KR970060363A - 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970060363A KR970060363A KR1019960002010A KR19960002010A KR970060363A KR 970060363 A KR970060363 A KR 970060363A KR 1019960002010 A KR1019960002010 A KR 1019960002010A KR 19960002010 A KR19960002010 A KR 19960002010A KR 970060363 A KR970060363 A KR 970060363A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- diffusion barrier
- semiconductor device
- barrier layer
- oxygen
- layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76853—Barrier, adhesion or liner layers characterized by particular after-treatment steps
- H01L21/76861—Post-treatment or after-treatment not introducing additional chemical elements into the layer
- H01L21/76864—Thermal treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 확산 방지막에 관한 것으로, 접합 파괴 현상의 발생을 방지하기 위하여 티타늄 나이트라이드를 중착한 후 산소 충진 효과를 중대시키기 위해 급속 열처리를 실시한다. 그러므로 금속 중착시 접합 파괴 현상의 발생이 효과적으로 방지되며, 콘택 홀의 크기 증가에 비해 일정한 콘택 저항을 얻을 수 있다. 또한 확산 방지막의 두께 감소로 인하여 금속층 패터닝 공정시 공정 마진(Margin)이 증대되어 소자의 수율이 향상될 수 있는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 및 제2b도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (6)
- 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법에 있어서, 접합 영역이 형성된 실리콘 기판상에 절연층을 형성하고, 상기 접합 영역이 노출되도록 상기 절연층을 패터닝하여 콘택 홀을 형성시킨 후 전체 상부면에 확산 방지막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 산소의 충진 효과를 증대시키며, 상기 접합 영역의 실리콘 기판과 상기 확산 방지막의 계면에 실리사이이드층이 형성되도록 산소가 공급되는 급속 열처리 장치에서 금속 열처리를 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 확산 방지막은 콜리메이티드 티타늄 나이트라이드가 증착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 확산 방지막은 티타늄 나이트라이드가 증착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 급속 열처리는 400 내지 700℃의 온도에서 10 내지 120초 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산소의 공급량은 1 내지 10 slm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제1 또는 제5항에 있어서, 상기 산소는 부분적으로 공급되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960002010A KR100187669B1 (ko) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 |
JP8095104A JPH09213657A (ja) | 1996-01-30 | 1996-04-17 | 半導体素子の拡散防止膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960002010A KR100187669B1 (ko) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970060363A true KR970060363A (ko) | 1997-08-12 |
KR100187669B1 KR100187669B1 (ko) | 1999-06-01 |
Family
ID=19450321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960002010A KR100187669B1 (ko) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09213657A (ko) |
KR (1) | KR100187669B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990055786A (ko) * | 1997-12-27 | 1999-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5288666A (en) * | 1990-03-21 | 1994-02-22 | Ncr Corporation | Process for forming self-aligned titanium silicide by heating in an oxygen rich environment |
EP0545602A1 (en) * | 1991-11-26 | 1993-06-09 | STMicroelectronics, Inc. | Method for forming barrier metal layers |
US5514908A (en) * | 1994-04-29 | 1996-05-07 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit with a titanium nitride contact barrier having oxygen stuffed grain boundaries |
-
1996
- 1996-01-30 KR KR1019960002010A patent/KR100187669B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-04-17 JP JP8095104A patent/JPH09213657A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100187669B1 (ko) | 1999-06-01 |
JPH09213657A (ja) | 1997-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR930018648A (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
KR960042936A (ko) | 집적 회로 구조물 상에서 형성되는 폴리실리콘/규화 텅스텐 다층 복합체, 및 이것의 제조 방법 | |
KR930011301A (ko) | 서브-마이크로 메터 집적회로의 얕은 접합 형성방법 | |
KR890003048A (ko) | Mos형 반도체 장치의 제조방법 | |
KR970060363A (ko) | 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 | |
KR0161735B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
KR970703615A (ko) | 바이폴라 트랜지스터 및 모스 트랜지스터를 구비한 반도체장치의 제조 방법(METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH BiCMOS CIRCUIT) | |
KR960026384A (ko) | 반도체 장치의 티타늄 실리사이드층 형성방법 | |
KR960042961A (ko) | 반도체 소자의 확산방지층 형성방법 | |
KR970063484A (ko) | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법 | |
KR970077522A (ko) | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법 | |
KR970052303A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
KR970072211A (ko) | 저저항 금속 규화물층을 가지는 반도체 장치 제조 방법 | |
KR960026198A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 매립방법 | |
KR930003278A (ko) | 완만한 프로화일을 갖는 개구부의 형성방법 | |
KR980005455A (ko) | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 | |
KR970063500A (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
KR900003996A (ko) | 반도체 소자 제조 공정 | |
KR980005545A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
KR970052921A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 | |
KR970008347A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
KR960026629A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 | |
KR970053514A (ko) | 반도체소자의 도전배선 형성방법 | |
KR960035875A (ko) | 반도체 소자의 게이트전극 형성방법 | |
KR980005652A (ko) | 반도체 장치 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090102 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |