KR20090017014A - 가요성 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

가요성 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090017014A
KR20090017014A KR1020070081412A KR20070081412A KR20090017014A KR 20090017014 A KR20090017014 A KR 20090017014A KR 1020070081412 A KR1020070081412 A KR 1020070081412A KR 20070081412 A KR20070081412 A KR 20070081412A KR 20090017014 A KR20090017014 A KR 20090017014A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
adhesive layer
polyimide
layer
forming
Prior art date
Application number
KR1020070081412A
Other languages
English (en)
Inventor
김명환
이우재
전형일
김명희
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020070081412A priority Critical patent/KR20090017014A/ko
Priority to US12/190,487 priority patent/US8012288B2/en
Publication of KR20090017014A publication Critical patent/KR20090017014A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/166Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
    • G02F1/167Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/165Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
    • G02F1/1675Constructional details
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/28Adhesive materials or arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78603Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 구부러질 수 있는 성질을 갖는 가요성 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 캐리어 기판 상에 폴리이미드(Polyimide)를 포함하는 접착층을 형성하는 단계, 상기 접착층 상에 가요성 기판을 라미네이션하는 단계, 및 레이저 또는 광을 조사하여 상기 캐리어 기판을 박리시키는 단계를 포함한다.

Description

가요성 표시 장치의 제조 방법{MENUFACTURING METHOD OF FLEXIBLE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 구부러질 수 있는 성질을 갖는 가요성 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 표시 장치 시장은 대면적이 용이하고 박형 및 경량화가 가능한 평판 디스플레이(Flat Panel Display; FPD) 위주로 급속히 변화하고 있다.
이러한 평판 디스플레이에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 등이 있다. 그러나 기존의 액정 표시 장치, 플라즈마 다스플레이 패널, 유기 발광 표시 장치 등은 유리 기판을 사용하기 때문에 유연성이 없으므로 응용과 용도에 한계가 있다.
따라서 최근 기존의 유연성이 없는 유리 기판 대신에 플라스틱, 호일 등과 같이 유연성 있는 재료의 기판을 사용하여 구부러질 수 있게 제조된 가요성 표시 장치가 차세대 표시 장치로 활발히 개발되고 있다.
플라스틱 기판 위에 박막 트랜지스터(TFTs on Plastic; TOP)를 제조 및 핸들링하는 공정은 플렉서블 디스플레이 패널(Flexible Display Panel; FDP) 제작에 있어서 중요한 핵심 공정이다. 특히 플렉서블 디스플레이가 갖는 기판의 가요성 때문에 기존 유리 기판용 패널 제작 공정에 플라스틱 기판을 직접 투입하여 TOP 패널을 제작하는 데에는 아직도 많은 공정상의 문제가 있다.
따라서, 기존 패널 제작 공정 및 장비를 사용할 수 있는 대안으로 유리 기판과 같은 캐리어 기판 위에 점착 또는 코팅을 한 플라스틱 기판을 이용하여 플라스틱 기판 위에 박막 트랜지스터 어레이를 직접 제작한 후 플라스틱 기판으로부터 캐리어 기판을 탈착시키는 공정을 개발하였다.
그러나, 이와 같은 방법의 경우 고온의 공정에서도 견딜 수 있고, 박막 트랜지스터 어레이 제작 후 캐리어 기판을 플라스틱 기판으로부터 용이하게 탈착할 수 있는 점착 물질의 개발이 어려운 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 기술적 과제는 캐리어 기판을 이용한 가요성 표시 장치의 제조 방법으로서, 고온 공정이 가능하고 박막 트랜지스터 등의 소자를 형성한 후 공정의 마무리 단계에서 캐리어 기판의 탈착이 용이한 가요성 표시 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 가요성 표시 장치의 제조 방법은 캐리어 기판 상에 폴리이미드(Polyimide)를 포함하는 접착층을 형성하는 단계; 상기 접착층 상에 가요성 기판을 라미네이션하는 단계; 및 레이저 또는 광을 조사하여 상기 캐리어 기판을 박리시키는 단계를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 가요성 기판을 라미네이션하는 단계 후에 상기 가요성 기판 상에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터 어레이가 형성된 상기 가요성 기판 상에 표시층을 형성하는 단계; 상기 표시층 상에 대향 기판을 형성하는 단계; 및 상기 표시층을 구동하기 위한 구동부를 실장하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 가요성 기판을 라미네이션하는 단계 후에 상기 가요성 기판 상에 컬러 필터 어레이를 형성하는 단계; 상기 컬러 필터 어레이가 형성된 상기 가요성 기판 상에 표시층을 형성하는 단계; 및 상기 표시층 상에 대향 기판을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 접착층은 폴리이미드에 커플러를 혼합하여 이루어질 수 있다.
상기 접착층은 상기 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드층; 및 상기 폴리이미드층 상면 및 하면에 위치하며, 커플러를 포함하는 커플러층을 포함하여 형성될 수 있다.
상기 접착층을 형성하는 단계 후에 상기 접착층을 소프트 베이킹하는 단계; 및 상기 가요성 기판을 라미네이션하는 단계 후에 상기 접착층을 하드 베이킹하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 가요성 기판 표면은 플라즈마 처리 또는 오존 처리되는 것이 바람직하다.
상기 가요성 기판은 캡톤(Kapton), 폴리에테르술폰(Polyethersulphone; PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylenenaphthelate; PEN) 및 폴리아릴레이트(Polyacrylate; PAR)을 포함하여 이루어진 군 중에서 선택되는 고분자 물질을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 캐리어 기판을 박리시키는 단계에서는 상기 접착층에 엑시머 레이저를 조사하여 상기 캐리어 기판을 박리시키는 것이 바람직하다.
상기 폴리이미드는 유리 전이 온도(Glass Transition Temperature)가 350℃ 이상이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 가요성 표시 장치의 제조 방법은 캐리어 기판 상에 유리 전이 온도(Glass Transition Temperature)가 350℃ 이상인 접착 경화제로 이루어진 접착층을 형성하는 단계; 상기 접착층 상에 가요성 기판을 라미네이션하는 단계; 및 상기 캐리어 기판에 레이저 또는 광을 조사하여 상기 캐리어 기판을 상기 가요성 기판으로부터 박리시키는 단계를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 접착층은 폴리이미드로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 접착층은 상기 폴리이미드에 커플러를 혼합하여 이루어질 수 있다.
상기 접착층은 상기 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드층; 및 상기 폴리이미드 상면 및 하면에 위치하며, 커플러를 포함하는 커플러층을 포함하여 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법은 폴리이미드를 포함하는 접착 경화제를 캐리어 기판 및 플라스틱 기판 사이의 접착을 위한 접착층에 사용함으로써, 고온 공정이 가능하고, 레이저 조사에 의한 캐리어 기판의 탈착이 용이하다.
상기 기술적 과제 외에 본 발명의 다른 기술적 과제 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 도 1 내지 도 4g를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법으로서, 전기 영동 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타내는 순서도이고, 도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법으로서, 전기 영동 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법은 캐리어 기판 상에 접착층 형성 단계(S10), 가요성 기판의 라미네이션 단계(S20), 박막 트랜지스터 어레이 형성 단계(S30), 표시층 및 대향 기판 형성 단계(S40), 구동부 실장 단계(S50) 및 캐리어 기판 박리 단계(S60)를 포함한다.
이하에서는, 도 2a 내지 도 2g와 결부지어 전기 영동 표시 장치의 제조 방법을 자세히 설명하기로 한다.
도 2a를 참조하면, 캐리어 기판(10) 상에 접착층(20)을 형성한다. 캐리어 기판(10)은 유리 등의 절연 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 접착층(20)은 유리 전이 온도(Glass Transition Temperature)가 350℃ 이상인 내열 특성이 좋은 접착 경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 접착층(20)은 내열 특성이 우수한 폴리이미드(Polyimide)를 사용할 수 있으며, 폴리이미드와 커플러(Coupler)를 혼합하여 사용할 수도 있다. 이러한 접착층(20)은 프린 팅(Printing) 방식, 슬릿 코팅(Slit Coating) 방식, 스핀 코팅(Spin Coating) 방식, 딥핑(Dipping) 방식 등에 의해 형성될 수 있다.
여기서 접착층(20)에 사용되는 폴리이미드는 투명 폴리이미드 및 불투명 폴리이미드로 형성될 수 있다. 투명 폴리이미드는 컬러 전기 영동 표시 장치 제작 시 컬러 필터 기판으로 사용될 수 있으며, 불투명 폴리이미드는 전기 영동 표시 장치 및 컬러 전기 영동 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판에 사용될 수 있다. 이는, 불투명 폴리이미드는 진한 노란색 또는 호박색을 띄므로 컬러 필터 기판에 사용되기에는 적절하지 않기 때문이다. 반면에, 투명 폴리이미드는 박막 트랜지스터 기판 및 컬러 필터 기판 모두에 제한되지 않고 사용될 수 있는 장점이 있다. 폴리이미드 접착용 폴리이미드로 사용중인 제품은 현재 HD Microsystems 사에서 제공하는 PIX1400을 사용중이며, PIX 시리즈는 폴리이미드 고분자 체인에 유리와 접착할 수 있는 성분이 함유되어 있어 추가로 프리머(Primer) 또는 커플러(Coupler) 등을 필요로 하지 않는다. 상기 폴리이미드는 내열성이 350℃ 이상으로 우수한 특성을 갖는다. 한편, 접착제 이외로 사용되는 폴리이미드는 듀퐁(DuPont) 사의 캡톤(Kapton) 제품이며, CTE(Coefficient of Thermal Expansion)가 20 이하여서 기판의 휨이나 내열성(350도 이상)이 우수해 추후 박막 트랜지스터 신뢰성이 확보된 유리 기판 공정을 그대로 사용할 수 있는 장점이 있다.
다음으로 접착층(20)을 소프트 베이킹(Soft Baking)하여 접착층(20) 내의 용매를 제거한다. 소프트 베이킹은 90℃에서 60초 정도 가열하는 조건이 바람직하다. 한편, 접착층(20)에 커플러가 포함되지 않은 경우에는 접착층(20) 상면 및 하 면에 위치하며, 각각 커플러를 포함하는 커플러층을 더 포함할 수 있다. 이러한 접착층(20)의 두께는 80 ~ 200nm 이내로 형성되는 것이 바람직하다.
도 2b를 참조하면, 접착층(20) 상에 가요성 기판(30)을 형성한다. 가요성 기판(30)은 롤(32)을 이용한 라미네이션 방식에 의해 형성될 수 있다. 가요성 기판(30)은 캡톤(Kapton), 폴리에테르술폰(Polyethersulphone; PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylenenaphthelate; PEN) 및 폴리아릴레이트(Polyacrylate; PAR) 등으로 이루어진 군 중에서 선택되는 고분자 물질을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
도 2c를 참조하면, 가요성 기판(30)은 접착층(20)에 의해 캐리어 기판(10)과 접착된다. 접착층(20)은 하드 베이킹(Hard Baking)을 통하여 경화됨으로써 박막 트랜지스터 어레이 공정에 필요한 특성값 및 접착력을 갖게 된다. 하드 베이킹은 350℃에서 1시간 정도 가열하는 조건이 바람직하다. 이때, 가요성 기판(30)과 접착층(20) 사이의 접착력은 가요성 기판(30)의 표면을 산소 플라즈마 또는 자외선 처리하여 가요성 기판(30)의 표면이 캐리어 기판(30)의 표면과 유사한 특성을 갖도록 개질시켜 얻을 수 있다. 다시 말해, 가요성 기판(30)의 표면은 플라즈마 처리 또는 자외선 처리에 의해 개질됨으로써, 접착층(20)과의 접착력이 증가되는 효과가 있다.
가요성 기판(30)은 박막 트랜지스터 어레이를 포함한다. 박막 트랜지스터 어레이는 게이트 라인, 데이터 라인, 그 교차부에 인접한 박막 트랜지스터 및 그 교차 구조로 마련된 화소 영역에 형성된 제1 전극을 포함한다.
박막 트랜지스터는 게이트 라인으로부터 공급되는 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인으로부터 공급되는 데이터 전압을 제1 전극에 공급한다. 이를 위해 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 활성층 및 오믹 콘택층을 포함한다.
제1 전극은 박막 트랜지스터로부터 공급된 데이터 전압에 따라 전압을 충전하여 대향 기판(60, 도 2 참조)에 형성되는 제2 전극과 전위차를 발생시키게 된다. 이 전위차에 의해 가요성 기판(30)과 대향 기판(60) 사이에 위치하는 표시층(40, 도 2 참조)을 구동시켜 화상을 표시하게 된다.
도 2d를 참조하면, 가요성 기판(30) 상에 표시층(40) 및 대향 기판(60)을 형성한다.
표시층(40)은 전기 영동 필름을 포함할 수 있다. 전기 영동 필름은 투명한 박막으로 형성되는 마이크로 캡슐 및 마이크로 캡슐 내부에 흰색과 검은색을 띠고 양성 및 음성으로 대전되는 흑색 입자 및 백색 입자의 대전 색소 입자를 포함한다. 마이크로 캡슐은 마주하는 두 전극에 전압이 공급되어 전극 양단의 전위차에 의해 형성된 전계가 인가되면, 흑색 입자 및 백색 입자가 캡슐 내에서 각각 반대 극성의 전극 방향으로 이동한다. 이를 위해 마이크로 캡슐은 대전 색소 입자가 외부로부터 입사되는 광을 반사하면서 검은색 또는 흰색으로 이루어진 화상을 보여준다.
대향 기판(60)은 제2 전극을 포함하며, 마이크로 캡슐을 외부의 충격으로부터 보호하고, 대전 색소 입자에 의해 표시되는 화상이 사용자에게 시인되도록 투명 물질로 형성된다. 예를 들어, 대향 기판은 플라스틱 또는 글라스(Glass) 물질을 사용하여 필름 형태로 형성되는 것이 바람직하다.
제2 전극은 제1 전극과 대향되도록 전기 영동 필름의 상부에 형성된다. 그리고, 제2 전극은 대향 기판(60)과 마찬가지로 입사되는 광이 투과되도록 투명한 물질로 형성된다. 예를 들어, 제2 전극은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO) 및 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide; IZO) 등의 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 제2 전극은 마이크로 캡슐의 대전 색소 입자에 전계를 인가한다. 제2 전극은 화상을 표시하기 위해, 흑색 입자 및 백색 입자를 제어하여 제1 전극과 함께 전계를 형성한다.
도 2e를 참조하면, 표시 장치를 구동하기 위한 구동부(70)를 실장한다.
구동부(70)는 게이트 라인 및 데이터 라인을 구동시키기 위한 신호를 생성한다. 구체적으로 구동부(70)는 외부로부터 공급되는 구동 전압 및 제어 신호를 통해 박막 트랜지스터를 구동하기 위한 신호를 생성한다. 그리고, 구동부(70)는 이러한 신호를 게이트 라인 및 데이터 라인으로 공급한다. 이러한 구동부(50)는 아웃 리드 본딩(Out Lead Bonding; OLB) 방식으로 실장될 수 있다.
도 2f 및 도 2g를 참조하면, 접착층에 레이저 또는 광원을 이용하여 캐리어 기판(10)을 탈착시켜, 가요성 표시 장치를 얻을 수 있다. 예를 들어, 엑시머 계열의 레이저는 고분자를 분해하는 에너지를 가지고 있어 레이저를 플라스틱 표면에 조사시 조사량 및 시간에 따라 플라스틱 표면을 깎을 수 있다. 즉, 레이저 또는 광원 조사에 의해 접착층이 광분해되고, 캐리어 기판(10)은 가요성 기판(30)으로부터 박리된다. 캐리어 기판(10)은 레이저 탈착에 필요한 최소의 에너지 밀 도(Energy Density)를 투과하는 정도이면 가능하다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법으로서, 컬러 전기 영동 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타내는 순서도이고, 도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법으로서, 컬러 전기 영동 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
본 실시예에서는 컬러 전기 영동 표시 장치의 제조 방법으로써, 컬러 필터 기판의 제조시에는 투명 폴리이미드를 포함하는 접착층이 사용되는 것이 바람직하다. 그러나, 박막 트랜지스터 기판의 제조시에는 투명 및 불투명 폴리이미드를 포함하는 접착층이 사용될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법은 박막 트랜지스터 기판 마련 단계(S110), 캐리어 기판 상에 접착층 형성 공정, 가요성 기판 라미네이션 공정 및 컬러 필터 어레이 형성 공정을 포함하는 컬러 필터 기판 마련 단계(S120), 캐리어 기판 박리 단계(S130) 및 기판 합착 단계(S140)를 포함한다.
이하에서는 도 4a 내지 4g와 결부지어 컬러 전기 영동 표시 장치의 제조 방법을 자세히 설명하기로 한다.
도 4a에 도시된 바와 같이 가요성 기판 상에 박막 트랜지스터 어레이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판(230)을 마련한다. 여기서, 박막 트랜지스터 기판(230)은 캐리어 기판 상에 접착층 형성 공정, 접착층 상에 가요성 기판 라미네이션 공 정, 박막 트랜지스터 어레이 형성 공정 및 캐리어 기판 박리 공정을 통해 형성될 수 있다. 이는, 상술한 제1 실시예에서와 동일하므로 도면 및 자세한 설명은 생략하기로 한다.
다음으로 도 4b의 캐리어 기판(110) 상에 접착층(120) 형성 공정, 도 4c의 가요성 기판 라미네이션 공정 및 도 4d의 컬러 필터 어레이 형성 공정을 포함하는 컬러 필터 기판(130)을 형성한다. 여기서, 가요성 기판(30) 상에 컬러 필터 어레이를 형성하는 것을 제외하고, 나머지 구성요소의 특성 및 제조 방법은 상술한 제1 실시예와 동일하므로 자세한 설명은 생략하기로 한다.
다음으로, 도 4e에 도시된 바와 같이 컬러 필터 기판(130) 상에 투명 전극(50), 표시층(40) 및 보호 필름(62)을 형성한다. 표시층(40)은 전기 영동 필름을 포함할 수 있다. 컬러 전기 영동 표시 장치는 적(R), 녹(G), 청(B)으로 형성되는 컬러 필터 어레이를 포함하여 각각의 컬러 필터를 통해 투과된 광이 백색표시 상태인 각 마이크로캡슐에 의해 반사되어 색을 표현할 수 있다.
다음으로, 도 4f에 도시된 바와 같이 접착층(120)에 레이저 또는 광원을 이용하여 캐리어 기판(110)을 탈착시킴으로써, 컬러 전기 영동 표시 장치의 컬러 필터 기판이 형성된다.
다음으로, 도 4g에 도시된 바와 같이 도 4a의 박막 트랜지스터 기판과 도 4f의 컬러 필터 기판을 대향하여 합착시키고, 구동부를 실장함으로써 컬러 전기 영동 표시 장치를 얻을 수 있다. 상기 기판 합착시 전기 영동 필름 상측에 형성된 보호 필름(62)은 제거된다.
본 실시예에서는 컬러 필터 기판의 캐리어 기판(110)을 탈착 한 후, 박막 트랜지스터 기판과 대향되도록 합착하는 경우를 설명했지만 이에 한정되는 것은 아니고, 두 기판을 합착하고 구동부를 실장한 후에 캐리어 기판(110)을 탈착하는 경우도 가능하다.
또한, 본 실시예에서는 전기 영동 표시 장치를 예로 들어 설명했으나, 이에 한정되는 것이 아니라, 다양한 표시 장치에 응용이 가능하다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음이 자명하다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법으로서, 전기 영동 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타내는 순서도이다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법으로서, 전기 영동 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법으로서, 컬러 전기 영동 표시 장치의 제조 방법을 순차적으로 나타내는 순서도이다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 제조 방법으로서, 컬러 전기 영동 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10,110 : 캐리어 기판 20,120 : 접착층
30 : 가요성 기판 32 : 롤
40 : 표시층 60 : 대향 기판
70 : 구동부 130 : 컬러 필터 기판
230 : 박막 트랜지스터 기판

Claims (14)

  1. 캐리어 기판 상에 폴리이미드(Polyimide)를 포함하는 접착층을 형성하는 단계;
    상기 접착층 상에 가요성 기판을 라미네이션하는 단계; 및
    레이저 또는 광을 조사하여 상기 캐리어 기판을 박리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가요성 기판을 라미네이션하는 단계 후에
    상기 가요성 기판 상에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터 어레이가 형성된 상기 가요성 기판 상에 표시층을 형성하는 단계;
    상기 표시층 상에 대향 기판을 형성하는 단계; 및
    상기 표시층을 구동하기 위한 구동부를 실장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가요성 기판을 라미네이션하는 단계 후에
    상기 가요성 기판 상에 컬러 필터 어레이를 형성하는 단계;
    상기 컬러 필터 어레이가 형성된 상기 가요성 기판 상에 표시층을 형성하는 단계; 및
    상기 표시층 상에 대향 기판을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착층은 폴리이미드에 커플러를 혼합하여 이루어진 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착층은
    상기 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드층; 및
    상기 폴리이미드층 상면 및 하면에 위치하며, 커플러를 포함하는 커플러층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착층을 형성하는 단계 후에 상기 접착층을 소프트 베이킹하는 단계; 및
    상기 가요성 기판을 라미네이션하는 단계 후에 상기 접착층을 하드 베이킹하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 가요성 기판 표면은 플라즈마 처리 또는 오존 처리되는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 가요성 기판은 캡톤(Kapton), 폴리에테르술폰(Polyethersulphone; PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylenenaphthelate; PEN) 및 폴리아릴레이트(Polyacrylate; PAR)을 포함하여 이루어진 군 중에서 선택되는 고분자 물질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐리어 기판을 박리시키는 단계에서는
    상기 접착층에 엑시머 레이저를 조사하여 상기 캐리어 기판을 박리시키는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리이미드는 유리 전이 온도(Glass Transition Temperature)가 350℃ 이상인 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  11. 캐리어 기판 상에 유리 전이 온도(Glass Transition Temperature)가 350℃ 이상인 접착 경화제로 이루어진 접착층을 형성하는 단계;
    상기 접착층 상에 가요성 기판을 라미네이션하는 단계; 및
    상기 캐리어 기판에 레이저 또는 광을 조사하여 상기 캐리어 기판을 상기 가요성 기판으로부터 박리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 접착층은 폴리이미드로 이루어진 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치 의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 접착층은 상기 폴리이미드에 커플러를 혼합하여 이루어진 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 접착층은
    상기 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드층; 및
    상기 폴리이미드 상면 및 하면에 위치하며, 커플러를 포함하는 커플러층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가요성 표시 장치의 제조 방법.
KR1020070081412A 2007-08-13 2007-08-13 가요성 표시 장치의 제조 방법 KR20090017014A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070081412A KR20090017014A (ko) 2007-08-13 2007-08-13 가요성 표시 장치의 제조 방법
US12/190,487 US8012288B2 (en) 2007-08-13 2008-08-12 Method of fabricating flexible display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070081412A KR20090017014A (ko) 2007-08-13 2007-08-13 가요성 표시 장치의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090017014A true KR20090017014A (ko) 2009-02-18

Family

ID=40363334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070081412A KR20090017014A (ko) 2007-08-13 2007-08-13 가요성 표시 장치의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8012288B2 (ko)
KR (1) KR20090017014A (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120100274A (ko) * 2011-03-03 2012-09-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 표시장치의 제조 방법
KR20130024093A (ko) * 2011-08-30 2013-03-08 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치와 이의 제조방법
KR20130024097A (ko) * 2011-08-30 2013-03-08 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치와 이의 제조방법
KR101336074B1 (ko) * 2012-03-20 2013-12-03 주식회사 맥스텍 플렉서블 액정 표시 장치의 제조 방법
WO2016014648A3 (en) * 2014-07-22 2016-05-19 Brewer Science Inc. Polyimides as laser release materials for 3-d ic applications
US9555561B2 (en) 2013-09-16 2017-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing a polyimide substrate and method of manufacturing a display device using the same
US10838558B2 (en) 2015-04-15 2020-11-17 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090095026A (ko) * 2008-03-04 2009-09-09 삼성전자주식회사 표시 장치 제조 방법
US8182633B2 (en) * 2008-04-29 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating a flexible display device
US8610155B2 (en) * 2008-11-18 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone
KR101286551B1 (ko) * 2009-09-16 2013-07-17 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 기판 및 이를 가지는 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
JP2011104931A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Konica Minolta Business Technologies Inc 構造色表示用材料およびその製造方法
TWI432835B (zh) 2010-06-24 2014-04-01 Au Optronics Corp 可撓性顯示面板及其製造方法
KR101783781B1 (ko) * 2010-07-05 2017-10-11 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
EP2624326A4 (en) * 2010-09-29 2017-05-10 Posco Method for manufacturing a flexible electronic device using a roll-shaped motherboard, flexible electronic device, and flexible substrate
KR101247680B1 (ko) * 2010-12-06 2013-04-01 엘지디스플레이 주식회사 전기영동표시장치 및 그 제조방법
EP2717307A1 (en) 2012-10-04 2014-04-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Releasable substrate on a carrier
TWI596404B (zh) * 2013-02-06 2017-08-21 財團法人工業技術研究院 膜層結構以及軟性有機二極體顯示器製作方法
JP2014160603A (ja) * 2013-02-20 2014-09-04 Japan Display Inc シートディスプレイ
TWI537139B (zh) * 2013-08-30 2016-06-11 群創光電股份有限公司 元件基板、顯示裝置及元件基板之製造方法
KR102107456B1 (ko) * 2013-12-10 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI755773B (zh) * 2014-06-30 2022-02-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置,模組,及電子裝置
KR20160130004A (ko) 2015-04-30 2016-11-10 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI554816B (zh) * 2015-07-31 2016-10-21 元太科技工業股份有限公司 反射式顯示裝置
CN106530972B (zh) * 2016-12-20 2017-12-29 深圳市华星光电技术有限公司 柔性阵列基板的制作方法
KR102658904B1 (ko) * 2016-12-30 2024-04-18 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN110703480A (zh) * 2019-09-25 2020-01-17 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法
DE102022000002A1 (de) 2022-01-01 2023-07-06 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Verfahren zum Aufbringen einer Dekorfolie auf eine nicht-ebene Oberfläche
DE102022000005A1 (de) 2022-01-01 2023-07-06 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Dekorfolie und Fahrzeug mit einer Dekorfolie

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6350386B1 (en) * 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit with a tapered through-hole for a semiconductor chip assembly
JP3608615B2 (ja) * 2001-04-19 2005-01-12 ソニー株式会社 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP4527068B2 (ja) 2001-07-16 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法、半導体装置の作製方法、及び電子書籍の作製方法
JP4524561B2 (ja) * 2001-07-24 2010-08-18 セイコーエプソン株式会社 転写方法
JP2005085799A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Seiko Epson Corp 成膜方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
GB0327093D0 (en) 2003-11-21 2003-12-24 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates
JP2007004205A (ja) 2006-09-19 2007-01-11 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120100274A (ko) * 2011-03-03 2012-09-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 표시장치의 제조 방법
KR20130024093A (ko) * 2011-08-30 2013-03-08 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치와 이의 제조방법
KR20130024097A (ko) * 2011-08-30 2013-03-08 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치와 이의 제조방법
KR101336074B1 (ko) * 2012-03-20 2013-12-03 주식회사 맥스텍 플렉서블 액정 표시 장치의 제조 방법
US9555561B2 (en) 2013-09-16 2017-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing a polyimide substrate and method of manufacturing a display device using the same
WO2016014648A3 (en) * 2014-07-22 2016-05-19 Brewer Science Inc. Polyimides as laser release materials for 3-d ic applications
KR20170039187A (ko) * 2014-07-22 2017-04-10 브레우어 사이언스 인코포레이션 3차원 ic 적용용 레이저 박리 재료로서의 폴리이미드
US9827740B2 (en) 2014-07-22 2017-11-28 Brewer Science Inc. Polyimides as laser release materials for 3-D IC applications
US10838558B2 (en) 2015-04-15 2020-11-17 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and method of manufacturing the same
US11289550B2 (en) 2015-04-15 2022-03-29 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US8012288B2 (en) 2011-09-06
US20090047859A1 (en) 2009-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090017014A (ko) 가요성 표시 장치의 제조 방법
KR101500684B1 (ko) 캐리어 기판 및 이를 이용한 가요성 표시 장치의 제조 방법
KR101458901B1 (ko) 가요성 표시 장치의 제조 방법
KR101870798B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치와 이의 제조방법
TWI249052B (en) Display panel and method for fabricating the same
CN100428010C (zh) 柔性显示器的制造方法
JP5790968B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
KR101285636B1 (ko) 플렉서블 액정표시장치의 제조방법
KR20110067261A (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR101842134B1 (ko) 전기영동 표시장치 및 그 제조 방법
KR20070055820A (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
JP5399805B2 (ja) 表示装置
WO2012063719A1 (ja) 液晶表示パネルとその製造方法
WO2021190040A1 (zh) 显示模组、电子设备和显示模组的制造方法
JP2011033912A5 (ko)
JP4623685B2 (ja) 表示装置の製造方法
WO2011108044A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
JP2010197983A (ja) 反射形表示装置
KR20070071185A (ko) 액정표시소자의 제조방법
KR20170072145A (ko) 표시 장치 및 전자 기기
KR101252847B1 (ko) 가요성 표시장치의 제조방법
KR101859525B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치와 이의 제조방법
KR101226218B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2009265396A (ja) 表示素子の製造方法
KR20130024385A (ko) 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20140624

Effective date: 20150203

Free format text: TRIAL NUMBER: 2014101003921; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20140624

Effective date: 20150203