CN101950721B - 表面处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够容易地消除形成在部件表面特别是台阶部的破碎层的表面处理方法。对表面具有破碎层25h的由碳化硅形成的聚焦环25，向表面照射电子束45，或使用等离子体喷枪50加热表面，或将其收容于退火处理装置60进行加热，从而将聚焦环25的表面加热到碳化硅的重结晶温度，例如1100℃～1300℃，使该部分的碳化硅重结晶从而改性为致密层，使当将聚焦环25应用于等离子体处理装置10时的从聚焦环25的表面释放出的粒子数减少。

Description

表面处理方法
技术领域
本发明涉及对适用于基板处理装置的处理室内的构成部件的表面进行处理的表面处理方法。
背景技术
作为基板处理装置，公知有使用等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置。等离子体处理装置具备能够减压的处理室(腔室)，该处理室在内部产生等离子体并收容作为被处理基板的晶片，在腔室内配置有：载置晶片的载置台(基座)；按照与基座相对的方式配置在其上方的、向腔室内导入处理气体的喷淋头(上部电极板)；和配置在基座的外周边部的、包围被处理基板的聚焦环(F/R)等各种部件(以下成为“构成部件”)。
聚焦环使腔室内的等离子体分布区域不只是在晶片上，而是扩大到聚焦环上，将晶片的周边部上的等离子体密度维持在与晶片的中央部上的等离子体密度相同的程度，由此，确保对晶片的整个面实施的等离子体处理的均匀性。
在对晶片实施等离子体处理的腔室内，为提高晶片的成品率，需要消除成为污染源的颗粒的产生。因此，优选用致密的材料构成腔室内的构成部件。因为使用CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法能够生成致密的构成材料，所以例如优选的是，通过从利用CVD法生成的构成材料的块状体(块(bulk)材料)切割并成型来制造聚焦环。
另一方面，一般来说，作为构成部件的构成材料，能够列举硅(Si)、碳化硅(SiC)等，但Si不适应于CVD法，不能够生成致密的块材料。因此，作为由致密的块材料制造聚焦环的情况下的该聚焦环的构成材料，可适当地应用能够适用CVD法的SiC。另外，作为SiC的成型法可列举烧结法，但烧结法难以形成像CVD法那样的致密结构的块材料，若在腔室内应用将通过烧结法生成的块材料切割成型而得到的构成部件，则会导致颗粒的产生。
因此，近年来，作为聚焦环等的构成部件的构成材料，适当地使用SiC(例如专利文献1)。作为其成型法应用CVD法，通过CVD法生成的块材料与通过烧结法生成的块材料相比更为致密，作为抑制颗粒的产生的构成部件的构成材料较为合适。
但是，在从通过CVD法生成的SiC的块材料切割而得到的例如聚焦环的表面，由于成型时产生的微裂缝而形成有厚度20μm左右的破碎层，该破碎层成为腔室内的颗粒的产生原因。即，存在如下问题：若将具有破碎层的聚焦环维持原状应用于等离子体处理装置的腔室内，则该破碎层引起的颗粒会一直产生直到破碎层消失，由此造成晶片的成品率降低的问题。另外，微裂缝导致的破碎层常见于硅(Si)、石英、氧化铝陶瓷等的脆性材料。
因此，对消除在以聚焦环为首的等离子体处理装置的构成部件的表面形成的破碎层的表面处理方法进行了各种研究。
不过，即使应用例如氢氟酸、硝酸等药液进行湿处理，因为SiC相对于各种药液稳定所以并不适用。另外，虽然使用研磨件的机械研磨能够应用于聚焦环的背面或侧面等平面部，但存在如下问题，即，不能够很好地适用于台阶部的角落部等，而目前状况下，需要专门的人手通过研磨作业除去破碎层，研磨所需要的时间较长，成本变高。
本发明的目的在于提供一种表面处理方法，该方法能够容易地消除在由碳化硅(SiC)构成的各种构成部件的表面形成的破碎层，特别是形成在台阶部的破碎层。
专利文献1：日本特开2005-064460号公报
发明内容
为了达到上述目的，本发明的第一方面的表面处理方法是表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法，其特征在于：将由上述破碎层构成的部件表面改性为致密层，使在将上述部件应用于等离子体处理装置时从上述部件表面释放出的粒子数减少。
本发明的第二方面的表面处理方法的特征在于，在第一方面所述的表面处理方法中，加热上述破碎层，使上述部件表面的碳化硅重结晶。
本发明的第三方面的表面处理方法的特征在于，在第二方面所述的表面处理方法中，照射电子束加热上述破碎层，使该破碎层的碳化硅重结晶。
本发明的第四方面的表面处理方法的特征在于，在第二方面所述的表面处理方法中，使用等离子体喷枪加热上述破碎层，使该破碎层的碳化硅重结晶。
本发明的第五方面的表面处理方法的特征在于，在第一方面所述的表面处理方法中，在氧等离子体中加热上述破碎层，使上述部件表面的碳化硅进行SiOxCy化之后，对该进行了SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理使其溶析。
本发明的第六方面的表面处理方法的特征在于，在第五方面所述的表面处理方法中，将使上述部件表面的碳化硅进行SiOxCy化的处理、和对该SiOxCy化的部件表面进行的氢氟酸处理分别反复进行多次。
本发明的第七方面的表面处理方法的特征在于，在第二方面所述的表面处理方法中，将上述部件收容在加热炉中，以碳化硅的重结晶温度进行退火处理。
本发明的第八方面的表面处理方法的特征在于，在第一方面至第七方面所述的表面处理方法中，上述部件是使用在具备处理室的上述等离子体处理装置的上述处理室内的构成部件，其中，上述处理室在内部产生等离子体、对被处理基板实施等离子体处理，而且上述处理室能够减压。
本发明的第九方面的表面处理方法的特征在于，在第八方面所述的表面处理方法中，上述构成部件是在载置被处理基板的载置台的周边部所设置的聚焦环。
根据本发明的第一方面的表面处理方法，对由破碎层构成的部件表面进行改性，所以能够可靠地消除以台阶部的破碎层为首的形成在部件表面的所有的破碎层。另外，由此能够使在将部件应用于等离子体处理装置时从部件表面释放出的粒子数减少。
根据本发明的第二方面的表面处理方法，加热破碎层，使部件表面的碳化硅重结晶，所以即使是台阶部的破碎层也能够可靠地消除，由此能够将部件表面改性为致密层。
根据本发明的第三方面的表面处理方法，照射电子束加热破碎层，使该破碎层的碳化硅重结晶，因此即使是具有台阶部的部件，也能够可靠地将其表面改性为致密层。
根据本发明的第四方面的表面处理方法，使用等离子体喷枪加热破碎层，使该破碎层的碳化硅重结晶，所以能够消除破碎层生成致密层。
根据本发明的第五方面的表面处理方法，在氧等离子体中加热破碎层，使部件表面的碳化硅(SiC)进行SiOxCy化之后，对该已进行了SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理使其溶析，所以能够消除部件表面的破碎层，形成致密层。
根据本发明的第六方面的表面处理方法，将使部件表面的碳化硅(SiC)进行SiOxCy化的处理、和对该已进行了SiOxCy化的部件表面进行的氢氟酸处理分别反复进行多次，所以能够可靠地消除破碎层，将部件表面改性为致密层。
根据本发明的第七方面的表面处理方法，将部件收容在加热炉中，以碳化硅的重结晶温度进行退火处理，所以能够使破碎层部分的SiC重结晶而形成致密层。
根据本发明的第八方面的表面处理方法，部件是使用在具备处理室的等离子体处理装置的处理室内的构成部件，其中，该处理室在内部产生等离子体、对被处理基板实施等离子体处理，而且该处理室能够减压。所以将表面处理后的部件应用于等离子体处理装置的腔室内，能够抑制破碎层造成的颗粒的产生。
根据本发明的第九方面的表面处理方法，构成部件是在载置被处理基板的载置台的周边部所设置的聚焦环，所以将该聚焦环应用于等离子体处理装置的腔室中，也能够抑制颗粒的产生。
附图说明
图1是大致地表示使用适用于本发明的实施方式的表面处理方法的各种构成部件的等离子体处理装置的结构的截面图。
图2是表示图1的聚焦环的放大图，图2(A)是俯视图，图2(B)是沿着图2(A)的线II-II的截面图。
图3是表示形成在图2的聚焦环的表面的台阶部的破碎层的截面图。
图4是表示适用于本发明的第一实施方式的电子束照射装置的大致结构的图。
图5是表示适用于本发明的第二实施方式的等离子体喷枪的大致结构的图。
图6是表示适用于本发明的第四实施方式的退火处理装置的大致结构的截面图。
图7是表示本发明的实施方式的表面处理方法中的表面处理的流程图。
图8是表示上部电极的结构的图，图8(A)是俯视图，图8(B)是沿着图8(A)的线VIII-VIII的截面图。
符号说明
10、等离子体处理装置
25、聚焦环
31、上部电极
40、电子束产生装置
50、等离子体喷枪
60、退火处理装置
具体实施方式
以下参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。
图1是大致地表示使用适用于本发明的实施方式的表面处理方法的各种构成部件的等离子体处理装置的结构的截面图。该等离子体处理装置对作为基板的半导体器件用的晶片(以下简称为“晶片”)实施等离子体蚀刻处理。
在图1中，等离子体处理装置10具有收容晶片W的腔室11，在腔室11内配置有载置晶片W的圆柱状的基座12。在该等离子体处理装置10中，由腔室11的内侧壁和基座12的侧面形成侧方排气通路13。侧方排气通路13的途中配置有排气板14。
排气板14是具有大量贯通孔的板状部件，作为将腔室11的内部分隔为上部和下部的分隔板发挥功能。在由排气板14分隔的腔室11的内部的上部(以下称为“处理室”)15，如后文所述产生等离子体。另外，在腔室11内部的下部(以下称为“排气室(manifold：歧管)”)16与排出腔室11内的气体的排气管17连接。排气板14捕捉或反射处理室15中产生的等离子体，防止向歧管16泄漏。
排气管17与TMP(Turbo Molecular Pump：涡轮分子泵)和DP(Dry Pump：干式真空泵)(均省略图示)连接，这些泵对腔室11内抽真空，减压至规定的压力。另外，腔室11内的压力由APC阀门(省略图示)控制。
在腔室11内的基座12，经由第一匹配器19连接有第一高频电源18，并且经由第二匹配器21连接有第二高频电源20，第一高频电源18向基座12施加相对较低的频率例如2MHz的偏置用的高频电力，第二高频电源20向基座12施加相对较高的频率例如60MHz的等离子体生成用的高频电力。由此，基座12作为电极发挥功能。另外，第一匹配器19和第二匹配器21降低来自基座12的高频电力的反射，以使高频电力向基座12的施加效率最大。
在基座12的上部，配置有内部具有静电电极板22的静电卡盘23。静电卡盘23具有台阶，由陶瓷形成。
静电电极板22与直流电源24连接，当正的直流电压被施加在静电电极板22时，在晶片W的静电卡盘23侧的面(以下称为“背面”)产生负电位，在静电电极板22与晶片W的背面之间产生电位差，通过该电位差引起的库仑力或约翰逊·拉别克(Johnson-Rahbeck)力，晶片W被吸附保持在静电卡盘23。
另外，在静电卡盘23，按照将所吸附保持的晶片W包围的方式，聚焦环25被载置在静电卡盘23的台阶的水平部。聚焦环25由碳化硅(SiC)形成。
在基座12的内部，设置有例如在圆周方向上延伸的环状的致冷剂室26。低温的致冷剂例如冷却水或GALDEN(注册商标)被从致冷设备(chilling unit)经由致冷剂用配管27向致冷剂室26循环供给。被致冷剂冷却的基座12经由静电卡盘23冷却晶片W和聚焦环25。
在静电卡盘23的吸附保持有晶片W的部分(以下称为“吸附面”)，开口有多个传热气体供给孔28。传热气体供给孔28经由传热气体供给管29与传热气体供给部(省略图示)连接，传热气体供给部将作为传热气体的He(氦)气体经由传热气体供给孔28供给到吸附面与晶片W的背面的间隙中。供给到吸附面与晶片W的背面的间隙中的He气体，有效地将晶片W的热传递到静电卡盘23。
在腔室11的顶部，按照与基座12相对应的方式配置有喷淋头30。喷淋头30具有：上部电极板31、将该上部电极板31可装卸地悬挂的冷却板32、和覆盖冷却板32的盖体33。上部电极板31由具有在厚度方向上贯通的多个气体孔34的圆板状部件构成，由作为半导体的碳化硅形成。另外，在冷却板32的内部设置有缓冲室35，缓冲室35与气体导入管36连接。
另外，在喷淋头30的上部电极板31连接有直流电源37，向上部电极板31施加负的直流电压。这时，上部电极板31释放出二次电子，防止处理室15内部的晶片W上的电子密度降低。释放出的二次电子从晶片W上流向接地电极(ground ring：接地环)38，该接地电极按照在侧方排气通路13中包围基座12的侧面的方式设置，由作为半导体的碳化硅或硅形成。
在等离子体处理装置10中，从处理气体导入管36向缓冲室35供给的处理气体经由气体孔34向处理室15内部导入，通过从第二高频电源20经由基座12向处理室15内部施加的等离子体生成用的高频电力，激发被导入的处理气体而形成等离子体。通过第一高频电源18对基座12施加的偏置用的高频电力，等离子体中的离子被向晶片W吸引，实施晶片W的等离子体蚀刻处理。
上述等离子体处理装置10的各构成部件的动作，由等离子体处理装置10所具备的控制部(省略图示)的CPU按照与等离子体蚀刻处理相对应的程序进行控制。
图2是表示图1的聚焦环的放大图，图2(A)是俯视图，图2(B)是沿着图2(A)的线II-II的截面图。
在图2(A)和(B)中，聚焦环25由在内周部具有台阶25a的环状部件构成，如上所述，由碳化硅单体形成。台阶25a与晶片W的外周部对应而形成。
如上所述，这样的聚焦环25是从由CVD法生成的SiC的块材料切割而成型的，所以其表面形成有由微裂缝造成的破碎层，特别是通过研磨处理也不能完全消除的台阶25a附近的破碎层，成为颗粒的产生原因。
图3是表示在图2的聚焦环的表面的台阶部形成的破碎层的截面图。
在图3中，聚焦环25的上表面25d和下表面25e以及侧面25g、25f能够机械研磨。而相对的，台阶25a的水平部25b和角落部25c不能够适用机械研磨，需要专门的人工技能来研磨。
本发明者对用于消除在聚焦环的制造过程中产生的破碎层的表面处理方法进行了深入研究，结果发现，通过加热聚焦环的表面使SiC重结晶，或在实施规定的前处理后实施药液处理，能够消除破碎层，由此能够避免聚焦环的破碎层造成的颗粒的产生，完成本发明。
图4是表示适用于本发明的第一实施方式的电子束照射装置的大致结构的图。
在图4中，该电子束照射装置40主要包括：具有沿着电子束照射方向排列的阴极42和阳极43的电子枪41、配置在该电子枪41的前端部附近的聚焦线圈44。
电子枪41的阴极42例如由灯丝(filament)构成，加热灯丝产生热电子。通过对阴极42和阳极43施加例如60kV～150kV的电压，将产生的热电子加速而形成电子束45。电子束45被聚焦线圈44聚束，照射到载置于载置台46的被加热体47。
使用这样的电子束照射装置40，在载置台46载置聚焦环25，对该聚焦环25的表面的破碎层25h照射电子束，将破碎层25h加热到例如1100℃～1300℃。这时，被加热的破碎层25h的SiC发生重结晶，成为致密层。
根据本实施方式，通过对聚焦环25的破碎层25h照射电子束加热至重结晶温度，能够将破碎层25h改性为致密层。因此，即使是由机械或人力研磨的聚焦环25的表面的破碎层25h、特别是难以研磨的台阶部分的破碎层25h也能够容易地改性为致密层，由此能够防止在将聚焦环25应用于等离子体处理装置的腔室内的情况下破碎层25h造成的颗粒的产生。
图5是表示适用于本发明的第二实施方式的等离子体喷枪(torch)的大致结构的图。在图5中，该等离子体喷枪50主要包括：喷嘴主体51、在该喷嘴主体51的大致中央沿着等离子体喷流58的照射方向设置的阴极52、按照包围阴极52的方式设置在其外周部的阳极53。阴极52例如由钨形成，阳极53例如由铜形成。阴极52和阳极53具有例如连通的外套(jacket)结构，等离子体喷枪50通过在外套结构内流动的冷却水54冷却。
在喷嘴主体51，设置有等离子体生成用的工作气体导入管55。另外，在喷嘴主体51，设置有作为等离子体原料的粉末材料的导入管56，粉末材料被向喷嘴主体51的等离子体喷流58的出口附近导入。
作为等离子体生成气体，使用例如氦(He)气体。He气体经由工作气体导入管55向阴极52供给。因为He气体的激发、离子化能量较大，而质量数较小，所以产生的氦等离子体能够激发作为粉末材料应用的所有元素使其离子化。作为粉末材料，能够适当地使用例如陶瓷、金属陶瓷、金属等。
在等离子体喷枪50中，通过在阴极52和阳极53之间形成的直流弧光放电，向阴极52导入的He气体被激发成等离子体。产生的氦等离子体将经由粉末材料的导入管56导入的等离子体原料激发而离子化，同时作为等离子体喷流58朝向被处理体57照射，在被处理体57的表面形成喷镀覆膜59。
使用这样结构的等离子体喷枪50，若不供给粉末材料而仅将氦等离子体向聚焦环25表面的破碎层25h照射，则破碎层25h被加热到例如1100℃～1300℃，该部分的SiC重结晶，成为致密层。
根据本实施方式，能够使用等离子体喷枪50对聚焦环25表面的破碎层25h加热，使其重结晶。于是，能够消除聚焦环25的表面的破碎层25h，改性为致密层。
在本实施方式中，将等离子体喷枪50固定在规定位置，使聚焦环25旋转，由此聚焦环25的破碎层25h依次通过等离子体喷枪50的等离子体照射位置从而能够实施等离子体处理。另外，也可以固定聚焦环25，使等离子体喷枪50的等离子体照射位置沿着聚焦环25表面的破碎层25h依次移动。
在本实施方式中，也能够进行下述过程：导入SiC作为等离子体生成用的粉末，将该SiC等离子体化，使已等离子体化的SiC轰击聚焦环25的表面，在该表面以不使聚焦环25的尺寸发生变化的程度形成新的SiC薄膜。由此能够在聚焦环25的表面形成更为致密的致密层。
接着说明本发明的第三实施方式。本实施方式能够使用与第二实施方式相同的等离子体喷枪进行实施。
在图5的等离子体喷枪50中，对聚焦环25表面的破碎层25h照射使用O2气体作为工作气体的氧等离子体。照射了氧等离子体的聚焦环25表面的破碎层25h在氧等离子体中被加热，该部分的SiC被氧自由基氧化，改性为SiOxCy。之后，对于所生成的SiOxCy实施氢氟酸处理而使其溶析，由此使聚焦环25表面成为致密层。
根据本实施方式，对由相对于氢氟酸和硝酸稳定的SiC形成的聚焦环25照射氧等离子体，从而将聚焦环25的表面改性为可溶于酸的SiOxCy，之后进行药液处理使SiOxCy溶析，所以即使是难以进行研磨处理的台阶部的破碎层25h，也能够容易地消除，能够使聚焦环25的表面改性为致密层。
在本实施方式中，优选的是将利用氧等离子体进行的SiC的氧化处理、和利用氢氟酸使通过该氧化处理得到的SiOxCy层溶析的药液处理反复进行多次。一次处理难以使破碎层25h的全部SiC完全氧化、溶析，而通过反复多次，例如2次～10次，能够使由破碎层25h构成的表面完全改性为致密层。
以下对本发明的第四实施方式的表面处理方法进行说明。本实施方式将聚焦环加热到规定温度并实施退火处理。
图6是表示适用于本发明的第四实施方式的退火处理装置的大致结构的截面图。
在图6中，该退火装置60包括：处理室容器61、设置在该处理室容器61内的载置台62、和内置于该载置台62的加热器63。载置台62载置作为被处理体的聚焦环25，聚焦环25通过加热器63加热到规定温度。处理室容器61具备用于形成退火气氛的气体导入机构64和将处理室容器61内调整为规定压力的减压机构65。另外，在处理室容器61的侧壁，设置有被处理体的搬入和搬出用的闸阀66。
在这样构成的退火处理装置60中，按照下述方式执行本实施方式的表面处理方法。
图7是表示本发明的实施方式的表面处理方法中的表面处理的流程的图。在图7中，在对聚焦环25实施表面处理的情况下，首先，利用省略图示的搬送装置将具有破碎层的聚焦环(F/R)25经由闸阀66搬入处理室容器61内，载置在载置台62上(步骤S1)。
接着，关闭闸阀66，从气体导入机构64导入用于退火的气体，例如N2气体，同时利用减压机构65将处理室容器61内减压，以N2气体置换处理室内气体(步骤S2)。接着，使加热器63动作，将聚焦环25以例如1100℃～1300℃加热1小时(步骤S3)。这时，聚焦环25的表面发生重结晶而改性为致密层，破碎层25h消除。
在破碎层消除后，停止加热器63的加热，使聚焦环25降温(步骤S4)。在聚焦环25的降温结束后，将聚焦环25从处理室容器61搬出，结束退火处理。
根据本实施方式，能够使在聚焦环25的整个表面形成的破碎层25h部分的SiC重结晶，从而改性为致密层。这时，即使在聚焦环25存在台阶25a，也因为台阶25a部分的SiC与台阶25a以外的表面的SiC同样地发生重结晶而成为致密层，所以能够使所有的破碎层一律消除。因此，即使在等离子体处理装置10的腔室11内使用退火处理后的聚焦环25，也能够避免破碎层25h引起的颗粒的产生。
根据本实施方式，表面粗糙度被改善为与机械研磨的情况下相同的程度或其以上，在不实施图7的表面处理的情况下，每单位面积产生2201个0.12μm以上的颗粒，而在实施图7的表面处理的情况下，则减少为18个。
在本实施方式中，聚焦环的加热温度优选为1100～1300℃。若为该温度，则能够在保持聚焦环25的形态的同时使表面的破碎层25h重结晶从而改性为致密层。这时处理室容器61内的压力为例如1.3Pa(10mTorr)～1.3×103Pa(10Torr)，加热时间例如为0.5～3小时。
接着，对本发明的第五实施方式进行说明。
本实施方式是用于消除破碎层的表面处理方法，适用热CVD处理，其中，上述破碎层在研磨工序时形成在等离子体处理装置的构成部件例如聚焦环25的表面，该构成部件从通过CVD法生成的SiC块材料切割而得到。即，在从SiC块材料切割而得到的聚焦环25的表面，使用包含SiC的原料气体实施热CVD处理，由此破碎层25h被加热到SiC的重结晶温度从而成为致密层，并且在该致密层上形成有由SiC构成的新的CVD膜。
根据本实施方式，与上述各实施方式同样地，能够使聚焦环25的表面的破碎层消除而形成致密层，并且能够使部件的表面美观。
在本实施方式中，新的CVD膜的膜厚优选为不使聚焦环25的尺寸变化的程度，例如10μm以下。
在上述各实施方式中，作为表面处理方法被实施的部件使用聚焦环25，但处理对象部件并不限定于聚焦环25，以图8所示的在等离子体处理装置的腔室内应用的上部电极板为首，能够适用于由SiC形成的所有构成部件。
图8是表示上部电极板的结构的图，图8(A)是俯视图，图8(B)是沿着图8(A)的线VIII-VIII的截面图。
在图8中，上部电极板31具有在厚度方向上贯通的多个气体孔34，与聚焦环25相同地从SiC块材料切割成型而得。因此，在侧面31a、下表面31b、上表面31c和气体孔内侧面31d形成有因微裂缝造成的破碎层31e，有可能成为引起颗粒产生的原因。
因此，优选对上部电极板31也实施与聚焦环25相同的表面处理，由此，能够将由破碎层31e构成的表面改性为致密层，消除颗粒的产生原因。特别地，上部电极板31的气体孔34周边部难以实施研磨处理，而通过应用本发明的表面处理方法，能够容易地将由破碎层31e构成的上部电极板31的表面改性为致密层。

Claims (8)

1.一种表面具有破碎层的由碳化硅形成的部件的表面处理方法，其特征在于：
在N2气体的气氛中加热所述破碎层，使由所述破碎层构成的部件表面的碳化硅重结晶，将所述部件表面改性为致密层，使在将所述部件应用于等离子体处理装置时从所述部件表面释放出的粒子数减少。
2.如权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于：
照射电子束加热所述破碎层，使该破碎层的碳化硅重结晶。
3.如权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于：
使用等离子体喷枪加热所述破碎层，使该破碎层的碳化硅重结晶。
4.如权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于：
在氧等离子体中加热所述破碎层，使所述部件表面的碳化硅进行SiOxCy化之后，对该进行了SiOxCy化的部件表面进行氢氟酸处理使其溶析。
5.如权利要求4所述的表面处理方法，其特征在于：
将使所述部件表面的碳化硅进行SiOxCy化的处理、和对该SiOxCy化的部件表面进行的氢氟酸处理分别反复进行多次。
6.如权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于：
将所述部件收容在加热炉中，以碳化硅的重结晶温度进行退火处理。
7.如权利要求1至6中任一项所述的表面处理方法，其特征在于：
所述部件是使用在具备处理室的所述等离子体处理装置的所述处理室内的构成部件，其中，所述处理室在内部产生等离子体、对被处理基板实施等离子体处理，而且所述处理室能够减压。
8.如权利要求7所述的表面处理方法，其特征在于：
所述构成部件是在载置被处理基板的载置台的周边部所设置的聚焦环。
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