KR980006390A - Semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 장치의 폴리 실리콘막 식각시 발생할 수 있는 식각 잔유물을 완전히 제거할 수 있으며, 이를 통해 제조공정상의 수율 향상에 기여하는 효과가 있으며, 폴리 실리콘막을 식각하여기판상의 소정부위를 노출시키는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 폴리 실리콘막의 주식각후 과도식각전, Hbr + SF6가스가 포함된 플라즈마를 사용하여 각각 잔유물을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention has the effect of completely removing the etching residue that may occur when a polysilicon film is etched in a semiconductor device, thereby contributing to improvement in the yield of the manufacturing process. And a step of removing the residues using a plasma containing Hbr + SF6 gas before the transient etching of the polysilicon film after the polysilicon film is etched.

Description

반도체 장치 제조방법Semiconductor device manufacturing method

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is a trivial issue, I did not include the contents of the text.

제1도 내지 제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치 제조 공정도이다.FIGS. 1 to 3 are views showing a process for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

Claims (3)

폴리 실리콘막을 식각하여 기판상의 소정 부위를 노출시키는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 폴리 실리콘막의 주식각후 과도식각전, HBr + SF6가 포함된 플라즈마를 사용하여 식각 잔유물을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.A method for manufacturing a semiconductor device which exposes a predetermined region on a substrate by etching a polysilicon film, comprising the step of removing the etching residue by using a plasma containing HBr + SF6 before the transient etching of the polysilicon film Wherein the semiconductor device is a semiconductor device. 제1항에 있어서, 상기 HBr + SF6 가스의 조성비는 HBr : SF6 = 1내지 2:1인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.The method according to claim 1, wherein the composition ratio of the HBr + SF6 gas is HBr: SF6 = 1 to 2: 1. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마에 의한 식각 시간은 30초 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.The method according to claim 1, wherein the etching time by the plasma is 30 seconds or less. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.