KR970063497A - 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 의한 반도체 소자의 금속 배선층 형성방법은, CVD-W 배선층 하부에 오믹층, 희생층, 밀착층을 두어 후속되는 고온의 열처리 공정에 의해 TiSi2층의 변형, 예컨데 응집(Agglomeration)현상 및 소오스/드레인 영역에 주입된 불순물 이온들의 외부 확산(Out-diffusion)을 억제하여 콘택홀에서의 급격한 저항 증가를 방지할 수 있고, 종래의 텅스텐 폴리사이드 구조에 비해 N+ 소오스/드레인 영역과 P+ 소오스/드레인 영역을 동시에 연결할 수 있다는 잇점이 있다.

Description

반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제7도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법을 순차적으로 도시한 단면도이다.

Claims (9)

  1. 반도체 기판에 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 소오스/드레인 영역이 형성된 반도체 기판에 절연막을 증착하고 패터닝하여 상기 소오스/드레인 영역에 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 소오스/드레인 영역이 노출된 콘택홀 바닥에 반응지연막을 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 오믹층(Ohmic Layer)을 얇게 증착하는 단계; 상기 결과물에 열처리 공정을 실시하여 상기 반응지연막과 오믹층이 접촉하는 상기 콘택홀 바닥에 화합물층을 형성하고, 상기 콘택홀 바닥을 제외한 상기 절연막 상에 미반응되어 남아있는 상기 오믹층을 제거하는 단계; 및 상기 결과물에 희생층(Sacrificial Layer), 밀착층(Glue Layer) 및 금속 배선층을 차례로 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 오믹층(Ohmic Layer)은 티타늄(Ti)을 얇게 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 희생층의 재료로 SiH4, Si4H6등 중에서 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 희생층은 650℃ 이하에서 저압화학기상증착(LPCVD;Low Pressure Chemical Vapor Deposition), 플라즈마화학기상증착(PE-CVD;Plasma Enhenced Chemical Vapor Deposition)중에서 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 희생층은 1000A°이하의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 밀착층은 Ti양이 N양보다 많은 TiN층(Ti Rich TiN)과 Ti : N이 1 : 1인 TiN층의 이중구조를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 밀착층은 Ti양이 N양보다 많은 TiN층(Ti Rich TiN)과 N양이 Ti양보다 많은 TiN층(N Rich TiN)의 이중 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 희생층을 증착하기 저에 스퍼터(Sputter) 식각 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인 영역의 불순물이 P+형일 경우 상기 콘택홀을 형성하는 단계 후에 P+형 이온 주입 공정을 추가하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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