KR970053512A - 반도체소자의 도전배선 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 도전배선 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970053512A KR970053512A KR1019950046986A KR19950046986A KR970053512A KR 970053512 A KR970053512 A KR 970053512A KR 1019950046986 A KR1019950046986 A KR 1019950046986A KR 19950046986 A KR19950046986 A KR 19950046986A KR 970053512 A KR970053512 A KR 970053512A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive wiring
- wiring layer
- oxide film
- lower conductive
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 도전배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부도전배선층을 형성하고 그 상부에 형성된 자연산화막을 제거한 다음, 상기 자연산화막 제거공정시 발생된 패시베이션된 수소층을 제거하기 위한 열공정을 실실하고 상기 하부도전배선층 상부에 텅스텐 실리사이드를 소정두께 형성한 다음, 열산화 공정으로 상기 도전배선을 안정화시키는 동시에 식각공정시 손상된 부분을 보상하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 도전배선 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (6)
- 반도체기판 상부에 하부도전배선층을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 하부도전배선층 상부에 형성된 자연산화막을 제거하는 공정과, 상기 자연산화막 제거공정시 발생되는 패시베이션된 수소층을 제거하는 열공정을 실시하는 공정과, 상기 하부도전배선층 상부에 텅스텐 실리사이드를 형성하는 공정과, 도전배선마스크를 이용한 식각공정으로 상기 텅스텐 실리사이드와 하부도전배선층을 식각하는 공정과, 열산화공정으로 상기 식각공정으로 손상된 부분과 반도체기판을 보호할 수 있는 열산화막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하부도전배선층은 400 내지 700℃의 온도에서 인-수트공정으로 도프된 다결정실리콘막으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자연산화막은 HF 나 BOE 용액을 이용한 습식방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열공정은 400 내지 700℃의 온도에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열공정은 2 내지 30분간 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 텅스텐 실리사이드는 400 내지 700℃의 온도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046986A KR970053512A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 반도체소자의 도전배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950046986A KR970053512A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 반도체소자의 도전배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053512A true KR970053512A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66592972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950046986A KR970053512A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 반도체소자의 도전배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053512A (ko) |
-
1995
- 1995-12-06 KR KR1019950046986A patent/KR970053512A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920001625A (ko) | 표면적이 극대화된 실리콘층 및 그 제조방법 | |
| KR970053512A (ko) | 반도체소자의 도전배선 형성방법 | |
| KR100443363B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960039285A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970018106A (ko) | 반도체 소자의 리페어를 용이하게 하기 위한 다층 절연막 제거 방법 | |
| KR960026205A (ko) | 금속 배선 콘택 제조방법 | |
| KR960042962A (ko) | 반도체 소자의 금속배선용 콘택홀 형성방법 | |
| KR970023989A (ko) | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 | |
| KR970008347A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
| KR970030665A (ko) | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법 | |
| KR960002759A (ko) | 반도체 소자의 다중 금속배선 형성방법 | |
| KR960012324A (ko) | 반도체소자의 게이트전극 콘택 및 그 제조방법 | |
| KR960019655A (ko) | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 | |
| KR970053514A (ko) | 반도체소자의 도전배선 형성방법 | |
| KR950030266A (ko) | 금속 배선 형성 방법 | |
| KR980005605A (ko) | 반도체 소자의 폴리실리콘층 패턴 형성방법 | |
| KR970053557A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR980006074A (ko) | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 | |
| KR960039142A (ko) | 반도체 소자의 콘택 제조방법 | |
| KR950009935A (ko) | 반도체 장치의 실리콘 배선 제조방법 | |
| KR970052510A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR960026854A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR950025869A (ko) | 콘택홀 형성방법 | |
| KR950004402A (ko) | 콘택홀 경사식각에 의한 배선층 스텝커버리지 개선방법 | |
| KR960002569A (ko) | 금속 배선 얼라인 키 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |