KR970072144A

KR970072144A - Semiconductor dry etching method

Info

Publication number: KR970072144A
Application number: KR1019960013248A
Authority: KR
Inventors: 이선훈
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1996-04-26
Filing date: 1996-04-26
Publication date: 1997-11-07

Abstract

건식식각 후 형성되는 폴리머(Polymer)를 제거하는 반도체 건식식각방법에 관한 것이다.And a semiconductor dry etching method for removing a polymer formed after dry etching.

본 발명은 반도체 건식식각공정이 이루어진 웨이퍼 상의 포토레지스트를 스트리핑한 후 잔존하는 폴리머(Polymer)를 제거하도록 표면을 플루오르화수소처리함을 구비하여 이루어진다.The present invention comprises stripping a photoresist on a wafer subjected to a semiconductor dry etching process and then subjecting the surface to hydrogen fluoride treatment to remove the remaining polymer.

따라서, 반도체 소자 제조 후 폴리머가 절연체로 작용하여 반도체 소자가 전기에 도통되지 않는 문제점을 해결할 수 있다.Accordingly, it is possible to solve the problem that the polymer acts as an insulator after the semiconductor device is manufactured and the semiconductor device does not conduct electricity.

Description

반도체 건식 식각 방법Semiconductor dry etching method

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is a trivial issue, I did not include the contents of the text.

제1도는 본 발명에 따른 반도체 건식식각방법의 일 실시예를 나타내는 공정도이다.FIG. 1 is a process diagram showing an embodiment of a semiconductor dry etching method according to the present invention.

Claims

반도체 건식식각공정이 이루어진 웨이퍼 상의 포토레지스트를 스트리핑한 후 잔존하는 폴리머(Polymer)를 제거하도록 표면을 플루오르화수소처리함을 특징으로 하는 반도체 건식식각방법.Characterized in that the surface is subjected to hydrogen fluoride treatment so as to strip the photoresist on the wafer subjected to the semiconductor dry etching process and to remove the remaining polymer.

제1항에 있어서, 상기 플루오르화수소는 순수에 대해서 2.5~3.5 : 1로 혼합됨을 특징으로 하는 상기 반도체 건식식각방법.The method as claimed in claim 1, wherein the hydrogen fluoride is mixed at 2.5 to 3.5: 1 with respect to pure water.

제1항에 있어서, 상기 플루오르화수소는 순수에 대해서 6.5~7.5 : 1로 혼합됨을 특징으로 하는 상기 반도체 건식식각방법.The method as claimed in claim 1, wherein the hydrogen fluoride is mixed in a ratio of 6.5 to 7.5: 1 with respect to pure water.

제1항에 있어서, 상기 플루오르화수소는 순수에 대해서 32.5~33.5 : 1로 혼합됨을 특징으로 하는 상기 반도체 건식식각방법.2. The method of claim 1, wherein the hydrogen fluoride is mixed at 32.5 to 33.5: 1 with respect to pure water.

제1항에 있어서, 상기 플루오르화수소는 순수에 대해서 99.5~100.5 : 1로 혼합됨을 특징으로 하는 상기 반도체 건식식각방법.The method of claim 1, wherein the hydrogen fluoride is mixed at 99.5 to 100.5: 1 with respect to pure water.

제1항에 있어서, 상기 플루오르화수소는 순수에 대해서 199.5~200.5 : 1로 혼합됨을 특징으로 하는 상기 반도체 건식식각방법.The method of claim 1, wherein the hydrogen fluoride is mixed at a ratio of 199.5 to 200.5: 1 with respect to pure water.

제1항에 있어서, 상기 플루오르화수소는 순수에 대해서 999.5~1000.5 : 1로 혼합됨을 특징으로 하는 상기 반도체 건식식각방법.The method according to claim 1, wherein the hydrogen fluoride is mixed with pure water at a ratio of 999.5 to 1000.5: 1.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.