TW201702758A - 無罩曝光裝置及曝光方法 - Google Patents

無罩曝光裝置及曝光方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201702758A
TW201702758A TW105116222A TW105116222A TW201702758A TW 201702758 A TW201702758 A TW 201702758A TW 105116222 A TW105116222 A TW 105116222A TW 105116222 A TW105116222 A TW 105116222A TW 201702758 A TW201702758 A TW 201702758A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
exposure
substrate
pattern
long substrate
long
Prior art date
Application number
TW105116222A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI693478B (zh
Inventor
Hisaji Miyoshi
Yuki Abe
Satoru Midorikawa
Original Assignee
Orc Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Orc Manufacturing Co Ltd filed Critical Orc Manufacturing Co Ltd
Publication of TW201702758A publication Critical patent/TW201702758A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI693478B publication Critical patent/TWI693478B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/201Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

得到一種無罩曝光裝置,該無罩曝光裝置係對長條基板,不會發生圖案之線的斷線或蛇行,並可對連續之長條圖案高精度地進行曝光。 無罩曝光裝置包括:含有光調變元件陣列之曝光手段;基板固持手段,係將長條基板之長度方向的一部分固持成平面狀;相對移動手段,係在該長條基板之長度方向,使該曝光手段與基板固持手段相對移動;資料記憶手段,係記憶在該長條基板之長度方向分割對該長條基板之長條曝光圖案資料的分割曝光圖案資料;以及曝光控制手段,係在藉該相對移動手段使該曝光手段與基板固持手段相對移動下,根據該資料記憶手段所記憶之該分割曝光圖案資料,使該曝光手段對該長條基板進行曝光。

Description

無罩曝光裝置及曝光方法
本發明係有關於一種不使用光罩,直接繪圖而形成長條圖案之無罩曝光裝置及曝光方法。
在汽車等之大型的機械,將電氣裝置部(控制電路板等)設置於複數處。在電氣裝置部間之信號線或電源線,以往常使用成束之複數條被被覆之電線(被覆電線)。另一方面,因為被覆電線之重量重,所以嘗試使用藉FPC基板之配線,替代被覆電線。若是FPC基板,將多條配線集中成既定平面形狀,厚度係比被覆電線薄,又因為彎曲自如,所以配線之自由度增加。
【先行專利文獻】 【專利文獻】
[專利文獻1]日本特開2000-227661號公報
[專利文獻2]日本特開2005-300804號公報
可是,與小形之FPC基板相比,在大形之FPC基板,尤其長條之FPC基板的曝光裝置具有困難點。尤其,使用 光罩之接觸式曝光裝置係需要準備與長條之圖案的整個面對應之光罩,因為必須一面更換好幾片之光罩一面進行曝光,所以具有曝光裝置變成大形、或生產力低的問題。
另一方面,作為不使用光罩,而將圖案曝光於FPC基板的裝置,已知一種輥對輥之無罩曝光裝置,該無罩曝光裝置係在曝光部具備DMD(Digital Micro-mirror Device)等之光調變元件陣列。在這種無罩曝光裝置的情況,為了得到曝光精度,一般使用曝光工作台在保持長條基板之平面的狀態進行曝光(專利文獻1)。專利文獻1係揭示一種輥對輥之無罩曝光裝置,該無罩曝光裝置係在將長條基板(工件)吸附並固定於曝光工作台,將曝光部與長條工件表面之光軸方向的距離保持定值之狀態,一面使光調變元件陣列與長條工件相對移動,一面將圖案光投影於長條工件表面的感光劑層。可是,在如專利文獻1所示之輥對輥的無罩曝光裝置,因為對超過工作台之大小的長條圖案無法進行曝光,所以可曝光之FPC基板的最大尺寸受到工作台之大小限制。
另一方面,專利文獻2係未使用工作台之輥對輥之無罩曝光裝置。因為在搬運中對被架設於2支輥並被連續地搬運之長條工件連續地進行曝光,所以FPC基板的最大尺寸不會受到工作台之大小限制。可是,在如專利文獻2所示之不具有曝光工作台的無罩曝光裝置,因為難在保持工件之平面性的狀態進行曝光,所以在曝光精度上具有問題。
本發明係根據以上之問題意識,其目的在於得到一種無罩曝光裝置及曝光方法,該無罩曝光裝置係對長條基 板,不會發生圖案之線的斷線或蛇行,並可對連續之長條圖案高精度地進行曝光。
本發明係根據如下之著眼點所完成者,在將長條圖案曝光於基板固持手段(曝光工作台)所固持之長條基板時,根據已曝光之長條圖案之一部分的位置,調整長條圖案之剩下之部分(或長條圖案之剩下的一部分)的曝光位置,藉此,形成連續地連接之圖案。
本發明之無罩曝光裝置的特徵為包括:含有光調變元件陣列之曝光手段;基板固持手段,係將長條基板之長度方向的一部分固持成平面狀;相對移動手段,係在該長條基板之長度方向,使該曝光手段與基板固持手段相對移動;資料記憶手段,係記憶在該長條基板之長度方向分割對該長條基板之長條曝光圖案資料的分割曝光圖案資料;以及曝光控制手段,係在藉該相對移動手段使該曝光手段與基板固持手段相對移動下,根據該資料記憶手段所記憶之該分割曝光圖案資料,使該曝光手段對該長條基板進行曝光。
該曝光控制手段係在較佳之具體例,根據一個該分割曝光圖案資料,藉該曝光手段將被曝光於該長條基板之分割圖案的位置作為基準,調整接著曝光之未曝光之該分割曝光圖案資料的曝光位置,將連續地連接之長條圖案形成於該長條基板上。
相鄰之該分割曝光圖案資料係長條基板之長度方向的端部重疊較佳。
該曝光控制手段係具備標記位置偵測手段較佳,該標記位置偵測手段係偵測該曝光手段曝光形成於該長條基板之圖案對準標記的位置。
該曝光位置控制手段係更具備基板端面偵測手段較佳,該基板端面偵測手段係偵測該長條基板之沿著相對移動方向的至少一方之端面的位置。
而且,該曝光位置控制手段係具備攝像手段,該攝像手段係藉由在同一視野捕捉該圖案對準標記與該基板端面,兼具該標記位置偵測手段與該基板端面偵測手段。
該資料記憶手段係實際上根據該長條基板之搬運,切換該分割曝光手段所曝光之該分割曝光圖案資料。
本發明之無罩曝光方法係藉無罩曝光裝置將連續地連接之長條圖案形成於該長條基板上,該無罩曝光裝置係包括:曝光手段,係含有產生曝光圖案之光調變元件陣列;基板固持手段,係將長條基板之長度方向的一部分固持成平面狀;以及相對移動手段,係在該長條基板之長度方向,使該曝光手段與基板固持手段相對移動;該無罩曝光方法的特徵為具有:形成步驟,係形成在該長條基板之長度方向分割對該長條基板之長條曝光圖案資料的複數個分割曝光圖案資料;曝光步驟,係在藉該相對移動手段使該曝光手段與基板固持手段相對移動下,將該複數個分割曝光圖案資料中之所選擇的任一個曝光於該長條基板;以及曝光步驟,係將根據該一個所選擇之分割曝光圖案資料藉該曝光手段曝光於該長條基板之分割圖案的位置作為基準,調整接著曝光之未曝光之分割曝光圖案資料的 曝光位置,將連續地連接之長條圖案曝光於該長條基板上。
在此無罩曝光方法,亦相鄰之該分割曝光圖案資料係該長條基板之長度方向的端部重疊較佳。
若依據本發明之無罩曝光裝置及曝光方法,對長條基板,不會發生圖案之線的斷線或蛇行,並可對連續之長條圖案高精度地進行曝光。
1‧‧‧曝光裝置
2‧‧‧架座
10‧‧‧供給部
11‧‧‧供給捲盤
12、14‧‧‧導輥
13‧‧‧供給側張力輥
15‧‧‧供給側制動輥
16‧‧‧前後端位置感測器
20‧‧‧捲繞部
21‧‧‧捲繞捲盤
22、24‧‧‧導輥
23‧‧‧捲繞側張力輥
25‧‧‧捲繞側制動輥
30‧‧‧曝光部
31‧‧‧曝光工作台(基板固持手段)
32‧‧‧工作台移動部(相對移動手段)
33‧‧‧導軌
34‧‧‧升降部
41‧‧‧對準相機
51‧‧‧曝光單元(曝光手段)
52‧‧‧曝光單元驅動部
60‧‧‧曝光裝置控制部
60a‧‧‧影像處理部
60b‧‧‧標記位置偵測手段
60c‧‧‧基板端面偵測手段
60d‧‧‧分割曝光資料製作部
60e‧‧‧資料記憶手段
60f‧‧‧曝光控制手段
61‧‧‧監視器
W‧‧‧長條基板(感光性基板)
A‧‧‧長條基板W上之第1次的曝光起始位置(點A)
A1‧‧‧長條基板W上之第1次的曝光起始位置(點A1)
B‧‧‧長條基板W上之曝光結束位置(點B)
DE‧‧‧被曝光區域(在一次之曝光步驟可曝光之區域)
P‧‧‧長條曝光圖案資料
DP1~DP5‧‧‧分割曝光圖案資料
AO1~AO4‧‧‧重疊區間
MP‧‧‧圖案對準標記
AC‧‧‧對準相機41之視野
AE‧‧‧曝光單元51之曝光範圍
EW‧‧‧基板端面
PL‧‧‧繪線圖案(分割圖案)
第1圖係表示應用本發明之無罩曝光裝置之輥對輥方式的曝光裝置之一實施形態的正視圖。
第2圖係包含第1圖之曝光裝置的對準相機及曝光工作台之部分的平面圖。
第3圖係包含第1圖之曝光裝置的曝光單元及對準相機之部分的平面圖。
第4圖係本發明之無罩曝光裝置的方塊圖。
第5圖係使用本發明之無罩曝光裝置畫在長條基板之長條曝光圖案資料之一例的平面圖。
第6圖係表示在長條基板之長度方向將第5圖之長條曝光圖案資料分割成5部分之分割曝光圖案資料的平面圖。
第7圖(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6)係根據如第6圖所示分割的分割曝光圖案資料對長條基板進行分割曝光時之曝光單元及對對準相機之基板與曝光工作台之動作例的平面圖。
第1圖表示應用本發明之無罩曝光裝置之輥對輥方式的曝光裝置1之基本構成。此曝光裝置1係從長條基板(工件)W之搬運方向M的上游側往下游側依序包括:供給部10,係供給長條基板W;曝光部30,係將圖案曝光於長條基板W的表面而形成電子電路;以及捲繞部20,係回收已曝光的長條基板W。
長條基板W係利用被塗布光阻劑等之感光材料的包銅積層板等之片狀的基板,並具有數十~數百公尺的長度。藉由在曝光後經由顯像或蝕刻、切割等的步驟步驟,成為FPC基板的基材。
供給部10係構成工件供給系統,該工件供給系統係從長條基板W之搬運方向M的上游側往下游側依序包括供給捲盤11、導輥12、供給側張力輥13、導輥14、供給側制動輥15以及前後端位置感測器16,並用以將長條基板W供給至曝光部30。捲繞部20係構成工件捲繞系統,該工件捲繞系統係從長條基板W之搬運方向M的上游側往下游側依序包括捲繞側制動輥25、導輥24、捲繞側張力輥23、導輥22以及捲繞捲盤21,並用以捲繞在曝光部30所曝光之長條基板W。
曝光部30被配置於供給側制動輥15與捲繞側制動輥25之間。將在供給側制動輥15與捲繞側制動輥25之間移動之長條基板W的移動方向(搬運方向M)定義為X方向,將與長條基板W正交之方向(厚度方向)定義為Z方向,將與X方向及Z方向正交之方向定義為Y方向。曝光部30包括曝光工作台(基板固持手段)31、一對對準相機41(參照第2圖)以及 曝光單元(曝光手段)51。
曝光單元51係具備複數個曝光頭(未圖示),並規則地被配置於從長條基板W向鉛垂上方相距既定距離的位置。對各曝光頭配置光源及照明光學系統(未圖示),從光源所放射之光係分別經由對應之照明光學系統被導引至對應的曝光頭。各曝光頭包括二維地排列複數個微反射鏡之DMD(Digital Micro-mirror Device)、與將DMD之像成像於長條基板上的成像光學系統。曝光單元51係在曝光範圍AE可對像進行曝光(參照第3圖)。
使用DMD對圖案進行多重曝光的技術係揭示於例如特開2003-084444號公報,係被廣泛地實用化之周知的技術。又,使用複數個頭描繪一個案的技術係揭示於例如特開2003-195512號公報,係被廣泛地實用化之周知的技術。
曝光單元(曝光手段)51係在製作在長條基板W之長度方向將曝光於長條基板W上之長條曝光圖案資料分割成複數個的分割曝光圖案資料後,將該分割曝光圖案資料依序曝光於長條基板W上。第5圖表示長條曝光圖案資料P之具體例,第6圖表示在長條基板W之長度方向將此長條曝光圖案資料P分割成5部分的分割曝光圖案資料DPn(n=1至5)。長條曝光圖案資料P係如圖所示,例如是2000(X)×250(Y)mm之大小的配線圖案。配線的寬度或間隔例如是2mm又,圖係舉例表示僅配線之圖案,但是亦可將用以組裝電性元件之電路圖案等設置於長條圖案中。
分割曝光圖案資料DP1至DP5係如第6圖所示, 具有重疊區間AO1至重疊區間AO4,在各重疊區間AO1至重疊區間AO4,在長條基板W之長度方向所延伸之繪線圖案PL的Y方向兩側,包含一對圖案對準標記MP。
曝光工作台31係吸附(例如真空吸附)長條基板W的背面,並固持成平面狀,可在X方向及Z方向移動自如。即,在架座2上,具備在X方向延伸之導軌33,並將使曝光工作台31升降的升降部34支撐於工作台移動部32,工作台移動部32係被導軌33支撐成移動自如。曝光工作台31係藉升降部34,在與長條基板W之背面接觸的上端位置、與和長條基板W之背面分開的下端位置之間升降。工作台移動部32係可在X方向正反向(下游方向與上游方向)地移動。在第1圖以二點鏈線表示曝光工作台31之可移動的軌跡31M。工作台移動部32構成在長條基板W之長度方向使曝光工作台31與曝光單元51進行相對移動的相對移動手段。曝光工作台31一次可吸附固持長條基板W的範圍(面積)例如是620(X)×520(Y)mm。
第2圖係從基板表面側觀察曝光工作台31吸附固持長條基板W之狀態的圖。符號DE表示在一次之曝光步驟可曝光的區域(即,分割曝光圖案資料DP1至DP5的一個區域)。符號A係在第1次之曝光步驟的曝光起始位置,符號B係在第1次之曝光步驟的曝光結束位置。
一對對準相機41係被設置於比曝光單元51上游側,並拍攝被曝光形成於長條基板W的圖案對準標記MP。各對準相機41所拍攝之影像係藉影像處理部60a(參照第4圖)進行影像處理後,藉標記位置偵測手段60b取得圖案對準標記 MP的位置資訊。
對準相機41係在本實施形態,不僅拍攝圖案對準標記MP,亦將基板端面EW看成一種標記來拍攝,並具備檢測出端面之位置的基板端面偵測手段60c。若圖案對準標記MP與基板端面EW同時進入對準相機41之視野AC內,在Y方向不移動對準相機41,亦可拍攝圖案對準標記MP與基板端面EW(第5圖),但是亦可使對準相機41在Y方向移動,拍攝圖案對準標記MP與基板端面EW。此處,對準相機41、影像處理部60a以及基板端面偵測手段60c構成偵測長條基板W之沿著相對移動方向之至少一方的端面之位置的基板端面偵測手段。對準相機41係藉由在同一視野CA捕捉圖案對準標記MP與基板端面EW,構成兼具標記位置偵測手段60b與基板端面偵測手段60c之攝像手段。
藉由影像處理部60a(標記位置偵測手段)取得基板端面EW的位置資訊,可防止曝光之分割曝光圖案資料DP1至DP5的扭曲(蛇行)或分割曝光圖案資料DP1至DP5被斜曝光所造成之往工件外的超出。具體而言,例如在決定分割曝光圖案資料DP1至DP5的曝光位置時,分割曝光圖案資料DP1至DP5之X方向修正量係根據一對圖案對準標記MP之至少一方之圖案對準標記MP的位置資訊所決定,Y方向修正量係根據至少一方之基板端面EW的位置資訊或至少一方之圖案對準標記MP的位置資訊所決定。
基板端面偵測手段60c(及標記位置偵測手段60b)係可檢測出基板端面EW(長條基板W之長度方向)對X方向的 夾角,作為θ方向修正量。例如,將基板端面EW(長條基板W之長度方向)對X方向平行的情況檢測成0°。所檢測出之θ方向修正量係可藉由改變曝光單元51(DMD)之Y方向的繪圖時序來調整。
第4圖係本發明之無罩曝光裝置的控制方塊圖。曝光裝置1更包括供給部10、捲繞部20及曝光部30、以及統籌地控制這些構件的曝光裝置控制部60。曝光裝置控制部60包括影像處理部60a、記憶長條曝光圖案資料之資料記憶手段60e、以及從該長條曝光圖案資料製作實際曝光所需之分割曝光圖案資料的分割曝光資料製作部60d。影像處理部60a具備從對準相機41所拍攝之影像資料檢圖案位置資訊(分割曝光圖案資料DPn之X方向位置、Y方向位置以及傾斜角θ)的功能。曝光裝置1(曝光部30)更具備顯示對準相機41所拍攝之影像資料的監視器61。使用者係可觀看監視器61之顯示,識別該對準。
曝光裝置1係在供給部10側包括對供給捲盤11進行驅動控制之供給捲盤驅動部11a與對供給側制動輥15進行驅動控制之制動輥驅動部15a,並在捲繞部20側包括對捲繞捲盤21進行驅動控制之捲繞捲盤驅動部21a與對捲繞側制動輥25進行驅動控制之制動輥驅動部25a。曝光裝置控制部60係經由供給捲盤驅動部11a及捲繞捲盤驅動部12a對供給捲盤11及捲繞捲盤21賦與正反之轉動力,而正反地移動長條基板W。曝光裝置控制部60係經由制動輥驅動部15a及25ba,藉一對供給側制動輥15及一對捲繞側制動輥25夾壓長條基板 W,並在長條基板W之X方向移動產生制動力(負載)。又,使一對供給側制動輥15及一對捲繞側制動輥25從長條基板W離開,而解除制動力(負載)。曝光裝置控制部60係從前後端位置感測器16的輸出,偵測長條基板W之X方向(長度方向)的前端與後端以及通過這些前後端。
曝光部30具備根據藉分割曝光資料製作部60d所產生之分割曝光圖案資料驅動曝光單元51的曝光單元驅動部52。曝光部30包括在曝光裝置控制部60之控制下,驅動工作台移動部32的工作台移動驅動部32a、驅動升降部34而使曝光工作台31升降移動的升降部驅動部34a、以及在曝光工作台31的表面吸附或放開長條基板W的吸附驅動部31a。
分割曝光資料製作部60d係根據資料記憶手段60e所記憶之長條曝光圖案資料P,製作一次份量之曝光步驟所需的分割曝光圖案資料DPn。其中,n係2以上的正整數,最大值成為長條曝光圖案資料P的分割數。分割曝光資料製作部60d係在從長條曝光圖案資料P製作分割曝光圖案資料DP時,以在重疊區間AO分割曝光圖案重複的方式製作分割曝光圖案資料DPn。曝光單元驅動部52係根據此分割曝光圖案資料DPn,驅動曝光單元51,將分割曝光圖案曝光於長條基板W。
曝光裝置控制部60具備曝光控制手段60f(第4圖),該曝光控制手段60f係在切換分割曝光圖案資料DPn下,在複數次進行曝光動作,藉此,將連續地相連接之一個長條繪線圖案PL曝光於長條基板W。曝光裝置控制部60(曝光控制手段60f)係經由以上之驅動部11a與15a、21a與25a、31a與 32a及34a,對供給部10、捲繞部20以及曝光部30之各構成元件進行驅動控制。
描繪資料上之圖案對準標記MP係亦可預先包含長條曝光圖案資料P,亦可作成在製作分割曝光圖案資料DPn時自動地添寫圖案對準標記MP。
在圖上圖案對準標記MP係以圓形之標記表示,但是亦可是十字形等周知的位置對準用標記。
其次,根據第7圖,說明根據本發明之無罩曝光裝置及曝光方法之曝光動作的一例。在第7圖,將X方向之左方向定義為下游方向,將其右方向定義為上游方向。
步驟1:位於準備位置之曝光工作台31從下降位置上升至長條基板W固持位置,並吸附固定長條基板W之一部分的背面(第7圖(1))。供給側制動輥15與捲繞側制動輥25係離開長條基板W而解除對長條基板W之移動的制動力。在此狀態,曝光工作台31對曝光單元51在下游方向移動,曝光單元51係根據分割曝光圖案資料DPn(DP1)將繪線圖案(分割圖案)PL描繪(曝光)於長條基板W上,將圖案對準標記MP曝光於繪線圖案PL之上游側端部附近的兩側。依此方式,分割曝光圖案資料DPn(DP1)及圖案對準標記MP之曝光結束時,曝光工作台31停在X方向曝光結束位置(第7圖(2))。已被曝光之圖案對準標記MP係利用光阻劑之自行著色作用,形成為可拍攝之像。
曝光單元51描繪(曝光)分割曝光圖案資料DPn(DP1)的時序係根據曝光工作台31從起始位置在下游方向 所移動的距離受到控制。曝光起始點(與基板W之搬運方向M正交的曝光起始線)A係長條基板W上之第1次的曝光起始位置,曝光結束點(一樣)B係長條基板W上之第1次的曝光結束位置B。
此最初之分割曝光圖案資料DPn(DP1)之曝光況係因為圖案對準標記MP未形成於基板,所以在曝光前不利用對準相機41拍攝圖案對準標記MP。替代地,拍攝長條基板W的端面EW,並決定分割曝光圖案資料DP1的描繪曝光位置(Y及θ座標)。
步驟2:供給側制動輥15與捲繞側制動輥25夾壓長條基板W,曝光工作台31解除對長條基板W之吸附並下降,供給捲盤11捲繞長條基板W,並使長條基板W在上游方向移動。然後,在對準相機41在其視野CA內捕捉到圖案對準標記MP之狀態,供給捲盤11停止,供給側制動輥15與捲繞側制動輥25夾壓長條基板W,而限制(制止)長條基板W之移動。在曝光工作台31回到X方向之曝光起始位置後,上升至固持長條基板W的位置,並吸附固持被制止之長條基板W之一部分的背面(第7圖(3))。
對準相機41拍攝圖案對準標記MP(及基板端面EW),再根據所拍攝之影像資料,影像處理部60a檢測出形成於長條基板W上之圖案對準標記MP的位置後,設定連接新曝光之分割曝光圖案資料DPn+1(DP2)與已曝光之分割曝光圖案資料DPn(DP1)的連接位置(匹配連接位置)。所設定之匹配連接位置包含重疊區間AOn(AO1)(第6圖)。
步驟3:解除供給側制動輥15與捲繞側制動輥25 對長條基板W的夾壓,在曝光工作台31吸附長條基板W之狀態,對曝光單元51在下游方向移動。曝光單元51係為了分割曝光圖案資料DPn+1(DP2)經由重疊區間AOn(重疊區間AO1)與分割曝光圖案資料DPn(DP1)連接,而將分割曝光圖案資料DP2的繪線圖案(分割圖案)PL描繪(曝光)於長條基板W上,將一對圖案對準標記MP曝光於繪線圖案PL之上游側端部附近的兩側,曝光工作台31停在曝光停止位置(第7圖(4))。分割曝光圖案資料DPn(DP1)與DPn+1(DP2)係經由重疊區間AOn(AO1)連接。
曝光單元51描繪(曝光)分割曝光圖案資料DPn+1(DP2)的時序係根據在步驟2所匹配之連接位置與分割曝光圖案資料DPn+1(DP2),並根據曝光工作台31從起始位置在下游方向所移動的距離受到控制。A1點係長條基板W上之第2次以後的曝光起始位置,與在長條基板W上之重疊區間AOn(AO1)的下游側端點一致。B點係長條基板W上之曝光結束位置,與在長條基板W上之分割曝光圖案資料DPn+1(DP2)的上游側端點一致。重疊區間AOn(AO2)的下游側端點係分割曝光圖案資料DPn+1(DP2)的下游側端點,與是長條基板W上之曝光起始位置的A1點一致,分割曝光圖案資料DPn+1(DP2)的上游側端點與是該長條基板W上之曝光結束位置的B點一致。
以後,依序重複地執行步驟2與3至對長條曝光圖案的終端進行曝光(第7圖(5)、(6))。
在以上之實施形態,依序對分割曝光圖案資料 DPn進行曝光,但是本發明係亦可不是依序對分割曝光圖案資料DPn進行曝光,,而挪移順序,例如亦可變換順序,亦可順序相反,或者亦可對同一分割曝光圖案資料DPn進行曝光複數次。
在以上之實施形態,對準相機41不僅拍攝圖案對準標記MP,亦將基板端面EW看成一種標記來拍攝,但是不必將基板端面EW作為基準。又,亦可不形成(曝光)特殊之圖案對準標記MP,而將繪線圖案PL的一部分用作圖案對準標記。
W‧‧‧長條基板
AE‧‧‧曝光單元
51‧‧‧之曝光範圍
EW‧‧‧基板端面
AC‧‧‧對準相機41之視野
31‧‧‧曝光工作台
41‧‧‧對準相機
51‧‧‧曝光單元
MP‧‧‧圖案對準標記
PL‧‧‧繪線圖案(分割圖案)
Á‧‧‧長條基板W上之第1次的曝光起始位置(點A)
B‧‧‧長條基板W上之曝光結束位置(點B)
AO1‧‧‧重疊區間
A1‧‧‧長條基板W上之第1次的曝光起始位置(點A1)
AO2‧‧‧重疊區間

Claims (9)

  1. 一種無罩曝光裝置,其特徵為包括:含有光調變元件陣列之曝光手段;基板固持手段,係將長條基板之長度方向的一部分固持成平面狀;相對移動手段,係在該長條基板之長度方向,使該曝光手段與基板固持手段相對移動;資料記憶手段,係記憶在該長條基板之長度方向分割對該長條基板之長條曝光圖案資料的分割曝光圖案資料;以及曝光控制手段,係在藉該相對移動手段使該曝光手段與基板固持手段相對移動下,根據該資料記憶手段所記憶之該分割曝光圖案資料,使該曝光手段對該長條基板進行曝光。
  2. 如申請專利範圍第1項之無罩曝光裝置,其中該曝光控制手段係根據一個該分割曝光圖案資料,藉該曝光手段將被曝光於該長條基板之分割圖案的位置作為基準,調整接著曝光之未曝光之該分割曝光圖案資料的曝光位置,將連續地連接之長條圖案形成於該長條基板上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之無罩曝光裝置,其中相鄰之該分割曝光圖案資料係長條基板之長度方向的端部重疊。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之無罩曝光裝置,其中該曝光控制手段係具備標記位置偵測手段,該標記位置偵測手段係偵測該曝光手段曝光形成於該長條基板之圖案對準標記的位置。
  5. 如申請專利範圍第4項之無罩曝光裝置,其中該曝光位置 控制手段係具備基板端面偵測手段,該基板端面偵測手段係偵測該長條基板之沿著相對移動方向的至少一方之端面的位置。
  6. 如申請專利範圍第5項之無罩曝光裝置,其中該曝光位置控制手段係具備攝像手段,該攝像手段係藉由在同一視野捕捉該圖案對準標記與該基板端面,兼具該標記位置偵測手段與該基板端面偵測手段。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之無罩曝光裝置,其中該資料記憶手段係根據該長條基板之搬運,切換該分割曝光手段所曝光之該分割曝光圖案資料。
  8. 一種無罩曝光方法,係藉無罩曝光裝置將連續地連接之長條圖案形成於該長條基板上,該無罩曝光裝置係包括:曝光手段,係含有產生曝光圖案之光調變元件陣列;基板固持手段,係將長條基板之長度方向的一部分固持成平面狀;以及相對移動手段,係在該長條基板之長度方向,使該曝光手段與基板固持手段相對移動;其特徵為具有:形成步驟,係形成在該長條基板之長度方向分割對該長條基板之長條曝光圖案資料的複數個分割曝光圖案資料;曝光步驟,係在藉該相對移動手段使該曝光手段與基板固持手段相對移動下,將該複數個分割曝光圖案資料中之所選擇的任一個曝光於該長條基板;以及曝光步驟,係將根據該一個所選擇之分割曝光圖案資料藉該曝光手段曝光於該長條基板之分割圖案的位置作為基 準,調整接著曝光之未曝光之分割曝光圖案資料的曝光位置,將連續地連接之長條圖案曝光於該長條基板上。
  9. 如申請專利範圍第8項之無罩曝光方法,其中相鄰之該分割曝光圖案資料係該長條基板之長度方向的端部重疊。
TW105116222A 2015-06-01 2016-05-25 無罩曝光裝置及曝光方法 TWI693478B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015111364A JP6554330B2 (ja) 2015-06-01 2015-06-01 マスクレス露光装置および露光方法
JP2015-111364 2015-06-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201702758A true TW201702758A (zh) 2017-01-16
TWI693478B TWI693478B (zh) 2020-05-11

Family

ID=57574805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105116222A TWI693478B (zh) 2015-06-01 2016-05-25 無罩曝光裝置及曝光方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6554330B2 (zh)
KR (1) KR102439362B1 (zh)
TW (1) TWI693478B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI741215B (zh) * 2017-09-13 2021-10-01 日商鷗爾熙製作所股份有限公司 曝光裝置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230266674A1 (en) * 2020-05-09 2023-08-24 Inspec Inc. Drawing method, drawing device, and program
JP7446687B2 (ja) 2020-07-22 2024-03-11 株式会社オーク製作所 ダイレクト露光装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10239613A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Asahi Optical Co Ltd レーザ描画装置
JP3648516B2 (ja) 1999-02-05 2005-05-18 ペンタックスインダストリアルインスツルメンツ株式会社 走査式描画装置
JP4324645B2 (ja) * 2001-08-21 2009-09-02 株式会社オーク製作所 多重露光描画装置および多重露光描画方法
JP4362847B2 (ja) 2004-04-09 2009-11-11 株式会社オーク製作所 描画装置
JP2006106505A (ja) * 2004-10-07 2006-04-20 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録装置及び画像記録方法
JP5258226B2 (ja) * 2007-08-10 2013-08-07 株式会社オーク製作所 描画装置および描画方法
JP5210199B2 (ja) * 2009-02-23 2013-06-12 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録方法
JP5382456B2 (ja) * 2010-04-08 2014-01-08 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI741215B (zh) * 2017-09-13 2021-10-01 日商鷗爾熙製作所股份有限公司 曝光裝置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160141652A (ko) 2016-12-09
TWI693478B (zh) 2020-05-11
KR102439362B1 (ko) 2022-09-02
JP2016224301A (ja) 2016-12-28
JP6554330B2 (ja) 2019-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5104107B2 (ja) 帯状ワークの露光装置及び帯状ワークの露光装置におけるフォーカス調整方法
TWI662373B (zh) Exposure device
TWI591444B (zh) A photomask, a photomask group, an exposure device, and an exposure method
JP4922071B2 (ja) 露光描画装置
TWI573000B (zh) 曝光微影裝置以及曝光微影方法
TWI481971B (zh) 曝光方法及曝光裝置
WO2013145987A1 (ja) 露光描画装置、プログラムを記録した記録媒体、及び露光描画方法
JP2007121425A (ja) 露光方法及び露光装置
TWI693478B (zh) 無罩曝光裝置及曝光方法
JP3376961B2 (ja) マスクを移動させて位置合わせを行う露光装置
JP5451175B2 (ja) 露光装置
JP6723831B2 (ja) 露光装置
TW201035696A (en) Alignment method, exposure method, electronic device fabrication method, alignment device, and exposure device
JP2003091069A (ja) 蛇行修正機構を備えた帯状ワークの露光装置
CN117806134A (zh) 两面曝光装置及两面曝光方法
JP7175150B2 (ja) 露光装置
JP7364754B2 (ja) 露光方法
JP7234426B2 (ja) マスク対及び両面露光装置
JP4177682B2 (ja) 露光機構および露光方法
JP7023620B2 (ja) 露光装置及び基板載置方法
JP7175149B2 (ja) 露光装置および露光方法
JP4868119B2 (ja) 露光装置