JP2003146744A - 低温焼成用誘電体磁器の比誘電率の管理方法、低温焼成用誘電体磁器および電子部品 - Google Patents
低温焼成用誘電体磁器の比誘電率の管理方法、低温焼成用誘電体磁器および電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＢａＯ−ＴｉＯ2 −ＲＥ2 Ｏ3系の組成物を主
成分とする低温焼成用誘電体磁器において、比誘電率の
バラツキを低減し、製造歩留りを向上できるようにす
る。 【解決手段】ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ａ）
ＲＥ2 Ｏ3 ・ａＢｉ2 Ｏ3 〕（ＲＥは、希土類金属元素
を示す；０．１０≦ｘ≦０．２０；０．６０≦ｙ≦０．
７５；０．１０≦ｚ≦０．２５；ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０≦
ａ≦０．３）によって表わされる組成物を主成分とする
低温焼成用誘電体磁器の比誘電率を管理するために、組
成物１００重量部に対するジルコニアの含有量を０．１
１重量部以上、０．５０重量部以下に制御する。
成分とする低温焼成用誘電体磁器において、比誘電率の
バラツキを低減し、製造歩留りを向上できるようにす
る。 【解決手段】ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ａ）
ＲＥ2 Ｏ3 ・ａＢｉ2 Ｏ3 〕（ＲＥは、希土類金属元素
を示す；０．１０≦ｘ≦０．２０；０．６０≦ｙ≦０．
７５；０．１０≦ｚ≦０．２５；ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０≦
ａ≦０．３）によって表わされる組成物を主成分とする
低温焼成用誘電体磁器の比誘電率を管理するために、組
成物１００重量部に対するジルコニアの含有量を０．１
１重量部以上、０．５０重量部以下に制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低温焼成用誘電体
磁器の比誘電率の管理方法、低温焼成用誘電体磁器およ
び電子部品に関するものである。
磁器の比誘電率の管理方法、低温焼成用誘電体磁器およ
び電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ストリップライン型フィルタの
如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するのに際
しては、内層導体と誘電体磁器との同時焼成が必要とな
る。例えば、内層導体としてＡｇ−Ｐｄ系合金またはＡ
ｇ−Ｐｔ系合金を使用するには、誘電体磁器組成物の焼
成温度は１０００℃以下とする必要がある。特に導通抵
抗の低いＡｇを金属単体として使用するためには、誘電
体磁器の焼成温度は９２０℃以下とする必要がある。こ
のため、低い焼成温度で焼結可能であり、高周波特性に
優れた誘電体磁器組成物が必要である。
如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するのに際
しては、内層導体と誘電体磁器との同時焼成が必要とな
る。例えば、内層導体としてＡｇ−Ｐｄ系合金またはＡ
ｇ−Ｐｔ系合金を使用するには、誘電体磁器組成物の焼
成温度は１０００℃以下とする必要がある。特に導通抵
抗の低いＡｇを金属単体として使用するためには、誘電
体磁器の焼成温度は９２０℃以下とする必要がある。こ
のため、低い焼成温度で焼結可能であり、高周波特性に
優れた誘電体磁器組成物が必要である。
【０００３】本出願人は、特開平５−３１９９２２号公
報において、高い比誘電率を有する、低温焼成可能な磁
器を開示した。この磁器は、ＢａＯ−ＴｉＯ2−ＲＥ2
Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ３系の組成物を主成分とし、ＺｎＯ−Ｂ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを副成分として含有するもので
ある。
報において、高い比誘電率を有する、低温焼成可能な磁
器を開示した。この磁器は、ＢａＯ−ＴｉＯ2−ＲＥ2
Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ３系の組成物を主成分とし、ＺｎＯ−Ｂ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを副成分として含有するもので
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、この種の
組成系について、各種特性の最適化を研究しており、例
えばＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２結晶相を示す組成系の磁器
を検討していた。この磁器では、例えば７８程度の比誘
電率が得られる。しかし、この磁器の量産を検討する過
程で、次の問題点を見いだすに至った。即ち、磁器の原
料粉末を混合する過程においては、まず前記の各金属元
素の酸化物の粉末を混合して混合粉末を得、この混合粉
末を仮焼し、仮焼物を解砕し、次いで粉砕する。この粉
砕の際には、玉石としてジルコニア玉石を使用している
ために、磁器組成物中に不可避的にジルコニアが混入す
る。また、他の源からジルコニアが磁器組成物中に混入
する可能性もある。ジルコニアが磁器組成物中に混入す
ると、結晶粒界に析出し、磁器が焼結しにくくなる。従
って、目的の比誘電率を有する磁器の最低焼成温度が上
昇すると考えられる。言い換えると、低温で焼結を行っ
た場合には、目的の比誘電率が得られないことになる。
このため、磁器の製造プロセスにおいて、ジルコニアの
混入を可能な限り低減することが行われてきた。
組成系について、各種特性の最適化を研究しており、例
えばＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２結晶相を示す組成系の磁器
を検討していた。この磁器では、例えば７８程度の比誘
電率が得られる。しかし、この磁器の量産を検討する過
程で、次の問題点を見いだすに至った。即ち、磁器の原
料粉末を混合する過程においては、まず前記の各金属元
素の酸化物の粉末を混合して混合粉末を得、この混合粉
末を仮焼し、仮焼物を解砕し、次いで粉砕する。この粉
砕の際には、玉石としてジルコニア玉石を使用している
ために、磁器組成物中に不可避的にジルコニアが混入す
る。また、他の源からジルコニアが磁器組成物中に混入
する可能性もある。ジルコニアが磁器組成物中に混入す
ると、結晶粒界に析出し、磁器が焼結しにくくなる。従
って、目的の比誘電率を有する磁器の最低焼成温度が上
昇すると考えられる。言い換えると、低温で焼結を行っ
た場合には、目的の比誘電率が得られないことになる。
このため、磁器の製造プロセスにおいて、ジルコニアの
混入を可能な限り低減することが行われてきた。
【０００５】ところが、このようにして得られた磁器の
比誘電率にバラツキが生じやすく、このために磁器の比
誘電率が仕様の範囲から外れ、不良品となる場合が多
く、このために製品の歩留りが低下していた。
比誘電率にバラツキが生じやすく、このために磁器の比
誘電率が仕様の範囲から外れ、不良品となる場合が多
く、このために製品の歩留りが低下していた。
【０００６】本発明の課題は、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒ
Ｅ2 Ｏ3系の組成物を主成分とする低温焼成用誘電体磁
器において、比誘電率のバラツキを低減し、製造歩留り
を向上できるようにすることである。
Ｅ2 Ｏ3系の組成物を主成分とする低温焼成用誘電体磁
器において、比誘電率のバラツキを低減し、製造歩留り
を向上できるようにすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ｘＢａＯ・ｙ
ＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ａ）ＲＥ2 Ｏ3 ・ａＢｉ
2 Ｏ3 〕（ＲＥは、希土類金属元素を示す；０．１０≦
ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５；０．１０≦ｚ
≦０．２５；ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０≦ａ≦０．３０）によ
って表わされる組成物を主成分とする低温焼成用誘電体
磁器の比誘電率を管理する方法であって、前記組成物１
００重量部に対するジルコニアの含有量を０．１１重量
部以上、０．５０重量部以下に制御することによって、
磁器の比誘電率を管理する方法に係るものである。
ＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ａ）ＲＥ2 Ｏ3 ・ａＢｉ
2 Ｏ3 〕（ＲＥは、希土類金属元素を示す；０．１０≦
ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７５；０．１０≦ｚ
≦０．２５；ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０≦ａ≦０．３０）によ
って表わされる組成物を主成分とする低温焼成用誘電体
磁器の比誘電率を管理する方法であって、前記組成物１
００重量部に対するジルコニアの含有量を０．１１重量
部以上、０．５０重量部以下に制御することによって、
磁器の比誘電率を管理する方法に係るものである。
【０００８】また、本発明は、ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2
・ｚ〔（１−ａ）ＲＥ2Ｏ3 ・ａＢｉ2 Ｏ3 〕（ＲＥ
は、希土類金属元素を示す；０．１０≦ｘ≦０．２０，
０．６０≦ｙ≦０．７５；０．１０≦ｚ≦０．２５；ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１；０≦ａ≦０．３０）によって表わされる
組成物を主成分とする低温焼成用誘電体磁器であって、
前記組成物１００重量部に対して０．１１重量部以上、
０．５０重量部以下のジルコニアを含有することを特徴
とする、低温焼成用誘電体磁器に係るものである。
・ｚ〔（１−ａ）ＲＥ2Ｏ3 ・ａＢｉ2 Ｏ3 〕（ＲＥ
は、希土類金属元素を示す；０．１０≦ｘ≦０．２０，
０．６０≦ｙ≦０．７５；０．１０≦ｚ≦０．２５；ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１；０≦ａ≦０．３０）によって表わされる
組成物を主成分とする低温焼成用誘電体磁器であって、
前記組成物１００重量部に対して０．１１重量部以上、
０．５０重量部以下のジルコニアを含有することを特徴
とする、低温焼成用誘電体磁器に係るものである。
【０００９】また、本発明は、前記の低温焼成用誘電体
磁器を備えていることを特徴とする、電子部品に係るも
のである。
磁器を備えていることを特徴とする、電子部品に係るも
のである。
【００１０】本発明者は、従来の製造プロセスにおい
て、誘電体磁器の比誘電率が比較的に大きく変動し、不
良品が発生する原因について検討したところ、以下の知
見に至った。即ち、誘電体磁器を構成する各種酸化物成
分について、種々変動させて実験した場合には、誘電体
磁器の比誘電率の変動を説明できるような知見は特に得
られなかった。しかし、誘電体磁器に含有されるジルコ
ニアの量が、０．１０重量部以下という極微量の場合
に、比誘電率が大きく不規則に変動することを発見し
た。
て、誘電体磁器の比誘電率が比較的に大きく変動し、不
良品が発生する原因について検討したところ、以下の知
見に至った。即ち、誘電体磁器を構成する各種酸化物成
分について、種々変動させて実験した場合には、誘電体
磁器の比誘電率の変動を説明できるような知見は特に得
られなかった。しかし、誘電体磁器に含有されるジルコ
ニアの量が、０．１０重量部以下という極微量の場合
に、比誘電率が大きく不規則に変動することを発見し
た。
【００１１】従来の製造プロセスにおいては、前述した
理由から、誘電体磁器の焼結性の低下を防止するため
に、ジルコニアの含有量を可能な限り低減することが行
われれてきた。なぜなら、ジルコニアの混入量が多い
と、誘電体磁器の比誘電率が低下するが、ジルコニアの
混入量が微量である場合には、誘電体磁器の焼結性に大
きく影響するような理由がなく、このために比誘電率を
変動させる要因とはならないものと考えられるからであ
る。
理由から、誘電体磁器の焼結性の低下を防止するため
に、ジルコニアの含有量を可能な限り低減することが行
われれてきた。なぜなら、ジルコニアの混入量が多い
と、誘電体磁器の比誘電率が低下するが、ジルコニアの
混入量が微量である場合には、誘電体磁器の焼結性に大
きく影響するような理由がなく、このために比誘電率を
変動させる要因とはならないものと考えられるからであ
る。
【００１２】ところが、例えば図１に示すように、ジル
コニア含有量が０．１０重量部以下という領域におい
て、比誘電率が大きく変動していることを発見した。し
かも、０．１０重量部以下の領域においては、比誘電率
が、ジルコニア含有量に対して正比例しておらず、単調
減少もしておらず、不規則に変化していることを発見し
た。これと共に、ジルコニア含有量が０．１０重量部を
超える場合には、比誘電率の変化は非常に小さくなり、
かつその変化が滑らかになることを見いだした。このよ
うに、ジルコニアの含有量が極微量の場合に、比誘電率
に対して顕著かつ不規則な変動をもたらすことは知られ
ていない。
コニア含有量が０．１０重量部以下という領域におい
て、比誘電率が大きく変動していることを発見した。し
かも、０．１０重量部以下の領域においては、比誘電率
が、ジルコニア含有量に対して正比例しておらず、単調
減少もしておらず、不規則に変化していることを発見し
た。これと共に、ジルコニア含有量が０．１０重量部を
超える場合には、比誘電率の変化は非常に小さくなり、
かつその変化が滑らかになることを見いだした。このよ
うに、ジルコニアの含有量が極微量の場合に、比誘電率
に対して顕著かつ不規則な変動をもたらすことは知られ
ていない。
【００１３】この結果に基づいて考察すると、従来はジ
ルコニアの含有量の低減を試みた結果として、ジルコニ
アの含有量が０．１０重量部以下にまで低減されたため
に、かえって比誘電率が大きく変動する結果を招いてた
いものと推定できる。
ルコニアの含有量の低減を試みた結果として、ジルコニ
アの含有量が０．１０重量部以下にまで低減されたため
に、かえって比誘電率が大きく変動する結果を招いてた
いものと推定できる。
【００１４】本発明者は、ジルコニア含有量とＱ値との
関係を調査した結果、図２に示すように、ジルコニア含
有量が０．１０重量部以下の範囲において極端な変動は
見られないことを確認した。
関係を調査した結果、図２に示すように、ジルコニア含
有量が０．１０重量部以下の範囲において極端な変動は
見られないことを確認した。
【００１５】これと共に、得られた誘電体磁器結晶相の
ａ軸の格子定数を測定したところ、例えば図３に示すよ
うな結果が得られた。図３において、横軸はジルコニア
含有量を示し、縦軸は、ＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２結晶相
のａ軸の格子定数を示している。この結果から分かるよ
うに、ジルコニア含有量が０．１０重量部以下の領域で
は、ジルコニア含有率の増加に対して、ａ軸の格子定数
が比例的に減少している。Nd3+の6配位イオン半径は0.9
0オングストローム、Zr4+の6配位イオン半径は0.79オン
グストロームであり、ＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２結晶相へ
のZrO2の固溶により格子定数が減少したと考えられる。
ジルコニア含有率が0.10重量部を超えるとａ軸の格子定
数はほとんど変化しない。
ａ軸の格子定数を測定したところ、例えば図３に示すよ
うな結果が得られた。図３において、横軸はジルコニア
含有量を示し、縦軸は、ＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２結晶相
のａ軸の格子定数を示している。この結果から分かるよ
うに、ジルコニア含有量が０．１０重量部以下の領域で
は、ジルコニア含有率の増加に対して、ａ軸の格子定数
が比例的に減少している。Nd3+の6配位イオン半径は0.9
0オングストローム、Zr4+の6配位イオン半径は0.79オン
グストロームであり、ＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２結晶相へ
のZrO2の固溶により格子定数が減少したと考えられる。
ジルコニア含有率が0.10重量部を超えるとａ軸の格子定
数はほとんど変化しない。
【００１６】従って、ジルコニア含有量が０．１０重量
部に達するまでは、結晶中へのジルコニアの固溶量がジ
ルコニア含有量にほぼ比例すると考えられ、このために
ａ軸の格子定数がジルコニア含有量にほぼ比例して減少
するものと考えられる。これに対して、ジルコニア含有
量が０．１０重量部を超えると、ジルコニア元素の結晶
中への固溶が飽和し、ａ軸の格子定数が変化しなくなる
ものと思われる。そして、結晶中に固溶しないジルコニ
ア元素が、粒界相に析出するものと思われる。この粒界
相へのジルコニアの析出に伴い、図１に示すように、比
誘電率は若干低下する傾向を示す。しかし、ジルコニア
含有量が０．５０重量部以下という微量領域において
は、ジルコニアの粒界相への析出による焼結性や比誘電
率への影響は少ないことも分かる。
部に達するまでは、結晶中へのジルコニアの固溶量がジ
ルコニア含有量にほぼ比例すると考えられ、このために
ａ軸の格子定数がジルコニア含有量にほぼ比例して減少
するものと考えられる。これに対して、ジルコニア含有
量が０．１０重量部を超えると、ジルコニア元素の結晶
中への固溶が飽和し、ａ軸の格子定数が変化しなくなる
ものと思われる。そして、結晶中に固溶しないジルコニ
ア元素が、粒界相に析出するものと思われる。この粒界
相へのジルコニアの析出に伴い、図１に示すように、比
誘電率は若干低下する傾向を示す。しかし、ジルコニア
含有量が０．５０重量部以下という微量領域において
は、ジルコニアの粒界相への析出による焼結性や比誘電
率への影響は少ないことも分かる。
【００１７】上記の知見に立脚し、前記組成系の低温焼
成用誘電体磁器を製造するのに際して、組成物１００重
量部に対するジルコニアの含有量を０．１１重量部以
上、０．５０重量部以下に制御することによって、磁器
の比誘電率を狭い範囲に管理することができ、これによ
って製造プロセスにおける不良品の発生を低減できるこ
とを見いだし、本発明に到達した。このような管理を行
うことによって、誘電体磁器の比誘電率を目標値の近傍
に制御でき、不良品の発生を低減できるようになった。
成用誘電体磁器を製造するのに際して、組成物１００重
量部に対するジルコニアの含有量を０．１１重量部以
上、０．５０重量部以下に制御することによって、磁器
の比誘電率を狭い範囲に管理することができ、これによ
って製造プロセスにおける不良品の発生を低減できるこ
とを見いだし、本発明に到達した。このような管理を行
うことによって、誘電体磁器の比誘電率を目標値の近傍
に制御でき、不良品の発生を低減できるようになった。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器の基本組成
は、以下の通りである。ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚ
〔（１−ａ）ＲＥ2 Ｏ3 ・ａＢｉ2 Ｏ3 〕
は、以下の通りである。ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚ
〔（１−ａ）ＲＥ2 Ｏ3 ・ａＢｉ2 Ｏ3 〕
【００１９】ＢａＯの含有量が１０モル％よりも少なく
なると（ｘ＜０．１０）、得られる誘電体磁器の比誘電
率が低くなってしまう。一方、２０モル％を越えるよう
になると（ｘ＞０．２０）、共振周波数の温度係数が大
きくなり過ぎてしまう。
なると（ｘ＜０．１０）、得られる誘電体磁器の比誘電
率が低くなってしまう。一方、２０モル％を越えるよう
になると（ｘ＞０．２０）、共振周波数の温度係数が大
きくなり過ぎてしまう。
【００２０】ＴｉＯ2 の含有量が６０モル％未満とな
ると（ｙ＜０．６０）、焼結が困難となって、緻密な焼
結体が得られなくなる。一方、７５モル％を越えるよう
になると（ｙ＞０．７５）、共振周波数の温度係数が正
の方向に大きくなり過ぎてしまう。
ると（ｙ＜０．６０）、焼結が困難となって、緻密な焼
結体が得られなくなる。一方、７５モル％を越えるよう
になると（ｙ＞０．７５）、共振周波数の温度係数が正
の方向に大きくなり過ぎてしまう。
【００２１】ＲＥ2 Ｏ3 とＢｉ2 Ｏ3 の合計量が１０モ
ル％よりも少なくなると（ｚ＜０．１０）、共振周波数
の温度係数が正に大きくなり過ぎる。この合計量が２５
モル％を越えると（ｚ＞０．２５）、誘電体磁器の焼結
性が悪く、比誘電率が小さくなる。
ル％よりも少なくなると（ｚ＜０．１０）、共振周波数
の温度係数が正に大きくなり過ぎる。この合計量が２５
モル％を越えると（ｚ＞０．２５）、誘電体磁器の焼結
性が悪く、比誘電率が小さくなる。
【００２２】ＲＥは、希土類金属元素を示し、サマリウ
ム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウ
ム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、ユーロピ
ウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホ
ルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよ
びルテチウムからなる群より選ばれた一種以上の元素で
ある。好ましくは、ＲＥが、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｃｅお
よびＰｒからなる群より選ばれた一種以上の元素であ
る。
ム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウ
ム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、ユーロピ
ウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホ
ルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよ
びルテチウムからなる群より選ばれた一種以上の元素で
ある。好ましくは、ＲＥが、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｃｅお
よびＰｒからなる群より選ばれた一種以上の元素であ
る。
【００２３】特に好ましくは、ＲＥが、Ｎｄ、ＮｄとＳ
ｍとの組み合わせ、ＮｄとＬａとの組み合わせである。
Ｎｄを使用する場合や、Ｎｄと共にＳｍ及び／又はＬａ
を組み合わせて用いる場合には、高い比誘電率、無負荷
Ｑを保ったまま、共振周波数の温度係数を制御すること
ができる。ただし、Ｓｍ及び／またはＬａをＮｄと組み
合わせる場合には、ＲＥ全体に占めるＳｍ又はＬａの割
合を２０モル％以下にすることが望ましい。なお、ＲＥ
としてＣｅを用いる場合には、四価の原子に換算して
（ＣｅＯ２として）計算されることとなる。
ｍとの組み合わせ、ＮｄとＬａとの組み合わせである。
Ｎｄを使用する場合や、Ｎｄと共にＳｍ及び／又はＬａ
を組み合わせて用いる場合には、高い比誘電率、無負荷
Ｑを保ったまま、共振周波数の温度係数を制御すること
ができる。ただし、Ｓｍ及び／またはＬａをＮｄと組み
合わせる場合には、ＲＥ全体に占めるＳｍ又はＬａの割
合を２０モル％以下にすることが望ましい。なお、ＲＥ
としてＣｅを用いる場合には、四価の原子に換算して
（ＣｅＯ２として）計算されることとなる。
【００２４】本発明においては、Ｂｉ2 Ｏ3 によってＲ
Ｅ2 Ｏ3を置換する必要はなく、つまりａは０であって
もよい。この場合には、上記一般式は、以下のように表
記できる。ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ3
Ｅ2 Ｏ3を置換する必要はなく、つまりａは０であって
もよい。この場合には、上記一般式は、以下のように表
記できる。ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚＲＥ2 Ｏ3
【００２５】この場合、特に好適な実施形態において
も、磁器の主結晶相はＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２である。
も、磁器の主結晶相はＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２である。
【００２６】Ｂｉ2 Ｏ3 によってＲＥ2 Ｏ3 を置換した
場合には、比誘電率を増加させ、共振周波数の温度係数
を小さくすることができる。この観点からは、ａが０．
０５以上であることが好ましい。また、ａは０．３０以
下とする。
場合には、比誘電率を増加させ、共振周波数の温度係数
を小さくすることができる。この観点からは、ａが０．
０５以上であることが好ましい。また、ａは０．３０以
下とする。
【００２７】本発明の誘電体磁器は、上記組成を基本組
成としている。そして、この組成の合計量を１００重量
部としたときに、誘電体磁器中のジルコニアの含有量を
０．１１重量部以上、０．５０重量部以下に制御する。
成としている。そして、この組成の合計量を１００重量
部としたときに、誘電体磁器中のジルコニアの含有量を
０．１１重量部以上、０．５０重量部以下に制御する。
【００２８】本発明の作用効果の観点からは、ジルコニ
ア含有量を０．１５重量部以上とすることが更に好まし
い。また、誘電体磁器のＱ値を高く維持するという観点
からは、ジルコニア含有量を０．４０重量部以下とする
ことが更に好ましい。
ア含有量を０．１５重量部以上とすることが更に好まし
い。また、誘電体磁器のＱ値を高く維持するという観点
からは、ジルコニア含有量を０．４０重量部以下とする
ことが更に好ましい。
【００２９】本発明においては、磁器の比誘電率を目標
値±１．０の範囲内に管理することが可能である。例え
ば、磁器の比誘電率の目標値を７８．０とした場合に
は、比誘電率を７７．０〜７９．０の範囲内に制御する
ことが可能である。好適な実施形態においては、誘電体
磁器の比誘電率は、目標値±０．５の範囲に制御可能で
ある。好適な実施形態においては、目標値は、77.5以上
が好ましく、78.5以下が好ましい。
値±１．０の範囲内に管理することが可能である。例え
ば、磁器の比誘電率の目標値を７８．０とした場合に
は、比誘電率を７７．０〜７９．０の範囲内に制御する
ことが可能である。好適な実施形態においては、誘電体
磁器の比誘電率は、目標値±０．５の範囲に制御可能で
ある。好適な実施形態においては、目標値は、77.5以上
が好ましく、78.5以下が好ましい。
【００３０】本発明の誘電体磁器中には、前述した金属
酸化物以外の金属の酸化物を含有させることができる。
この他の金属酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化
鉄、酸化マンガン、酸化クロム、酸化亜鉛、酸化錫を例
示できる。この他の金属酸化物の含有量は、前記基本組
成を１００重量部としたとき、３重量部以下とすること
が好ましく、２．５重量部以下とすることが更に好まし
く、２重量部以下すとることが特に好ましい。
酸化物以外の金属の酸化物を含有させることができる。
この他の金属酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化
鉄、酸化マンガン、酸化クロム、酸化亜鉛、酸化錫を例
示できる。この他の金属酸化物の含有量は、前記基本組
成を１００重量部としたとき、３重量部以下とすること
が好ましく、２．５重量部以下とすることが更に好まし
く、２重量部以下すとることが特に好ましい。
【００３１】本発明の磁器には、前述の金属酸化物に加
えて、ガラス成分を添加できる。こうしたガラス成分と
してはＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスが好まし
い。
えて、ガラス成分を添加できる。こうしたガラス成分と
してはＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスが好まし
い。
【００３２】本磁器の基本組成１００重量部に対して、
ガラス成分を、０．１重量部以上、（１８−６２．５
ａ）重量部以下（０≦ａ≦０．２のとき）または５．５
重量部以下（０．２＜ａ≦０．３のとき）添加すること
が好ましい。これによって、誘電体磁器の最適焼成温度
を１０００℃以下、更には９２０℃以下に低減できる。
ガラス成分を、０．１重量部以上、（１８−６２．５
ａ）重量部以下（０≦ａ≦０．２のとき）または５．５
重量部以下（０．２＜ａ≦０．３のとき）添加すること
が好ましい。これによって、誘電体磁器の最適焼成温度
を１０００℃以下、更には９２０℃以下に低減できる。
【００３３】ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを
使用する場合には、３０〜８５重量％の酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）と、５〜５０重量％の酸化ホウ素（Ｂ2 Ｏ3）と、
２〜４０重量％の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）との組成を有
するものが好ましい。これは以下のように表記できる。 ｋＺｎＯ−ｍＢ2 Ｏ3 −ｎＳｉＯ2 （０．３０≦ｋ≦０．８５：０．０５≦ｍ≦０．５０：
０．０２≦ｎ≦０．４０：ｋ＋ｍ＋ｎ＝１．００）
使用する場合には、３０〜８５重量％の酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）と、５〜５０重量％の酸化ホウ素（Ｂ2 Ｏ3）と、
２〜４０重量％の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）との組成を有
するものが好ましい。これは以下のように表記できる。 ｋＺｎＯ−ｍＢ2 Ｏ3 −ｎＳｉＯ2 （０．３０≦ｋ≦０．８５：０．０５≦ｍ≦０．５０：
０．０２≦ｎ≦０．４０：ｋ＋ｍ＋ｎ＝１．００）
【００３４】特に好ましくは、以下の組成のガラスを採
用する。 ｋＺｎＯ−ｍＢ2 Ｏ3 −ｎＳｉＯ2 （０．４０≦ｋ≦０．７５：０．１０≦ｍ≦０．４０：
０．０５≦ｎ≦０．３０：ｋ＋ｍ＋ｎ＝１．００）
用する。 ｋＺｎＯ−ｍＢ2 Ｏ3 −ｎＳｉＯ2 （０．４０≦ｋ≦０．７５：０．１０≦ｍ≦０．４０：
０．０５≦ｎ≦０．３０：ｋ＋ｍ＋ｎ＝１．００）
【００３５】ガラス成分には、各種金属酸化物の如き不
純物の含有が許容される。しかし、そのような不純物の
含有量は、ガラスに対して１０重量％以下の割合とされ
るべきである。
純物の含有が許容される。しかし、そのような不純物の
含有量は、ガラスに対して１０重量％以下の割合とされ
るべきである。
【００３６】本発明の誘電体磁器を製造する際には、金
属酸化物を秤量し、混合し、仮焼した仮焼物を得、この
仮焼物を解砕し、次いで粉砕して所望粒径の仮焼粉末を
得る。ここで、仮焼物の粉砕に際しては、ジルコニア製
の玉石を使用したボールミルを用いることが好ましく、
媒体攪拌ミルを用いることがさらに好ましい。
属酸化物を秤量し、混合し、仮焼した仮焼物を得、この
仮焼物を解砕し、次いで粉砕して所望粒径の仮焼粉末を
得る。ここで、仮焼物の粉砕に際しては、ジルコニア製
の玉石を使用したボールミルを用いることが好ましく、
媒体攪拌ミルを用いることがさらに好ましい。
【００３７】仮焼温度は、１０５０℃以上とすることが
好ましく、１３５０℃以下とすることが好ましい。
好ましく、１３５０℃以下とすることが好ましい。
【００３８】次いで、仮焼粉末に対して所定のガラス成
分を添加し、混合して混合物を得る。この混合物を乾
燥、造粒し、造粒粉末を成形して成形体を得る。この成
形体を、１０００℃以下、好ましくは９２０℃以下の温
度で焼結し、誘電体磁器を得る。
分を添加し、混合して混合物を得る。この混合物を乾
燥、造粒し、造粒粉末を成形して成形体を得る。この成
形体を、１０００℃以下、好ましくは９２０℃以下の温
度で焼結し、誘電体磁器を得る。
【００３９】本発明において、誘電体磁器中のジルコニ
ア含有量を制御するためには、以下の方法を採用でき
る。 （１）各金属酸化物の各原料粉末中の各ジルコニア含有
量を調節する。 （２）原料粉末に対して、所定量のジルコニア粉末を添
加する。 （３）仮焼粉末を粉砕する際に使用する玉石の材質をジ
ルコニアとした場合には、玉石の粒径、玉石の個数、玉
石の緻密度と粉砕装置の回転数、冷却温度、を調節す
る。 （４）仮焼粉末を粉砕する際に使用する玉石の材質をジ
ルコニアとした場合には、解砕時間、解砕用のミルの出
力を調節する。
ア含有量を制御するためには、以下の方法を採用でき
る。 （１）各金属酸化物の各原料粉末中の各ジルコニア含有
量を調節する。 （２）原料粉末に対して、所定量のジルコニア粉末を添
加する。 （３）仮焼粉末を粉砕する際に使用する玉石の材質をジ
ルコニアとした場合には、玉石の粒径、玉石の個数、玉
石の緻密度と粉砕装置の回転数、冷却温度、を調節す
る。 （４）仮焼粉末を粉砕する際に使用する玉石の材質をジ
ルコニアとした場合には、解砕時間、解砕用のミルの出
力を調節する。
【００４０】本発明の誘電体磁器は電子部品に対して適
用できる。電子部品としては、以下を例示できる。 （１）誘電体磁器と、誘電体磁器と同時焼成することに
より誘電体磁器内に形成された導体パターンを有する誘
電体共振器。この導体パターンの材質は、Ａｇ−Ｐｄ系
合金、Ａｇ−Ｐｔ系合金、Ａｇ単体が好ましい。 （２）前記誘電体共振器からなる誘電体フィルター
用できる。電子部品としては、以下を例示できる。 （１）誘電体磁器と、誘電体磁器と同時焼成することに
より誘電体磁器内に形成された導体パターンを有する誘
電体共振器。この導体パターンの材質は、Ａｇ−Ｐｄ系
合金、Ａｇ−Ｐｔ系合金、Ａｇ単体が好ましい。 （２）前記誘電体共振器からなる誘電体フィルター
【００４１】
【実施例】高純度の炭酸バリウム、酸化チタン、酸化ネ
オジム、酸化ビスマスの各粉末を、ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ
2・ｚ〔（１−ａ）Ｎｄ2 Ｏ3 ・ａＢｉ2 Ｏ3 〕（ｘ＝
１／７：ｙ＝４／７：ｚ＝２／７：ａ＝0.18）の組成と
なるようにそれぞれ秤量した。各原料粉末を、ボールミ
ルの中にジルコニア玉石と共に投入し、純水を加え、湿
式混合した。次いで、得られた混合物をポットから取り
出し、乾燥した後、アルミナ製ルツボに入れ、1300℃で
４時間、空気雰囲気下に仮焼した。次いで、得られた仮
焼物を解砕し、ジルコニア玉石を用いた媒体攪拌ミルに
て、レーザー回折散乱法を利用して測定される平均粒子
径が０．４〜１．０μｍになるまで粉砕を行ない、仮焼
粉砕物を得た。
オジム、酸化ビスマスの各粉末を、ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ
2・ｚ〔（１−ａ）Ｎｄ2 Ｏ3 ・ａＢｉ2 Ｏ3 〕（ｘ＝
１／７：ｙ＝４／７：ｚ＝２／７：ａ＝0.18）の組成と
なるようにそれぞれ秤量した。各原料粉末を、ボールミ
ルの中にジルコニア玉石と共に投入し、純水を加え、湿
式混合した。次いで、得られた混合物をポットから取り
出し、乾燥した後、アルミナ製ルツボに入れ、1300℃で
４時間、空気雰囲気下に仮焼した。次いで、得られた仮
焼物を解砕し、ジルコニア玉石を用いた媒体攪拌ミルに
て、レーザー回折散乱法を利用して測定される平均粒子
径が０．４〜１．０μｍになるまで粉砕を行ない、仮焼
粉砕物を得た。
【００４２】一方、高純度の酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸
化珪素を、ＺｎＯ：６５重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２５重量
％、ＳｉＯ2 ：１０重量％の比率となるように秤量
し、アルミナ製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入
し、乾式混合した。次いで、得られた混合物を、シャモ
ットルツボの中で融解させ、水中に投入して急冷し、ガ
ラス化した。得られたガラスを、アルミナ製ポットの中
にアルミナ玉石と共に投入し、エタノール中で平均粒子
径が４μｍになるまで粉砕することにより、ガラス粉末
を得た。
化珪素を、ＺｎＯ：６５重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２５重量
％、ＳｉＯ2 ：１０重量％の比率となるように秤量
し、アルミナ製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入
し、乾式混合した。次いで、得られた混合物を、シャモ
ットルツボの中で融解させ、水中に投入して急冷し、ガ
ラス化した。得られたガラスを、アルミナ製ポットの中
にアルミナ玉石と共に投入し、エタノール中で平均粒子
径が４μｍになるまで粉砕することにより、ガラス粉末
を得た。
【００４３】上記した仮焼粉砕物とガラス粉末とを、ジ
ルコニア玉石と共にボールミルの中に投入し、純水を加
え、湿式混合した。基本組成１００重量部に対するガラ
ス成分の添加量は2重量部とした。この際、バインダー
としてポリビニルアルコールを１重量％加えた。得られ
た混合物を乾燥した後、目開き３５５μｍのふるいを通
し、造粒した。
ルコニア玉石と共にボールミルの中に投入し、純水を加
え、湿式混合した。基本組成１００重量部に対するガラ
ス成分の添加量は2重量部とした。この際、バインダー
としてポリビニルアルコールを１重量％加えた。得られ
た混合物を乾燥した後、目開き３５５μｍのふるいを通
し、造粒した。
【００４４】得られた造粒粉体を、プレス成形機を用い
て、面圧：１ｔ／ｃｍ2にて成形し、直径２０ｍｍφ×
厚さ１５ｍｍt の円板状の試験片を得た。次いで、この
試験片を、空気中において９００℃の温度で２時間焼成
することにより、誘電体磁器のサンプルを作製した。
て、面圧：１ｔ／ｃｍ2にて成形し、直径２０ｍｍφ×
厚さ１５ｍｍt の円板状の試験片を得た。次いで、この
試験片を、空気中において９００℃の温度で２時間焼成
することにより、誘電体磁器のサンプルを作製した。
【００４５】このサンプルを8ｍｍφ×4ｍｍt の大きさ
の円板状に研磨し、その誘電体特性を測定した。比誘電
率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行導体板型誘電体共振器法
によって測定した。測定周波数は、２〜４ＧＨｚであ
る。また、ＢａＴｉ ４Ｎｄ２Ｏ１２結晶のａ軸の格子定
数を、以下のようにして測定した。また、ジルコニア含
有量を以下のようにして測定した。これらの測定結果
を、表１および図１〜３に示す。
の円板状に研磨し、その誘電体特性を測定した。比誘電
率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行導体板型誘電体共振器法
によって測定した。測定周波数は、２〜４ＧＨｚであ
る。また、ＢａＴｉ ４Ｎｄ２Ｏ１２結晶のａ軸の格子定
数を、以下のようにして測定した。また、ジルコニア含
有量を以下のようにして測定した。これらの測定結果
を、表１および図１〜３に示す。
【００４６】（ＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｎｄ２Ｏ１２結晶相の
ａ軸の格子定数）格子定数測定条件は、以下のとおりで
ある。 Ｘ線回折装置名： RIGAKU製「RINT2500」 管球：Cu 管電圧：50kV 管電流：300mA モノクロメーター：入射側Ｇｅ 発散スリット：1/2deg 散乱スリット：1/2deg 受光スリット：0.15ｍｍ ステップ：0.02deg 計数時間：7.00sec 格子定数計算用ソフト リガク製：JADE5
ａ軸の格子定数）格子定数測定条件は、以下のとおりで
ある。 Ｘ線回折装置名： RIGAKU製「RINT2500」 管球：Cu 管電圧：50kV 管電流：300mA モノクロメーター：入射側Ｇｅ 発散スリット：1/2deg 散乱スリット：1/2deg 受光スリット：0.15ｍｍ ステップ：0.02deg 計数時間：7.00sec 格子定数計算用ソフト リガク製：JADE5
【００４７】（ジルコニア含有量）試料を酸溶解し、不
溶解残さをろ過してろ液（１）を得る。不溶解残さはア
ルカリ融解後、酸溶解して溶液（２）を作製する。ろ液
（１）及び不溶解残さ融解液（２）のそれぞれの溶液中
のジルコニウム量を誘導結合プラズマ発光分析装置（Ｉ
ＰＣ−ＡＥＳ）で測定し、試料中のジルコニウム量を求
める。
溶解残さをろ過してろ液（１）を得る。不溶解残さはア
ルカリ融解後、酸溶解して溶液（２）を作製する。ろ液
（１）及び不溶解残さ融解液（２）のそれぞれの溶液中
のジルコニウム量を誘導結合プラズマ発光分析装置（Ｉ
ＰＣ−ＡＥＳ）で測定し、試料中のジルコニウム量を求
める。
【００４８】
【表１】
【００４９】表１および図１から分かるように、ジルコ
ニア含有量が０．１０重量部以下の領域において、比誘
電率が大きく変動しており、かつジルコニア含有量に対
して不規則に変化していた。ジルコニア含有量が０．１
重量部を超える場合には、比誘電率の変化は非常に小さ
くなり、かつその変化が滑らかになった。
ニア含有量が０．１０重量部以下の領域において、比誘
電率が大きく変動しており、かつジルコニア含有量に対
して不規則に変化していた。ジルコニア含有量が０．１
重量部を超える場合には、比誘電率の変化は非常に小さ
くなり、かつその変化が滑らかになった。
【００５０】表１および図２から分かるように、ジルコ
ニア含有量が０．１０重量部以下の範囲において、Ｑ値
には大きな変動は見られなかった。
ニア含有量が０．１０重量部以下の範囲において、Ｑ値
には大きな変動は見られなかった。
【００５１】表１および図３から分かるように、ジルコ
ニア含有量が０．１０重量部以下の領域では、ａ軸の格
子定数が、０．１０重量部を超える場合の格子定数に比
べて著しく増大していた。そして、ジルコニア含有量が
０．１０重量部以下の場合には、ａ軸の格子定数は、ジ
ルコニア含有量に対してほぼ単調減少していた。ジルコ
ニア含有量が０．１０重量部を超えると、格子定数は大
きく変化していない。
ニア含有量が０．１０重量部以下の領域では、ａ軸の格
子定数が、０．１０重量部を超える場合の格子定数に比
べて著しく増大していた。そして、ジルコニア含有量が
０．１０重量部以下の場合には、ａ軸の格子定数は、ジ
ルコニア含有量に対してほぼ単調減少していた。ジルコ
ニア含有量が０．１０重量部を超えると、格子定数は大
きく変化していない。
【００５２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、Ｂ
ａＯ−ＴｉＯ２−ＲＥ2Ｏ3系の組成物を主成分とする低
温焼成用誘電体磁器において、比誘電率のバラツキを低
減し、製造歩留りを向上できる。
ａＯ−ＴｉＯ２−ＲＥ2Ｏ3系の組成物を主成分とする低
温焼成用誘電体磁器において、比誘電率のバラツキを低
減し、製造歩留りを向上できる。
【図１】誘電体磁器の比誘電率とジルコニア含有量との
関係をプロットして得られたグラフである。
関係をプロットして得られたグラフである。
【図２】誘電体磁器のＱ値とジルコニア含有量との関係
をプロットして得られたグラフである。
をプロットして得られたグラフである。
【図３】誘電体磁器のＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２結晶相の
ａ軸の格子定数とジルコニア含有量との関係をプロット
して得られたグラフである。
ａ軸の格子定数とジルコニア含有量との関係をプロット
して得られたグラフである。
Claims (10)
- 【請求項１】ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2・ｚ〔（１−ａ）Ｒ
Ｅ2 Ｏ3 ・ａＢｉ2 Ｏ3〕（ＲＥは、希土類金属元素を
示す；０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．７
５；０．１０≦ｚ≦０．２５；ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０≦ａ
≦０．３０）によって表わされる組成物を主成分とする
低温焼成用誘電体磁器の比誘電率を管理する方法であっ
て、 前記組成物１００重量部に対するジルコニアの含有量を
０．１１重量部以上、０．５０重量部以下に制御するこ
とによって、前記低温焼成用誘電体磁器の比誘電率を管
理する方法。 - 【請求項２】前記磁器の前記比誘電率を目標値±１．０
の範囲内に管理することを特徴とする、請求項１記載の
方法。 - 【請求項３】前記希土類金属元素がネオジムであること
を特徴とする、請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】前記磁器の主結晶相がＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ
１２結晶相（JCPDSカードＮｏ．４４−００６１）であ
ることを特徴とする、請求項３記載の方法。 - 【請求項５】前記磁器が、ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3−ＳｉＯ2
系ガラスを含有することを特徴とする、請求項１〜４の
いずれか一つの請求項に記載の方法。 - 【請求項６】ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ａ）
ＲＥ2 Ｏ3 ・ａＢｉ2 Ｏ3 〕（ＲＥは、希土類金属元素
を示す；０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦０．
７５；０．１０≦ｚ≦０．２５；ｘ＋ｙ＋ｚ＝１；０≦
ａ≦０．３０）によって表わされる組成物を主成分とす
る低温焼成用誘電体磁器であって、前記組成物１００重
量部に対して０．１１重量部以上、０．５０重量部以下
のジルコニアを含有することを特徴とする、低温焼成用
誘電体磁器。 - 【請求項７】前記希土類金属元素がネオジムであること
を特徴とする、請求項６記載の磁器。 - 【請求項８】前記磁器の主結晶相がＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ
１２結晶相（JCPDSカードＮｏ．４４−００６１）であ
ることを特徴とする、請求項７記載の磁器。 - 【請求項９】ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを
含有することを特徴とする、請求項６〜８のいずれか一
つの請求項に記載の磁器。 - 【請求項１０】請求項６〜９のいずれか一つの請求項に
記載の低温焼成用誘電体磁器を備えていることを特徴と
する、電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001347108A JP2003146744A (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 低温焼成用誘電体磁器の比誘電率の管理方法、低温焼成用誘電体磁器および電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001347108A JP2003146744A (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 低温焼成用誘電体磁器の比誘電率の管理方法、低温焼成用誘電体磁器および電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003146744A true JP2003146744A (ja) | 2003-05-21 |
Family
ID=19160166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001347108A Pending JP2003146744A (ja) | 2001-11-13 | 2001-11-13 | 低温焼成用誘電体磁器の比誘電率の管理方法、低温焼成用誘電体磁器および電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003146744A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006109465A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 誘電体磁器組成物およびそれを用いた高周波デバイス |
| WO2007026614A1 (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-08 | Kyocera Corporation | 誘電体磁器およびその製法、並びに積層セラミックコンデンサ |
| KR101064243B1 (ko) | 2006-11-29 | 2011-09-14 | 쿄세라 코포레이션 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP2022529860A (ja) * | 2020-03-25 | 2022-06-27 | 広東風華高新科技股▲フン▼有限公司 | 誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-11-13 JP JP2001347108A patent/JP2003146744A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006109465A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 誘電体磁器組成物およびそれを用いた高周波デバイス |
| US7592886B2 (en) | 2005-03-31 | 2009-09-22 | Panasonic Corporation | Dielectric porcelain composition and high frequency device using the same |
| WO2007026614A1 (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-08 | Kyocera Corporation | 誘電体磁器およびその製法、並びに積層セラミックコンデンサ |
| JP4805938B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-11-02 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器およびその製法、並びに積層セラミックコンデンサ |
| US8154851B2 (en) | 2005-08-29 | 2012-04-10 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramic, manufacturing method thereof, and multilayer ceramic capacitor |
| CN101238080B (zh) * | 2005-08-29 | 2012-10-24 | 京瓷株式会社 | 介电陶瓷及其制造方法、以及层叠陶瓷电容器 |
| KR101064243B1 (ko) | 2006-11-29 | 2011-09-14 | 쿄세라 코포레이션 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP2022529860A (ja) * | 2020-03-25 | 2022-06-27 | 広東風華高新科技股▲フン▼有限公司 | 誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料及びその製造方法 |
| JP7333147B2 (ja) | 2020-03-25 | 2023-08-24 | 広東風華高新科技股▲フン▼有限公司 | 誘電率段階調整可能な低温共焼結誘電体材料及びその製造方法 |
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