夠利用攝像機31良好地識別圖像之狀態。另外，當預先使Z方向上的位置為所希望的位置時，也可以不進行Z方向上的位置調整。此時，利用攝像機31進行對位直到目標標記TM2與目標標記TM3處於所希望的位置為止。
此時，利用第二移動機構20B使第二光掩模70B移動，從而如圖6(B)所示將目標標記TM2的中心相對於目標標記TM3的中心之誤差控制在規定的誤差範圍內，由此進行第一光掩模70A與第二光掩模70B之間的對位。
在進行上述對位時，也形成為在第二光掩模70B與電路板P之間存在規定間隙(例如10μm~100μm左右的間隙)之狀態，並且在該狀態下利用第二移動機構20B使第二光掩模70B移動。然後，在進行了第一光掩模70A與第二光掩模70B之間的對位之後，使第二光掩模70B與電路板P緊密結合，並利用攝像機31來確認目標標記TM2與目標標記TM3之間的對位狀態。
當在該確認中判斷為還未將目標標記TM2的中心相對於目標標記TM3的中心之誤差控制在規定的誤差範圍內時，再次拉開第二光掩模70B與電路板P之間的間隔，並再次調整第二光掩模70B的位置，然後使第二光掩模70B與電路板P緊密結合，並再次確認是否將目標標記TM2的中心相對於目標標記TM3的中心之誤差控制在規定的誤差範圍內。而且，重複進行該動作直到將目標標記TM2的中心相對於目標標記TM3的中心之誤差控制在規定的誤差範圍內為止。
當將目標標記TM2的中心相對於目標標記TM3的中心之誤差控制在規定的誤差範圍內時，接著，在維持利用第一光掩模70A保持電路板P的狀態不變之情況下，進一步利用第二光掩模70B保持電路板P(第二位置保持工序)。此時的狀態也示於圖10中。此時，控制部60控制下側的泵43進行吸引動作，從而經由朝向第二光掩模70B的吸引管道42、第二光掩模70B的吸引孔72以及吸引槽71，向被電路板P和吸引槽71包圍的部分施加負壓，由此將電路板P保持 於第二光掩模70B上。
如上所述，在成為第一光掩模70A和第二光掩模70B分別保持電路板P之狀態之後，使曝光用照明裝置50進行動作從而對電路板P的兩面進行曝光(曝光工序)。
接著，如圖11所示，在維持利用第二光掩模70B保持電路板P的狀態不變之情況下，將第一光掩模70A對於電路板P的保持解除。即，將電路板P交接至第二光掩模70B上。此時，控制部60按照使下側的泵43維持吸引動作的同時使上側的泵43進行送風動作之方式進行控制，從而經由朝向第一光掩模70A的吸引管道42、第一光掩模70A的吸引孔72以及吸引槽71，向被電路板P和吸引槽71包圍的部分送入空氣，由此將第一光掩模70A對於電路板P的保持狀態解除。
然後，控制部60控制下側的泵43進行送風動作，從而經由朝向第二光掩模70B的吸引管道42、第二光掩模70B的吸引孔72以及吸引槽71，向被電路板P和吸引槽71包圍的部分送入空氣，由此將第二光掩模70B對於電路板P的保持狀態解除。由此，即使在例如由於靜電而使第二光掩模70B與電路板P貼在一起時，也容易取出電路板P，從而提高生產率。另外，在該取出時，也可以透過第二移動機構20B的動作使第二光掩模70B移動至電路板P的取出部位，從而將電路板P從曝光裝置10中取出。
另外，為了進一步降低由於靜電而使第二光掩模70B與電路板P貼在一起的影響，也可以由下側的泵43 向第二光掩模70B供給利用電離器而使其帶電的空氣。
<功效>
根據上述結構的光掩模、曝光裝置10以及曝光方法，能夠透過進行目標標記TM1與電路板側標記P5之間的對位來進行第一光掩模70A與電路板P之間的對位。此外，能夠透過進行目標標記TM2與目標標記TM3之間的對位來進行第一光掩模70A與第二光掩模70B之間的對位。由此，能夠進行第一光掩模70A與電路板P、第二光掩模70B與電路板P之間的對位(電路板P兩面的對位)。
該情況下，根據控制部60的控制，一邊使用攝像機31進行攝像，一邊藉由移動機構20的動作來進行目標標記TM1與電路板側標記P5之間的對位，進而進行目標標記TM2與目標標記TM3之間的對位，由此能夠在第一光掩模70A與電路板P、第二光掩模70B與電路板P之間進行高精度的對位。
另外，在本實施方式中，在光掩模70上設有吸引槽71和吸引孔72，該吸引槽71和吸引孔72用於在光掩模70與電路板P緊密結合時向被該電路板P和吸引槽71包圍的部位施加負壓。因此，當光掩模70與電路板P緊密結合時，透過如上所述那樣施加負壓，能夠利用光掩模70良好地保持電路板P。由此，在進行了光掩模70與電路板P之間的對位之後，只要利用光掩模70保持電路板P便能夠防止在對位後發生錯位，從而能夠進行位置精度高的曝光。
該情況下，根據控制部60對泵43的控制而向 電路板P施加負壓，從而能夠如上所述進行位置精度高的曝光。另外，藉由在對位後根據控制部60的控制而向電路板P施加正壓，即使在例如由於靜電而使光掩模70與電路板P貼在一起的情況下，也能夠容易地取出電路板P，從而能夠提高生產率。
另外，在光掩模70上設有吸引槽71和吸引孔72來作為用於吸引保持電路板P的凹部，由此能夠利用光掩模70良好地保持電路板P。
另外，在本實施方式中，在第一光掩模70A上，吸引槽71被設置為環狀，並且，目標標記TM1設置於被環狀的吸引槽71包圍的內側部位上。因此，能夠使目標標記TM1與電路板P的電路板側標記P5相對置並進行對位。另一方面，目標標記TM2設置於環狀吸引槽71的外側。因此，目標標記TM2不會被電路板P擋住，從而能夠與第二光掩模70B的目標標記TM3相對置並進行對位。
另外，在本實施方式中，成組地使用第一光掩模70A與第二光掩模70B，並且，在該光掩模70A、70B上分別設有不同的目標標記TM。因此，不僅可以進行第一光掩模70A與電路板P之間的對位，還可以進行第一光掩模70A與第二光掩模70B之間的對位。由此，能夠良好地使光掩模70A、70B對準電路板P的兩面。
進而，在本實施方式中，當將第一光掩模70A和第二光掩模70B固定在曝光裝置10中時，也能夠根據控制部60的控制進行第一光掩模70A與電路板P之間的對位、 和第一光掩模70A與第二光掩模70B之間的對位。因此，能夠高精度且容易地進行上述對位。
另外，在本實施方式中，控制部60在利用控制驅動源22進行了電路板P與第一光掩模70A之間的對位之後，按照利用負壓使第一光掩模70A保持電路板P之方式控制上側的泵43的驅動。因此，能夠良好地保持在第一光掩模70A與電路板P之間進行了對位後的狀態。此外，控制部60在利用控制驅動源22進行了第一光掩模70A與第二光掩模70B之間的對位之後，按照利用負壓使第二光掩模70B保持電路板P之方式控制下側的泵43的驅動。因此，能夠良好地保持在第二光掩模70B與電路板P之間進行了對位後的狀態。
<變形例>
以上，對於本發明一實施方式進行了說明，但是，本發明除此之外還可以進行各種變形。以下對此進行說明。
在上述實施方式中，在電路板P上設有由環狀圖形構成的電路板側標記P5。但是，也可以在電路板P上設置其他的電路板側標記來取代上述由環狀圖形構成的電路板側標記P5。作為這樣的電路板側標記，例如也可以如圖12所示在電路板P上形成貫通孔P6並將該貫通孔P6作為電路板側標記。即使如此也能夠良好地進行第一光掩模70A的目標標記TM1與貫通孔P6之間的對位。另外，在進行目標標記TM1與貫通孔P6之間的對位時，使用落射照明裝置32A 能夠使攝像機31的識別率變得良好。
另外，在上述實施方式中，電路板P係被分斷成片狀的枚葉式(cluster type)電路板。但是，電路板並不限於枚葉式電路板，也可以是從卷狀的捲繞部分引出的電路板。該情況下，可以設有從卷狀的捲繞部分向曝光部位供給電路板之機構、或者在曝光結束後捲繞電路板之機構。即，也可以對應卷對卷(roll-to-roll)式的曝光。
進而，在上述實施方式中，作為照明裝置32，對同軸落射照明裝置32A、透射照明裝置32B進行了說明。但是，作為照明裝置，只要是如環狀照明裝置等這樣的、能夠良好地識別目標標記TM或電路板側標記P5等，且對於光刻膠層P4幾乎無感度，進而能夠利用攝像機31良好地識別的波段的光，便可以使用任意的照明裝置。作為這樣的照明裝置，例如可以單獨地使用各種LED(發光二極體)或紅外光源等、或者將多種上述光源組合而使用。
另外，在上述實施方式中，使第二移動機構20B的驅動源22進行驅動從而進行第二光掩模70B相對於第一光掩模70A的對位。但是，也可以使第一移動機構20A的驅動源22進行驅動從而進行該第二光掩模70B相對於第一光掩模70A的對位。另外，也可以透過組合第二移動機構20B的驅動源22之驅動和第一移動機構20A的驅動源22之驅動從而進行第二光掩模70B相對於第一光掩模70A的對位。
另外，在上述實施方式中，曝光裝置10、光掩模70、光掩模組以及曝光方法被使用於柔性印刷電路板P的 對位和曝光中。但是，本發明也可適用於柔性印刷電路板P以外的其他基板的對位和曝光中。作為上述代替電路板P的基板，例如可以舉出半導體晶片或玻璃基板等。
另外，在上述實施方式中，作為凹部，對於環狀的吸引槽71和吸引孔72進行了說明。但是，凹部並不限於吸引槽71和吸引孔72，可以是任何部件。例如，可以使用中間斷開而並非呈環狀的吸引槽，也可以在光掩模70的一面上形成凹坑並將該凹坑作為凹部。另外，當凹坑的面積較大時，也可以在該凹坑中配置用於支承電路板P的其他部件。另外，吸引槽71的個數只要是一個以上便可以為任意個。另外，吸引孔72的個數只要是一個以上便可以設有任意個。另外，吸引槽71除了直線狀以外還可以採用曲線狀、Z字狀等各種形態。
另外，在上述實施方式中，電路板P設有兩層導體層P2。但是，電路板P也可以呈設有三層以上導體層P2之結構。在設有三層以上的導體層P2時，能夠藉由與此相對應地增加光掩模70的個數，並依次切換光掩模70、或者將電路板P搬送到其他部位上等來實施電路板P的曝光。
70‧‧‧光掩模
70A‧‧‧第一光掩模
70c‧‧‧外周邊緣部
71‧‧‧吸引槽
73‧‧‧描繪圖形
TM1、TM2‧‧‧目標標記

Claims (9)

  1. 一種光掩模，其特徵在於，具備：描繪圖形，其形成於所述光掩模的與電路板相對置的一面上且用於進行曝光；第一對位標記，其設置於所述一面中的、在保持所述電路板時與所述電路板相對置且未形成有所述描繪圖形之部位上，並且用於與形成在所述電路板上的電路板側標記進行對位；以及第二對位標記，其設置於在保持所述電路板時不與所述電路板相對置的部位上，並且用於與設置在另一光掩模上的第三對位標記進行對位。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光掩模，其中，在所述一面上設有凹部，利用壓力產生機構對所述凹部施加負壓，從而對所述電路板的與所述一面相對置的對置面施加負壓。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之光掩模，其中，所述凹部包括沿著所述一面延伸的吸引槽和從與所述一面呈相反側的另一面貫穿至所述吸引槽為止的吸引孔。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之光掩模，其中，所述吸引槽被設置為環狀，所述第一對位標記設置於所述一面中的、被環狀的所述吸引槽包圍的內側部位上，所述第二對位標記設置於所述一面中的、環狀的所述吸引槽的外側部位上。
  5. 一種光掩模組，其由第一光掩模和第二光掩模構成，其特徵在於，所述第一光掩模具備： 描繪圖形，其形成於所述第一光掩模的與電路板相對置的一面上且用於進行曝光；第一對位標記，其設置於所述一面中的、在保持所述電路板時與所述電路板相對置且未形成有所述描繪圖形之部位上，並且用於與形成在所述電路板上的電路板側標記進行對位；以及第二對位標記，其設置於在保持所述電路板時不與所述電路板相對置的部位上，並且用於與設置在所述第二光掩模上的第三對位標記進行對位；所述第二光掩模具備：描繪圖形，其形成於所述第二光掩模的與所述電路板相對置的一面上且用於進行曝光；和第三對位標記，其設置於所述第二光掩模的一面中的、在保持所述電路板時不與所述電路板相對置的部位上，並且用於與設置在所述第一光掩模上的所述第二對位標記進行對位。
  6. 一種曝光裝置，其是對兩面形成有感光性材料的電路板的兩面進行曝光的曝光裝置，其特徵在於，具備：第一移動機構，其設有第一驅動源，並且藉由所述第一驅動源的驅動而使第一光掩模移動，其中，所述第一光掩模以與所述電路板的一面相對置之狀態配置在進行曝光的位置上；第二移動機構，其設有第二驅動源，並且藉由所述第二驅動源的驅動而使第二光掩模移動，其中，所述第二光掩模 以與所述電路板的一面相對置之狀態配置在進行曝光的位置上；攝像機構，其對形成於所述第一光掩模上的第一對位標記和形成於所述電路板上的電路板側標記進行攝像，並且對形成於所述第一光掩模上的第二對位標記和形成於所述第二光掩模上的第三對位標記進行攝像；以及控制部，其控制所述第一驅動源、所述第二驅動源以及所述攝像機構的驅動，所述控制部根據利用所述攝像機構對所述第一對位標記和所述電路板側標記進行攝像的結果控制所述第一驅動源，從而進行所述第一對位標記與所述電路板側標記之間的對位，並且，根據利用所述攝像機構對所述第二對位標記和所述第三對位標記進行攝像的結果控制所述第二驅動源，從而進行所述第二對位標記與所述第三對位標記之間的對位。
  7. 一種曝光裝置，其是對兩面形成有感光性材料的電路板的兩面進行曝光的曝光裝置，其特徵在於，具備第一光掩模、第一移動機構、第二光掩模、第二移動機構、攝像機構以及控制部，所述第一光掩模具備：描繪圖形，其形成於所述第一光掩模的一面上且用於進行曝光，第一對位標記，其設置於所述一面中的、在保持所述電路板時與所述電路板相對置且未形成有所述描繪圖形之部位上，並且用於與形成在所述電路板上的電路板側標記進行對位，以及 第二對位標記，其設置於在保持所述電路板時不與該電路板相對置的部位上；所述第一移動機構：設有第一驅動源，並且藉由所述第一驅動源的驅動而使所述第一光掩模移動，其中，所述第一光掩模以與所述電路板的一面相對置之狀態配置在進行曝光的位置上；所述第二光掩模具備：描繪圖形，其形成於所述第二光掩模的一面上且用於進行曝光，和第三對位標記，其設置於所述第二光掩模的一面中的、在保持所述電路板時不與所述電路板相對置的部位上，並且用於與所述第二對位標記進行對位；所述第二移動機構：設有第二驅動源，並且藉由所述第二驅動源的驅動而使第二光掩模移動，其中，所述第二光掩模以與所述電路板的一面相對置之狀態配置在進行曝光的位置上；所述攝像機構，對所述第一對位標記和形成於所述電路板上的電路板側標記進行攝像，並且對所述第二對位標記和所述第三對位標記進行攝像；所述控制部，控制所述第一驅動源、所述第二驅動源以及所述攝像機構的驅動；所述控制部根據利用所述攝像機構對所述第一對位標記與所述電路板側標記進行攝像的結果控制所述第一驅動源，從而進行所述第一對位標記與所述電路板側標記之間的對位， 並且，根據利用所述攝像機構對所述第二對位標記與所述第三對位標記進行攝像的結果控制所述第二驅動源，從而進行所述第二對位標記與所述第三對位標記之間的對位。
  8. 如申請專利範圍第6或7項所述之曝光裝置，其中，所述曝光裝置還設有第一壓力產生機構和第二壓力產生機構，所述第一壓力產生機構利用負壓使所述第一光掩模保持所述電路板、或者利用正壓解除所述第一光掩模對於所述電路板的保持，所述第二壓力產生機構利用負壓使所述第二光掩模保持所述電路板、或者利用正壓解除所述第二光掩模對於所述電路板的保持，所述控制部控制所述第一壓力產生機構和所述第二壓力產生機構的驅動，並且，所述控制部在透過控制所述第一驅動源進行了所述電路板與所述第一光掩模之間的對位之後，按照利用負壓使所述第一光掩模保持所述電路板之方式控制所述第一壓力產生機構的驅動，並且，所述控制部在透過控制所述第二驅動源進行了所述第一光掩模與所述第二光掩模之間的對位之後，按照利用負壓使所述第二光掩模保持所述電路板之方式控制所述第二壓力產生機構的驅動。
  9. 一種曝光方法，其是用於對兩面形成有感光性材料的電路板的兩面進行曝光的方法，其特徵在於，包括第一攝像工序、第一對位工序、第一位置保持工序、 第二攝像工序、第二對位工序、第二位置保持工序以及曝光工序，所述第一攝像工序是指：對形成於第一光掩模上的第一對位標記和形成於所述電路板上且用於與所述第一對位標記進行對位的電路板側標記進行攝像之工序，所述第一對位工序係指：根據所述第一攝像工序中的攝像結果，在進行曝光的位置上進行所述第一對位標記與所述電路板側標記之間的對位之工序，所述第一位置保持工序係指：在所述第一對位工序後，保持所述第一光掩模與所述電路板之間的對位狀態至少至對所述電路板的曝光結束為止之工序，所述第二攝像工序係指：在所述第一位置保持工序後，對形成於第一光掩模上的第二對位標記和形成於第二光掩模上且用於與所述第二對位標記進行對位的第三對位標記進行攝像之工序，所述第二對位工序係指：根據所述第二攝像工序中的攝像結果，在進行曝光的位置上進行所述第二對位標記與所述第三對位標記之間的對位之工序，所述第二位置保持工序係指：在所述第二對位工序後，保持所述第一光掩模與所述第二光掩模之間的對位狀態至少至對所述電路板的曝光結束為止之工序，所述曝光工序係指：在所述第二位置保持工序後對所述電路板進行曝光之工序。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI717668B (zh) * 2018-12-19 2021-02-01 江蘇影速集成電路裝備股份有限公司 一種雙面曝光的對準裝置、方法及設備
TWI772549B (zh) * 2017-10-31 2022-08-01 日商亞多特克工程股份有限公司 兩面曝光裝置及兩面曝光方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8846494B2 (en) * 2011-07-07 2014-09-30 Aptina Imaging Corporation Alignment marks and alignment methods for aligning backside components to frontside components in integrated circuits
US8797966B2 (en) 2011-09-23 2014-08-05 Ofinno Technologies, Llc Channel state information transmission
US8848673B2 (en) 2011-12-19 2014-09-30 Ofinno Technologies, Llc Beam information exchange between base stations
JP6553887B2 (ja) * 2015-02-19 2019-07-31 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、及び表示装置の製造方法
CN105159037B (zh) * 2015-09-30 2017-06-30 合肥芯碁微电子装备有限公司 一种直写式光刻机图形发生器的角度标定方法
CN105511166A (zh) * 2016-01-27 2016-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种取向设备及取向膜的制备方法、显示基板
CN106371292B (zh) * 2016-09-18 2019-01-22 中国科学院光电技术研究所 一种双面光刻工件台
JP7323267B2 (ja) * 2017-11-30 2023-08-08 株式会社アドテックエンジニアリング 両面露光装置
JP7030581B2 (ja) * 2018-03-19 2022-03-07 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法、及び、遮光性吸着治具
JP7066559B2 (ja) * 2018-07-13 2022-05-13 東京エレクトロン株式会社 接合装置および接合方法
CN110376853A (zh) * 2019-08-27 2019-10-25 爱司凯科技股份有限公司 高精度全自动双面曝光机
CN115023067B (zh) * 2022-05-23 2024-02-06 高德(江苏)电子科技股份有限公司 一种提升印刷线路板对位精度的加工工艺

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57183034A (en) * 1981-05-07 1982-11-11 Toshiba Corp Electron bean transfer device
JPS6365443A (ja) 1986-09-08 1988-03-24 Orc Mfg Co Ltd アライメント付両面自動露光装置
JP2531653Y2 (ja) * 1990-11-30 1997-04-09 株式会社オーク製作所 露光装置のベース板装置
JPH07153664A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Canon Inc マスク保持装置、ならびにこれを用いた露光装置とデバイス製造方法
US5608773A (en) * 1993-11-30 1997-03-04 Canon Kabushiki Kaisha Mask holding device, and an exposure apparatus and a device manufacturing method using the device
JP3289514B2 (ja) * 1994-10-07 2002-06-10 株式会社デンソー 両面アライナー用マスク
JP2994232B2 (ja) 1995-07-28 1999-12-27 ウシオ電機株式会社 マスクとマスクまたはマスクとワークの位置合わせ方法および装置
JP4208277B2 (ja) 1997-11-26 2009-01-14 キヤノン株式会社 露光方法及び露光装置
JP4301584B2 (ja) 1998-01-14 2009-07-22 株式会社ルネサステクノロジ レチクル、それを用いた露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法
US6211942B1 (en) 2000-03-10 2001-04-03 Howa Machinery Ltd. Double-sided exposure system
JP2002091011A (ja) * 2000-09-18 2002-03-27 Dainippon Printing Co Ltd 密着露光装置
JP4218418B2 (ja) * 2003-05-23 2009-02-04 ウシオ電機株式会社 帯状ワークの両面投影露光装置
JP2006084783A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Nsk Ltd 両面露光装置のマスクアライメント方法及びマスクアライメント装置
JP2006278648A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Nsk Ltd 両面露光方法
JP5117672B2 (ja) 2005-10-25 2013-01-16 サンエー技研株式会社 露光方法及び露光装置
JP4921789B2 (ja) * 2005-12-16 2012-04-25 サンエー技研株式会社 露光方法および露光装置
TW200746259A (en) * 2006-04-27 2007-12-16 Nikon Corp Measuring and/or inspecting method, measuring and/or inspecting apparatus, exposure method, device manufacturing method, and device manufacturing apparatus
JP2009194147A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Seiko Instruments Inc ウエハ露光装置及びウエハ露光方法
JP2010182997A (ja) * 2009-02-09 2010-08-19 Seiko Instruments Inc ウエハ露光装置及びウエハ露光方法
JP5365365B2 (ja) * 2009-06-23 2013-12-11 豊和工業株式会社 内層基板用露光装置及び基板とマスクの剥離方法
JP5609513B2 (ja) * 2010-10-05 2014-10-22 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI772549B (zh) * 2017-10-31 2022-08-01 日商亞多特克工程股份有限公司 兩面曝光裝置及兩面曝光方法
TWI717668B (zh) * 2018-12-19 2021-02-01 江蘇影速集成電路裝備股份有限公司 一種雙面曝光的對準裝置、方法及設備

Also Published As

Publication number Publication date
CN103676495A (zh) 2014-03-26
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