JP6200224B2 - フォトマスク、フォトマスク組、露光装置および露光方法 - Google Patents
フォトマスク、フォトマスク組、露光装置および露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6200224B2 JP6200224B2 JP2013140039A JP2013140039A JP6200224B2 JP 6200224 B2 JP6200224 B2 JP 6200224B2 JP 2013140039 A JP2013140039 A JP 2013140039A JP 2013140039 A JP2013140039 A JP 2013140039A JP 6200224 B2 JP6200224 B2 JP 6200224B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- alignment
- alignment mark
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
circuits;以下、基板とする)においては、電子機器の小型化および高機能化に伴って、高密度化の要求が高まっている。このような高密度化に対応させるために、基板の導体層を両面や三層以上設けた多層回路基板を構成することで、基板の高密度化を図っている。そして、高密度化の一環として、各種電子部品を実装する多層プリント配線板間をコネクタ等を介して接続する別体の基板が、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、携帯電話装置、ゲーム機等の小型電子機器を中心に広く用いられている。
先ず最初に、露光対象となるフレキシブルプリント基板Pについて説明する。図1は、露光装置10の要部の構成と、基板Pの構成とを示す側断面図である。図1に示すように、種々の工程を経て回路パターンが形成されるフレキシブルプリント基板(Flexible printed circuits;以下、露光等の製造工程を経る前のものも基板とする)Pは、その表面と裏面の両面に感光性レジスト層P4(感光性材料に対応)が形成されている。
本実施の形態における露光装置10の位置合わせ機構11は、基板Pの両面を、それぞれ露光用のフォトマスク70に位置合わせするものである。
Metal Oxide Semiconductor)等を用いた撮像素子を備えていて、後述するターゲットマークTMとその周辺を撮像することを可能としている。
次に、フォトマスク70について説明する。図3は、上側のフォトマスク70(後述する第1フォトマスク70A)の構成を示す平面図であり、(A)はフォトマスク70の全体を示し、(B)は(A)のフォトマスク70の隅部であるA部とB部とを拡大して示す部分的な平面図である。また、図4は、下側のフォトマスク70(後述する第2フォトマスク70B)の構成を示す平面図である。なお、図4におけるA部とB部は図3(B)と同様である。また、図5は、フォトマスク70の構成を示す断面図である。
次に、上述の露光装置10を用いた露光方法について説明する。
以上のような構成のフォトマスク、露光装置10および露光方法によると、ターゲットマークTM1と基板側マークP5との間で位置合わせを行うことにより、第1フォトマスク70Aと基板Pとの間の位置合わせを行うことが可能となる。加えて、ターゲットマークTM2とターゲットマークTM3の位置合わせを行うことにより、第1フォトマスク70Aと第2フォトマスク70Bとの間の位置合わせを行うことが可能となる。それにより、第1フォトマスク70Aと基板P、第2フォトマスク70Bと基板Pとの間の位置合わせ(基板Pの両面の位置合わせ)を行うことが可能となる。
以上、本発明の一実施の形態について説明したが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となっている。以下、それについて述べる。
Claims (5)
- 基板と対向する一方の面に形成される露光のための描画パターンと、
前記基板が保持される場合において前記一方の面のうち当該基板と対向する部位であって前記描画パターンが形成されていない部位に設けられると共に、前記基板に形成されている基板側マークと位置合わせを行うための第1位置合わせマークと、
前記基板が保持される場合において当該基板と対向しない部位に設けられると共に、他のフォトマスクに設けられている第3位置合わせマークと位置合わせを行うための第2位置合わせマークと、
を具備し、
前記一方の面には、凹部が設けられていて、この凹部は、圧力発生手段を介して負圧が及ぼされることにより前記一方の面と対向する前記基板の対向面に負圧を及ぼすものであり、
前記凹部には、
前記一方の面に沿って延伸する吸引溝と、前記一方の面とは反対側の他方の面から前記吸引溝までを貫く吸引孔と、
が設けられていて、
前記吸引溝は環状に設けられていて、前記第1位置合わせマークは前記一方の面のうち環状の前記吸引溝で囲まれる内側に設けられ、前記第2位置合わせマークは前記一方の面のうち環状の吸引溝の外側に設けられている、
ことを特徴とするフォトマスク。 - 第1フォトマスクと、第2フォトマスクとから構成されるフォトマスク組であって、
前記第1フォトマスクは、
基板と対向する一方の面に形成される露光のための描画パターンと、
前記基板が保持される場合において前記一方の面のうち当該基板と対向する部位であって前記描画パターンが形成されていない部位に設けられると共に、前記基板に形成されている基板側マークと位置合わせを行うための第1位置合わせマークと、
前記基板が保持される場合において当該基板と対向しない部位に設けられると共に、前記第2フォトマスクに設けられている第3位置合わせマークと位置合わせを行うための第2位置合わせマークと、
を具備し、
前記一方の面には、凹部が設けられていて、この凹部は、圧力発生手段を介して負圧が及ぼされることにより前記一方の面と対向する前記基板の対向面に負圧を及ぼすものであり、
前記凹部には、
前記一方の面に沿って延伸する吸引溝と、前記一方の面とは反対側の他方の面から前記吸引溝までを貫く吸引孔と、
が設けられていて、
前記吸引溝は環状に設けられていて、前記第1位置合わせマークは前記一方の面のうち環状の前記吸引溝で囲まれる内側に設けられ、前記第2位置合わせマークは前記一方の面のうち環状の吸引溝の外側に設けられていて、
前記第2フォトマスクは、
前記基板と対向する一方の面に形成される露光のための描画パターンと、
前記基板が保持される場合において前記一方の面のうち当該基板と対向しない部位に設けられると共に、前記第1フォトマスクに設けられている前記第2位置合わせマークと位置合わせを行うための第3位置合わせマークと、
を具備することを特徴とするフォトマスク組。 - 両面に感光性材料が形成されている基板の両面に露光する露光装置であって、
第1駆動源を備えると共に、露光を行う位置において前記基板の一方の面に対向する状態で配置される第1フォトマスクを前記第1駆動源の駆動によって移動させる第1移動機構と、
第2駆動源を備えると共に、露光を行う位置において前記基板の一方の面に対向する状態で配置される第2フォトマスクを前記第2駆動源の駆動によって移動させる第2移動機構と、
前記第1フォトマスクに形成されている第1位置合わせマークと、前記基板に形成されている基板側マークとを撮影すると共に、前記第1フォトマスクに形成されている第2位置合わせマークと、前記第2フォトマスクに形成されている第3位置合わせマークとを撮影する撮影手段と、
前記第1駆動源、前記第2駆動源および前記撮影手段の駆動を制御する制御部と、
負圧を利用して前記第1フォトマスクで前記基板を保持する、または正圧を利用して前記第1フォトマスクによる前記基板の保持を解除する第1圧力発生手段と、
負圧を利用して前記第2フォトマスクで前記基板を保持する、または正圧を利用して前記第2フォトマスクによる前記基板の保持を解除する第2圧力発生手段と、
を具備し、
前記制御部は、
前記撮影手段での前記第1位置合わせマークと前記基板側マークとの撮影結果に基づいて、それらの間の位置合わせが行われるように前記第1駆動源を制御し、
前記撮影手段での前記第2位置合わせマークと前記第3位置合わせマークとの撮影結果に基づいて、それらの間の位置合わせが行われるように前記第2駆動源を制御し、
前記第1圧力発生手段および前記第2圧力発生手段の駆動を制御し、
前記第1駆動源の制御により前記基板と前記第1フォトマスクの間の位置合わせが行われた後に、負圧を利用して前記第1フォトマスクで前記基板を保持するように前記第1圧力発生手段の駆動を制御し、
前記第2駆動源の制御により前記第1フォトマスクと前記第2フォトマスクの間の位置合わせが行われた後に、負圧を利用して前記第2フォトマスクで前記基板を保持するように前記第2圧力発生手段の駆動を制御する、
ことを特徴とする露光装置。 - 両面に感光性材料が形成されている基板の両面に露光する露光装置であって、
一方の面に形成される露光のための描画パターンと、前記基板が保持される場合において前記一方の面のうち当該基板と対向する部位であって前記描画パターンが形成されていない部位に設けられると共に、前記基板に形成されている基板側マークと位置合わせを行うための第1位置合わせマークと、前記基板が保持される場合において当該基板と対向しない部位に設けられる第2位置合わせマークとを備える第1フォトマスクと、
第1駆動源を備えると共に、露光を行う位置において前記基板の一方の面に対向する状態で配置される前記第1フォトマスクを前記第1駆動源の駆動によって移動させる第1移動機構と、
一方の面に形成される露光のための描画パターンと、前記基板が保持される場合において前記一方の面のうち当該基板と対向しない部位に設けられると共に、前記第2位置合わせマークと位置合わせを行うための第3位置合わせマークとを備える第2フォトマスクと、
第2駆動源を備えると共に、露光を行う位置において前記基板の一方の面に対向する状態で配置される第2フォトマスクを前記第2駆動源の駆動によって移動させる第2移動機構と、
前記第1位置合わせマークと前記基板に形成されている基板側マークとを撮影すると共に、前記第2位置合わせマークと前記第3位置合わせマークとを撮影する撮影手段と、
前記第1駆動源、前記第2駆動源および前記撮影手段の駆動を制御する制御部と、
負圧を利用して前記第1フォトマスクで前記基板を保持する、または正圧を利用して前記第1フォトマスクによる前記基板の保持を解除する第1圧力発生手段と、
負圧を利用して前記第2フォトマスクで前記基板を保持する、または正圧を利用して前記第2フォトマスクによる前記基板の保持を解除する第2圧力発生手段と、
を具備し、
前記制御部は、
前記撮影手段での前記第1位置合わせマークと前記基板側マークとの撮影結果に基づいて、それらの間の位置合わせが行われるように前記第1駆動源を制御し、
前記撮影手段での前記第2位置合わせマークと前記第3位置合わせマークとの撮影結果に基づいて、それらの間の位置合わせが行われるように前記第2駆動源を制御し、
前記第1圧力発生手段および前記第2圧力発生手段の駆動を制御し、
前記第1駆動源の制御により前記基板と前記第1フォトマスクの間の位置合わせが行われた後に、負圧を利用して前記第1フォトマスクで前記基板を保持するように前記第1圧力発生手段の駆動を制御し、
前記第2駆動源の制御により前記第1フォトマスクと前記第2フォトマスクの間の位置合わせが行われた後に、負圧を利用して前記第2フォトマスクで前記基板を保持するように前記第2圧力発生手段の駆動を制御する、
ことを特徴とする露光装置。 - 両面に感光性材料が形成されている基板の両面に露光するための露光方法であって、
第1フォトマスクに形成されている第1位置合わせマークと、前記基板に形成されていると共に前記第1位置合わせマークに位置合わせされるべき基板側マークとを撮影手段で撮影する第1撮影工程と、
前記第1撮影工程での撮影結果に基づいて、露光を行う位置において前記基板の一方の面に対向する状態で配置される前記第1フォトマスクを第1移動機構が備える第1駆動源の駆動を制御部で制御して移動させることで、前記第1位置合わせマークと前記基板側マークとの間の位置合わせを行う第1位置合わせ工程と、
前記第1位置合わせ工程の後に、負圧を利用して前記第1フォトマスクで前記基板を保持するように第1圧力発生手段の駆動を前記制御部で制御して、前記第1フォトマスクと前記基板との間の位置合わせ状態を少なくとも前記基板への露光が終わるまで保持させる第1位置保持工程と、
前記第1位置保持工程の後に、第1フォトマスクに形成されている第2位置合わせマークと、第2フォトマスクに形成されていると共に前記第2位置合わせマークに位置合わせされるべき第3位置合わせマークとを撮影手段で撮影する第2撮影工程と、
前記第2撮影工程での撮影結果に基づいて、露光を行う位置において前記基板の一方の面に対向する状態で配置される第2フォトマスクを前記第2移動機構が備える前記第2駆動源の駆動を前記制御部で制御して移動させることで、前記第2位置合わせマークと前記第3位置合わせマークとの間の位置合わせを行う第2位置合わせ工程と、
前記第2位置合わせ工程の後に、負圧を利用して前記第2フォトマスクで前記基板を保持するように第2圧力発生手段の駆動を前記制御部で制御して、前記第1フォトマスクと前記第2フォトマスクとの間の位置合わせ状態を少なくとも前記基板への露光が終わるまで保持させる第2位置保持工程と、
前記第2位置保持工程の後に、前記基板への露光を行う露光工程と、
を具備することを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013140039A JP6200224B2 (ja) | 2012-09-13 | 2013-07-03 | フォトマスク、フォトマスク組、露光装置および露光方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012202022 | 2012-09-13 | ||
JP2012202022 | 2012-09-13 | ||
JP2013140039A JP6200224B2 (ja) | 2012-09-13 | 2013-07-03 | フォトマスク、フォトマスク組、露光装置および露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014074888A JP2014074888A (ja) | 2014-04-24 |
JP6200224B2 true JP6200224B2 (ja) | 2017-09-20 |
Family
ID=50233601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013140039A Active JP6200224B2 (ja) | 2012-09-13 | 2013-07-03 | フォトマスク、フォトマスク組、露光装置および露光方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9170483B2 (ja) |
JP (1) | JP6200224B2 (ja) |
CN (1) | CN103676495B (ja) |
TW (1) | TWI591444B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8846494B2 (en) * | 2011-07-07 | 2014-09-30 | Aptina Imaging Corporation | Alignment marks and alignment methods for aligning backside components to frontside components in integrated circuits |
US8797966B2 (en) | 2011-09-23 | 2014-08-05 | Ofinno Technologies, Llc | Channel state information transmission |
US8879496B2 (en) | 2011-12-19 | 2014-11-04 | Ofinno Technologies, Llc | Beamforming codeword exchange between base stations |
JP6553887B2 (ja) * | 2015-02-19 | 2019-07-31 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、及び表示装置の製造方法 |
CN105159037B (zh) * | 2015-09-30 | 2017-06-30 | 合肥芯碁微电子装备有限公司 | 一种直写式光刻机图形发生器的角度标定方法 |
CN105511166A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种取向设备及取向膜的制备方法、显示基板 |
CN106371292B (zh) * | 2016-09-18 | 2019-01-22 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种双面光刻工件台 |
JP6994806B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2022-01-14 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 両面露光装置及び両面露光方法 |
JP7323267B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2023-08-08 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 両面露光装置 |
JP7030581B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2022-03-07 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び、遮光性吸着治具 |
JP7066559B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2022-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置および接合方法 |
TWI717668B (zh) * | 2018-12-19 | 2021-02-01 | 江蘇影速集成電路裝備股份有限公司 | 一種雙面曝光的對準裝置、方法及設備 |
CN110376853A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-10-25 | 爱司凯科技股份有限公司 | 高精度全自动双面曝光机 |
CN115023067B (zh) * | 2022-05-23 | 2024-02-06 | 高德(江苏)电子科技股份有限公司 | 一种提升印刷线路板对位精度的加工工艺 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57183034A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Toshiba Corp | Electron bean transfer device |
JPS6365443A (ja) | 1986-09-08 | 1988-03-24 | Orc Mfg Co Ltd | アライメント付両面自動露光装置 |
JP2531653Y2 (ja) * | 1990-11-30 | 1997-04-09 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置のベース板装置 |
US5608773A (en) * | 1993-11-30 | 1997-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask holding device, and an exposure apparatus and a device manufacturing method using the device |
JPH07153664A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Canon Inc | マスク保持装置、ならびにこれを用いた露光装置とデバイス製造方法 |
JP3289514B2 (ja) * | 1994-10-07 | 2002-06-10 | 株式会社デンソー | 両面アライナー用マスク |
JP2994232B2 (ja) | 1995-07-28 | 1999-12-27 | ウシオ電機株式会社 | マスクとマスクまたはマスクとワークの位置合わせ方法および装置 |
JP4208277B2 (ja) | 1997-11-26 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
JP4301584B2 (ja) | 1998-01-14 | 2009-07-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | レチクル、それを用いた露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法 |
US6211942B1 (en) | 2000-03-10 | 2001-04-03 | Howa Machinery Ltd. | Double-sided exposure system |
JP2002091011A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 密着露光装置 |
JP4218418B2 (ja) * | 2003-05-23 | 2009-02-04 | ウシオ電機株式会社 | 帯状ワークの両面投影露光装置 |
JP2006084783A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Nsk Ltd | 両面露光装置のマスクアライメント方法及びマスクアライメント装置 |
JP2006278648A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Nsk Ltd | 両面露光方法 |
JP5117672B2 (ja) | 2005-10-25 | 2013-01-16 | サンエー技研株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
JP4921789B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2012-04-25 | サンエー技研株式会社 | 露光方法および露光装置 |
TW200746259A (en) * | 2006-04-27 | 2007-12-16 | Nikon Corp | Measuring and/or inspecting method, measuring and/or inspecting apparatus, exposure method, device manufacturing method, and device manufacturing apparatus |
JP2009194147A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | ウエハ露光装置及びウエハ露光方法 |
JP2010182997A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Seiko Instruments Inc | ウエハ露光装置及びウエハ露光方法 |
JP5365365B2 (ja) * | 2009-06-23 | 2013-12-11 | 豊和工業株式会社 | 内層基板用露光装置及び基板とマスクの剥離方法 |
JP5609513B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2014-10-22 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
-
2013
- 2013-07-03 JP JP2013140039A patent/JP6200224B2/ja active Active
- 2013-07-16 CN CN201310299004.XA patent/CN103676495B/zh active Active
- 2013-07-25 TW TW102126610A patent/TWI591444B/zh active
- 2013-08-30 US US14/015,279 patent/US9170483B2/en active Active
-
2014
- 2014-11-10 US US14/536,978 patent/US9274415B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140072904A1 (en) | 2014-03-13 |
CN103676495B (zh) | 2017-06-23 |
US20150062550A1 (en) | 2015-03-05 |
US9274415B2 (en) | 2016-03-01 |
TWI591444B (zh) | 2017-07-11 |
TW201411296A (zh) | 2014-03-16 |
US9170483B2 (en) | 2015-10-27 |
CN103676495A (zh) | 2014-03-26 |
JP2014074888A (ja) | 2014-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6200224B2 (ja) | フォトマスク、フォトマスク組、露光装置および露光方法 | |
JP5605044B2 (ja) | パターン形成装置及びパターン形成方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP2023078199A (ja) | 搬送システム、露光装置、及び搬送方法 | |
JP5344105B1 (ja) | 光配向用偏光光照射装置及び光配向用偏光光照射方法 | |
JP4369504B2 (ja) | レーザ直接描画装置および描画方法 | |
JP4764201B2 (ja) | 基板露光装置および基板露光方法 | |
KR102333949B1 (ko) | 묘화 장치 | |
TW201731009A (zh) | 曝光裝置、曝光方法、平面面板顯示器之製造方法、以及元件製造方法 | |
JP2008292915A (ja) | 露光描画装置 | |
JP5190034B2 (ja) | 露光装置 | |
JP2013247304A (ja) | 基板保持装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP4960266B2 (ja) | 透明基板のエッジ位置検出方法及びエッジ位置検出装置 | |
JP2009265313A (ja) | スキャン露光装置並びにスキャン露光方法 | |
JP2669110B2 (ja) | 露光装置 | |
JP5499398B2 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
WO2020202900A1 (ja) | 露光装置および露光方法 | |
JP2013114153A (ja) | 撮像装置、アライメント装置およびパターン形成装置 | |
WO2023190110A1 (ja) | 搬送装置、露光装置、搬送方法、露光方法、アライメントマーク | |
JP5304017B2 (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2011175026A (ja) | 露光装置、露光方法及び基板の製造方法 | |
JP5831773B2 (ja) | 搬送装置、物体処理装置、搬送方法及び物体処理方法 | |
JP5288104B2 (ja) | スキャン露光装置およびスキャン露光方法 | |
JP2013230480A (ja) | 矩形シートの保持方法及び保持装置 | |
JP2013098329A (ja) | 露光装置 | |
JP2013097155A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160530 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170317 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170808 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170825 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6200224 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |