TW200525270A - Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates - Google Patents
Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates Download PDFInfo
- Publication number
- TW200525270A TW200525270A TW093135454A TW93135454A TW200525270A TW 200525270 A TW200525270 A TW 200525270A TW 093135454 A TW093135454 A TW 093135454A TW 93135454 A TW93135454 A TW 93135454A TW 200525270 A TW200525270 A TW 200525270A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- plastic
- layer
- thin
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 203
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 title claims abstract description 148
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 117
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 63
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 153
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 66
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 56
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 27
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 22
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 8
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims description 7
- 239000006223 plastic coating Substances 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 3
- 239000002689 soil Substances 0.000 claims description 3
- HIZCTWCPHWUPFU-UHFFFAOYSA-N Glycerol tribenzoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OCC(OC(=O)C=1C=CC=CC=1)COC(=O)C1=CC=CC=C1 HIZCTWCPHWUPFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000001037 p-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 13
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 13
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 6
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 polyethylene diacetate Polymers 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 241000209140 Triticum Species 0.000 description 1
- 235000021307 Triticum Nutrition 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- KMWHNPPKABDZMJ-UHFFFAOYSA-N cyclobuten-1-ylbenzene Chemical compound C1CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 KMWHNPPKABDZMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ONIHPYYWNBVMID-UHFFFAOYSA-N diethyl benzene-1,4-dicarboxylate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=C(C(=O)OCC)C=C1 ONIHPYYWNBVMID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Substances OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229930003935 flavonoid Natural products 0.000 description 1
- 150000002215 flavonoids Chemical class 0.000 description 1
- 235000017173 flavonoids Nutrition 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 210000003709 heart valve Anatomy 0.000 description 1
- 238000001192 hot extrusion Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000002175 menstrual effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
- G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
- G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
- G02F1/1675—Constructional details
- G02F1/16755—Substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
- H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
- G02F1/13415—Drop filling process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
200525270 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明關於在塑膠基體上製造電子裝置(諸如主動矩陣 顯示器裝置)及該等裝置本身。 【先前技術】 最普遍形式之主動矩陣顯示器係一主動矩陣液晶顯示器 (AMLCD)。AMLCD裝置通常在是0.7毫米厚的大型玻璃基 體上製造。一單元會需用二板,因此完整顯示器係僅超過 1.4毫米厚。行動電話製造商及一些膝上型電腦製造商需要 更薄及更輕的顯示器,且完整單元可在一 hf(氫氟酸)溶液 變薄至通常約0.8毫米厚。行動電話製造商理想上需求該等 顯示器甚至更薄,但已發現由此方法製造在〇·8毫米厚度下 的單元太易碎。 因為HF薄化是一使用難以安全地及經濟地丟棄之危險 化學品的浪費製程因此不具吸引力。在蝕刻製程中由於玻 璃的凹處也會有一些產率上之損失。 由於輕質、強健及薄之吸引力,塑膠AMLCD作為一替代 口口係長久以來已為人認知。近年來,對塑膠顯示器的關注 曰漸增加,部份是因為逐漸增加使用彩色AMLCD於行動電 活及PDA。近年來’已有更多對於在塑膠基體上之AMLCd 及有機發光二極體(0LED)顯示器上之研究。儘管有此關 庄,仍需求一用於大量生產塑膠顯示器的實際製造途徑。 已有人提出二種在塑膠基體上製造薄膜電晶體(TFT)或 ”、、貝示器之主要不同方式。此等係直接在獨立塑膠基體上製 97635.doc 200525270 造裝置、轉移製程及犧牲性㈣。 相關困難描述如下。 φΓ '些貫例及
⑴直接在塑膠基體上製造aMLCD 此係在塑膠上製造aMLCD的盆加 、、.吝日射TTD 的第—個方法,且通常使用低 夕日日石夕(LTPS)薄膜電晶體,去 體。此方、…晶矽(a·矽)薄膜電晶 體此方法具有許多問題且其至今仍未達到製造階段。 :於㈣晶體製造及單元製作的處理溫度必須受限, 人 、八使仔镟衫蝕刻之對準及板 „。在處理期間預熱該基體許多小時可減少收縮 =但不月&完全消除。減少製程溫度造成薄膜電晶體之相 (非晶石夕薄膜電晶體電穩定性較差、用於LTP薄膜電 晶體之不良品質閘極介電質二氧化矽卜 、生雖然已由不同方面進行不同嘗試以在獨立塑膠基體上製 造顯示器’但在自動化卫廠巾處理基體㈣題尚未解決。 將無法使用標準魏⑶卫廠’其依靠玻璃基體的機械強度 ^於搬運、在卡ϋ中傳輸及光阻旋塗式。必須要研發一套 =新的機器用於所有製程步驟。Μ要在許多不同機器製 商中協同方法,且如果未考慮任一型式之設備製造商, 或如果未成功地研發出一模組,則所有在其他機器上的努 力就會浪費掉。 曾有幾個小組提出卷對卷之製造方式,但此在真空設備 中使用及對於對準層仍有嚴重問題。因此需要發展出新印 刷技術’且其是否能立即完成用於高產率製程及精密對準 仍未確定。 97635.doc 200525270 大多數獨立塑膠膜具有不佳之表面品質,尤其 向於平滑且表面上具有大量裂縫。玻璃基體係在機械上較 硬,因此不會因為柔性接觸造成刮傷,且能夠在卡匠中^ 載。在此等卡E中,只有玻璃邊緣接觸該切,因此大7夕 數玻璃的區域從未被觸及。比較下,塑膠基體較軟且不= 堅硬以便承載在卡昆中。此意味著其等必須平垣地成 與其他層接觸,否則會捲繞成—卷m兄下_μ 部表面將在機械應力下與其他層接觸。此等製程 考 塑膠的軟質表面。在標準AMLCD製造中,必須非常小心2 儘可能具有接近完美之玻璃表面,所以已刮傷之== 表面是不可能成為-用於高產率大量生產的實際選擇。表 面可經平坦化且提供額外之防護塗層,但此增加製程步驟 且因此增加費用。 (11)藉由轉移製程的塑膠顯示器 此製程的一已知實例係由Seik0 Epson公司研發的所謂的 SUFT以製程。此係-雙重轉移製程。首先,低溫多晶矽 (LTPS)薄臈電晶體陣列係在—非晶梦上製造且在玻璃上製 造二氧化石夕層。薄臈電晶體陣列的頂部接著以水溶性膠貼 合塑谬基體,且藉由使用__XeC^射經由該玻璃照射底 部非晶梦層以使薄膜電晶體層自底部基體離開。 雷射束造成氫氣外擴散,且經釋放的氫氣自原始玻璃基 體提升薄膜電晶體陣列。由於實際原因’薄膜電晶體陣列 〆、有才不準成何形狀,LTPS薄膜電晶體的頂部朝向amlcd 之液晶材料°—第二塑膠膜會使用一永久黏著劑層塵在薄 97635.doc 200525270 膜電晶體底部。該陣列接著藉 第一塑膠膜釋放。 由溶解該水溶性膠著劑而從 由於使用二轉移製程而係一昂貴製程,且預期會有產率 問題。藉由層壓該薄膜電晶體層至該等塑膠基體上在獲得 良好平坦顯示器上也會有問題。在將薄膜電晶體陣列轉移 至最後塑膠基體後,接著單元製造會變成一課題。此需求 二薄橈性塑膠片精確地彼此對準,接著為單元麵合及填 充。在大量生產中由於難以搬運及對準基體而會發生問題。 業經提出的另一轉移製程涉及在玻璃基體上一層二氧化 石夕上形成LTPS陣列。再次,一第二基體係以水溶性膠貼合 至該薄膜電晶體陣列上,但此時該玻璃基體係在hf中姓 除。該陣列接著被轉移至一永久塑膠基體,且藉由溶解該 水溶性膠以移走臨時基體。此與上述轉移製程不同在於該 薄膜電晶體陣列係藉由蝕刻該玻璃基體轉移至一臨時基體 上而不使用一雷射轉移製程。此製程可能有更好的產率 但較昂貴,且由於完全蝕刻整個玻璃基體而浪費環境資源。 此等轉移技術的一主要優勢是薄膜電晶體並不製造在最 後塑膠基體上,因此能夠使用高溫處理。同樣的,沒有基 體收縮的問題,其如上述係在獨立塑膠基體上製造薄膜電 晶體的主要問題之一。 (ii)藉由犧牲式蝕刻的塑膠顯示器 另一曾經提出之提議使用在一堅硬基體上之一非晶石夕犧 牲層,後續為旋塗式一塑膠層。多晶矽薄膜電晶體係製造 在該塑膠層頂部且蝕刻孔係製成通過該塑膠層及陣列。接 97635.doc 200525270 著將該基體浸入-通過該等姓刻孔之 解該非晶㈣牲層,允許該詩 ^彳中’且溶 開。此製程不適用於製造顯示器=電晶體浮動離 蝕刻孔。 為”亥荨遍佈該陣列之 【發明内容】 動矩陣顯示器 及一該堅硬載 依據本發明一第一特點,其提供一種一主 裝置之製造方法,其包含: 製造-基體配置,其包含一堅硬载體基體 體基體上之塑膠基體; 任該基體配置之塑膠基體 〜风像素電路的一陣列 在該等像素電路之陣列上形成—顯示器層;及 在形成該顯示器層後,自該塑膠 二 體 。 胗基體釋放該堅硬載體基 本發明提供—方法,其使得實質上習知之基體搬運、處 理及單元製造能夠使用。 此方法接著允許用以在塑膠基體 … 土股上製造主動矩陣顯示器 之製程能在標準工廠中實行,僅 Κ 丁 1夏而最少的額外設備。 在該等像素電路之陣列上形成該等顯示器層包含在該等 像素電路之陣列上提供—反射式電泳顯示器層,或在該等 像素電路的陣列上形成發光二極體(例如印刷聚合物發光 二極體)。 在一實例中 該方法進一步包含製造一第二基體配置, 且其中在該等像素電路的陣列形成 有電光材料夹置於其間之該第一及 顯示器層,包含裝設具 第二基體配置,該主動 97635.doc -9- 200525270 矩陣顯示器裝置因而包含具有電光材料夾置其間之第一及 弟二基體。 該等塑膠顯示器能夠製造在標準玻璃基體上,且此等可 重覆使用許多次。本發明能應用於例WLCD、PLED或〇Led 顯示器及電泳顯示器,及具有非晶矽(a_矽)或低溫多晶矽 (LTPS)薄膜電晶體。 忒製程基本上允許在塑膠層上製造薄膜電晶體、進行互 連及κ行一些封裝而該塑膠層仍貼在該玻璃。該釋放是 在單疋形成後實行。此就所有塑膠基體應用而言係具有吸 引力,且對於在撓性基體上製造顯示器係一尤其具吸引力 的製程。 在一實例中,該塑膠能夠以溼式鑄。該塑膠層能例如藉 由叙塗式製程應用在堅硬基體,且此塑膠基體接著成為 最後.4示器基體。另—選擇是,此塑膠能藉由以一片件或 印刷技術(諸如偏軸刻或孔版印刷)展開而應用。 在另—實例中,該塑膠是聚對二曱苯基(parylene),且使 用/亥聚對二甲苯基沉積製程,其包含藉由包括一聚對二甲 本基之單體微粒的一氣體之聚合作用沉積一聚對二甲苯基 層。 本^明使得該處理、單元製造及製作互連件可能實行, 2膠仍然點於該玻璃。釋放製程係愈晚愈好。以薄挽性 土體早7L製造及製作互連件係著名地困難,且所有製造經 驗及專業係適於堅硬玻璃基體。 4堅硬載體較佳是包含一玻璃基體。 97635.doc 200525270 如果使用一釋放層,其可包含非晶矽,且該釋放接著可 藉由一雷射釋放製程實行。 各像素電路較佳是包括至少一薄膜電晶體,例如非晶矽 薄膜電晶體。 在使用二具有電光材料夹置其間之基體的實例中,製造 該第二基體配置也可包含提供一第二堅硬載體基體、一第 一釋放層及在該釋放層上的一第二塑膝基體。 忒第一堅硬載體也可包含一玻璃基體,且該第二釋放層 能再次包含非晶矽。 θ 該第二基體配置基本上係顯示器的被動板,且可(如已知) 進一步包含-黑遮罩層。製造第二基體配置也可包含 二基體配置一上表面中形成弈 心成井的一陣列。此等能夠形成在 一設置在第二塑膠基體上之帑人 一一 ▲ 之聚合物層中,且濾色器能形成 在该專井的陣列中。 能夠用噴墨印刷以形成該等濾色器。 製造第二基體可進一步包含提供_ ιτο。此作為用於顯示像素之共同電極。 例如 在裝設該等二基體配置後,第二堅硬 〃 二塑膠基體釋放,且此氺 體基體也可從第 將-極化琴力入兮 使用—雷射製裎實現。接著可 將桎化益加入该等第—及第二塑膠基體中 裝設具有電光材料爽置其間之。 含施行真空對齊液晶填充。 帛一基體配置可包 本發明也能夠麻用於甘 」應用於其他電子裝置 因此,根據本發明_第二方 二。 再&供一製造薄膜電子 97635.doc 200525270 裝置的方法,該方法包含·· 使用旋塗式製程將一塑膠塗層施加至一堅硬載妒其 體,該塑膠塗層形成一塑膠基體; 丑土 在"亥塑膠基體上形成薄膜電子元件;及 從該塑膠基體釋放該堅硬載體基體。 此外,根據本發明一第三方面,其提供一製造薄膜電子 裝置的方法,該方法包含: 在=堅硬載體基體上形成一聚對二甲苯基塗層,該聚對 二曱苯基塗層形成一塑膠基體; 在该塑膠基體上形成薄膜電子元件;及 從该塑膠基體釋放該堅硬載體基體。 本叙明可因此應用於除顯示器製造外的領域,且再次使 知貫貝上之習知基體搬運可用在處理一塑膠基體上之一薄 膜電子裝置。-旋塗式製程或聚對二甲苯基沉積製程之使 用提供-平坦、高品質表面。使用習知搬運設備的處理能 力〜進了產率。該等薄膜電子元件較佳是包括薄膜電晶體。 本發明也提供一薄膜電子裝置,其包括: 一聚對二甲苯基基體;及 在聚對二甲苯基基體上沉積之薄膜電子元件。 此4置可貫現為顯示裝置的一些不同型式。 【實施方式】 在一第一方面中,本發明提供一製造方法,其中一主動 矩陣顯不器之主動板係實施在一塑膠基體上,該主動板在 處里中係烊接至一玻璃基體以有助於搬運及處理。該塑膠 97635.doc -12- 200525270 基體之釋放係在顯示器單元形成後實施。 圖1概要地顯示依據本發明製造塑膠顯示器, _ 經说H比^« -7 且顯示最終 釋白奴。已完成之顯示器10係從一玻璃基體12 接著使用在一諸如行動電話14的裝置中。 且 現下將詳述本發明方法的一實例,以顯示 造如何徒用_ + 顯不裔之製 雷射製造,該雷射從一玻璃基體 墨印刷該顯示器之、清多β v 古 、赁 益之慮色益、及VALC(真空對齊液晶)於單元 1 &已评、,,田顯示的實例係用於製造液晶顯示器單元复 :有液晶:料夾置於二相對(主動及被動)基體間。::明; 於許多其他顯示器技術及非顯示器技術 — 例僅供示範而已。 且该特疋貫 、圖2A至2N顯示用於一製造方案之序列性階段示意圖。為 求明顯,此等圖式僅顯示一製造中之顯示器,但實際上 大型玻璃基體上將有許多顯示器,如圖i所示。* 圖2A顯示一玻璃載體板12,其且 八百非日日矽釋放層20及 一作用為一塑膠基體之塑膠層22 θ 2此基體可形成主動板及 被動板之基底。 此塑膠層必須足夠強以成為整個單元的壁中之一。適合 之塑膠層可為無色聚醯胺、聚夺— R不一甲酸乙二酯(ΡΕΝ)、聚醚 石風卿)、苯環丁烯(BCB)或其他塑膠層。該塑膝層的厚度 係可在低費職μ製造之小厚度,及提供強度之較厚層 間折衷。其通常是在5到50微来之範圍内。釋放層2〇可為一 非晶石夕之薄層,且係在加人塑膠層22前沉積在玻璃載體板 Μ上。取決於將使用之釋放製程,此釋放層2〇可不需要。 97635.doc -13- 200525270 一非晶矽釋放層係由PECVD施加,且厚度可自1〇到5〇齐 米。 在一實例中,該塑膠層係藉由旋塗式。此提供一極高品 質表面且如需要能提供一極薄層。重要的是,能夠溼:: 該塑勝。該塑膠因而能藉由以一片件或諸如偏移 版印刷之印刷技術展開而應用。 在一進一步實例中(將在以下進一步詳細解釋),該塑膠 層是聚對二甲苯基,且使用聚對二甲苯基沉積製程。 圖2B顯示該主動板,其中一非晶矽薄膜電晶體陣列汕已 使用(幾乎)標準處理在塑膠表面上。最高處理溫度將取決於 已選定塑膠層,但其能比用於獨立塑膠膜高,因為該塑膠 係穩固地固定在該堅硬玻璃基體12,且不會有收縮的問題。 薄膜電晶體陣列包括一閘極金屬層30、一氮化矽閘極介 電層32及ITO像素電極34。薄膜電晶體係概示為36。 圖2C顯示加入成行之間隔物4〇用於液晶單元。此等之製 造能藉由喷墨印刷或旋塗式在一適合聚合物層上,然後由 微影蝕刻圖案化。分散之玻璃或塑膠珠或桿件也可取代使 用,但貼到二基體之成行間隔物能提供塑膠單元增加的機 械強度且協助防止該單元分離。 圖2D顯示被動板基體的製造。該被動板也包含一玻璃基 體50,及附加釋放層52及一塑膠基體54(其也可為與用作主 動板相同的塑膠或一不同塑膠)。圖2D也顯示黑遮罩層56。 本示範以此方式製造塑膠顯示器的另一優勢,其係可内建 於該基體之結構。也可使用標準方法在較晚的階段中製造 97635.doc -14- 200525270 此黑遮罩56。 如圖2E中所示’—第二聚合物層的會加入被動板層。只 有在使肖i里入式黑遮罩層日寺需要此步驟。 如圖2F中所示,凹陷井7〇被姓刻進入該被動載體板中。 此步驟只有在滤色器由喷墨印刷時需要。此等井用以精確 地界定濾、色器像素的形狀。此等井能藉由微祕刻及氧氣 電4、雷射切除或以—硬遮罩衝印以㈣進人該塑膠層中。 圖2G』不在噴墨印刷該等遽色器層⑼後之被動載體板。 圖2H顯示一喷濺在玻璃基體上之ιτ〇層9〇。此外,離散 顯示器裝置藉由_移除跡塑膠及非晶料放層而形^ 在共同主動板玻璃基體上。 在此階段,可採用不同製程途# ,係取決於是否使用傳 統單元製造,或使用具有液晶真空對齊(Valc)的更新方 法,有時稱為滴注填充(dr〇p fiUing)。在此滴注填充方法 中,液晶小滴在對齊前係置於該等板中之一上且板耦合係 在真空下實行。藉由舉例說明,以下圖表是用於VALC製程。 圖21顯示液晶小滴1〇〇置於塑膠顯示器的主動板區域上。 接著藉由使用VALC製程形成圖2J的組合面板。 該等玻璃板中之一接著自與其貼合的塑膠層移走。此可 藉由雷射照射或燈透過釋放層的玻璃或塑膠層之底部加 熱’或在一熱板加熱該玻璃板。 圖2K顯示已移走之被動板的玻璃基體,例如藉由一雷射 釋放製程。接著該被動玻璃載體件板可被清理,以在再次 使用前將殘餘物的所有痕跡從被動板製程中移走。 97635.doc -15- 200525270 如圖2L中顯示’接著會增加一極化器1 1 〇。在該顯示号之 最後釋放前在此階段係容易進行,因為顯示器由於與玻璃 耦合而仍具有剛性。該極化器也會增加頂部塑膠層的強 度。一玻璃上晶片製程也可在此階段進行,或加入互連箱 片。在此階段進行的優點是塑膠片仍穩固地貼在玻璃,簡 化了對齊及固定。 如圖2Μ中顯示,主動板的塑膠基體也從主動板玻璃基體 12中釋放,其也能再次加以清理及使用。 一極化器膜也應用於各主動板的塑膠基體22。第二極化 器112係顯示在圖2Ν中,其顯示完整的顯示器。 在此情況下,極化器必須個別應用於各顯示器。如果未 使用VALC,則互連件係在圖2Ν顯示之完整單元形成後製 造。 至少有三種方式可使塑膠基體從玻璃基體釋放。可使用 的方法是雷射釋放自直接與該玻璃基體接觸的塑膠,使用 一介於玻璃及塑膠間之矽釋放層之雷射釋放,及以燈加熱 具有一石夕釋放層。各敘述如下。 (i)直接從一玻璃基體雷射釋放 已揭路的一方法,其中雷射照射(Xe(^)係經由石英載體 用匕釋放,醯胺層,以形成金屬聚醯胺電路。一薄層(<1微 ^ )系、、光子切除,留下具有良好機械完整性的獨立聚醯胺 \ 類似製耘已用於MEMS製造中,但此時該聚醯胺係 用作犧牲層’其在雷射釋放製程後溶解。原則上此係用 塑膠顯不器之理想製程’因為其不需要沉積或旋塗 97635.doc • 16 - 200525270 式任何額外釋放層。 (ii)使用一非晶石夕釋放層之雷射釋放 第二方法使用具有一非晶矽釋放層的雷射釋放製程,如 用於所謂SUFTLA製程般。圖3顯示一 20微米聚醯胺塑膠基 體120附著至一使用一非晶矽釋放層124之玻璃載體122,其 係由電漿增強化學汽相沉積(PECVD)製成。 聚醯胺120是使用一金屬遮罩層的乾式蝕刻。該非晶矽釋 放層122也是乾式蝕刻,以在該聚醯胺島狀件周圍留下一裸 基體以XeCl雷射線性光束126掃描橫跨該玻璃底部,造 成該非晶矽融化且氫被釋放。該聚醯胺然後清淨地從玻璃 表面釋放。 (111)使用一非晶矽釋放層及燈或加熱板加熱釋放 至於一非晶矽釋放層之雷射照射的一替代例,該非晶矽 層可由設計用於快速熱處理(RTP)的燈,或藉由降低該等樣 本至一加熱板上而快速地地加熱。 以上所指雷射釋放實例有關使用一聚醯胺塑膠基體,且 過去已曾提出以聚醯胺作為一用於電子裝置之塑膠基體。 在釋放後此係極強固且具有良好機械性質,但其具有強烈 雙折射。此意味著其係適用為一反射及發射顯示器與感應 器之基體,但其不能用在透射式液晶顯示器中。 因而需求一替代性塑膠層。已經用作顯示器基體之一些 塑膠只能藉由熱擠出製造,諸如聚二曱酸乙二酯(PEN)、聚 醚砜(PES)及對苯二甲酸二乙酯(PET)。應用此等薄層至破 璃基體時沒有簡單的方法。 97635.doc -17- 200525270 依據本發明一方面,— 料是聚對二甲苯基,I 4 的較佳替代性塑膠材 係很適當。 且—w釋放製程對此«材料而言 聚對一甲本基係廣泛用於从1、丨 、 ;卜科工具(例如導管)、 入物(例如人造髖部及心臟閥件 月 科植 板與航空組件之塗層。 一及用於高規格電路 聚對二甲苯基係在三個不同真空室中藉由 製程沉積,而非被熱擠出 一白奴真空 步驟係: ”作為-液體應用。該等三沉積 ⑴將該固體二聚物於約攝氏15〇度在室种昇華。 ⑼該二聚物接著傳送通過—大約攝氏68〇度之直 ㈣”在該處其藉由熱解***以形成一穩定單體,、二 ㈣該單體接著傳送傳送進人沉積室^,在該處其同時 被吸收且在基體表面上進行聚合作用。 該基體在沉積期間係在室溫,所以應力在冷卻期間不合 建立在該等層内,此係所有升温沉積製程的一特點。3 聚對二T苯基其他值得注意之特徵係·· ⑴其接近完美之同型塗層,及由於使用低壓沉積製程, 其能夠填充至小空間中。可考慮其為一完全無針孔之阻障 塗層。 ⑼其具有好化學阻抗、在普通溶劑中不溶解且在曝露於 酸及鹼時能抵抗攻擊。 、 =)其係高度透明。尤其是,其大約相同的光譜範圍中具 有貫質上與1737玻璃相同的透明性。 97635.doc -18- 200525270 電Hi其具有一高介電強度(>5百萬伏特/公分)及2.65的介 仰⑺其具有對於氣體及液體之極佳阻障特性。此對於液晶 早%可能極為4要’在其中重要的是渔氣及離子污染物不 會進入液晶材料中。 ⑽聚對二甲苯基具有作為一自我支撐薄膜之良好機械 :性。此可由其在微機電開關( M S)之已知用途中得到驗 證,例如作為用於閥與揚聲器的自我支撐結構及薄膜。 對熱之忍耐度係塑膠基體的最大問題之一。聚對二曱苯 基估計在空氣中及攝氏1〇6度下具有1〇〇 〇〇〇小時忍耐時 間,且在惰性氣體中及攝氏2〇〇度下大於1〇〇 〇〇〇小時忍耐 時間。聚對二甲苯基C係聚對二曱苯基最普遍之型式(其他 形式是聚對二甲苯基D及聚對二甲苯基Ν),且係本應用之較 佳選擇,及具有攝氏28〇°c之熔點。聚對二甲苯基之最高處 理溫度因此是在攝氏220至260°C。 現下將解釋使用聚對二甲苯基作為基體材料,以示範上 述釋放製程的一實驗實例。 會使用一非晶矽釋放製程,且為此目的該20奈米之氫化 a-Si:H會在攝氏300°C沉積於玻璃基體上。該a-Si:H使用含 有約佔原子百分比7的氫。 接著沉積一 10微米厚之聚對二甲苯基塗層。 此使用一具有掃描式XeCl同核複合分子雷射的雷射釋放 製程,如圖4顯示。 圖4顯示該玻璃基體140、聚對二曱苯基塑膠基體142及釋 97635.doc •19- 200525270 放層144。 該雷射(提供一 XeCl雷射束146)被導引通過玻璃基體14〇 背後’且該a-Si:Η層144極強烈地吸收在308奈米之藍雷射 光。雷射的影響已調整,因此其剛好熔化該a_si:H。 當溶化時,該a-Si:H成球狀且釋放氫。a_Si:H之組合融化 且氫釋放,將聚對二甲苯基提升離開玻璃基體。 在實驗施行時會使用一脈衝式雷射,且曝露區域係步進 地沿(箭頭148)移動,以實現該聚對二甲苯基剝離製程。該 XeCl雷射係脈衝式且每一閃光照射大約2〇χ〇·5毫米的區 域。在各曝露後,該雷射依〇·4毫米移動以提供一系列重疊 之行。 然而’可使用任何藉由照射溶化a_Si:η之製程,包括雷射 的大區域單一脈衝及強光燈退火。 此等實驗示範能容易地將聚對二甲苯基層自塑膠基體移 走’且具有好機械特性,使得其能被拾起及捲起。 该聚對二甲苯基具有高光傳輸,且圖5顯示用於一康寧 (Cornmg)1737玻璃基體上之該1〇微米聚對二甲苯基膜,其 光學傳輸相對於波長之圖(圖形162)。如圖5顯示,以聚對二 甲本基塗佈之基體具有與單獨康寧1737玻璃(其係用於 AMLCD產業的標準玻璃)類似之光學傳輸特性(圖形16〇)。 經釋放的聚對一甲本基膜也置於一光盒上相交之極化器 間’以決定用在使用極化器之顯示器應用中的適合性,且 t»亥效月b係與一聚酿月女膜比較。在此配置中,該聚對二甲笨 基實質上吸收所有光,而可觀數量係經由該聚醯胺發射。 97635.doc -20- 200525270 已知聚酿胺具有高雙折射,其造成極化光不同量之旋轉且 導致光消失之損失。該聚對二曱苯基膜的高損失顯示其用 作一液晶顯示器之基體材料的適合性。 聚對二甲苯基係十分滑,其可意味著難以讓其他薄層與 其黏著以製造薄膜電晶體及顯示器。此對於塑膠基體通常 可藉由在沉積其他層前使該表面曝露在氬氣電漿中解決。 可貫行其他預處理操作(例如可運用一有機石夕烧的多分子 層以作為一黏著促進劑。 該玻璃基體可在聚對二甲苯基沉積製程前清理,使得在 塗佈製程前移除諸如油及離子的表面污染物。可使用習知 溶劑以施行清理製程。 以上實例關於一主動矩陣顯示器裝置之製造。在進一步 方面中,本發明大體上更關於在一塑膠基體上包含薄膜電 路的電子裝置之製造。因此,本發明也包含應用一塑膠塗 層於一使用旋塗式製程或聚對二甲苯基沉積製程之堅硬載 體基體、在該塑膠基體上形成薄膜電子元件且然後從該塑 膠基體釋放該堅硬載體基體。 此製程再次使得實質上習知之基體搬運可用於在一塑膠 基體上之薄膜電子裝置(例如具有薄膜電晶體的處理。一旋 塗式製程或I對一甲苯基沉積製程之使用提供一平坦、高 品質表面。 該旋塗式製程允許形成極薄的基體。諸如一聚酿胺基體 可形成如低至3微米般之厚度。 以上相同的考慮關於不同釋放機制(即,可能之額外釋放 97635.doc • 21 - 200525270 層及不同釋放方法),用於自位於下面之堅硬載體釋放該塑 膠基體。 以上詳加描述的製造方法之範例係與液晶顯示器結合。 然而’熟習此項技術人士應瞭解所描述的每一步驟均有許 多變化。 ° 更普遍的是,本發明首先提供應用塑膠至一基體。該等 塑膠層的厚度通常會在2到5米之厚度範圍中。對於顯示 器應用,此塑膠最終將成為顯示器的塑膠基體。適合的座 式鑄製程係旋塗式、印刷及展開,且聚對二甲苯基沉積製 程係一替代性適合製程。 該基體可為-標準玻璃基體或—塗佈藍光吸收層之玻璃 基體。該選擇取決於所使用塑膠及雷射釋放特性。 一應用在該塑膠層上之鈍化層通常可符合需求。適合之 層型式是由電漿增強化學汽相沉積(PECVD)或喷滅沉積之 氮化矽或氧化矽。 薄膜電晶體陣列接著製造在該塑膠/鈍化層上。該薄膜電 晶體陣列製造可在用於非晶石夕或低溫多晶石夕(LTps)薄膜電 晶體之相當標準陣列處理條件下實現。可能必須有些許製 矛文麦以確保已積層不具高機械應力。使用塗有極薄塑 膠層之標準破璃基體及標準薄膜電晶體陣列處理,意味著 此製程能使用於現存薄膜電晶體製造工廠中。 薄膜電晶體能作為主動裝置元件,用於多工處理數種不 同…員示器型式,不僅以上舉例的液晶顯示器。不管顯示器 型式為何,顯示器製造之同時該薄膜電晶體陣列仍貼在玻 97635.doc -22- 200525270 玉离上。此意味著標準顯示器製造工具及技術能加以使用, 且一塑膠薄層的存在將不造成任何重要差別。此時也能夠 將顯示器驅動器焊接至顯示器。 接著將該塑膠層自玻璃基體移走,在一實例中係藉由使 一藍雷射通過該玻璃基體照亮,以撞擊塑膠(或該藍光吸收 層)的底部。用於此目的之雷射通常必須掃描以涵蓋顯示器 的整個區域。具有308奈米及351奈米波長的脈衝式共核複 合分子雷射能成功地用以從玻璃移除黃聚醯胺層,且藉由 在塑膝層下提供非晶石夕,聚醯胺、BCB、石夕樹脂及聚對 二甲苯基能成功地從玻璃釋放。 任何黃塑膠(諸如聚醯胺)可藉著通過玻璃基體之uv雷射 光的吸收而直接地由雷射釋放。大體上黃基體只能配合發 射式或反射式顯示器使用,例如反射式液晶顯示器、電泳 顯示器(E-Ink)或向上發光發射式顯示器,諸如〇led或 AMPLED 〇 不吸收uv雷射光之清晰塑膠(例如BCB、矽樹脂及聚對二 甲苯基)需要一底層吸收/釋放層,諸如上述非晶矽層。然 而,適合之吸收或釋放層不僅包括非晶矽,且包括鉻或可 能黃塑膠,諸如聚醯胺。 清晰塑膠可配合所有顯示型式’包括透射式及半透反射 式液晶顯示器及向下發光〇LED及PLED。 釋放層(諸如非晶矽)可用在黃塑膠下以增加製程窗戶、 減少對塑膠層之任何損害及確定在玻璃上沒有塑膠殘餘。 來自非晶矽的氫氣也會提升此聚合物層離開位於下面之基 97635.doc -23- 200525270 體,其能夠使釋放製程更可靠。 如上述,一液晶顯示器只是能受益於本發明的顯示器技 術中之一實例。 圖6顯不使用電泳顯示器材料之反射式顯示器裝置2〇〇 的實例。此型式顯示器的—實例已知為—E墨水顯示器。_ 薄膜電晶體的陣列202係形成在玻璃上一塑膠層2〇4上。該 薄膜電晶體陣列係提供在一氮化矽鈍化層2〇6及一氮化矽 閘極絕緣體層208上,且IT〇像素⑽係形成在—聚合物純化 層212上。該玻璃基體未顯示在圖3中,其顯示最後已移除 的顯示器裝置。 -層電泳材料包括膠囊214且係層壓在該薄膜電晶體陣 列上。該等膠囊係對—越過該墨水箱層之局部電場回應。 此層本質上係具黏性,且係置於薄膜電晶體陣列上及受熱 至接近攝氏100度而滾動。該顯示器模組係以一 ιτ〇層216 及塑膠保護層218完成。 裝設在片上之驅動器晶片接著連接至_引人區域,且 接著實行雷射釋放步驟。 圖7顯示一向下發光顯示器裝置3〇〇之聚合物發光二極體 實例。-已封裝之薄膜電晶體電路3〇2的陣列係形成在一清 晰塑膠(例如石夕樹脂、BCB或聚對二甲苯基)基體剔上,且 具有形成在-氮切純化層3G8上之透明⑽像素電極鳩。 -親水性聚合物壁3聞繞由聚合物(或有機)發光二極 體材料 屬陰極3U(諸如賴蓋該結構’且由—聚合物純化層316 97635.doc -24- 200525270 覆蓋。 此實例使用一非晶矽釋放層覆蓋在該玻璃基體上,未顯 不其每' 個。 圖6及7之實例係依據本發明製造,且應瞭解許多其他專 用顯示器設計及其他電子組件設計可使用上述方法製造。 例如,適合之顯示器型式包括〇Led(有機發光二極體)、 PLED(聚合物發光二極體)、EL(場致發光)及pDLC(聚合物 分散液晶)顯示器及液晶顯示器。 熟習此項技術者應瞭解其他各種修改。 【圖式簡單說明】 現將在參考附圖詳細說明本發明之實例,其中: 圖1顯示依據本發明製造的已製造顯示器,其正自一共同 玻璃基體釋放用於一行動電話; 圖2A至2N顯示本發明之方法的一實例之製程步驟; 圖3顯示可使用在參考圖2A至2N描述之方法中的釋放製 程,係用於一聚醯胺塑膠基體; 圖4顯不可使用在參考圖2A至2N描述之方法中的一釋放 製程,係用於聚對二甲苯基塑膠基體; 圖5顯示一使用在圖4中該釋放製程中之塑膠基體的傳輸 效能; 圖6顯示本發明之已製造顯示器的一第二實例;及 圖7顯示本發明之已製造顯示器的一第三實例。 【主要元件符號說明】 10 顯示器模組 97635.doc 200525270 12 堅硬玻璃基體/玻璃載體板 14 行動電站 20 非晶矽釋放層 22 塑膠層 30 閘極金屬層 32 氮化矽閘極介電層. 34 像素電極陣列
36 薄膜電晶體 40 間隔物 50 玻璃基體 52 釋放層 54 塑膠基體 56 黑遮罩層 60 第二聚合物層 70 凹陷井
80 濾色器 90 ITO層/頂部導電層 100 液晶小滴 110 極化器 112 第二極化器 120 聚醯胺塑膠基體 122 玻璃載體 124 非晶矽釋放層 126 雷射線光束 97635.doc -26- 200525270 140 142 144 146 148 160 162 200 202 204 206 208 210 212 214 216 218 300 302 304 306 308 310 玻璃基體 _ 聚對二甲苯基塑膠基體 釋放層 雷射束 箭頭 圖形 圖形 反射式顯示器裝置 φ 薄膜電晶體陣列 塑膠層 氮化矽鈍化層 氮化矽閘極絕緣體層 ITO像素 聚合物純化層 電泳材料 ITO層 ❿ 塑膠保護層 顯示器裝置 薄膜電晶體電路 塑膠基體 ITO像素電極 ♦ 氮化矽鈍化層 - 親水性聚合物壁 聚合物發光二極體材料 97635.doc -27- 312 200525270 314 316 金屬陰極 聚合物鈍化層
97635.doc -28-
Claims (1)
- 200525270 十、申請專利範圍: 1.種一主動矩陣顯示器裝置之製造方法,其包含: 製造-基體配置,其包含一堅硬載體基體〇2)及一覆蓋 該堅硬载體基體之塑膠基體(22); 在該基體配置之該„基體(22)上形成像素電路⑼、 32 34、3 6)的一陣列,· 在該等像素電路之陣列上形成一顯示器層丨及 :形成該顯示器層後,自該塑膠基體(22)釋放 體基體(12)。 2· 請ΐ項1之方法,其中在該等像素電路之陣列上形成一 ”、不器層包含提供一選擇性反射式顯示器層。 3·=求項2之方法,其中該選擇性反射式顯示器層包含電 泳材料(214)。 4. 之方法’其中在該等像素電路之陣列上形成- 、包含在該等像素電路的陣列上形成發 凡件(312)。 股 5. 二睛求項1之方法’其進一步包含製造-第二基體配置 ,52、54) ’且其中在該等像素電路的陣列上形成一顯 ::層’其包含裝設具有電光材料⑽)夾置於其間之該 -及第二基體配置,該主動矩陣顯示器裝置因而包含 j該電光材料央置其間之第—(22)及第二基體(Μ)。 .。晴求項5之方法’其中製造該第二基體配置包含提供一 堅硬載體基體⑽,及-在該第二堅硬載體基體上之 第一塑膠基體(54)。 97635.doc 200525270 7 ·如請求項6之方、 玻璃基體。法,其中該第二堅硬載體基體(5〇)包含一 8·如請求項6或7之 其係介於該笛_、八進一步包含一第二釋放層(52), 間。 —塑膠基體(54)及該第二堅硬載體基體(50) 9 ·如睛求項6或7 、 白人^丄 法,其中製造該第二基體配置進一步 包3形成—黑遮罩層。 7 10·如請求項6或7 包含在該第其中製造該第二基體配置進-步 列。 一土體配置的一上表面中形成一井(70)之陣 11 ·如請求項丨〇 、中該等井(70)之陣列係形成在一設 置:该第二塑膠基體上之聚合物層(6〇)中。 ’二::項10之方法’其中製造該第二基體配置進-步包 s在该等井⑽之陣列上形成濾色器(8〇)。 13 ·如請求項丨 器。、之方法,其中噴墨印刷係用以形成該等濾色 tit項6或7之方法,其中製造該第二基體配置進-步 L 3提供一頂部導電層(90)。 凊求項14之方法,其中該頂部導電層(90)包含一 IT0層。 •如凊求項6或7之方法,其進—步包含從該第二塑朦基體 (54)釋放該第二堅硬載體基體(50)。 17.如明求項16之方法,其中該釋放係藉由—雷射製程。 18·如請求項16之方法, 塑膠基體。 …’曰〜極化_第二 97635.doc 200525270 19. 20. 21. 22. 23. 24. 25. 26. 27. 28. 29. 如請求項6或7 >古、土 u 万居’其中裝設具有該電光材料夾置於 其間之該等第_ 筮_ 及弟一基體配置包含施行真空對齊之液 晶填充。 如言月求項1至7中任一 j百+‘ u丄 T1* 項之方法,其中該堅硬載體基體(12) 包含一玻璃基體。 如請求項1至7中任一頂4 ‘ # ^ 員之方法,其進一步包含在該塑膠 基體及該堅硬截轉其_日日 戟股暴體間形成一釋放層(20)。 如請求項1至7中任一頂+‘ #丄 Υ任項之方法,其中各像素電路包含至 少一薄膜電晶體。 如請求項22之方法, 膜電晶體。 其中各薄膜電晶體包含一非晶碎薄 其中該釋放係藉由一雷 如請求項1至7中任一項之方法 射製程。 / 如凊求項1至7中任一項 貝之方法其進一步包含增加一極 化器至該塑膠基體。 如請求項1至7中任_ #丄^ 項之方法,其中製造該基體配置包 含使用一旋塗式製避_ m a 體。 w私應用-塑膠塗層堅硬載體基 其中該塑膠基體包含聚 如請求項1至7中任一項之方法 對二甲苯基。 士月长員27之方去’其中製造該基體配置包含藉由一包 括-聚對二甲苯基之單體微 -聚對二甲苯基層。 Khu沉積 一種一薄膜電子裝置之製造方法,該方法包含: 97635.doc 200525270 使用一旋塗式製程將一塑膠塗層(120)應用至一堅硬載 體基體(I22) ’該塑膠塗層形成一塑膠基體; 在該塑膠基體上形成薄膜電子元件;及 自該塑膠基體釋放該堅硬載體基體。 3 0· —種一薄膜電子裝置之製造方法,該方法包含: 在一堅硬載體基體(140)上形成一聚對二甲苯基塗層 (142),該聚對二甲苯基塗層形成一塑膠基體; 在該塑膠基體上形成薄膜電子元件;及 從該塑膠基體釋放該堅硬載體基體。 31·如請求項29或3 0之方法,其中該等薄膜電子元件包含薄 膜電晶體。 32·如請求項29或30之方法,其中該堅硬載體基體包含一玻 璃基體。 33·如請求項29或30之方法,其進一 該堅硬載體基體間形成一釋放層 步包含在該塑膠基體 及 ’其中该釋放係藉由一雷射製程。 ,其中該等薄膜電子元件包含薄 3 4 ·如凊求項2 9或3 0之方法 3 5 ·如請求項2 9或3 0之方法 膜電晶體。 36. —種薄膜電子裝置,其包含: 一聚對二甲苯基基體;及 薄膜電子元件,其沈 , ^ W於”亥I對一甲苯基基體上。 37·如δ月求項36之裝置,其 一 膜電子_ ’、 3 一主動矩陣顯示器,該等薄 膜逼子tl件界定主動矩随 开 動矩陣像素電路,且該裝置進一步包 亥主動矩陣像素電路上之顯示器層。 97635.doc 200525270 3 8 ·如請求項 、 凌置,其中該顯示器層包含一選擇性反射 式頌示器層。 3 9 ·如請求項q 、8之波置,其中該選擇性反射式顯示器層包含 電泳材料(214)。 40. 項37之裝置,其中在該等像素電路之陣列上的該 、不器層包含一發光二極體層(3 12)。 41·如請求項37之裝置, 52 ^ ^ a第一基體配置(50、 一、叫,且其中該顯示器層包含夾置於該第一⑼及第 一(54)基體間之電光材料(100)。 42.如請求項41之裝置,其中該電光材料包含液晶材料。 97635.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB0327093.1A GB0327093D0 (en) | 2003-11-21 | 2003-11-21 | Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200525270A true TW200525270A (en) | 2005-08-01 |
Family
ID=29764195
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093135454A TW200525270A (en) | 2003-11-21 | 2004-11-18 | Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7466390B2 (zh) |
EP (1) | EP1687858A1 (zh) |
JP (1) | JP2007512568A (zh) |
KR (1) | KR20060134934A (zh) |
CN (1) | CN1883061B (zh) |
GB (1) | GB0327093D0 (zh) |
TW (1) | TW200525270A (zh) |
WO (1) | WO2005050754A1 (zh) |
Families Citing this family (187)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7198832B2 (en) | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
US20100330748A1 (en) * | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
US8900366B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
US7648925B2 (en) | 2003-04-11 | 2010-01-19 | Vitex Systems, Inc. | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
GB0327093D0 (en) * | 2003-11-21 | 2003-12-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates |
JP2006258883A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法 |
TWI402935B (zh) * | 2005-05-17 | 2013-07-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | 彩色主動矩陣顯示器 |
US7767498B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
WO2008057068A2 (en) * | 2005-08-29 | 2008-05-15 | University Of South Florida | Micro-aluminum galvanic cells and methods for constructing the same |
US20070084706A1 (en) * | 2005-10-18 | 2007-04-19 | Shuichi Takayama | Microfluidic cell culture device and method for using same |
US20070090166A1 (en) | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Shuichi Takayama | Microfluidic cell culture device |
KR101171189B1 (ko) * | 2005-10-21 | 2012-08-06 | 삼성전자주식회사 | 더미 글래스 기판과 표시장치의 제조방법 |
KR20070047114A (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-04 | 주식회사 엘지화학 | 플렉서블 기판을 구비한 소자의 제조방법 및 이에 의해제조된 플렉서블 기판을 구비한 소자 |
KR101293567B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치의 제조방법 |
TWI350793B (en) * | 2006-03-08 | 2011-10-21 | E Ink Corp | Methods for production of electro-optic displays |
JP4415977B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2010-02-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び転写用の基板 |
EP2052406A2 (en) * | 2006-08-10 | 2009-04-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates |
US20100196683A1 (en) * | 2006-10-27 | 2010-08-05 | Konnklijke Philips Electronics N.V. | Electronic device having a plastic substrate |
TW200824436A (en) * | 2006-11-20 | 2008-06-01 | Asustek Comp Inc | Video/audio recording and playing apparatus |
GB0624994D0 (en) | 2006-12-14 | 2007-01-24 | Plastic Logic Ltd | Distortion tolerant pixel design |
KR101359916B1 (ko) * | 2007-05-08 | 2014-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
KR101256709B1 (ko) | 2007-01-22 | 2013-04-19 | 이 잉크 코포레이션 | 전기-광학 디스플레이에서 사용하기 위한 다층 시트 |
JP5150138B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2013-02-20 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置の製造方法 |
TW200846794A (en) | 2007-05-29 | 2008-12-01 | Ind Tech Res Inst | Optically compensated bend mode liquid crystal display devices and fabrication methods thereof |
JP5408848B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2014-02-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置の製造方法 |
KR20090017014A (ko) | 2007-08-13 | 2009-02-18 | 삼성전자주식회사 | 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
TWI377880B (en) * | 2007-08-20 | 2012-11-21 | Ind Tech Res Inst | Fabrication methods for flexible electronic devices |
US8800138B2 (en) * | 2008-02-08 | 2014-08-12 | Carestream Health, Inc. | Method for conditioning a substrate surface for forming an electronic device thereon and resultant device |
US9060419B2 (en) * | 2008-02-08 | 2015-06-16 | Carestream Health, Inc. | Substrate formed on carrier having retaining features and resultant electronic device |
US7743492B2 (en) * | 2008-02-08 | 2010-06-29 | Carestream Health, Inc. | Method for forming cast flexible substrate and resultant substrate and electronic device |
CN101903974B (zh) * | 2008-02-28 | 2012-07-25 | 夏普株式会社 | 薄膜层叠器件的制造方法和显示装置的制造方法 |
KR20090095026A (ko) * | 2008-03-04 | 2009-09-09 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 제조 방법 |
US20090298211A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Tae-Woong Kim | Method for manufacturing flexible display |
TWI400509B (zh) * | 2008-06-13 | 2013-07-01 | Prime View Int Co Ltd | 可撓性顯示模組及其製作方法 |
DE102008031533B4 (de) * | 2008-07-03 | 2021-10-21 | Pictiva Displays International Limited | Organisches elektronisches Bauelement |
JP2010039472A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-02-18 | Nitto Denko Corp | 電子ペーパーの製造方法、及び電子ペーパー形成工程用両面粘着テープ |
TWI380254B (en) * | 2008-08-08 | 2012-12-21 | Prime View Int Co Ltd | Flexible display panel and fabricating method thereof |
TWI354854B (en) | 2008-09-15 | 2011-12-21 | Ind Tech Res Inst | Substrate structures applied in flexible electrica |
US20100066683A1 (en) * | 2008-09-17 | 2010-03-18 | Shih-Chang Chang | Method for Transferring Thin Film to Substrate |
US8455872B2 (en) | 2008-12-05 | 2013-06-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic devices having plastic substrates |
US8273439B2 (en) * | 2008-12-08 | 2012-09-25 | Industrial Technology Research Institute | Release layer materials, substrate structures comprising the same and fabrication method thereof |
TWI505410B (zh) * | 2008-12-30 | 2015-10-21 | Ind Tech Res Inst | 應用於軟性電子元件之基板結構及其製造方法 |
TWI387785B (zh) * | 2009-01-09 | 2013-03-01 | Prime View Int Co Ltd | 顯示面板的製造方法及其可撓式彩色濾光片的製造方法 |
TWI419091B (zh) * | 2009-02-10 | 2013-12-11 | Ind Tech Res Inst | 可轉移的可撓式電子裝置結構及可撓式電子裝置的製造方法 |
CN101806983B (zh) * | 2009-02-16 | 2014-07-23 | 元太科技工业股份有限公司 | 可挠式彩色显示介质模块的制造方法 |
TWI410329B (zh) * | 2009-03-09 | 2013-10-01 | Ind Tech Res Inst | 可撓式裝置的取下設備及其取下方法 |
CN101833215B (zh) * | 2009-03-09 | 2013-07-10 | 财团法人工业技术研究院 | 可挠式电子装置的转移结构及可挠式电子装置的制造方法 |
US8013525B2 (en) * | 2009-04-09 | 2011-09-06 | Global Oled Technology Llc | Flexible OLED display with chiplets |
US8731618B2 (en) * | 2009-04-23 | 2014-05-20 | Apple Inc. | Portable electronic device |
WO2010125622A1 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法及びその方法により製造された表示装置 |
TW201101257A (en) * | 2009-06-18 | 2011-01-01 | Prime View Int Co Ltd | Fabricating method of flexible display device |
WO2010146524A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Conformable electronic devices and methods for their manufacture |
WO2011001323A1 (en) | 2009-06-29 | 2011-01-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Fibers including electronic elements |
US8604485B2 (en) * | 2009-07-08 | 2013-12-10 | E Ink Holdings Inc. | Intermediate structure, method and substrate for fabricating flexible display device |
TWI414869B (zh) * | 2009-07-08 | 2013-11-11 | Prime View Int Co Ltd | 可撓式顯示裝置的製造方法 |
TWI444945B (zh) * | 2011-08-23 | 2014-07-11 | E Ink Holdings Inc | 用於製作軟性顯示裝置之基板、結構及軟性顯示裝置的製作方法 |
US8568184B2 (en) * | 2009-07-15 | 2013-10-29 | Apple Inc. | Display modules |
TWI377646B (en) * | 2009-08-03 | 2012-11-21 | Substrate structures applied in flexible electrical devices and fabrication method thereof | |
KR101582943B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2016-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치의 제조 방법 |
KR101642446B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2016-07-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동 표시장치 제조 방법 |
KR101617280B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2016-05-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플라스틱 기판을 이용한 표시장치 제조 방법 |
TWI387833B (zh) | 2009-12-01 | 2013-03-01 | Prime View Int Co Ltd | 電泳顯示器及其製造方法 |
KR101635914B1 (ko) * | 2009-12-16 | 2016-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치의 제조 방법 |
KR101108161B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
CN102109727B (zh) * | 2009-12-28 | 2013-06-19 | 元太科技工业股份有限公司 | 电泳显示器及其制造方法 |
TWI362398B (en) * | 2009-12-31 | 2012-04-21 | Ind Tech Res Inst | Polyimide polymers for flexible electrical device substrate material and flexible electrical devices comprising the same |
FI124203B (fi) | 2010-01-20 | 2014-04-30 | Marisense Oy | Menetelmä ja laitteisto näyttölaminaatin käsittelyyn |
TWI464633B (zh) * | 2010-02-12 | 2014-12-11 | Cando Corp | Method of manufacturing flexible touch panel |
JP5573294B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-08-20 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成体の製造方法およびカラーフィルタの製造方法 |
JPWO2011155410A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2013-08-01 | 新日鉄住金化学株式会社 | 電子ペーパー用カラー表示装置、及びその製造方法 |
KR101147988B1 (ko) | 2010-07-13 | 2012-05-24 | 포항공과대학교 산학협력단 | 물리적 박리 방법을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판 |
KR101164945B1 (ko) | 2010-09-13 | 2012-07-12 | 한국과학기술원 | 플렉시블 소자의 제작 방법 |
US20130188324A1 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-25 | Posco | Method for Manufacturing a Flexible Electronic Device Using a Roll-Shaped Motherboard, Flexible Electronic Device, and Flexible Substrate |
US8508835B2 (en) * | 2010-11-02 | 2013-08-13 | Creator Technology B.V. | Display comprising an increased inter-pixel gap |
KR101271864B1 (ko) * | 2010-11-05 | 2013-06-07 | 주식회사 포스코 | 플렉서블 모기판을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판 |
TWI445626B (zh) | 2011-03-18 | 2014-07-21 | Eternal Chemical Co Ltd | 製造軟性元件的方法 |
JP5790095B2 (ja) | 2011-04-01 | 2015-10-07 | ソニー株式会社 | 薄膜素子及びその製造方法、並びに、画像表示装置の製造方法 |
AT510846B1 (de) * | 2011-04-13 | 2012-07-15 | Colop Stempelerzeugung Skopek | Vorrichtung zum herstellen von stempel-klischees |
KR101799937B1 (ko) * | 2011-05-12 | 2017-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 경량 박형의 액정표시장치의 제조 방법 |
JP6032202B2 (ja) * | 2011-06-14 | 2016-11-24 | 宇部興産株式会社 | ポリイミド積層体の製造方法、およびポリイミド積層体 |
JP5724684B2 (ja) * | 2011-07-01 | 2015-05-27 | 日本電気硝子株式会社 | 発光デバイス用セル及び発光デバイス |
TWI433625B (zh) | 2011-07-04 | 2014-04-01 | Ind Tech Res Inst | 軟性電子元件的製法 |
EP2551895B1 (en) | 2011-07-27 | 2013-11-27 | STMicroelectronics Srl | Method of manufacturing an electronic device having a plastic substrate |
TWI539414B (zh) * | 2011-09-21 | 2016-06-21 | 友達光電股份有限公司 | 可撓式顯示器的製作方法 |
JP5695535B2 (ja) | 2011-09-27 | 2015-04-08 | 株式会社東芝 | 表示装置の製造方法 |
KR101894330B1 (ko) * | 2011-10-31 | 2018-09-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이의 제조 방법 |
TWI453255B (zh) * | 2011-12-29 | 2014-09-21 | Ind Tech Res Inst | 具光取出層之光學元件結構 |
US10543662B2 (en) | 2012-02-08 | 2020-01-28 | Corning Incorporated | Device modified substrate article and methods for making |
US20130250403A1 (en) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | Palo Alto Research Center Incorporated | High infrared transmission window with self cleaning hydrophilic surface |
JP2013250551A (ja) * | 2012-05-01 | 2013-12-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 表示素子作製方法 |
CN102707477B (zh) * | 2012-06-04 | 2015-07-08 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示面板的制造方法 |
CN102738078B (zh) | 2012-06-21 | 2014-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板的制作方法 |
KR102173801B1 (ko) | 2012-07-12 | 2020-11-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 및 표시 장치의 제작 방법 |
TWI492373B (zh) * | 2012-08-09 | 2015-07-11 | Au Optronics Corp | 可撓式顯示模組的製作方法 |
KR20140023142A (ko) | 2012-08-17 | 2014-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치를 제조하기 위한 캐리어 기판 |
JP5887245B2 (ja) * | 2012-10-03 | 2016-03-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
EP2717307A1 (en) | 2012-10-04 | 2014-04-09 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Releasable substrate on a carrier |
CN103715364B (zh) * | 2012-10-09 | 2016-11-23 | 群康科技(深圳)有限公司 | 显示装置及以层状软性元件制作显示装置的方法 |
DE102012220586A1 (de) * | 2012-11-12 | 2014-05-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Element zur Stabilisierung eines optoelektronischen Bauelements, Verfahren zur Herstellung eines Elements und optoelektronisches Bauelement |
CN103838407B (zh) * | 2012-11-22 | 2018-01-16 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 单片玻璃触控板及其制作方法 |
TWI617437B (zh) | 2012-12-13 | 2018-03-11 | 康寧公司 | 促進控制薄片與載體間接合之處理 |
US10086584B2 (en) | 2012-12-13 | 2018-10-02 | Corning Incorporated | Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers |
US10014177B2 (en) | 2012-12-13 | 2018-07-03 | Corning Incorporated | Methods for processing electronic devices |
US9340443B2 (en) | 2012-12-13 | 2016-05-17 | Corning Incorporated | Bulk annealing of glass sheets |
US9023448B2 (en) | 2013-02-22 | 2015-05-05 | Industrial Technology Research Institute | Substrate structures applied in flexible devices |
JP2014186169A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
KR102048941B1 (ko) | 2013-04-12 | 2020-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 기판 및 그 제조 방법, 유기 발광 표시 장치 |
KR101459279B1 (ko) * | 2013-04-22 | 2014-11-10 | 한국에너지기술연구원 | 유연한 기판을 갖는 태양전지의 제조방법 |
KR102133433B1 (ko) * | 2013-05-24 | 2020-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102119426B1 (ko) | 2013-06-26 | 2020-06-08 | 도레이 카부시키가이샤 | 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 그것을 사용한 플렉시블 기판, 컬러 필터와 그 제조 방법, 및 플렉시블 표시 디바이스 |
KR102121002B1 (ko) | 2013-06-28 | 2020-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 지지체 상에 기판을 임시 본딩하기 위한 장치 및 방법 |
KR102102955B1 (ko) | 2013-08-12 | 2020-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
KR102115561B1 (ko) * | 2013-09-16 | 2020-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴리이미드 기판의 제조 방법 및 이를 이용하는 표시장치의 제조 방법 |
CN104512075B (zh) | 2013-10-04 | 2017-06-23 | 财团法人工业技术研究院 | 离型层、基板结构、与柔性电子元件工艺 |
US10510576B2 (en) | 2013-10-14 | 2019-12-17 | Corning Incorporated | Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing |
CN103700662B (zh) * | 2013-12-09 | 2017-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种承载基板和柔性显示器件制作方法 |
KR102156766B1 (ko) * | 2013-12-13 | 2020-09-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치의 제조방법 |
CN106132688B (zh) | 2014-01-27 | 2020-07-14 | 康宁股份有限公司 | 用于薄片与载体的受控粘结的制品和方法 |
JP6234391B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2017-11-22 | 新日鉄住金化学株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置用樹脂溶液 |
KR20190010746A (ko) | 2014-03-24 | 2019-01-30 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 |
KR102340689B1 (ko) | 2014-03-31 | 2021-12-16 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 박리층 형성용 조성물 |
TWI709612B (zh) | 2014-03-31 | 2020-11-11 | 日商日產化學工業股份有限公司 | 剝離層形成用組成物 |
JP2017518954A (ja) | 2014-04-09 | 2017-07-13 | コーニング インコーポレイテッド | デバイスで改質された基体物品、およびそれを製造する方法 |
CN106663640B (zh) * | 2014-05-13 | 2020-01-07 | 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会 | 提供电子器件的方法及其电子器件 |
JP6473932B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2019-02-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 支持基板付き樹脂基板、及び、その製造方法、並びに、その樹脂基板を用いた電子デバイス |
JP6473931B2 (ja) | 2014-05-29 | 2019-02-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 支持基板付き樹脂基板、及び、その製造方法、並びに、その樹脂基板を用いた電子デバイス |
US9921377B2 (en) | 2014-07-31 | 2018-03-20 | Hewlett Packard Enterprise Department LP | Interposer registration elements |
TWI561325B (en) * | 2014-08-01 | 2016-12-11 | Au Optronics Corp | Display module manufacturing method and display module |
KR20160021579A (ko) | 2014-08-18 | 2016-02-26 | 서울대학교산학협력단 | 고탄성 비정질 합금 유연성 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 전자소자 |
CN104332416A (zh) * | 2014-08-21 | 2015-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示器的制备方法和柔性显示器 |
KR20160032791A (ko) | 2014-09-16 | 2016-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN104319240B (zh) | 2014-10-27 | 2017-06-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板贴附方法 |
CN104570498B (zh) * | 2014-11-24 | 2017-10-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 可挠曲液晶面板及其制作方法 |
KR101709344B1 (ko) * | 2014-12-11 | 2017-03-08 | 한국과학기술원 | 종이기판 및 그 제조방법과 종이기판을 이용하는 센서 및 그 제조방법 |
CN104536170B (zh) * | 2015-01-04 | 2017-03-08 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 去除集成电路的方法及装置 |
KR102260873B1 (ko) | 2015-02-02 | 2021-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 제조 방법 |
KR102528185B1 (ko) | 2015-02-10 | 2023-05-03 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 박리층 형성용 조성물 |
JP6620805B2 (ja) | 2015-03-04 | 2019-12-18 | 日産化学株式会社 | 剥離層形成用組成物 |
WO2016147958A1 (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 旭化成株式会社 | ポリイミド前駆体樹脂組成物 |
KR102656566B1 (ko) | 2015-03-26 | 2024-04-12 | 도레이 카부시키가이샤 | 수지 적층막, 그것을 포함하는 적층체, tft 기판, 유기 el 소자 컬러 필터 및 그들의 제조 방법 |
WO2016158988A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 日産化学工業株式会社 | 剥離層形成用組成物及び剥離層 |
CN107406675B (zh) | 2015-03-31 | 2020-11-06 | 日产化学工业株式会社 | 剥离层形成用组合物和剥离层 |
KR102385327B1 (ko) * | 2015-04-06 | 2022-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN107635769B (zh) | 2015-05-19 | 2020-09-15 | 康宁股份有限公司 | 使片材与载体粘结的制品和方法 |
JP6206446B2 (ja) * | 2015-05-26 | 2017-10-04 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | フレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物及びそれを用いたフレキシブルデバイスの製造方法、フレキシブルデバイス |
KR102524620B1 (ko) | 2015-06-26 | 2023-04-21 | 코닝 인코포레이티드 | 시트 및 캐리어를 포함하는 방법들 및 물품들 |
CN105226186B (zh) * | 2015-10-10 | 2018-06-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性显示装置的制作方法及制得的柔性显示装置 |
JP6921758B2 (ja) * | 2015-12-09 | 2021-08-18 | 株式会社カネカ | ポリアミド酸、ポリイミド、ポリアミド酸溶液、ポリイミド積層体、フレキシブルデバイス基板、及びそれらの製造方法 |
KR102358122B1 (ko) | 2016-03-31 | 2022-02-04 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 플렉시블 기판의 제조 방법 |
KR102564206B1 (ko) | 2016-04-22 | 2023-08-07 | 포항공과대학교 산학협력단 | 표면에너지 조절층을 이용한 플렉서블 금속 필름의 제조 방법 |
KR102522546B1 (ko) | 2016-04-22 | 2023-04-17 | 포항공과대학교 산학협력단 | 실링 라인을 이용한 플렉서블 금속 필름의 제조 방법 |
KR102514757B1 (ko) | 2016-04-22 | 2023-03-27 | 포항공과대학교 산학협력단 | 전자소자용 금속 기판의 제조 방법 |
US10522574B2 (en) * | 2016-05-16 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of display device and manufacturing method of electronic device |
KR20190013838A (ko) | 2016-05-23 | 2019-02-11 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 박리층 형성용 조성물 및 박리층 |
CN109196051A (zh) | 2016-05-23 | 2019-01-11 | 日产化学株式会社 | 剥离层形成用组合物和剥离层 |
KR102386514B1 (ko) | 2016-05-23 | 2022-04-14 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 박리층 형성용 조성물 및 박리층 |
JP6670683B2 (ja) * | 2016-06-07 | 2020-03-25 | 株式会社Screenラミナテック | キャリア基板と樹脂層からなるワークの分離方法および分離装置 |
TWI617451B (zh) * | 2016-06-17 | 2018-03-11 | 白金科技股份有限公司 | 薄膜型紅外線吸收式光學濾光片及其製造方法 |
CN109476913B (zh) | 2016-08-03 | 2022-03-01 | 日产化学株式会社 | 剥离层形成用组合物 |
WO2018025957A1 (ja) | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 日産化学工業株式会社 | 剥離層形成用組成物 |
JP7063266B2 (ja) | 2016-08-03 | 2022-05-09 | 日産化学株式会社 | 剥離層形成用組成物及び剥離層 |
WO2018025954A1 (ja) | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 日産化学工業株式会社 | 透明樹脂基板用剥離層形成用組成物 |
TW201825623A (zh) | 2016-08-30 | 2018-07-16 | 美商康寧公司 | 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物 |
TWI821867B (zh) | 2016-08-31 | 2023-11-11 | 美商康寧公司 | 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法 |
GB2554894B (en) * | 2016-10-12 | 2020-06-03 | Dst Innovations Ltd | Electronic Biometric Devices and Methods of Construction |
JP6897690B2 (ja) | 2016-12-08 | 2021-07-07 | 日産化学株式会社 | 剥離層の製造方法 |
KR102481072B1 (ko) | 2016-12-08 | 2022-12-27 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 박리층의 제조 방법 |
WO2018105675A1 (ja) | 2016-12-08 | 2018-06-14 | 日産化学工業株式会社 | 剥離層の製造方法 |
KR102500563B1 (ko) | 2016-12-27 | 2023-02-17 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 기판 보호층 형성용 조성물 |
KR102574758B1 (ko) | 2017-03-30 | 2023-09-06 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 박리층 형성용 조성물 및 박리층 |
JP7260523B2 (ja) | 2017-08-18 | 2023-04-18 | コーニング インコーポレイテッド | ポリカチオン性高分子を使用した一時的結合 |
US11331692B2 (en) | 2017-12-15 | 2022-05-17 | Corning Incorporated | Methods for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets |
JP7097717B2 (ja) * | 2018-02-26 | 2022-07-08 | 株式会社カネカ | フレキシブル基板形成用支持基板およびその再生方法、ならびにフレキシブル基板の製造方法 |
TWI669992B (zh) * | 2018-03-16 | 2019-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 可撓性電子裝置及其製造方法 |
WO2019208587A1 (ja) | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 旭化成株式会社 | ポリイミド前駆体樹脂組成物 |
WO2019208590A1 (ja) | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有化合物 |
CN110164909B (zh) * | 2018-04-24 | 2021-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
WO2020226062A1 (ja) | 2019-05-09 | 2020-11-12 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 積層体 |
CN113874419B (zh) | 2019-05-24 | 2024-01-09 | 旭化成株式会社 | 聚酰亚胺前体及聚酰亚胺树脂组合物 |
CN110254872A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-09-20 | 丹阳市宏鑫光学眼镜有限公司 | 一种镜片去胶装置 |
CN110675750B (zh) * | 2019-09-24 | 2022-02-22 | 云谷(固安)科技有限公司 | 载体基板、柔性显示面板及柔性显示面板的制作方法 |
JPWO2021070912A1 (zh) | 2019-10-11 | 2021-04-15 | ||
JPWO2022014667A1 (zh) | 2020-07-16 | 2022-01-20 | ||
EP4186695A1 (en) | 2020-07-21 | 2023-05-31 | Toyobo Co., Ltd. | Multilayer body and method for producing flexible device |
KR20230030640A (ko) | 2020-09-29 | 2023-03-06 | 도요보 가부시키가이샤 | 무기 기판과 폴리아믹산 경화물의 적층체 |
US11935977B2 (en) | 2021-10-06 | 2024-03-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Transferable ultra-thin substrates and related techniques |
TWI815428B (zh) * | 2022-05-04 | 2023-09-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體顯示面板的製造方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6041018A (ja) | 1983-08-16 | 1985-03-04 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶表示用セルの製造方法 |
JPS6087313A (ja) | 1983-10-19 | 1985-05-17 | Seiko Epson Corp | 液晶表示体の製造方法 |
US4827479A (en) * | 1984-11-29 | 1989-05-02 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Density gradient free electron collisionally excited X-ray laser |
US20020022261A1 (en) * | 1995-06-29 | 2002-02-21 | Anderson Rolfe C. | Miniaturized genetic analysis systems and methods |
US6168948B1 (en) * | 1995-06-29 | 2001-01-02 | Affymetrix, Inc. | Miniaturized genetic analysis systems and methods |
US5686360A (en) * | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
US5693956A (en) * | 1996-07-29 | 1997-12-02 | Motorola | Inverted oleds on hard plastic substrate |
US6032923A (en) * | 1998-01-08 | 2000-03-07 | Xerox Corporation | Fluid valves having cantilevered blocking films |
JP3909791B2 (ja) | 1999-04-19 | 2007-04-25 | 共同印刷株式会社 | 透明導電膜の転写方法 |
US20020177135A1 (en) * | 1999-07-27 | 2002-11-28 | Doung Hau H. | Devices and methods for biochip multiplexing |
US20040053290A1 (en) * | 2000-01-11 | 2004-03-18 | Terbrueggen Robert Henry | Devices and methods for biochip multiplexing |
US6391801B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-05-21 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a layer comprising tungsten oxide |
US6857501B1 (en) * | 1999-09-21 | 2005-02-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of forming parylene-diaphragm piezoelectric acoustic transducers |
US6882045B2 (en) * | 1999-10-28 | 2005-04-19 | Thomas J. Massingill | Multi-chip module and method for forming and method for deplating defective capacitors |
TW494447B (en) * | 2000-02-01 | 2002-07-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4712198B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP4869468B2 (ja) | 2000-04-06 | 2012-02-08 | ニッタ株式会社 | 液晶表示装置用のフィルム基板アセンブリ |
US6605826B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
JP3939101B2 (ja) * | 2000-12-04 | 2007-07-04 | 株式会社荏原製作所 | 基板搬送方法および基板搬送容器 |
US6906257B2 (en) * | 2001-01-29 | 2005-06-14 | Honeywell International Inc. | Metallic coated dielectric substrates |
US6737224B2 (en) * | 2001-04-17 | 2004-05-18 | Jeffrey Stewart | Method of preparing thin supported films by vacuum deposition |
JP2002365614A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-18 | Nec Kagoshima Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
MXPA03011375A (es) * | 2001-06-12 | 2005-03-07 | Dana Corp | Metodo y aparato de percepcion de flujo de empaque. |
JP4472238B2 (ja) * | 2001-08-10 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法および半導体装置の作製方法 |
US20030068559A1 (en) * | 2001-09-12 | 2003-04-10 | Armstrong Joseph H. | Apparatus and method for the design and manufacture of multifunctional composite materials with power integration |
TW560102B (en) * | 2001-09-12 | 2003-11-01 | Itn Energy Systems Inc | Thin-film electrochemical devices on fibrous or ribbon-like substrates and methd for their manufacture and design |
TWI264121B (en) | 2001-11-30 | 2006-10-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device |
JP2003229548A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 乗物、表示装置、および半導体装置の作製方法 |
US6596569B1 (en) | 2002-03-15 | 2003-07-22 | Lucent Technologies Inc. | Thin film transistors |
JP4410456B2 (ja) * | 2002-04-24 | 2010-02-03 | 株式会社リコー | 薄膜デバイス装置の製造方法、およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
EP1529317A2 (en) * | 2002-08-06 | 2005-05-11 | Avecia Limited | Organic electronic devices |
US20040108588A1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-06-10 | Cookson Electronics, Inc. | Package for microchips |
US7338836B2 (en) * | 2003-11-05 | 2008-03-04 | California Institute Of Technology | Method for integrating pre-fabricated chip structures into functional electronic systems |
GB0327093D0 (en) * | 2003-11-21 | 2003-12-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates |
-
2003
- 2003-11-21 GB GBGB0327093.1A patent/GB0327093D0/en not_active Ceased
-
2004
- 2004-11-17 KR KR1020067009919A patent/KR20060134934A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-11-17 JP JP2006540730A patent/JP2007512568A/ja not_active Ceased
- 2004-11-17 EP EP04799174A patent/EP1687858A1/en not_active Ceased
- 2004-11-17 WO PCT/IB2004/052458 patent/WO2005050754A1/en not_active Application Discontinuation
- 2004-11-17 CN CN2004800341725A patent/CN1883061B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-17 US US10/579,309 patent/US7466390B2/en active Active
- 2004-11-18 TW TW093135454A patent/TW200525270A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005050754A1 (en) | 2005-06-02 |
EP1687858A1 (en) | 2006-08-09 |
GB0327093D0 (en) | 2003-12-24 |
CN1883061A (zh) | 2006-12-20 |
US20070091062A1 (en) | 2007-04-26 |
WO2005050754A9 (en) | 2006-09-28 |
WO2005050754B1 (en) | 2005-09-29 |
US7466390B2 (en) | 2008-12-16 |
JP2007512568A (ja) | 2007-05-17 |
KR20060134934A (ko) | 2006-12-28 |
CN1883061B (zh) | 2010-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200525270A (en) | Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates | |
EP1883852B1 (en) | Colour active matrix displays | |
EP2078226B1 (en) | Electronic device having a plastic substrate | |
CN103299448B (zh) | 使用辊形状母基板的柔性电子器件的制造方法、柔性电子器件及柔性基板 | |
TWI480165B (zh) | Manufacture of electronic devices | |
WO2008018026A2 (en) | Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates | |
TW201040642A (en) | Electronic devices having plastic substrates | |
US20040232943A1 (en) | Lamination and delamination technique for thin film processing | |
JP2013135181A (ja) | フレキシブルデバイスの製造方法 | |
JP5898949B2 (ja) | フレキシブルデバイスの製造方法 | |
TW201429709A (zh) | 玻璃積層體及其製造方法、以及附矽氧樹脂層之支持基材 | |
US20040235267A1 (en) | Lamination and delamination technique for thin film processing | |
JP3926116B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及びel表示装置の製造方法 | |
TW201518083A (zh) | 電子裝置之製造方法 | |
US20060121260A1 (en) | Laminated sheet and a method for manufacturing the laminated sheet | |
KR100623705B1 (ko) | 도너 기판 제조장치, 도너 기판의 제조방법 및 상기 도너기판을 사용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
KR101642446B1 (ko) | 전기영동 표시장치 제조 방법 | |
KR20110070590A (ko) | 평판형 표시장치 제조방법 | |
JP2005116824A (ja) | 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板及び電気光学装置 |