KR980005532A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 층간절연막을 형성하고, 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 전체표면상부에 티타늄막을 소정두게 형성하고 상기 반도체기판을 대기중에 노출시켜 상기 티타늄막 상부에 자연산화막을 티타늄질화막으로 형성한 다음, 전체표면 상부에 금속배선 물질을 형성하여 금속배선을 형성함으로써 별도의 장비없이 간단한 공정으로 안정된 확산방지막을 형성하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 하는 잇점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1f도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체기판 상부에 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 티타늄막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 반도체기판을 대기중에 노출시켜 상기 티타늄막 상부에 자연산화막을 형성하는 공정과, 열공정을 실시하여 자연산화막을 티타늄질화막으로 형성하는 공정과, 열공정을 실시하여 자연산화막을 티타늄산화질화막으로 형성하는 공정과,전체표면상부에 금속배선 물질을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 자연산화막인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열공정은 반응로 내부를 일정비울의 질소가스의 수소가스 분위기로 하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 열공정은 400 ~550℃ 정도의 온도로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024295A KR980005532A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960024295A KR980005532A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005532A true KR980005532A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024295A KR980005532A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005532A (ko) |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024295A patent/KR980005532A/ko not_active Application Discontinuation
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