TW201123996A - Surface processing method - Google Patents

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201123996 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於處理被適用於基板處理裝置之處理室內 之構成構件表面的表面處理方法。 【先前技術】 就以基板處理裝置而言，廣泛所知的有使用電漿而處 理基板之電漿處理裝置。電漿處理裝置具備在內部產生電 漿，並且收容當作被處理基板之晶圓的可減壓處理室（腔 室），在腔室內，配置有：載置晶圓之載置台（承載器） ;以與承載器相向之方式被配置在其上方，將處理氣體導 入至腔室內之噴淋頭（上部電極板）：被配置在承載器之 外周緣部，包圍被處理基板之聚焦環（F/R)等之各種構 件（以下，稱爲「構成構件」）。 聚焦環係將腔室內之電漿之分布區域不僅在晶圓 W 上，擴大至聚焦環上而將晶圓之周緣部上之電漿密度維持 在與晶圓之中央部上之電漿密度相同程度，依此，可以確 保被施予在晶圓之全面的電漿處理之均勻性。 在對晶圓施予電漿處理之腔室內，爲了提高晶圓之良 率，必須排除成爲污染源之微粒產生。因此’以緻密材料 構成腔室內之構成構件爲佳。若使用 CVD ( Chemical Vapor Deposaition)法，因可以生成緻密之構成材料，故 以例如從利用CVD法所生成之構成材料之塊（塊狀材） 切出而予以成型，依此製造出聚焦環爲佳。 -5- 201123996 另外，一般以構成構件之構成材料而言，可舉出矽（ Si)、炭化矽（Sic)等，但是Si不適合CVD法，無法 生成緻密之塊狀材。因此，就以從緻密之塊狀材製造聚焦 環之時之該聚焦環之構成材料而言，適合使用能夠適用 CVD法之SiC。並且，雖然SiC之成型法可舉出燒結法， 但是燒結法難以如CVD法般形成緻密構造之塊狀材，當 在腔室內適用切出以燒結法生成之塊狀材而成型之構成構 件時，則也成爲產生微粒之原因。 因此，近年來，作爲聚焦環等之構成構件之構成材料 ，適合使用 SiC (例如，專利文獻1 )。其成型法適用 CVD法，藉由CVD法所生成之塊狀材，係成爲較藉由燒 結法所生成之塊狀材更緻密，適合作爲抑制微粒產生的構 成構件之構成材料。 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2005-064460號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 但是，自藉由CVD法所生成之SiC之塊狀材被切出 ，例如在聚焦環之表面，由於成型時產生之微裂紋而形成 厚度20 μΐΏ左右之破碎層，該破碎層則成爲腔室內之微粒 產生原因。即是，當將具有破碎層之聚焦環原樣地適用於 -6 - 201123996 電漿處理裝置之腔室內時，至破碎層消失爲止，產生因該 破碎層所引起之微粒，依此有晶圓之良率下降之問題。並 且，因微裂紋所引起之破碎層，係在矽（Si )、石英、氧 化鋁陶瓷等之脆性材料可看見。 在此，硏究各種消除被形成在以聚焦環爲首之電漿處 理裝置之構成構件表面的破碎層之表面處理方法。 但是，即使適用藉由例如氟酸、硝酸等之藥液的濕處 理，因Sic對各種藥液爲安定，故無法適用。再者，使用 硏磨材之機械硏磨，雖然可以適用於聚焦環之背面或側面 等之平面部，但是無法巧妙地適用於階差部之角部等，需 專藉由人工之硏磨作業來除去破碎層則爲現狀，硏磨所需 時間長，有成本高之問題。 本發明之目的係在於提供可以容易消除形成在由碳化 矽（SiC )所構成之各種構成構件之表面的破碎層，尤其 被形成在階差部之破碎層的表面處理方法。 [用以解決課題之手段] 爲了達成上述目的，申請專利範圍第1項所記載之表 面處理方法，其係在表面具有破碎層之由碳化矽所構成之 構件的表面處理方法，其特徵爲：將由上述破碎層所構成 之構件表面改良成緻密層而使上述構件適用於電漿處理裝 置之時從上述構件表面釋放出之粒子數減少。 如申請專利範圍第2項之表面處理方法係在申請專利 範圍第1項所記載之表面處理方法中，加熱上述破碎層而 201123996 使上述構件表面之碳化矽再結晶。 申請專利範圍第3項所記載之表面處理方法，係在申 請專利範圍第2項所記載之表面處理方法中，照射電子束 而加熱上述破碎層，使該破碎層之碳化矽再結晶。 申請專利範圍第4項所記載之表面處理方法，係在申 請專利範圍第2項所記載之表面處理方法中，使用電漿炬 而加熱上述破碎層，使該破碎層之碳化矽再結晶。 申請專利範圍第5項所記載之表面處理方法係在申請 專利範圍第1項所記載之表面處理方法中，在氧電漿中加 熱上述破碎層而使上述構件表面之碳化矽（SiC)予以 Si〇xCy化之後’對該SiOxCy化之構件表面施予氟酸處理 而使溶離。 申請專利範圍第6項所記載之表面處理方法係申請專 利範圍第5項所記載之表面處理方法中，各自多次重複將 上述構件表面之碳化矽（SiC )予以SiOxCy化的處理，和 對上述SiOxCy化之構件表面施予的氟酸處理。 申請專利範圍第7項所記載之表面處理方法係在申請 專利範圍第2項所記載之表面處理方法中，將上述構件收 容在加熱爐，以碳化矽之再結晶溫度施予退火處理。 申請專利範圍第8項所記載之表面處理方法係申請專 利範圍第1至7項中之任一項所記載之表面處理方法中， 上述構件係在內部產生電漿，且具備對被處理基板施予電 漿處理之可減壓的處理室的上述電漿處理裝置之上述處理 室內被使用之構成構件。 -8- 201123996 申請專利範圍第9項所記載之表面處理方法係申請專 利範圍第8項所記載之表面處理方法中，上述構成構件爲 被設置在載置被處理基板之載置台之邊緣部的聚焦環。 [發明效果] 若藉由申請專利範圍第1項所記載之表面處理方法時 ，因將由破碎層所構成之構件表面改良成緻密層，以階差 部之破碎層爲首，可以確實消除形成在構件表面之所有破 碎層。再者，依此，可以減少將構件適用於電漿處理裝置 之時自構件表面釋放出之粒子數。 若藉由申請專利範圍第2項所記載之表面處理方法時 ，因加熱破碎層而使構件表面之碳化矽再結晶，故即使階 差部之破碎層亦可確實消除，依此可以將構件表面改良成 緻密層。 若藉由申請專利範圍第3項所記載之表面處理方法時 ，因照射電子束加熱破碎層而使該破碎層之碳化矽再結晶 ，故即使具有階差部之構件，亦可確實將其表面改良成緻 密層。 若藉由申請專利範圍第4項所記載之表面處理方法時 ，因使用電漿炬加熱破碎層，使該破碎層之碳化矽再結晶 ，故可以消除破碎層而生成緻密層。 若藉由申請專利範圍第5項所記載之表面處理方法時 ，因在氧電漿中加熱破碎層而使構件表面之碳化矽（SiC )予以S i O x C y化之後，對該S i 0 x C y化之構件表面施予氟 201123996 酸處理而使溶離，故可以使構件表面之破 緻密層。 若藉由申請專利範圍第6項所記載之 ，因各自多次重複將構件表面之碳化 Si〇xCy化的處理，和對SiOxCy化之表面 ，故可以確實消除破碎層而將構件表面改 若藉由申請專利範圍第7項所記載之 ，因將構件收容在加熱爐，以碳化矽之再 火處理，故可以使破碎層部分之SiC再結 〇 若藉由申請專利範圍第8項所記載之 ，因構件爲在具備在內部產生電漿，並對 電漿處理之可減壓處理室的電漿處理裝置 用之構成構件，故即使將表面處理後之構 理裝置之腔室內亦可以抑制因破碎層所引 若藉由申請專利範圍第9項所記載之 ，構成構件因係被設置在載置被處理基板 部之聚焦環，故即使將該聚焦環適用於電 室，亦可以抑制微粒之產生。 【實施方式】 以下，針對本發明之實施型態，一面 以詳細說明。 第1圖爲槪略性表示使用適用本實施 碎層消除而形成 表面處理方法時 矽（SiC )予以 施予的氟酸處理 良成緻密層。 表面處理方法時 結晶溫度施予退 晶而生成緻密層 表面處理方法時 被處理基板施予 之處理室內被使 件適用於電漿處 起之微粒。 表面處理方法時 之載置台之周緣 漿處理裝置之腔 參照圖面一面予 型態所涉及之表 -10- 201123996 面處理方法之各種構成構件的電漿處理裝置之構成的剖面 圖。該電漿處理裝置係對當作基板之半導體裝置用之晶圓 (以下單稱爲「晶圓」）施予電漿蝕刻處理。 在第1圖中，電漿處理裝置1 0具有收容晶圓W之腔 室11，在腔室丨1內配置有載置晶圓w之圓柱狀的承載器 12。在該電漿處理裝置1〇中藉由腔室11之內側壁和承載 器1 2之側面，形成側方排氣路1 3。在側方排氣路1 3之 途中，配置排氣板14。 排氣板14爲具有多數貫通孔之板狀構件，當作將腔 室1 1內部分隔成上部和下部之分隔板而發揮功能。在藉 由排氣板1 4而分隔之腔室1 1內部之上部（以下稱爲「處 理室」）1 5如後述般產生電漿。再者，在腔室1 1內部之 下部（以下，稱爲「排氣室（歧管）」）1 6連接排出腔 室1 1內之氣體的排氣管1 7。排氣板1 4捕捉或反射產生 於處理室1 5之電漿而防止朝歧管1 6洩漏。 排氣管 17 連接 TMP ( Turbo Molecular Pump)及 DP (Dry pump )(任一者皆無圖示），該些泵將腔室！丨內 予以抽真空而減壓至特定壓力。並且，腔室11內之壓力 藉由APC閥（無圖示）而被控制。 腔室1 1內之承載器12係經第1整合器1 9連接第1 高頻電源1 8，並且經第2整合器2 1連接第2高頻電源2 0 ’第1高頻電源1 8係將比較低之頻率，例如2MHz之偏 壓用之高頻電力供給至承載器1 2，第2高頻電源20係將 比較高之頻率，例如60MHz之電漿生成用之高頻電力供 -11 - 201123996 給至承載器12»依此，承載器12係當作電極而發揮功能 。再者，第1整合器19及第2整合器21係降低來自承載 器12之高頻電力之反射，使高頻電力對承載器12的供給 效率成爲最大。 在承載器12之上部設置有在內部具有靜電電極板22 之靜電吸盤23。靜電吸盤23具有階差，且由陶瓷所構成 〇 在靜電電極板22連接有直流電源24，當對靜電極板 22施加正的直流電壓時，則在晶圓W中之靜電吸盤23側 之面（以下，稱爲「背面」）產生負電位，在靜電電極板 22及晶圓W之背面之間產生電位差，因該電位差引起之 庫倫力或強生拉別克（Johnsen-Rahbek)力，晶圓W被吸 附保持於靜電吸盤2 3。 再者，在靜電夾具23，以包圍被吸附保持之晶圓 W 之方式，聚焦環25被載置於靜電吸盤23之階差中之水平 部。聚焦環25係藉由碳化矽（SiC)所構成。 在承載器12之內部設置有例如延伸於圓周方向之環 狀冷媒室26。在該冷煤室26自冷卻單元（省略圖示）經 冷煤用配管2 7循環供給低溫之冷媒例如冷卻水或油脂（ Galden :日本註冊商標）。藉由冷媒而被冷卻之承載器 1 2，經靜電吸盤23冷卻晶圓W及聚焦環25。 在靜電吸盤23中吸附保持晶圓W之部分（以下’稱 爲「吸附面」），開口有多數傳熱氣體供給孔28。傳熱 氣體供給孔2 8經傳熱氣體供給管線29而連接於傳熱氣體 -12- 201123996 供給部（省略圖示），該傳熱氣體供給部經傳熱氣體供給 孔2 8將當作傳熱氣體之氦（He )氣供給至吸附面及晶圓 W之背面之間隙。被供給至吸附面及晶圓W之背面之間 隙的氦氣係有效果地將晶圓W之熱傳達至靜電吸盤2 3。 在腔室11之頂棚部以與承載器12對向之方式配置有 噴淋頭30。噴淋頭30具有上部電極31、可裝卸垂釣支撐 該上部電極3 1之冷卻板3 2，和覆蓋該冷卻板3 2之蓋體 33。上部電極板31係由具有貫通於厚度方向之多數氣孔 34之圓板狀構件所構成，藉由屬於半導體之碳化矽所構 成。再者，在該冷卻板3 2之內部設置緩衝室3 5，在該緩 衝室35連接有氣體導入管36。 再者，在噴淋頭3 0之上部電極3 1連接有直流電源 3 7，對上部電極板3 1施加負的直流電壓。此時，上部電 極板3 1係釋放二次電子而防止在處理室1 5內部中之晶圓 W上，電子密度下降之情形。被釋放出之二次電子係從晶 圓W流向在側方排氣路1 3被設置成包圍承載器1 2之側 面之半導電體，即爲藉由碳化矽或矽所構成之接地電極（ 接地環）3 8。 在電漿處理裝置1 〇中，自處理氣體導入管3 6供給至 緩衝室3 5之處理氣體經氣孔3 4而被導入至處理室15內 部，該被導入之處理氣體係依據自第2高頻電源20經承 載器1 2被施加於處理室1 5內部之電漿生成用之高頻電力 被激勵而成爲電漿。該電漿中之離子係第1高頻電源18 藉由施加於承載器1 2之偏壓用之高頻電力而朝向載置晶 -13- 201123996 圓W引入，對該晶圓W施予電漿蝕刻處理 上述電漿處理裝置10之各構成構件ί 處理裝置10具有之控制部（省略圖式）之 於電漿蝕刻處理之程式而予以控制。 第2圖爲表示第1圖中之聚焦環的放大 Α)爲俯視圖，弟2圖（Β)爲第2圖、t II-II之剖面圖。 在第2圖（A)及（B)中，聚焦環25 部具有階差2 5 a之環狀構件而構成，如上迸 矽之單體而構成。階差2 5 a係對應於晶圓 形成。. 如此之聚焦環25係如上述般，因從利， 成之SiC之塊狀材切出而成型，故在其表面 所引起之破碎層，尤其即使藉由硏磨處理也 之階差25a附近之破碎層，成爲微粒產生之 第3圖爲表示形成在第2圖中之聚焦環 部的破碎層之剖面圖。 在第3圖中，聚焦環25之上面25d及 側面25g、25f可機械性硏磨。對此，階差 25b及角部25c無法適用機械硏磨，專門藉 本發明者針對用以消除在聚焦環之製造 破碎層之表面處理方法，精心硏究結果，藉 表面而使SiC再結晶，或於施予特定之前處 藥液處理，可以消除破碎層，依此找出可以 動作，係電漿 CPU因應對應 圖，第2圖（ ^ )中之沿者線 係藉由在內周 :般，藉由碳化 W之外周部而 毛CVD法所生 形成因微裂紋 無法完全消除 原因。 :之表面之階差 下面2 5 e以及 25a之水平部 由人工硏磨。 過程中產生之 由加熱聚焦環 理之後，施予 迴避因聚焦環 -14 - 201123996 之破碎層所引起之微粒產生，而完成本發明。 第4圖爲表示適用於本發明之第1實施型態之電子 照射裝置之槪略構成圖。 在第4圖中，該電子束照射裝置4 0主要係由沿著 子束照射方向而配列，具有陰極42及陽極43之電子 4 1，和配置在該電子槍4 1之前端部附近之聚焦線圈44 構成。 電子槍4 1之陰極42係由例如燈絲所構成，加熱燈 使熱電子產生。產生之熱電子係藉由對陰極42和陽極 施加例如60kV〜150kV之電壓被加速而成爲電子束45。 子束4 5係藉由聚焦線圈44而被收歛，被照射至載置於 置台46之被加熱體47。 使用如此之電子束照射裝置40，在載置台46載置 焦環25，並對該聚焦環25表面之破碎層25h照射電子 ，而將破碎層25h加熱成例如1 l〇〇°C〜1 3 00°C。此時被 熱之破碎層2 5 h之S i C再結晶而成爲緻密層。 若藉由本實施型態時，藉由對聚焦環25之破碎 2 5h照射電子束而加熱至再結晶溫度，則可以將破碎 2 5h改良成緻密層。因此，即使藉由機械或人工而硏磨 聚焦環2 5之表面之破碎層2 5 h ’尤其難硏磨之階差部 之破碎層2 5 h，亦可以容易改良成緻密層，依此於將聚 環2 5適用於電漿處理裝置之腔室內之時，可以防止產 破碎層25h所引起之微粒。 第5圖爲表示適用於本發明之第2實施型態之電漿 束 電 槍 而 絲 4 3 電 載 聚 束 加 層 層 之 分 隹 / t \Λ 生 炬 -15- 201123996 之槪略構成圖。在第5圖中，該電漿炬50主要係由噴嘴 本體5 1 '沿著電漿噴射引擎5 8之照射方向而設置在該噴 嘴本體51之略中央之陰極52、以包圍陰極52之方式設 置在其外周部之陽極53所構成。陰極52係由例如鎢所構 成，陽極53係由例如銅所構成。陰極52及陽極53具有 例如連通之套筒構造，電漿炬50係藉由流入套筒構造內 之冷卻水5 4而被冷卻。 在噴嘴本體51設置有電漿生成用之作動氣體導入管 55。再者，在噴嘴本體51設置有當作電漿原料之粉末材 料之導入管56，粉末材料係朝向噴嘴本體51之電漿噴射 引擎58之出口附近被導入。 作爲電漿生成氣體，可使用例如氦（He )氣。He氣 係經作動氣體導入管5 5而朝向陰極5 2被供給。He氣因 激勵、離子化能量大、質量數小，故產生的氦電漿可以使 適合當作粉末材料使用之所有元素激勵、離子化。就以粉· 末材料而言，適合使用例如陶瓷、金屬陶瓷、金屬等。 在電漿炬50中，朝向陰極52被導入之He氣，係藉 由形成在陰極52和陽極53之間之直流電弧放電被激勵而 成爲電發。產生之氦電獎係邊激勵經粉末材料之導人管 56被導入之電漿原料而離子化，邊作爲電漿噴射引_ 58 而朝向被處理體5 7照射，在被處理體5 7表面形成溶射覆 膜59。 當使用如此構成之電漿炬5 0，不供給粉末材料，對 聚焦環25表面之破碎層25h僅照射氦氣時，破碎層25h -16- 201123996 則被加熱成例如π 〇 〇 °C〜1 3 0 0 °c，該部分之S i C再結晶 成爲緻密層。 若藉由本實施型態時，可以使用電漿炬5 0加熱聚 環25表面之破碎層25h，使其再結晶。因此，聚焦環 之表面之破碎層25h消除，可以改良成緻密層。 在本實施型態中，將電漿炬5 0固定在特定位置， 使聚焦環25旋轉，依此可以施予電漿處理，使聚焦環 之破碎層25h依序通過電漿炬50之電漿照射位置。再 ，即使固定聚焦環2 5，使電漿炬5 0之電漿照射位置依 沿著聚焦環25表面之破碎層25h移動亦可。 在本實施型態中，亦可以導入作爲電漿生成用之粉 材料的SiC，並將SiC予以電漿化，使電漿化之SiC接 於聚焦環25之表面而在該表面形成不會使聚焦環25之 寸變化之程度的新SiC薄膜。依此，可以在聚焦環25 表面形成緻密的緻密層。 接著，針對本發明之第3實施型態予以說明。本實 型態係可以使用與第2實施型態相同之電漿炬而予以實 〇 在第5圖之電漿炬50中，對聚焦環25之表面之破 層2 5h照射使用當作作動氣體之〇2氣體的氧電漿。照 氧電漿之聚焦環25表面之破碎層25h係在氧電漿中被 熱，藉由氧自由基氧化該部分之SiC而改良成Si〇xC; 之後，對所生成之SiOxCy施予氟酸處理而溶離，依此 聚焦環2 5之表面成爲緻密層。 而 隹 /\\\ 25 並 25 者 序 末 觸 尺 之 施 施 碎 射 加 〇 使 -17- 201123996 若藉由本實施型態時，因將氧電漿照射至由對氟酸或 硝酸呈安定之SiC所構成之聚焦環25，依此將聚焦環25 之表面改良成可溶於酸之Si OxCy，之後，施予藥液處理 使SiOxCy溶離，故即使難以硏磨處理之階差部之破碎層 25h，亦可容易消除，可以將聚焦環25之表面改良成緻密 層。 在本實施型態中，以多次重複依據氧電漿之SiC之氧 化處理，和藉由氟酸溶離將藉由該氧化處理所取得之 Si oxcy層予以溶離之藥液處理爲佳。在第一次之處理中， 難以將破碎層25h之所有SiC完全氧化、溶離，可以藉由 多數例如兩次〜1 〇次重複，將由破碎層25h所構成之表面 完全改良成緻密層。 以下，針對本發明之第4實施型態所涉及之表面處理 方法予以說明。本實施型態係以特定溫度加熱聚焦環而施 予退火處理。 第6圖爲表示適用於本發明之第4實施型態之退火處 理裝置之槪略構成的剖面圖。 在第6圖中，該退火處理裝置60具有處理室容器61 、設置在該處理室容器61內之載置台62、和內藏於該載 置台62之加熱器63。載置台62係載置當作被處理體之 聚焦環25，聚焦環25係藉由加熱器63而被加熱成特定 溫度。處理室容器61具備用以形成退火環境之氣體導入 機構64及將處理室容器61內調整成特定壓力之減壓機構 65。再者，在處理室容器61於其側壁設置有將被處理體 -18- 201123996 予以搬入及搬出用之閘閥66。 在如此構成之退火處理裝置6 0中，本實施型態所涉 及之表面處理方法係如下述般被實行。 第7圖爲表示本發明之實施型態所涉及之表面處理方 法中之表面處理的流程圖。在第7圖中，於對聚焦環25 施予表面處理之時，首先，將具有破碎層之聚焦環（F/R )2 5經閘閥6 6藉由省略圖示之搬運裝置搬入至處理室容 器61內，而載置在載置台62上（步驟S1)。 接著，關閉閘閥66，從氣體導入機構64導入退火用 之氣體，例如N2氣體，同時藉由減壓機構65減壓處理容 器61內，並以>^2氣體置換處理室內氣體（步驟S2)。 接著，使加熱器63動作，以1100°C~ 1 300°C加熱聚焦環 2 5 —個小時（步驟S 3 )。此時，聚焦環2 5之表面再結晶 而改良成緻密層，破碎層2 5 h消除。 破碎層消除後，停止藉由加熱器63之加熱，並降低 聚焦環25之溫度（步驟S4 )。於結束降低聚焦環25之 溫度後，從處理室容器6 1搬出聚焦環2 5而結束退火處理 〇 若藉由本實施型態時，可以使形成在聚焦環25全表 面之破碎層2 5 h部份之S i C再結晶而改良成緻密層。此時 ，即使在聚焦環25具有階差25a，階差25a之部分之SiC ，與階差25a以外之表面之SiC相同再結晶而成爲緻密層 ，故可以使所有破碎層一律消除。因此，即使在電漿處理 裝置10之腔室11內使用退火處理後之聚焦環25，亦可 -19- 201123996 以迴避因破碎層25h所引起之微粒產生。 若藉由本實施型態時，表面粗度被改良成與於機械硏 磨之時相同程度或其以上，於不施予第7圖之表面處理之 時，每單位面積產生220 1個之0.1 2μιη以上之微粒，於施 予第7圖之表面處理之時，則減少至18個。 在本實施型態中，聚焦環之加熱溫度係以1 100〜13 00 °C爲佳。若藉由該溫度，可以邊保持聚焦環25之型態， 邊使表面之破碎層25h再結晶而改良成緻密層。此時之處 理容器 61內之壓力爲例如 1.3Pa(10mTorr)〜1.3Pax 103Pa ( lOTorr )，加熱時間爲例如0.5〜3小時。 接著，針對本發明之第5實施型態予以說明。 本實施型態係從藉由CVD法所生成之SiC塊狀材切 出之電漿處理裝置之構成構件，例如用以使於硏削工程時 形成在聚焦環25表面之破碎層消除之表面處理方法，適 用熱CVD處理。即是，藉由對從SiC之塊狀材切出之聚 焦環25之表面，使用含SiC之原料氣體而施予熱CVD處 理’使破碎層2 5 h加熱至S i C之再結晶溫度而成爲緻密層 ，並且在該緻密層上形成由SiC所構成之新的CVD膜。 若藉由本實施型態，則與上述各實施型態相同，可以 使聚焦環25之表面之破碎層消除，形成緻密層，並且使 構件表面更加美觀。 在本實施形態中，新的CVD膜之膜厚係在不使聚焦 環2 5之尺寸變化的程度，例如以1 〇 μ m以下爲佳。 在上述各實施形態中，當作實施表面處理方法之構件 -20- 201123996 ，雖然使用聚焦環2 5，但是處理對象構件並不限定於聚 焦環2 5，以在第8圖所示之電漿處理裝置之腔室內所適 用之上部電極板爲首，可以適用於由SiC所構成之構成構 件全體。 第8圖爲表示上部電極板之構成圖，第8圖（A)爲 其俯視圖，第8圖（B )爲沿著第8圖（A )之線VIII-VIII之剖面圖。 在第8圖中，上部電極板31具有在厚度方向貫通之 多數氣體孔34，並且與聚焦環25相同，爲自SiC之塊狀 材切出而成型者。因此，有在側面3 1 a、下面3 1 b、上面 3 1 c及氣體孔內側面3 1 d形成因微裂紋而引起之破碎層 3 1 e，而成爲微粒產生原因之情形。 因此，即使對於上部電極3 1，也施予與聚焦環25相 同之表面處理爲佳，依此可以將由破碎層3 1 e所構成之表 面改良成緻密層，而消除微粒之產生原因。尤其，上部電 極板31之氣體孔34周邊部雖然難以硏磨處理，但藉由本 發明之表面處理方法，可以容易將由破碎層3 1 e所構成之 上部電極板3 1之表面改良成緻密層。 【圖式簡單說明】 第1圖爲槪略性表示使用適用本實施型態所涉及之表 面處理方法之各種構成構件的電漿處理裝置之構成的剖面 圖。 第2圖爲表示第1圖中之聚焦環的放大圖，第2圖（ -21 - 201123996 A )爲俯視圖，第2圖（B )爲第2圖（A )中之沿著線 Π-Π之剖面圖。 第3圖爲表示形成在第2圖中之聚焦環之表面之階差 部的破碎層之剖面圖。 第4圖爲表示適用於本發明之第1實施型態之電子束 照射裝置之槪略構成圖。 第5圖爲表示適用於本發明之第2實施型態之電漿炬 之槪略構成圖。 第6圖爲表示適用於本發明之第4實施型態之退火處 理裝置之槪略構成的.剖面圖。 第7圖爲表示本發明之實施型態所涉及之表面處理方 法中之表面處理的流程圖。 第8圖爲表示上部電極板之構成圖，第8圖（A)爲 其俯視圖，第8圖（B )爲沿著第8圖（A )之線VIII-VIII之剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 :電漿處理裝置 2 5 :聚焦環 3 1 :上部電極 40:電子束產生裝置 50 :電漿炬 60 :退火處理裝置 22-

Claims (1)

1. 201123996 七、申請專利範圍： 1. 一種表面處理方法，其係在表面具有破碎層之由碳 化矽所構成之構件的表面處理方法，其特徵爲： 將由上述破碎層所構成之構件表面改良成緻密層而使 上述構件適用於電漿處理裝置之時從上述構件表面釋放出 之粒子數減少。 2 .如申請專利範圍第1項所記載之表面處理方法，其 中 加熱上述破碎層而使上述構件表面之碳化矽再結晶。 3 .如申請專利範圍第2項所記載之表面處理方法，其 中 照射電子束而加熱上述破碎層，使該破碎層之碳化矽 再結晶。 4 ·如申請專利範圍第2項所記載之表面處理方法，其 中 使用電漿炬而加熱上述破碎層，使該破碎層之碳化矽 再結晶。 5 _如申請專利範圍第1項所記載之表面處理方法，其 中 在氧電漿中加熱上述破碎層而使上述構件表面之碳化 矽（SiC)予以SiOxCy化之後，對該SiOxCy化之構件表面 施予氟酸處理而使溶離。 6_如申請專利範圍第5項所記載之表面處理方法，其 中 -23- 201123996 各自多次重複將上述構件表面之碳化矽（Sic )予以 SiOxCy化的處理，和對上述Si0xcy化之構件表面施予的 氟酸處理。 7 .如申請專利範圍第2項所記載之表面處理方法，其 中 將上述構件收容在加熱爐，以碳化矽之再結晶溫度施 予退火處理。 8 ·如申請專利範圍第1至7項中之任一項所記載之表 面處理方法，其中 上述構件係在內部產生電漿，且具備對被處理基板施 予電漿處理之可減壓的處理室的上.述電漿處理裝置之上述 處理室內被使用之構成構件。 9 .如申請專利範圍第8項所記載之表面處理方法，其 中 上述構成構件爲被設置在載置被處理基板之載置台之 邊緣部的聚焦環。 -24-