KR970003542A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 소자의 제조 공정시 열처리 공정 또는 플라즈마 식각에 의한 실리사이드막의 열화를 방지하여 소자의 접촉 저항을 개선하고, 소자의 제조수명을 연장시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 반도체 소자의 접촉 저항 및 전도성을 개선하기 위하여 형성되는 실리사이드 공정시 전기적 접속을 위한 콘택홀을 먼저 형성하고, 전체 구조상부에 전이 금속층을 형성한 다음, 열공정에 의하여 접속 영역에만 실리사이드를 형성시킴으로서, 콘택홀을 형성하기 위한 식각 및 공정 및 그 밖의 열공정에 의해 실리사이드막의 열화를 방지할 수 있어, 접촉 저항의 감소 및 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (라)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 실리사이드막 제조방법을 순차적으로 나타낸 요부 단면도.
Claims (5)
- 반도체 기판 상에 게이트 전극, 접합 영역을 형성하고, 절연용 산화막을 증착시킨 후, 상기 게이트 전극 및 접합 영역의 소정 부분을 식각에 의해 노출시키는 콘택홀 형성단계; 상기 절연용 산화막 상부 및 콘택홀 하단과 양측단에 전이 금속층을 형성하는 단계; 상기 전이 금속층을 열처리하여 상기 노출된 게이트 전극 및 접합 영역에 실리사이드를 형성하는 단계; 및 상기 미반응된 전이 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전이 금속은 티타늄인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전이 금속층은 500 내지 1000Å의 두께 범위로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속 열처리 공정은 700 내지 800℃의 온도 범위에서, 20 내지 30초간 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 미반응된 전이 금속층은 NH4OH 용액을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017240A KR970003542A (ko) | 1995-06-24 | 1995-06-24 | 반도체 소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017240A KR970003542A (ko) | 1995-06-24 | 1995-06-24 | 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003542A true KR970003542A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66524161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950017240A KR970003542A (ko) | 1995-06-24 | 1995-06-24 | 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003542A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100321693B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2002-03-08 | 박종섭 | 티타늄실리사이드를이용한반도체소자의게이트전극및비트라인형성방법 |
| KR20030053365A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 동부전자 주식회사 | 반도체소자의 제조방법 |
| KR100609239B1 (ko) * | 2003-12-08 | 2006-08-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-06-24 KR KR1019950017240A patent/KR970003542A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100321693B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2002-03-08 | 박종섭 | 티타늄실리사이드를이용한반도체소자의게이트전극및비트라인형성방법 |
| KR20030053365A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 동부전자 주식회사 | 반도체소자의 제조방법 |
| KR100609239B1 (ko) * | 2003-12-08 | 2006-08-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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