TW200830389A - Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage media having liquid processing program stored - Google Patents

Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage media having liquid processing program stored Download PDF

Info

Publication number
TW200830389A
TW200830389A TW096138699A TW96138699A TW200830389A TW 200830389 A TW200830389 A TW 200830389A TW 096138699 A TW096138699 A TW 096138699A TW 96138699 A TW96138699 A TW 96138699A TW 200830389 A TW200830389 A TW 200830389A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
processed
cleaning
chemical
treatment
Prior art date
Application number
TW096138699A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI372422B (zh
Inventor
Hiroshi Tanaka
Hironobu Hyakutake
Yuji Kamikawa
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200830389A publication Critical patent/TW200830389A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI372422B publication Critical patent/TWI372422B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
    • Y10T436/11—Automated chemical analysis
    • Y10T436/113332—Automated chemical analysis with conveyance of sample along a test line in a container or rack
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
    • Y10T436/11—Automated chemical analysis
    • Y10T436/119163—Automated chemical analysis with aspirator of claimed structure
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
    • Y10T436/12—Condition responsive control

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Description

200830389 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明，係有關於：將半 處理體，浸漬在處理槽之內部 液處理或是清洗處理的液處理 式、以及記憶媒體。 • 【先前技術】 從先前起，在半導體構件 程中，係實行有對於半導體晶 淨處理之洗淨工程。在此洗淨 ，將半導體晶圓或是液晶基板 ，而後，於處理槽之內部，將 並將被處理體之表面洗淨。 而，在洗淨工程中所使用 • 理槽、和在處理槽之內部被可 理體之支持具。在處理槽之內 處理體，係被浸漬於藥液又或 體施加藥液處理與清洗處理（ 在此先前之液處理裝置中 ，並經由將支持具降下至處理 漬在藥液內並進行藥液處理。 度，而將處理槽之內部的藥液 處理，而在檢測出清洗液之電 導體晶圓或液晶基板等之被 又或是清洗液中，而進行藥 裝置、液處理方法、電腦程 或是平面顯示器等之製造過 圓或是液晶基板等而施加洗 工程中，係於處理槽之內部 等之被處理體浸漬在藥液中 被處理體浸漬在清洗液中， 之液處理裝置，係具備有處 升降地配設而用以支持被處 部藉由支持具而被支持的被 是清洗液中，而對於被處理 例如，參考專利文獻1 )。 ，於處理槽內係塡充有藥液 槽之內部，而將被處理體浸 而後，並不變更支持具之高 置換爲清洗液，並進行清洗 阻比成爲較特定之値爲更高 -5- 200830389 的時間點，結束清洗處理。 〔專利文獻1〕日本特開2000-3895號公報 然而’在上述之先前的液處理裝置中，於清洗處理中 ’在清洗液之液面處，大氣中之氮氣或是二氧化碳氣體等 會溶解，而受到溶解後之氮氣或是二氧化碳氣體等的影響 ，清洗液之電阻比上升至特定之値爲止所需的時間會成爲 需要長時間，而使洗淨處理所需之時間變長，而會有使半 導體晶圓或是液晶基板等之製造的生產率降低之虞。 【發明內容】 於此，在本發明者們累積了多次之硏究後的結果，確 認了：因應於在清洗液之液面與被處理體之上端之間所儲 存的清洗液之量，氮氣或是二氧化碳氣體等之溶解量係爲 相異，經由將清洗液之液面與被處理體之上端之間的距離 縮短，能夠縮短清洗液之電阻比上升之特定之値爲止所需 要的時間，而完成了本發明。 本發明，係爲一種液處理裝置，其特徵爲，具備有： 處理槽；和被設置於處理槽之內部，用以支持被處理體而 被可升降地配設之支持具；和對處理槽內部供給藥液之藥 液供給部；和對處理槽內部供給清洗（rinse )液之清洗液 供給部；和使支持具升降之升降機構；和對升降機構作控 制之控制部，控制部，係控制升降機構，在進行了以藥液 所致之藥液處理後，使支持具移動又或是將其作保持，並 將被處理體以在較藥液處理時相對於液面而更爲上升之位 -6- 200830389 置，來進行清洗液所致之清洗處理。 本發明，係爲具備以下特徵之液處理裝置··控制部係 對升降機構作控制，並以使從清洗液之液面位置起到被處 理體之上端位置爲止的距離，成爲較從藥液處理時之藥液 的液面位置起直到被處理體之上端位置爲止的距離爲更短 的方式，來使支持具上升。 本發明，係爲具備有以下特徵之液處理裝置：控制部 係對升降機構作控制，於藥液處理時，在使支持具反覆升 降的同時，將升降之被處理體的上端之平均位置，作爲前 述藥液處理時之被處理體的上端位置。 本發明，係爲具備有以下特徵之液處理裝置：控制部 係對升降機構作控制，於藥液處理時，在使支持具反覆升 降的同時，將升降之被處理體的上端之最高位置，作爲前 述藥液處理時之被處理體的上端位置。 本發明，係爲一種液處理裝置，其特徵爲，具備有： 處理槽；和被設置於處理槽之內部，用以支持被處理體而 被可升降地配設之支持具；和對處理槽內部供給清洗（ rinse)液之清洗液供給部；和使支持具升降之升降機構； 和對升降機構作控制之控制部，控制部，係控制升降機構 ，以使從清洗液之液面位置起直到被處理體之上端位置爲 止的距離，成爲較從清洗液之底面位置起直到被處理體之 下端位置爲止的距離爲更短的方式，來使支持具移動又或 是將其作保持。 本發明，係爲一種使用有液處理裝置之液處理方法， 200830389 其特徵爲：該液處理裝置，係具 於處理槽之內部，用以支持被處 支持具；和對處理槽內部供給藥 理槽內部供給清洗（rinse)液之 具升降之升降機構；和對升降機 部，係控制升降機構，在進行了 ，使支持具移動又或是將其作保 藥液處理時相對於液面而更爲上 所致之清洗處理，該液處理方法 之被處理體施加藥液所致之藥液 藥液處理之後，藉由控制部而對 持具移動又或是將其作保持，並 理時相對於液面而更爲上升之位 清洗處理的工程。 本發明，係爲具備以下特徵 對升降機構作控制，並以使從清 理體之上端位置爲止的距離，成 的液面位置起直到被處理體之上 的方式，來使支持具上升。 本發明，係爲具備有以下特 係對升降機構作控制，於藥液處 降的同時，將升降之被處理體的 述藥液處理時之被處理體的上端 本發明，係爲具備有以下特 備有：處理槽；和被設置 理體而被可升降地配設之 液之藥液供給部；和對處 清洗液供給部；和使支持 構作控制之控制部，控制 以藥液所致之藥液處理後 持，並將被處理體以在較 升之位置，來進行清洗液 ，係具備有：對處理槽內 處理的工程；和在進行了 升降機構作控制，來使支 將被處理體以在較藥液處 置，來進行清洗液所致之 之液處理方法·：控制部係 洗液之液面位置起到被處 爲較從藥液處理時之藥液 端位置爲止的距離爲更短 徵之液處理方法：控制部 理時，在使支持具反覆升 上端之平均位置，作爲前 位置。 徵之液處理方法：控制部 -8- 200830389 係對升降機構作控制，於藥液處理時，在使支持具反覆升 降的同時，將升降之被處理體的上端之最尚位置，作爲前 述藥液處理時之被處理體的上端位置。 本發明，係爲一種使用有液處理裝置之液處理方法， 其特徵爲：該液處理裝置，係具備有：處理槽；和被設置 於處理槽之內部，用以支持被處理體而被可升降地配設之 支持具；和對處理槽內部供給清洗（rinse )液之清洗液供 給部；和使支持具升降之升降機構；和對升降機構作控制 之控制部，控制部，係控制升降機構，以使從清洗液之液 面位置起直到被處理體之上端位置爲止的距離，成爲較從 清洗液之底面位置起直到被處理體之下端位置爲止的距離 爲更短的方式，來使支持具移動又或是將其作保持，該液 處理方法，係具備有：對處理槽內部供給清洗液，並將被 處理體浸漬在清洗液中之工程；和藉由控制部而對升降機 構作控制，並以使從清洗液之液面位置起直到被處理體之 上端位置爲止的距離，成爲較從清洗液之底面位置起直到 被處理體之下端位置爲止的距離爲更短的方式，來使支持 具移動又或是將其作保持而進行清洗處理之工程。 本發明，係爲一種用以在電腦中實行液處理方法之電 腦程式，其特徵爲：液處理方法係爲使用有液處理裝置之 液處理方法，該液處理裝置，係具備有：處理槽；和被設 置於處理槽之內部，用以支持被處理體而被可升降地配設 之支持具；和對處理槽內部供給藥液之藥液供給部；和對 處理槽內部供給清洗（rinse)液之清洗液供給部；和使支 -9 - 200830389 持具升降之升降機構；和對升降機構作控制之控 制部，係控制升降機構，在進行了以藥液所致之 後，使支持具移動又或是將其作保持，並將被處 較藥液處理時相對於液面而更爲上升之位置，來 液所致之清洗處理，該液處理方法，係具備有： 內之被處理體施加藥液所致之藥液處理的工程； 了藥液處理之後，藉由控制部而對升降機構作控 • 支持具移動又或是將其作保持，並將被處理體以 處理時相對於液面而更爲上升之位置，來進行清 之清洗處理的工程。 本發明，係爲具備以下特徵之電腦程式：控 升降機構作控制，並以使從清洗液之液面位置起 體之上端位置爲止的距離，成爲較從藥液處理時 液面位置起直到被處理體之上端位置爲止的距離 方式，來使支持具上升。 • 本發明，係爲具備有以下特徵之電腦程式： 對升降機構作控制，於藥液處理時，在使支持具 的同時，將升降之被處理體的上端之平均位置， 藥液處理時之被處理體的上端位置。 本發明，係爲具備有以下特徵之電腦程式： 對升降機構作控制，於藥液處理時，在使支持具 的同時，將升降之被處理體的上端之最高位置， 藥液處理時之被處理體的上端位置。 本發明，係爲一種用以在電腦中實行液處理 制部，控 藥液處理 理體以在 進行清洗 對處理槽 和在進行 制，來使 在較藥液 洗液所致 制部係對 到被處理 之藥液的 爲更短的 控制部係 反覆升降 作爲前述 控制部係 反覆升降 作爲前述 方法之電 -10- 200830389 腦程式，其特徵爲：該液處理方法，係爲使用有液處理裝 置之液處理方法，該液處理裝置，係具備有：處理槽；和 被設置於處理槽之內部，用以支持被處理體而被可升降地 配設之支持具；和對處理槽內部供給清洗（rinse )液之清 洗液供給部；和使支持具升降之升降機構；和對升降機構 作控制之控制部，控制部，係控制升降機構，以使從清洗 液之液面位置起直到被處理體之上端位置爲止的距離，成 ® 爲較從清洗液之底面位置起直到被處理體之下端位置爲止 的距離爲更短的方式，來使支持具移動又或是將其作保持 ，該液處理方法，係具備有：對處理槽內部供給清洗液， 並將被處理體浸漬在清洗液中之工程；和藉由控制部而對 升降機構作控制，並以使從清洗液之液面位置起直到被處 理體之上端位置爲止的距離，成爲較從清洗液之底面位置 起直到被處理體之下端位置爲止的距離爲更短的方式，來 使支持具移動又或是將其作保持而進行清洗處理之工程。 Φ 本發明，係爲一種儲存有用以在電腦中實行液處理方 法之電腦程式的記憶媒體，其特徵爲：液處理方法係爲使 用有液處理裝置之液處理方法，該液處理裝置，係具備有 :處理槽；和被設置於處理槽之內部，用以支持被處理體 而被可升降地配設之支持具；和對處理槽內部供給藥液之 藥液供給部；和對處理槽內部供給清洗（rinse )液之清洗 液供給部；和使支持具升降之升降機構；和對升降機構作 控制之控制部，控制部，係控制升降機構，在進行了以藥 液所致之藥液處理後，使支持具移動又或是將其作保持， -11 - 200830389 並將被處理體以在較藥液處理時相對於液面而更爲上升之 位置，來進行清洗液所致之清洗處理，該液處理方法，係 具備有：對處理槽內之被處理體施加藥液所致之藥液處理 的工程；和在進行了藥液處理之後，藉由控制部而對升降 機構作控制，來使支持具移動又或是將其作保持，並將被 處理體以在較藥液處理時相對於液面而更爲上升之位置， 來進行清洗液所致之清洗處理的工程。 • 本發明，係爲具備以下特徵之記憶媒體：控制部係對 升降機構作控制，並以使從清洗液之液面位置起到被處理 體之上端位置爲止的距離，成爲較從藥液處理時之藥液的 液面位置起直到被處理體之上端位置爲止的距離爲更短的 方式，來使支持具上升。 本發明，係爲具備有以下特徵之記憶媒體：控制部係 對升降機構作控制，於藥液處理時，在使支持具反覆升降 的同時，將升降之被處理體的上端之平均位置，作爲前述 # 藥液處理時之被處理體的上端位置。 本發明，係爲具備有以下特徵之記憶媒體：控制部係 對升降機構作控制’於藥液處理時，在使支持具反覆升降 的同時，將升降之被處理體的上端之最高位置，作爲前述 藥液處理時之被處理體的上端位置。 本發明，係爲一種儲存有用以在電腦中實行液處理方 法之電腦程式的記憶媒體’其特徵爲：該液處理方法，係 爲使用有液處理裝置之液處理方法，該液處理裝置，係具 備有：處理槽；和被設置於處理槽之內部，用以支持被處 -12- 200830389 理體而被可升降地配設之支持具；和對處理槽內部供給清 洗（rinse)液之清洗液供給部；和使支持具升降之升降機 構；和對升降機構作控制之控制部，控制部，係控制升降 機構，以使從清洗液之液面位置起直到被處理體之上端位 置爲止的距離，成爲較從清洗液之底面位置起直到被處理 體之下端位置爲止的距離爲更短的方式，來使支持具移動 又或是將其作保持，該液處理方法，係具備有：對處理槽 內部供給清洗液，並將被處理體浸漬在清洗液中之工程； 和藉由控制部而對升降機構作控制，並以使從清洗液之液 面位置起直到被處理體之上端位置爲止的距離，成爲較從 清洗液之底面位置起直到被處理體之下端位置爲止的距離 爲更短的方式，來使支持具移動又或是將其作保持而進行 清洗處理之工程。 而，在本發明中，係可得到以下所記載之效果。 亦即是，在本發明中，係藉由在清洗處理時將清洗液 之液面與被處理體之上端間的距離縮短，而能夠減少在清 洗液之液面與被處理體之上端間所儲存的清洗液之量。因 應於此，由於可減低從大氣而溶解至清洗液中之氮氣或二 氧化碳氣體等的溶解量，因此，能夠縮短清洗液之電阻比 上升至特定之値爲止所需要的時間。故而，清洗處理所需 要的時間係變短，而能提昇半導體晶圓或是液晶基板等之 製造的生產率。 【實施方式】 -13- 200830389 以下’針對本發明之液處理裝置及液處理方法以及液 處理程式的具體構成，一面參考圖面一面作說明。另外， 在以下之說明中，雖係針對在將晶圓作爲被處理體而進行 洗淨處理以及乾燥處理之基板處理裝置中適用有本發明的 情況作說明，但是，本發明係並不限定爲基板處理裝置， 而可適用於進行清洗處理之各種的液處理裝置中。 如圖1所示一般，基板處理裝置〗，係由：對收容有 複數枚之晶圓（基板）之載體3進行搬入搬出之載體搬入 搬出部4;和對經由將被收容於複數之載體3中的晶圓2 作組合而進行整批處理之批量5作編成之批量編成部6 ; 和對各批量5分別進行晶圓2之洗淨處理以及乾燥處理之 基板處理部7所構成。 載體搬入搬出部4，係具備有將載體3作載置之載體 平台8 ;和密閉狀之開閉門9 ;和被設置於此開閉門9之 內側的載體搬送機構1 0 ;和載體載置台i 2 ;和載體堆疊 1 1 ’在因應於需要而將經由此載體搬送機構i 〇而載置於 載體平台8上之載體3暫時保管在載體堆疊η中的同時 ，將其搬入至載體載置台12中。 又，在載體搬入搬出部4中，收容有在基板處理部7 完成了處理之晶圓2且被載置於載體載置台12上之載體3 ’係與上述之搬入時相反地，成爲在因應於需要而經由載 體搬送機構10來暫時地保管在載體堆疊U中之後，而被 搬出至載體平台8處。 批量器編成部6，係具備有：被設置於批量器編成部 _14_ 200830389 6與載體搬入搬出部4之間的密閉狀之開閉門1 3 ;和被設 置於此開閉門1 3之內側，而用以將被收容在載體3中之 複數枚的晶圓2同時作搬送的基板搬送機構14;和用以將 經由此基板搬送機構14而搬送之晶圓2的配列間隔變更 爲一半，以形成批量5的批量形成機構15 ;和對經由基板 搬送機構1 4而搬送之晶圚2的配列順序作變更之配列順 序變更機構1 6 ;和在將經由批量形成機構1 5所形成之批 量5在批量編成部6與基板處理部7之間進行授受的同時 。亦進行在基板處理部7之內部的搬送之批量搬送機構17 。又，批量編成部6，係具備有：用以檢測出被收容在載 體3中之晶圓2的收容狀態之晶圓收容狀態檢測感測器i 8 :和對被收容於載體3中之複數枚的晶圓2之缺口進行位 置調整之缺口對位器1 9。 在此批量編成部6中，係將從載體搬入搬出部4所搬 入之複數個（例如，2個）的載體3中所分別收容之複數 枚（例如，25枚）的晶圚2作組合，而形成在基板處理部 7中進行整批處理的由複數枚（例如，5 0枚）之晶圓2所 構成的批量5。 基板處理部7，係具備有：進行晶圓2之洗淨以及乾 燥的洗淨乾燥機構20 ;和進行晶圓2之洗淨的洗淨機構 2 1。洗淨乾燥機構20，係具備有：經由以升降機構22來 將批量5作升降，而進行洗淨以及乾燥的液處理裝置23 ; 和進行批量搬送機構1 7之洗淨的洗淨裝置24。又，洗淨 機構2 1 ’係具備有：對批量5進行藥液處理之第1〜第3 -15- 200830389 藥液槽25、26、27 ;和對批量5進行純水處理之第1〜第 3純水槽28、29、30;和在此些之第1〜第3藥液槽25、 26、27與第1〜第3純水槽28、29、60之間，進行批量5 之搬送的第1〜第3搬送裝置31、32、33。 又，基板處理部7，係具備有：洗淨乾燥機構20 ;和 沿著洗淨機構2 1而設置之批量搬送機構1 7，此批量搬送 機構1 7之開端部份，係連接於批量編成部6。 而，在基板處理部7中，在批量編成部6中所編成之 批量5，係經由批量搬送機構17而被搬送至洗淨乾燥機構 20之升降機構22，或是被搬送至洗淨機構21之第1〜第 3搬送裝置3 1、32、33，在各洗淨乾燥機構20或是洗淨 機構21中，對晶圓2之處理，係在每一批量5中被進行 。而後，處理後之批量5，係從洗淨乾燥機構20之升降機 構22或是洗淨機構21之第1〜第3搬送裝置31、32、33 而被移送至批量搬送機構1 7，經由此批量搬送機構1 7， 處理後之批量5係再度被搬送至批量編成部6處。 如此這般，在基板處理裝置1中，經由載體搬入搬出 部4，而將晶圓2與載體3整個一起搬入至批量編成部6 中，並在批量編成部6中，將在基板處理部7中進行整批 處理之批量5作編成，而送至基板處理部7。在基板處理 部7中，係對批量5整體施加整批處理，而後，處理後之 批量5，係被發送至批量編成部6，在批量編成部6中， 構成批量5之晶圓2，係被收容至載體3中。載體3係被 搬送至載體搬入搬出部4中，並經由載體搬入搬出部4而 -16- 200830389 將收容有處理後之晶圓2的載體3搬出。 接下來，於下針對成爲本發明之重要部分的液處理裝 置2 3之具體構造作說明。 液處理裝置2 3 ’係如圖2〜圖4所示一般，具備有： 用以將晶圓2以批量5來作整體洗淨之洗淨單元3 4 ;和將 晶圓2以批量5來作整批乾燥之乾燥單元3 5，洗淨單元 3 4與乾燥單元3 5，係上下一體地被連接設置。在此些之 洗淨單元3 4以及乾燥單元3 5的內部，係可自由升降地配 設有用以將晶圓2以批量5來整體升降搬送之支持具36。 首先，若是針對支持具3 6之具體構造作說明，則支 持具36，係具備有：延伸於上下方向之臂37;和在臂37 之前側下端部，被設置於前後方向，且在左右空出有間隔 而平行地被安裝之4根的支持體38、39、40、41，在左右 2根之支持體3 8、3 9 ( 40、4 1 )的前端部間，係被安裝有 連結體42、43。 又，在支持具36之各支持體38、39、40、41的上端 部，係於前後空出有一定間隔地形成有用以將晶圓2 —枚 一枚地以垂直狀來支持之支持溝44、45、46、47，經由以 各支持溝44、45、46、47來支持晶圓2，而能夠將複數枚 之晶圓2平行地且於前後空出有一定間隔的作支持。此支 持具3 6之臂3 7，係被連接於升降機購22，支持具3 6，係 經由升降機構22，而在洗淨單元34與乾燥單元35之間， 將晶圓2以批量5來整批作升降。另外，在升降機構22， 係被連接有控制部48，並經由此控制部48來對升降機構 200830389 22進行驅動控制。 接下來，若是針對洗淨單元34之具體構造作說明 則洗淨單元34，係具備有：於上端部開口之具有底部的 形箱型狀之洗淨處理槽49;和被設置於洗淨處理槽49 左右側壁50、5 1，而用以將洗淨液作噴射供給之洗淨液 給噴嘴52、53。在洗淨處理槽49之底壁54，係被通連 接有排水管5 5，於此排水管5 5之中間部，係被設置有 閉閥5 6。進而，在洗淨處理槽4 9之上端外側部，係被 裝有環狀之溢流槽5 7，於此溢流槽5 7之底壁5 8，係通 連接有排水管59，於此排水管5 9之中途部，係被設置 開閉閥60。 於此，在洗淨液供給噴嘴52、53中，係經由3方 活栓63而連接於用以供給純水之純水供給源和用以 給藥液之藥液供給源6 2，藉由對此3方向活栓6 3作切 ，而成爲能夠從洗淨液供給噴嘴5 2、5 3來對洗淨處理 49之內部供給純水又或是藥液。又，在開閉閥56、60 是3方向活栓6 3，係被連接有控制部4 8，並經由此控 部48來對開閉閥56、6〇或3方向活栓63進行驅動控 〇 又，在洗淨單元34之洗淨處理槽49，係被通連連 有吸引管85，於此吸引管85，係被連接有用以檢測出 液又或是清洗液之電阻比的感測器86。另外，感測器 ，係被連接於控制部48。 接下來，若是針對乾燥單元3 5之具體構造作說明 矩 之 供 連 開 安 連 有 向 供 換 槽 或 制 制 接 藥 8 6 -18- 200830389 則乾燥單元3 5，係具備有：於下端部開口之略成箱型狀之 乾燥處理槽64 ;和被設置於乾燥處理槽64之下方的閘門 機構65。此閘門機構65，係包含有：於內部形成有閘門 收容部67之殼體66，於此閘門收容部67中，閘門68係 可自由開閉地被收容。 於此…於閘門機構65之閘門68，係被連動連接有開 閉機構69，將此開閉機構69連接於控制部48，並經由此 • 控制部48來對開閉機構69進行驅動控制。 又，在乾燥機構35之乾燥處理槽64的上部，係被形 成有半圓弧剖面狀之用以於上端部將支持具3 6之臂3 7插 通的貫通孔70，於此貫通孔70，係被安裝有襯墊71。藉 由此，乾燥處理槽64，係成爲就算在插通有臂3 7的狀態 下，亦能保持氣密狀態。 於此，在乾燥處理槽64中，係被連動連接有升降機 構72，此升降機構72，係被連接於控制部48，並經由此 ® 控制部4 8來對升降機構72進行驅動控制。而，當經由升 降機構72而使乾燥處理槽64下降的情況時，形成於乾燥 處理槽64之下端部的凸緣73，係密著於閘門機構65之閘 門68 ° 又，在乾燥單元35之乾燥處理槽64的內側上部，係 被安裝有用以將乾燥蒸氣（IPA氣體：異丙醇氣體等）作 噴射供給的左右一對之乾燥蒸氣供給噴嘴74、75。 於此乾燥蒸氣供給噴嘴7 4、7 5中，用以朝向內側上 部而吐出乾燥蒸氣之氣體吐出口 7 6、7 7係前後空出有間 -19- 200830389 隔地被形成。 於此，在此乾燥蒸氣供給噴嘴74、7 5中，用以將乾 燥蒸氣與載體氣體一同作供給之乾燥蒸氣供給源7 8，係經 由開閉閥7 9而被連接，經由將此開閉閥79設爲開放狀態 ，而能夠將乾燥蒸氣從乾燥蒸氣供給噴嘴7 4、7 5來供給 至乾燥處理槽之內部。另外，在開閉閥79，係被連接有控 制部48，並經由此控制部48來對開閉閥79進行驅動控制 〇 液處理裝置23，係如以上所說明一般而被構成，並 經由控制部4 8而被驅動控制。此控制部4 8，係不僅是對 液處理裝置23作控制，而亦可對基板處理裝置1之各部 作驅動控制，並包含有由電腦之CPU所成的控制器80、 和被連接於此控制器80之記憶媒體8 1。於此記憶媒體8 1 中，係被儲存有各種之設定資料或是液處理程式（電腦程 式）82。另外，記憶媒體81，係亦可爲ROM或是RAM 等之記憶體，又，亦可爲硬碟或是CD-ROM等之碟片狀記 憶媒體。 控制部48，係根據被儲存在記憶媒體8 1中之液處理 程式的洗淨次常式83與乾燥次常式84，來對液處理裝置 23進行驅動控制，藉由此，將晶圓2之洗淨處理與乾燥處 理連續進行。 首先，在洗淨次常式83中，如圖5所示，先進行液 處理裝置2 3之初期設定（初期設定步驟S 1 )。 具體而言，控制部48，係如圖6所示’在將洗淨處 -20- 200830389 理槽49之開閉閥56與溢流槽57之開閉閥60設爲 態的同時，使用開閉機構而將閘門68設爲開放狀 下來，使用升降機構22，於閘門機構65之上方， 間隔地配置支持具3 6，並使用升降機構72，而在 3 6之上方，空出有間隔地配置乾燥處理槽64。而 制部48，係對3方向活栓63作驅動控制，並從純 源6 1而經由洗淨處理槽49之洗淨液供給噴嘴52 將純水供給至洗淨處理槽49之內部。此時，控制 係將溢流槽5 7之開閉閥60設爲開放狀態，而成爲 從洗淨處理槽49而溢流之純水排出。 接下來，在洗淨次常式83中，支持具36係接 數枚（例如，5 0枚）之晶圓2所成的批量5 (晶圓 驟S 2 )。此批量5，係爲藉由上述批量編成部6所 具體而言，控制部4 8，係如圖7所示，對批 機構1 7作驅動控制，而將構成以批量搬送機構1 7 而來之批量5的各晶圓2，載置於被設置在支持具 持體38〜41中的支持溝44〜47處。 接下來，在洗淨次常式83中，係將被載置於 36之晶圓2，浸漬在儲存於洗淨處理槽49之內咅f 中，並進行洗淨處理之準備（洗淨準備步驟S3)。 具體而言，控制部48，係如圖8所示，經由 降機構22來將支持具36降下至洗淨處理槽49之 而將被載置於支持具3 6上之晶圓2浸漬在被儲存 閉塞狀 態。接 空出有 支持具 後，控 水供給 、53來 部4 8， 能夠將 收由複 接收步 編成者 量搬送 所搬送 36之支 支持具 的純水 使用升 .內部， 於洗淨 -21 - 200830389 處理槽49之內部的純水中。 接下來，在洗淨次常式83中，係在洗淨處理槽49之 內部，進行晶圓2之藥液處理（藥液處理步驟S4 )。 具體而言，控制部48，係在將洗淨處理槽49之開閉 閥56設爲閉塞狀態的同時，將溢流槽57之開閉閥60維 持在開放的狀態下，並對3方向活栓63進行驅動控制， 而從藥液供給源62來經由洗淨處理槽49的洗淨液供給噴 嘴52、53而將藥液（洗淨液）供給至洗淨處理槽49之內 部。藉由此，純水係從洗淨處理槽49而緩緩地溢流至溢 流槽57處，而最終，係成爲在洗淨處理槽之內部儲存有 藥液的狀態。而後，對於被浸漬在儲存於洗淨處理槽內部 之藥液中的晶圓2，施加以藥液所致之洗淨處理（藥液處 理）。 另外，在此藥液處理（藥液處理步驟S4)中，亦可 實行藉由將支持具3 6反覆升降而使晶圓2在藥液之內部 升降的支持具升降步驟（參考圖1〇)，來增加晶圓2與藥 液間之接觸而在短時間內實行良好之藥液處理。 接下來，在洗淨次常式83中，係在洗淨處理槽49之 內部，使支持具36上升（支持具上升步驟S5)。 具體而言，控制部48，係如圖9所示，使用升降機 構22而使支持具36在洗淨處理槽49之內部上升。此時 ，控制部48，係以使從清洗液之液面位置LV 1起到晶圓2 之上端位置LV2爲止的距離L1，成爲較從藥液處理時之 藥液的液面位置LV 3起直到被處理體之上端位置LV 4爲 -22- 200830389 止的距離L2爲更短的方式，來使支持具36上升。 接下來，在洗淨次常式83中，係在洗淨處理槽49之 內部，進行晶圓2之清洗處理（清洗處理步驟S6 )。 具體而言，控制部48，係在將洗淨處理槽49之開閉 閥56設爲閉塞狀態的同時，將溢流槽57之開閉閥60維 持在開放的狀態下，並對3方向活栓63進行驅動控制， 而從純水供給源6 1來經由洗淨處理槽49的洗淨液供給噴 • 嘴52、53而將純水（洗淨液）供給至洗淨處理槽49之內 部。藉由此，藥液係從洗淨處理槽49而緩緩地溢流至溢 流槽57處，而最終，係成爲在洗淨處理槽之內部儲存有 純水的狀態。於此期間中，對於被浸漬在儲存於洗淨處理 槽內部之純水中的晶圓2，施加以純水所致之洗淨處理（ 清洗處理）。此清洗處理，係在藉由感測器86所檢測出 之電阻比上升至預先所設定之値（例如，14ΜΩ cm)的時 間點而結束。 • 於此，在本發明中，在進行清洗處理時，係經由使支 持具3 6上升來使晶圓2上升，而使從清洗液之液面位置 LV1起到晶圓2之上端位置LV2爲止的距離L1，成爲較 從藥液處理時之藥液的液面位置LV3起直到被處理體之上 端位置LV4爲止的距離L2爲更短。因此，能夠縮短清洗 液之電阻比上升至特定之値爲止所需要的時間（清洗處理 之時間）。 此係因爲，經由將支持具上升而使晶圓2上升，能夠 減低在清洗液之液面與被處理體之上端間所儲存的清洗液 -23- 200830389 之量，而因應於此，能夠使從大氣而溶解於清洗液之中的 氮氣或是二氧化碳氣體等的溶解量降低之故。 亦即是，在改變晶圓2之位置，而對清洗液之電阻比 回復至1 4M Ω cm爲止所需之時間作測定後，得知了：若 是從清洗液之液面位置LV 1起直到晶圓2之上端位置LV 2 爲止的距離L1變短，則因應於此，清洗液之値到回復爲 止所需要的時間會變短。將該結果，展示於表1中。 〔表1〕 清洗液回復時間測定結果 距離Ll(mm) 67 32 12 (距離 L3 (mm)) (50) (80) (100) 時間（秒） 有晶圓 940 900 850 無晶圓 —— 1010 1020 在表1中，係展示：將藥液處理時之藥液的液面位置 LV3起直到被處理體之上端位置LV4爲止的距離L2設爲 67mm，並將清洗處理時之清洗液的液面位置LV1起直到 晶圓2之上端位置LV2爲止的距離設爲67mm、32mm、 12mm (將從清洗液之底面位置LV5起直到晶圓2之下端 位置LV6爲止的距離L3設爲5 0mm、8 Omm、10 0mm )， 而對在支持具3 6上載置有晶圓2之情況與未載置有晶圓2 之情況下的清洗液之電阻比回復至1 4M Ω cm爲止所需的 時間作測定後之結果。 -24 -
200830389 藉由表1，可以得知：當在支持具36上載置 之狀態下時，若是以使清洗處理時之清洗液的 LV1起直到晶圓2之上端位置LV2爲止的距離成 、3 2mm、12mm (將從清洗液之底面位置LV 5起 2之下端位置LV6爲止的距離L3成爲50mm 100mm)的方式而使晶圓2與支持具36 —起上 應於此，清洗液之電阻比回復至14MDcm爲止 間縮短。另一方面，當在支持具36上並未載置 的狀態下時，就算是以使清洗處理時之清洗液的 LV 1起直到晶圓2之上端位置LV2爲止的距離成 、12mm (將從清洗液之底面位置LV5起直到晶丨 端位置LV6爲止的距離L3成爲80mm、100mm) 僅使支持具3 6上升，在清洗液之電阻比回復至 爲止所需的時間中亦幾乎看不到改變。 從在此表1中所示之結果，可以確認：因應 液之液面與晶圓2之上端之間所儲存的清洗液之 或是二氧化碳氣體等之溶解量係爲相異，經由將 液面位置LV1與晶圓2之上端位置LV2之間的g[ 短，或者是，經由將清洗液之液面位置LV 1與晶 端位置L間之距離L1設定爲較從清洗液之底面 起直到晶圓2之下端位置LV6爲止之距離L3爲 夠縮短清洗液之電阻比上升之特定之値爲止所需 於此，在本發明中，在進行清洗處理時，係 :有晶圓2 液面位置 :爲 67mm 直到晶圓 、8 0mm、 升，則因 所需的時 有晶圓2 液面位置 匕爲32mm 圓2之下 的方式而 14M Ω cm 於在清洗 量，氮氣 清洗液之 ^離L1縮 圓2之上 位置LV5 更短，能 要的時間 經由使支 -25- 200830389 持具3 6上升來使晶圓2上升，而使從清洗液之液面位置 LV1起到晶圓2之上端位置LV2爲止的距離L1，成爲較 從藥液處理時之藥液的液面位置LV3起直到被處理體之上 端位置LV4爲止的距離L2爲更短。 特別是，在本發明中，在進行清洗處理時，係經由使 支持具36上升來使晶圓2上升，而使從清洗液之液面位 置LV1起到晶圓2之上端位置LV2爲止的距離L1，成爲 較從清洗液之底面位置LV5起直到晶圓2之下端位置LV6 爲止的距離L3爲更短。 又，在本發明中，當在藥液處理時實行了使支持具 3 6反覆地升降之支持具升降步驟的情況時，係亦可如圖 1 〇所示，將進行升降之晶圓2的上端之平均位置LV 7作 爲藥液處理時之晶圓2的上端位置LV 4，而在支持具上升 步驟S5中使支持具36上升。 進而，在本發明中，當在藥液處理時實行了使支持具 3 6反覆地升降之支持具升降步驟的情況時，係亦可如圖 1 〇所示，將進行升降之晶圚2的上端之最高位置LV 8作 爲藥液處理時之晶圓2的上端位置LV4，而在支持具上升 步驟S5中使支持具36上升。 如此這般，在本發明中，係經由使支持具3 6上升來 使晶圓2上升，而使從清洗液之液面位置LV1起到晶圓2 之上端位置LV 2爲止的距離L1，成爲較從藥液處理時之 藥液的液面位置LV3起直到被處理體之上端位置LV4爲 止的距離L2爲更短，或者是，使清洗液之液面位置LV1 -26 - 200830389 與晶圓2之上端位置LV2之間的距離，成爲較從清洗液之 底面位置LV5起直到晶圓2之下端位置LV6爲止的距離 L3爲更短。因此，能夠減低在清洗液之液面與晶圓2之 上端間所儲存的清洗液之量，而因應於此，能夠使從大氣 而溶解於清洗液之中的氮氣或是二氧化碳氣體等的溶解量 降低。藉由此，能夠縮短清洗液之電阻比上升至特定之値 爲止所需要的時間（清洗處理之時間），而使洗淨處理所 需要的時間變短，能夠提昇半導體晶圓或是液晶基板等之 製造的生產率。 另外，在本發明中，亦可在藥液處理與清洗處理之間 ，並不使支持具36上升，而將清洗處理時之清洗液的液 面位置LV 1設爲較藥液處理時之藥液的液面位置LV3爲 更低，來結果性地使從清洗液之液面位置LV 1起到晶圓2 之上端位置LV2爲止的距離L 1，成爲較從藥液處理時之 藥液的液面位置LV3起直到被處理體之上端位置LV4爲 止的距離L2爲更短。 最後，在洗淨次常式83中，係將被載置於支持具36 之晶圓2，從洗淨處理槽49之內部而搬送至乾燥處理槽 64之內部（晶圓搬送步驟S7)。 具體而言，控制部48，係如圖11所示，使用升降機 構72而使乾燥處理槽64下降至閘門機構65之正上方。 接下來，使用升降機構22，將支持具36從洗淨處理槽49 之內部而上升至乾燥處理槽64之內部，經由此，而將被 載置於支持具3 6之晶圓2搬送至乾燥處理槽64之內部。 -27- 200830389 接下來，在乾燥次常式84中，係如圖12所示’首先 ，經由閘門機構65之閘門68，來將乾燥處理槽64之下端 開口部閉塞（閘門閉塞步驟S 8 )。 具體而言，控制部4 8，係如圖13所示，使用開閉機 構69，而使閘門機構65之閘門68閉塞，並使此閘門68 密著於乾燥處理槽64之下端開口部。 接下來，在乾燥次常式8 4中，係在乾燥處理槽6 4之 內部供給乾燥蒸氣（乾燥蒸氣供給步驟S9 ) ° 具體而言’控制部4 8，係將開閉閥7 9設爲開放狀態 。藉由此，從乾燥蒸氣供給源78而經由乾燥蒸氣供給噴 嘴7 4、7 5之氣體吐出口 7 6、7 7來將特定溫度之乾燥蒸氣 供給至乾燥處理槽64之內部。 最後，乾燥次常式84，係將施加了洗淨處理以及乾 燥處理之晶圓2，交付至批量搬送機構1 7 (晶圓交付步驟 S 1 〇 ) 〇 具體而言，控制部4 8 ’係如圖14所示’在經由升降 機構72而使乾燥處理槽64上升的同時’經由批量搬送機 構1 7而從支持具3 6來接收晶圓2 ° 【圖式簡單說明】 〔圖1〕圖1係爲展示本發明之基板處理裝置的平面 圖。 [圖2]圖2係爲展示液處理裝置的區塊圖。 〔圖3〕圖3係爲同圖之正面剖面圖。 -28- 200830389 〔圖4〕圖4係爲同圖之側面剖面圖。 〔圖5〕圖5係爲洗淨次常式之流程圖° 〔圖6〕圖6係爲液處理裝置的動作說明圖（初期設 定時）。 〔圖7〕圖7係爲液處理裝置的動作說明圖（接收晶 圓時）。 〔圖8〕圖8係爲液處理裝置的動作說明圖（藥液處 • 理時）。 〔圖9〕圖9係爲液處理裝置的動作說明圖（清洗處 理時）。 〔圖1 0〕圖1 〇係爲液處理裝置的動作說明圖（晶圓 升降時）。 〔圖1 1〕圖U係爲液處理裝置的動作說明圖（晶圓 搬送時）。 〔圖1 2〕圖1 2係爲乾燥次常式之流程圖。 Φ 〔圖1 3〕圖1 3係爲液處理裝置的動作說明圖（乾燥 處理時）。 〔圖1 4〕圖1 4係爲液處理裝置的動作說明圖（晶圓 交付時）。 【主要元件符號說明】 1 ··基板處理裝置 2 :晶圓 3 :載體 -29- 200830389 4 :載體搬入搬出部 5 :批量 6 :批量編成部 7 :基板處理部 8 :載體平台 9 :開閉門 1 〇 :載體搬送機構 1 1 :載體堆疊 12 :載體載置台 1 3 :開閉門 1 4 :基板搬送機構 1 5 :批量形成機構 1 6 :配列順序變更機構 1 7 :批量搬送機構 1 8 =晶圓收容狀態檢測感測器 1 9 :缺口對位器 20 :洗淨乾燥機構 2 1 :洗淨機構 22 :升降機構 23 :液處理裝置 24 :洗淨裝置 2 5 :第1藥液槽 26 :第2藥液槽 27 :第3藥液槽 -30- 200830389 28 :第1純水槽 29 :第2純水槽 3 0 :第3純水槽 31 :第1搬送裝置 32 :第2搬送裝置 33 :第3搬送裝置 34 :洗淨單元 3 5 :乾燥單元 3 6 :支持具 37 :臂 3 8 :支持體 3 9 :支持體 40 :支持體 41 :支持體 42 :連結體 43 :連結體 44 :支持溝 4 5 :支持溝 4 6 :支持溝 47 :支持溝 48 :控制部 49 :洗淨處理槽 5 〇 :側壁 51 :側壁 -31 - 200830389 52 :洗淨液供給噴嘴 53 :洗淨液供給噴嘴 54 :底壁 55 :排水管 5 6 :開閉閥 5 7 :溢流槽 58 :底壁 59 :排水管 60 :開閉閥 6 1 :純水供給源 62 :藥液供給源 6 3 : 3方向活栓 64 :乾燥處理槽 65 :閘門機構 66 :殼體 67 =閘門收容部 68 :閘門 69 :開閉機構 70 :貫通孔 71 :襯墊 72 :升降機構 73 :突緣 74 :乾燥蒸氣供給噴嘴 75 :乾燥蒸氣供給噴嘴 -32 200830389 76 :氣體吐出口 77 :氣體吐出口 78 :乾燥蒸氣供給源 79 :開閉閥 8〇 :控制器 8 1 :記憶媒體 8 2 :液處理程式 • 83 :洗淨次常式 84 :乾燥次常式 85 :吸引管 86 :感測器

Claims (1)

  1. 200830389 十、申請專利範圍 1. 一種液處理裝置，其特徵爲，具備有： 處理槽；和 被設置於處理槽之內部，用以支持被處理體而被可升 降地配設之支持具；和 對處理槽內部供給藥液之藥液供給部；和 對處理槽內部供給清洗（rinse )液之清洗液供給部； 和 使支持具升降之升降機構；和 對升降機構作控制之控制部， 控制部，係控制升降機構，在進行了以藥液所致之藥 液處理後，使支持具移動又或是將其作保持，並將被處理 體以在較藥液處理時相對於液面而更爲上升之位置，來進 行清洗液所致之清洗處理。 2. 如申請專利範圍第1項所記載之液處理裝置，其中 ，控制部係對升降機構作控制，並在清洗處理時，以使從 清洗液之液面位置起到被處理體之上端位置爲止的距離， 成爲較從藥液處理時之藥液的液面位置起直到被處理體之 上端位置爲止的距離爲更短的方式，來使支持具上升。 3 ·如申請專利範圍第2項所記載之液處理裝置，其中 ，控制部係對升降機構作控制，於藥液處理時，在使支持 具反覆升降的同時，將升降之被處理體的上端之平均位置 ，作爲前述藥液處理時之被處理體的上端位置。 4·如申請專利範圍第2項所記載之液處理裝置，其中 -34- 200830389 ，控制部係對升降機構作控制，於藥液處理時’在使支持 具反覆升降的同時，將升降之被處理體的上端之最高位置 ，作爲前述藥液處理時之被處理體的上端位置。 5.—種液處理裝置，其特徵爲，具備有： 處理槽；和 被設置於處理槽之內部，用以支持被處理體而被可升 降地配設之支持具；和 # 對處理槽內部供給清洗（rinse )液之清洗液供給部； 和 使支持具升降之升降機構；和 對升降機構作控制之控制部， 控制部，係控制升降機構，以使從清洗液之液面位置 起直到被處理體之上端位置爲止的距離，成爲較從清洗液 之底面位置起直到被處理體之下端位置爲止的距離爲更短 的方式，來使支持具移動又或是將其作保持。 • 6.—種液處理方法，係爲使用有液處理裝置之液處理 方法， 該液處理裝置，係具備有： 處理槽；和 被設置於處理槽之內部，用以支持被處理體而被可升 降地配設之支持具；和 對處理槽內部供給藥液之藥液供給部；和 對處理槽內部供給清洗（rinse )液之清洗液供給部； -35- 200830389 使支持具升降之升降機構；和 對升降機構作控制之控制部， 控制部，係控制升降機構，在進行了以藥液所致之藥 液處理後，使支持具移動又或是將其作保持，並將被處理 體以在較藥液處理時相對於液面而更爲上升之位置，來進 行清洗液所致之清洗處理，其特徵爲： 該液處理方法，係具備有： • 對處理槽內之被處理體施加藥液所致之藥液處理的工 程；和 在進行了藥液處理之後，藉由控制部而對升降機構作 控制，來使支持具移動又或是將其作保持，並將被處理體 以在較藥液處理時相對於液面而更爲上升之位置，來進行 清洗液所致之清洗處理的工程。 7.如申請專利範圍第6項所記載之液處理方法，其中 ，控制部係對升降機構作控制，並在清洗處理時，以使從 ® 清洗液之液面位置起到被處理體之上端位置爲止的距離， 成爲較從藥液處理時之藥液的液面位置起直到被處理體之 上端位置爲止的距離爲更短的方式，來使支持具上升。 8 .如申請專利範圍第7項所記載之液處理方法，其中 ，控制部係對升降機構作控制，於藥液處理時，在使支持 具反覆升降的同時，將升降之被處理體的上端之平均位置 ，作爲前述藥液處理時之被處理體的上端位置。 9 ·如申請專利範圍第7項所記載之液處理方法，其中 ，控制部係對升降機構作控制，於藥液處理時，在使支持 -36- 200830389 具反覆升降的同時，將升降之被處理體的上端之最高位置 ，作爲前述藥液處理時之被處理體的上端位置。 10.—種液處理方法，係爲使用有液處理裝置之液處 理方法， 該液處理裝置，係具備有： 處理槽；和 被設置於處理槽之內部，用以支持被處理體而被可升 降地配設之支持具；和 對處理槽內部供給清洗（rinse )液之清洗液供給部； 和 使支持具升降之升降機構；和 對升降機構作控制之控制部， 控制部，係控制升降機構，以使從清洗液之液面位置 起直到被處理體之上端位置爲止的距離，成爲較從清洗液 之底面位置起直到被處理體之下端位置爲止的距離爲更短 的方式，來使支持具移動又或是將其作保持，其特徵爲： 該液處理方法，係具備有： 對處理槽內部供給清洗液，並將被處理體浸漬在清洗 液中之工程；和 藉由控制部而對升降機構作控制，並以使從清洗液之 液面位置起直到被處理體之上端位置爲止的距離，成爲較 從清洗液之底面位置起直到被處理體之下端位置爲止的距 離爲更短的方式，來使支持具移動又或是將其作保持而進 行清洗處理之工程。 -37- 200830389 1 1 . 一種電腦程式，係爲用以在電腦中實行液處理方 法之電腦程式，其特徵爲： 液處理方法係爲使用有液處理裝置之液處理方法’該 液處理裝置，係具備有： 處理槽；和 被設置於處理槽之內部，用以支持被處理體而被可升 降地配設之支持具；和 # 對處理槽內部供給藥液之藥液供給部；和 對處理槽內部供給清洗（rinse)液之清洗液供給部； 和 使支持具升降之升降機構；和 對升降機構作控制之控制部， 控制部，係控制升降機構，在進行了以藥液所致之藥 液處理後，使支持具移動又或是將其作保持，並將被處理 體以在較藥液處理時相對於液面而更爲上升之位置，來進 ® 行清洗液所致之清洗處理， 該液處理方法，係具備有： 對處理槽內之被處理體施加藥液所致之藥液處理的工 程；和 在進行了藥液處理之後，藉由控制部而對升降機構作 控制，來使支持具移動又或是將其作保持，並將被處理體 以在較藥液處理時相對於液面而更爲上升之位置，來進行 清洗液所致之清洗處理的工程。 12·如申請專利範圍第11項所記載之電腦程式，其中 -38- 200830389 ，控制部係對升降機構作控制，並在清洗處理時，以使從 清洗液之液面位置起到被處理體之上端位置爲止的距離， 成爲較從藥液處理時之藥液的液面位置起直到被處理體之 上端位置爲止的距離爲更短的方式，來使支持具上升。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所記載之電腦程式’其中 ，控制部係對升降機構作控制，於藥液處理時，在使支持 具反覆升降的同時，將升降之被處理體的上端之平均位置 ，作爲前述藥液處理時之被處理體的上端位置。 14.如申請專利範圍第12項所記載之電腦程式，其中 ，控制部係對升降機構作控制，於藥液處理時’在使支持 具反覆升降的同時，將升降之被處理體的上端之最高位置 ，作爲前述藥液處理時之被處理體的上端位置。 1 5 . —種電腦程式，係爲用以在電腦中實行液處理方 法之電腦程式，其特徵爲： 該液處理方法，係爲使用有液處理裝置之液處理方法 ，該液處理裝置，係具備有： 處理槽；和 被設置於處理槽之內部，用以支持被處理體而被可升 降地配設之支持具；和 對處理槽內部供給清洗（rinse)液之清洗液供給部； 和 使支持具升降之升降機構；和 對升降機構作控制之控制部， 控制部，係控制升降機構，以使從清洗液之液面位置 -39- 200830389 起直到被處理體之上端位置爲止的距離，成爲較從清洗液 之底面位置起直到被處理體之下端位置爲止的距離爲更短 的方式，來使支持具移動又或是將其作保持， 該液處理方法，係具備有： 對處理槽內部供給清洗液，並將被處理體浸漬在清洗 液中之工程；和 藉由控制部而對升降機構作控制，並以使從清洗液之 液面位置起直到被處理體之上端位置爲止的距離，成爲較 從清洗液之底面位置起直到被處理體之下端位置爲止的距 離爲更短的方式，來使支持具移動又或是將其作保持而進 行清洗處理之工程。 1 6. —種記憶媒體，係爲儲存有用以在電腦中實行液 處理方法之電腦程式的記憶媒體，其特徵爲： 液處理方法係爲使用有液處理裝置之液處理方法，該 液處理裝置，係具備有： 處理槽；和 被設置於處理槽之內部，用以支持被處理體而被可升 降地配設之支持具；和 對處理槽內部供給藥液之藥液供給部；和 對處理槽內部供給清洗（rinse)液之清洗液供給部； 和 使支持具升降之升降機構；和 對升降機構作控制之控制部， 控制部，係控制升降機構，在進行了以藥液所致之藥 -40- 200830389 液處理後，使支持具移動又或是將其作保持，並將被處理 體以在較藥液處理時相對於液面而更爲上升之位置，來進 行清洗液所致之清洗處理， 該液處理方法，係具備有： 對處理槽內之被處理體施加藥液所致之藥液處理的工 程；和 在進行了藥液處理之後，藉由控制部而對升降機構作 • 控制，來使支持具移動又或是將其作保持，並將被處理體 以在較藥液處理時相對於液面而更爲上升之位置，來進行 清洗液所致之清洗處理的工程。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項所記載之記憶媒體，其中 ，控制部係對升降機構作控制，並在清洗處理時，以使從 清洗液之液面位置起到被處理體之上端位置爲止的距離’ 成爲較從藥液處理時之藥液的液面位置起直到被處理體之 上端位置爲止的距離爲更短的方式，來使支持具上升。 Φ 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項所記載之記憶媒體’其中 ，控制部係對升降機構作控制，於藥液處理時，在使支持 具反覆升降的同時，將升降之被處理體的上端之平均位置 ，作爲前述藥液處理時之被處理體的上端位置。 1 9 ·如申請專利範圍第1 7項所記載之記憶媒體’其中 ，控制部係對升降機構作控制，於藥液處理時，在使支持 具反覆升降的同時，將升降之被處理體的上端之最高位置 ，作爲前述藥液處理時之被處理體的上端位置。 2 0 · —種記憶媒體，係爲儲存有用以在電腦中實行液 -41 - 200830389 處理方法之電腦程式的記憶媒體，其特徵爲： 該液處理方法，係爲使用有液處理裝置之液處理方法 ，該液處理裝置，係具備有： 處理槽；和 被設置於處理槽之內部，用以支持被處理體而被可升 降地配設之支持具；和 對處理槽內部供給清洗（r i n s e )液之清洗液供給部； 和 使支持具升降之升降機構；和 對升降機構作控制之控制部， 控制部，係控制升降機構，以使從清洗液之液面位置 起直到被處理體之上端位置爲止的距離，成爲較從清洗液 之底面位置起直到被處理體之下端位置爲止的距離爲更短 的方式，來使支持具移動又或是將其作保持， 該液處理方法，係具備有： 對處理槽內部供給清洗液，並將被處理體浸漬在清洗 液中之工程；和 藉由控制部而對升降機構作控制，並以使從清洗液之 液面位置起直到被處理體之上端位置爲止的距離，成爲較 從清洗液之底面位置起直到被處理體之下端位置爲止的距 離爲更短的方式，來使支持具移動又或是將其作保持而進 行洗淨處理之工程。 -42-
TW096138699A 2006-10-18 2007-10-16 Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage media having liquid processing program stored TW200830389A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006283185A JP4891730B2 (ja) 2006-10-18 2006-10-18 液処理装置及び液処理方法並びに液処理プログラム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200830389A true TW200830389A (en) 2008-07-16
TWI372422B TWI372422B (zh) 2012-09-11

Family

ID=38969329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096138699A TW200830389A (en) 2006-10-18 2007-10-16 Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage media having liquid processing program stored

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8577502B2 (zh)
EP (1) EP1914791B1 (zh)
JP (1) JP4891730B2 (zh)
KR (1) KR101267641B1 (zh)
TW (1) TW200830389A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4917965B2 (ja) 2007-05-28 2012-04-18 ソニー株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
FR3082761B1 (fr) * 2018-06-22 2020-05-29 Safran Aircraft Engines Outillage de rincage a chaud

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980012044A (ko) * 1996-03-01 1998-04-30 히가시 데츠로 기판건조장치 및 기판건조방법
JPH10150013A (ja) * 1996-11-20 1998-06-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6068002A (en) 1997-04-02 2000-05-30 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying apparatus, wafer processing system and wafer processing method
US6158449A (en) 1997-07-17 2000-12-12 Tokyo Electron Limited Cleaning and drying method and apparatus
JP3557580B2 (ja) 1998-04-16 2004-08-25 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JP2001015468A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Seiko Epson Corp 被処理基板の処理方法及び薬液処理装置
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP3592702B1 (ja) 2003-08-12 2004-11-24 エス・イー・エス株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
CN100573826C (zh) * 2004-04-02 2009-12-23 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法、记录介质以及软件

Also Published As

Publication number Publication date
EP1914791A2 (en) 2008-04-23
US20080097647A1 (en) 2008-04-24
JP4891730B2 (ja) 2012-03-07
EP1914791A3 (en) 2009-07-15
US8577502B2 (en) 2013-11-05
TWI372422B (zh) 2012-09-11
JP2008103435A (ja) 2008-05-01
KR20080035489A (ko) 2008-04-23
EP1914791B1 (en) 2013-04-03
KR101267641B1 (ko) 2013-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102221743B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
JP4688637B2 (ja) 基板処理装置及びバッチ編成装置並びにバッチ編成方法及びバッチ編成プログラム
KR20220044108A (ko) 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법
TW200830389A (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage media having liquid processing program stored
JP6516908B2 (ja) リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JPH05200689A (ja) ウエハ保持装置およびその保持方法
JP7337175B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6548787B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR100944844B1 (ko) 열처리 장치 및 열처리 방법
TWI808112B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP6552687B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP4795064B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラム
WO2023127393A1 (ja) 基板乾燥装置、基板処理装置および基板の製造方法
KR102622986B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4455291B2 (ja) 処理システム
KR102186069B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP5425719B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
KR102489739B1 (ko) 기판 처리 장치 및 처리액 공급 방법
WO2023248416A1 (ja) プリウェットモジュール、およびプリウェット方法
TW202324530A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2022139303A (ja) 基板処理装置、および、基板処理方法
JP2023143122A (ja) 基板処理装置
JP2010283402A (ja) 基板処理装置
CN114222948A (zh) 涂敷显影装置
CN115332109A (zh) 基板处理装置和基板处理方法