KR20220044108A - 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법 - Google Patents

기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법 Download PDF

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Abstract

본 개시는, 배치(batch) 처리부 및 매엽 처리부 양쪽 모두를 구비하는 기판 처리 시스템에 있어서, 배치 처리부로부터 매엽 처리부로의 기판의 반송을 적절히 행하는 것을 목적으로 한다.
기판 처리 시스템은, 배치 처리부와, 매엽 처리부와, 반송부를 구비한다. 배치 처리부는 복수의 기판을 미리 정해진 피치로 포함하는 로트를 일괄 처리한다. 매엽 처리부는 로트에 포함되는 기판을 1장씩 처리한다. 반송부는 배치 처리부로부터 매엽 처리부로 기판을 1장씩 반송한다. 배치 처리부는 처리조와, 지지구를 포함한다. 처리조는 처리액을 저류한다. 지지구는, 미리 정해진 피치로 형성된 복수의 홈을 가지며, 기립한 상태의 복수의 기판을 복수의 홈의 각각에 있어서 아래쪽에서 지지한다. 반송부는 유지구를 포함한다. 유지구는 미리 정해진 피치보다 크고 또한 처리액 내에서 지지구에 지지된 복수의 기판과 복수의 기판과 대향하는 처리조의 내벽면 사이의 간극에 삽입 가능한 두께를 가지며, 복수의 기판을 1장씩 유지할 수 있다.

Description

기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND SUBSTRATE TRANSFERRING METHOD}
본 개시는, 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 1장씩 처리하는 매엽식 처리부(매엽 처리부) 및 복수의 기판을 일괄 처리하는 배치(batch)식 처리부(배치 처리부) 양쪽 모두를 구비하여, 배치 처리부로부터 매엽 처리부로 기판을 1장씩 반송하는 기판 처리 시스템이 있다.
일본 특허 공개 평성 제9-162157호 공보
본 개시는, 배치 처리부 및 매엽 처리부 양쪽 모두를 구비하는 기판 처리 시스템에 있어서, 배치 처리부로부터 매엽 처리부로의 기판의 반송을 적절하게 행할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 따른 기판 처리 시스템은, 배치 처리부와, 매엽 처리부와, 반송부를 구비한다. 배치 처리부는 복수의 기판을 미리 정해진 피치로 포함하는 로트를 일괄 처리한다. 매엽 처리부는 로트에 포함되는 기판을 1장씩 처리한다. 반송부는, 배치 처리부로부터 매엽 처리부로 기판을 1장씩 반송한다. 배치 처리부는 처리조와, 지지구를 포함한다. 처리조는 처리액을 저류한다. 지지구는, 미리 정해진 피치로 형성된 복수의 홈을 가지며, 기립한 상태의 복수의 기판을 복수의 홈의 각각에 있어서 아래쪽에서 지지한다. 반송부는 유지구를 포함한다. 유지구는, 미리 정해진 피치보다 크고 또한 처리액 내에서 지지구에 지지된 복수의 기판과 복수의 기판과 대향하는 처리조의 내벽면 사이의 간극에 삽입 가능한 두께를 가지며, 복수의 기판을 1장씩 유지할 수 있다.
본 개시에 따르면, 배치 처리부 및 매엽 처리부 양쪽 모두를 구비하는 기판 처리 시스템에 있어서, 배치 처리부로부터 매엽 처리부로의 기판의 반송을 적절하게 행할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타낸 블록도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템 중, 반입 영역, 배치 영역 및 IF 영역의 모식적인 평면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템 중, IF 영역, 매엽 영역 및 반출 영역의 모식적인 평면도이다.
도 4는 제1 실시형태에 따른 에칭용 처리조의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 5는 제1 실시형태에 따른 린스용 처리조의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 6은 제1 실시형태에 따른 로트 침지 기구의 구성을 나타낸 도면이다.
도 7은 제1 실시형태에 따른 지지구의 구성을 나타낸 도면이다.
도 8은 제1 실시형태에 따른 유지구의 구성을 나타낸 도면이다.
도 9는 제1 실시형태에 따른 지지 아암의 선단을 확대하여 나타낸 확대도이다.
도 10은 제1 실시형태에 따른 유지구의 두께를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 제1 실시형태에 따른 액처리부의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 12는 제1 실시형태에 따른 건조 처리부의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 13은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템이 실행하는 처리의 절차를 나타낸 흐름도이다.
도 14a는 제1 실시형태에 따른 제4 반송 기구의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 14b는 제1 실시형태에 따른 제4 반송 기구의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 14c는 제1 실시형태에 따른 제4 반송 기구의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 14d는 제1 실시형태에 따른 제4 반송 기구의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 14e는 제1 실시형태에 따른 제4 반송 기구의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 14f는 제1 실시형태에 따른 제4 반송 기구의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 15a는 제1 실시형태의 변형례에 따른 제4 반송 기구 및 린스용 처리조의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 15b는 제1 실시형태의 변형례에 따른 제4 반송 기구 및 린스용 처리조의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 15c는 제1 실시형태의 변형례에 따른 제4 반송 기구 및 린스용 처리조의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 15d는 제1 실시형태의 변형례에 따른 제4 반송 기구 및 린스용 처리조의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 16은 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식적인 평면도이다.
도 17은 제2 실시형태에 따른 제1 배치부의 모식적인 정면도이다.
도 18은 제2 실시형태에 따른 제2 배치부의 모식적인 정면도이다.
도 19는 제3 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식적인 측면도이다.
도 20은 변형례에 따른 매엽 영역의 모식적인 평면도이다.
이하에, 본 개시에 따른 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법을 실시하기 위한 형태(이하, 「실시형태」라고 기재함)에 대해서 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 또한, 이 실시형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 실시형태는, 처리 내용을 모순되게 하지 않는 범위에서 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 이하의 각 실시형태에 있어서 동일 부위에는 동일 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략된다.
또한, 이하에 나타낸 실시형태에서는, 「일정」, 「직교」, 「수직」 혹은 「평행」이라는 표현이 이용되는 경우가 있는데, 이들 표현은, 엄밀히 「일정」, 「직교」, 「수직」 혹은 「평행」일 필요는 없다. 즉, 상기한 각 표현은, 예컨대 제조 정밀도, 설치 정밀도 등의 차이를 허용하는 것으로 한다.
또한, 이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 이해하기 쉽게 하기 위해, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 나타내는 경우가 있다. 또한, 연직축을 회전 중심으로 하는 회전 방향을 θ 방향이라고 부르는 경우가 있다.
특허문헌 1에는, 복수의 기판을 일괄하여 수세 처리하는 배치 처리부와, 기판을 1장씩 건조 처리하는 매엽 처리부와, 기판을 반송하는 반송 기구를 구비한 기판 처리 시스템이 개시되어 있다. 반송 기구는, 기판의 주연부를 잡는 척을 가지며, 척을 이용하여 배치 처리부로부터 기판을 1장씩 꺼내어 매엽 처리부로 반송한다.
그런데, 최근의 기판 처리 시스템에서는, 스루풋을 향상시킨다는 관점에서, 배치 처리부에 있어서 일괄 처리되는 복수의 기판 간의 피치가 협소화되고 있다.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 기판 처리 시스템에서는, 기판 간의 피치가 좁은 경우에, 배치 처리부로부터 매엽 처리부로 기판을 적절하게 반송하는 것까지는 고려하고 있지 않다. 이 때문에, 기판 간의 피치가 좁은 경우에도, 배치 처리부로부터 매엽 처리부로의 기판의 반송을 적절하게 행할 수 있는 기판 반송 시스템이 기대되고 있다.
(제1 실시형태)
<기판 처리 시스템의 구성>
우선, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성에 대해서 도 1을 참조하여 설명한다. 도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 나타낸 블록도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은, 반입 영역(A1), 배치(batch) 영역(A2), IF(인터페이스) 영역(A3), 매엽 영역(A4), 및 반출 영역(A5)을 구비한다. 반입 영역(A1), 배치 영역(A2), IF 영역(A3), 매엽 영역(A4) 및 반출 영역(A5)은, 이 순서로 배열된다.
제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입 영역(A1)에 있어서 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고 기재함)의 반입이 행해진다. 반입 영역(A1)에는, 복수의 웨이퍼를 수용한 캐리어가 배치되는 제1 배치부 등이 마련된다. 반입 영역(A1)에서는, 제1 배치부에 배치된 캐리어로부터 복수의 웨이퍼를 꺼내어 로트를 형성하는 처리, 및 형성된 로트를 배치 영역에 전달하는 처리 등이 행해진다.
배치 영역(A2)에는, 웨이퍼를 로트 단위로 일괄 처리하는 배치 처리부 등이 마련된다. 제1 실시형태에 있어서, 배치 영역(A2)에서는, 배치 처리부를 이용하여 웨이퍼의 에칭 처리 등이 로트 단위로 행해진다. 또한, 배치 영역(A2)에는, 로트를 반송하는 로트 반송 기구가 마련되어 있다. 로트 반송 기구는, 반입 영역(A1)에서 형성된 로트를 배치 영역(A2)으로 반송한다.
IF 영역(A3)에서는, 배치 영역(A2)으로부터 매엽 영역(A4)으로의 웨이퍼의 전달(반송)이 행해진다. IF 영역(A3)에는, 웨이퍼를 1장씩 반송하는 반송부가 마련되어 있고, 이러한 반송부를 이용하여 배치 영역으로부터 매엽 영역으로 웨이퍼를 1장씩 반송한다.
매엽 영역(A4)에는, 웨이퍼를 1장씩 처리하는 매엽 처리부 등이 마련된다. 제1 실시형태에 있어서, 매엽 영역(A4)에는, IF 영역(A3)으로부터 웨이퍼가 반입되는 제1 매엽 처리부와, 제1 매엽 처리부에 의해 처리된 웨이퍼를 처리하는 제2 매엽 처리부가 마련된다.
구체적으로는, 제1 매엽 처리부는, 웨이퍼의 표면에 액막을 형성하는 액처리부이다. 또한, 제2 매엽 처리부는, 표면에 액막이 형성된 웨이퍼를 초임계 유체와 접촉시켜 웨이퍼를 건조시키는 복수의 건조 처리부이다.
즉, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 배치 영역(A2)에 있어서 웨이퍼의 에칭 처리를 로트 단위로 행하고, 그 후, 매엽 영역(A4)에 있어서 웨이퍼의 건조 처리를 1장씩 행한다.
반출 영역(A5)에는, 빈 캐리어가 배치되는 제2 배치부 등이 마련된다. 반출 영역(A5)에서는, 매엽 영역(A4)에 있어서 건조 처리를 마친 웨이퍼를 제2 배치부에배치된 캐리어에 수용하는 처리가 행해진다.
다음에, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 구체적인 구성에 대해서 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다. 도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1) 중, 반입 영역, 배치 영역 및 IF 영역의 모식적인 평면도이다. 또한, 도 3은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1) 중, IF 영역, 매엽 영역 및 반출 영역의 모식적인 평면도이다.
우선, 도 2를 참조하여 반입 영역(A1), 배치 영역(A2) 및 IF 영역(A3)의 구성에 대해서 설명한다.
(반입 영역(A1)에 대해서)
도 2에 도시된 바와 같이, 반입 영역(A1)에는, 캐리어 반입부(2)와, 로트 형성부(3)가 배치된다. 캐리어 반입부(2) 및 로트 형성부(3)는, 영역(A1∼A5)의 배열 방향(X축 방향)을 따라 배열된다. 또한, 로트 형성부(3)는, 배치 영역(A2)에 인접해 있다.
캐리어 반입부(2)는, 제1 배치부(20)와, 제1 반송 기구(21)와, 캐리어 스톡(22, 23)과, 캐리어 배치대(24)를 구비한다.
제1 배치부(20)에는, 외부로부터 반송된 복수의 캐리어(C)가 배치된다. 캐리어(C)는, 복수(예컨대, 25장)의 웨이퍼(W)를 수평 자세로 상하로 나란히 수용하는 용기이다. 제1 반송 기구(21)는, 제1 배치부(20), 캐리어 스톡(22, 23) 및 캐리어 배치대(24) 사이에서 캐리어(C)의 반송을 행한다.
로트 형성부(3)는, 제2 반송 기구(30)와, 복수(예컨대, 2개)의 로트 유지부(31)를 구비하고, 복수의 웨이퍼(W)로 구성되는 로트를 형성한다. 제1 실시형태에 있어서, 로트는, 2개의 캐리어(C)에 수용된 모두 50장의 웨이퍼(W)를 조합함으로써 형성된다. 1개의 로트를 형성하는 복수의 웨이퍼(W)는, 서로의 주면을 대향시킨 상태에서 일정한 간격[미리 정해진 피치(P)]을 두고 배열된다. 주면이란, 예컨대, 웨이퍼(W)의 패턴 형성면이다. 미리 정해진 피치(P)는, 예컨대, 캐리어(C)에 수용된 복수(예컨대, 25장)의 웨이퍼(W) 간의 피치의 절반 거리이다. 제1 실시형태에 있어서, 미리 정해진 피치(P)는, 5 mm이다. 또한, 로트를 구성하는 웨이퍼(W)의 장수는, 50장으로 한정되지 않는다. 예컨대, 로트는, 100장의 웨이퍼(W)로 구성되어도 좋다.
제2 반송 기구(30)는, 캐리어 배치대(24)에 배치된 캐리어(C)와 로트 유지부(31) 사이에서 복수의 웨이퍼(W)를 반송한다. 제2 반송 기구(30)는, 예컨대, 다관절 로봇으로 구성되고, 복수(예컨대, 25장)의 웨이퍼(W)를 일괄로 반송한다. 또한, 제2 반송 기구(30)는, 반송 도중에 복수의 웨이퍼(W)의 자세를 수평 자세에서 수직 자세로 변경시킬 수 있다.
로트 유지부(31)는, 1로트분의 복수의 웨이퍼(W)를 수직 자세로 유지한다. 제2 반송 기구(30)는, 캐리어 배치대(24)에 배치된 캐리어(C)로부터 복수의 웨이퍼(W)를 꺼내어 로트 유지부(31)에 수직 자세로 배치한다. 예컨대 이 동작을 2회 반복함으로써, 1개의 로트가 형성된다.
(배치 영역(A2)에 대해서)
배치 영역(A2)에는, 전처리부(4_1)와, 복수(여기서는, 2개)의 에칭 처리부(4_2)와, 후처리부(4_3)가 배치된다. 전처리부(4_1), 복수의 에칭 처리부(4_2) 및 후처리부(4_3)는, 배치 처리부의 일례이다.
전처리부(4_1), 복수의 에칭처 리부(4_2) 및 후처리부(4_3)는, 영역(A1∼A5)의 배열 방향(X축 방향)을 따라 이 순서로 배열된다. 또한, 전처리부(4_1)는, 반입 영역(A1)에 인접해 있고, 후처리부(4_3)는, IF 영역(A3)에 인접해 있다.
전처리부(4_1)는, 전처리용 처리조(40)와, 린스용 처리조(41)와, 로트 침지 기구(42)를 구비한다.
처리조(40) 및 처리조(41)는, 수직 자세로 배열된 1로트분의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있다. 처리조(40)에는, 전처리용 처리액이 저류된다. 예컨대, 처리조(40)에는, 전처리, 여기서는 자연 산화막 제거용 처리액으로서, DHF(희불산)가 저류된다. 또한, 처리조(41)에는, 린스용 처리액(예컨대 탈이온수)이 저류된다.
로트 침지 기구(42)는, 로트를 형성하는 복수의 웨이퍼(W)를 수직 자세로 일정한 간격을 두고 유지한다. 로트 침지 기구(42)는, 유지한 로트를 승강시키는 승강 기구를 갖고 있고, 처리조(40, 41)의 위쪽에서부터 로트를 하강시켜 처리조(40, 41)에 침지시키거나, 처리조(40, 41)에 침지시킨 로트를 상승시켜 처리조(40, 41)로부터 꺼내거나 한다. 또한, 로트 침지 기구(42)는, 수평 이동 기구를 갖고 있고, 처리조(40)의 위쪽 위치와 처리조(41)의 위쪽 위치 사이에서 로트를 수평 이동시킬 수 있다.
또한, 여기서는, 전처리용 처리조(40)가 린스용 처리조(41)의 X축 정방향측에 배치되는 경우의 예를 나타내고 있지만, 전처리용 처리조(40)는, 린스용 처리조(41)의 X축 부방향측에 배치되어도 좋다.
에칭 처리부(4_2)는, 에칭용 처리조(43)와, 린스용 처리조(44)와, 로트 침지 기구(45, 46)를 구비한다.
처리조(43) 및 처리조(44)는, 수직 자세로 배열된 1로트분의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있다. 처리조(43)에는, 에칭용 처리액(이하, 「에칭액」이라고도 호칭함)이 저류된다. 처리조(43)의 상세한 내용에 대해서는 후술한다. 처리조(44)에는, 린스용 처리액(예컨대 탈이온수)이 저류된다.
로트 침지 기구(45, 46)는, 로트를 형성하는 복수의 웨이퍼(W)를 수직 자세로 일정한 간격을 두고 유지한다. 로트 침지 기구(45)는, 유지한 로트를 승강시키는 승강 기구를 갖고 있고, 처리조(43)의 위쪽에서부터 로트를 하강시켜 처리조(43)에 침지시키거나, 처리조(43)에 침지시킨 로트를 상승시켜 처리조(43)로부터 꺼내거나 한다. 마찬가지로, 로트 침지 기구(46)도, 유지한 로트를 승강시키는 승강 기구를 갖고 있고, 처리조(44)의 위쪽에서부터 로트를 하강시켜 처리조(44)에 침지시키거나, 처리조(44)에 침지시킨 로트를 상승시켜 처리조(44)로부터 꺼내거나 한다.
또한, 여기서는, 에칭 처리용 처리조(43)가 린스용 처리조(44)의 X축 정방향측에 배치되는 경우의 예를 나타내고 있지만, 에칭 처리용 처리조(43)는, 린스용 처리조(44)의 X축 부방향측에 배치되어도 좋다.
후처리부(4_3)는, 후처리용 처리조(47)와, 린스용 처리조(48)와, 로트 침지 기구(49)를 구비한다.
처리조(47) 및 처리조(48)는, 수직 자세로 배열된 1로트분의 웨이퍼(W)를 수용용할 수 있다. 처리조(47)에는, 후처리용 처리액이 저류된다. 예컨대, 처리조(40)에는, 후처리, 여기서는 세정용 처리액으로서, SC1(암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합액)이 저류된다. 또한, 처리조(48)에는, 린스용 처리액[예컨대 탈이온수(DIW: Deionized Water)]가 저류된다. 이러한 린스용 처리조(48)는, IF 영역(A3)에 인접해 있다. 처리조(48)의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
로트 침지 기구(49)는, 로트를 형성하는 복수의 웨이퍼(W)를 수직 자세로 유지한다. 로트 침지 기구(49)는, 유지한 로트를 승강시키는 승강 기구를 갖고 있고, 처리조(47, 48)의 위쪽에서부터 로트를 하강시켜 처리조(47, 48)에 침지시키거나, 처리조(47, 48)에 침지시킨 로트를 상승시켜 처리조(47, 48)로부터 꺼내거나 한다. 또한, 로트 침지 기구(49)는, 수평 이동 기구를 갖고 있고, 처리조(47)의 위쪽 위치와 처리조(48)의 위쪽 위치 사이에서 로트를 수평 이동시킬 수 있다. 로트 침지 기구(49)의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
여기서는, 배치 영역(A2)에 4개의 배치 처리부[전처리부(4_1), 복수의 에칭 처리부(4_2) 및 후처리부(4_3)]가 배치되는 경우의 예를 나타내었지만, 배치 처리부의 수는, 본 예에 한정되지 않고, 예컨대 1개여도 좋다.
(제3 반송 기구(50)에 대해서)
기판 처리 시스템(1)은, 제3 반송 기구(50)(로트 반송 기구의 일례)를 구비한다. 제3 반송 기구(50)는, 반입 영역(A1) 및 배치 영역(A2)에 걸쳐 배치되고, 반입 영역(A1)으로부터 배치 영역(A2)으로 로트를 반송한다.
제3 반송 기구(50)는, 유지체(51)와, 레일(52)과, 이동체(53)를 구비한다. 유지체(51)는, 복수의 웨이퍼(W)가 수직 자세가 되는 상태에서 로트를 유지한다. 레일(52)은, 반입 영역(A1)의 로트 유지부(31)로부터 배치 영역(A2)의 처리조(48)까지, X축 방향을 따라 연장된다. 이동체(53)는, 레일(52)에 마련되고, 유지체(51)를 레일(52)을 따라 이동시킨다.
이러한 제3 반송 기구(50)는, 로트 유지부(31)에 유지된 로트를 유지체(51)를 이용하여 유지하고, 유지한 로트를 배치 영역(A2)으로 반송한다. 그리고, 제3 반송 기구(50)는, 전처리부(4_1), 에칭 처리부(4_2) 및 후처리부(4_3)의 순으로 로트를 반송해 나간다.
여기서, 에칭용 처리조(43)에 대해서 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 제1 실시형태에 따른 에칭용 처리조(43)의 구성을 나타낸 블록도이다.
처리조(43)에서는, 소정의 에칭액을 이용하여, 웨이퍼(W) 상에 형성된 실리콘질화막(SiN) 및 실리콘산화막(SiO2) 중 실리콘질화막을 선택적으로 에칭하는 에칭 처리가 행해진다. 이러한 에칭 처리에서는, 인산(H3PO4) 수용액에 실리콘(Si) 함유 화합물을 첨가하여 실리콘 농도를 조정한 용액이, 에칭액으로서 이용된다.
에칭액 내의 실리콘 농도를 조정하는 수법으로는, 인산 수용액에 더미 기판을 침지시켜 실리콘을 용해시키는 방법(시즈닝)이나, 콜로이달실리카 등의 실리콘 함유 화합물을 인산 수용액에 용해시키는 방법을 이용할 수 있다. 또한, 인산 수용액에 실리콘 함유 화합물 수용액을 첨가하여 실리콘 농도를 조정하여도 좋다.
도 4에 도시된 바와 같이, 에칭용 처리조(43)는, 내부조(101)와, 외부조(102)를 구비한다. 내부조(101)는, 위쪽이 개방된 상자형의 조(槽)이며, 내부에 에칭액을 저류한다. 복수의 웨이퍼(W)에 의해 형성되는 로트는, 내부조(101)에 침지된다. 외부조(102)는, 위쪽이 개방되고, 내부조(101)의 상부 주위에 배치된다. 외부조(102)에는, 내부조(101)로부터 오버플로우한 에칭액이 유입된다.
또한, 처리조(43)는, 인산 수용액 공급부(103)와, 실리콘 공급부(104)와, DIW 공급부(105)를 구비한다.
인산 수용액 공급부(103)는, 인산 수용액 공급원(131)과, 인산 수용액 공급 라인(132)과, 유량 조정기(133)를 갖는다.
인산 수용액 공급원(131)은, 인산 농도가 소망의 농도로 농축된 인산 수용액을 공급한다. 인산 수용액 공급 라인(132)은, 인산 수용액 공급원(131)과 외부조(102)를 접속하고, 인산 수용액 공급원(131)으로부터 외부조(102)에 인산 수용액을 공급한다.
유량 조정기(133)는, 인산 수용액 공급 라인(132)에 마련되고, 외부조(102)로 공급되는 인산 수용액의 공급량을 조정한다. 유량 조정기(133)는, 개폐 밸브나 유량 제어 밸브, 유량계 등으로 구성된다.
실리콘 공급부(104)는, 실리콘 공급원(141)과, 실리콘 공급 라인(142)과, 유량 조정기(143)를 갖는다.
실리콘 공급원(141)은, 실리콘 함유 화합물 수용액을 저류하는 탱크이다. 실리콘 공급 라인(142)은, 실리콘 공급원(141)과 외부조(102)를 접속하고, 실리콘 공급원(141)으로부터 외부조(102)에 실리콘 함유 화합물 수용액을 공급한다.
유량 조정기(143)는, 실리콘 공급 라인(142)에 마련되고, 외부조(102)로 공급되는 실리콘 함유 화합물 수용액의 공급량을 조정한다. 유량 조정기(143)는, 개폐 밸브나 유량 제어 밸브, 유량계 등으로 구성된다. 유량 조정기(143)에 의해 실리콘 함유 화합물 수용액의 공급량이 조정됨으로써, 에칭액의 실리콘 농도가 조정된다.
DIW 공급부(105)는, DIW 공급원(151)과, DIW 공급 라인(152)과, 유량 조정기(153)를 갖는다. DIW 공급부(105)는, 에칭액을 가열함으로써 증발된 수분을 보급하기 위해, 외부조(102)에 DIW를 공급한다.
DIW 공급 라인(152)은, DIW 공급원(151)과 외부조(102)를 접속하고, DIW 공급원(151)으로부터 외부조(102)에 소정 온도의 DIW를 공급한다.
유량 조정기(153)는, DIW 공급 라인(152)에 마련되고, 외부조(102)로 공급되는 DIW의 공급량을 조정한다. 유량 조정기(153)는, 개폐 밸브나 유량 제어 밸브, 유량계 등으로 구성된다. 유량 조정기(153)에 의해 DIW의 공급량이 조정됨으로써, 에칭액의 온도, 인산 농도 및 실리콘 농도가 조정된다.
또한, 처리조(43)는, 순환부(106)를 구비한다. 순환부(106)는, 내부조(101)와 외부조(102) 사이에서 에칭액을 순환시킨다. 순환부(106)는, 순환 라인(161)과, 복수의 처리액 공급 노즐(162)과, 필터(163)와, 히터(164)와, 펌프(165)를 구비한다.
순환 라인(161)은, 외부조(102)와 내부조(101)를 접속한다. 순환 라인(161)의 일단은, 외부조(102)에 접속되고, 순환 라인(161)의 타단은, 내부조(101)의 내부에 배치된 복수의 처리액 공급 노즐(162)에 접속된다.
필터(163), 히터(164) 및 펌프(165)는, 순환 라인(161)에 마련된다. 필터(163)는, 순환 라인(161)을 통해 흐르는 에칭액으로부터 불순물을 제거한다. 히터(164)는, 순환 라인(161)을 통해 흐르는 에칭액을, 에칭 처리에 알맞은 온도로 가열한다. 펌프(165)는, 외부조(102) 내의 에칭액을 순환 라인(161)으로 송출한다. 필터(163), 히터(164) 및 펌프(165)는, 상류측에서부터 이 순서로 마련된다.
순환부(106)는, 에칭액을 외부조(102)로부터 순환 라인(161) 및 복수의 처리액 공급 노즐(162)을 경유하여 내부조(101) 내로 보낸다. 내부조(101) 내로 보내진 에칭액은, 내부조(101)로부터 오버플로우함으로써, 다시 외부조(102)로 유출된다. 이와 같이 하여, 에칭액은, 내부조(101)와 외부조(102) 사이에서 순환된다.
또한, 순환부(106)는, 히터(164)에 의해 에칭액을 가열함으로써, 에칭액을 비등 상태로 하여도 좋다.
다음에, 린스용 처리조(48)에 대해서 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 제1 실시형태에 따른 린스용 처리조(48)의 구성을 나타낸 블록도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 린스용 처리조(48)는, 내부조(201)와, 외부조(202)를 구비한다. 내부조(201)는, 위쪽이 개방된 상자형의 조(槽)이며, 내부에 린스액(처리액의 일례)을 저류한다. 복수의 웨이퍼(W)에 의해 형성되는 로트는, 내부조(201)에 침지된다. 외부조(202)는, 위쪽이 개방되고, 내부조(201)의 상부 주위에 배치된다. 외부조(202)에는, 내부조(201)로부터 오버플로우한 린스액이 유입된다.
또한, 처리조(48)는, DIW 공급부(205)를 구비한다.
DIW 공급부(205)는, DIW 공급원(251)과, DIW 공급 라인(252)과, 유량 조정기(253)를 갖는다.
DIW 공급원(251)은, DIW를 공급한다. DIW 공급 라인(252)은, DIW 공급원(251)과 외부조(202)를 접속하고, DIW 공급원(251)으로부터 외부조(202)에 소정 온도의 DIW를 공급한다.
유량 조정기(253)는, DIW 공급 라인(252)에 마련되고, 외부조(202)로 공급되는 DIW의 공급량을 조정한다. 유량 조정기(253)는, 개폐 밸브나 유량 제어 밸브, 유량계 등으로 구성된다.
또한, 처리조(43)는, 순환부(206)를 구비한다. 순환부(206)는, 내부조(201)와 외부조(202) 사이에서 린스액을 순환시킨다. 순환부(206)는, 순환 라인(261)과, 복수의 처리액 공급 노즐(262)과, 필터(263)와, 히터(264)와, 펌프(265)를 구비한다.
순환 라인(261)은, 외부조(202)와 내부조(201)를 접속한다. 순환 라인(261)의 일단은, 외부조(202)에 접속되고, 순환 라인(261)의 타단은, 내부조(201)의 내부에 배치된 복수의 처리액 공급 노즐(262)에 접속된다.
필터(263), 히터(264) 및 펌프(265)는 순환 라인(261)에 마련된다. 필터(263)는, 순환 라인(261)을 통해 흐르는 린스액으로부터 불순물을 제거한다. 히터(264)는, 순환 라인(261)을 통해 흐르는 린스액을, 린스 처리에 알맞은 온도로 가열한다. 펌프(265)는, 외부조(202) 내의 린스액을 순환 라인(261)으로 송출한다. 필터(263), 히터(264) 및 펌프(265)는, 상류측에서부터 이 순서로 마련된다.
순환부(206)는, 린스액을 외부조(202)로부터 순환 라인(261) 및 복수의 처리액 공급 노즐(262) 경유로 내부조(201) 내로 보낸다. 내부조(201) 내로 보내진 린스액은, 내부조(201)로부터 오버플로우함으로써, 다시 외부조(202)로 유출된다. 이와 같이 하여, 린스액은, 내부조(201)와 외부조(202) 사이에서 순환된다.
다음에, 로트 침지 기구(49)에 대해서 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은 제1 실시형태에 따른 로트 침지 기구(49)의 구성을 나타낸 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 로트 침지 기구(49)는, 지지구(301)와, 승강 기구(302)를 구비한다. 또한, 로트 침지 기구(49)는, 승강 기구(302) 외에 수평 이동 기구도 구비하지만, 여기서는, 설명의 편의상, 수평 이동 기구의 설명을 생략한다.
지지구(301)는, 복수의 홈(311)을 가지며, 기립한 상태의 복수의 웨이퍼(W)를 복수의 홈(311)의 각각에 있어서 아래쪽에서 지지한다. 여기서, 지지구(301)의 구성에 대해서 도 7을 참조하여 설명한다. 도 7은 제1 실시형태에 따른 지지구(301)의 구성을 나타낸 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 지지구(301)가 갖는 복수의 홈(311)은, 수평 방향(여기서는, Y축 방향)을 따라 일정한 간격[미리 정해진 피치(P)]으로 형성된다. 각 홈(311)은, 아래쪽을 향해 폭이 좁아지는 대략 역사다리꼴형을 갖는다. 이와 같이, 지지구(301)는, 복수의 홈(311)에 의해 형성되는 빗살 구조를 갖는다.
복수의 웨이퍼(W)는, 각 홈(311)에 대하여 1장씩 지지된다. 이것에 의해, 복수의 웨이퍼(W)는, 홈(311)의 배열 방향과 동일한 방향(Y축 방향)으로 일정한 간격[미리 정해진 피치(P)]을 두고 배열된 상태에서 지지구(301)에 지지된다.
승강 기구(302)는, 지지구(301)를 승강시킨다. 승강 기구(302)는, 처리조(48)의 위쪽에서부터 지지구(301)를 강하시켜, 지지구(301)에 지지된 복수의 웨이퍼(W)를 처리조(48)의 린스용 처리액에 침지시킬 수 있다. 또한, 승강 기구(302)는, 지지구(301)를 상승시켜, 지지구(301)에 지지된 복수의 웨이퍼(W)를 처리조(48)로부터 꺼낼 수 있다.
(IF 영역(A3)에 대해서)
IF 영역(A3)에는, 제4 반송 기구(55)(반송부의 일례)가 배치된다. 제4 반송 기구(55)는, 예컨대, 다관절 로봇으로 구성되고, 웨이퍼(W)를 1장씩 반송한다. 또한, 제4 반송 기구(55)는, 반송 도중에 웨이퍼(W)의 자세를 수직 자세에서 수평 자세로 변경시킬 수 있다.
제4 반송 기구(55)는, 후처리부(4_3)가 구비하는 린스용 처리조(48)에 침지된 로트로부터 웨이퍼(W)를 1장 꺼내고, 꺼낸 웨이퍼(W)의 자세를 수직 자세에서 수평 자세로 변경한 후에, 후술하는 매엽 영역(A4)의 액처리부(6)에 반입한다.
제4 반송 기구(55)는, 복수의 아암 세그먼트를 복수의 회전축으로 회전 가능하게 접속한 아암(55a)을 갖는 다관절 로봇이다. 아암(55a)의 선단에는 유지구(55b)가 접속된다. 제4 반송 기구(55)는, 아암(55a)을 동작시켜, 유지구(55b)의 자세를 수직 자세와 수평 자세 사이에서 변경할 수 있다. 유지구(55b)는, 웨이퍼(W)를 1장씩 유지할 수 있도록 구성된다. 여기서, 유지구(55b)의 구성에 대해서 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다. 도 8은 제1 실시형태에 따른 유지구(55b)의 구성을 나타낸 도면이다. 도 8에 있어서는, 수직 자세의 유지구(55b)가 도시되어 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 유지구(55b)는, 베이스 부재(401)와, 지지 아암(402)과, 클램프 부재(403)를 구비한다.
베이스 부재(401)는, 아암(55a)에 연결된다.
지지 아암(402)은, 베이스 부재(401)에 고정된다. 지지 아암(402)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 선단(402a)에 지지구(411)를 가지며, 유지구(55b)의 자세가 수직 자세로 설정된 상태에서, 지지구(411)에 있어서 아래쪽에서 1장의 웨이퍼(W)를 지지한다. 도 9는 제1 실시형태에 따른 지지 아암(402)의 선단(402a)을 확대하여 나타낸 확대도이다. 지지구(411)는, 아래쪽을 향해 폭이 좁아지는 대략 V자 형상을 갖는다. 웨이퍼(W)는, 지지 아암(402)의 한쪽 면(402b)과 대향하도록 지지구(411)에 수용됨으로써, 지지 아암(402)에 지지된다.
클램프 부재(403)는, 베이스 부재(401)에 대하여 진퇴 가능하게 마련된다.
유지구(55b)는, 베이스 부재(401) 내부로부터 클램프 부재(403)를 진출시키고, 진출시킨 클램프 부재(403)를 지지 아암(402)에 지지된 웨이퍼(W)의 상연부에 접촉시킴으로써, 웨이퍼(W)를 유지한다. 또한, 유지구(55b)는, 웨이퍼(W)의 상연부에 접촉시킨 클램프 부재(403)를 베이스 부재(401) 내부로 후퇴시킴으로써, 웨이퍼(W)의 유지를 해제한다.
또한, 유지구(55b)는, 미리 정해진 피치(P)보다 크고 또한 처리조(48)의 린스용 처리액 내에서 지지구(301)에 지지된 복수의 웨이퍼(W)와 복수의 웨이퍼(W)와 대향하는 처리조(48)의 내벽면 사이의 간극에 삽입 가능한 두께를 갖는다. 여기서, 유지구(55b)의 두께에 대해서 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은 제1 실시형태에 따른 유지구(55b)의 두께를 설명하기 위한 도면이다. 도 10에서는, 지지구(301)에 지지된 복수의 웨이퍼(W)가 처리조(48)의 린스용 처리액에 침지된 상태를 나타내고 있다.
지지구(301)가 갖는 복수의 홈(311)은, Y축 방향을 따라 미리 정해진 피치(P)로 형성되어 있다. 복수의 웨이퍼(W)는, 처리조(48)의 린스용 처리액 내에 있어서, 홈(311)의 배열 방향과 동일한 Y축 방향으로 미리 정해진 피치(P)로 배열된 상태에서 지지구(301)에 지지되어 있다. 처리조(48)의 린스용 처리액 내에서 지지구(301)에 지지된 복수의 웨이퍼(W)와 복수의 웨이퍼(W)와 대향하는 처리조(48)의 내벽면 사이에는 간극(48g)이 형성되어 있다. 유지구(55b)는, 미리 정해진 피치(P)보다 크고 또한 간극(48g)에 삽입 가능한 두께(t)를 갖는다. 유지구(55b)의 두께(t)는, 유지구(55b)가 구비하는 지지 아암(402) 중 가장 두꺼운 부분인 선단(402a)의 두께를 가리킨다. 즉, 간극(48g)의 폭을 G로 하면, P<t<G의 관계가 성립된다. 본 실시형태에서는, 미리 정해진 피치(P)가 5 mm이기 때문에, 유지구(55b)의 두께(t)는, 예컨대 8 mm이며, 간극(48g)의 폭(G)은, 예컨대 10 mm 이상이다.
이와 같이, 유지구(55b)는, 미리 정해진 피치(P)보다 크고 또한 간극(48g)에 삽입 가능한 두께(t)를 갖는다. 이것에 의해, 유지구(55b)를 구비하는 제4 반송 기구(55)는, 간극(48g)에 삽입시킨 유지구(55b)를 이용하여 처리조(48)로부터 웨이퍼(W)를 1장씩 꺼내어 매엽 영역(A4)의 액처리부(6)로 반송할 수 있다. 결과적으로, 배치 영역(A2)에 있어서 일괄 처리되는 복수의 웨이퍼(W)의 피치(P)가 좁은 경우에도, 배치 영역(A2)으로부터 매엽 영역(A4)으로의 웨이퍼(W)의 반송을 적절히 행할 수 있다.
(매엽 영역(A4)에 대해서)
다음에, 도 3을 참조하여, 매엽 영역(A4) 및 반출 영역(A5)의 구성에 대해서 설명한다.
매엽 영역(A4)에는, 액처리부(6)와, 건조 처리부(7)와, 제5 반송 기구(8)가 배치된다. 액처리부(6)는, 제1 매엽 처리부의 일례이고, 건조 처리부(7)는, 제2 매엽 처리부의 일례이다. 또한, 제5 반송 기구(8)는, 매엽 반송 기구의 일례이다.
액처리부(6), 건조 처리부(7) 및 제5 반송 기구(8)는, 영역(A1∼A5)의 배열 방향과 직교하는 방향(Y축 방향)을 따라 이 순서로 배열된다. 구체적으로는, 매엽 영역(A4)의 중앙에 제5 반송 기구(8)가 배치되고, 제5 반송 기구(8)의 Y축 방향에 있어서의 일방측(여기서는, Y축 부방향측)에 액처리부(6)가 배치된다. 또한, 제5 반송 기구(8)를 사이에 두고 액처리부(6)와 반대쪽에, 건조 처리부(7)가 배치된다.
액처리부(6)는, 제4 반송 기구(55)에 의해 반송된 웨이퍼(W)에 대하여 액처리를 행한다. 구체적으로는, 액처리부(6)는, 웨이퍼(W)의 표면에 건조용 처리액의 액막을 형성한다. 액처리부(6)에 의해 액막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제5 반송 기구(8)에 의해 액처리부(6)로부터 꺼내어져 건조 처리부(7)로 반송된다.
제5 반송 기구(8)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지체를 구비한다. 또한, 제5 반송 기구(8)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 유지체를 이용하여 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 구체적으로는, 제5 반송 기구(8)는, 액처리부(6)로부터 건조 처리부(7)로의 웨이퍼(W)의 반송과, 건조 처리부(7)로부터 후술하는 반출 영역(A5)의 웨이퍼 배치대(91)로의 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
건조 처리부(7)는, 액처리부(6)에 의해 액막이 형성된 웨이퍼(W)에 대하여 초임계 건조 처리를 행한다. 구체적으로는, 건조 처리부(7)는, 액막이 형성된 웨이퍼(W)를 초임계 상태의 처리 유체와 접촉시킴으로써 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
건조 처리부(7)는, 초임계 건조 처리가 행해지는 처리 영역(71)과, 제5 반송 기구(8)와 처리 영역(71) 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달이 행해지는 전달 영역(72)을 구비한다.
또한, 매엽 영역(A4)에는, 건조 처리부(7)의 처리 영역(71)에 인접한 위치에 공급 유닛(73)이 배치된다. 공급 유닛(73)은, 건조 처리부(7)의 처리 영역(71)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 공급 유닛(73)은, 유량계, 유량 조정기, 배압 밸브, 히터 등을 포함하는 공급 기기군과, 공급 기기군을 수용하는 케이스를 구비한다. 제1 실시형태에 있어서, 공급 유닛(73)은, 처리 유체로서 CO2를 건조 처리부(7)에 공급한다.
액처리부(6)는, 웨이퍼(W)의 반입구(61) 및 반출구(62)를 구비한다. 반입구(61)는, IF 영역(A3)과 대향하는 위치에 마련되고, 제4 반송 기구(55)에 의해 웨이퍼(W)가 반입된다. 반출구(62)는, 제5 반송 기구(8)와 대향하는 위치에 마련되고, 웨이퍼(W)가 반출된다. 이와 같이, 반입구(61)와 반출구(62)를 각각의 위치에 마련함으로써, 액처리부(6)에 대한 웨이퍼(W)의 반입반출을 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 반출구(62)는, 전달 영역(72)과 대향하는 위치에 마련되어도 좋다. 이 경우, 액막이 형성된 웨이퍼(W)를 제5 반송 기구(8)에 의해 액처리부(6)로부터 건조 처리부(7)로 반송하는 거리가 최단이 되기 때문에, 액막의 건조를 억제할 수 있다.
여기서, 액처리부(6) 및 건조 처리부(7)의 구성에 대해서 설명한다. 우선, 액처리부(6)의 구성에 대해서 도 11을 참조하여 설명한다. 도 11은 제1 실시형태에 따른 액처리부(6)의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 액처리부(6)는, 처리 공간을 형성하는 외측 챔버(503) 내에 배치된 스핀척(505)에 의해 웨이퍼(W)를 거의 수평으로 유지하고, 이 스핀척(505)을 연직축 주위로 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 액처리부(6)는, 회전하는 웨이퍼(W)의 위쪽에 노즐 아암(506)을 진입시키고, 이러한 노즐 아암(506)의 선단부에 마련되는 노즐(561)로부터 건조용 처리액, 여기서는 IPA(이소프로필알코올)를 공급한다.
또한, 액처리부(6)에는, 스핀척(505)의 내부에도 약약 공급로(551)가 형성되어 있다. 그리고, 이러한 약액 공급로(551)로부터 공급된 IPA에 의해, 웨이퍼(W)의 하면도 처리된다.
IPA는, 외측 챔버(503)나, 외측 챔버(503) 내에 배치되는 내측컵(504)에 받아내어져, 외측 챔버(503)의 바닥부에 마련되는 배액구(531)나, 내측컵(504)의 바닥부에 마련되는 배액구(541)로부터 배출된다. 또한, 외측 챔버(503) 내의 분위기는, 외측 챔버(503)의 바닥부에 마련되는 배기구(532)로부터 배기된다.
액처리부(6)는, 스핀척(505)을 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 상면 및 하면에 IPA를 공급한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 양면에 잔존하는 DIW가 IPA로 치환된다. 그 후, 액처리부(6)는, 스핀척(505)의 회전을 천천히 정지시킨다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 상면에 IPA의 액막이 형성된 상태에서, 스핀척(505)으로부터 제5 반송 기구(8)에 전달되고, 제5 반송 기구(8)에 의해 액처리부(6)로부터 반출된다. 웨이퍼(W) 상에 형성된 액막은, 액처리부(6)로부터 건조 처리부(7)로의 웨이퍼(W)의 반송 중에, 웨이퍼(W) 상면의 액체가 증발(기화)됨으로써 패턴 붕괴가 발생하는 것을 방지한다.
다음에, 건조 처리부(7)의 구성에 대해서 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12는 제1 실시형태에 따른 건조 처리부(7)의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 12에 도시된 바와 같이, 건조 처리부(7)는, 본체(601)와, 유지판(602)과, 덮개 부재(603)를 갖는다. 케이스형 본체(601)에는, 웨이퍼(W)를 반입반출하기 위한 개구부(604)가 형성된다. 유지판(602)은, 처리 대상인 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 유지한다. 덮개 부재(603)는, 이러한 유지판(602)을 지지함과 더불어, 웨이퍼(W)를 본체(601) 내에 반입했을 때에, 개구부(604)를 밀폐한다.
본체(601)는, 1장의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는 처리 공간이 내부에 형성된 용기이며, 그 벽부에는, 공급 포트(605, 606)와 배출 포트(607)가 마련된다. 공급 포트(605, 606) 및 배출 포트(607)는 각각 건조 처리부(7)에 초임계 유체를 유통시키기 위한 공급 유로 및 배출 유로에 접속되어 있다.
공급 포트(605)는, 케이스형 본체(601)에 있어서, 개구부(604)와는 반대쪽 측면에 접속되어 있다. 또한, 공급 포트(606)는, 본체(601)의 바닥면에 접속되어 있다. 또한, 배출 포트(607)는, 개구부(604)의 하방측에 접속되어 있다. 또한, 도 12에는 2개의 공급 포트(605, 606)와 1개의 배출 포트(607)가 도시되어 있지만, 공급 포트(605, 606)나 배출 포트(607)의 수는 특별히 한정되지 않는다.
또한, 본체(601)의 내부에는, 유체 공급 헤더(608, 609)와, 유체 배출 헤더(600)가 마련된다. 그리고, 유체 공급 헤더(608, 609)에는 복수의 공급구가 이러한 유체 공급 헤더(608, 609)의 길이 방향으로 나란히 형성되고, 유체 배출 헤더(600)에는 복수의 배출구가 이러한 유체 배출 헤더(600)의 길이 방향으로 나란히 형성된다.
유체 공급 헤더(608)는, 공급 포트(605)에 접속되고, 케이스형 본체(601) 내부에 있어서, 개구부(604)와는 반대쪽 측면에 인접하여 마련된다. 또한, 유체 공급 헤더(608)에 나란히 형성되는 복수의 공급구는, 개구부(604)측을 향하고 있다.
유체 공급 헤더(609)는, 공급 포트(606)에 접속되고, 케이스형 본체(601) 내부에 있어서의 바닥면의 중앙부에 마련된다. 또한, 유체 공급 헤더(609)에 나란히 형성되는 복수의 공급구는, 위쪽을 향하고 있다.
유체 배출 헤더(600)는, 배출 포트(607)에 접속되고, 케이스형 본체(601) 내부에 있어서, 개구부(604)측의 측면에 인접함과 더불어, 개구부(604)보다 아래쪽에 마련된다. 또한, 유체 배출 헤더(600)에 나란히 형성되는 복수의 배출구는, 위쪽을 향하고 있다.
유체 공급 헤더(608, 609)는, 초임계 유체를 본체(601) 내에 공급한다. 또한, 유체 배출 헤더(600)는, 본체(601) 내의 초임계 유체를 본체(601)의 외부로 유도하여 배출한다. 또한, 유체 배출 헤더(600)를 통해 본체(601)의 외부로 배출되는 초임계 유체에는, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 초임계 상태의 초임계 유체에 용해된IPA 액체가 포함된다.
이러한 건조 처리부(7) 내에 있어서, 웨이퍼(W) 상에 형성되어 있는 패턴 사이의 IPA 액체는, 고압 상태(예컨대, 16 MPa)인 초임계 유체와 접촉함으로써, 서서히 초임계 유체에 용해되고, 패턴 사이는 서서히 초임계 유체와 치환된다. 그리고, 최종적으로는, 초임계 유체에 의해서만 패턴 사이가 채워진다.
그리고, 패턴 사이에서 IPA 액체가 제거된 후에, 본체(601) 내부의 압력을 고압 상태에서 대기압까지 감압함으로써, CO2는 초임계 상태에서 기체 상태로 변화되고, 패턴 사이는 기체에 의해서만 점유된다. 이와 같이 하여 패턴 사이의 IPA 액체는 제거되고, 웨이퍼(W)의 건조 처리가 완료된다.
(반출 영역(A5)에 대해서)
반출 영역(A5)에는, 웨이퍼 배치대(91)와, 제6 반송 기구(92)와, 제2 배치부(93)가 배치된다. 웨이퍼 배치대(91), 제6 반송 기구(92) 및 제2 배치부(93)는, 영역(A1∼A5)의 배열 방향(X축 방향)을 따라 이 순서로 배열된다. 또한, 웨이퍼 배치대(91)는, 매엽 영역(A4)에 인접하여 배치된다.
웨이퍼 배치대(91)에는, 웨이퍼(W)가 수평 자세로 배치된다. 웨이퍼 배치대(91)는, 제5 반송 기구(8) 및 제6 반송 기구(92) 양쪽 모두가 액세스 가능하다.
제6 반송 기구(92)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지체를 구비한다. 또한, 제6 반송 기구(92)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 유지체를 이용하여 웨이퍼 배치대(91)와 제2 배치부(93) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 제2 배치부(93)는 복수의 캐리어(C)를 배치할 수 있다.
(제어 장치(11)에 대해서)
기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(11)를 구비한다. 제어 장치(11)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(12)와 기억부(13)를 구비한다. 기억부(13)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(12)는, 기억부(13)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체로부터 제어 장치(11)의 기억부(13)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 광디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
<기판 처리 시스템(1)의 구체적 동작>
다음에, 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 처리의 절차에 대해서 도 13을 참조하여 설명한다. 도 13은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 처리의 절차를 나타낸 흐름도이다. 도 13에 도시된 각 처리는, 제어부(12)에 의한 제어에 따라 실행된다.
도 13에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 제2 반송 기구(30)에 의해 2개의 캐리어(C)로부터 복수의 웨이퍼(W)를 각각 꺼내고, 각 캐리어(C)에 수용된 복수(예컨대, 25장)의 웨이퍼(W)에 의해 로트를 형성한다(단계 S101).
단계 S101의 처리에 대해서 도 2를 참조하면서 설명한다. 우선, 제1 반송 기구(21)가, 제1 배치부(20)로부터 캐리어(C)를 꺼내어 캐리어 배치대(24)에 배치한다. 그리고, 제2 반송 기구(30)가, 캐리어 배치대(24)에 배치된 캐리어(C)로부터 복수 장의 웨이퍼(W)를 꺼내고, 꺼낸 복수 장의 웨이퍼(W)의 자세를 수평 자세에서수직 자세로 변경하여, 복수 장의 웨이퍼(W)를 로트 유지부(31)에 배치한다. 이 동작을 2회 반복함으로써, 로트가 형성된다. 로트에 포함되는 복수의 웨이퍼(W)는 서로 주면을 대향시킨 상태로 배열된다.
계속해서, 기판 처리 시스템(1)은, 형성된 로트에 대하여, 전처리를 행한다(단계 S102).
구체적으로는, 제3 반송 기구(50)가, 로트 유지부(31)로부터 로트를 수취하여 전처리부(4_1)의 로트 침지 기구(42)에 전달한다. 그리고, 로트 침지 기구(42)는, 수취한 로트를 처리조(40)에 저류된 DHF에 침지시킨다. 그 후, 로트 침지 기구(42)는, 로트를 처리조(40)로부터 꺼내어 처리조(41)에 저류된 DIW에 침지시킨다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)에 부착된 DHF가 처리조(41)에 저류된 DIW에 의해 씻겨진다.
계속해서, 기판 처리 시스템(1)은, 전처리부(4_1)에 의해 처리된 로트에 대하여 에칭 처리를 행한다(단계 S103).
구체적으로는, 제3 반송 기구(50)가, 전처리부(4_1)의 로트 침지 기구(42)로부터 로트를 수취하여 에칭 처리부(4_2)의 로트 침지 기구(45)에 전달한다. 그리고, 로트 침지 기구(45)는, 수취한 로트를 처리조(43)에 저류된 에칭액에 침지시킨다. 그 후, 로트 침지 기구(45)는, 로트를 처리조(43)로부터 꺼내어 제3 반송 기구(50)에 전달한다. 계속해서, 제3 반송 기구(50)가, 로트 침지 기구(45)로부터 수취한 로트를 로트 침지 기구(46)에 전달한다. 그리고, 로트 침지 기구(46)는, 수취한 로트를 처리조(44)에 저류된 DIW에 침지시킨다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)에 부착된 에칭액이 처리조(44)에 저류된 DIW에 의해 씻겨진다.
계속해서, 기판 처리 시스템(1)은, 에칭 처리부(4_2)에 의해 처리된 로트에 대하여, 세정 처리를 행한다(단계 S104).
구체적으로는, 제3 반송 기구(50)가, 로트 침지 기구(46)로부터 로트를 수취하여 후처리부(4_3)의 로트 침지 기구(49)에 전달한다. 그리고, 로트 침지 기구(49)는, 수취한 로트를 처리조(47)에 저류된 SC1에 침지시킨다. 그 후, 로트 침지 기구(49)는, 로트를 처리조(47)로부터 꺼내어 처리조(48)에 저류된 DIW에 침지시킨다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)에 부착된 SC1이 처리조(48)에 저류된 DIW에 의해 씻겨진다.
계속해서, 기판 처리 시스템(1)은, 후처리부(4_3)에 의해 처리된 웨이퍼(W)에 대하여, 액막 형성 처리를 행한다(단계 S105). 액막 형성 처리는, 로트 단위가 아닌 1장의 웨이퍼(W) 단위로 행해진다.
구체적으로는, 제4 반송 기구(55)가, 처리조(48)의 내부에서 로트 침지 기구(49)에 유지된 로트로부터 웨이퍼(W)를 1장 꺼낸다. 그리고, 제4 반송 기구(55)는, 웨이퍼(W)를 수직 자세에서 수평 자세로 변경한 후에, 반입구(61)(도 3 참조)를 통해 액처리부(6) 내의 스핀척(505)(도 11 참조)에 웨이퍼(W)를 전달한다.
액처리부(6)는, 스핀척(505)을 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 상면 및 하면에 IPA를 공급한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 양면에 잔존하는 DIW가 IPA로 치환된다. 또한, 웨이퍼(W)의 상면에 IPA의 액막이 형성된다.
계속해서, 기판 처리 시스템(1)은, 액막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)에 대하여, 건조 처리를 행한다(단계 S106).
구체적으로는, 제5 반송 기구(8)가, 액처리부(6)로부터 반출구(62)를 통해 웨이퍼(W)를 꺼내고, 꺼낸 웨이퍼(W)를 전달 영역(72)(도 3 참조)에 배치된 유지판(602)(도 12 참조)에 전달한다. 계속해서, 건조 처리부(7)가, 유지판(602)을 처리 영역(71)으로 이동시킴으로써, 본체(601)의 내부에 웨이퍼(W)를 배치시킨다.
계속해서, 건조 처리부(7)는, 초임계 유체를 본체(601) 내에 공급한다. 이것에 의해, 본체(601) 내의 압력은 대기압에서 소정의 제1 압력까지 승압된다. 여기서, 제1 압력은, 초임계 유체인 CO2가 초임계 상태가 되는 임계 압력(약 7.2 MPa) 이상의 압력이며, 예컨대, 16 MPa 정도이다. 따라서, 초임계 유체를 본체(601) 내에 공급함으로써, 본체(601) 내의 초임계 유체는 초임계 상태로 상변화된다. 그리고, 이러한 초임계 상태의 초임계 유체에, 웨이퍼(W) 상의 IPA가 용해되기 시작한다.
그 후, 본체(301) 내부의 압력을 고압 상태에서 대기압까지 감압함으로써, CO2는 초임계 상태에서 기체 상태로 변화되고, 패턴 사이는 기체에 의해서만 점유된다. 이와 같이 하여 패턴 사이의 IPA 액체는 제거되고, 웨이퍼(W)의 건조 처리가 완료된다.
계속해서, 기판 처리 시스템(1)은, 건조 처리 후의 웨이퍼(W)를 캐리어(C)에 수용하는 반출 처리를 행한다(단계 S107).
구체적으로는, 건조 처리부(7)가, 유지판(302)을 전달 영역(72)으로 이동시키고, 제5 반송 기구(8)가, 유지판(302)으로부터 건조 처리 후의 웨이퍼(W)를 수취한다. 계속해서, 제5 반송 기구(8)는, 수취한 웨이퍼(W)를 웨이퍼 배치대(91)에 배치한다. 그리고, 제6 반송 기구(92)는, 웨이퍼 배치대(91)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내어, 제2 배치부(93)에 배치된 캐리어(C)에 수용한다.
<제4 반송 기구(55)의 동작>
다음에, 전술한 제4 반송 기구(55)의 구체적인 동작에 대해서 도 14a∼도 14f를 참조하여 설명한다. 도 14a∼도 14f는 제1 실시형태에 따른 제4 반송 기구(55)의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 또한, 제4 반송 기구(55)가 구비하는 아암(55a) 및 유지구(55b)의 동작은, 제어부(12)에 의해 제어된다.
세정 처리(단계 S104)가 행해진 후, 로트 침지 기구(49)는, 도 14a에 도시된 바와 같이, 처리조(48)의 린스용 처리액 내에서 지지구(301)에 복수(예컨대, 50장, 도 14a에는 편의상 8장만 도시)의 웨이퍼(W)가 지지된 상태에서, 대기한다. 지지구(301)는, 서로의 주면(M1)을 대향시킨 상태로 배열된 복수의 웨이퍼(W)를 복수(예컨대, 50개, 도 14a에는 편의상 8개만 도시)의 홈(311)의 각각의 아래쪽에서 지지하고 있다. 이러한 상황 하에서, 제어부(12)는, 유지구(55b)를 간극(48g)(도 10 참조)에 삽입하고, 복수의 웨이퍼(W)가 위치하는 복수의 홈(311) 중, 처리조(48)의 내벽면에 가장 가까운 홈(311)에 대응하는 웨이퍼(W)를 유지구(55b)에 유지시킨다. 이하, 처리조(48)의 내벽면에 가장 가까운 홈(311)을 적절하게 「제1 홈(311a)」이라고 표기한다. 제1 홈(311a)에 대응하는 웨이퍼(W)는, 주면(M1)이 유지구(55b)의 지지 아암(402)과는 반대쪽을 향하도록 유지구(55b)에 유지된다.
계속해서, 도 14b에 도시된 바와 같이, 제어부(12)는, 유지구(55b)에 유지된 웨이퍼(W)를 처리조(48)로부터 꺼낸다. 그리고, 제어부(12)는, 꺼낸 웨이퍼(W)를 수직 자세에서 수평 자세로 변경한 후에, 액처리부(6)로 반송한다. 즉, 제어부(12)는, 웨이퍼(W)의 주면(M1)이 위쪽으로 향하도록 웨이퍼(W)를 수평 자세로 변경하고, 주면(M1)이 위쪽으로 향해진 웨이퍼(W)를 액처리부(6)로 반송한다.
계속해서, 도 14c에 도시된 바와 같이, 제어부(12)는, 유지구(55b)에, 처리조(48)의 내벽면에 가장 가까운 홈(311)[즉, 제1 홈(311a)]에 인접한 홈(311)에 대응하는 웨이퍼(W)를 유지시킨다. 이하, 제1 홈(311a)에 인접한 홈(311)을 적절하게「제2 홈(311b)」이라고 표기한다. 제2 홈(311b)에 대응하는 웨이퍼(W)는, 주면(M1)이 지지 아암(402)과 대향하도록 유지구(55b)에 유지된다.
계속해서, 도 14d에 도시된 바와 같이, 제어부(12)는, 유지구(55b)에 유지된 웨이퍼(W)를 제2 홈(311b)으로부터 처리조(48)의 내벽면에 가장 가까운 홈(311)[즉, 제1 홈(311a)]으로 이동시킨다. 웨이퍼(W)가 제2 홈(311b)으로부터 제1 홈(311a)으로 이동함으로써, 제1 홈(311a)으로 이동 후의 웨이퍼(W)와, 제1 홈(311a) 및 제2 홈(311b)을 제외한 나머지 홈(311)에 대응하는 웨이퍼(W) 사이에, 간극(48h)이 형성된다. 간극(48h)의 폭은, 미리 정해진 피치(P)의 2배이며, 또한 유지구(55b)의 두께(t)보다 크다.
계속해서, 도 14e에 도시된 바와 같이, 제어부(12)는, 유지구(55b)의 웨이퍼(W)를 유지하는 쪽의 표면[즉, 지지 아암(402)의 웨이퍼(W)와의 대향면]을 반전시키고, 반전시킨 유지구(55b)를 간극(48h)에 삽입한다. 그리고, 제어부(12)는, 유지구(55b)에, 제1 홈(311a)으로 이동 후의 웨이퍼(W)를 유지시킨다. 제1 홈(311a)으로 이동 후의 웨이퍼(W)는, 주면(M1)이 유지구(55b)의 지지 아암(402)과는 반대쪽을 향하도록 유지구(55b)에 유지된다.
계속해서, 도 14f에 도시된 바와 같이, 제어부(12)는, 유지구(55b)에 유지된 웨이퍼(W)를 처리조(48)로부터 꺼낸다. 그리고, 제어부(12)는, 꺼낸 웨이퍼(W)의 자세를 수직 자세에서 수평 자세로 변경한 후에, 액처리부(6)로 반송한다. 즉, 제어부(12)는, 웨이퍼(W)의 주면(M1)이 위쪽으로 향하도록 웨이퍼(W)를 수평 자세로 변경하고, 주면(M1)이 위쪽으로 향해진 웨이퍼(W)를 액처리부(6)로 반송한다.
그 후, 제어부(12)는, 제1 홈(311a) 및 제2 홈(311b)을 제외한 나머지 홈(311)에 대응하는 웨이퍼(W)가 없어질 때까지, 도 14a∼도 14f에 도시된 처리를 반복한다.
이와 같이, 제어부(12)는, 처리조(48)의 내부에서 서로의 주면(M1)을 대향시킨 상태로 배열된 복수의 웨이퍼(W)를 유지구(55b)를 이용하여 1장씩 액처리부(6)로 반송한다. 이것에 의해, 처리조(48)의 내부에서 서로의 주면(M1)을 대향시킨 상태로 배열된 복수의 웨이퍼(W)의 피치(P)가 좁은 경우에도, 배치 영역(A2)으로부터 매엽 영역(A4)으로의 웨이퍼(W)의 반송을 적절히 행할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템[일례로서, 기판 처리 시스템(1)]은, 배치 처리부[일례로서, 후처리부(4_3)]와, 매엽 처리부[일례로서, 액처리부(6)]와, 반송부[일례로서, 제4 반송 기구(55)]를 구비한다. 배치 처리부는, 복수의 기판[일례로서, 웨이퍼(W)]을 미리 정해진 피치[일례로서, 미리 정해진 피치(P)]로 포함하는 로트를 일괄 처리한다. 매엽 처리부는, 로트에 포함되는 기판을 1장씩 처리한다. 반송부는, 배치 처리부로부터 매엽 처리부로 기판을 1장씩 반송한다. 배치 처리부는, 처리조[일례로서, 처리조(48)]와, 지지구[일례로서, 지지구(301)]를 포함한다. 처리조는 처리액을 저류한다. 지지구는, 미리 정해진 피치로 형성된 복수의 홈[일례로서, 홈(311)]을 가지며, 기립한 상태의 복수의 기판을 복수의 홈의 각각에 있어서 아래쪽에서 지지한다. 반송부는, 유지구[일례로서, 유지구(55b)]를 포함한다. 유지구는, 미리 정해진 피치보다 크고 또한 처리액 내에서 지지구에 지지된 복수의 기판과 복수의 기판과 대향하는 처리조의 내벽 사이의 간극[일례로서, 간극(48g)]에 삽입 가능한 두께[일례로서, 두께(t)]를 가지며, 복수의 기판을 1장씩 유지할 수 있도록 구성된다. 이것에 의해, 배치 처리부 및 매엽 처리부 양쪽 모두를 구비하는 기판 처리 시스템에 있어서, 배치 처리부로부터 매엽 처리부로의 기판의 반송을 적절히 행할 수 있다.
또한, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템은, 반송부를 제어하는 제어부[일례로서, 제어부(12)]를 더 구비하고 있어도 좋다. 제어부는, 유지구를 간극에 삽입하고, 복수의 기판이 위치하는 복수의 홈 중, 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈[일례로서, 제1 홈(311a)]에 대응하는 기판을 유지구에 유지시켜도 좋다. 그리고, 제어부는, 유지구에 유지된 기판을 처리조로부터 꺼내어 매엽 처리부로 반송하여도 좋다. 그리고, 제어부는, 유지구에, 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈에 인접한 홈[일례로서, 제2 홈(311b)]에 대응하는 기판을 유지시켜도 좋다. 그리고, 제어부는, 유지구에 유지된 기판을 인접한 홈으로부터 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈으로 이동시켜도 좋다. 그리고, 제어부는, 유지구의 유지시에 기판과 대향하는 쪽의 표면을 반전시키고, 반전시킨 유지구에, 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈으로 이동 후의 기판을 유지시켜도 좋다. 그리고, 제어부는, 유지구에 유지된 기판을 처리조로부터 꺼내어 매엽 처리부로 반송하여도 좋다.
또한, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템에 있어서, 로트에 포함되는 복수의 기판은, 서로의 주면을 대향시킨 상태로 배열되어도 좋다. 또한, 지지구는, 서로의 주면을 대향시킨 상태로 배열된 복수의 기판을 복수의 홈의 각각에 있어서 아래쪽에서 지지하여도 좋다. 이것에 의해, 처리조의 내부에서 서로의 주면을 대향시킨 상태로 배열된 복수의 기판의 피치가 좁은 경우에도, 배치 처리부로부터 매엽 처리부로의 기판의 반송을 적절히 행할 수 있다.
(제1 실시형태의 변형례)
다음에, 제1 실시형태의 변형례에 대해서 설명한다. 도 15a∼도 15d는, 제1 실시형태의 변형례에 따른 제4 반송 기구(55) 및 린스용 처리조(48)의 동작을 설명하기 위한 도면이다. 또한, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다.
도 15a에 도시된 바와 같이, 처리조(48)에서는, 순환부(206) 및 처리액 공급 노즐(262)에 의해 형성되는 린스용 처리액의 흐름에 의해, 처리조(48)의 내부에 저류된 처리액이 요동하는 상태가 되는 경우가 있다. 처리조(48)에서는, 저류된 처리액이 요동하면, 처리액 내에서 지지구(301)에 지지된 복수의 웨이퍼(W)의 흔들림이 발생하는 경우가 있다.
그래서, 도 15b에 도시된 바와 같이, 제어부(12)는, 처리조(48)의 내부에 저류된 처리액 내에서 유지구(55b)에 1장의 웨이퍼(W)를 유지시키기 전에, 순환부(206)(도 5 참조)를 제어하여, 처리액 공급 노즐(262)로부터 처리조(48)로의 처리액의 공급을 정지시킨다. 구체적으로는, 제어부(12)는, 순환부(206)에 마련된 펌프(265)를 정지시킨다. 그 후, 제어부(12)는, 처리액의 요동(搖動)이 수속될 때까지 소정 시간 대기한다.
소정 시간 대기한 후에, 도 15c에 도시된 바와 같이, 제어부(12)는, 유지구(55b)를 간극(48g)(도 10 참조)에 삽입하고, 제1 홈(311a)에 대응하는 웨이퍼(W)를 유지구(55b)에 유지시킨다.
계속해서, 도 15d에 도시된 바와 같이, 제어부(12)는, 유지구(55b)에 1장의 웨이퍼(W)를 유지시킨 후에, 순환부(206)를 제어하여, 처리액 공급 노즐(262)로부터 처리조(48)로의 처리액의 공급을 재개시킨다. 구체적으로는, 제어부(12)는, 유지구(55b)에 마련된 클램프 부재(403)(도 8 참조)를 웨이퍼(W)의 상연부에 접촉시킨 후에, 처리액 공급 노즐(262)로부터 처리조(48)로의 처리액의 공급을 재개시킨다.
그 후, 제어부(12)는, 제1 홈(311a)을 제외한 나머지 홈(311)에 대응하는 웨이퍼(W)에 관해서, 도 15b∼도 15d에 도시된 처리를 반복한다.
이와 같이, 제어부(12)는, 처리조(48)의 내부에 저류된 처리액 내에서 유지구(55b)에 1장의 웨이퍼(W)를 유지시키기 전에, 순환부(206)(공급부의 일례)를 제어하여, 처리조(48)로의 처리액의 공급을 정지시킨다. 이것에 의해, 처리조(48) 내에서의 웨이퍼(W)의 흔들림을 억제할 수 있어, 유지구(55b)를 이용한 웨이퍼(W)의 반송 안정성을 향상시킬 수 있다.
(제2 실시형태)
다음에, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성에 대해서 도 16∼도 18을 참조하여 설명한다. 도 16은 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식적인 평면도이다. 또한, 도 17은 제2 실시형태에 따른 제1 배치부의 모식적인 정면도이다. 또한, 도 18은 제2 실시형태에 따른 제2 배치부의 모식적인 정면도이다. 또한, 도 16에서는, 배치 영역(A2)을 생략하고 있다. 제2 실시형태에 따른 배치 영역(A2)은, 제1 실시형태에 따른 배치 영역(A2)과 동일한 구성이다.
도 16에 도시된 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)은, 반입 영역(A1)에 캐리어 반입부(2A)를 구비한다. 캐리어 반입부(2A)는, 제1 배치부(20A)를 구비한다. 제1 배치부(20A)는 로트 형성부(3)에 인접한 위치에 배치된다.
도 17에 도시된 바와 같이, 제1 배치부(20A)에는, 복수의 배치대(26, 27, 28)와, 제7 반송 기구(25)가 마련되어 있다. 복수의 배치대(26, 27, 28)는, 제7 반송 기구(25)의 양측에 배치된다. 도 17에 도시된 예에서는, 제7 반송 기구(25)의 Y축 정방향측에, 2개의 배치대(28)와, 1개의 배치대(27)와, 1개의 배치대(26)가, 밑에서부터 이 순서로 높이 방향(Z축 방향)으로 배열되어 있다. 또한, 도 17에 도시된 예에서는, 제7 반송 기구(25)의 Y축 부방향측에, 3개의 배치대(28)와, 1개의 배치대(26)가 밑에서부터 이 순서로 높이 방향으로 배열되어 있다.
배치대(26)에는, 외부로부터 반송되어 온 캐리어(C)가 배치된다. 배치대(27)는, 로트 형성부(3)로의 반입구(27a)에 인접해 있고, 로트 형성부(3)에 반입되는 웨이퍼(W)를 수용한 캐리어(C)가 배치된다. 배치대(28)에는, 예컨대 로트 형성부(3)에 반입되기 전의 캐리어(C)가 일시적으로 배치된다.
제7 반송 기구(25)는, 복수의 배치대(26, 27, 28) 사이에서 캐리어(C)의 반송을 행한다. 구체적으로는, 제7 반송 기구(25)는, 높이 방향(Z축 방향)을 따라 연장되는 레일(25a)과, 캐리어(C)를 유지하는 유지체(25b)를 구비한다. 유지체(25b)는, 레일(25a)을 따라 이동 가능하다.
제7 반송 기구(25)는, 배치대(26)에 배치된 캐리어(C)를 유지체(25b)를 이용하여 유지하여, 배치대(27) 또는 배치대(28)로 반송한다. 배치대(27)에 배치된 캐리어(C)에 수용된 복수의 웨이퍼(W)는, 로트 형성부(3)에 배치된 제2 반송 기구(30)에 의해 캐리어(C)로부터 꺼내진다. 빈 캐리어(C)는, 제7 반송 기구(25)에 의해 배치대(26) 또는 배치대(28)로 반송된다.
이와 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에서는, 제1 배치부(20A)가 로트 형성부(3)에 인접하여 마련되기 때문에, 반입 영역(A1)이 클린룸 등의 바닥 면적에서 차지하는 비율인 풋프린트를 작게 억제할 수 있다.
또한, 도 16에 도시된 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에서는, 매엽 영역(A4)에 IF 영역(A3)이 배치된다. 구체적으로는, IF 영역(A3)의 제4 반송 기구(55)는, 매엽 영역(A4)에 있어서 액처리부(6)에 인접하여 배치된다.
또한, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에서는, 매엽 영역(A4)에 반출 영역(A5)의 제2 배치부(93A)가 배치된다. 또한, 제4 반송 기구(55), 액처리부(6) 및 제2 배치부(93A)는, X축 방향을 따라 이 순서로 배열된다.
도 18에 도시된 바와 같이, 제2 배치부(93A)는, 복수의 배치대(94, 95, 96)와, 제8 반송 기구(97)가 마련되어 있다. 복수의 배치대(94, 95, 96)는, 제8 반송 기구(97)의 양측에 배치된다. 도 18에 도시된 예에서는, 제8 반송 기구(97)의 Y축 부방향측에, 3개의 배치대(96)와, 1개의 배치대(95)가 밑에서부터 이 순서로 높이 방향(Z축 방향)으로 배열되어 있다. 또한, 도 18에 도시된 예에서는, 제8 반송 기구(97)의 Y축 정방향측에, 2개의 배치대(94)와, 1개의 배치대(95)가 밑에서부터 이 순서로 높이 방향으로 배열되어 있다.
배치대(94)에는, 매엽 영역(A4)으로부터의 반출구(94a)에 인접해 있고, 매엽 영역(A4)으로부터 반출되는 웨이퍼(W)를 수용하는 캐리어(C)가 배치된다. 배치대(95)에는, 외부로부터 반출되어 온 빈 캐리어(C)가 배치된다. 배치대(96)에는, 예컨대 배치대(94)에 배치되기 전의 빈 캐리어(C)가 일시적으로 배치된다.
제8 반송 기구(97)는, 복수의 배치대(94, 95, 96) 사이에서 캐리어(C)의 반송을 행한다. 구체적으로는, 제8 반송 기구(97)는, 높이 방향(Z축 방향)을 따라 연장되는 레일(97a)과, 캐리어(C)를 유지하는 유지체(97b)를 구비한다. 유지체(97b)는 레일(97a)을 따라 이동 가능하다.
제8 반송 기구(97)는, 배치대(95)에 배치된 빈 캐리어(C)를 유지체(97b)를 이용하여 유지하여, 배치대(94) 또는 배치대(96)로 반송한다. 배치대(94)에 배치된 캐리어(C)에는, 매엽 영역(A4)에 배치된 제5 반송 기구(8)에 의해 처리 완료된 웨이퍼(W)가 수용된다. 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수용한 캐리어(C)는, 제8 반송 기구(97)에 의해 배치대(95) 또는 배치대(96)로 반송된다.
이와 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1A)에서는, 제2 배치부(93A)가 매엽 영역(A4)에 배치되기 때문에, 기판 처리 시스템(1A)이 클린룸 등의 바닥 면적에서 차지하는 비율인 풋프린트를 작게 억제할 수 있다.
(제3 실시형태)
다음에, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성에 대해서 도 19를 참조하여 설명한다. 도 19는 제3 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 모식적인 측면도이다.
도 19에 도시된 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)은, 예컨대 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 구성에 덧붙여, 캐리어 반송 영역(A6)을 더 구비한다. 캐리어 반송 영역(A6)은, 예컨대, 반입 영역(A1), 배치 영역(A2), IF 영역(A3), 매엽 영역(A4) 및 반출 영역(A5)의 상부에 배치된다.
캐리어 반송 영역(A6)에는, 제9 반송 기구(700)가 배치된다. 제9 반송 기구(700)는, 제1 배치부(20A)와 제2 배치부(93A) 사이에서 캐리어(C)를 반송한다.
제9 반송 기구(700)는, 유지체(701)와, 레일(702)과, 이동부(703)를 구비한다. 유지체(701)는, 캐리어(C)를 유지한다. 레일(702)은, 제1 배치부(20A)의 위쪽 위치로부터 제2 배치부(93A)의 위쪽 위치까지 연장된다. 이동부(703)는, 유지체(701)를 레일(702)을 따라 이동시킨다.
제3 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)은, 예컨대, 배치대(26)에 배치된 빈 캐리어(C)를 제9 반송 기구(500)를 이용하여 제1 배치부(20A)로부터 제2 배치부(93A)로 반송하여 제2 배치부(93A)의 배치대(95)에 배치한다. 배치대(26)로부터 제9 반송 기구(500)로의 캐리어(C)의 이동은, 예컨대, 제7 반송 기구(25)에 의해 행해져도 좋고, 도시하지 않은 전용의 반송 기구에 의해 행해져도 좋다. 마찬가지로, 제9 반송 기구(500)로부터 배치대(95)로의 캐리어(C)의 이동은, 예컨대, 제8 반송 기구(97)에 의해 행해져도 좋고, 도시하지 않은 전용의 반송 기구에 의해 행해져도 좋다. 제2 배치부(93A)로 반송된 빈 캐리어(C)에는, 처리 완료된 웨이퍼(W)가 수용된다.
또한, 제3 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1B)은, 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수용한 캐리어(C)를 제9 반송 기구(500)를 이용하여 제2 배치부(93A)로부터 제1 배치부(20A)로 반송하여 제1 배치부(20A)의 배치대(26)에 배치한다. 배치대(26)에 배치된 캐리어(C)는, 기판 처리 시스템(1B)의 외부로 반출된다.
이러한 기판 처리 시스템(1B)에 따르면, 제1 배치부(20A)와 제2 배치부(93A)를 각각의 장소에 배치하면서도, 기판 처리 시스템(1B)에 대하여 외부로부터 액세스하는 장소를 1지점[예컨대, 제1 배치부(20A)]에 집약할 수 있다. 따라서, 기판 처리 시스템(1B)의 편리성을 향상시킬 수 있다.
(그 밖의 변형례)
도 20은 변형례에 따른 매엽 영역(A4)의 모식적인 평면도이다. 도 20에 도시된 바와 같이, 매엽 영역(A4)에는, 복수(여기서는, 2개)의 액처리부(6)와, 복수(여기서는, 2개)의 건조 처리부(7)와, 복수(여기서는, 2개)의 공급 유닛(73)이 배치된다.
액처리부(6), 건조 처리부(7) 및 공급 유닛(73)은, 제5 반송 기구(8)의 Y축 정방향측 및 Y축 부방향측에 각각 1대씩 배치된다. 또한, 액처리부(6), 건조 처리부(7) 및 공급 유닛(73)은, X축 방향을 따라 배열됨과 더불어, X축 부방향측에서부터 이 순서로 배치된다.
또한, 제4 반송 기구(55)는, IF 영역(A3)의 중앙에 배치된다. 이것에 의해, 제4 반송 기구(55)는, 2개의 액처리부(6)에 대하여 용이하게 액세스할 수 있다. 또한, 액처리부(6)에는, 제5 반송 기구(8)와 대향하는 위치에 반입반출구(63)가 마련되어 있고, 제4 반송 기구(55)는, 이러한 반입반출구(63)를 통해 웨이퍼(W)를 액처리부(6)에 반입한다.
이와 같이, 매엽 영역(A4)에는, 액처리부(6) 및 건조 처리부(7)가 복수대 마련되어도 좋다. 또한, 액처리부(6) 및 건조 처리부(7)는, 영역(A1∼A5)의 배열 방향을 따라 배열되어도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 배치 처리부에 의한 처리로서, 인산 등을 포함하는 에칭액을 이용하여 웨이퍼(W)를 에칭하는 에칭 처리 등을 예시하였으나, 배치 처리부에 의한 처리는, 예시한 에칭 처리 등에 한정되지 않는다. 또한, 전술한 실시형태에서는, 매엽 처리부에 의한 처리로서, 건조용 처리액을 이용한 액막 형성 처리 및 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 예시하였으나, 매엽 처리부에 의한 처리는, 이들 액막 형성 처리 및 건조 처리에 한정되지 않는다. 예컨대, 매엽 처리부에 의한 처리는, 약액, 린스액, 기능수 등의 처리액을 이용하여 웨이퍼(W)를 처리하는 것이어도 좋다. 또한, 전술한 실시형태에서는, 액처리부(6)와는 별도의 건조 처리부(7)에 있어서 건조 처리를 행하는 경우의 예를 들었지만, 예컨대, 액처리부(6)에 있어서 웨이퍼(W)를 고속으로 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 건조시켜도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 반입 영역(A1), 배치 영역(A2), IF 영역(A3), 매엽 영역(A4) 및 반출 영역(A5)이 직선형으로 배치되는 경우의 예를 나타내었으나, 영역(A1∼A5)의 배치는 반드시 직선형일 필요는 없다. 예컨대, 반입 영역(A1), 배치 영역(A2), IF 영역(A3), 매엽 영역(A4) 및 반출 영역(A5)은, L자형으로 배치되어도 좋고, U자형으로 배치되어도 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 1로트를 형성하는 복수의 웨이퍼(W)가 서로의 주면을 대향시킨 상태로 배열되는 경우를 예로 설명하였으나, 개시된 기술은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 1로트를 형성하는 복수의 웨이퍼(W)가 서로의 주면을 한쪽으로 향하게 한 상태로 배열되어도 좋다. 이 경우, 지지구(301)는, 서로의 주면을 한쪽으로 향하게 한 상태로 배열된 복수의 웨이퍼(W)를 복수의 홈(311)의 각각의 아래쪽에서 지지하여도 좋다. 또한, 이 경우, 지지구(301)에 지지된 복수의 웨이퍼(W)를 주면과는 반대쪽으로부터 순차 1장씩 유지구(55b)에 유지시켜 매엽 처리부[액처리부(6)]로 순차 반송하여도 좋다.
또한, 예컨대, 1로트를 형성하는 복수의 웨이퍼(W)가, 배치 처리부[일례로서, 후처리부(4_3)]의 처리 내용에 따라, 서로의 주면을 대향시킨 「제1 상태」로 또는 서로의 주면을 한쪽으로 향하게 한 「제2 상태」로 배열되어도 좋다. 이 경우, 1로트에 포함되는 복수의 웨이퍼(W)의 배열 상태에 따라 배치 처리부로부터 매엽 처리부로의 기판 반송 처리를 변경하여도 좋다. 구체적으로는, 제어부(12)는, 1로트에 포함되는 복수의 웨이퍼(W)의 배열 상태를 나타내는 배열 정보를 취득한다. 예컨대, 배열 정보는, 기억부(13)에 저장되어 있고, 제어부(12)는, 기억부(13)로부터 배열 정보를 취득한다. 제어부(12)는, 배열 정보가 제1 상태를 나타내는 경우, 제4 반송 기구(55)가 제1 기판 반송 처리를 실행하게 하고, 배열 정보가 제2 상태를 나타내는 경우, 제4 반송 기구(55)가 제2 기판 반송 처리를 실행하게 한다. 여기서, 제1 기판 반송 처리는, 상기 제1 실시형태에 따른 기판 반송 처리(도 14a∼도 14f 참조)와 동일하다. 제2 반송 처리는, 지지구(301)에 지지된 복수의 웨이퍼(W)를 주면과는 반대쪽으로부터 순차 1장씩 유지구(55b)에 유지시켜 매엽 처리부[액처리부(6)]로 순차 반송하는 것을 포함한다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기한 실시형태는, 첨부한 청구범위 및 그 취지를 벗어나지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.

Claims (7)

  1. 복수의 기판을 미리 정해진 피치로 포함하는 로트를 일괄 처리하는 배치(batch) 처리부와,
    상기 로트에 포함되는 상기 기판을 1장씩 처리하는 매엽 처리부와,
    상기 배치 처리부로부터 상기 매엽 처리부로 상기 기판을 1장씩 반송하는 반송부
    를 구비하고,
    상기 배치 처리부는,
    처리액을 저류하는 처리조와,
    상기 미리 정해진 피치로 형성된 복수의 홈을 가지며, 기립한 상태의 복수의 상기 기판을 복수의 상기 홈의 각각에 있어서 아래쪽에서 지지하는 지지구를 포함하며,
    상기 반송부는,
    상기 미리 정해진 피치보다 크고 또한 상기 처리액 내에서 상기 지지구에 지지된 복수의 상기 기판과 복수의 상기 기판과 대향하는 상기 처리조의 내벽면 사이의 간극에 삽입 가능한 두께를 가지며, 복수의 상기 기판을 1장씩 유지할 수 있는 유지구를 포함하는, 기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반송부를 제어하는 제어부를 더 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 유지구를 상기 간극에 삽입하고, 복수의 상기 기판이 위치하는 복수의 상기 홈 중, 상기 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈에 대응하는 상기 기판을 상기 유지구에 유지시키며,
    상기 유지구에 유지된 상기 기판을 상기 처리조로부터 꺼내어 상기 매엽 처리부로 반송하고,
    상기 유지구에, 상기 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈에 인접한 홈에 대응하는 상기 기판을 유지시키며,
    상기 유지구에 유지된 상기 기판을 상기 인접한 홈으로부터 상기 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈으로 이동시키고,
    상기 유지구의 유지시에 상기 기판과 대향하는 쪽의 표면을 반전시키며, 반전시킨 상기 유지구에, 상기 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈으로 이동 후의 상기 기판을 유지시키고,
    상기 유지구에 유지된 상기 기판을 상기 처리조로부터 꺼내어 상기 매엽 처리부로 반송하는, 기판 처리 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 로트에 포함되는 복수의 상기 기판은, 서로의 주면을 대향시킨 상태로 배열되고,
    상기 지지구는, 서로의 주면을 대향시킨 상태로 배열된 복수의 상기 기판을 복수의 상기 홈의 각각에 있어서 아래쪽에서 지지하는, 기판 처리 시스템.
  4. 제2항에 있어서, 상기 로트에 포함되는 복수의 상기 기판은, 서로의 주면을 대향시킨 상태로 배열되고,
    상기 지지구는, 서로의 주면을 대향시킨 상태로 배열된 복수의 상기 기판을 복수의 상기 홈의 각각에 있어서 아래쪽에서 지지하는, 기판 처리 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 상기 로트에 포함되는 복수의 상기 기판은, 상기 배치 처리부의 처리 내용에 따라, 서로의 주면을 대향시킨 제1 상태로 또는 서로의 주면을 한쪽으로 향하게 한 제2 상태로 배열되고,
    상기 반송부를 제어하는 제어부를 더 구비하며,
    상기 제어부는,
    상기 로트에 포함되는 복수의 상기 기판의 배열 상태를 나타내는 배열 정보를 취득하고, 상기 배열 정보가 상기 제1 상태를 나타내는 경우, 상기 반송부가 제1 기판 반송 처리를 실행하게 하고, 상기 배열 정보가 상기 제2 상태를 나타내는 경우, 상기 반송부가 제2 기판 반송 처리를 실행하게 하며,
    상기 제1 기판 반송 처리는,
    상기 유지구를 상기 간극에 삽입하고, 복수의 상기 기판이 위치하는 복수의 상기 홈 중, 상기 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈에 대응하는 상기 기판을 상기 유지구에 유지시키며,
    상기 유지구에 유지된 상기 기판을 상기 처리조로부터 꺼내어 상기 매엽 처리부로 반송하고,
    상기 유지구에, 상기 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈에 인접한 홈에 대응하는 상기 기판을 유지시키며,
    상기 유지구에 유지된 상기 기판을 상기 인접한 홈으로부터 상기 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈으로 이동시키고,
    상기 유지구의 유지시에 상기 기판과 대향하는 쪽의 표면을 반전시키며, 반전시킨 상기 유지구에, 상기 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈으로 이동 후의 상기 기판을 유지시키고,
    상기 유지구에 유지된 상기 기판을 상기 처리조로부터 꺼내어 상기 매엽 처리부로 반송하는 처리를 포함하며,
    상기 제2 기판 반송 처리는,
    상기 지지구에 지지된 복수의 상기 기판을 주면과는 반대쪽으로부터 순차 1장씩 상기 유지구에 유지시켜 상기 매엽 처리부로 순차 반송하는 처리를 포함하는, 기판 처리 시스템.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리조의 내부에 유체를 공급하는 공급부와,
    상기 공급부를 제어하는 제어부
    를 더 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 처리조의 내부에 저류된 상기 처리액 내에서 상기 유지구에 1장의 상기 기판을 유지시키기 전에, 상기 공급부를 제어하여, 상기 처리조로의 유체의 공급을 정지시키고, 상기 유지구에 1장의 상기 기판을 유지시킨 후에, 상기 공급부를 제어하여, 상기 처리조로의 유체의 공급을 재개하는, 기판 처리 시스템.
  7. 복수의 기판을 미리 정해진 피치로 포함하는 로트를 일괄 처리하는 배치(batch) 처리부와,
    상기 로트에 포함되는 상기 기판을 1장씩 처리하는 매엽 처리부와,
    상기 배치 처리부로부터 상기 매엽 처리부로 상기 기판을 1장씩 반송하는 반송부를 구비하고,
    상기 배치 처리부는,
    처리액을 저류하는 처리조와,
    상기 미리 정해진 피치로 형성된 복수의 홈을 가지며, 기립한 상태의 복수의 상기 기판을 복수의 상기 홈의 각각에 있어서 아래쪽에서 지지하는 지지구를 포함하고,
    상기 반송부는,
    상기 미리 정해진 피치보다 크고 또한 상기 처리액 내에서 상기 지지구에 지지된 복수의 상기 기판과 복수의 상기 기판과 대향하는 상기 처리조의 내벽면 사이의 간극에 삽입 가능한 두께를 가지며, 복수의 상기 기판을 1장씩 유지할 수 있는 유지구를 포함하는, 기판 처리 시스템에서의 기판 반송 방법에 있어서,
    상기 유지구를 상기 처리액 내의 상기 간극에 삽입시키고, 상기 유지구에, 복수의 상기 홈 중, 상기 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈에 대응하는 상기 기판을 유지시키는 단계와,
    상기 유지구에 유지된 상기 기판을 상기 처리조로부터 꺼내어 상기 매엽 처리부로 반송하는 단계와,
    상기 유지구에, 상기 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈에 인접한 홈에 대응하는 상기 기판을 유지시키는 단계와,
    상기 유지구에 유지된 상기 기판을 상기 인접한 홈으로부터 상기 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈으로 이동시키는 단계와,
    상기 유지구의 유지시에 상기 기판과 대향하는 쪽의 표면을 반전시키며, 반전시킨 상기 유지구에, 상기 처리조의 내벽면에 가장 가까운 홈으로 이동 후의 상기 기판을 유지시키는 단계와,
    상기 유지구에 유지된 상기 기판을 상기 처리조로부터 꺼내어 상기 매엽 처리부로 반송하는 단계
    를 포함하는, 기판 반송 방법.
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JP2024046369A (ja) * 2022-09-22 2024-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09162157A (ja) 1995-12-05 1997-06-20 Toshiba Corp 半導体ウエハの乾燥装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09162157A (ja) 1995-12-05 1997-06-20 Toshiba Corp 半導体ウエハの乾燥装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220076279A (ko) * 2020-11-30 2022-06-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치

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