TW200834620A - Multilayered ceramic capacitor - Google Patents

Description

200834620 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 二明係關於積層陶宪電容器，特別關於介電質 Ca浪度不同的鈦酸鋇結晶粒子 層陶瓷電容器。 /、而電容的積 【先前技術】 Γ Ο 行動電話等移動式機器的普及、以及個人 二之半導體元件高速、高頻化，此種電子機-二：的’貝層陶竟電容器對於小型、高電容化的要求正:。 到化I: ’構成積層陶瓷電容器的介電質層將渴求達 到溥層化與局積層化。 運 例如專利文獻1 ★恭古· ^ , 己戟有·構成介電質陶瓷的介電質扒 末，係將部份的A site姑Γ &， 瓦^包貝屯 末）、盥去人女r Ca取代的鈦酸鋇粉末（Βα粉 ... 3有Ca的鈦酸鋇粉末（BT粉末）混合使用。_ 由依此將2種介電皙4八古銘人# 精 11.. ,., g4末硬5使用，便可使經燒成後的介 日為由均以鈦酸鋇為主成分，且 以下的結晶粒子、盥Ca嚿谇η」広7 „ . Ζ原子％ 以 辰度0·4原子％以上的結晶粒子之 稷δ粒子所構成，且介電、^ ^ 陶莞電容器。 叾貝層；度涛層化達2㈣的積層 [專利文獻Π日本專利㈣2__15645g號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 之=質HtTf1所揭示之使用由複合粒子所構成 、曰積層陶瓷電容器，在高溫負荷壽命的評估 96145836 5 200834620 中’將有隨高溫放置的時間經過，出 的問題。 出現、'、巴緣電阪逐漸降低 再者，當製造上述積層陶£電容器n 度下’於還原環境中剛完成正燒成後之形成外部電極 電容器本體中，介電質層將被還原而 ,j 阻，屬於介電常數較低者。 用的絕緣電 所以，正燒成後的電容器本體，通常均 f Ο 條件更低溫且高氧濃度的環境中， 車乂正&成 π ^ 衣兄τ 轭仃再氧化處理。 因t該再氧化處理將耗f與燒成步驟相 項、日守間及經費，因而將成為製造成本提高的肇因 所以’本發明之目的在於提供能抑制在高 隨時間變化所造成的絕緣電 、可# -双中 驟中未設置再氧化處理的 步 電係數的積層㈣電容器。η-有—緣性與高介 (解決問題之手段） ^發明的積層陶竟電容器，係將介電質層與内 父錯積層形成，該介電質層 曰 質陶莞係以鈦酸鎖為主成分，且含;；陶：構=介電 選擇自鏑、欽、鈕;3有@ _、鈒及4孟、與 電質陶莞的結晶係由第二^何稀t族兀素。構成上述介 1結晶群传由以;曰曰鮮與弟2結晶群構成；該第 〇 2原子=鈦酸鋇為主成分、且上述_在 上二為 結晶粒子所構成。此時，在上::丄農^ ：* 〇. 4原子%以上的 在構成上述弟1結晶群之結晶粒 96145836 6 200834620 子之表層部中所含上述鎂與上述稀土族元素的各濃度 (ci )，以及構成上述第】結晶群之結晶粒子之中央部所含 上述鎂與上述稀土族元素之各濃度（C2)的比（C2/Cl)，分 別大於在構成上述第2結晶群之結晶粒子之表層部所含 •上述鎂與上述稀土族元素之各濃度（C3)，與構成上述第2 結晶群之結晶粒子之中央部所含上述鎂與上述稀土族元 素之各濃度（C4)的比（C4/C3)。此外，對上述介電質陶瓷 表面施行研磨時的研磨面，係當將構成上述第〗結晶群之 Γ結晶粒+所佔面積設為a，冑構成上述第2#晶群之結晶 粒子所佔面積設為b時，b/(a+b)為〇. 5〜〇. 8。 上述介電質陶瓷可含有锆。 構成上述第1結晶群之結晶粒子與構成上述第2結晶群 之結晶粒子中所含的锆含有量，係相對於鋇的氧化物 (BaO)、鈣的氧化物（Ca〇)及鈦的氧化物（Ti〇2)的合計量 1〇〇莫耳份，依Zr〇2換算計最好含有〇.2〜丨莫耳份。 。#將構成上述第“吉晶群與上述第2結晶群的結晶粒子 平均粒徑設為X，將上述結晶粒子的粒徑標準偏差設h 時，變動係數（χ/σ )xl00(%)最好在4〇%以下。 上述％層陶£電容器中’構成上述第i結晶群之結晶粒 .子的平均結晶粒徑，係大於構成上述第2結晶群之結晶粒 -子的平均結晶粒徑。 構成上述第丨結晶群之結晶粒子的平均結晶粒徑，大於 2 述第2結晶群之結晶粒子的平均結晶粒徑之上述 ^貝陶瓷，农好相對於構成上述鈦酸鋇的鈦1 〇 〇莫耳， 96145836 7 200834620 上述鎂依MgO換算計含有〇. 5〜1莫耳、上述稀土族元素（RE) 依RE2〇3換算計含有0.5〜丨莫耳、上述錳依Mn〇換算計含 有0. 1〜0. 3莫耳、及上述釩依〜〇5換算計含有〇丨〜〇 4 -耳。 ·、 • 上述介電質陶瓷係相對於構成上述鈦酸鋇的鈦1〇〇莫 耳，最好上述鎂依MgO換算計含有〇. 5H莫耳、上述稀土 族，素（RE)依RE"3換算計含有ο』」莫耳、上述錳依此〇 換算計含有0.U.3莫耳、及上述釩依LA換算計含有 (ο.1〜〇.4莫耳，且上述介電質陶瓷進一步含有鍅，該錯含 有量最好相對於上述鋇的氧化物（Ba0)、上述鈣的氧=物 (CaO)及上述鈦的氧化物（Ti〇2)的合計量1〇〇莫耳份，依 Zr〇2換算計含有〇·2〜1莫耳份。 *上述介電質陶瓷最好相對於構成上述鈦酸鋇的鈦1〇〇 莫耳，上述鎂依Mg0換算計含有〇.5〜1莫耳、上述稀土族 凡素«Ε)依RE"3換算計含有0.5」莫耳、上述錳依 G換算計含有0.^.3莫耳、及上述釩依LI換算計含有 L 1〜〇. 4莫耳，且將構成上述第1結晶群與上述第2結晶 群的結：粒子平均粒徑設為χ，將上述結晶粒子的粒； 準偏差設為σ時，變動係數（x/σ )χ100(%)最好在4〇%以 ' 下。 •(發明效果） 根據本發明，使在構成積層陶瓷電容器的介電質層中含 有釩，亚使以鈦酸鋇為主成分且Ca濃度在〇· 2原子％以下 的結晶粒子（以下稱「» 1結晶群之結晶粒子」）、與以鈦 96145836 8 200834620 酸鋇為主成分且Ca濃度達0·4原子％以上的結晶粒子（以 下稱「第2結晶群之結晶粒子」），依既定比例共存。且， 構成第1結晶群之結晶粒子之表層部之鎂與稀土族元素 -之各濃度（C1)、與構成第1結晶群之結晶粒子之中央部所 •含鎂與稀土族元素之各濃度（C2)之比（C2/C1)，分別大於 構成第2結晶群之結晶粒子之表層部之鎂與稀土族元素 之各濃度（C3)、與構成第2結晶群之結晶粒子之中央部所 含鎂與稀土族元素之各濃度（C4)之比（C4/C3)。藉此，第 (1結晶群之結晶粒子將產生核殼結構的變化，而成為立方 晶性較高者。依此的話，藉由使立方晶性較高的第丨結晶 群之結晶粒子，共存於第2結晶群之結晶粒子間，便可獲 付使由第1結晶群之結晶粒子與第2結晶群之結晶粒子構 成的介電質層之絕緣電阻，在正燒成後呈現高絕緣性，且 不需要再氧化處理的步驟，且在高溫負荷試驗中，隨時間 受化所成的絕緣電阻之降低較小之積層陶莞電容哭。 〇 再者，本發明的積層陶瓷電容器中，當介電質陶瓷含有 錯的情況，構成上述第i結晶群之結晶粒子係成為在核殼 結構中立方晶性較高者。此外，在正燒成後將具有更高絕 緣性，且更局介電係數，並可在高溫負荷試驗中，更加減 -輕隨時間變化所造成的絕緣電阻降低情形。 - 再者，將構成第1結晶群之結晶粒子與構成第2結晶群 ，結晶粒子之平均粒徑設為χ，並將標準偏差設為σ時， 1表示擾動的變動係數（χ/σ)χ100(%)在4〇%以下的情況 時，可更加抑制高溫負荷試驗後的積層陶瓷電容器之絕緣 96145836 9 200834620 電阻降低情形。 再者’當構成第1結晶群之結晶粒子的平均結晶粒徑， 於構成弟2結晶群之結晶粒子的平均結晶粒徑時，將可 - 更加減輕高溫負荷試驗後中的積層陶瓷電容器之絕緣電 . 阻降低情形。 私 再者 ^上述介電質層係相對於構成上述欽酸鋇的鈦 100莫耳’鎮依MnO換算計含有0· 5〜1莫耳、稀土族元素 依RE2〇3換算計含有0· 5〜1莫耳 '錳依MnO換算計含有 (〇· 1〜〇.3莫耳、及釩依Vz〇5換算計含有〇. u j莫耳的情 况將了更加減輕尚溫負荷試驗後的積層陶兗電容器之絕 緣電阻之降低情形，且可提高靜電電容。 *當上述介電質陶瓷係相對於構成上述鈦酸鋇的鈦1〇〇 莫耳，上述鎂依Mg0換算計含有0.54莫耳、上述稀土族 兀，（RE)依RE"3換算計含有0.54莫耳、上述錳依心〇 換#计含有〇. 1〜〇· 3莫耳、及上述鈒依V2〇5換算計含有 〇 0.1〜0.4莫耳，且上述介電質陶瓷進一步含有鍅，該錯含 有量係相對於上述鋇的氧化物⑽）、上述舞的氧化物 (CaO)、及上述鈦的氧化物（Ti〇〇之合計量1〇〇莫耳份， 依Zr〇2換异計含有〇· 2〜1莫耳份的棒收 、 兴斗切的N況，將可更加減輕高 '溫負荷試驗後的積層陶莞電容器之絕緣電阻降低情形，且 • 可提高靜電電容。

上述鈦酸鋇的鈦1〇〇 〜1莫耳、上述稀土族 莫耳、上述鐘依MnO 當上述介電質陶瓷係相對於構成 莫耳，上述鎂依Mg〇換算計含有〇已 元素（RE)依RE—換算計含有〇 5 96145836 200834620 換算計含有〇. 1〜3 0.卜0.4莫耳，且，肢耳、及上述釩依V2〇s換算計含有 曰， 、 在將構成上述第1結晶群盥上述镇9处 晶粒子平均粒徑設為χ，將上述結晶粒 = 時、，變動係數（X/a)xlGG(%)在彻以下二 、 加減輕鬲溫負荷試驗後的積層陶瓷電$哭 之絕緣電阻降低情形，且可提高靜電電容。“" 【實施方式】 〈第1實施形態> 針對本發明積層陶奢雷， _ 進行詳細說明。…考圖1所示概略剖視圖 本發明的積層陶瓷雷交哭你々 - 瓦电谷w係如圖1所不，在電容器本體 的二端處形成有外部電極3。外部電極3係例如將Cu、 或fu與Νι的合金糊膏施行燒附而形成。 ^容器本體1係由介電質陶瓷所構成的介電質層5、與 内部電極層7交錯積層而構成。圖1巾，雖將介;質/5 Ο人内P屯極層7的積層狀態單純化表示，但是本發明的積 層陶瓦電容器係可為介電質層5與内部電極層7達數百層 的積層體。 曰 由介電質陶瓷構成的介電質層5係由結晶粒子9與晶界 曰，構成，且，泫結晶粒子g係由構成第1結晶群之結 f曰粒子9a、與構成第2結晶群之結晶粒子牝構成，由該 等結晶粒子9所構成的介電質層5之厚度最好在3#m以 下，尤以2· 5 // m以下為佳，藉此可將積層陶瓷電容器小 型高電容化。另外，若介電質層5的厚度達1//m以上， 96145836 11 200834620 可Πΐ:容的擾動’且可使電容溫度特性安定化。 觀心:最積層㈣^ 取好為鎳（Νι)、銅（Cu)等皁令麗 _ y 到與本發明的介電質> 5 〃 ，扣別係就達 ㈤為佳。 層進仃同時燒成的觀點，尤以鎳 陶ί:Γ=!_容器中，構成介電質層5的介電質 陶尤係由以鈦酸鋇為主成分，且含有 去 Γ

Lj (以下，稀土族元辛传指從锚t 、稀土無兀素 蘇μ-喜、 斜及1乙中選擇的任音 稀土=兀素）、飢及鐘的燒結體構成；該結晶粒子: 構成第1結晶群之結晶粒子9a、盥構 ’、 晶粒子9b所構成。嗜第丨紝曰、 2、、，口晶群之結 群係由以鈦酸鋇為主成分、 Ca浪度在〇.2原子%以下的結晶粒子構 係由同樣地以欽酸銷為主成分、…度達 以上的結晶粒子構成。 咬u. 4原子％ 之ΐ m;結晶群95的ca濃度達°.4原子%以上 之、、，口日日拉子，4寸別以〇.5〜2.5原子％為佳。若以 範圍内’可使Ca對鈦酸鋇的固溶變得充足，且將；:： 因未固溶㈣存於晶界等處的Ca化合物，因而介電常= 的AC電場依存性變大，故可達高介電係數化。另外 1結晶群之結晶粒子9a係所含Ca濃度為跫。 相關結晶粒子9中的Ca濃度，將構成積層陶究電容哭 的介電質層截面施行研磨時，對於在研磨面上所存$ 30個結晶粒子9,使用附設有元素分析機器的穿透式電子 顯微鏡施行元素分析。此時，電子束的束斑尺寸係^ 96145836 12 200834620 5nm，所分析的地方係在結 蚩屮始u 日日拉子9之從晶界附近朝中心 等分析值的平均值。此情二;:=，並求取該 所檢測得之Ba、Ti、Ca、V、M ::曰曰粒子的各測定點 曰、 Mg、稀土族元素及Μη的細 1設為100%，並求取此時的Ca濃度。 、〜 所選擇的結晶粒子9係從苴 ，、輪领利用影像處理求取各 二》面積’並計算出當取代為具相同面積之圓時的直 径、，且設定為所求得的結晶粒子直徑在依後述方法所求得 之平均結晶粒徑±30%範圍内的結晶粒子9。 、另外’結晶粒子9的中心係該結晶粒子9的内接圓中 心，且結晶粒子的晶界附近係指距該結晶粒子9之晶界 5nm内側的區域。|，結晶粒子9的内接圓係將穿透式電 子顯微鏡中所顯示出的影像讀取於電腦中，並在晝面上對 結晶粒子9描繪出内接圓，而決定結晶粒子的中心。 圖2(a)所示係構成本發明積層陶瓷電容器的介電質層 中，相關構成第1結晶群之結晶粒子9a的鎂與釔之濃度 的分佈圖，（b)係構成本發明積層陶瓷電容器的介電質層 中相關構成弟2結晶群之結晶粒子9 b的鎮與紀之濃产 的分佈圖。該例子係針對後述實施例丨中的試料N〇.丨—5 施行評估。另外，圖2(a)、（b)中，〇ηιη係指與晶界間之 邊界的結晶粒子9表層部，橫軸係指自結晶粒子表面距結 晶粒子内的深度。 如圖2(a)、（b)所示，構成第1結晶群之結晶粒子9a 在相較於構成第2結晶群之結晶粒子9 b下，從結晶粒子 96145836 13 200834620 表層部至中央部的鎂與釔之濃度變化較緩和，而構成第$ 結晶群之結晶粒子9b係從結晶粒子表面至中央部的鎂^ 紀之濃度變化較大。 由此，構成第1結晶群之結晶粒子9a在相較於構成# 2結晶群之結晶粒子9b下，鎂與釔將擴散並固 f 粒子内部，且第1結晶群之結晶粒子9a將呈現立方晶 較高的狀態。

然後，本發明中，構成介電質層5的介電質陶瓷係設定 為構成第1結晶群之結晶粒子9a之中央部所含鎮盘稀土 族元素之各濃度、相對於構成第"吉晶群之結晶粒子9a 之表層部中所含鎂與稀土族元素之各濃度比，分別大於構 成第2結晶群之結晶粒子9b之中央部所含鎂與稀土族元 素之各濃度、相對於構成第2結晶群之結晶粒子肋之表 層。卩所含鎮與稀土族元素之各濃度的比。 其理由在於，當構成第1結晶群之結晶粒子之中央部所 含鎮與稀土族it素之各濃度、相對於構成第工結晶群之社 晶粒子之表層部的鎂與稀土族元素之各濃度比，分別等^ 或，於構成第2結晶群之結晶粒子之中央部所含鎮與稀 土族兀素之各濃度，相對於構成第2結晶群之結晶粒子之 ^部的鎂與稀土族元素之各濃度之比時，因為第1結晶 結晶粒子9a的鎂與稀土族元素固溶較少，因而在燒 阳:；1 %貞肖瓦較容易被S原’所以正燒成後的絕緣電 阻車父低。 才對於此’藉由將構成第1結晶群之結晶粒子9a之中 96145836 200834620 央部所含的鎮與稀土族元素之各濃度、相對於構成第1結 晶群之結晶粒子9a之表層部的鎮與稀土族元素之各濃度 之比（C2/C1) ’分別設定為較大於構成第2結晶群之結晶 •粒子9b t中央部所含鎮與稀土族元素之各濃度、相對於 •構成第2結晶群之結晶粒子9b之表層部的鎮與稀土族元 素之各濃度的比，第1結晶群之結晶粒子9a的鎮與稀土 族元素固溶量將變多，藉由使第1結晶群之結晶粒子9a 與第2結晶群之結晶粒子9b共存，可使介電質陶堯的絕 f緣電阻在正燒成後成為絕緣電阻較高，且減輕在高溫負荷 試驗中隨時間變化所造成的絕緣電阻降低情形。 —再者，若構成介電質陶瓷的結晶粒子9，如上述般屬於 第1結晶群之結晶粒+ 9a與第2結晶群之結晶粒子牝共 存的構造，則即使將所獲得積層陶瓷電容器再度施行還原 處理，仍不易被還原，可維持較高的絕緣電阻。 印鎂與稀土 ％ 70素的濃度比測定係使用附設有元素分析 ()MEDS)，的穿透式電子顯微鏡施行測定。此情況，所分析 =料係將積層陶1電容ϋ施行研磨，並在該經研磨的介 包二a 5表面上，分別篩選出依上述濃度測定所判定 的第1結晶群之結晶粒子9a、與第2結晶群之結晶粒子 9b 〇 /所4遥出的各結晶粒子9a、9b，係分別從其輪廊利用 :像處理求取各粒子的面積，並計算出當取代為具相同面 7之圓時的直徑，使各結晶粒子9a、9b成為在依後述測 疋方法所求付之平均結晶粒徑⑽範圍内的結晶粒子，並 96145836 15 200834620 分別筛選出在該範圍内的第1結晶群之結晶粒子9a與第 2結晶群之結晶粒子9 b各10個。 施行元素分析時的電子束束斑尺寸係設為1〜3nm。且， • 所分析的地方係設定為結晶粒子的表層部與中央部。結晶 ， 粒子的表層部係指結晶粒子之截面距晶界3nm以内的區 域，而結晶粒子的中央部係指該結晶粒子截面由内接圓中 心以該内接圓半徑1/3長的圓所包圍的範圍。此情況，結 晶粒子的内接圓係將利用穿透式電子顯微鏡所顯示出的 Γ 影像在電腦晝面上描繪出内接圓，並從該晝面上的影像決 定結晶粒子的中心部。 然後，求取結晶粒子9a之表層部的鎂與稀土族元素之 濃度（CM1、CR1)，且求取結晶粒子9a之中央部的鎂與稀 土族元素之濃度（CM2、CR2)。另外，求取結晶粒子9b之 表層部的鎂與稀土族元素之濃度（CM3、CR3)，且求取結晶 粒子9b之中央部的鎂與稀土族元素之濃度（CM4、CR4)。 從依此所測得各結晶粒子的鎂與稀土族元素之濃度中，分 別求取各結晶粒子9a、9b的表層部與中央部之鎂與稀土 族元素的濃度比（CM2/CM 卜 CR2/CIH、CM4/CM3、CR4/CR3)。 另外，具體上，該項作業係針對各結晶粒子10個實施， 並使用平均值。 • 本案發明中，依成為（CM2/CM1) > (CM4/CM3)、及 (CR2/CR1)> (CR4/CR3)的方式調整該等的濃度比。具體而 言，最好（CM2/CM1)係（CM4/CM3)的1.5〜12倍。此外， (CR2/CR1)最好係（CR4/CR3)的1. 005〜2倍。另外，本發明 96145836 16 200834620 中’ C!係對應於CM1、CR1，C2係對應於cm2、cr2 係對應於CM3、CR3，C4係對應於CM4、。 再者，本發明的積層陶究電容器特徵在於：構成介" 層5的介電質_當觀看介電質陶究表面經研磨：二 f面時’若將第"吉晶群之結晶粒子9a面積設為&，將 弟2結晶群之結晶粒子9b面積設為b時，^ 〇· 5〜0· 8。 馬 •即’當b/⑽）小於0.5、或大於〇 8的情況，在還原 核，中剛施行正燒成後、及施行再氧化處理後，於再度施 行還原處理時，絕緣電阻將有均低於1〇7〇之虞，若二積 比例依b/(a+b)計為〇.5〜0.8，則在還原環境中剛正燒成 後，便可將積層陶瓷電容器的絕緣電阻提高達1〇7〇以 上^且施行再氧化處理後，即使再度施行還原處理，積層 陶瓷電容器的絕緣電阻仍可具有1(ΓΩ以上。 曰 另外，第1結晶群之結晶粒子9a與第2結晶群之結晶 粒子9b的各自面積比例，係使用當求取上述平均結晶粒 徑時所用的面積數據進行計算。此m Ga濃度〇 2 原以下的結晶粒子視為第1結晶群之結晶粒子9a，將

Ca濃度0.4原子％以上的結晶粒子視為第2結 結晶 粒子9b。 2是，此種介電質陶瓷中，重要的是當將構成鈦酸鋇的 鈦設為100莫耳時，鎂依Mg〇換算計含有5莫耳、 稀^無7G素依REz〇3換算計含有〇. 3〜h 5莫耳、錳依Mn0 換异计合有〇 〇7〜〇 4莫耳、釩依換算計含有〇 〇5~〇 5 96145836 17 200834620 莫耳，备佳係當將構成鈦酸鋇的鈦設為1 〇 〇莫耳時，鎂依 MgO換异計含有〇· 54莫耳、稀土族元素依RE2〇3換算計含 有〇· 5〜1莫耳、錳依如〇換算計含有0· 1〜0_ 3莫耳、鈒依 • 〜〇5換异計含有0.1〜0.4莫耳。 •其理由在於，當相對於介電質陶ή所含之構成鈦酸鋇 的鈦100莫耳之下，若釩含有量依〜〇5換算計含有較少於 =05莫耳、或較多於〇 5莫耳的情況，與當相對於介電 、質陶究中所含構成鈦酸鋇的鈦1〇〇莫耳之下，鎮含有: 莫耳、或較多於15莫耳的情況，與相對於介電 貝陶瓷中所含構成鈦酸鋇的鈦1〇〇莫耳之下， ^有置依RE2〇3換算計含有較少於0.3莫耳、或較多於/5 钦：=，以及相對於介電質陶莞令所含構成鈦酸鋇的 草耳1ί :，錳含有量依_換算計含有較少於0.07 、、月况，還原燒成後的絕緣電阻均低於丨07Ω， 當相對於介電質陶兗中所含構成鈦酸鋇的鈦之

L 工，經含有量依_換算計含有較多於〇. 二耳之 介電常數將降低。 、3 h况， 提=層的介電常數與絕緣電阻，並可 時的可靠度 ㈣容’且能提高高溫負荷試驗 再者’結晶粒子9中所含的蘇+ f 一 鋼、鈥、辑、及中的任意稀擇自 明中，紀係涵蓋於稀土族元素中。 另外本發 96145836 18 200834620 再者，在能維持所需介電特性的範圍内，除鈣、釩、鎂、 稀土族元素及錳等成分之外，尚可含有用於提高燒結性之 助劑的玻璃成分。 •。除此之外，第}結晶群之結晶粒子9a的平均結晶粒徑， •取好大於第2結晶群之結晶粒子9b的平均結晶粒徑，本 I明中，尤佳係第1結晶群之結晶粒子9a的平均結晶粒 徑較第2結晶群之結晶粒子9b的平均結晶粒徑大出 ^ 0.02#m以上。介電質層5中，若使立方晶性較高、絕緣 ’ 電阻較高的第1結晶群之結晶粒子9a大於第2結晶群之 結晶粒子9b並共存，便可更加提高介電質層5的絕緣電 阻。 再者’第1結晶群之結晶粒子9a與第2結晶群之結晶 粒子9b的平均結晶粒徑，最好在0.45//m以下。藉此， 即使將介電質層5薄層化，仍可確保高絕緣性，且可達高 電容化。另外，結晶粒子9的粒徑最好達〇·丨5 # m以上。 {j藉此，將具有介電質層5的介電常數較高，且能降低介電 苇數的溫度依存性之優點。 構成介電質陶瓷中，構成第1結晶群之結晶粒子9a、 與構成第2結晶群之結晶粒子9b之各平均結晶粒徑，係 從上述求取Ca濃度時，構成第1結晶群之結晶粒子9a、 •與構成第2結晶群之結晶粒子9b的面積數據計算出。此 情況，針對介電質層截面經截面研磨過的研磨面，將利用 牙透式電子顯微鏡所顯示出的影像讀取於電腦中，並對該 晝面上所存在的結晶粒子輪廓施行影像處理，而求得各粒 96145836 19 200834620 子勺面牙貝並汁异出當取代為具相同面積之圓時的直徑， 且求取所計算得之結晶粒子約50個的平均值。 2者由構成第1結晶群之結晶粒+ 9&、與構成第2 、、口日日群之、、、口日日粒子9b所構成的結晶粒子9的合計平均結 曰曰粒仏係、針對介電質層5之截面經截面研磨過的研磨 面，將利用穿透式電子顯微鏡所顯示出的影像讀取於電腦 中’亚在違晝面上晝出對角線，將該對角線上所存在的結 晶粒子輪廓施行影像處理，而求取各㈣的面積，並計算 出當取代為具相同面積之圓時的直徑，且求取所計算之結 晶粒子約50個的平均值。 /發明中，介電質陶竟亦最好含有錯，特別係該錯含有 f目對於上述鋇的氧化物（_、上_的氧化物aa〇)、 氧化物m〇2)之合計*⑽莫耳份，依Zr〇2 換异计a有0· 2〜1莫耳份為佳。 ϋ 播：！施形態的積層陶兗電容器，係構成介電質層5中， ^!1之結晶粒子％與構成第2結晶群之結晶 粒子9b亦可含有錯。 r ”電貝層5中所含的錯最好依氧化物(Zr〇2)的 二I ::’含有量最好相對於構成介電質層5的鈥酸 (BaO)、!弓的氧化物(Ca〇)及鈦的 100莫耳份，將供合古曰从π 川σ冲里 3有1依Zr〇2換算計，含有0 2〜1草耳 份的比例。若介電質層5中 、耳 份以上，便具有提高介電常所數=:02含有量達°.2莫耳 "书吊數的優點。反之，若介電質層 96145836 20 200834620 5中所含Zr〇2含有量在j莫耳份以下，便具 常數溫度變化率的優點。 ，、有可減小介電 ，、人相關本發明積層肖究電容器的製 ☆ 3進行說明。 方去’芩照圖 圖3所示係本發明積層陶究電容器的 (a)步驟··首先，將下示原 之乂知圖。 脂等有機榭月匕 ，/、$乙烯縮丁醛樹 月曰寺有执树月曰、甲苯及醇等溶一 何 混合而調製成陶瓷漿料。接著 球磨機等進行 料使用諸如刮漿刀法、模二==得之 *胚片，。陶竞胚片21的厚度係由介電質 化的涛層化、維持高絕緣性的觀點而言，最好 g 「原料粉末係使用純度達99%以上的鈦酸^末（以= 末」)、以及⑽粉末、:稱「BCT粉 末 如末。此情況，經燒成後，將成為第！結晶 (/ 群之結晶粒子9a的BT粉末、及將成A望 … 粒子9b的BCT粉末之平二”。結晶群之結晶 搜““〜係從獲得高介電係數的 理由而吕，攻好設為0 05〜〇 4#m。 再者’相關添加劑的V 〇 4八古 ^ ^ MnC〇3T^ ^ ^ ’刀末取好均使用平均粒徑屬於 與BT粉末或BCT粉末之同等或以下者。十… f外’BCT粉末係以部分的A sitewa所取代的欽酸 鋇為主成分之固溶體，依dCax)Ti〇3表示。該組成式的 A sue中之Ca取代量最好χ=〇 〇ι〜〇 2。若u取代量在 96145836 21 200834620 該範圍内，藉由與第1結晶群之結晶粒子9a的共存構造， 便可形成經抑制晶粒成長的結晶組織。另外，第2結晶群 之結晶粒子9b中所含的Ca，係依分散於第2結晶群之結 晶粒子9b中的狀態固溶。 再者’ BCT粉末中最好其構成成分的a site(鋇）與B site(鈦）之原子比a/b達L 003以上，另一方面，bt粉 末則最好A/B在1·002以下。若BT粉末的Α/β在1〇〇2 以下便具有提咼諸如Mg、稀土族元素等添加劑之固溶 的優點。 具次 為弟1結晶群之結晶粒子9a的BT粉末、與 成為第2結晶群之結晶粒子9b的BCT粉末，依質量比計 成為>30 : 70〜70 : 30比例的方式進行調配。 該等粉末與BCT粉末係將含有^成分、以成分及 1成刀的化合物，依成為既定組成的方式進行混合而合 介電質粉末係可利用選擇自固相法、液相法(包 :二ΐ;!進行生成的方法)、水熱合成法等的合成法 窄、：曰：二’就所獲得之介電質粉末的粒度分佈較狹 得的介電質粉末。 取好為利用水熱合成法所獲 分^ 町粉末的混合粉末中所添加的添加劑， 莫耳份之^ 叔末h合物的介電質粉末100 稀土無元素⑽依副3換算計 莫5二耳知、 依_換算計添加〇 〇 · . 5莫耳伤、及 美耳伤、及釩依V2〇5換算 96145836 22 200834620 計添加0· 05〜〇· 5莫耳份，壯 0. Η莫耳份、稀土族 寺^乂处依_換算計添加 知、及Μη依Μη0換算計添加.1莫耳 換异計添加0.1〜〇.4莫耳份為佳。、〃及鈒依抓 末與町粉末的混合粉末，：之係如上述般對BT粉

MnC〇3,^ , 不亚添加V2〇5粉末。 本^中，若在βτ粉末與BCT粉末的 〜〇5粉末，利用V2〇扒 丁刀+ r添加 素對BT粉末的固溶：“：：分’鎂與稀土族元 :===粒成長的效果。此時，鎂與 1結晶群之T粉末所引發形成之第 Ο 亦具有可捭加#^+ ΓΒ0 晶粒子9b’隨此現象 質芦ΠΓ與稀土族元翻溶量的效果。依此在介電 戶 =二弟八：晶群之結晶粒子9a將成為高絕緣性化， 所以可k咼介電質層的絕緣性。 粉m;i電質粉末添加錯氧化物（以下稱「_ 」）。斤从、加的Zr〇2最好使用純度99.9%以上的Zr〇2 ^末。此m粉末的平均粒㈣料g. 太：量係相對於们粉末與BT粉末混合物的介電： 粉末100莫耳份之下，最好添加0.WI耳份。 貝 另外’製造本發明積層料電容器之際，在能維持所需 96145836 23 200834620 介電特性的範圍内，亦可添加燒結 粉末係由LhO、Si〇2、Ba0及f片、螭粉末。破螭 Li2〇=l^15 〇.π 構成，其組成最好為 乂 15 ㈣、Sl〇2,，莫耳%„ 及Ca〇=5〜25莫耳％，添加量係 35莫耳％、 混合物的介電質粉末100質量份之、/粉末與βΤ粉末 量份。藉此可提高介電質層〜2質 的晶粒成長。 此抑制結晶粒子 (b)步驟：其次，在上述所獲得之 上，印刷形成矩形狀内部電極圖案23。 = 21的主面 案23的導體糊膏係以Ni、c^ f為内部電極圖 金屬:並在其中混合入作為共同材料二SC 入有機黏結劑、溶劑及分散劑而進行調製。7且添加 金屬粉末係從能與上述βΤ粉末或EM 成、達到低成本化的觀點而+， 1進行同時燒 妊糸Γ 、曲A a取好為Ni。陶瓷粉太畀 農度較低的BT粉末，藉由在導體糊膏中：= 了 ，將形成貫通内部電極層7的尤 止介電質層5與内部電極層7間發二猎：’可防 圖牵？ 2 ώΑ后ώ: ^ 王刺雖丨月形。内部電極 ^ 々厗度係從積層陶瓷電容器小型化、t 以下。 〜成之梯度差的理由而言，最好在^ 圍將陶-¾圖幸梯度差’最好在内部電極圖案23周 度。構成9内部€_案23為實質相同厚 、η 5的陶究成分係就使在同時燒成時的 96145836 24 2UU«J4620 燒成收縮相同之勸 _ 電質粉末為相同組成者。σ μ好使用與陶莞胚片所用之介 (C)步驟··其次 21重疊所需片數，並在^上内邛電極圖案23的陶瓷胚片 的陶瓷胚片21瘤备Η八上下將未形成内部電極圖案23 重疊，形成初步積声體下層為相同片數的方式進行 係朝長度方向每次二 2,者在經切斷後的積層體…交;= 本發明中，係如上述，在陶 成内部電極圖案23並進行積片21 :主面上預先形 使陶究庇片21暫時贫接於下^ 法之外’尚可利用在 部電極圖案23的^ ::側的基材之後，再施行内 部電極圖案23上舌1田’經乾燥後’於該經印刷乾燥的内 片21，並施行初步電極圖案23的陶究胚 的密接、與内部電極印二=此種陶兗胚片21 其次，將初步積層體依較上:層二 向溫、高壓的條件施行力更 極圖㈣堅固密接的積層體29成陶纽片21與内部電 成二:將該積制29沿切剖線11、即積層體29上所形 =:=29略中央處，朝内部電極圖㈣長度方向 電極曰安^ ⑹）、及圖3的（e—2))，平行於内部 的長度方向進行切斷，依使内部電極圖案23 的^路出之方式形成電容器本體成形體。此情況 96145836 25 200834620 電極圖案2 3係5太命六口口丄 狀態。 纟电奋益本體成形體側邊緣側未露出的 其次’將該電容器本體成形體，在 -條件進行燒成而形成電容哭太髀1 ^ 主 依&度 .容器本體的稜線部分截角「且=此：況’亦可施行電 炻w山狄 m肖且亦可為了使所露出的内部電 磨。曰純；電容器本體i之相對向端面，而施行滾筒研 -5^C/h^,m 500 2〇〇：J^ 1100〜1250。。範圍内施广：'1的运原環境中，於 成後的試料，於氮中，Ί q〜4小時燒成。然後’對經燒 立-欠，在二 又0〜1100 c施行再氧化處理。 4/:t/ 器本體1的相對向端部，施行外部電極 糊貧的塗佈、煻附，；r丄 W叮外口P玉極 -極3夺:卜: 成外部電極3。此外’在該外部 包極3表面上，為了摇黑 ) <第2實施形態> 时衣性而形成電鍍膜。 \开其情本發明第2實施形態進行說明，惟盘第U 她形悲重禝的部分將省略 > ”弟1貝 積層陶瓷電容器的处曰牧 形怨中，當將構成 偏差設為tr/-平均粒徑設為x，且將標準 以下。 σ表不的粒徑變動係數最好在40% 、田=晶粒子9的粒徑變動係數在樓以下，將言 的優點。 通Τ 3變化所造成之絕緣電阻降低 96145836 26 200834620 +此情況，、结晶粒子9的粒捏變動係數最好在m以下。 若結晶粒子9的粒徑變動係數在37%以下，具有可將高溫 負荷試驗經1〇〇小時後的絕緣電阻維持於2χ1〇7Ω以上皱 •且可將介電質層5的介電常數提高達41〇〇以上的優點。 . 然後，滿足上述變動係數時，構成第1結晶群之結晶粒 子9a與構成第2結晶群之結晶粒子9b的平均粒徑中，分 別取好構成第2結晶群之結晶粒子9b的平均粒徑為 〇· 13〜0. 17// m，構成第1結晶群之結晶粒子如的平均粒 C 徑為 〇·23〜0.35//Π1。 該實施形態中，原料粉末係使用粗粒的部分A sit被

Ca取代的鈦酸鋇粉末（BCT粉末）、與未含有Ca的鈦酸鋇 粉末（BT粉末）。且，對該粗粒粉末，添加上述βΤ粉末與 BCT粉末混合時的平均粒徑之1/2以下之微粒鈦酸鋇粉 末。 若在介電質粉末中，將具有平均粒徑為主體之BT粉末 U與BCT粉末之丨/2以下的微粒BT粉末添加既定量，在燒 成時’微粒BT粉末將與粗粒側的BT粉末與BCT粉末中粒 徑較小的BT粉末與BCT粉末進行燒結，因而經燒成後， 構成第1結晶群之結晶粒子與構成第2結晶群之結晶粒子 將呈現有效地抑制晶粒成長之狀態，可達粒徑均勻化。 • 另外’當未如此添加微粒BT粉末的情況，經燒成後， 將構成第1結晶群之結晶粒子與構成第2結晶群之結晶粒 子進行混合時的粒徑變動係數將大於4〇%，且高溫負荷試 驗經100小時後的絕緣電阻降低亦容易變大。 96145836 27 200834620 此情況，微粒鈦酸鋇粉末（BT粉末）的平均粒徑最好為 2〇〜60nm，最小直徑與最大直徑係在粒度分佈中，當以表 示3%以上之比例的區域為基準時，最小直徑最好達1 〇咖 ‘以上，最大直徑最好在80nm以下。即，最好小於上述介 •電質粉末主體的BT粉末與BCT粉末之平均粒徑。微粒= 添加量係可依照粗粒之介電質粉末的尺寸而適當決定。、 再者，其添加量係相對於屬於介電質粉末主體的粉 末與BCT粉末10〇質量份，最好添加5〜15質量份。π 該實施形態所使用的陶瓷粉末，係可抑制燒成時的柱狀 之陶瓷異常晶粒成長，可提高機械強度。此外，藉由抑制 在内部電極層上所形成之柱狀之陶竟異常晶粒成長，亦可 減小積層陶瓷電容器的電容溫度依存性。内部電極圖案 23的厚度係從積層陶瓷電容器小型化、及減輕因内部二 極圖案23所造成之梯度差的理由而言，最好設定在1 以下。 μ m 〇 其他因為均如同第1實施形態，因而不再贅述。 [實施例] ' "以下’舉實施例針對本發明進行更詳細說明，惟本發明 並不僅侷限於以下實施例。 χ ' [實施例I ] 首先、原料粉末係準備ΒΤ粉末、BCT粉末 (Ba"5Cau5Ti〇3)、MgO、MnCO” V2〇5 及稀土族元素的 ^ 化 物粉末，將該等各種粉末依表丨所示比例進行混合。該等 原料粉末係使用純度99.9%。另外，BT粉末與Βα粉末的 96145836 28 200834620 平均粒徑係於表1中的試料I卜22與24〜27均設定為 1〇〇nm。且，於試料Νο. 23則使用ΒΤ粉末平均粒徑100nm、 BCT粉末平均粒徑15〇nm。βτ粉末的鳩比係設為 1. 卜BCT粉末的Ba/Ti比係設為i_。燒結助劑係使 ^ Jl°2~55、BaQ=2G、Ca°=15、Li2°=1G(莫耳%)組成的玻 螭；分。玻璃粉末的添加量係相對Βτ粉末與BCT粉末100 質量份，添加1質量份。 、、其次、’將該等原料粉末使用直徑5_的氧化鍅磨球，並 』：：為岭劑的甲苯與醇之混合溶劑而施行濕式混合。 及；::：在:經濕式混合的粉末中添加聚乙烯縮丁搭樹脂、 球於’同樣地制直徑的氧化錯磨 成二r混合’而調製得陶瓷漿料’並利用刮漿刀法製 珉与度3//m之陶瓷胚片。 矩：ί內Γ:陶竟胚片的上面複數形成以Ni為主成分的

U 體糊尾極圖案。在内部電極圖案形成時所使用的導 體糊Τ，係使用含有平均初 ^ w粉末_質量份"、天力=·3//_Νι粉末，且相對 使用之ΒΤ粉末30質量^乍為共通材料的陶兗胚片中所 上上案的陶究胚片積層，， 積層2。W用心:=圖案的陶究胚片各 間10分鐘的條件施行-次二度^力1〇 Ρ3、時 電容器本體成形體。 、Θ ^為既疋尺寸，獲得 其-人，將電容器本體成形體在大氣中，於達5〇rc前的 96145836 29 200834620 溫度範圍内施行脫腊，接著，在氫_氮令，依115〇〜12〇〇 °C施行2小時燒成(以下稱「還原燒成」），而製得電容器 本體。。此情況，燒成溫度係於試料N〇.丨卜^及18設為 1150C，其餘則均設為i2〇〇°c。 —再者。’經燒成的試料係接著經冷卻後，在氮環境中，施 订1 000 c、4小㈣再氧化處理。該電容器本體的大小係 0.95x0. 48x0. 48随3,介電質層厚度係。内部電極層 的面積係0. 3mm2。 A:二㈣燒成所獲得之電容11本體施行滾筒研磨後， =f電容器本體二端部施行含有&粉末與玻璃的外部 ^ T㈣’並於85G°C下施行燒附，形成外部電極。 用電解滾鍵機’在該外部電極表面上依序施行鑛 人、又Sn ’製得積層陶瓷電容器。 之ίΐ二對由經再氧化處理而獲得的電容器本體所形成 小二：ΐ電容器’再度於氫-氮中’在115(rc下施行2 J守的熱處理（再還原處理）。 電容亥等積層陶究電容器施行以下的評估。靜電 絕緣電卩1 ^ Hz、測定電壓1 Vrms的敎條件實施。 部電極之==在經還原燒成後的電容器本體上形成外 及經施行再、f=再减處理後形成了外部電極之試料、 言 丹還原處理之試料進行評估。 置驗係經溫度㈣、電愿_、丨。。小時放 30個。 ''巴緣電阻並施行評估。該等試料的數量均設為 96145836 30 200834620 救Si二1結晶群之結晶粒子與構成第2結晶群之結晶 带質芦之^#晶粒子的合計平均結晶粒徑，係針對將介 二面研磨過的研磨面，將利用穿透式電子 Μ鏡所顯Μ的影像讀取於電财，並㈣ :角該對角線上所存在的結晶粒子輪廊施行影像處 :求取二粒子的面積，並計算出當取代為具相同面積之 員k的直徑’而求取所計算得之結晶粒子約5G個的平均 值0 '㈣，相關結晶粒子中的Ca濃度，係針對積層陶兗電 合為之積層S向的截面施;^亍研磨白々介I質層I面上所存 在之、、勺30個結晶粒子’使用附設有元素分析機器的穿透 式電子顯微鏡施行元素分析。此時電子束的束斑尺寸係設 為5nm，分析地方係從結晶粒子的晶界附近起朝中心設定 5處地方。所選擇的結晶粒子係由其輪廓利用影像處理求 取各粒子的面積，並計算出當取代為具相同面積之圓時的 q直徑，並設定為如此求取直徑的結晶粒子之直徑成為平均 結晶粒徑±30%範圍内的結晶粒子。將Ca濃度〇· 2原子％ 以下的結晶粒子視為苐1結晶群，將Ca濃度〇 · 4原子％ 以上的結晶粒子視為第2結晶群。 再者’構成弟1結晶群之結晶粒子與構成第2結晶群之 . 結晶粒子之平均結晶粒徑，分別係從求取上述Ca濃度時 的構成弟1結晶群之結晶粒子與構成第2結晶群之結晶粒 子之面積數據中計算出。此情況，針對將介電質層截面經 截面研磨過的研磨面，將利用穿透式電子顯微鏡所顯示出 96145836 31 200834620 =像讀取於電腦令，並對該畫面上所存在的結晶粒子之 里，求取各粒子的面積，且計算出當取代 二、η 面積之圓時的直徑’並求取所計算出之結晶粒子 約5 0個的平均值。 •:者1項刀析二構成介電質層的構成第1結晶群之結晶 : 舁構成帛2結晶群之結晶粒子的面積比例 '、中’將構成第1結晶群之結晶粒子9a的面 貝設為a’將構成第2結晶群之結晶粒子9b的面積設為 糸針對上相5〇自，從求取各結晶粒子之平均結晶 粒徑的面積數攄中古+瞀ψ …… 此情況，將Ca濃度高於〇.4 原子。者（四捨五入至小數點第2位）視為第2結晶群之結 Ο ^ ^。如表1〜4中所示’將BT粉末與BCT粉末混合的 狀中，係在燒成後’相對於⑽粉末與Βα粉末的混合 比例’在燒成中因Ca的擴散’❿Ca濃度達〇·4原子%以 上的結晶粒子比例隨之增加，呈Ca濃度〇. 2原子％以下的 結晶粒子、與Ca濃度〇.4原子%以上的 的情況。 仗 鎮與稀土族元素的濃度_定，係使用附設有元素分析 _DS)的穿透式電子顯微鏡施行敎。此情況，所分析 的試料係將積層陶变電容器朝積層方向施行研磨，並就該 經研磨的介電質層表面，分別筛選出從上述。濃度測定 所判疋的第1結晶群之結晶粒子與帛2結晶群之結晶粒 子其大小係分別從各自的結晶粒子輪廊利用影像處理求 取各粒子面積，並計算出當取代為具相同面積之圓時的直 96145836 32 200834620 徑，且設定為如此求取了直徑的各結晶粒子之直徑在平均 結晶粒徑側範圍内的結晶粒子，並分別_選iq個。 在《亥員刀析巾％行几素分析時的電子束束斑尺寸係設 為1〜3龍。此外，所分析的地方係設為結晶粒子的表層部 與中央部。結晶粒子的表層部係設為距結晶粒子晶界— 以内的區域，設為由自該結晶粒子内接圓中心以該内接圓 +徑1/3長的圓所包圍的範圍。此情況，結晶粒子的内接 圓係將利用穿透式電子顯掷於& , 电于頒从鏡所顯不出的影像，在電腦畫 面上描繪出内接圓，並從嗜金而u 一 中心部。 K面上的影像決定結晶粒子的 各結晶粒子的鎮與稀土族元素濃度係以在穿透式電子 顯微鏡照片上所顯示出之結晶粒子内接圓内的中央部、斑 ^晶粒子t層部進㈣定。此情況，鎂與稀土族元素的濃 度比係依照上述方法進行求取。 從依此所測得之各結晶粒子的鎂與稀土族元素濃度，分 別求取各結晶粒子表層部與中央部的鎂與稀 濃度比，並求取依此所求得之各結晶粒子1〇個的平均素值。 再者，所獲得之燒結體的試料組成分析，係利用分 析或原子吸光分析實施。此情況’將使所獲得之介電質陶 究、與硼酸及碳酸納進行混合並溶融物溶解於鹽、首 先，利用原子吸光分析施行介電質陶竟中所 分析’接著，針對特定的各元+ 素的疋法 A声進抑t將使液經稀釋者視 為私準试枓，並施行Icp發光分光分析而予以 外’各元素的價數係週期表中所示的價數，並求:二。 96145836 33 200834620 調配組成係如 所示，特性結果係如表 L 〇Ε+〇5」係指 1. 〇χ〗〇5。 、4所示。下表

*記號係指本發明範圍 物換算，如表ί!所示，燒結體，的各元素組成係依氧化 中，例如 [表1] 96145836 34 200834620 [表2] 試料No. b/(a+b) 氺氺 MgO 稀土族元素的氧化物 (RE2〇3) MnO V2〇5 — 莫耳份 種類 莫耳份 莫耳份 莫耳份 氺 1-1 0.7 0.7 Y2〇3 0. 7 0· 2 0 1-2 0.7 0.7 Υ2〇3 0. 7 0· 2 0.05 1-3 0. 7 0.7 Υ2〇3 0· 7 0· 2 0. 1 1-4 0· 7 0· 7 Υ2〇3 0.7 0.2 0. 15 1-5 0. 7 0. 7 Υ2〇3 0· 7 0. 2 0· 2 I-6 0. 7 0. 7 Υ2〇3 0. 7 0. 2 0.3 1-7 0· 7 0.7 Υ2〇3 0.7 0. 2 0.4 1-8 0.7 0.7 Υ2〇3 0. 7 0. 2 0. 5 氺 1-9 0· 7 0· 7 Υ2〇3 0.7 0.2 0.15 氺 1-10 0. 7 0· 7 Υ2〇3 0.7 0. 2 0. 15 1-11 0· 7 0.5 Υ2〇3 0· 5 0.2 0. 15 1-12 0. 7 0. 3 Υ2〇3 0. 3 0. 2 0. 15 1-13 0. 7 0.3 Υ2〇3 0. 7 0. 2 0.15 1-14 0. 7 1 Υ2〇3 0.7 0. 2 0. 15 1-15 0.7 1. 5 Υ2〇3 0.7 0. 2 0. 15 1-16 0.7 0. 7 Υ2〇3 1 0.2 0. 15 1-17 0.7 0.7 Υ2〇3 1. 5 0. 2 0.15 1-18 0. 7 0. 7 Υ2〇3 0. 3 0. 2 0.15 1-19 0. 7 0.7 Υ2〇3 0. 7 0. 07 0. 15 1-20 0.7 0. 7 Υ2〇3 0. 7 0. 1 0. 15 1-21 0.7 0. 7 Υ2〇3 0. 7 0. 3 0. 15 1-22 0· 7 0. 7 Υ2〇3 0.7 0. 4 0. 15 1-23 0. 7 0. 7 Υ2〇3 0.7 0. 2 0. 05 氺 1-24 0. 4 0.7 Υ2〇3 0. 7 0.2 0. 2 1-25 0· 5 0.7 Υ2〇3 0· 7 0.2 0.2 1-26 0. 8 0. 7 Υ2〇3 0. 7 0. 2 0.2 氺 1-27 0.9 0. 7 Υ2〇3 0.7 0· 2 0.2 1-28 0.7 0. 7 Dy2〇3 0.7 0· 2 0.2 1-29 0.7 0. 7 Η〇2〇3 0. 7 0. 2 0.2 1-30 0· 7 0. 7 Er2〇3 0.7 0.2 0. 2 *記號係指本發明範g **將構成第1結晶群 將構成第2結晶群 〇外的試 之結晶粒 之結晶粒 斗。 子的面積設為a、 子的面積設為b時的面積比 96145836 35 200834620 [表3]

ί,: 試料No. 第1結晶群之結晶粒子 第2結晶群之結晶粒子 添加物的結晶 粒子之中央部 相對於表層部 的濃度比 平均粒徑 添加物的結晶 粒子之中央部 相對於表層部 的濃度比 平均粒徑 Mg Y Mg Y — — β m — — β m 氺 1-1 0· 8 0. 37 0. 12 0. 09 0. 37 0. 14 1-2 0. 85 0. 39 0. 17 0.10 0. 38 0. 15 1-3 0. 86 0.4 0. 21 0. 10 0. 37 0. 15 1-4 0.87 0. 41 0.23 0. 11 0. 38 0. 15 1-5 0. 88 0. 43 0. 25 0. 11 0. 39 0. 15 1-6 0.89 0. 43 0. 3 0. 11 0. 39 0. 15 1-7 0. 91 0. 44 0. 35 0. 11 0. 39 0. 15 1-8 0. 92 0. 45 0. 41 0. 12 0. 40 0. 16 氺 1-9 0. 93 0. 51 0. 47 — — — 氺 1-10 — — — 0. 11 0.40 0. 15 1-11 0. 87 0. 41 0. 26 0. 11 0. 38 0.15 1-12 0. 83 0. 38 0. 35 0. 11 0. 36 0.19 1-13 0. 84 0. 42 0. 33 0. 10 0. 38 0. 17 1-14 0. 92 0. 4 0. 27 0. 13 0. 38 0. 16 1-15 0.92 0.4 0. 26 0. 13 0. 38 0. 16 1-16 0.92 0. 4 0. 27 0.13 0. 38 0. 16 1-17 0. 92 0. 4 0. 26 0.13 0. 38 0.16 1-18 0. 88 0. 4 0. 34 0. 11 0. 39 0. 18 1-19 0. 88 0. 43 0. 35 0. 11 0. 39 0. 18 1-20 0. 88 0. 43 0.3 0. 11 0. 39 0. 17 1-21 0. 93 0. 44 0. 25 0. 11 0. 38 0. 15 1-22 0. 93 0. 45 0. 26 0. 11 0.39 0. 15 1-23 0. 85 0. 39 0. 15 0.10 0. 38 0. 17 氺 1-24 0. 88 0. 43 0. 25 0. 11 0. 39 0. 15 1-25 0. 88 0. 43 0. 25 0. 11 0. 39 0.15 1-26 0. 88 0. 43 0. 25 0. 11 0. 39 0. 15 氺 1-27 0. 88 0. 43 0. 25 0. 11 0. 39 0. 15 1-28 0. 88 0. 43 0. 25 0. 11 0. 39 0. 15 1-29 0. 88 0. 43 0. 25 0. 11 0. 39 0.15 1-30 0. 88 0. 43 0. 25 0.11 0. 39 0. 15 *記號係指本發明範圍外的試料。 96145836 36 200834620 [表4 ] 試料 No. 還原燒成後 再氧化處理後 再還原處理後 IR(絕緣電 阻）施加電 壓25V 溫度：25°C 靜電 電容 IR (絕緣電 阻）施加電 壓25V 溫度：25°C 靜電 電容 高溫負荷試 驗經100小 時後的絕緣 電阻 IR (絕緣電 阻）施加電 壓25V 溫度：2 5 °C 靜電 電容 Ω β F Ω H F Ω Ω β F 氺 1-1 無法測定 0.41 1.0E+10 0. 47 1.0Ε + 05 無法測定 0. 41 1-2 1.0E+10 0. 47 1.0E+10 0. 47 1.0Ε+06 1.0E+10 0. 47 1-3 1.0E+09 0. 47 1.0E+09 0. 47 1. 0Ε+07 1. 0E+09 0. 47 1-4 1. 0E+09 0. 47 1.0E+09 0. 47 2. 0Ε+07 1. 0E+09 0. 47 1-5 1. 0E+09 0. 471 1.0E+09 0. 471 2.0Ε+07 1. 0E+09 0. 471 1-6 1.0E+09 0. 472 1.0E+09 0. 472 2. 0Ε+07 1.0E+09 0. 472 1-7 1.0E+08 0. 472 1.0E+08 0. 472 2. 0Ε+07 1· 0E+08 0. 472 1-8 1. 0E+07 0. 47 1·0E+07 0. 47 1.0Ε+06 1.0E+07 0. 47 氺 1-9 無法測定 0. 47 1. 0E+10 0. 47 1.0Ε+05 無法測定 0. 47 氺 1-10 無法測定 0. 47 1. 0E+10 0. 47 1. 0Ε+05 無法測定 0. 47 1-11 1. 0E+09 0. 472 1. 0E+09 0. 47 2. 0Ε+07 1.0E+09 0. 471 1-12 1.0E+09 0. 473 1.0E+09 0.47 9. 0Ε+06 1.0E+09 0. 472 1-13 1. 0E+09 0. 471 1. 0E+09 0. 47 9.0Ε+06 1.0E+09 0. 471 1-14 1.0E+09 0. 47 1. 0E+09 0. 47 1.0Ε+07 1.0E+09 0. 47 1-15 1. 0E+09 0. 45 1. 0E+09 0. 45 1.0Ε+07 1.0E+09 0. 45 1-16 1. 0E+09 0. 47 1.0E+09 0. 47 1. 0Ε+07 1.0E+09 0. 47 1-17 1. 0E+09 0. 455 1. 0E+09 0. 455 1. 0Ε+07 1.0E+09 0. 455 I -1 8 1.0E+09 0. 47 1.0E+09 0. 47 9. 0Ε+06 1.0E+09 0. 47 1-19 7. 0E+08 0. 465 9.0E+08 0. 47 8. 0Ε+06 7.0E+08 0. 465 1-20 1. 0E+09 0. 47 1.0E+09 0. 47 1. 0Ε+07 1.0E+09 0. 47 1-21 1.0E+09 0. 47 1.0E+09 0. 47 1. 0Ε+07 1.0E+09 0. 47 1-22 1.0E+09 0. 45 1.0E+09 0. 45 1. 0Ε+07 1.0E+09 0. 45 1-23 9. 0E+09 0. 47 9.0E+09 0. 47 8. 0Ε+05 8·0E+09 0. 47 氺 1-24 1. 0E+06 0. 46 1. 0E+08 0. 46 4. 0Ε+05 1.0E+06 0. 46 1-25 1. 0E+08 0. 471 1.0E+09 0. 471 1. 0Ε+07 1.0E+07 0. 46 1-26 1.0E+09 0. 471 1·0E+09 0. 471 2. 0Ε+07 1.0E+08 0. 471 氺 1-27 7· 0E+06 0. 4 1.0E+09 0· 4 2. 0Ε+07 7.0E+06 0.4 1-28 9. 9E+08 0. 47 9. 9E+08 0. 47 1. 9Ε+07 9.9E+08 0. 47 1-29 9. 9E+08 0. 47 9. 9E+08 0. 47 1. 9Ε+07 9.9E+08 0. 47 1-30 9. 9E+08 0. 47 9.9E+08 0. 47 1. 9Ε+07 9.9E+08 0. 47 *記號係指本發明範圍外的試料。 由表1〜4的結果得知，當介電質層係將第1結晶群之結 晶粒子的面積比例設為a、將第2結晶群之結晶粒子的比 96145836 37 200834620 例設為b時，b/(a+b)比為〇 5〜〇 8的比例，且構成第工 結晶群之結晶粒子9a中央部中所含之鎂與稀土族元素的 各濃度、相對於構成第i結晶群之結晶粒子9a表層部的 .鎂與稀土族元素的各濃度比，大於構成第2結晶群之結晶 .粒子jb中央部所含之鎂與稀土族元素的各濃度、相= 構成第2結晶群之結晶粒子9b表層部的鎂與稀土族元素 之各濃度之比的試料，即使經還原燒成後，絕緣電阻仍為 10 Ω以上，且在咼溫負荷試驗經1 〇 〇小時後的絕緣電户且 (亦成為8乂1〇5〇以上，顯示出高絕緣性。且該等試料在再 還原處理後，絕緣電阻仍為1〇?Ω以上。 特別係將第1結晶群之結晶粒子平均結晶粒徑設為大 於第2結晶群之結晶粒子平均結晶粒徑的試料ν〇. 2〜8、 1 1 22 2 5、2 6及2 8〜3 0，而溫負荷試驗後的絕緣電阻為 106Ω以上。 ^ 再者，上述介電質層中，相對於構成上述鈦酸鋇的鈦 y 100莫耳，鎂為〇·5〜1莫耳、稀土族元素為〇·5〜1莫耳、 猛為〇· 1〜〇· 3莫耳、及釩為〇·丨〜〇· 4莫耳的試料Ν〇· 3〜7、 11、14、16、20、21、25、26、28〜30，係高溫負荷試驗 經100小時後的絕緣電阻為1χ107Ω以上，或靜電電容達 〇· 47 // F 以上。 相對於此，介電質層非屬於由第1結晶群與第2結晶群 之2種結晶粒子構成的試料（試料νο·9、ι〇)，以及未添 加V2〇5、且第1結晶群與第2結晶群之2種結晶粒子間的 稀土族元素含有量比相同之試料Νο· 1，經正燒成後的絕 96145836 38 200834620 緣電阻將無法測定。且，當b/(a+b)比低於0.5的情況（試 料No· 24)、或b/(a+b)比高於0· 8的情況（試料No· 27)， 還原燒成後與再還原處理後的絕緣電阻均低於1 〇7 Ω。 . [實施例11 ] • 首先’原料粉末係準備 ΒΤ粉末、BCT粉末 (Ba〇.95Ca().〇5Ti〇3)、MgO、Y2〇3、MnCCb、V2〇5 及 Zr〇2，並依 表5所示比例進行混合。此情況，Mg〇、γ2〇3、MnC〇3、V2〇5 及Zr〇2的添加量，係指相對於從Βτ粉末與BCT粉末的合 ()計量中扣除了鈦酸鋇成分後的量100莫耳份的量。

該等原料粉末係使用純度99· 9%。另外，BT粉末與BCT 叙末的平均粒徑係於表5所示之試料均設為1 〇〇nm。Βτ粉 末的Ba/Ti比係設為low，Βα粉末的Ba/Ti比係設為 1· 003。Mg〇、γ2〇3、MnC〇3、¥2〇5及 Zr〇2 的平均粒徑係使用 〇· 2 // m 〇 忒料、Μο· 11 — 25係僅使用BCT粉末作為介電質粉末的情 U况，忒料Ν〇· Π —26係使用βΤ粉末的情況，試料Νο· ΙΙ-27 係於稀土族元素使用Dy2〇3的例子。 〇少7〇、、、口助劑係使用 Sl〇2=55、Ba〇=2〇、(莫 耳％)、、且成的玻璃粉末。玻璃粉末的添加量係相對於粉 ，末與⑽粉末1QGf量份之下，添加i質量份。 其次:將該等原料粉末使用氧化懿磨球，且添加作為溶 別的曱本與醇之混合溶劑，並施行濕式混合。 其次1經濕式混合過的粉末中，添加聚乙烯縮丁酸樹 及曱苯與醇的混合溶劑，並使用氧化錐磨球施行濕式 96145836 39 200834620 並利用刮漿刀法製成厚度3#m 混合而調製得陶瓷漿料 之陶瓷胚片。 矩形狀内部電極ίΓ二數形成以Nl為主成分的 用平均師〇 3 部電極圖案所用的導體糊膏係使 陶莞胚片所用二粉末。此外’作為共通材料的於 添加30質量&末’係相對於[粉末100質量份， =將已印刷内部電極圖案的陶莞胚片積層360片， t : 上下面分別將未印刷内部電極圖案的陶瓷胚片各 知層20 # ’使用壓合機，依溫度60°c、壓力l〇7pa、時 間1〇>分鐘的條件施行一次積層，並裁剪為既定尺寸。 所獲得的電容器本體成型體，係依1{rc/h升溫速度， 在大氣中依30(Tc/h施行脫黏結處理，從5〇(rcs的升溫 速度為3〇〇c/h升溫速度，於氫—氮中，在117〇艺溫度下 施行2小時燒成。 再者，試料係接著依3〇〇°c /h降溫速度冷卻至100(rc， 在氮環境中，於100(rc下施行4小時再氧化處理，再依 300 C /h降溫速度施行冷卻，而製得電容器本體。該電容 态本脰的大小為〇· 95mmx0· 48mmx0· 48mm、介電質層厚度 係2// m。内部電極層的有效面積係〇. 75mmx〇. 36_。 其次，將經燒成所獲得之電容器本體施行滾筒研磨後， 再對°玄電容器本體二端部施行含有Cu粉末與玻璃的外部 電極糊膏塗佈，並於850°C下施行燒附，形成外部電極。 :二後使用電解滾鐘機’在該外部電極表面上依序施行鍛 96145836 40 200834620

Nl與鍍Sn ’製得積層陶瓷電容器。 靜:容積層^電容器施行以下的評估。 實施。”料h〇kHz、測定電麼1Vrms的測定條件 取：度變化率係預先依…5以阶求 度變化率，独25 準，從介電質®戶译拉昆& 了私电谷為基

V

(J 取下容^數μ部電㈣之有效面積求 中絕二電二係針對在燒成後的電容器本體上於氮環境 轭仃燒附形成Cu外部電極者，以及在再氧化 ^里後同樣地形成外部電極者施行評估。絕緣電阻 心、件係施加電壓25V、溫度25t。 、疋 =負：試驗係依如同實施例r相同的條件，同 订汗估。试料數量係設為30個。 再者，構成介電質層的BT結晶粒子與BCT結晶粒 均粒# ’係利用掃描式電子顯微鏡⑽）進行求取 磨面施行㈣，並針對該研磨面的結晶粒子利用掃描式· = 員微鏡進行觀察且施行照片拍攝。接著，將電子顯微^ -片内的結晶粒子任意選擇2(M固，利用截距法求取夂姓 晶粒子的最大直徑，並求取該等的平均值 '與〜。（從較 直控至較大直徑的90%累計值）。 針對Ca濃度，使用穿透式電子顯微鏡與附設的分析穿 置j針對中心部附近的任意地方施行分析。此時，相關 Ca濃度高於〇·4原子％者（四捨五入至小數點第2位）視為 96145836 41 200834620

Ca^辰/度較^南的介電質粒子。該分析係針對結晶粒子i〇〇 们貝鈀貝施例所用的試料將維持所使用之原料粉末的狀 帝:曰中的Mg與稀土族元素含有量，亦利用穿透式 所選擇之結晶粒子析装置進行分析。此情況，從 元夸八# 、，+ 、表面朝内部依5ηι〇間隔利用EDX實施 凡素刀析’亚求取含有量

Mg與稀土族元素合 伙此K取各結曰曰拉子中的 中心部的各元素含有二此情況，針對表面與結晶粒子 中央部係選擇高寬=仃測定，並求取比值。結晶粒子 粒子而言，將$ .以下的結晶粒子，就此種各結晶 果如表5所示取長徑與最短徑等2方向的交點附近。結 96145836 42 〔s fTtit w 3 ii IpS 链鋏 CO CO τ CO CO 1—^ 1 oo CO T 3· T ry^ οο 呀· r-jH CO 一 1 i (>a T 寸 寸 2· T 卜 T CO LO i-p LO T C<l T CO 2· T 々· LO CO T CO T LO T CO T T (>a T 1—H Si Τ' l£3 T T oo 呀· _ 黟i G ώ (ΝΙ 卜 ώ (N1 卜 ώ oi ώ <NI LO 匡 r-H CO ώ r-H D- ώ w oi , τ—H 卜 ώ cvi ώ (ΝΪ ώ od 卜 ώ cvi 卜 ώ cvj g ώ od l>- ώ oi ώ oi s ώ od 卜 ώ oi 卜 ώ oi ώ r-； I>- 0 ω 01 ώ od 卜 o ω <>d LO ώ r-H LO o ω 1—H ί ο ω τ—Η <- 1 2 σ^ CO Ο 穿 o s g 写 CO § § o 5 o ◦ CO 完 〇 OO oci o r—H 夺 LO oo 导 in 导 § 05 CO c=> o 夺 LTD oo 穿 § g 05 CO g 写 LO oo 导 o 05 CO oo CO § CO C5 ilWl fpBT α g , τ-Η CJi ώ τ—Η g ώ r-H σ> ώ i—Η CD ώ r-H ώ r*H 0¾ ώ ι—Η o s r-H g ώ r-H 05 匡 τ-Η 05 ώ GD ώ 1—H g ώ g ώ ώ CH) ώ ώ 05 ώ Oi ώ g ώ g ώ C75 匡 05 ώ g s s o ώ g ώ s <〇e- 1 S 05 οο ο g LO ◦ CO g oo oo ◦ s 〇> c^a o CO ◦ oo g oa s 夺 C=5 LO LO 5· o T—( 夺 ◦ r-H 勾 C? cz> 05 CO f.. 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UH〜13係設為 96145836 45 200834620 1150°C，於 Ν〇. ΙΠ-14 係設為 1140°C。 再者，試料係接著依300°C/h降溫速度冷卻至1〇〇{rc， 於氮環境中，mooot；施行4小時的再氧化處理，並依 300 C/h降溫速度施行冷卻，而製得電容器本體。該電容 器本體的大小係〇· 95x0. 48x0. 48mm3，介電質層厚^係 接著，將經燒成的電子零件本體施行滾筒研磨後，再對 電:零件本體二端部施行含有Cu粉末與玻璃的外部電極 糊月塗佈’並於85G°C下施行燒附，便形成外部電極。然 後，使帛電解滾鍍機，在射卜部電極表面上依序施行錢 Νι與鍍Sn，製得積層陶瓷電容器。 其次，針對該等積層陶瓷電容器，施行以下的評估。靜 電電容係依頻率L〇kHz、測定電壓1Vrms的測定條件實 施。絕緣電阻係針對在經燒成後的電容器本體上形成了外 部電極之試料、經再氧化處理後形成了外部電極之試料進 行評估。 南溫負荷試驗係依如同實施例丨的相同條件施行 估。該等試料數量均設為3 〇個。 再者’構成介電質層的BT型結晶粒子與BCT型結晶教 子之平均粒徑，係依照如同實施例丨丨相同的方法進行 取。 來 針對Ca濃度亦依照與實施例丨丨相同的方法施行分析。 結晶粒子中的Mg與稀土族元素含有量，亦依照與實施 例11相同的方法施行分析。結果如表6所示。 、 96145836 46 200834620 sf a ,f、00I鐵德 ㈣^ aagCVI: s ,A9CNIS— SS0^ 妙^ ί aοϊοζ :篇 ^ ^ $ps sss^ Λ3^ #4屮 猶< 龙 11 f

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2:丨 III 9Γη00ς 寸 196 200834620 由表6的結果得知，介電質層為由βτ結晶粒子與Βα 釔b曰粒子構成，且BT結晶粒子中所含之^與稀土族元素 較多於BCT結晶粒子，BT結晶粒子與BCT結晶粒子的變 *動係數為40%以下之試料，其高溫負荷試驗經1〇〇小時後 的絕緣電阻仍為1χ107Ω以上，且即使正燒成後，絕緣電 阻仍為108Ω以上，再氧化處理後的介電常數亦達35〇〇 以上。 相對於此，未添加微粒介電質粉末的試料，變動係數值 Γ為45%，高溫負荷試驗經10〇小時後的絕緣電阻為4χΐ〇6Ω 的較低值。此外，未添加LOS的試料Ν〇· Ιπ —丨，變動係數 值為57%，正燒成後的絕緣電阻並無法測定。 【圖式簡單說明】 圖1中，（a)係本發明積層陶瓷電容器一例的概略剖視 圖，（b)係介電質層的結晶粒子與晶界相的放大示意圖。 圖2中’（a)係構成本發明積層陶瓷電容器的介電質層 〇中相關構成第1結晶群之結晶粒子中之鎂與釔的濃度分 佈圖’（b)係構成本發明積層陶瓷電容器的介電質層中 相關構成第2結晶群之結晶粒子中之鎂與釔的濃度分 圖。 ，圖j(a)至（c-2)為本發明積層陶瓷電容器之製法一例的 【主要元件符號說明】 1 電容器本體 3 外部電極 96145836 48 200834620 5 介電質層 7 内部電極層 9 結晶粒子 9a 弟1結晶群之結晶粒子 9b 弟2結晶群之結晶粒子 11 晶界相 21 陶瓷胚片 23 内部電極圖案 25 陶瓷圖案 29 積層體 96145836 49

Claims (1)

1. 200834620 十、申請專利範園： 1 · 一種積層陶兗♦ ^ 錯積層形成，該介=器\係將介電質層與内部電極層交 瓷係以鈦酸鋇為主成八k係3有”電質陶莞’該介電質陶 自鏑、鈥、餌及釔中二’且含有鈣、•、釩及錳、與選擇 構成上述介電質陶=何稀土族元素；其特徵為， m ^、瓷的結晶係含有第1結晶群盘第£ 曰曰群，该第1結晶群筏 曰h、乐2結 物農度在〇. 2料Ux3T 鈦酸鋇Λ主成分、且上 含有以上述鈦酸鋇&主成八’、、σΒθ粒子，4第2結晶群係 以上的結晶粒子 成分、且上述繼達u原子% 在構成上述第1彡士 a _ ^ 。 述鎮與上述稀土族元、、°辛曰=曲、、°/=之表層部中所含上 1姓a群之紝日&工” /辰度（C1)，以及在構成上述第 、:：群之“曰粒子之中央部所含上述鎂與上述 ;之各濃度(C2)的咖⑴’分別大於在構成上述第2 :晶群之結晶粒子之表層部所含上述鎮與上述稀土族元 素之各濃度（C3)，與構成上述第2結晶群之結晶粒子之中 央部所含上述鎮與上述稀土族元素之各濃度（c4)的比 (C4/C3)； 且對上述’I電备陶兗表面施行研磨時的研磨面，係當 將構成上述第1結晶群之結晶粒子所佔面積設為a，將構 成上述第2結晶群之結晶粒子所佔面積設為b時，b/(a+b) 為 0 · 5 〜0 · 8 〇 2·如申請專利範圍第1項之積層陶瓷電容器，其中，上 述介電質陶瓷係更進一步含有錯。 96145836 50 200834620 3. 如申請專利範圍第！項之積層陶变電容器，直中，上 述錯的含有量’係相對於鋇的氧化物(Ba〇)、上述約的氧 化物（CaO)及上述鈦的氧化物（Ti〇2)的合計量ι〇〇莫耳 份，依Zr〇2換算含有〇· 2〜1莫耳份。 、 4. 如申請專利範圍第！項之積層陶兗電容器，其中，各 將構成上述第1結晶群與上述第2結晶群的結晶粒子平； 粒控設為X，將上述結晶粒子的粒徑標準偏差設為σ時， 變動係數（χ/σ )χ100(%)為40%以下。

   5.如申請專利範圍第1項之積層陶瓷電容器，其中，構 成上述第1結晶群之結晶粒子的平均結晶粒徑，係大於構 成上述第2結晶群之結晶粒子的平均結晶粒徑。 、 6.如申請專利範圍第1項之積層陶瓷電容器，盆中，上 述介電質陶瓷係相對於構成上述鈦酸鋇的鈦1〇〇莫耳，上 述鎂依MgG換算計含有0.5]莫耳、上述稀土族元素依 _3換算計含有G.5〜1莫耳、上缝依MnO換算計含有 0.1〜0.3莫耳、及上述釩依V2〇5換算計含有〇1〜〇4莫耳； 且構成上述第1結晶群之結晶粒子的平均結晶粒徑，係大 於構成上述第2結晶群之結晶粒子的平均結晶粒徑。 如申請專利範圍第1項之積層陶瓷電容器，其中，上 述介電質陶瓷係相對於構成上述鈦酸鋇的鈦1〇〇莫耳， 述鎂依MgO換算計含有0.5〜1莫耳、上述稀土族元素 依REA換算計含有〇·5~1莫耳、上述錳依Mn〇換算計含 有0.1〜0.3莫耳、及上述鈒依V2〇5換算計含有〇.卜〇 4 = 耳，且上述介電質陶究進一步含有鍅’該鍅含有量係相對 96145836 51 200834620 上述舞的氧化物（Ca0)及上述鈦 莫耳份，依Zr〇2換算計含有 於上述鋇的氧化物（Ba0)、 的氧化物（T i 〇2)的合計量 0· 2〜1莫耳份。 利範圍第1項之積層陶£電容器，其中，上 :::電質陶瓷：相對於構成上述鈦酸鋇的鈦⑽莫耳，上 ^ 換异计含有G.5〜1莫耳、上述稀土族元素⑽） 依KE2〇3換异計含有〇 $ 有0 1〜0 3莖且U ·莫耳、上述錳依MnO換算計含 耳，且將構A 述飢依V2〇5換算計含有0.1〜0.4莫 子平均粒述弟1結晶群與上述第2結晶群的結晶粒 σ時二’X ’將上述結晶粒子的粒徑標準偏差設為 又動係數（χ/σ)χΐ00(%)為4〇%以下。

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