KR970052893A - 반도체 소자의 텅스텐 실리사이드층 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 텅스텐 실리사이드층 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 텅스텐 실리사이드층 형성 방법에 관한 것으로, 텅스텐 실리사이드 중착시 폴리실리콘층으로부터 수소(H) 원소의 외부 확산을 방지하기 위하여 PH3가스의 흐름비를 조절하여 고농도의 불순물 이온이 주입된 폴리실리콘층과 저농도의 불순물 이온이 주입된 폴리실리콘층을 순차적으로 형성한 후 텅스텐 실리사이드를 중착하므로써 막(Film)의 열적 안정성을 향상시켜 소자의 전기적 특성이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 텅스텐 실리사이드층 형성 방법에 관한 것이다.
※선택도 : 제2B도.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 및 제2B도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 텅스텐 실리사이드층 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 텅스텐 실리사이드층 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판상에 고농도의 불순물 이온이 주입된 제1폴리실리콘층을 형성한 후 상기 제1폴리실리콘층상에 낮은 농도의 불순물 이온이 주입된 제2폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제2폴리실리콘층상에 텅스텐 실리사이드를 중착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 텅스텐 실리사이드층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2폴리실리콘층은 중착시 PH3가스의 흐름비 차이를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 텅스텐 실리사이드층 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 실리사이드 중착시 사용되는 반응 가스는 WF6와 디클로 사일렌(DCS) 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 텅스텐 실리사이드층 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950048766A KR970052893A (ko) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 반도체 소자의 텅스텐 실리사이드층 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950048766A KR970052893A (ko) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 반도체 소자의 텅스텐 실리사이드층 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970052893A true KR970052893A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66593994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950048766A KR970052893A (ko) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 반도체 소자의 텅스텐 실리사이드층 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052893A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020002912A (ko) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | 박종섭 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1995
- 1995-12-12 KR KR1019950048766A patent/KR970052893A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020002912A (ko) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | 박종섭 | 반도체 소자의 제조방법 |
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